JP2022127862A - めっき装置及びめっき液の液面調整方法 - Google Patents

Abstract

【課題】めっき液の液面の高さ位置を容易に調整することができる技術を提供する。【解決手段】めっき装置１０００は、内槽１１と、内槽の外側に配置された外槽１２と、を有するめっき槽１０と、基板Ｗｆを保持する基板ホルダ３０と、外槽を内槽に対して水平面内で移動させる移動機構と、を備え、内槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第１切り欠き部が設けられ、外槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第２切り欠き部が設けられ、第１切り欠き部及び第２切り欠き部は、外槽が内槽に対して水平面内で移動するのにつれて、第１切り欠き部と第２切り欠き部との重複部における下端の高さ位置が変化するように構成されている。【選択図】図３

Description

本発明は、めっき装置及びめっき液の液面調整方法に関する。

従来、基板にめっき処理を施すことが可能なめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、めっき液を貯留するとともに、アノードが配置されためっき槽と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダとを備えている。

特開２００８－１９４９６号公報

しかしながら、上述したような従来のカップ式のめっき装置は、めっき槽に貯留されためっき液の液面の高さ位置を容易に調整することが困難であった。

本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、めっき液の液面の高さ位置を容易に調整することができる技術を提供することを目的の一つとする。

（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するとともにアノードが配置された内槽と、前記内槽の外側に配置された外槽と、を有するめっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記外槽を前記内槽に対して水平面内で移動させる移動機構と、を備え、前記内槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第１切り欠き部が設けられ、前記外槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第２切り欠き部が設けられ、前記第１切り欠き部及び前記第２切り欠き部は、前記外槽が前記内槽に対して水平面内で移動するのにつれて、前記第１切り欠き部と前記第２切り欠き部との重複部における下端の高さ位置が変化するように構成されている。

この態様によれば、内槽に貯留されためっき液を、第１切り欠き部と第２切り欠き部との重複部から排出させることができるので、内槽に貯留されためっき液の液面の高さ位置を重複部の下端の高さ位置と一致させることができる。したがって、この態様によれば、移動機構が外槽を内槽に対して水平面内で移動させることで、重複部の下端の高さ位置を変化させて、内槽に貯留されためっき液を内槽からオーバーフローさせながら、内槽に貯留されためっき液の液面の高さ位置を容易に調整することができる。

（態様２）
上記の態様１は、前記基板ホルダに配置されて、前記基板の下面の外周縁に接触して前記基板に電気を給電するコンタクト部材と、前記内槽のめっき液が前記コンタクト部材に接触することを抑制するためのシール部材と、を備え、前記移動機構は、前記基板が前記内槽に貯留されためっき液の液面よりも上方に位置した場合に比較して、前記基板が当該めっき液の液面よりも下方に位置した場合の方が、前記重複部における下端の高さ位置が低くなるように、前記外槽を前記内槽に対して移動させてもよい。

この態様によれば、基板がめっき液の液面よりも下方に位置することで基板がめっき液の中に浸漬された場合に、めっき液の液面を低くすることができるので、シール部材に加わるめっき液の圧力を小さくすることができる。これにより、めっき処理の実行中にめっき液がシール部材から漏洩してコンタクト部材に接触することを効果的に抑制することができる。

（態様３）
上記の態様１又は２において、前記移動機構は、前記外槽を前記外槽の上下方向に延在する軸線を中心に回転させることで、前記外槽を前記内槽に対して水平面内で移動させてもよい。

この構成によれば、簡素な構造で、外槽を内槽に対して移動させることができる。

（態様４）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき液の液面調整方法は、めっき液を貯留するとともにアノードが配置された内槽と、前記内槽の外側に配置された外槽と、を有するめっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、を備え、前記内槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第１切り欠き部が設けられ、前記外槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第２切り欠き部が設けられ、前記第１切り欠き部及び前記第２切り欠き部は、前記外槽が前記内槽に対して水平面内で移動するのにつれて、前記第１切り欠き部と前記第２切り欠き部との重複部における下端の高さ位置が変化するように構成された、めっき装置の前記めっき液の液面調整方法であって、前記外槽を前記内槽に対して水平面内で移動させることで、前記第１切り欠き部と前記第２切り欠き部との重複部における下端の高さ位置を変化させて、前記内槽の前記めっき液の液面を調整することを含む。

この態様によれば、内槽に貯留されためっき液を内槽からオーバーフローさせながら、内槽に貯留されためっき液の液面の高さ位置を容易に調整することができる。

実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。 実施形態に係るめっき装置のめっきモジュールの構成を説明するための模式図である。 図４（Ａ）は実施形態に係る基板ホルダの一部を拡大して模式的に示す断面図である。図４（Ｂ）は実施形態に係るコンタクト部材の周辺構成の模式的断面図である。 実施形態に係る内槽が外槽から取り外された状態を示す模式的斜視図である。 実施形態に係る内槽が外槽に挿入された状態を示す模式的側面図である。 図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、実施形態に係る外槽が内槽に対して移動した様子を示す模式的側面図である。

以下、本発明の実施形態に係るめっき装置１０００及びめっき液の液面調整方法について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は、物の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。こ
の直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。

図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１
００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。

図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００の構成を説明するための模式図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、主として、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、回転機構４０と、傾斜機構４５と、昇降機構４６と、コンタクト部材５０と、を備えている。なお、本実施形態に係るめっきモジュール４００は、後述する移動機構６０（図６）も備えているが、図３において移動機構６０の図示は省略されている。また、図３において一部の構成（めっき槽１０、オーバーフロー槽２０、基板ホルダ３０等）は、その断面が模式的に図示されている。

本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。また、本実施形態に係るめっき槽１０は、内槽１１と、この内槽１１の外側に配置された外槽１２とを有する、二重構造のめっき槽である。

内槽１１は、底壁１１ａと、この底壁１１ａの外周縁から上方に延在する外周壁１１ｂとを有しており、この外周壁１１ｂの上部が開口している。内槽１１の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。外槽１２は、底壁１２ａと、この底壁１２ａの外周縁から上方に延在する外周壁１２ｂとを有しており、この外周壁１２ｂの上部が開口している。本実施形態に係る内槽１１の外周壁１１ｂ及び外槽１２の外周壁１２ｂは、円筒形状を有している。なお、内槽１１及び外槽１２の詳細は後述する。

めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよ
く、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。

内槽１１の内部には、アノード１６が配置されている。アノード１６の具体的な種類は特に限定されるものではなく、溶解アノードや不溶解アノードを用いることができる。本実施形態においては、アノード１６として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の上端を超えためっき液Ｐｓを一時的に貯留するとともに、めっき槽１０の後述する重複部１５から排出されためっき液Ｐｓを一時的に貯留するための槽である。オーバーフロー槽２０のめっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０用の排出口（図示せず）から排出されて、リザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留された後に、再び、めっき槽１０に戻される。

内槽１１の内部におけるアノード１６よりも上方には、多孔質の抵抗体１７が配置されている。具体的には、抵抗体１７は、複数の孔（細孔）を有する多孔質の板部材によって構成されている。抵抗体１７よりも下方側のめっき液Ｐｓは、抵抗体１７を通過して、抵抗体１７よりも上方側に流動することができる。この抵抗体１７は、アノード１６と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このような抵抗体１７が内槽１１に配置されることで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。なお、抵抗体１７は本実施形態において必須の構成ではなく、本実施形態は抵抗体１７を備えていない構成とすることもできる。

図４（Ａ）は、基板ホルダ３０の一部（図３のＡ１部分）を拡大して模式的に示す断面図である。図３及び図４（Ａ）に示すように、基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを保持する部材である。具体的には、基板ホルダ３０は、アノード１６よりも上方（本実施形態では、さらに抵抗体１７よりも上方）に配置されている。基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの下面Ｗｆａがアノード１６や抵抗体１７に対向するように基板Ｗｆを保持している。なお、基板Ｗｆの下面Ｗｆａは、被めっき面に相当する。

また、本実施形態に係る基板ホルダ３０は、第１保持部材３１と第２保持部材３２とを備えている。第１保持部材３１は、基板Ｗｆの上面Ｗｆｂを保持している。第２保持部材３２は、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの外周縁を保持している。具体的には、本実施形態に係る第２保持部材３２は、後述するシール部材５５を介して、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの外周縁を保持している。基板ホルダ３０は、第１保持部材３１及び第２保持部材３２によって基板Ｗｆを挟持するように、基板Ｗｆを保持している。

図３を再び参照して、基板ホルダ３０は、回転機構４０の回転軸４１に接続されている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。回転機構４０としては、モータ等の公知の機構を用いることができる。傾斜機構４５は、回転機構４０及び基板ホルダ３０を傾斜させるための機構である。傾斜機構４５としては、ピストン・シリンダ等の公知の傾斜機構を用いることができる。昇降機構４６は、上下方向に延在する支軸４７によって支持されている。昇降機構４６は、基板ホルダ３０、回転機構４０、及び、傾斜機構４５を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構４６としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。

めっき処理を実行する際には、回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させるとともに、昇降機構４６が基板ホルダ３０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。また、このように、基板Ｗｆをめっき液Ｐｓに浸漬させる際、傾斜機構４５は必要に応じて基板ホルダ３０を傾斜させてもよい。次いで、通電装置（図示せず）によって、アノード１６と基板Ｗｆとの間に電気が流れる。これにより、基板Ｗｆの下面Ｗｆａに、めっき皮膜が形成される。また、本実施形態の場合、少なくとも基板Ｗｆへのめっき処理時において（基板Ｗｆへの通電時において）、めっき液Ｐｓがめっき槽１０からオーバーフローするように、めっき槽１０へのめっき液Ｐｓの供給が行われている。すなわち、本実施形態の場合、めっき槽１０のめっき液Ｐｓをめっき槽１０からオーバーフローさせながら、基板Ｗｆへのめっき皮膜の形成が行われている。

めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００によって制御される。制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶部８０２、等を備えている。制御モジュール８００は、記憶部８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいてＣＰＵ８０１が動作することで、めっきモジュール４００の被制御部を制御する。

図３及び図４（Ａ）を参照して、本実施形態に係る基板ホルダ３０には、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの外周縁に接触して基板Ｗｆに電気を給電するコンタクト部材５０が配置されている。具体的には、本実施形態に係るコンタクト部材５０は、基板ホルダ３０の第２保持部材３２に配置されている。

図４（Ｂ）は、コンタクト部材５０の周辺構成の模式的断面図（Ｂ１－Ｂ１線断面図）である。なお、図４（Ｂ）において、第１保持部材３１、基板Ｗｆ及びシール部材５５の図示は省略されている。図４（Ａ）及び図４（Ｂ）を参照して、本実施形態に係るコンタクト部材５０は、基板ホルダ３０の周方向（具体的には第２保持部材３２の周方向）に、複数配置されている。具体的には、複数のコンタクト部材５０は、基板ホルダ３０の周方向に、均等に配置されている。なお、複数のコンタクト部材５０の数は特に限定されるものではないが、本実施形態では、一例として、１２個である。複数のコンタクト部材５０は、通電装置（図示せず）と電気的に接続されており、通電装置から供給された電気を基板Ｗｆに給電する。

図４（Ａ）に示すように、本実施形態に係るめっきモジュール４００は、内槽１１のめっき液Ｐｓがコンタクト部材５０に接触することを抑制するためのシール部材５５を備えている。具体的には、本実施形態に係るシール部材５５は、コンタクト部材５０よりも内側（基板ホルダ３０の径方向で内側）に配置されており、基板ホルダ３０の第２保持部材３２と基板Ｗｆの下面Ｗｆａとの間に挟持されている。また、本実施形態に係るシール部材５５はリング形状を有している。

めっきモジュール４００がこのようなシール部材５５を備えることで、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された場合に、めっき液Ｐｓがコンタクト部材５０に接触することを効果的に抑制することができる。

続いて、内槽１１、外槽１２、及び、移動機構６０の詳細について説明する。図５は、めっき槽１０の内槽１１が外槽１２から取り外された状態（すなわち、内槽１１と外槽１２とが分解された状態）を示す模式的斜視図である。図６は、内槽１１が外槽１２に挿入された状態を示す模式的側面図である。また、図６には、移動機構６０も併せて図示されている。図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、外槽１２が内槽１１に対して移動した様子を示す
模式的側面図である。なお、図７（Ｂ）の外槽１２は、図７（Ａ）の外槽１２よりも第１回転方向（Ｒ１）に回転している。

図５に示すような内槽１１が外槽１２に挿入されることで、図６に示すような二重槽構造のめっき槽１０が得られる。外槽１２及び内槽１１は、内槽１１が外槽１２に挿入された状態で、同じ軸線ＸＬ（中心軸線）を有している。軸線ＸＬは、上下方向（鉛直方向）に延在している。

図６を参照して、移動機構６０は、外槽１２を内槽１１に対して水平面内で移動させるための機構である。なお、外槽１２を内槽１１に対して「水平面内で移動させる」とは、外槽１２及び内槽１１が上下方向に変位することなく、外槽１２を内槽１１に対して移動させることをいう。

具体的には本実施形態に係る移動機構６０は、外槽１２を内槽１１に対して水平面内で回転させるように構成されている。より具体的には、移動機構６０は、外槽１２を、軸線ＸＬを中心に回転させることで、外槽１２を内槽１１に摺動させながら、外槽１２を内槽１１に対して相対的に回転させる。この構成によれば、簡素な構造で、外槽１２を内槽１１に対して移動させることができる。

上述したような機能を有するものであれば、移動機構６０の具体的な構成は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る移動機構６０は、一例として、以下の構成を有している。

具体的には、本実施形態に係る移動機構６０は、アクチュエータ６１と、アクチュエータ６１の動力を外槽１２に伝達する動力伝達機構６２とを有している。アクチュエータ６１の動作は制御モジュール８００が制御している。本実施形態では、アクチュエータ６１の一例として、回転モータ（回転可能な電動モータ）を用いている。また、動力伝達機構６２の一例として、歯車機構を用いている。この歯車機構は、歯車６３ａと、これに噛み合う歯車６３ｂとを備えている。歯車６３ａはアクチュエータ６１の回転軸に接続されている。歯車６３ｂは、外槽１２の外周壁１２ｂの外周面に接続されている。アクチュエータ６１が回転することで、歯車６３ａが回転し、この歯車６３ａが回転することで歯車６３ｂが回転して、外槽１２を回転させる。

また、本実施形態に係るアクチュエータ６１は、正回転及び逆回転できるように構成されている。これにより、本実施形態に係る外槽１２は、第１回転方向（Ｒ１）に回転することができるとともに、この第１回転方向とは反対の第２回転方向（Ｒ２）にも回転することができる。なお、本実施形態において、第１回転方向（Ｒ１）は、一例として、めっき槽１０の上面視で時計回りの回転方向であり、第２回転方向（Ｒ２）は上面視で反時計回りの回転方向である。

図５を参照して、内槽１１の外周壁１１ｂには、外周壁１１ｂの上端１１ｃから下方に向かって所定距離だけ開口した第１切り欠き部１３が設けられている。外槽１２の外周壁１２ｂには、外周壁１２ｂの上端１２ｃから下方に向かって所定距離だけ開口した第２切り欠き部１４が設けられている。

図７（Ａ）及び図７（Ｂ）を参照して、第１切り欠き部１３及び第２切り欠き部１４は、外槽１２が内槽１１に対して移動するのにつれて（回転するのにつれて）、第１切り欠き部１３と第２切り欠き部１４とが重なる部分（「重複部１５」と称する）の下端１５ａの高さ位置（Ｈ１）が変化するように構成されている。

具体的には、本実施形態に係る第１切り欠き部１３及び第２切り欠き部１４は、外槽１２が内槽１１に対して第１回転方向（Ｒ１）に回転するのにつれて、重複部１５の面積が大きくなり、この結果、下端１５ａの高さ位置が低くなるように構成されている。逆にいうと、第１切り欠き部１３及び第２切り欠き部１４は、外槽１２が内槽１１に対して第２回転方向（Ｒ２）に回転するのにつれて、重複部１５の面積が小さくなり、この結果、下端１５ａの高さ位置が高くなるように構成されている。

具体的には、本実施形態に係る第１切り欠き部１３の面積は、第２切り欠き部１４の面積よりも大きくなっている。また、第１切り欠き部１３は、側面視で矩形形状を有している。一方、第２切り欠き部１４は側面視で三角形状を有している。また、第２切り欠き部１４は、水平方向に対して傾斜した傾斜面１４ａ（図５参照）を有している。この傾斜面１４ａは、第１回転方向（Ｒ１）に向かうに従って上方に位置するように、傾斜している。そして、第１切り欠き部１３の下端の高さ位置と第２切り欠き部１４の下端の高さ位置とは一致している。第１切り欠き部１３及び第２切り欠き部１４は、以上のような構成になっている。

めっき槽１０の内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓは、重複部１５から、めっき槽１０の外部に排出される。なお、前述したように、この重複部１５から排出されためっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０に流入する。

このように、本実施形態によれば、内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓが重複部１５からめっき槽１０の外部に排出されるので、内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓの液面の高さ位置を、重複部１５の下端１５ａの高さ位置（Ｈ１）と一致させることができる。これにより、本実施形態によれば、重複部１５の下端１５ａの高さ位置を変化させることで、内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓの液面の高さ位置を変化させることができる。したがって、本実施形態によれば、移動機構６０によって外槽１２を内槽１１に対して移動させることで、重複部１５の下端１５ａの高さ位置を変化させて、内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓを内槽１１からオーバーフローさせながら（すなわち、めっき液Ｐｓをめっき槽１０からオーバーフローさせながら）、内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓの液面の高さ位置を容易に調整することができる。

具体的には、移動機構６０が外槽１２を内槽１１に対して移動させて重複部１５の下端１５ａの高さ位置を低くすることで、内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓの液面の高さ位置を低くすることができる。一方、移動機構６０が外槽１２を内槽１１に対して移動させて重複部１５の下端１５ａの高さ位置を高くすることで、内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓの液面の高さ位置を高くすることができる。

なお、移動機構６０は、基板Ｗｆが内槽１１に貯留されためっき液Ｐｓの液面よりも上方に位置した場合（すなわち、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬されていない状態の場合）に比較して、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓの液面よりも下方に位置した場合（すなわち、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓの中に浸漬された状態の場合）の方が、第１切り欠き部１３と第２切り欠き部１４との重複部１５における下端１５ａの高さ位置が低くなるように、外槽１２を内槽１１に対して移動させてもよい。

この構成によれば、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓの液面よりも下方に位置することで基板Ｗｆがめっき液Ｐｓの中に浸漬された場合に、めっき液Ｐｓの液面を低くすることができるので、シール部材５５に加わるめっき液Ｐｓの圧力を小さくすることができる。この結果、めっき処理の実行中にめっき液Ｐｓがシール部材５５から漏洩してコンタクト部材５０に接触することを効果的に抑制することができる。

以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。

１０ めっき槽
１１ 内槽
１１ｂ 外周壁
１１ｃ 上端
１３ 第１切り欠き部
１２ 外槽
１２ｂ 外周壁
１２ｃ 上端
１４ 第２切り欠き部
１５ 重複部
１５ａ 下端
１６ アノード
４６ 昇降機構
５０ コンタクト部材
５５ シール部材
６０ 移動機構
Ｈ１ 重複部の下端の高さ位置
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗｆａ 下面
Ｐｓ めっき液

Claims (4)

1. めっき液を貯留するとともにアノードが配置された内槽と、前記内槽の外側に配置された外槽と、を有するめっき槽と、
   前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、
   前記外槽を前記内槽に対して水平面内で移動させる移動機構と、を備え、
   前記内槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第１切り欠き部が設けられ、
   前記外槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第２切り欠き部が設けられ、
   前記第１切り欠き部及び前記第２切り欠き部は、前記外槽が前記内槽に対して水平面内で移動するのにつれて、前記第１切り欠き部と前記第２切り欠き部との重複部における下端の高さ位置が変化するように構成された、めっき装置。
2. 前記基板ホルダに配置されて、前記基板の下面の外周縁に接触して前記基板に電気を給電するコンタクト部材と、
   前記内槽のめっき液が前記コンタクト部材に接触することを抑制するためのシール部材と、を備え、
   前記移動機構は、前記基板が前記内槽に貯留されためっき液の液面よりも上方に位置した場合に比較して、前記基板が当該めっき液の液面よりも下方に位置した場合の方が、前記重複部における下端の高さ位置が低くなるように、前記外槽を前記内槽に対して移動させる、請求項１に記載のめっき装置。
3. 前記移動機構は、前記外槽を前記外槽の上下方向に延在する軸線を中心に回転させることで、前記外槽を前記内槽に対して水平面内で移動させる、請求項１又は２に記載のめっき装置。
4. めっき液を貯留するとともにアノードが配置された内槽と、前記内槽の外側に配置された外槽と、を有するめっき槽と、
   前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、を備え、
   前記内槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第１切り欠き部が設けられ、
   前記外槽の外周壁には、当該外周壁の上端から下方に向かって開口した第２切り欠き部が設けられ、
   前記第１切り欠き部及び前記第２切り欠き部は、前記外槽が前記内槽に対して水平面内で移動するのにつれて、前記第１切り欠き部と前記第２切り欠き部との重複部における下端の高さ位置が変化するように構成された、めっき装置の前記めっき液の液面調整方法であって、
   前記外槽を前記内槽に対して水平面内で移動させることで、前記第１切り欠き部と前記第２切り欠き部との重複部における下端の高さ位置を変化させて、前記内槽の前記めっき液の液面を調整することを含む、めっき液の液面調整方法。

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