JP6990342B1 - 基板の接液方法、およびめっき装置 - Google Patents

Abstract

簡易な構造で被めっき面に付着する気泡の量を低減する。基板の接液方法は、めっき槽に収容されためっき液の液面に基板の被めっき面が対向するように基板の裏面をバックプレートによって保持する保持ステップ１０２と、めっき槽内に配置された抵抗体の中央部の複数の貫通穴をめっき液が上向きに通流するようにめっき槽内にめっき液を供給することによりめっき液の液面の中央部を隆起させる供給ステップ１０４と、保持部材に保持された基板の被めっき面の外縁部を支持するための支持部材をめっき液の液面に向けて下降させる第１の下降ステップ１０６と、供給ステップ１０４によってめっき液の液面の中央部を隆起させた状態で、第１の下降ステップ１０６によって下降した支持部材と保持部材とによって基板が挟持されるように保持部材を下降させる第２の下降ステップ１０８と、を含む。

Description

本願は、基板の接液方法、およびめっき装置に関する。

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる。

カップ式の電解めっき装置では、基板をめっき液に浸漬させる際に被めっき面に気泡が付着しやすく、被めっき面に付着した気泡はめっき性能に影響を及ぼし得るので好ましくない。そこで、例えば特許文献１には、基板の被めっき面を水平に対して傾斜させ、傾斜した基板の下端側から順次めっき液に接液させることによって、被めっき面に付着する気泡の量を低減させることが開示されている。

特開２００８－１９４９６号公報

しかしながら、従来技術は、被めっき面に付着する気泡の量を低減させるために電解めっき装置の構造が複雑化するおそれがある。

すなわち、めっき処理を行うときにはアノードと基板の被めっき面とが平行になることが好ましいので、従来技術では、基板をめっき液に接液させるときに基板を傾斜させ、めっき液に接液させた後は基板の傾斜を元に戻すための機構が必要になる。そのような機構は電解めっき装置の構造を複雑化させ得る。

そこで、本願は、簡易な構造で被めっき面に付着する気泡の量を低減することを１つの目的としている。

一実施形態によれば、めっき槽に収容されためっき液の液面に基板の被めっき面が対向するように基板の裏面を保持部材によって保持する保持ステップと、前記めっき槽内に配置された抵抗体の中央部の複数の貫通穴をめっき液が上向きに通流するように前記めっき槽内にめっき液を供給することによりめっき液の液面の中央部を隆起させる供給ステップと、前記保持部材に保持された基板の被めっき面の外縁部を支持するための支持部材を前記めっき液の液面に向けて下降させる第１の下降ステップと、前記供給ステップによってめっき液の液面の中央部を隆起させた状態で、前記第１の下降ステップによって下降した前記支持部材と前記保持部材とによって前記基板が挟持されるように前記保持部材を下降させる第２の下降ステップと、を含む、基板の接液方法が開示される。

図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。 図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、基板を保持していない状態を示している。 図４は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、基板を保持した状態を示している。 図５は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、シールリングホルダを下降させた状態を示している。 図６は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、バックプレートを下降させて基板を接液させた状態を示している。 図７は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、バックプレートを下降させて空気を抜いている状態を示している。 図８は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、バックプレートを下降させて基板をシールした状態を示している。 図９は、本実施形態の基板の接液方法のフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。

図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、基板を保持していない状態を示している。図４は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、基板を保持した状態を示している。図３および図４に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ－ａを下方に向けてめっき液の液面と対向した状態で基板Ｗｆの裏面を保持するための基板ホルダ４４０を備える。基板ホルダ４４０は、図示していない電源から基板Ｗｆに給電するための給電接点を備える。

また、めっきモジュール４００は、めっき槽４１０の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。めっき槽４１０の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。アノード領域４２４のめっき槽４１０の底面にはアノード４３０が設けられる。カソード領域４２２にはメンブレン４２０に対向して抵抗体４５０が配置される。抵抗体４５０は、複数の貫通穴４５０ａが形成された板状部材によって構成される。複数の貫通穴４５０ａは、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに対応する領域に分布している。各貫通穴４５０ａは、抵抗体４５０の上部領域と下部領域とを連通する。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき膜厚の均一化を図るための部材である。すなわち、給電接点は基板Ｗｆの外縁部に設けられるので、基板Ｗｆの外縁部と中央部との間の抵抗に起因して基板Ｗｆの外縁部に電場が集中する結果、基板Ｗｆの外縁部のめっき膜厚が大きくなる場合がある。この点、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に抵抗体４５０を設けることにより、基板Ｗｆの外縁部への電場の集中を抑制し、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにおけるめっき膜厚の均一化を図ることができる。

基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部を支持するための支持部材４４２を備える。支持部材４４２は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部に対向する支持面４４９ａを有するシールリングホルダ４４９と、支持面４４９ａに配置されたリング状のシール部材４４５と、シールリングホルダ４４９を図示していない基板ホルダ本体に保持するためのフレーム４４６と、を備える。

また、基板ホルダ４４０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面を保持するための保持部材４４１を備える。保持部材４４１は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの裏面を吸着保持するように構成されたバックプレート４４４と、バックプレート４４４の基板保持面の裏面に取り付けられたシャフト４４８と、を備える。バックプレート４４４は、図示していない真空源に接続されており、真空源からの真空引きによって基板Ｗｆの裏面を真空吸着保持するように構成されている。

めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４４３と、シャフト４４８の仮想軸（被めっき面Ｗｆ－ａの中央を垂直に伸びる仮想的な回転軸）の周りに基板Ｗｆが回転するように基板ホルダ４４０を回転させるための回転機構４４７と、を備える。昇降機構４４３および回転機構４４７は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。めっきモジュール４００は、昇降機構４４３を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬し、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａにめっき処理を施すように構成される。

カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。具体的には、めっきモジュール４００は、抵抗体４５０の下部領域の中央部に向けてめっき液を供給するように構成されためっき液供給部材４２５を備える。めっき液供給部材４２５は、カソード領域４２２の抵抗体４５０の下部領域の中央部に向けて開口した複数のノズル４２６と、複数のノズル４２６を介してカソード領域４２２にめっき液を供給するための供給源４２８と、を備える。複数のノズル４２６は、抵抗体４５０より下部のめっき槽４１０の側壁に周方向に沿って配置されている。めっきモジュール４００は、アノード領域４２４についても同様に、アノード領域４２４にめっき液を供給するための機構を備えるが図示を省略する。

複数のノズル４２６は、抵抗体４５０の下部領域の中央部に向けてめっき液を斜め上方に供給するように構成される。めっき槽４１０内にめっき液が充填された後にさらに複数のノズル４２６からめっき液を供給することにより、複数のノズル４２６から供給されためっき液が抵抗体４５０の下部領域の中央部で衝突して乱流が形成されるとともに、抵抗体４５０の複数の貫通穴４５０ａを上向きに通ることによって整流されためっき液の上昇流が形成される。その結果、図３および図４に示すように、めっき液の液面の中央部が隆起する。

昇降機構４４３は、シールリングホルダ４４９およびバックプレート４４４を個別に昇降させるように構成されている。具体的には、昇降機構４４３は、シールリングホルダ４４９を昇降させるための第１の昇降部材４４３－１と、バックプレート４４４を昇降させるための第２の昇降部材４４３－２と、を備える。

図５は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、シールリングホルダを下降させた状態を示している。図５に示すように、第１の昇降部材４４３－１は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａをめっき液の液面に接液させるための接液位置にシールリングホルダ４４９を下降させるように構成される。ここで、接液位置とは、シール部材４４５がめっき液の液面の隆起した部分ＬＬ－ａ（隆起した部分ＬＬ－ａの最も高い部分）よりも低く、かつ、めっき液の液面の隆起していない部分ＬＬ－ｂより高くなる位置のことである。

図６は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、バックプレートを下降させて基板を接液させた状態を示している。図７は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、バックプレートを下降させて空気を抜いている状態を示している。図８は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図であり、バックプレートを下降させて基板をシールした状態を示している。

第２の昇降部材４４３－２は、バックプレート４４４とシールリングホルダ４４９によって基板Ｗｆが挟持されるようにバックプレート４４４を下降させる。具体的には、まず図６に示すように、第２の昇降部材４４３－２は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの中央部がめっき液の液面の隆起した部分ＬＬ－ａに接触するまでバックプレート４４４を下降させる。続いて、図７に示すように、第２の昇降部材４４３－２は、めっき液の液面の隆起した部分ＬＬ－ａが基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外周方向に広がるようにバックプレート４４４を徐々に下降させる。

これにより、めっき液の液面と基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａとの間にある空気は、被めっき面Ｗｆ－ａの外周側へ押されて、被めっき面Ｗｆ－ａとシール部材４４５との間を通って抜けていく。続いて図８に示すように、第２の昇降部材４４３－２は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部とシール部材４４５とが接触するまでバックプレート４４４を下降させることにより、被めっき面Ｗｆ－ａをシールする。基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａがシールされた後、第１の昇降部材４４３－１および第２の昇降部材４４３－２は、めっき処理を実行するための所定の位置まで基板Ｗｆを下降させるように構成される。

以上のように、本実施形態のめっきモジュール４００によれば、複数のノズル４２６から抵抗体４５０の下部領域に向けてめっき液を供給することにより、抵抗体４５０の複数の貫通孔４５０ａを介して抵抗体４５０の上部領域へ向かって整流された上昇流を形成することができるので、めっき液の液面の中央部を効率よく隆起させることができる。また、本実施形態のめっきモジュール４００によれば、めっき液の液面の中央部を隆起させるとともに、隆起した部分ＬＬ－ａのめっき液を被めっき面Ｗｆ－ａの外周方向に広げながら基板Ｗｆを下降させることにより、被めっき面Ｗｆ－ａに付着し得る空気を被めっき面Ｗｆ－ａから排除することができる。その結果、本実施形態のめっきモジュール４００によれば、基板Ｗｆを傾斜させてめっき液に浸漬させるための傾斜機構のような複雑な機構を用いることなく、簡易な構成で基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに付着する気泡の量を低減することができる。

次に、本実施形態のめっきモジュール４００を用いた基板の接液方法について説明する。図９は、本実施形態の基板の接液方法のフローチャートである。

本実施形態の基板の接液方法は、まず、図４に示すように、めっき液の液面に基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａが対向するように基板Ｗｆの裏面を保持する（保持ステップ１０２）。保持ステップ１０２は、バックプレート４４４を用いた真空吸着によって基板Ｗｆの裏面を保持する。

続いて、基板の接液方法は、図４に示すように、抵抗体４５０の中央部の複数の貫通穴４５０ａをめっき液が上向きに通流するようにめっき槽４１０内にめっき液を供給することによりめっき液の液面の中央部を隆起させる（供給ステップ１０４）。供給ステップ１０４は、めっき槽４１０の側壁に周方向に沿って配置された複数のノズル４２６から抵抗体４５０の下部領域の中央部に向けてめっき液を供給するステップを含む。これにより、複数のノズル４２６から供給されためっき液が抵抗体４５０の下部領域の中央部で衝突して乱流が形成されるとともに、抵抗体４５０の複数の貫通穴４５０ａを上向きに通流することによって整流された上昇流が形成される。その結果、図４に示すように、めっき液の液面の中央部が隆起する。なお、保持ステップ１０２と供給ステップ１０４は実行される順序が入れ替わってもよいし、同時に実行されてもよい。

続いて、基板の接液方法は、図５に示すように、シールリングホルダ４４９をめっき液の液面に向けて下降させる（第１の下降ステップ１０６）。第１の下降ステップ１０６は、シール部材４４５がめっき液の液面の隆起した部分ＬＬ－ａよりも低く、かつ、めっき液の液面の隆起していない部分ＬＬ－ｂより高くなる接液位置までシールリングホルダ４４９を下降させるステップを含む。言い換えれば、第１の下降ステップ１０６は、シール部材４４５がめっき液の液面の隆起した部分ＬＬ－ａと隆起していない部分ＬＬ－ｂとの間に位置するようにシールリングホルダ４４９を下降させるステップを含む。これは、シール部材４４５がめっき液の液面の隆起した部分ＬＬ－ａよりも高ければ基板Ｗｆに被めっき面Ｗｆ－ａに付着し得る空気を抜くことができないし、シール部材４４５がめっき液の液面の隆起していない部分ＬＬ－ｂより低くなればめっき液がシールリングホルダ４４９の支持面４４９ａに侵入するからである。なお、第１の下降ステップ１０６は、保持ステップ１０２および供給ステップ１０４より前に実行されてもよいし、保持ステップ１０２および供給ステップ１０４と同時に実行されてもよい。

続いて、基板の接液方法は、供給ステップ１０４によってめっき液の液面の中央部を隆起させた状態で、バックプレート４４４とシールリングホルダ４４２によって基板Ｗｆが挟持されるようにバックプレート４４４を下降させる（第２の下降ステップ１０８）。第２の下降ステップ１０８は、図６に示すように、供給ステップ１０４によってめっき液の液面の隆起した部分ＬＬ－ａに基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの中央部が接液するようにバックプレート４４４を下降させるステップを含む。また、第２の下降ステップ１０８は、図７および図８に示すように、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａの外縁部とシール部材４４５とが接触するまでバックプレート４４４を下降させるステップを含む。

続いて、基板の接液方法は、めっき処理を実行するための所定の位置に基板Ｗｆが配置されるようにバックプレート４４４およびシールリングホルダ４４２を一緒に下降させる（第３の下降ステップ１１０）。基板Ｗｆが所定の位置に配置されたら、めっきモジュール４００は、基板Ｗｆに対してめっき処理を施す。

本実施形態の基板の接液方法によれば、めっき液の液面の中央部を隆起させるとともに、隆起した部分ＬＬ－ａのめっき液を被めっき面Ｗｆ－ａの外周方向に広げながら基板Ｗｆを下降させることにより、被めっき面Ｗｆ－ａに付着し得る空気を被めっき面Ｗｆ－ａから排除することができる。その結果、本実施形態の基板の接液方法によれば、基板Ｗｆを傾斜させてめっき液に浸漬させるための傾斜機構のような複雑な機構を用いることなく、簡易な構成で基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ－ａに付着する気泡の量を低減することができる。

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

本願は、一実施形態として、めっき槽に収容されためっき液の液面に基板の被めっき面が対向するように基板の裏面を保持部材によって保持する保持ステップと、前記めっき槽内に配置された抵抗体の中央部の複数の貫通穴をめっき液が上向きに通流するように前記めっき槽内にめっき液を供給することによりめっき液の液面の中央部を隆起させる供給ステップと、前記保持部材に保持された基板の被めっき面の外縁部を支持するための支持部材を前記めっき液の液面に向けて下降させる第１の下降ステップと、前記供給ステップによってめっき液の液面の中央部を隆起させた状態で、前記第１の下降ステップによって下降した前記支持部材と前記保持部材とによって前記基板が挟持されるように前記保持部材を下降させる第２の下降ステップと、を含む、基板の接液方法を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の下降ステップは、前記基板の被めっき面の外縁部をシールするように構成された前記支持部材のシール部材が、前記めっき液の液面の隆起した部分よりも低く、かつ、前記めっき液の液面の隆起していない部分より高くなる接液位置に前記支持部材を下降させるステップを含む、基板の接液方法を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記第２の下降ステップは、前記供給ステップによって前記めっき液の液面の隆起した部分に前記基板の被めっき面の中央部が接液するように前記保持部材を下降させるステップと、前記基板の被めっき面の外縁部と前記シール部材とが接触するまで前記保持部材を下降させるステップと、を含む、基板の接液方法を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記供給ステップは、前記めっき槽の側壁に周方向に沿って配置された複数のノズルから前記抵抗体の下部領域の中央部に向けてめっき液を供給するステップを含む、基板の接液方法を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記保持ステップは、前記基板の被めっき面の裏面を、前記保持部材を用いて吸着保持するステップを含む、基板の接液方法を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽に収容されためっき液の液面に基板の被めっき面が対向するように基板の裏面を保持するための保持部材と、前記保持部材に保持された基板の被めっき面の外縁部を支持するための支持部材と、前記保持部材および前記支持部材を個別に昇降させるための昇降機構と、前記めっき槽内に前記基板の被めっき面と対向するように配置された抵抗体であって、前記抵抗体の下部領域と上部領域とを連通する複数の貫通穴が形成された抵抗体と、前記抵抗体の下部領域の中央部に向けてめっき液を供給するように構成されためっき液供給部材と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記昇降機構は、前記基板の被めっき面をめっき液の液面に接液させるための接液位置に前記支持部材を下降させる第１の昇降部材と、前記第１の昇降部材によって前記接液位置に下降した前記支持部材と前記保持部材とで基板を挟持するように前記保持部材を下降させる第２の昇降部材と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記支持部材は、前記基板の被めっき面の外縁部に対向する支持面を有するシールリングホルダと、前記支持面に配置されたシール部材と、を含み、前記接液位置は、前記めっき液供給部材からめっき液を供給することによってめっき液の液面の中央の隆起した部分より前記シール部材が低く、かつ、前記めっき液の液面の隆起していない部分より前記シール部材が高くなる位置であり、第２の昇降部材は、前記シール部材と前記基板の被めっき面の外縁部とが接触するまで前記保持部材を下降させるように構成される、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記めっき液供給部材は、前記めっき槽の側壁に周方向に沿って配置された複数のノズルと、前記複数のノズルからめっき液を供給するための供給源と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記複数のノズルは、前記抵抗体の下部領域の中央部に向けてめっき液を斜め上方に供給して前記めっき液の液面の中央部を隆起させるように構成される、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記保持部材は、前記基板の被めっき面の裏面を吸着保持するように構成されたバックプレートを含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記抵抗体は、前記基板の被めっき面と対向するように前記めっき槽内に設けられた板状部材であり、前記基板の被めっき面に対応する領域に前記複数の貫通穴が形成されている、めっき装置を開示する。

１０２ 保持ステップ
１０４ 供給ステップ
１０６ 第１の下降ステップ
１０８ 第２の下降ステップ
１１０ 第３の下降ステップ
４００ めっきモジュール
４１０ めっき槽
４２６ ノズル
４２８ 供給源
４３０ アノード
４４０ 基板ホルダ
４４１ 保持部材
４４２ 支持部材
４４３ 昇降機構
４４３－１ 第１の昇降部材
４４３－２ 第２の昇降部材
４４４ バックプレート
４４５ シール部材
４４９ シールリングホルダ
４４９ａ 支持面
４５０ 抵抗体
４５０ａ 貫通穴
１０００ めっき装置
ＬＬ－ａ 隆起した部分
ＬＬ－ｂ 隆起していない部分
Ｗｆ 基板
Ｗｆ－ａ 被めっき面

Claims (8)

1. めっき槽に収容されためっき液の液面に基板の被めっき面が対向するように基板の裏面を保持部材によって保持する保持ステップと、
   前記めっき槽内に配置された抵抗体の中央部の複数の貫通穴をめっき液が上向きに通流するように前記めっき槽内にめっき液を供給することによりめっき液の液面の中央部を隆起させる供給ステップと、
   前記保持部材に保持された基板の被めっき面の外縁部を支持するための支持部材を前記めっき液の液面に向けて下降させる第１の下降ステップと、
   前記供給ステップによってめっき液の液面の中央部を隆起させた状態で、前記第１の下降ステップによって下降した前記支持部材と前記保持部材とによって前記基板が挟持されるように前記保持部材を下降させる第２の下降ステップと、を含み、
   前記第１の下降ステップは、前記基板の被めっき面の外縁部をシールするように構成された前記支持部材のシール部材が、前記めっき液の液面の隆起した部分よりも低く、かつ、前記めっき液の液面の隆起していない部分より高くなる接液位置に前記支持部材を下降させるステップを含む、
   基板の接液方法。
2. 前記第２の下降ステップは、前記供給ステップによって前記めっき液の液面の隆起した部分に前記基板の被めっき面の中央部が接液するように前記保持部材を下降させるステップと、前記基板の被めっき面の外縁部と前記シール部材とが接触するまで前記保持部材を下降させるステップと、を含む、
   請求項１に記載の基板の接液方法。
3. 前記供給ステップは、前記めっき槽の側壁に周方向に沿って配置された複数のノズルから前記抵抗体の下部領域の中央部に向けてめっき液を供給するステップを含む、
   請求項１または２に記載の基板の接液方法。
4. 前記保持ステップは、前記基板の被めっき面の裏面を、前記保持部材を用いて吸着保持するステップを含む、
   請求項１から３のいずれか一項に記載の基板の接液方法。
5. めっき液を収容するためのめっき槽と、
   前記めっき槽に収容されためっき液の液面に基板の被めっき面が対向するように基板の裏面を保持するための保持部材と、
   前記保持部材に保持された基板の被めっき面の外縁部を支持するための支持部材と、
   前記保持部材および前記支持部材を個別に昇降させるための昇降機構と、
   前記めっき槽内に前記基板の被めっき面と対向するように配置された抵抗体であって、前記抵抗体の下部領域と上部領域とを連通する複数の貫通穴が形成された抵抗体と、
   前記抵抗体の下部領域の中央部に向けてめっき液を供給するように構成されためっき液供給部材と、
   を含み、
   前記保持部材は、前記基板の被めっき面の裏面を吸着保持するように構成されたバックプレートを含み、
   前記支持部材は、基板の被めっき面の外縁部をシールするように構成されたシール部材を含み、
   前記めっき液供給部材は、前記めっき槽の側壁に周方向に沿って配置された複数のノズルと、前記複数のノズルからめっき液を供給するための供給源と、を含み、
   前記複数のノズルは、前記抵抗体の下部領域の中央部に向けてめっき液を斜め上方に供給して前記めっき液の液面の中央部を隆起させるように構成され、
   前記昇降機構は、前記支持部材の前記シール部材が、前記めっき液の液面の隆起した部分よりも低く、かつ、前記めっき液の液面の隆起していない部分より高くなる接液位置に前記支持部材を下降させ、その後、前記接液位置おいて前記支持部材と前記保持部材とによって基板が挟持されるように前記保持部材を下降させる、ように制御される、
   めっき装置。
6. 前記昇降機構は、前記基板の被めっき面をめっき液の液面に接液させるための前記接液位置に前記支持部材を下降させる第１の昇降部材と、前記第１の昇降部材によって前記接液位置に下降した前記支持部材と前記保持部材とで基板を挟持するように前記保持部材を下降させる第２の昇降部材と、を含む、
   請求項５に記載のめっき装置。
7. 前記支持部材は、前記基板の被めっき面の外縁部に対向する支持面を有するシールリングホルダを含み、前記シール部材は前記支持面に配置されており、
   前記第２の昇降部材は、前記シール部材と前記基板の被めっき面の外縁部とが接触するまで前記保持部材を下降させるように構成される、
   請求項６に記載のめっき装置。
8. 前記抵抗体は、前記基板の被めっき面と対向するように前記めっき槽内に設けられた板状部材であり、前記基板の被めっき面に対応する領域に前記複数の貫通穴が形成されている、
   請求項５から７いずれか一項に記載のめっき装置。

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