JP6336022B1 - めっき装置、めっき方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 - Google Patents

めっき装置、めっき方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体 Download PDF

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Abstract

【課題】基板表面の親水性を向上させるとともに、基板毎に親水性の程度がバラつくことを抑制する。【解決手段】レジストパターンを有する基板にめっき処理を行うめっき装置が提供される。このめっき装置は、基板の表面に前処理液を接触させる前処理ユニットと、被処理面に前処理液を接触させた基板にめっき処理を行うめっき槽と、を有する。前処理ユニットは、基板の被処理面を上向きに保持する保持台と、保持台を回転させるように構成されたモータと、被処理面に紫外線を照射するように構成された親水化処理部と、親水化処理部により親水化した被処理面に前処理液を供給するように構成された前処理液供給部と、を有する。【選択図】図５Ａ

Description

本発明は、めっき装置、めっき方法、及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体に関する。
従来、半導体ウェハ等の表面に設けられた微細な配線用溝、ホール、又はレジスト開口部に配線を形成したり、半導体ウェハ等の表面にパッケージの電極等と電気的に接続するバンプ（突起状電極）を形成したりすることが行われている。この配線及びバンプを形成する方法として、例えば、電解めっき法、蒸着法、印刷法、ボールバンプ法等が知られているが、半導体チップのＩ／Ｏ数の増加、細ピッチ化に伴い、微細化が可能で性能が比較的安定している電解めっき法が多く用いられるようになってきている。
配線が形成された基板の所定位置に電解めっき法によってバンプ又は配線を形成する際には、レジストをマスクとして使用することが広く行われている。具体的には、基板の表面に給電層としてのシード層を形成し、このシード層の表面に例えば高さが２０〜１２０μｍのレジストを塗布した後、このレジスト層の所定の位置に、例えば、直径５〜２００μｍ程度の開口部を設け、レジストパターンを形成する。
レジストパターンの内部（レジスト開口部）にバンプを形成する電解めっきにおいては、アノードと基板とをめっき液に浸漬させて、アノードと基板との間に電圧が印加される。基板表面のレジスト開口部又は貫通孔にめっき液を侵入し易くするため、これらのレジスト開口部又は貫通孔内に存在する空気をプリウェット液（前処理液）で置換するプリウェット処理が行われる。このようなプリウェット処理として、プリウェット槽内に保持されたプリウェット液中に基板を浸漬させることが知られている（特許文献１参照）。
また、絶縁膜の表面にビアホールと呼ばれる凹部を形成し、絶縁膜の平坦な表面及び凹部の表面上にシード層などの導電層が形成されているウェハに金属を埋め込む電解めっきにおいても、電解めっき前に上記のプリウェット処理が行われている。
また、このようなプリウェット処理の前に、アッシング装置によってレジスト表面を親水化するめっき装置も知られている（特許文献２参照）。
特開２００７−１３８３０４号公報 特開２００５−２４０１０８号公報
特許文献１に記載されているように、従来のプリウェット処理は、基板全体をプリウェット液中に浸漬させるので、多量のプリウェット液を必要とする。さらに、１枚の基板をプリウェット処理するたびに、プリウェット槽内のプリウェット液を交換する必要がある。プリウェット液をプリウェット槽から排出して、新たなプリウェット液をプリウェット槽に貯留するには、長い時間を要する。このため、従来のプリウェット処理においては、使用されるプリウェット液の量の低減、及びプリウェット処理時間の短縮が望まれている。
従来のめっき方法においては、配線形成工程でレジストにアッシング処理が行われた後、必ずしも直ちにめっき処理が行われるわけではない。即ち、配線形成工程でアッシング処理が行われてからどの程度の時間を経てめっきされるかは、そのプロセス条件によって異なる。配線形成工程でアッシング処理が行われてからの時間の経過と共に、基板のレジスト表面及び／又はシード層に有機物が付着し、レジスト表面及び／又はシード層が親水性から疎水性に変化する。
アッシング処理が行われてから長い時間が経過した基板に対してめっきを行う場合、基板の表面が疎水化しているので、基板のレジスト開口部内にプリウェット液が入り込まなかったり、基板の被めっき面に気泡が吸着して取れにくくなったりする。このため、めっきされた基板に欠陥が発生することがある。
特許文献２に記載されためっき装置では、アッシング装置により、プリウェット処理の前にレジスト表面を親水化することが行われている。しかしながら、このめっき装置では、アッシング装置とプリウェット槽とが別々に配置されており、アッシング処理は基板ホルダに保持される前の基板に行われ、基板ホルダに保持された基板に対してプリウェット処理が行われる。したがって、めっき処理の状況によっては、基板の搬送を速やかに行うことができず、アッシングを行った直後にプリウェット処理を行うことができない場合がある。このため、基板毎にアッシング処理からプリウェット処理までの時間が異なり、親水性の程度にバラつきが生じる虞がある。
本発明は上記問題に鑑みてなされたものである。その目的は、基板のレジスト表面及び／又はシード層の親水性を向上させるとともに、基板毎に親水性の程度がバラつくことを抑制することである。
本発明の一形態によれば、基板にめっき処理を行うめっき装置が提供される。このめっき装置は、前記基板の表面に前処理液を接触させる前処理ユニットと、前記表面に前記前処理液を接触させた前記基板にめっき処理を行うめっき槽と、を有する。前記前処理ユニットは、前記基板の表面を上向きに保持する保持台と、前記保持台を回転させるように構成されたモータと、前記表面に紫外線を照射するように構成された親水化処理部と、前記親水化処理部により親水化した前記表面に前記前処理液を供給するように構成された前処理液供給部と、を有する。
本発明の他の一形態によれば、めっき方法が提供される。このめっき方法は、基板を保持台に配置する工程と、前記保持台に配置された前記基板の表面に紫外線を照射して親水化処理を行う工程と、前記親水化処理が行われた前記基板の表面に前処理液を供給する工程と、前記表面に前記前処理液が供給された前記基板を保持した前記保持台を回転させる工程と、前記表面に前記前処理液が供給された前記基板にめっき処理を行うめっき工程と、を有する。
本実施形態に係るめっき装置の全体配置図を示す。 めっき装置で使用される基板ホルダの斜視図である。 基板ホルダの電気接点を示す断面図である。 めっき装置１における基板の処理を示すフロー図である。 本実施形態に係る前処理ユニットの概略側断面図である。 本実施形態に係る前処理ユニットの概略上面図である。 前処理ユニットにおいて基板に行う前処理を示すフロー図である。 基板に紫外線照射を行っている前処理ユニットを示す。 基板に前処理液を供給している前処理ユニットを示す。 基板に乾燥ガスを吹き付けている前処理ユニットを示す。 他の実施形態に係る前処理ユニットの概略上面図である。
以下、本発明の実施形態に係るめっき装置について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一の又は相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。なお、以下ではめっき装置の一例として電解めっき装置を説明するが、これに限られず、本発明のめっき装置として無電解めっき装置を採用することもできる。
図１は、本実施形態に係るめっき装置の全体配置図を示す。図１に示すように、めっき装置１はその全体がフレーム１００で囲まれており、フレーム１００で囲まれた空間がめっき装置１として画定される。めっき装置１には、半導体ウェハ等の基板を収納したカセット１０を搭載する２台のカセットテーブル１２と、基板のオリフラ（オリエンテーションフラット）やノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ１４と、載置された基板ホルダ６０に対して基板の着脱を行う基板着脱部２０と、めっき処理後の基板を回転させつつ基板表面を洗浄するための洗浄液（純水）を供給して基板を洗浄し、その後に基板を高速回転させて基板表面を乾燥させる洗浄装置（スピンリンスドライヤ）１６とが備えられている。加えて、めっき装置１は、基板に前処理を行う前処理ユニット８０を備える。前処理ユニット８０は、後述するように、基板の被処理面を改質した後に、基板にプリウェット処理を行うように構成される。これらのユニットの略中央には、これらのユニット間で基板を搬送する、例えば搬送用ロボットである基板搬送装置２２が配置されている。なお、めっき装置１は、前処理ユニット８０と洗浄装置１６のいずれか一方のみを備えていてもよい。その場合は、前処理ユニット８０及び洗浄装置１６のいずれか一方が、前処理と洗浄及び乾燥の両方を行うように構成される。
基板着脱部２０は、レール５０に沿って水平方向にスライド可能な平板状の載置プレート５２を備えている。基板搬送装置２２は、２個の基板ホルダ６０が水平状態で並列に載置プレート５２に載置された状態で、一方の基板ホルダ６０と基板の受渡しを行う。その後、基板搬送装置２２は、載置プレート５２を水平方向にスライドさせて、他方の基板ホルダ６０と基板の受渡しを行う。
また、めっき装置１には、ストッカ２４と、プリソーク槽２８と、第１洗浄槽３０ａと、ブロー槽３２と、第２洗浄槽３０ｂと、めっき槽３４と、を有する。ストッカ２４では、基板ホルダ６０の保管及び一時仮置きが行われる。プリソーク槽２８では、基板の表面に形成したシード層等の導電層の表面の酸化膜がエッチング除去される。第１洗浄槽３０ａでは、プリソーク後の基板が基板ホルダ６０と共に洗浄液（純水等）で洗浄される。ブロー槽３２では、洗浄後の基板の液切りが行われる。第２洗浄槽３０ｂでは、めっき後の基板が基板ホルダ６０と共に洗浄液で洗浄される。ストッカ２４、プリソーク槽２８、第１洗浄槽３０ａ、ブロー槽３２、第２洗浄槽３０ｂ、及びめっき槽３４は、この順に配置されている。
めっき槽３４は、オーバーフロー槽３６と、この内部に収納された複数のめっきユニット３８を備えている。各めっきユニット３８は、基板を保持した基板ホルダ６０を内部に収納して、内部に保持しためっき液に基板を浸漬させる。めっきユニット３８において基板とアノードとの間に電圧を印加することにより、基板表面に銅めっき等のめっきが行われる。なお、銅以外に、ニッケルやはんだ、銀、金等のめっきにおいても同様のめっき装置１を用いることができる。
さらに、めっき装置１には、基板ホルダ６０を搬送する基板ホルダ搬送装置４０が備え
られている。基板ホルダ搬送装置４０は、例えばリニアモータ方式であり、基板着脱部２０及び上記各槽の側方に位置する。基板ホルダ搬送装置４０は、基板着脱部２０とストッカ２４との間で基板を搬送する第１のトランスポータ４２と、ストッカ２４、プリソーク槽２８、洗浄槽３０ａ，３０ｂ、ブロー槽３２及びめっき槽３４との間で基板を搬送する第２のトランスポータ４４と、を有している。なお、基板ホルダ搬送装置４０は、第１のトランスポータ４２と第２のトランスポータ４４のいずれか一方のみを備えてもよい。

めっき装置１は、上述しためっき装置１の各部の動作を制御するように構成された制御部４５を有する。制御部４５は、例えば、後述する図４及び図６に示すプロセス等をめっき装置１に実行させる所定のプログラムを格納したコンピュータ読み取り可能な記録媒体と、記録媒体のプログラムを実行するＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）（コンピュータの一例に相当する）等を有する。制御部４５は、例えば、基板搬送装置２２の搬送制御、基板ホルダ搬送装置４０の搬送制御、めっき槽３４におけるめっき電流及びめっき時間の制御、並びに後述する前処理ユニット８０における前処理の制御等を行うことができる。なお、制御部４５が有する記録媒体としては、フレキシブルディスク、ハードディスク、メモリストレージ等の磁気的媒体、ＣＤ、ＤＶＤ等の光学的媒体、ＭＯ、ＭＤ等の磁気光学的媒体等、任意の記録手段を採用することができる。
図２は図１に示しためっき装置で使用される基板ホルダ６０の斜視図である。基板ホルダ６０は、図２に示すように、例えば塩化ビニル製で矩形平板状の第１保持部材６５と、この第１保持部材６５にヒンジ６３を介して開閉自在に取付けられた第２保持部材６６とを有している。基板ホルダ６０の第１保持部材６５の略中央部には、基板を保持するための保持面６８が設けられている。また、第１保持部材６５の保持面６８の外側には、保持面６８の周囲に沿って、内方に突出する突出部を有する逆Ｌ字状のクランパ６７が等間隔に設けられている。
基板ホルダ６０の第１保持部材６５の端部には、基板ホルダ６０を搬送したり吊下げ支持したりする際の支持部となる一対の略Ｔ字状のハンド６９が連結されている。図１に示したストッカ２４内において、ストッカ２４の周壁上面にハンド６９を引っ掛けることで、基板ホルダ６０が垂直に吊下げ支持される。また、この吊下げ支持された基板ホルダ６０のハンド６９を第１のトランスポータ４２又は第２のトランスポータ４４で把持して基板ホルダ６０が搬送される。なお、プリソーク槽２８、洗浄槽３０ａ，３０ｂ、ブロー槽３２及びめっき槽３４内においても、基板ホルダ６０は、ハンド６９を介してそれらの周壁に吊下げ支持される。
また、ハンド６９には、外部の電力供給部に接続するための図示しない外部接点が設けられている。この外部接点は、複数の配線を介して保持面６８の外周に設けられた複数の導電体７３（図３参照）と電気的に接続されている。
第２保持部材６６は、ヒンジ６３に固定された基部６１と、基部６１に固定されたリング状のシールホルダ６２とを備えている。第２保持部材６６のシールホルダ６２には、シールホルダ６２を第１保持部材６５に押し付けて固定するための押えリング６４が回転自在に装着されている。押えリング６４は、その外周部において外方に突出する複数の突条部６４ａを有している。突条部６４ａの上面とクランパ６７の内方突出部の下面は、回転方向に沿って互いに逆方向に傾斜するテーパ面を有する。
基板を保持するときは、まず、第２保持部材６６を開いた状態で、第１保持部材６５の保持面６８に基板を載置し、第２保持部材６６を閉じる。続いて、押えリング６４を時計回りに回転させて、押えリング６４の突条部６４ａをクランパ６７の内方突出部の内部（
下側）に滑り込ませる。これにより、押えリング６４とクランパ６７にそれぞれ設けられたテーパ面を介して、第１保持部材６５と第２保持部材６６とが互いに締付けられてロックされ、基板が保持される。保持された基板の被めっき面は、外部に露出される。基板の保持を解除するときは、第１保持部材６５と第２保持部材６６とがロックされた状態において、押えリング６４を反時計回りに回転させる。これにより、押えリング６４の突条部６４ａが逆Ｌ字状のクランパ６７から外されて、基板の保持が解除される。
図３は、図２に示した基板ホルダ６０の電気接点を示す断面図である。図３に示す例では、第１保持部材６５の保持面６８には基板Ｗが載置されている。保持面６８と第１保持部材６５との間には、図２に示したハンド６９に設けられた外部接点から延びる複数の配線に接続された複数の（図示では１つの）導電体７３が配置されている。導電体７３は、第１保持部材６５の保持面６８上に基板Ｗを載置した際、この導電体７３の端部が基板Ｗの側方で第１保持部材６５の表面にばね特性を有した状態で露出するように基板Ｗの円周外側に複数配置されている。
シールホルダ６２の、第１保持部材６５と対向する面（図中下面）には、基板ホルダ６０で基板Ｗを保持したときに基板Ｗの表面外周部及び第１保持部材６５に圧接されるシール部材７０が取付けられている。シール部材７０は、基板Ｗの表面をシールするリップ部７０ａと、第１保持部材６５の表面をシールするリップ部７０ｂとを有する。即ち、シール部材７０は、基板の周縁部と第１保持部材６５の面との間を封止するように構成される。
シール部材７０の一対のリップ部７０ａ，７０ｂで挟まれた内部には、支持体７１が取付けられる。支持体７１には導電体７３から給電可能に構成された電気接点７２が、例えばねじ等で固定され、基板Ｗの円周に沿って複数配置されている。電気接点７２は、保持面６８の内側へ向かって延びる電気接点端部７２ａと、導電体７３から給電可能に構成された脚部７２ｂとを有している。
図２に示した第１保持部材６５と第２保持部材６６とがロックされると、図３に示すように、シール部材７０の内周面側の短いリップ部７０ａが基板Ｗの表面に、外周面側の長いリップ部７０ｂが第１保持部材６５の表面にそれぞれ押圧される。これにより、リップ部７０ａ及びリップ部７０ｂ間が確実にシールされるとともに、基板Ｗが保持される。
シール部材７０でシールされた領域、即ちシール部材７０の一対のリップ部７０ａ，７０ｂで挟まれた領域において、導電体７３が電気接点７２の脚部７２ｂに電気的に接続され、且つ電気接点端部７２ａが基板Ｗの周縁部の導電層、例えばシード層に接触する。これにより、基板Ｗをシール部材７０でシールしつつ基板ホルダ６０で保持した状態で、電気接点７２を介して基板Ｗに給電することができる。
次に、めっき装置１における基板の処理を説明する。図４は、めっき装置１における基板の処理を示すフロー図である。図４に示すように、まず、基板搬送装置２２がカセット１０から基板を取り出し、前処理ユニット８０に搬送する（ステップＳ４０１）。前処理ユニット８０は、基板の被めっき面を親水化（改質）した後に、基板にプリウェット処理を行う（ステップＳ４０２）。続いて、基板搬送装置２２は、前処理ユニット８０から基板を取り出してアライナ１４に搬送する。アライナ１４は、基板のノッチ又はオリフラの向きを整列させる（ステップＳ４０３）。向きが整列された基板は、基板搬送装置２２によって基板着脱部２０に搬送され、基板ホルダ６０に保持される（ステップＳ４０４）。基板ホルダ６０に保持された基板は、プリソーク槽２８に搬送され、基板表面の酸化膜が除去される（ステップＳ４０５）。酸化膜が除去された基板は、第１洗浄槽３０ａに収納され、基板ホルダ６０と共に洗浄される。なお、このプリソーク槽２８における処理及び
第１洗浄槽３０ａにおける洗浄は省略されることがある。
続いて、基板はめっき槽３４内に収納され、基板表面にめっきが行われる（ステップＳ４０６）。めっきされた基板は、第２洗浄槽３０ｂに収納され、基板の被めっき面が基板ホルダ６０と共に洗浄される。その後、基板及び基板ホルダ６０はブロー槽３２において乾燥される（ステップＳ４０７）。乾燥した基板は、基板着脱部２０で基板ホルダ６０から取り出される（ステップＳ４０８）。取り出された基板は、洗浄装置１６で洗浄及び乾燥され（ステップＳ４０９）、カセット１０に収納される（ステップＳ４１０）。
次に、前処理ユニット８０における基板の前処理について詳細に説明する。上述したように、シード層が形成された基板には、配線形成工程で予めレジストパターンが形成される。基板は、図１に示しためっき装置１に搬送される前に、アッシング装置においてＵＶの照射等が行われて、基板の表面が親水化する。アッシング処理が行われた基板Ｗは、その後めっき装置１に搬送され、基板ホルダ６０に保持される。ここで、基板Ｗの表面には、アッシング処理からの時間経過によって、有機物が付着して、基板の表面の被めっき面及びレジスト表面が親水性から疎水性に変化する。そこで、本実施形態に係るめっき装置１では、めっき装置１に搬送された基板Ｗに対して、前処理（プリウェット処理）の直前又はこれと同時に基板Ｗの表面の改質処理（親水化処理）を行うことで、基板Ｗ表面の親水性を向上させるとともに、基板毎に親水性の程度を均一化する。
図５Ａは、本実施形態に係る前処理ユニット８０の概略側断面図であり、図５Ｂは、本実施形態に係る前処理ユニット８０の概略上面図である。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、前処理ユニット８０は、吸着プレート８１（保持台の一例に相当する）と、回転カップ８２と、紫外線照射装置８４（親水化処理部の一例に相当する）と、前処理液供給ノズル８５（前処理液供給部の一例に相当する）と、乾燥ガス供給ノズル８６（ガス供給部の一例に相当する）と、モータ８７と、を有する。吸着プレート８１は、基板Ｗの被めっき面（被処理面の一例に相当する）を上向きに保持するように構成される。具体的には、吸着プレート８１は、例えば真空チャック装置又は静電チャック装置を有し、基板Ｗの裏面を吸着して基板Ｗを吸着プレート８１上に固定する。吸着プレート８１は、図示しない昇降機構を有し、基板Ｗを吸着プレート８１から着脱する際に、吸着プレート８１の吸着面が回転カップ８２の上端部よりも上に位置するように、上方に移動する。モータ８７は、吸着プレート８１を周方向に回転させるように構成される。
紫外線照射装置８４は、吸着プレート８１の上方に設けられ、基板Ｗの表面（被めっき面側）の全体に紫外線を照射するように構成される。紫外線照射装置８４としては、例えば、低圧水銀ランプ等の紫外線を照射可能な装置を採用することができる。紫外線照射装置８４が低圧水銀ランプである場合は、照射される紫外線の主波長は１８４ｎｍ又は２５４ｎｍである。この低圧水銀ランプは、直管型、Ｕ型、Ｍ型、及び矩形型等、基板表面を照射することができる任意の形状を有し得る。図５Ａ及び図５Ｂに示すように、紫外線照射装置８４は、吸着プレート８１に配置された基板Ｗの略中央部から周縁部に渡って、少なくとも基板Ｗの半径部分に紫外線を照射できるサイズであればよい。したがって、本実施形態の紫外線照射装置８４は、吸着プレート８１に配置された基板Ｗの略中央部から周縁部に向かって延在するように設けられる。本実施形態では、吸着プレート８１に配置された基板Ｗは、吸着プレート８１の回転に伴って周方向に回転するので、基板Ｗが回転することによって基板Ｗの表面（被めっき面側）の全体に紫外線を照射することができる。これにより、基板Ｗの全面に紫外線を照射する場合に比べて、紫外線照射装置８４のサイズを小さくすることができ、紫外線照射装置８４のコストも低減することができる。ただし、紫外線照射装置８４は、基板Ｗの表面（被めっき面側）の全体に紫外線を照射することができるサイズであってもよい。また、紫外線照射装置８４を基板Ｗの半径方向に沿って揺動させる揺動装置を設けることもできる。この場合は、紫外線照射装置８４のサイズ
が小さくとも、基板Ｗが回転すること、及び紫外線照射装置８４が揺動することにより、基板Ｗの表面（被めっき面側）の全体に紫外線を照射することができる。
前処理液供給ノズル８５は、基板Ｗの表面に前処理液を供給するように構成される。前処理液としては、例えば、ＤＩＷ（Ｄｅ−Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ）、希硫酸、めっき液に用いられる促進剤、抑制剤、若しくはレベラー等の添加剤を含んだ水溶液、又はめっき液に用いられる塩素イオンを含んだ水溶液等、のいずれか又はこれらを組み合わせた前処理液であって、金属イオンを含まないものを採用することができる。例えば前処理液が希硫酸である場合は、希硫酸はめっき槽３４に保持されるめっき液中の希硫酸と同成分であることが好ましい。前処理液供給ノズル８５は、基板Ｗの中心に前処理液を供給する。基板Ｗが吸着プレート８１の回転に伴って回転することにより、基板Ｗの中心に供給された前処理液は、遠心力により基板Ｗの周縁部に向かって均等に広がる。これにより、基板Ｗの表面の全体に前処理液を接触させることができる。
乾燥ガス供給ノズル８６は、基板Ｗの周縁部に窒素又はアルゴン等の不活性ガスを吹き付けるように構成される。基板Ｗを回転させながら、乾燥ガス供給ノズル８６により基板Ｗの周縁部に不活性ガスを吹き付けることにより、基板Ｗの周縁部に付着した前処理液を除去又は乾燥させることができる。図２及び図３に関連して説明したように、基板ホルダ６０の電気接点端部７２ａが基板Ｗの周縁部に接触することで、基板Ｗ表面のシード層に給電される。このとき、基板の周縁部が前処理液で濡れていると、電気接点端部７２ａ間が短絡する可能性がある。したがって、前処理ユニット８０が乾燥ガス供給ノズル８６を有することにより、電気接点端部７２ａ間の短絡を防止することができる。ただし、基板ホルダ６０にウェット接点を採用する場合、及びめっき装置１が基板ホルダ６０を不要とする場合等には、前処理ユニット８０は乾燥ガス供給ノズル８６を備えていなくともよい。なお、ここでウェット接点とは、給電部材が設けられる空間がシールされてめっき液と給電部材とが直接接触しないようにされた、いわゆるドライ接点に対する対義語であり、基板の周縁部と接する給電部材が、めっき液と接触することを許容するような接点のことをいう。
乾燥ガス供給ノズル８６は、基板Ｗの内側から外側に向かって基板Ｗの周縁部に不活性ガスを吹き付けることが望ましい。例えば、乾燥ガス供給ノズル８６のノズル８６ａの吐出部を基板Ｗの内側から外側に向けることができる。これにより、基板Ｗの周縁部に付着した前処理液を、基板Ｗの径方向外側に吹き飛ばして、基板Ｗの乾燥速度を向上させることができる。
回転カップ８２は、吸着プレート８１及び基板Ｗの周辺を取り囲む筐体である。回転カップ８２の上部は、紫外線の照射、前処理液の供給、及び不活性ガスの供給が可能なように、開放されている。回転カップ８２は、基板Ｗの回転、及び不活性ガスの吹付けにより吹き飛ばされた前処理液を受けるように構成される。回転カップ８２は、その底部に排水部８３を有し、受けた前処理液を排出するように構成される。
図５Ｂに示すように、紫外線照射装置８４、前処理液供給ノズル８５、及び乾燥ガス供給ノズル８６はそれぞれ、吸着プレート８１から外れた退避位置（図中破線で示される位置）と、吸着プレート８１の上方の処理位置（図中実線で示される位置）との間を移動可能に構成される。基板Ｗを吸着プレート８１に配置するときは、紫外線照射装置８４、前処理液供給ノズル８５、及び乾燥ガス供給ノズル８６を退避位置に移動させる。この状態で、吸着プレート８１の吸着面を回転カップ８２の上端部よりも高い位置に移動させて、基板Ｗを吸着プレート８１上に配置する。基板Ｗを保持した吸着プレート８１を下降させた後、実行する処理に応じて、紫外線照射装置８４、前処理液供給ノズル８５、及び乾燥ガス供給ノズル８６のいずれかを処理位置に移動させる。
次に、前処理ユニット８０で行われる前処理について具体的に説明する。図６は、前処理ユニット８０において基板Ｗに行う前処理を示すフロー図である。言い換えれば、図６は、図４に示したステップＳ４０２を詳細に説明するフロー図である。図７Ａ−図７Ｃは、基板Ｗに前処理を行っている前処理ユニット８０を示す概略側断面図である。具体的には、図７Ａは基板Ｗに紫外線照射を行っている前処理ユニット８０を示し、図７Ｂは基板Ｗに前処理液を供給している前処理ユニット８０を示し、図７Ｃは基板Ｗに乾燥ガスを吹き付けている前処理ユニット８０を示す。なお、図５Ａ及び図５Ｂに示した前処理ユニット８０の吸着プレート８１、紫外線照射装置８４、前処理液供給ノズル８５、乾燥ガス供給ノズル８６、モータ８７の作動は、図１に示した制御部４５によって制御されて、図６に示す前処理のフローが実行される。
前処理ユニット８０において基板Ｗを前処理するには、まず基板Ｗを吸着プレート８１で保持する（ステップＳ６０１）。このとき、基板Ｗの表面は、紫外線照射装置８４と対向するように上向きになる。続いて、図７Ａに示すように、モータ８７が吸着プレート８１及び基板Ｗを回転させつつ、紫外線照射装置８４が基板Ｗの表面に紫外線を照射する（ステップＳ６０２）。これにより、基板Ｗの表面の全体に紫外線が照射され、被めっき面が改質される。具体的には、このとき、大気中に存在する少量のオゾンから、紫外線の作用により活性酸素が生じる。この活性酸素は、基板Ｗ表面の有機物を揮発性の物質に分解変化させる。また、この活性酸素及び紫外線の作用によりレジスト表面の化学結合が切断され、活性酸素がレジスト表面の分子に結合する。これにより、レジスト表面に親水性の高い官能基が付与される。即ち、紫外線を基板Ｗ表面に照射することにより、基板Ｗ表面の疎水性の物質が除去、洗浄され、表面が親水性に改質される。この処理を、本実施形態では、親水化処理という。
ステップＳ６０２においては、基板Ｗ表面への紫外線の照射時間は、例えば約１０秒から約３分とすることが好ましい。この照射時間は、めっき装置１に搬入される前の基板Ｗへのアッシング処理からの経過時間に応じて適切に決定され得る。紫外線の照射時間が１０秒を下回ると、基板Ｗ表面に付着した疎水性の有機物を十分除去することができない虞がある。また、紫外線の照射時間が３分を超えると、基板Ｗ表面のレジストが灰化してしまう虞がある。なお、図３に示すように、基板Ｗの表面は基板ホルダ６０に基板Ｗが保持された際にめっきが施される被めっき面Ｗ１と、基板ホルダ６０によってシールされ、電気接点７２が接触する面（シール領域Ｗ２）に区分される。このシール領域Ｗ２にはレジストが形成されていないので、レジストが灰化する虞がない。被めっき面Ｗ１よりもこのシール領域Ｗ２への紫外線の照射時間を長くすることで基板ホルダ６０の電気接点７２が接触する箇所の表面を一層改質してもよい。また、被めっき面Ｗ１とシール領域Ｗ２とで異なる波長及び／又は異なる光学強度の紫外線を照射してもよい。
また、ステップＳ６０２においては、制御部４５（図１参照）は、吸着プレート８１の回転を開始した後に、基板Ｗの被めっき面への紫外線の照射を開始するように、モータ８７及び紫外線照射装置８４を制御することが好ましい。基板Ｗの回転が停止した状態で紫外線の照射を開始すると、停止している間に紫外線が照射される部分が、他の部分よりも長時間紫外線が照射されることになる。このため、基板Ｗの面内における紫外線の照射量が不均一になる可能性がある。一方で、基板Ｗの回転を開始した後に紫外線の照射を開始することで、基板Ｗの面内における紫外線の照射量をより均一にすることができる。
ステップＳ６０２における親水化処理が終了した後、図７Ｂに示すように、前処理液供給ノズル８５は、親水化した基板Ｗの被めっき面の中心付近に前処理液（プリウェット水）を噴霧又は滴下する（ステップＳ６０３）。このとき、制御部４５（図１参照）は、紫外線の照射及び吸着プレート８１の回転を停止させた状態で、前処理液を基板Ｗの被めっ
き面に供給するように、紫外線照射装置８４、前処理液供給ノズル８５、及びモータ８７を制御する。なお、紫外線照射装置８４が、基板Ｗの表面の全体に紫外線を照射できるサイズである場合は、紫外線の照射を停止せず、前処理液の供給と紫外線の照射とを同時に行ってもよい。
また、制御部４５は、親水化処理に続いて、吸着プレート８１を回転させた状態で前処理液を基板Ｗの表面に供給するように、前処理液供給ノズル８５、及びモータ８７を制御してもよい。この場合、吸着プレート８１の回転数は、ステップＳ６０２における吸着プレート８１の回転数よりも増加させることが好ましい。吸着プレート８１の回転数を増加させることにより、前処理液の拡散速度を向上させることができる。なお、この場合、紫外線照射装置８４は、紫外線の照射を停止させてもよいし、前処理液の供給と同時に紫外線の照射を行ってもよい。
ステップＳ６０３では、基板Ｗを所定の回転数で回転することにより、基板Ｗ上に供給された前処理液の表面張力に対抗して遠心力が発生し、前処理液が基板Ｗの周縁部に向かって均一に広がる。基板Ｗの被めっき面はステップＳ６０２で親水化されているので、基板Ｗ表面のレジスト開口部内の空気と前処理液とを容易に置換することができる。本実施形態によれば、ステップＳ６０３において使用される前処理液の量を、例えば基板Ｗのサイズが１２インチの場合、数百ｍｌ程度に抑えることができ、従来のように基板Ｗをプリウェット槽に浸漬する場合に比べて、前処理液の使用量を大幅に低減することができる。ステップＳ６０３における基板Ｗの被めっき面に前処理液を均一に拡散させるために、供給する前処理液の量、基板Ｗの回転数、基板Ｗを回転させている時間等のパラメータを適宜制御することができる。なお、ステップＳ６０３においては、基板Ｗへの紫外線の照射（ステップＳ６０２）が完了した後に、前処理液の供給を行うことが好ましい。これにより、前処理液に紫外線が吸収されることを防止することができ、ステップＳ６０２の基板Ｗの改質を効率よく行うことができる。
基板Ｗの表面の全体に前処理液が供給された後、前処理液の供給を停止させる。続いて、図７Ｃに示すように、基板Ｗを回転させた状態で、基板Ｗの周縁部に乾燥ガス供給ノズル８６から不活性ガス（例えば、窒素ガス）を吹き付けて、基板Ｗの周縁部を乾燥させる（ステップＳ６０４）。このとき、上述したように、乾燥ガス供給ノズル８６は、基板Ｗの内側から外側に向かって基板Ｗの周縁部に不活性ガスを吹き付けることが望ましい。これにより、基板Ｗの周縁部に付着した前処理液を、基板Ｗの径方向外側に吹き飛ばして、基板Ｗの乾燥速度を向上させることができる。なお、例えば、基板ホルダ６０にウェット接点を採用した場合、又は基板Ｗを基板ホルダ６０で保持する必要がない場合等には、ステップＳ６０４は必ずしも実行しなくてもよい。なお、前処理ユニット８０は、加圧されたガスを乾燥ガス供給ノズル８６へ供給するための図示しない乾燥ガス供給源を有する。
ステップＳ６０１−ステップＳ６０４において前処理がされた基板Ｗには、図４で説明したステップＳ４０２−ステップＳ４１０の処理が行われ、基板Ｗにめっき膜が形成される。
以上で説明したように、本実施形態に係るめっき装置では、前処理ユニット８０において基板Ｗに紫外線の照射（親水化処理）と前処理液の供給とを行うことができる。したがって、紫外線照射による基板Ｗ表面の洗浄及び改質を行った直後にプリウェット処理を行うことができる。言い換えれば、基板Ｗの表面の全体を洗浄及び改質してからプリウェット処理を行うまでの時間を非常に短くすることができるとともに基板毎の紫外線照射による洗浄及び改質からプリウェット処理までの時間を一定にすることができる。このため、基板Ｗ表面の親水性を向上させ、且つ基板毎に親水性の程度がバラつくことを抑制することができる。また、基板Ｗの洗浄及び改質とプリウェット処理とを同時期に同じ場所（同
じ装置）で行うことができるので、めっき装置１のスループットを向上させ、且つめっき装置１のフットプリントも小さくすることができる。
また、本実施形態に係るめっき装置では、基板ホルダ６０に保持する前に、前処理ユニット８０で前処理を行うことができる。従来のように基板ホルダ６０に保持された基板Ｗをプリウェット槽に浸漬した場合、基板Ｗだけでなく基板ホルダ６０も前処理液に濡れた状態で、後段のプリソーク槽２８内のプリソーク液又はめっき槽３４内のめっき液に浸漬される。本実施形態では、従来のように基板ホルダ６０が前処理液に浸漬されることがないので、基板ホルダ６０は濡れていない状態でプリソーク槽２８又はめっき槽３４での処理が行われるので、プリソーク液又はめっき液が前処理液により希釈されることを抑制することができる。
以上で説明した実施形態では、図５Ａ及び図５Ｂに示すように、紫外線照射装置８４と前処理液供給ノズル８５とが別々に設けられている。しかしながらこれに限らず、図８に示すように、紫外線照射装置８４と前処理液供給ノズル８５とが一体に形成されていてもよい。この場合、紫外線照射装置８４と前処理液供給ノズル８５を退避位置と処理位置との間を移動させる駆動源を、紫外線照射装置８４と前処理液供給ノズル８５とで共有することができる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、上述した発明の実施の形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることはもちろんである。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲及び明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、又は省略が可能である。
たとえば、図６に示した一連の処理工程において、ステップＳ６０２の改質処理の後に、回転している基板Ｗに対して基板Ｗの上方から図示しないノズルを用いて界面活性剤を散布することで、基板Ｗの一部を界面活性剤で被覆することも考えられる。これにより、この基板Ｗには、界面活性剤で被覆されているシード層の領域と、界面活性剤で被覆されていないシード層の領域とが形成される。このような界面活性剤で基板Ｗの一部を被覆することで、この基板Ｗに電解めっき処理をしたときに、界面活性剤で被覆されていないシード層の領域のめっき速度を相対的に高め、一方で界面活性剤が被覆されているシード層の領域のめっき速度を相対的に遅くすることができる。これにより、基板Ｗの凹部にボイドが形成されるのを防止し、高アスペクト比のトレンチ構造又はビア構造を有する基板Ｗに対しても、ボトムアップによる電解めっきを容易に行うことができる。なお、基板Ｗを被覆した界面活性剤は、ある程度の時間基板Ｗをめっき液に浸漬することで、めっき液中に溶解する。
以下に本明細書が開示する形態のいくつかを記載しておく。
第１形態によれば、基板にめっき処理を行うめっき装置が提供される。このめっき装置は、前記基板の表面に前処理液を接触させる前処理ユニットと、前記表面に前記前処理液を接触させた前記基板にめっき処理を行うめっき槽と、を有する。前記前処理ユニットは、前記基板の表面を上向きに保持する保持台と、前記保持台を回転させるように構成されたモータと、前記表面に紫外線を照射するように構成された親水化処理部と、前記親水化処理部により親水化した前記表面に前記前処理液を供給するように構成された前処理液供給部と、を有する。
第１形態によれば、前処理ユニットにおいて基板に紫外線の照射（親水化処理）と前処理液の供給とを行うことができる。したがって、紫外線照射による基板表面の洗浄及び改
質を行った直後にプリウェット処理を行うことができる。言い換えれば、基板の表面全体を洗浄及び改質してからプリウェット処理を行うまでの時間を非常に短くすることができるとともに基板毎の紫外線照射による洗浄及び改質からプリウェット処理までの時間を一定にすることができる。このため、基板表面の親水性を向上させ、且つ基板毎に親水性の程度がバラつくことを抑制することができる。また、基板の洗浄及び改質とプリウェット処理とを同時期に同じ場所（同じ装置）で行うことができるので、めっき装置のスループットを向上させ、且つめっき装置のフットプリントも小さくすることができる。
また、第１形態によれば、保持台が基板を保持することにより、基板を回転させることができる。このため、基板を回転させながら親水化処理部により紫外線を照射することができるので、例えば基板に対して局所的に紫外線を照射しても、基板の回転により全体的に紫外線を照射することができる。したがって、親水化処理部が基板全面に紫外線の照射を行う場合に比べて、親水化処理部のサイズを小さくすることができる。また、前処理液供給部が親水化した基板に対して処理液を供給したとき、基板を保持した保持台を所定の回転数で回転させることができる。これにより、基板上に供給された前処理液の表面張力に対抗して遠心力が発生し、前処理液が基板の周縁部に向かって均一に広がる。基板の表面は親水化されているので、基板表面のレジスト開口部内の空気と前処理液とを容易に置換することができる。第１形態では、基板の回転により前処理液を基板の中心から周縁部に向かって広げることができるので、使用される前処理液の量を、基板のサイズが１２インチの場合、数百ｍｌ程度に抑えることができ、従来のように基板をプリウェット槽に浸漬する場合に比べて、前処理液の使用量を大幅に低減することができる。
第２形態によれば、第１形態のめっき装置において、前記基板の周縁部にガスを吹き付けるように構成されたガス供給部を有する。
第２形態によれば、基板を回転させながらガス供給部により基板の周縁部にガスを吹き付けることにより、基板の周縁部に付着した前処理液を除去又は乾燥させることができる。基板にめっきをするとき、基板ホルダの電気接点端部が基板の周縁部に接触することで、基板表面のシード層に給電される。このとき、基板の周縁部が前処理液で濡れていると、電気接点端部間が短絡する可能性がある。したがって、前処理ユニットがガス供給部を有することにより、電気接点端部間の短絡を防止することができる。
第３形態によれば、第２形態のめっき装置において、前記ガス供給部は、前記基板の内側から外側に向かって前記基板にガスを吹き付けるように構成される。
第３形態によれば、基板の周縁部に付着した前処理液を、基板の径方向外側に吹き飛ばして、基板の乾燥速度を向上させることができる。
第４形態によれば、第１から第３形態のいずれかのめっき装置において、前記前処理液供給部、前記親水化処理部、及び前記モータを制御する制御部を有する。第４形態によれば、制御部が、前処理ユニットの各部を適宜制御することができる。
第５形態によれば、第４形態のめっき装置において、前記制御部は、前記保持台の回転を開始した後に、前記表面への紫外線の照射を開始するように、前記モータ及び前記親水化処理部を制御する。
親水化処理部が、基板に対して局所的に紫外線を照射するように構成されている場合、基板の回転が停止した状態で紫外線の照射を開始すると、停止している間に紫外線が照射される部分が、他の部分よりも長時間紫外線が照射されることになる。このため、基板の面内における紫外線の照射量が不均一になる可能性がある。第５形態によれば、基板の回
転を開始した後に紫外線の照射を開始することで、基板の面内における紫外線の照射量をより均一にすることができる。
第６形態によれば、第４又は第５形態のめっき装置において、前記制御部は、前記保持台の回転を停止させた状態で前記前処理液を親水化された前記表面に供給するように、前記前処理液供給部及び前記モータを制御する。
第７形態によれば、第４又は第５形態のめっき装置において、前記制御部は、前記保持台を回転させた状態で前記前処理液を親水化された前記表面に供給するように、前記前処理液供給部及び前記モータを制御する。
第８形態によれば、第７形態のめっき装置において、前記制御部は、前記保持台の回転数を前記紫外線の照射時の回転数よりも増加させて、前記前処理液を親水化された前記表面に供給するように、前記前処理液供給部及び前記モータを制御する。第８形態によれば、保持台の回転数を紫外線照射時よりも増加させることにより、前処理液の拡散速度を向上させることができる。
第９形態によれば、第１から第８形態のいずれかのめっき装置において、前記めっき槽は、前記表面に前記前処理液が供給された前記基板を基板ホルダに保持した状態で、前記基板にめっき処理を行うように構成される。
第９形態によれば、前処理ユニットで前処理が行われた基板を基板ホルダに保持することができる。従来のように基板ホルダに保持された基板をプリウェット槽に浸漬した場合、基板だけでなく基板ホルダも前処理液に濡れた状態で、後段のめっき槽内のめっき液に浸漬される。第９形態では、従来のように基板ホルダが前処理液に浸漬されることがないので、基板ホルダが濡れていない状態でめっき槽での処理が行われるので、めっき液が前処理液により希釈されることを抑制することができる。
第１０形態によれば、めっき方法が提供される。このめっき方法は、基板を保持台に配置する工程と、前記保持台に配置された前記基板の表面に紫外線を照射して親水化処理を行う工程と、前記親水化処理が行われた前記基板の表面に前処理液を供給する工程と、前記表面に前記前処理液が供給された前記基板を保持した前記保持台を回転させる工程と、前記表面に前記前処理液が供給された前記基板にめっき処理を行うめっき工程と、を有する。
第１０形態によれば、保持台が基板を保持することにより、基板を回転させることができる。このため、基板を回転させながら紫外線を照射することができるので、例えば基板に対して局所的に紫外線を照射しても、基板の回転により全体的に紫外線を照射することができる。したがって、基板全面に紫外線の照射を行う場合に比べて、紫外線照射装置のサイズを小さくすることができる。また、親水化した基板に対して処理液を供給したとき、基板を保持した保持台を所定の回転数で回転させることができる。これにより、基板上に供給された前処理液の表面張力に対抗して遠心力が発生し、前処理液が基板の周縁部に向かって均一に広がる。基板の表面は親水化されているので、基板表面のレジスト開口部内の空気と前処理液とを容易に置換することができる。第１０形態では、基板の回転により前処理液を基板の中心から周縁部に向かって広げることができるので、使用される前処理液の量を、基板のサイズが１２インチの場合、数百ｍｌ程度に抑えることができ、従来のように基板をプリウェット槽に浸漬する場合に比べて、前処理液の使用量を大幅に低減することができる。
第１１形態によれば、第１０形態のめっき方法において、前記表面に前記前処理液が供
給された前記基板の周縁部にガスを吹き付ける工程を有する。
第１１形態によれば、基板を回転させながら基板の周縁部にガスを吹き付けることにより、基板の周縁部に付着した前処理液を除去又は乾燥させることができる。基板にめっきをするとき、基板ホルダの電気接点端部が基板の周縁部に接触することで、基板表面のシード層に給電される。このとき、基板の周縁部が前処理液で濡れていると、電気接点端部間が短絡する可能性がある。したがって、基板の周縁部にガスを吹き付けることにより、電気接点端部間の短絡を防止することができる。
第１２形態によれば、第１１形態のめっき方法において、前記ガスを吹き付ける工程は、前記基板の内側から外側に向かって前記基板にガスを吹き付ける工程を有する。
第１２形態によれば、基板の周縁部に付着した前処理液を、基板の径方向外側に吹き飛ばして、基板の乾燥速度を向上させることができる。
第１３形態によれば、第１０から第１２形態のいずれかのめっき方法において、前記親水化処理を行う工程は、前記保持台の回転を開始した後に、前記表面への紫外線の照射を開始する工程を含む。
基板に対して局所的に紫外線を照射する場合、基板の回転が停止した状態で紫外線の照射を開始すると、停止している間に紫外線が照射される部分が、他の部分よりも長時間紫外線が照射されることになる。このため、基板の面内における紫外線の照射量が不均一になる可能性がある。第１３形態によれば、基板の回転を開始した後に紫外線の照射を開始することで、基板の面内における紫外線の照射量をより均一にすることができる。
第１４形態によれば、第１０から第１３形態のいずれかのめっき方法において、前記前処理液を供給する工程は、前記保持台の回転を停止させた状態で前記前処理液を親水化された前記表面に供給する工程を含む。
第１５形態によれば、第１０から第１３形態のいずれかのめっき方法において、前記前処理液を供給する工程は、前記保持台を回転させた状態で前記前処理液を親水化された前記表面に供給する工程を含む。
第１６形態によれば、第１５形態のめっき方法において、前記前処理液を供給する工程は、前記保持台の回転数を前記紫外線の照射時の回転数よりも増加させて、前記前処理液を親水化された前記表面に供給する工程を含む。第１６形態によれば、保持台の回転数を紫外線照射時よりも増加させることにより、前処理液の拡散速度を向上させることができる。
第１７形態によれば、第１０から第１６形態のいずれかのめっき方法において、前記めっき工程は、前記表面に前記前処理液が供給された前記基板を基板ホルダに保持する工程と、前記基板ホルダに保持された前記基板にめっき処理を行う工程と、を含む。
第１７形態によれば、前処理液が供給された基板を基板ホルダに保持することができる。従来のように基板ホルダに保持された基板をプリウェット槽に浸漬した場合、基板だけでなく基板ホルダも前処理液に濡れた状態で、後段のめっき槽内のめっき液に浸漬される。第１７形態では、従来のように基板ホルダが前処理液に浸漬されることがないので、基板ホルダが濡れていない状態でめっき槽での処理が行われるので、めっき液が前処理液により希釈されることを抑制することができる。
第１８形態によれば、第１０から第１７形態のいずれかのめっき方法において、前記親水化処理を行う工程は、前記基板の被めっき面への紫外線の照射時間と、前記基板のシール領域への紫外線の照射時間とを異ならせる工程を含む。
基板の表面は基板ホルダに基板が保持された際にめっきが施される被めっき面と、基板ホルダによってシールされ、電気接点が接触する面（シール領域）に区分される。このシール領域にはレジストが形成されていないので、レジストが灰化する虞がない。第１８形態によれば、例えば、被めっき面よりもシール領域への紫外線の照射時間を長くすることで、基板ホルダの電気接点が接触する箇所の表面を一層改質することができる。
第１９形態によれば、第１０から第１８形態のいずれかのめっき方法において、前記親水化処理を行う工程は、前記基板の被めっき面とシール領域とで異なる波長及び／又は異なる光学強度の紫外線を照射する工程を含む。
上述したように、シール領域にはレジストが形成されていない。このため、第１９形態によれば、例えば、被めっき面Ｗ１とシール領域Ｗ２とで異なる波長及び／又は異なる光学強度の紫外線を照射することで、それぞれの領域を改質するのに適した紫外線照射を行うことができる。
第２０形態によれば、第１０から第１９形態のいずれかのめっき方法において、前記前処理液は、ＤＩＷ、希硫酸、めっき液に用いられる添加剤を含んだ水溶液、又はめっき液に用いられる塩素イオンを含んだ水溶液のいずれか又はこれらを組み合わせた、金属イオンを含まない前処理液である。
第２１形態によれば、コンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。この記録媒体は、めっき装置の動作を制御するコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記めっき装置を制御して第１０から第２０形態のいずれか一項に記載されためっき方法を実行させるプログラムを記録する。
１…めっき装置
４５…制御部
６０…基板ホルダ
８０…前処理ユニット
８１…吸着プレート
８４…紫外線照射装置
８５…前処理液供給ノズル
８６…乾燥ガス供給ノズル
８７…モータ

Claims (21)

  1. 基板にめっき処理を行うめっき装置であって、
    前記基板の表面に前処理液を接触させる前処理ユニットと、
    前記表面に前記前処理液を接触させた前記基板にめっき処理を行うめっき槽と、を有し、
    前記前処理ユニットは、
    前記基板の表面を上向きに保持する保持台と、
    前記保持台を回転させるように構成されたモータと、
    前記表面に紫外線を照射するように構成された親水化処理部と、
    前記親水化処理部により親水化した前記表面に前記前処理液を供給するように構成された前処理液供給部と、を有する、めっき装置。
  2. 請求項１に記載されためっき装置において、
    前記基板の周縁部にガスを吹き付けるように構成されたガス供給部を有する、めっき装置。
  3. 請求項２に記載されためっき装置において、
    前記ガス供給部は、前記基板の内側から外側に向かって前記基板にガスを吹き付けるように構成される、めっき装置。
  4. 請求項１から３のいずれか一項に記載されためっき装置において、
    前記前処理液供給部、前記親水化処理部、及び前記モータを制御する制御部を有する、めっき装置。
  5. 請求項４に記載されためっき装置において、
    前記制御部は、前記保持台の回転を開始した後に、前記表面への紫外線の照射を開始するように、前記モータ及び前記親水化処理部を制御する、めっき装置。
  6. 請求項４又は５に記載されためっき装置において、
    前記制御部は、前記保持台の回転を停止させた状態で前記前処理液を親水化された前記表面に供給するように、前記前処理液供給部及び前記モータを制御する、めっき装置。
  7. 請求項４又は５に記載されためっき装置において、
    前記制御部は、前記保持台を回転させた状態で前記前処理液を親水化された前記表面に供給するように、前記前処理液供給部及び前記モータを制御する、めっき装置。
  8. 請求項７に記載されためっき装置において、
    前記制御部は、前記保持台の回転数を前記紫外線の照射時の回転数よりも増加させて、前記前処理液を親水化された前記表面に供給するように、前記前処理液供給部及び前記モータを制御する、めっき装置。
  9. 請求項１から８のいずれか一項に記載されためっき装置において、
    前記めっき槽は、前記表面に前記前処理液が供給された前記基板を基板ホルダに保持した状態で、前記基板にめっき処理を行うように構成される、めっき装置。
  10. 基板を保持台に配置する工程と、
    前記保持台に配置された前記基板の表面に紫外線を照射して親水化処理を行う工程と、
    前記親水化処理が行われた前記基板の表面に前処理液を供給する工程と、
    前記表面に前記前処理液が供給された前記基板を保持した前記保持台を回転させる工程
    と、
    前記表面に前記前処理液が供給された前記基板にめっき処理を行うめっき工程と、を有する、めっき方法。
  11. 請求項１０に記載されためっき方法において、
    前記表面に前記前処理液が供給された前記基板の周縁部にガスを吹き付ける工程を有する、めっき方法。
  12. 請求項１１に記載されためっき方法において、
    前記ガスを吹き付ける工程は、前記基板の内側から外側に向かって前記基板にガスを吹き付ける工程を有する、めっき方法。
  13. 請求項１０から１２のいずれか一項に記載されためっき方法において、
    前記親水化処理を行う工程は、前記保持台の回転を開始した後に、前記表面への紫外線の照射を開始する工程を含む、めっき方法。
  14. 請求項１０から１３のいずれか一項に記載されためっき方法において、
    前記前処理液を供給する工程は、前記保持台の回転を停止させた状態で前記前処理液を親水化された前記表面に供給する工程を含む、めっき方法。
  15. 請求項１０から１３のいずれか一項に記載されためっき方法において、
    前記前処理液を供給する工程は、前記保持台を回転させた状態で前記前処理液を親水化された前記表面に供給する工程を含む、めっき方法。
  16. 請求項１５に記載されためっき方法において、
    前記前処理液を供給する工程は、前記保持台の回転数を前記紫外線の照射時の回転数よりも増加させて、前記前処理液を親水化された前記表面に供給する工程を含む、めっき方法。
  17. 請求項１０から１６のいずれか一項に記載されためっき方法において、
    前記めっき工程は、前記表面に前記前処理液が供給された前記基板を基板ホルダに保持する工程と、前記基板ホルダに保持された前記基板にめっき処理を行う工程と、を含む、めっき方法。
  18. 請求項１０から１７のいずれか一項に記載されためっき方法において、
    前記親水化処理を行う工程は、前記基板の被めっき面への紫外線の照射時間と、前記基板のシール領域への紫外線の照射時間とを異ならせる工程を含む、めっき方法。
  19. 請求項１０から１８のいずれか一項に記載されためっき方法において、
    前記親水化処理を行う工程は、前記基板の被めっき面とシール領域とで異なる波長及び／又は異なる光学強度の紫外線を照射する工程を含む、めっき方法。
  20. 請求項１０から１９のいずれか一項に記載されためっき方法において、
    前記前処理液は、ＤＩＷ、希硫酸、めっき液に用いられる添加剤を含んだ水溶液、又はめっき液に用いられる塩素イオンを含んだ水溶液のいずれか又はこれらを組み合わせた、金属イオンを含まない前処理液である、めっき方法。
  21. めっき装置の動作を制御するコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記めっき装置を制御して請求項１０から２０のいずれか一項に記載されためっき方法を実行させるプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体。
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