JP6911220B1 - めっき装置、およびめっき処理方法 - Google Patents

Abstract

基板ホルダの位置調整を容易に行う。めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０と、めっき槽４１０に収容されためっき液に被めっき面Ｗｆ−ａを向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０と、基板ホルダ４４０を昇降させるための昇降機構４８０と、基板ホルダ４４０の昇降方向に直交する方向に基板ホルダ４４０を移動させるための移動機構４９０と、を含む。

Description

本願は、めっき装置、およびめっき処理方法に関する。

めっき装置の一例としてカップ式の電解めっき装置が知られている。カップ式の電解めっき装置は、被めっき面を下方に向けて基板ホルダに保持された基板（例えば半導体ウェハ）をめっき液に浸漬させ、基板とアノードとの間に電圧を印加することによって、基板の表面に導電膜を析出させる。

カップ式の電解めっき装置では、基板に形成されるめっき膜厚を基板全体で均一にすることが求められている。この点、例えば特許文献１には、アノードと基板との間に電界を遮蔽することができるリング状の遮蔽部材を配置することによって、基板の外縁部近傍における電流密度を低下させ、これにより基板の外縁部周辺に厚いめっき膜が形成されるのを抑制することが開示されている。

特開２０１４−５１６９７号公報

しかしながら、遮蔽部材を配置するだけでは、基板全体のめっき膜厚を十分に均一化することができないおそれがあるので、めっき膜厚を均一化するための他の手法が求められる。

この点、本願の発明者らは、めっき装置のアノードの軸心と基板の軸心との位置関係がめっき膜厚のプロファイルに影響を及ぼすことを見出した。また、アノードの軸心と基板の軸心との位置関係を調整することは、例えば、めっき装置を組み立てるときの軸心合わせにおいても重要である。さらに、基板の種類またはめっき液の種類などが異なる新たなめっきプロセスを開始するときには、そのめっきプロセスにおける基板のめっき膜厚のプロファイルの傾向に基づいて、アノードの軸心と基板の軸心を合わせたり、またはあえて軸心をずらせたりするなどの調整が求められる。アノードの軸心と基板の軸心との位置関係を調整するためには、基板を保持する基板ホルダの位置調整を容易に行うことが重要である。

そこで、本願は、基板ホルダの位置調整を容易に行うことを１つの目的としている。

一実施形態によれば、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽に収容されためっき液に被めっき面を向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダを昇降させるための昇降機構と、前記基板ホルダの昇降方向に直交する方向に前記基板ホルダを移動させるための移動機構と、を含む、めっき装置が開示される。

図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。 図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。 図４は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す斜視図である。 図５は、基板ホルダのＸ方向の位置を調整したときの基板のめっき膜厚プロファイルを示す図である。 図６は、本実施形態のめっき処理方法を示すフローチャートである。

以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。以下で説明する図面において、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。

＜めっき装置の全体構成＞
図１は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置の全体構成を示す平面図である。図１、２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、および、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないFOUPなどのカセットに収納された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数および配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、および搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０および搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、図示していない仮置き台を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数および配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数および配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸などの処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数および配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数および配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数および配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤが上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤの数および配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収納された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収納したカセットが搬出される。

＜めっきモジュールの構成＞
次に、めっきモジュール４００の構成を説明する。本実施形態における２４台のめっきモジュール４００は同一の構成であるので、１台のめっきモジュール４００のみを説明する。図３は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す縦断面図である。図３に示すように、めっきモジュール４００は、めっき液を収容するためのめっき槽４１０を備える。めっきモジュール４００は、めっき槽４１０の内部を上下方向に隔てるメンブレン４２０を備える。めっき槽４１０の内部はメンブレン４２０によってカソード領域４２２とアノード領域４２４に仕切られる。カソード領域４２２とアノード領域４２４にはそれぞれめっき液が充填される。アノード領域４２４のめっき槽４１０の底面にはアノード４３０が設けられる。カソード領域４２２にはメンブレン４２０に対向して抵抗体４５０が配置される。抵抗体４５０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａにおけるめっき処理の均一化を図るための部材であり、多数の孔が形成された板状部材によって構成される。めっきモジュール４００は、抵抗体４５０の上部に、めっき液を攪拌するための図示していないパドルを含んでいてもよい。また、めっきモジュール４００は、めっき処理によって基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａに形成されためっき膜厚を計測するためのセンサ４５５を備える。本実施形態では、センサ４５５は、抵抗体４５０の上面の中央に配置されるが、これに限らず、センサ４５５の配置場所は任意である。

また、めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ−ａを下方に向けた状態で基板Ｗｆを保持するための基板ホルダ４４０を備える。基板ホルダ４４０は、図示していない電源から基板Ｗｆに給電するための給電接点を備える。基板ホルダ４４０の上面にはシャフト４４２が固定されている。シャフト４４２には、基板ホルダ４４０を保持するための保持部材４４８が取り付けられている。保持部材４４８は、シャフト４４２を介して基板ホルダ４４０を保持するための水平保持台４４４と、水平保持台４４４を保持するための垂直保持台４４６と、を含む。垂直保持台４４６は昇降リニアガイド４８２に上下方向に移動可能に取り付けられている。

めっきモジュール４００は、被めっき面Ｗｆ−ａの中央を垂直に伸びる仮想的な回転軸周りに基板Ｗｆが回転するように基板ホルダ４４０を回転させるための回転機構４６０を備える。回転機構４６０は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。本実施形態では、シャフト４４２にプーリ４６２が取り付けられており、プーリ４６２にはベルト４６４が取り付けられている。回転機構４６０は、ベルト４６４およびプーリ４６２を介してシャフト４４２を回転させることによって基板ホルダ４４０を回転させるように構成される。

また、めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０を傾斜させるための傾斜機構４７０を備える。本実施形態では、傾斜機構４７０は、垂直保持台４４６に回転軸を介して接続されたシリンダ４７２と、水平保持台４４４に回転軸を介して接続されたピストンロッド４７４と、を含む。傾斜機構４７０は、シリンダ４７２によってピストンロッド４７４を押し引きすることによって基板ホルダ４４０の角度を調整することができる。傾斜機構４７０は、上記の構成に限定されず、チルト機構などの公知の機構によって実現することができる。

めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０をＺ軸（鉛直方向）に沿って昇降させるための昇降機構４８０を備える。本実施形態では、昇降機構４８０は、昇降方向に伸びる昇降リニアガイド４８２と、垂直保持台４４６を昇降リニアガイド４８２に沿って上下方向に移動させるための昇降駆動部材４８４と、を含む。昇降駆動部材４８４は、例えばモータなどの公知の機構によって実現することができる。昇降機構４８０は、垂直保持台４４６を昇降リニアガイド４８２に沿って上下方向に移動させることによって基板ホルダ４４０を昇降させるように構成される。めっきモジュール４００は、昇降機構４８０を用いて基板Ｗｆをカソード領域４２２のめっき液に浸漬し、アノード４３０と基板Ｗｆとの間に電圧を印加することによって、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａにめっき処理を施すように構成される。

めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０の昇降方向に直交する方向に基板ホルダ４４０を移動させるための移動機構４９０を備える。以下、移動機構４９０について説明する。図４は、本実施形態のめっきモジュールの構成を概略的に示す斜視図である。図４においては図示の明瞭化のために、回転機構４６０、傾斜機構４７０、および昇降機構４８０などを省略している。

図４に示すように、移動機構４９０は、基板ホルダ４４０を昇降方向（Ｚ軸方向）に直交する第１の方向（Ｙ軸方向）に移動させるための第１の移動機構４９０−１と、基板ホルダ４４０を昇降方向および第１の方向に直交する第２の方向（Ｘ軸方向）に移動させるための第２の移動機構４９０−２と、を備える。

第１の移動機構４９０−１は、第１の方向に伸びる第１のリニアガイド４９２と、第１のリニアガイド４９２上に設けられた第１の支持台４９３と、第１の支持台４９３を第１のリニアガイド４９２に沿って移動させるための第１の駆動部材４９１と、を含む。第２の移動機構４９０−２は、第２の方向に伸びる第２のリニアガイド４９６と、第２のリニアガイド４９６上に設けられた第２の支持台４９７と、第２の支持台４９７を第２のリニアガイド４９６に沿って移動させるための第２の駆動部材４９５と、を含む。第１の移動機構４９０−１および第２の移動機構４９０−２は、例えば直動ガイドなどの公知の機構によって実現することができる。

第１の移動機構４９０−１および第２の移動機構４９０−２は、基台４９４上に重ねて配置される。本実施形態では、基台４９４上に第１の移動機構４９０−１が配置され、第１の移動機構４９０−１上に第２の移動機構４９０−２が配置されている。昇降リニアガイド４８２は、第２の支持台４９７上に固定される。なお、第１の移動機構４９０−１と第２の移動機構４９０−２の配置は入れ替えてもよい。第１の移動機構４９０−１と第２の移動機構４９０−２のいずれか一方のみを設けてもよい。回転機構４６０、傾斜機構４７０、昇降機構４８０、および移動機構４９０は、制御モジュール８００を介して制御することができる。

本実施形態のめっきモジュール４００は、移動機構４９０を備えているため、基板ホルダ４４０の昇降方向（Ｚ軸方向）に直交する方向（Ｘ軸方向およびＹ軸方向）に基板ホルダ４４０を容易に移動させることができる。したがって、めっきモジュール４００は、基板ホルダ４４０の位置調整を容易に行うことができる。例えば、めっきモジュール４００は大型の装置であり、部品点数も多いため、各部品の公差および組み立て公差により、めっきモジュール４００設置時に、基板ホルダ４４０（基板ホルダ４４０に保持される基板Ｗｆ）の軸心と、アノード４３０の軸心と、を位置合わせするのに困難が伴う。この点、本実施形態のめっきモジュール４００によれば、移動機構４９０は、アノード４３０の軸心と、基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆの軸心と、を合わせるように基板ホルダ４４０を移動させることができる。例えば制御モジュール８００に含まれる入力インターフェースを介して基板ホルダ４４０をＸ軸方向およびＹ軸方向に移動させることができる。したがって、本実施形態のめっきモジュール４００は、めっき膜厚の基板全体の均一性を担保するために、容易に軸心合わせを行うことができる。

特に、本実施形態のめっき装置１０００のように、複数（２４台）のめっきモジュール４００を含んでいる場合、各めっきモジュール４００について基板ホルダ４４０とアノード４３０の軸心合わせを行うには多大な労力がかかる。この点、本実施形態のように移動機構４９０を備えていれば、複数のめっきモジュール４００について容易に軸心合わせを行うことができる。

また、本実施形態のめっきモジュール４００の移動機構４９０は、センサ４５５によって計測されためっき膜厚に基づいて基板ホルダ４４０を移動させるように構成することができる。すなわち、基板Ｗｆのめっき膜厚の均一性を向上させることを目的として、例えば基板Ｗｆの外縁部の膜厚を微調整するために、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の距離（Ｚ方向の距離）を調整することは知られていた。しかしながら、アノード４３０と基板Ｗｆとの間の距離を離すと、基板とパドルとの距離も大きくなり、被めっき面Ｗｆ−ａ近傍のめっき液の撹拌効率が落ちることが懸念される。これに対して、本願の発明者らは、アノード４３０の軸心と基板Ｗｆの軸心との位置関係がめっき膜厚のプロファイルに影響を及ぼすことを見出した。

図５は、基板ホルダのＸ方向の位置を調整したときの基板のめっき膜厚プロファイルを示す図である。図５において、横軸は基板Ｗｆの半径（ｍｍ）であり、縦軸はめっき膜厚（任意単位）である。図５は、基板Ｗｆの軸心とアノード４３０の軸心とを位置合わせした場合（Ｘ＝０）と、基板Ｗｆの軸心をアノード４３０の軸心に対してＸ方向にずらせた場合（Ｘ＝０．２、０．４、０．６、１．０）のめっき膜厚のプロファイルを示している。

図５に示すように、基板Ｗｆの軸心をアノード４３０の軸心に対してＸ方向にあえてずらせると、基板Ｗｆの膜厚は特に外縁部において変化する。本実施形態では、基板Ｗｆの軸心をアノード４３０の軸心に対して０．６ｍｍずらしてめっき処理を行うと、基板Ｗｆのめっき膜厚の均一性を向上させることができた。本実施形態によれば、基板ホルダ４４０の軸心をアノード４３０の軸心に対して位置調整することができるので、基板Ｗｆとパドルとの距離を離すことなく、つまりめっき液の攪拌効率を落とすことなく、めっき膜厚の均一性を向上させることができる。

なお、めっき膜厚の均一性が向上するように初期設定をしたとしても、めっきモジュール４００の経年変化、または、めっきプロセスの変更などによって、めっき膜厚の均一性を継続して担保させることは難しい。この場合、メンテナンス作業でめっきモジュール４００の再調整作業が必要になる。この点、本実施形態によれば、制御モジュール８００を介して基板ホルダ４４０(基板Ｗｆ)側の軸心を調整することができるので、複数のめっきモジュール４００の基板ホルダ４４０の位置をパラメータで管理し、即座に基板ホルダ４４０の位置を調整することが可能になる。

次に、本実施形態のめっき処理方法について説明する。図６は、本実施形態のめっき処理方法を示すフローチャートである。図６のフローチャートは、一例として、めっきモジュール４００の設置時の処理を示している。

図６に示すように、めっき処理方法は、移動機構４９０を用いて基板ホルダ４４０の昇降方向に直交する方向に基板ホルダ４４０を移動させる（第１の移動ステップ１１０）。具体的には、第１の移動ステップ１１０は、めっき槽４１０の内部に配置されたアノード４３０の軸心と、基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆの軸心と、を合わせるように基板ホルダ４４０を移動させる。第１の移動ステップ１１０は、基板ホルダ４４０を昇降方向（Ｚ軸方向）に直交する第１の方向（Ｘ軸方向）に移動させる第１の移動ステップと、基板ホルダ４４０を昇降方向および第１の方向に直交する第２の方向（Ｙ軸方向）に移動させる第２の移動ステップと、を含む。第１の移動ステップ１１０は、例えば、オペレータが制御モジュール８００の入力インターフェースを介して基板ホルダ４４０のＸ軸方向およびＹ軸方向の移動量を入力することによって実行することができる。第１の移動ステップ１１０により、基板Ｗｆとアノード４３０の軸心合わせが完了する。

続いて、めっき処理方法は、基板ホルダ４４０に基板Ｗｆを設置する（ステップ１２０）。続いて、めっき処理方法は、昇降機構４８０を用いて基板ホルダ４４０をめっき槽４１０内に降下させる（降下ステップ１３０）。続いて、めっき処理方法は、回転機構４６０を用いて基板ホルダ４４０を回転させるとともに、めっき槽４１０内に降下された基板ホルダ４４０に保持された基板Ｗｆに対してめっき処理を実行する（めっきステップ１４０）。

続いて、めっき処理方法は、めっきステップ１４０によって基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆ−ａに形成されためっき膜厚を計測する（計測ステップ１５０）。計測ステップ１５０は、センサ４５５を用いてめっき膜厚を計測することができる。

続いて、めっき処理方法は、計測ステップ１５０によって計測されためっき膜厚に基づいて、移動機構４９０を用いて基板ホルダ４４０を移動させる（第２の移動ステップ１６０）。第２の移動ステップ１６０は、例えば、基板Ｗｆの軸心をアノード４３０の軸心に対してＸ方向および／またはＹ方向にずらせながら、めっき膜厚の均一性が最も高くなる場所に基板ホルダ４４０を移動させることができる。

続いて、めっき処理方法は、めっき処理を終了すべきか否かを判定する（判定ステップ１７０）。判定ステップ１７０は、例えば、めっき処理を開始してから所定の時間が経過したか、または、所定のめっき膜厚が形成されたか、などに基づいて、めっき処理を終了すべきか否かを判定することができる。めっき処理方法は、めっき処理を終了すべきではないと判定したら（判定ステップ１７０、Ｎｏ）、めっきステップ１４０に戻って処理を繰り返す。一方、めっき処理方法は、めっき処理を終了すべきと判定したら（判定ステップ１７０、Ｙｅｓ）、処理を終了する。

なお、図６のフローチャートはめっきモジュール４００の設置時の処理を示しているので、最初に基板Ｗｆとアノード４３０の軸心合わせ（第１の移動ステップ１１０）を実行したが、第１の移動ステップ１１０は実行されなくてもよい。また、図６のフローチャートは、めっき処理を行いながら基板ホルダ４４０を移動させる（第２の移動ステップ１６０）例を示したが、これに限定されない。例えば、めっきモジュール４００は、複数枚の基板について、図５に示すように基板Ｗｆの軸心をアノード４３０の軸心に対して異なる量ずらせてめっき処理を行うことができる。その結果、めっきモジュール４００は、複数のめっき膜厚プロファイルを得ることができ、これらを比較することによって、最適な移動量を求めることができる。この場合、めっきモジュール４００は、同じめっきプロセスを行う基板に対しては、めっき処理前に、求められた最適な移動量に基づいて、基板ホルダ４４０を移動させることができる。

以上、いくつかの本発明の実施形態について説明してきたが、上記した発明の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定するものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更、改良され得るとともに、本発明にはその等価物が含まれることは勿論である。また、上述した課題の少なくとも一部を解決できる範囲、または、効果の少なくとも一部を奏する範囲において、特許請求の範囲および明細書に記載された各構成要素の任意の組み合わせ、または、省略が可能である。

本願は、一実施形態として、めっき液を収容するためのめっき槽と、前記めっき槽に収容されためっき液に被めっき面を向けた状態で基板を保持するための基板ホルダと、前記基板ホルダを昇降させるための昇降機構と、前記基板ホルダの昇降方向に直交する方向に前記基板ホルダを移動させるための移動機構と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記移動機構は、前記基板ホルダを前記昇降方向に直交する第１の方向に移動させるための第１の移動機構と、前記基板ホルダを前記昇降方向および前記第１の方向に直交する第２の方向に移動させるための第２の移動機構と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記第１の移動機構は、前記第１の方向に伸びる第１のリニアガイドと、第１のリニアガイド上に設けられた第１の支持台と、前記第１の支持台を前記第１のリニアガイドに沿って移動させるための第１の駆動部材と、を含み、前記第２の移動機構は、前記第２の方向に伸びる第２のリニアガイドと、第２のリニアガイド上に設けられた第２の支持台と、前記第２の支持台を前記第２のリニアガイドに沿って移動させるための第２の駆動部材と、を含み、前記第１の移動機構および前記第２の移動機構は、基台上に重ねて配置され、前記昇降機構は、前記第１の支持台または第２の支持台に取り付けられ前記昇降方向に伸びる昇降リニアガイドと、前記基板ホルダを保持する保持部材を前記昇降リニアガイドに沿って移動させるための昇降駆動部材と、を含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記移動機構は、前記めっき槽の内部に配置されたアノードの軸心と、前記基板ホルダに保持された基板の軸心と、を合わせるように前記基板ホルダを移動させる、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、めっき処理によって前記基板の前記被めっき面に形成されためっき膜厚を計測するためのセンサをさらに含み、前記移動機構は、前記センサによって計測されためっき膜厚に基づいて前記基板ホルダを移動させるように構成される、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記めっき槽、前記基板ホルダ、前記昇降機構、および前記移動機構を含むめっきモジュールを複数含む、めっき装置を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、めっき槽に収容されためっき液に被めっき面を向けた状態で基板を保持するための基板ホルダを、前記基板ホルダの昇降方向に直交する方向に移動させる移動ステップと、前記基板ホルダを前記めっき槽内に降下させる降下ステップと、前記めっき槽内に降下された基板ホルダに保持された基板に対してめっき処理を実行するめっきステップと、を含む、めっき処理方法を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記移動ステップは、前記基板ホルダを前記昇降方向に直交する第１の方向に移動させる第１の移動ステップと、前記基板ホルダを前記昇降方向および前記第１の方向に直交する第２の方向に移動させる第２の移動ステップと、を含む、めっき処理方法を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記移動ステップは、前記めっき槽の内部に配置されたアノードの軸心と、前記基板ホルダに保持された基板の軸心と、を合わせるように前記基板ホルダを移動させる第１の移動ステップを含む、めっき処理方法を開示する。

さらに、本願は、一実施形態として、前記めっきステップによって前記基板の前記被めっき面に形成されためっき膜厚を計測する計測ステップをさらに含み、前記移動ステップは、前記計測ステップによって計測されためっき膜厚に基づいて前記基板ホルダを移動させる第２の移動ステップを含む、めっき処理方法を開示する。

４００ めっきモジュール
４１０ めっき槽
４３０ アノード
４４０ 基板ホルダ
４４４ 水平保持台
４４６ 垂直保持台
４４８ 保持部材
４５５ センサ
４６０ 回転機構
４７０ 傾斜機構
４８０ 昇降機構
４８２ 昇降リニアガイド
４８４ 昇降駆動部材
４９０ 移動機構
４９０−１ 第１の移動機構
４９０−２ 第２の移動機構
４９１ 第１の駆動部材
４９２ 第１のリニアガイド
４９３ 第１の支持台
４９４ 基台
４９５ 第２の駆動部材
４９６ 第２のリニアガイド
４９７ 第２の支持台
８００ 制御モジュール
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗｆ−ａ 被めっき面

Claims (6)

1. めっき液を収容するためのめっき槽と、
   前記めっき槽に収容されためっき液に被めっき面を下方に向けた状態で円板形状の基板を保持するための基板ホルダと、
   前記基板ホルダを昇降させるための昇降機構と、
   前記基板ホルダの昇降方向に直交する方向に前記基板ホルダを移動させるための移動機構と、を含み、
   前記移動機構は、
   前記基板ホルダを前記昇降方向に直交する第１の方向に移動させるための第１の移動機構と、
   前記基板ホルダを前記昇降方向および前記第１の方向に直交する第２の方向に移動させるための第２の移動機構と、を含み、
   前記移動機構は、前記めっき槽の内部に配置された円板形状のアノードの軸心と、前記基板ホルダに保持された基板の軸心と、を合わせるように前記基板ホルダを移動させる、
   めっき装置。
2. 前記第１の移動機構は、前記第１の方向に伸びる第１のリニアガイドと、第１のリニアガイド上に設けられた第１の支持台と、前記第１の支持台を前記第１のリニアガイドに沿って移動させるための第１の駆動部材と、を含み、
   前記第２の移動機構は、前記第２の方向に伸びる第２のリニアガイドと、第２のリニアガイド上に設けられた第２の支持台と、前記第２の支持台を前記第２のリニアガイドに沿って移動させるための第２の駆動部材と、を含み、
   前記第１の移動機構および前記第２の移動機構は、基台上に重ねて配置され、
   前記昇降機構は、前記第１の支持台または第２の支持台に取り付けられ前記昇降方向に伸びる昇降リニアガイドと、前記基板ホルダを保持する保持部材を前記昇降リニアガイドに沿って移動させるための昇降駆動部材と、を含む、
   請求項１に記載のめっき装置。
3. めっき処理によって前記基板の前記被めっき面に形成されためっき膜厚を計測するためのセンサをさらに含み、
   前記移動機構は、前記センサによって計測されためっき膜厚に基づいて前記基板ホルダを移動させるように構成される、
   請求項１または２に記載のめっき装置。
4. 前記めっき槽、前記基板ホルダ、前記昇降機構、および前記移動機構を含むめっきモジュールを複数含む、
   請求項１から３のいずれか一項に記載のめっき装置。
5. めっき槽に収容されためっき液に被めっき面を下方に向けた状態で円板形状の基板を保持するための基板ホルダを、前記基板ホルダの昇降方向に直交する方向に移動させる移動ステップと、
   前記基板ホルダを前記めっき槽内に降下させる降下ステップと、
   前記めっき槽内に降下された基板ホルダに保持された基板に対してめっき処理を実行するめっきステップと、を含み、
   前記移動ステップは、
   前記基板ホルダを前記昇降方向に直交する第１の方向に移動させる第１の移動ステップと、
   前記基板ホルダを前記昇降方向および前記第１の方向に直交する第２の方向に移動させる第２の移動ステップと、を含み、
   前記移動ステップは、前記めっき槽の内部に配置された円板形状のアノードの軸心と、前記基板ホルダに保持された基板の軸心と、を合わせるように前記基板ホルダを移動させる、
   めっき処理方法。
6. 前記めっきステップによって前記基板の前記被めっき面に形成されためっき膜厚を計測する計測ステップをさらに含み、
   前記移動ステップは、前記計測ステップによって計測されためっき膜厚に基づいて前記基板ホルダを移動させる第２の移動ステップを含む、
   請求項５に記載のめっき処理方法。

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