KR102406835B1 - 도금 장치 및 도금 처리 방법 - Google Patents

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샤오 화 창
야스유키 마스다
마사야 세키
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가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
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Abstract

격막의 하면에 체류한 프로세스 가스에 기인하여 기판의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공한다.
도금 장치(1000)는, 애노드실(13)에 애노드(11)가 배치된 도금조(10)와, 애노드실보다 상방에 배치되어 캐소드로서의 기판(Wf)을 보유 지지하는 기판 홀더(30)를 구비하는 도금 장치이며, 애노드는 상하 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖고, 도금 장치는, 애노드와의 사이에 공간을 가지면서, 애노드의 상단, 외주면, 및 내주면을 덮도록 애노드실에 마련되어, 애노드로부터 발생한 프로세스 가스를 저류하는 가스 저류부(60)와, 가스 저류부에 저류된 프로세스 가스를 도금조의 외부로 배출시키는 배출 기구(70)를 더 구비한다.

Description

도금 장치 및 도금 처리 방법
본 발명은, 도금 장치 및 도금 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 기판에 도금 처리를 실시하는 도금 장치로서, 이른바 컵식의 도금 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이러한 도금 장치는, 격막이 배치됨과 함께, 이 격막보다 하방측으로 구획된 애노드실에 애노드가 배치된 도금조와, 애노드실보다 상방에 배치되어, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더를 구비하고 있다. 또한, 이러한 종래의 도금 장치에 있어서, 애노드는, 수평 방향으로 연장되는 평판 형상을 갖고 있다.
또한, 본 발명과 관련된 다른 선행기술문헌으로서 특허문헌 2를 들 수 있다. 이 특허문헌 2에는, 애노드 마스크에 관한 기술이 개시되어 있다. 구체적으로는, 이 특허문헌 2에는, 애노드와 기판 사이를 흐르는 전기가 통과하는 개구부를 갖는 애노드 마스크와, 이 개구부의 크기를 변경하는 기구(개구부 가변 기구라 칭함)를 갖는 도금 장치가 개시되어 있다. 이러한 도금 장치에 의하면, 개구부 가변 기구에 의해 애노드 마스크의 개구부의 크기를 변경함으로써, 애노드와 기판 사이에 형성되는 전기장의 형성 양태를 변화시킬 수 있다.
일본 특허 공개 제2008-19496호 공보 일본 특허 공개 제2017-137519호 공보
상술한 특허문헌 1에 예시되어 있는 바와 같은, 종래의 컵식의 도금 장치에 있어서, 도금 처리 시에 애노드로부터 발생한 프로세스 가스가 격막의 하면에 체류할 우려가 있다. 이 경우, 이 프로세스 가스에 기인하여 기판의 도금 품질이 악화될 우려가 있다.
본 발명은, 상기한 것에 비추어 이루어진 것이며, 격막의 하면에 체류한 프로세스 가스에 기인하여 기판의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.
(양태 1)
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 관한 도금 장치는, 격막이 배치됨과 함께, 상기 격막보다 하방측으로 구획된 애노드실에 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드실보다 상방에 배치되어, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더를 구비하는 도금 장치이며, 상기 애노드는, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖고, 상기 도금 장치는, 상기 애노드와의 사이에 공간을 가지면서, 상기 애노드의 상단, 외주면, 및 내주면을 덮도록 상기 애노드실에 마련되어, 상기 애노드로부터 발생한 프로세스 가스를 저류하는 가스 저류부와, 상기 가스 저류부에 저류된 프로세스 가스를 상기 도금조의 외부로 배출시키는 배출 기구를 더 구비한다.
이 양태에 의하면, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상의 애노드로부터 발생한 프로세스 가스를 가스 저류부에 저류시켜, 이 저류된 프로세스 가스를 배출 기구에 의해 도금조의 외부로 배출시킬 수 있다. 이에 의해, 격막의 하면에 프로세스 가스가 체류하는 것을 억제할 수 있으므로, 이 프로세스 가스에 기인하여 기판의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있다.
(양태 2)
상기 양태 1은, 상기 애노드실에 배치되어, 상기 애노드와 상기 기판 사이를 흐르는 전기가 통과하는 개구부를 갖는 애노드 마스크와, 상기 애노드를 상하 방향으로 이동시키는 애노드 이동 기구를 더 구비하고 있어도 된다.
이 양태에 의하면, 애노드를 상하 방향으로 이동시킴으로써, 기판과 애노드 사이에 형성되는 전기장의 형성 양태를 변화시킬 수 있다. 또한, 애노드를 상하 방향으로 이동시킨다고 하는 간소한 기구로, 전기장의 형성 양태를 변화시킬 수 있으므로, 도금 장치가 애노드 마스크의 개구부의 크기를 변경하는 개구부 가변 기구를 구비하는 경우와 비교하여, 도금 장치의 구조가 복잡화되는 것을 억제할 수 있다.
(양태 3)
상기 양태 2에 있어서, 상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 마스크의 상면이 상기 격막의 하면에 접하도록 배치되어 있어도 된다.
(양태 4)
상기 양태 2에 있어서, 상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 마스크의 상면과 상기 격막의 하면 사이에 공간이 형성되도록 배치되어 있어도 된다.
(양태 5)
상기 양태 2에 있어서, 상기 애노드 이동 기구는, 제1 접속 부재를 통해 상기 애노드와 접속되어 있고, 상기 제1 접속 부재를 상하 방향으로 이동시킴으로써 상기 애노드를 상하 방향으로 이동시키고, 상기 애노드 마스크는, 제2 접속 부재를 통해 상기 제1 접속 부재에 접속되어 있고, 상기 애노드 이동 기구가 상기 제1 접속 부재를 이동시킨 경우에 상기 애노드와 함께 이동하도록 구성되어 있어도 된다.
(양태 6)
또한, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 관한 도금 처리 방법은, 격막이 배치됨과 함께, 상기 격막보다 하방측으로 구획된 애노드실에 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드실보다 상방에 배치되어, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더를 구비하는 도금 장치를 사용한 도금 처리 방법이며, 상기 애노드는, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖고, 상기 도금 장치는, 상기 애노드와의 사이에 공간을 가지면서, 상기 애노드의 상단, 외주면, 및 내주면을 덮도록 상기 애노드실에 마련되어, 상기 애노드로부터 발생한 프로세스 가스를 저류하는 가스 저류부와, 상기 가스 저류부에 저류된 프로세스 가스를 상기 도금조의 외부로 배출시키는 배출 기구를 더 구비하고, 상기 도금 처리 방법은, 상기 기판에 도금 처리를 실시하는 도금 처리 시에, 상기 가스 저류부에 저류된 프로세스 가스를 상기 배출 기구에 의해 상기 도금조의 외부로 배출시키는 것을 포함한다.
이 양태에 의하면, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상의 애노드로부터 발생한 프로세스 가스를 가스 저류부에 저류시켜, 이 저류된 프로세스 가스를 배출 기구에 의해 도금조의 외부로 배출시킬 수 있다. 이에 의해, 애노드실의 격막의 하면에 프로세스 가스가 체류하는 것을 억제할 수 있다. 이 결과, 이 프로세스 가스에 기인하여 기판의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 관한 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 실시 형태에 관한 도금 모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 실시 형태에 관한 애노드의 모식적인 사시도이다.
도 5의 (A) 및 도 5의 (B)는 실시 형태에 관한 가스 저류부 및 배출 기구를 설명하기 위한 모식적 단면도이다.
도 6은 실시 형태에 관한 배출 기구의 제어의 흐름도의 일례이다.
도 7의 (A)는 실시 형태에 관한 격막 및 애노드 마스크의 모식적 단면도이다. 도 7의 (B)는 실시 형태에 관한 애노드 마스크의 모식적 사시도이다.
도 8은 실시 형태에 관한 도금 모듈에 있어서의 애노드 이동 기구의 주변 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 9의 (A) 및 도 9의 (B)는 실시 형태에 관한 애노드의 상하 방향의 위치가 변화된 경우에 있어서의 전기장의 형성 양태의 변화를 도시하는 모식적 단면도이다.
도 10의 (A)는 실시 형태의 변형예 1에 관한 도금 장치의 애노드 마스크의 주변 구성을 도시하는 모식적 단면도이다. 도 10의 (B)는 실시 형태의 변형예 2에 관한 도금 장치의 애노드 마스크의 주변 구성을 도시하는 모식적 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태나 실시 형태의 변형예에서는, 동일하거나 또는 대응하는 구성에 대해 동일한 부호를 붙여 설명을 적절하게 생략하는 경우가 있다. 또한 도면은, 실시 형태나 변형예의 특징의 이해를 용이하게 하기 위해 모식적으로 도시되어 있으며, 각 구성 요소의 치수 비율 등은 실제의 것과 동일한 것만은 아니다. 또한, 몇 개의 도면에는, 참고용으로서 X-Y-Z의 직교 좌표가 도시되어 있다. 이 직교 좌표 중, Z 방향은 상방에 상당하고, -Z 방향은 하방(중력이 작용하는 방향)에 상당한다.
도 1은 본 실시 형태의 도금 장치(1000)의 전체 구성을 도시하는 사시도이다. 도 2는 본 실시 형태의 도금 장치(1000)의 전체 구성을 도시하는 평면도이다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 도금 장치(1000)는, 로드 포트(100), 반송 로봇(110), 얼라이너(120), 프리웨트 모듈(200), 프리소크 모듈(300), 도금 모듈(400), 세정 모듈(500), 스핀 린스 드라이어(600), 반송 장치(700), 및 제어 모듈(800)을 구비하고 있다.
로드 포트(100)는, 도금 장치(1000)에 도시하지 않은 FOUP 등의 카세트에 수용된 기판을 반입하거나, 도금 장치(1000)로부터 카세트에 기판을 반출하기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 4대의 로드 포트(100)가 수평 방향으로 배열되어 배치되어 있지만, 로드 포트(100)의 수 및 배치는 임의이다. 반송 로봇(110)은 기판을 반송하기 위한 로봇이며, 로드 포트(100), 얼라이너(120), 및 반송 장치(700)의 사이에서 기판을 전달하도록 구성된다. 반송 로봇(110) 및 반송 장치(700)는, 반송 로봇(110)과 반송 장치(700) 사이에서 기판을 전달할 때에는, 가배치대(도시하지 않음)를 통해 기판의 전달을 행할 수 있다.
얼라이너(120)는, 기판의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향에 맞추기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 2대의 얼라이너(120)가 수평 방향으로 배열되어 배치되어 있지만, 얼라이너(120)의 수 및 배치는 임의이다. 프리웨트 모듈(200)은, 도금 처리 전의 기판의 피도금면을 순수 또는 탈기수 등의 처리액으로 적심으로써, 기판 표면에 형성된 패턴 내부의 공기를 처리액으로 치환한다. 프리웨트 모듈(200)은, 도금 시에 패턴 내부의 처리액을 도금액으로 치환함으로써 패턴 내부에 도금액을 공급하기 쉽게 하는 프리웨트 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 프리웨트 모듈(200)이 상하 방향으로 배열되어 배치되어 있지만, 프리웨트 모듈(200)의 수 및 배치는 임의이다.
프리소크 모듈(300)은, 예를 들어 도금 처리 전의 기판의 피도금면에 형성한 시드층 표면 등에 존재하는 전기 저항이 큰 산화막을 황산이나 염산 등의 처리액으로 에칭 제거하여 도금 하지 표면을 세정 또는 활성화하는 프리소크 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 프리소크 모듈(300)이 상하 방향으로 배열되어 배치되어 있지만, 프리소크 모듈(300)의 수 및 배치는 임의이다. 도금 모듈(400)은 기판에 도금 처리를 실시한다. 본 실시 형태에서는, 상하 방향으로 3대이면서 수평 방향으로 4대 배열되어 배치된 12대의 도금 모듈(400)의 세트가 2개 있어, 합계 24대의 도금 모듈(400)이 마련되어 있지만, 도금 모듈(400)의 수 및 배치는 임의이다.
세정 모듈(500)은, 도금 처리 후의 기판에 남은 도금액 등을 제거하기 위해 기판에 세정 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 세정 모듈(500)이 상하 방향으로 배열되어 배치되어 있지만, 세정 모듈(500)의 수 및 배치는 임의이다. 스핀 린스 드라이어(600)는, 세정 처리 후의 기판을 고속 회전시켜 건조시키기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 2대의 스핀 린스 드라이어(600)가 상하 방향으로 배열되어 배치되어 있지만, 스핀 린스 드라이어(600)의 수 및 배치는 임의이다. 반송 장치(700)는, 도금 장치(1000) 내의 복수의 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위한 장치이다. 제어 모듈(800)은, 도금 장치(1000)의 복수의 모듈을 제어하도록 구성되며, 예를 들어 오퍼레이터와의 사이의 입출력 인터페이스를 구비하는 일반적인 컴퓨터 또는 전용 컴퓨터로 구성할 수 있다.
도금 장치(1000)에 의한 일련의 도금 처리의 일례를 설명한다. 먼저, 로드 포트(100)에 카세트에 수용된 기판이 반입된다. 계속해서, 반송 로봇(110)은, 로드 포트(100)의 카세트로부터 기판을 취출하여, 얼라이너(120)에 기판을 반송한다. 얼라이너(120)는, 기판의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향에 맞춘다. 반송 로봇(110)은, 얼라이너(120)에서 방향을 맞춘 기판을 반송 장치(700)에 전달한다.
반송 장치(700)는, 반송 로봇(110)으로부터 수취한 기판을 프리웨트 모듈(200)에 반송한다. 프리웨트 모듈(200)은 기판에 프리웨트 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 프리웨트 처리가 실시된 기판을 프리소크 모듈(300)에 반송한다. 프리소크 모듈(300)은 기판에 프리소크 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 프리소크 처리가 실시된 기판을 도금 모듈(400)에 반송한다. 도금 모듈(400)은 기판에 도금 처리를 실시한다.
반송 장치(700)는, 도금 처리가 실시된 기판을 세정 모듈(500)에 반송한다. 세정 모듈(500)은 기판에 세정 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 세정 처리가 실시된 기판을 스핀 린스 드라이어(600)에 반송한다. 스핀 린스 드라이어(600)는 기판에 건조 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 건조 처리가 실시된 기판을 반송 로봇(110)에 전달한다. 반송 로봇(110)은, 반송 장치(700)로부터 수취한 기판을 로드 포트(100)의 카세트에 반송한다. 마지막으로, 로드 포트(100)로부터 기판을 수용한 카세트가 반출된다.
또한, 도 1이나 도 2에서 설명한 도금 장치(1000)의 구성은 일례에 불과하며, 도금 장치(1000)의 구성은 도 1이나 도 2의 구성에 한정되는 것은 아니다.
계속해서, 도금 모듈(400)에 대해 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)가 갖는 복수의 도금 모듈(400)은 마찬가지의 구성을 갖고 있으므로, 하나의 도금 모듈(400)에 대해 설명한다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)의 도금 모듈(400)의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)는, 컵식의 도금 장치이다. 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)의 도금 모듈(400)은, 주로, 도금조(10)와, 오버플로조(20)와, 기판 홀더(30)와, 회전 기구(40)와, 승강 기구(45)와, 가스 저류부(60)와, 배출 기구(70)와, 레벨 센서(75)와, 애노드 이동 기구(80)를 구비하고 있다. 또한, 도 3에 있어서, 도금조(10), 오버플로조(20) 및 기판 홀더(30)는 모식적으로 단면 도시되어 있다.
본 실시 형태에 관한 도금조(10)는, 상방에 개구를 갖는 바닥이 있는 용기에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 도금조(10)는 저벽부(10a)와, 이 저벽부(10a)의 외주연으로부터 상방으로 연장되는 외주벽부(10b)를 갖고 있고, 이 외주벽부(10b)의 상부가 개구되어 있다. 또한, 도금조(10)의 외주벽부(10b)의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에 관한 외주벽부(10b)는 일례로서 원통 형상을 갖고 있다.
도금조(10)의 내부에는, 도금액(Ps)이 저류되어 있다. 도금액(Ps)으로서는, 도금 피막을 구성하는 금속 원소의 이온을 포함하는 용액이면 되며, 그 구체예는 특별히 한정되는 것은 아니다. 본 실시 형태에 있어서는, 도금 처리의 일례로서 구리 도금 처리를 사용하고 있고, 도금액(Ps)의 일례로서 황산구리 용액을 사용하고 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 도금액(Ps)에는 소정의 첨가제가 포함되어 있다. 단, 이 구성에 한정되는 것은 아니며, 도금액(Ps)은 첨가제를 포함하고 있지 않은 구성으로 할 수도 있다.
도금조(10)의 내부에는, 애노드(11)가 배치되어 있다. 도 4는 애노드(11)의 모식적인 사시도이다. 도 3 및 도 4를 참조하여, 본 실시 형태에 관한 애노드(11)는 상하 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖고 있다. 도 3에 도시하는 바와 같이, 애노드(11)의 하단에는, 도전성 부재로서의 버스 바(50)가 접속되어 있다. 버스 바(50)는, 배선(55)을 통해 통전 장치(도시하지 않음)에 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 캐소드로서의 기판(Wf)도, 배선(도시하지 않음)을 통해, 이 통전 장치에 전기적으로 접속되어 있다.
애노드(11)의 구체예는, 후술하는 프로세스 가스(Ga)가 발생하는 것이면 되고 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에 있어서는, 애노드(11)의 구체예로서 불용해 애노드를 사용하고 있다. 이 불용해 애노드의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것은 아니며, 백금이나 산화이리듐 등을 사용할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 애노드(11)가 상하 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖고 있으므로, 애노드(11)로부터 발생하는 프로세스 가스(Ga)를 후술하는 가스 저류부(60)에 의해 용이하게 회수할 수 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 도금조(10)의 내부에 있어서, 애노드(11)보다 상방에는 격막(12)이 배치되어 있다. 구체적으로는, 격막(12)은, 애노드(11)와 기판(Wf)(캐소드) 사이의 개소에 배치되어 있다. 본 실시 형태에 관한 격막(12)의 외주부는, 후술하는 가스 저류부(60)의 측벽부(60b)에 접속되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 격막(12)은, 격막(12)의 면 방향이 수평 방향으로 되도록 배치되어 있다.
도금조(10)의 내부는, 격막(12)에 의해 상하 방향으로 2분할되어 있다. 격막(12)보다 하방측으로 구획된 영역을 애노드실(13)이라 칭한다. 격막(12)보다 상방측의 영역을 캐소드실(14)이라 칭한다. 전술한 애노드(11)는 애노드실(13)에 배치되어 있다.
격막(12)은 금속 이온의 통과를 허용하면서, 도금액(Ps)에 포함되는 첨가제의 통과를 억제하는 막에 의해 구성되어 있다. 즉, 본 실시 형태에 있어서, 캐소드실(14)의 도금액(Ps)은 첨가제를 포함하고 있지만, 애노드실(13)의 도금액(Ps)은 첨가제를 포함하고 있지 않다. 단, 이 구성에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 애노드실(13)의 도금액(Ps)도 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 그러나 이 경우에 있어서도, 애노드실(13)의 첨가제의 농도는 캐소드실(14)의 첨가제의 농도보다 낮게 되어 있다. 격막(12)의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것은 아니며, 공지의 격막을 사용할 수 있다. 이 격막(12)의 구체예를 들면, 예를 들어 전해 격막을 사용할 수 있고, 이 전해 격막의 구체예로서, 예를 들어 가부시키가이샤 유아사 멤브레인 시스템 제조의 도금용 전해 격막을 사용하거나, 혹은 이온 교환막 등을 사용하거나 할 수 있다.
본 실시 형태와 같이, 도금 장치(1000)가 격막(12)을 구비함으로써, 애노드측에서의 반응에 의해 도금액(Ps)에 포함되는 첨가제의 성분이 분해 또는 반응하는 것을 억제할 수 있고, 이에 의해 이 첨가제의 성분의 분해 또는 반응에 의해 도금에 악영향을 미치는 성분이 생성되는 것을 억제할 수 있다.
도금조(10)에는, 애노드실(13)에 도금액(Ps)을 공급하기 위한 애노드용 공급구(15)가 마련되어 있다. 또한, 도금조(10)에는, 애노드실(13)의 도금액(Ps)을 애노드실(13)로부터 배출하기 위한 애노드용 배출구(16)가 마련되어 있다. 애노드용 배출구(16)로부터 배출된 도금액(Ps)은, 그 후, 애노드용의 리저버 탱크(도시하지 않음)에 저류된 후에, 애노드용 공급구(15)로부터 애노드실(13)에 다시 공급된다.
도금조(10)에는, 캐소드실(14)에 도금액(Ps)을 공급하기 위한 캐소드용 공급구(17)가 마련되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 도금조(10)의 외주벽부(10b)의 캐소드실(14)에 대응하는 부분의 일부에는, 도금조(10)의 중심측에 돌출된 돌출부(10c)가 마련되어 있고, 이 돌출부(10c)에 캐소드용 공급구(17)가 마련되어 있다.
오버플로조(20)는 도금조(10)의 외측에 배치된, 바닥이 있는 용기에 의해 구성되어 있다. 오버플로조(20)는, 도금조(10)의 외주벽부(10b)의 상단을 넘은 도금액(Ps)(즉, 도금조(10)로부터 오버플로한 도금액(Ps))을 저류하기 위해 마련된 조이다. 캐소드용 공급구(17)로부터 캐소드실(14)에 공급된 도금액(Ps)은, 오버플로조(20)로 유입된 후에, 오버플로조(20)용의 배출구(도시하지 않음)로부터 배출되어, 캐소드용의 리저버 탱크(도시하지 않음)에 저류된다. 그 후, 도금액(Ps)은, 캐소드용 공급구(17)로부터 캐소드실(14)에 다시 공급된다.
본 실시 형태에 있어서의 캐소드실(14)에는, 다공질의 저항체(18)가 배치되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 저항체(18)는, 돌출부(10c)의 상단부 근방 개소에 마련되어 있다. 저항체(18)는, 복수의 구멍(세공)을 갖는 다공성의 판 부재에 의해 구성되어 있다. 단, 저항체(18)는 본 실시 형태에 필수적인 구성이라는 것은 아니고, 도금 장치(1000)는 저항체(18)를 구비하고 있지 않은 구성으로 할 수도 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 애노드실(13)에는, 애노드 마스크(19)가 배치되어 있다. 이 애노드 마스크(19)의 상세는 후술한다.
기판 홀더(30)는, 캐소드로서의 기판(Wf)을 보유 지지하기 위한 부재이다. 본 실시 형태에 관한 기판 홀더(30)는, 기판(Wf)의 피도금면(Wfa)이 하방을 향하도록 기판(Wf)을 보유 지지하고 있다. 기판 홀더(30)는, 회전 기구(40)에 접속되어 있다. 회전 기구(40)는, 기판 홀더(30)를 회전시키기 위한 기구이다. 회전 기구(40)로서는, 회전 모터 등의 공지의 기구를 사용할 수 있다. 회전 기구(40)는, 승강 기구(45)에 접속되어 있다. 승강 기구(45)는, 상하 방향으로 연장되는 지지축(46)에 의해 지지되어 있다. 승강 기구(45)는, 기판 홀더(30) 및 회전 기구(40)를 상하 방향으로 승강시키기 위한 기구이다. 승강 기구(45)로서는, 직동식 액추에이터 등의 공지의 승강 기구를 사용할 수 있다.
도금 처리를 실행할 때에는, 회전 기구(40)가 기판 홀더(30)를 회전시킴과 함께, 승강 기구(45)가 기판 홀더(30)를 하방으로 이동시켜, 기판(Wf)을 도금조(10)의 도금액(Ps)에 침지시킨다. 이어서, 통전 장치에 의해, 애노드(11)와 기판(Wf) 사이에 전기가 흐른다. 이에 의해, 기판(Wf)의 피도금면(Wfa)에, 도금 피막이 형성된다.
도금 모듈(400)의 동작은, 제어 모듈(800)에 의해 제어된다. 제어 모듈(800)은 마이크로컴퓨터를 구비하고 있고, 이 마이크로컴퓨터는 프로세서로서의 CPU(Central Processing Unit)(801)나, 비일시적인 기억 매체로서의 기억부(802) 등을 구비하고 있다. 제어 모듈(800)에 있어서는, 기억부(802)에 기억된 프로그램의 지령에 기초하여 CPU(801)가 도금 모듈(400)의 피제어부의 동작을 제어한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 하나의 제어 모듈(800)이, 도금 모듈(400)의 피제어부를 통합적으로 제어하는 제어 장치로서 기능하고 있지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제어 모듈(800)은 복수의 제어 장치를 구비하고, 이 복수의 제어 장치가 각각, 도금 모듈(400)의 각각의 피제어부를 개별로 제어해도 된다.
계속해서, 가스 저류부(60) 및 배출 기구(70)에 대해 설명한다. 도 5의 (A) 및 도 5의 (B)는 가스 저류부(60) 및 배출 기구(70)를 설명하기 위한 모식적 단면도이다. 구체적으로는, 도 5의 (A)는 도 3의 도금조(10)에 있어서의 배출 기구(70)의 주변 구성을 모식적으로 단면 도시하고 있고, 도 5의 (B)는 도 3의 도금조(10)에 있어서의 레벨 센서(75)의 주변 구성을 모식적으로 단면 도시하고 있다.
여기서, 도금 장치(1000)에 의한 기판(Wf)의 도금 처리 시에는, 이하의 반응식에 기초하여 프로세스 가스(Ga)로서의 산소(O2)가 애노드실(13)에 발생한다.
2H2O→O2+4H++4e-
이러한 프로세스 가스(Ga)가 격막(12)의 하면(12a)에 체류한 경우, 이 프로세스 가스(Ga)가 전기장을 차단할 우려가 있다. 이 경우, 기판(Wf)의 도금 품질이 악화될 우려가 있다. 그래서 본 실시 형태에 관한 도금 모듈(400)은, 격막(12)의 하면(12a)에 프로세스 가스(Ga)가 체류하는 것을 억제하여, 이 프로세스 가스(Ga)에 기인하여 기판(Wf)의 도금 품질이 악화되는 것을 억제하기 위해, 이하에 설명하는 가스 저류부(60) 및 배출 기구(70)를 구비하고 있다.
가스 저류부(60)는, 애노드실(13)에 마련되어 있다. 가스 저류부(60)는, 애노드(11)로부터 발생한 프로세스 가스(Ga)를 저류하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 가스 저류부(60)는, 원통 형상의 애노드(11)와의 사이에 공간을 가지면서, 애노드(11)의 상단(11c), 외주면(11a) 및 내주면(11b)(부호는 도 4를 참조)을 덮도록 애노드실(13)에 마련되어 있다.
보다 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 가스 저류부(60)는, 상벽부(60a)와, 측벽부(60b)를 갖고 있다. 상벽부(60a)는 도금조(10)의 외주벽부(10b)에 접속됨과 함께, 애노드(11)의 상단(11c)보다도 상방에 배치된 부위이다. 측벽부(60b)는, 그 상단부가 상벽부(60a)에 접속됨과 함께, 상벽부(60a)로부터 하방으로 연장되도록 구성된 부위이다. 또한, 본 실시 형태에 관한 상벽부(60a)는, 링 형상(또는 플랜지 형상)을 갖고 있고, 측벽부(60b)는 원통 형상을 갖고 있다. 도금조(10)의 외주벽부(10b)와 가스 저류부(60)의 상벽부(60a)와 측벽부(60b)에 의해 구획된 영역에, 애노드(11)로부터 발생한 프로세스 가스(Ga)가 저류된다.
도 5의 (A)를 참조하여, 배출 기구(70)는, 가스 저류부(60)에 저류된 프로세스 가스(Ga)를 도금조(10)의 외부로 배출하도록 구성된 기구이다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 배출 기구(70)는, 배출관(71)과, 이 배출관(71)에 배치된 개폐 밸브(72)를 구비하고 있다. 배출관(71)은 가스 저류부(60)와 도금조(10)의 외부를 연통하고 있다. 개폐 밸브(72)의 개폐 동작은 제어 모듈(800)에 의해 제어되고 있다. 개폐 밸브(72)는, 통상은 폐 밸브 상태로 되어 있다. 개폐 밸브(72)가 개 밸브 상태로 됨으로써, 가스 저류부(60)의 프로세스 가스(Ga)는 배출관(71)을 통과하여, 도금조(10)의 외부(구체적으로는, 대기 중)로 배출된다.
도 5의 (B)를 참조하여, 레벨 센서(75)는, 가스 저류부(60)에 있어서의 도금액(Ps)의 액면의 위치(높이)를 검출하기 위한 센서이다. 레벨 센서(75)는, 그 검출 결과를 제어 모듈(800)에 전달한다. 가스 저류부(60)에 프로세스 가스(Ga)가 존재하지 않는 경우, 가스 저류부(60)는 도금액(Ps)으로 채워져 있다. 가스 저류부(60)에 프로세스 가스(Ga)가 저류되면, 가스 저류부(60)에 있어서의 도금액(Ps)의 액면은 저하된다. 이와 같이, 가스 저류부(60)에 있어서의 도금액(Ps)의 액면은, 가스 저류부(60)에 저류된 프로세스 가스(Ga)의 양과 상관 관계를 갖고 있다. 그래서 본 실시 형태에 관한 제어 모듈(800)은, 이 레벨 센서(75)의 검출 결과에 기초하여 배출 기구(70)를 제어한다. 이 제어 모듈(800)에 의한 배출 기구(70)의 제어에 대해 흐름도를 사용하여 설명하면 다음과 같이 된다.
도 6은 본 실시 형태에 관한 제어 모듈(800)에 의한 배출 기구(70)의 제어의 흐름도의 일례이다. 스텝 S10에 있어서, 제어 모듈(800)은, 가스 저류부(60)의 프로세스 가스(Ga)를 배출시키는 것을 개시시키는 조건인 「배출 개시 조건」이 충족되었는지 여부를 판정한다.
구체적으로는, 이 스텝 S10에 있어서, 제어 모듈(800)은 레벨 센서(75)의 검출 결과에 기초하여, 가스 저류부(60)의 도금액(Ps)의 액면이 소정의 기준 위치보다 하방의 위치가 되었는지 여부를 판정한다. 제어 모듈(800)은, 도금액(Ps)의 액면이 기준 위치보다 하방의 위치가 되었다고 판정한 경우에, 배출 개시 조건이 충족되었다("예")고 판정한다.
스텝 S10에서 "예"라고 판정된 경우, 제어 모듈(800)은, 개폐 밸브(72)를 개 밸브시킨다(스텝 S11). 이에 의해, 가스 저류부(60)의 프로세스 가스(Ga)는, 도금조(10)의 외부로 배출된다.
또한, 제어 모듈(800)은, 한 번 개폐 밸브(72)를 개 밸브시킨 후에, 레벨 센서(75)의 검출 결과에 기초하여 가스 저류부(60)의 도금액(Ps)의 액면이 기준 위치 또는 이 기준 위치보다 상방의 위치가 되었다고 판정한 경우에는, 개폐 밸브(72)를 폐 밸브 상태로 복귀시키면 된다. 혹은, 제어 모듈(800)은, 개폐 밸브(72)를 개 밸브시키고 나서 미리 설정된 소정 시간이 경과한 후에, 개폐 밸브(72)를 폐 밸브 상태로 복귀시켜도 된다(즉, 이 경우, 개폐 밸브(72)는 소정 시간 동안 개 밸브 상태가 됨).
이상과 같은 본 실시 형태에 따르면, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상의 애노드(11)로부터 발생한 프로세스 가스(Ga)를 가스 저류부(60)에 저류시켜, 이 가스 저류부(60)에 저류된 프로세스 가스(Ga)를 배출 기구(70)에 의해 도금조(10)의 외부로 배출시킬 수 있다. 이에 의해, 애노드실(13)의 격막(12)의 하면(12a)에 프로세스 가스(Ga)가 체류하는 것을 억제할 수 있다. 이 결과, 이 프로세스 가스(Ga)에 기인하여 기판(Wf)의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있다.
계속해서, 애노드 마스크(19)에 대해 설명한다. 도 7의 (A)는 격막(12) 및 애노드 마스크(19)의 모식적 단면도이다. 도 7의 (B)는 애노드 마스크(19)의 모식적인 사시도이다. 도 3, 도 7의 (A) 및 도 7의 (B)를 참조하여, 애노드 마스크(19)는 애노드실(13)에 배치되어 있다. 본 실시 형태에 관한 애노드 마스크(19)는 링 형상을 갖고 있다. 애노드 마스크(19)는, 애노드(11)와 기판(Wf) 사이를 흐르는 전기가 통과하는 개구부(19b)를 갖고 있다. 본 실시 형태에 있어서, 개구부(19b)의 지름(직경)은 애노드(11)의 내경보다 작다. 또한, 본 실시 형태에 관한 애노드 마스크(19)는, 도 7의 (A)에 도시하는 바와 같이, 애노드 마스크(19)의 상면(19a)이 격막(12)의 하면(12a)에 접하도록 배치되어 있다.
계속해서, 애노드 이동 기구(80)에 대해 설명한다. 도 8은 도금 모듈(400)에 있어서의 애노드 이동 기구(80)의 주변 구성을 모식적으로 도시하는 단면도이다. 애노드 이동 기구(80)는 애노드(11)를 상하 방향으로 이동시키기 위한 기구이다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 애노드 이동 기구(80)는 버스 바(50)를 통해 애노드(11)와 접속되어 있다.
즉, 본 실시 형태에 관한 버스 바(50)는, 애노드 이동 기구(80)와 애노드(11)를 접속하는 「제1 접속 부재(90)」의 일례이다. 본 실시 형태에 관한 애노드 이동 기구(80)는, 이 제1 접속 부재(90)로서의 버스 바(50)를 상하 방향으로 이동시킴으로써 애노드(11)를 상하 방향으로 이동시키고 있다.
또한, 본 실시 형태에 관한 버스 바(50)는, 상하 방향으로 연장되는 막대 형상부(50b)와, 막대 형상부(50b)의 상단에 접속함과 함께 수평 방향으로 연장되는 평판부(50a)를 구비하고 있다. 평판부(50a)의 외주연은 애노드(11)의 하단에 접속되어 있다. 평판부(50a) 및 막대 형상부(50b)는 도전성의 소재에 의해 구성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 버스 바(50)는, 평판부(50a) 및 막대 형상부(50b)를 피복하는 피복재(50c)도 구비하고 있다. 피복재(50c)의 구체적인 재질은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에서는 일례로서, 폴리테트라플루오로에틸렌이나, 폴리에테르에테르케톤 등의 수지를 사용하고 있다.
애노드 이동 기구(80)로서는, 애노드(11)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있는 것이면 되고, 그 구체적인 구성은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에 관한 애노드 이동 기구(80)는, 일례로서 피스톤·실린더 기구에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 애노드 이동 기구(80)는, 실린더(81)와, 실린더(81)에 대해 미끄럼 이동하면서 실린더(81)에 출입하는 피스톤(82)과, 피스톤(82)을 구동하는 액추에이터(83)를 구비하고 있다. 액추에이터(83)의 동작은 제어 모듈(800)이 제어하고 있다. 또한, 애노드 이동 기구(80)는, 피스톤(82)이 상하 방향으로 변위하도록 배치되어 있다.
피스톤(82)의 상단에는, 버스 바(50)의 막대 형상부(50b)(구체적으로는, 막대 형상부(50b)의 주위를 덮는 피복재(50c))가 접속되어 있다. 제어 모듈(800)의 지시를 받아 액추에이터(83)가 피스톤(82)을 상방으로 변위시킴으로써, 버스 바(50)가 상방으로 이동하고, 이에 의해 애노드(11)도 상방으로 이동한다. 한편, 제어 모듈(800)의 지시를 받아 액추에이터(83)가 피스톤(82)을 하방으로 변위시킴으로써, 버스 바(50)가 하방으로 이동하고, 이에 의해 애노드(11)도 하방으로 이동한다.
또한, 도금조(10)의 저벽부(10a)에는, 버스 바(50)의 막대 형상부(50b)가 통과하기 위한 관통 구멍이 마련되어 있고, 이 관통 구멍의 내주면에는, 시일 부재(57)가 마련되어 있다. 이 시일 부재(57)에 의해, 애노드실(13)의 도금액(Ps)이 이 관통 구멍으로부터 외부로 누설되는 것이 효과적으로 억제되어 있다.
도 9의 (A) 및 도 9의 (B)는 애노드(11)의 상하 방향의 위치가 변화된 경우에 있어서의 전기장의 형성 양태의 변화를 도시하는 모식적 단면도이다. 구체적으로는, 도 9의 (A)는 도금 처리 시에 있어서 애노드(11)가 도 9의 (B)와 비교하여 상방에 위치한 상태를 모식적으로 단면 도시하고, 도 9의 (B)는 도금 처리 시에 있어서 애노드(11)가 도 9의 (A)와 비교하여 하방에 위치한 상태를 모식적으로 단면 도시하고 있다. 도 9의 (A) 및 도 9의 (B)에 도시되어 있는 「Ef」는, 전기력선을 나타내고 있다.
도 9의 (A) 및 도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 애노드 이동 기구(80)가 애노드(11)를 상방 및 하방으로 이동시킴으로써, 기판(Wf)과 애노드(11)의 거리를 변경할 수 있다. 이에 의해, 도금 처리 시에 기판(Wf)과 애노드(11) 사이에 형성되는 전기장의 형성 양태를 변화시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 애노드 이동 기구(80)에 의해 애노드(11)를 상하 방향으로 이동시킨다는 간소한 기구로, 전기장의 형성 양태를 변화시킬 수 있으므로, 예를 들어 도금 장치(1000)가 개구부(19b)의 크기를 변경하는 개구부 가변 기구를 구비하는 경우와 비교하여 도금 장치(1000)의 구조가 복잡화되는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 도금 장치(1000)의 비용의 저감을 도모할 수 있다.
또한, 본 실시 형태의 경우, 애노드(11)가 하방으로 이동할수록 애노드 마스크(19)의 개구부(19b)를 통과하는 전기력선(Ef)의 밀도가 높아진다. 이 때문에, 애노드 마스크(19)의 개구부(19b)를 통과하는 전기력선(Ef)의 밀도를 높게 하고자 하는 경우에는 애노드(11)를 하방으로 이동시키고, 반대로 개구부(19b)를 통과하는 전기력선(Ef)의 밀도를 낮게 하고자 하는 경우에는 애노드(11)를 상방으로 이동시키면 된다.
또한, 본 실시 형태에 관한 도금 처리 방법은, 상술한 도금 장치(1000)에 의해 실현되어 있다. 따라서, 중복된 설명을 생략하기 위해, 이 도금 처리 방법의 상세한 설명은 생략한다.
(변형예 1)
상술한 실시 형태에 있어서, 애노드 마스크(19)는, 그 상면(19a)이 격막(12)의 하면(12a)에 접하도록 배치되어 있지만(도 7의 (A)), 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 애노드 마스크(19)는 이하의 위치에 배치되어 있어도 된다.
도 10의 (A)는 실시 형태의 변형예 1에 관한 도금 장치(1000A)의 도금 모듈(400A)에 있어서의 애노드 마스크(19)의 주변 구성을 도시하는 모식적 단면도이다. 본 변형예에 관한 애노드 마스크(19)는, 애노드 마스크(19)의 상면(19a)이 격막(12)의 하면(12a)에 접하고 있지 않고, 애노드 마스크(19)의 상면(19a)과 격막(12)의 하면(12a) 사이에 공간이 형성되는 위치에 배치되어 있다. 본 변형예에 있어서도, 전술한 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다.
(변형예 2)
도 10의 (B)는 실시 형태의 변형예 2에 관한 도금 장치(1000B)의 도금 모듈(400B)에 있어서의 애노드 마스크(19)의 주변 구성을 도시하는 모식적 단면도이다. 본 변형예에 관한 도금 모듈(400B)는, 주로, 제2 접속 부재(91)를 더 구비하고 있는 점에서, 전술한 도금 모듈(400)이나 도금 모듈(400A)과 다르다.
제2 접속 부재(91)는, 애노드 마스크(19)와 제1 접속 부재(90)(본 변형예에서는 버스 바(50))를 접속하기 위한 부재이다. 이에 의해, 본 변형예에 관한 애노드 마스크(19)는, 애노드(11)를 상하 방향으로 이동시키기 위해 애노드 이동 기구(80)가 제1 접속 부재(90)를 상하 방향으로 이동시킨 경우에, 애노드(11)와 함께 상하 방향으로 이동할 수 있다.
제2 접속 부재(91)의 구체예는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 변형예에 있어서는 제2 접속 부재(91)의 일례로서, 제2 저항체(18B)를 사용하고 있다. 구체적으로는, 이 제2 저항체(18B)는, 저항체(18)와 마찬가지로 다공질의 부재에 의해 구성되어 있다. 또한, 제2 저항체(18B)는, 애노드실(13)에 있어서의 애노드(11)보다 직경 방향(애노드(11)의 직경 방향)으로 내측의 영역에 배치되어 있다. 또한, 제2 저항체(18B)는 원통 형상을 갖고 있다. 그리고 제2 저항체(18B)의 상단은 애노드 마스크(19)에 접속되고, 제2 저항체(18B)의 하단은 버스 바(50)의 평판부(50a)의 표면을 덮는 피복재(50c)에 접속되어 있다.
본 변형예에 있어서도, 전술한 실시 형태와 마찬가지의 작용 효과를 발휘할 수 있다. 또한, 본 변형예에 의하면, 애노드 마스크(19)를 애노드(11)와 함께 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태나 변형예에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시 형태나 변형예에 한정되는 것은 아니고, 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 더한층의 다양한 변형·변경이 가능하다.
10: 도금조
11: 애노드
11a: 외주면
11b: 내주면
11c: 상단
12: 격막
12a: 하면
13: 애노드실
19: 애노드 마스크
19a: 상면
19b: 개구부
30: 기판 홀더
60: 가스 저류부
70: 배출 기구
80: 애노드 이동 기구
90: 제1 접속 부재
91: 제2 접속 부재
400: 도금 모듈
1000: 도금 장치
Wf: 기판
Wfa: 피도금면
Ps: 도금액
Ef: 전기력선
Ga: 프로세스 가스

Claims (11)

  1. 격막이 배치됨과 함께, 상기 격막보다 하방측으로 구획된 애노드실에 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드실보다 상방에 배치되어, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더를 구비하는 도금 장치이며,
    상기 애노드는, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖고,
    상기 도금 장치는,
    상기 애노드와의 사이에 공간을 가지면서, 상기 애노드의 상단, 외주면, 및 내주면을 덮도록 상기 애노드실에 마련되어, 상기 애노드로부터 발생한 프로세스 가스를 저류하는 가스 저류부와,
    상기 가스 저류부에 저류된 프로세스 가스를 상기 도금조의 외부로 배출시키는 배출 기구와,
    상기 애노드실에 배치되어, 상기 애노드와 상기 기판 사이를 흐르는 전기가 통과하는 개구부를 갖는 애노드 마스크와,
    상기 애노드를 상하 방향으로 이동시켜서, 상기 애노드 마스크의 상기 개구부를 통과하는 전기력선의 밀도를 변화시키는, 애노드 이동 기구를 더 구비하는, 도금 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 마스크의 상면이 상기 격막의 하면에 접하도록 배치되어 있는, 도금 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 마스크의 상면과 상기 격막의 하면 사이에 공간이 형성되도록 배치되어 있는, 도금 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 애노드 이동 기구는, 제1 접속 부재를 통해 상기 애노드와 접속되어 있고, 상기 제1 접속 부재를 상하 방향으로 이동시킴으로써 상기 애노드를 상하 방향으로 이동시키고,
    상기 애노드 마스크는, 제2 접속 부재를 통해 상기 제1 접속 부재에 접속되어 있고, 상기 애노드 이동 기구가 상기 제1 접속 부재를 이동시킨 경우에 상기 애노드와 함께 이동하도록 구성되어 있는, 도금 장치.
  5. 격막이 배치됨과 함께, 상기 격막보다 하방측으로 구획된 애노드실에 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드실보다 상방에 배치되어, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더를 구비하는 도금 장치이며,
    상기 애노드는, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖고,
    상기 도금 장치는,
    상기 애노드와의 사이에 공간을 가지면서, 상기 애노드의 상단, 외주면, 및 내주면을 덮도록 상기 애노드실에 마련되어, 상기 애노드로부터 발생한 프로세스 가스를 저류하는 가스 저류부와,
    상기 가스 저류부에 저류된 프로세스 가스를 상기 도금조의 외부로 배출시키는 배출 기구를 더 구비하고,
    상기 배출 기구는, 상기 가스 저류부의 도금액의 액면의 위치를 검출하기 위한 레벨 센서와, 상기 가스 저류부에 접속된 배출관과, 상기 배출관에 배치된 개폐 밸브와, 상기 레벨 센서의 검출 결과에 기초하여 상기 개폐 밸브를 제어하는 제어 모듈을 구비하는, 도금 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제어 모듈은, 상기 레벨 센서의 검출 결과에 기초하여 상기 가스 저류부의 도금액의 액면이 소정의 기준 위치보다 하방의 위치가 되었다고 판정한 경우에 상기 개폐 밸브를 개방하고, 상기 레벨 센서의 검출 결과에 기초하여 상기 가스 저류부의 도금액의 액면이 상기 기준 위치가 되었다고 판정한 경우 또는 상기 기준 위치보다 상방의 위치가 되었다고 판정한 경우에 상기 개폐 밸브를 폐쇄하도록 구성되는, 도금 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제어 모듈은, 상기 레벨 센서의 검출 결과에 기초하여 상기 가스 저류부의 도금액의 액면이 소정의 기준 위치보다 하방의 위치가 되었다고 판정한 경우에 상기 개폐 밸브를 개방하고, 상기 개폐 밸브를 개 밸브시키고 나서 미리 설정된 소정 시간이 경과한 후에, 상기 개폐 밸브를 폐쇄하도록 구성되는, 도금 장치.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 애노드실에 배치되어, 상기 애노드와 상기 기판 사이를 흐르는 전기가 통과하는 개구부를 갖는 애노드 마스크를 더 구비하는, 도금 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 마스크의 상면이 상기 격막의 하면에 접하도록 배치되어 있는, 도금 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 애노드 마스크는, 상기 애노드 마스크의 상면과 상기 격막의 하면 사이에 공간이 형성되도록 배치되어 있는, 도금 장치.
  11. 격막이 배치됨과 함께, 상기 격막보다 하방측으로 구획된 애노드실에 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드실보다 상방에 배치되어, 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더를 구비하는 도금 장치를 사용한 도금 처리 방법이며,
    상기 애노드는, 상하 방향으로 연장되는 원통 형상을 갖고,
    상기 도금 장치는, 상기 애노드와의 사이에 공간을 가지면서, 상기 애노드의 상단, 외주면, 및 내주면을 덮도록 상기 애노드실에 마련되어, 상기 애노드로부터 발생한 프로세스 가스를 저류하는 가스 저류부와, 상기 가스 저류부에 저류된 프로세스 가스를 상기 도금조의 외부로 배출시키는 배출 기구와, 상기 애노드실에 배치되어, 상기 애노드와 상기 기판 사이를 흐르는 전기가 통과하는 개구부를 갖는 애노드 마스크와, 상기 애노드를 상하 방향으로 이동시켜서, 상기 애노드 마스크의 상기 개구부를 통과하는 전기력선의 밀도를 변화시키는, 애노드 이동 기구를 더 구비하고,
    상기 도금 처리 방법은, 상기 기판에 도금 처리를 실시하는 도금 처리 시에, 상기 가스 저류부에 저류된 프로세스 가스를 상기 배출 기구에 의해 상기 도금조의 외부로 배출시키는 것을 포함하는, 도금 처리 방법.
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