JP6936422B1 - めっき装置及び基板の膜厚測定方法 - Google Patents

Abstract

めっき処理時に基板の膜厚を測定することができる技術を提供する。めっき装置１０００は、めっき槽１０と、基板ホルダ２０と、回転機構３０と、基板ホルダに配置されるとともに基板ホルダの周方向に複数配置され、基板の下面の外周縁に接触して、めっき処理時に基板に電気を給電するコンタクト部材５０と、めっき処理時に基板ホルダとともに回転するコンタクト部材に流れる電流によって生じる磁界による電磁誘導によって、電流が発生するように構成されたコイル６０と、コイルに発生した電流を検出する電流センサ６５と、めっき処理時に電流センサが検出した電流に基づいて基板の膜厚を測定する膜厚測定装置７０と、を備える。

Description

本発明は、めっき装置及び基板の膜厚測定方法に関する。

従来、基板にめっき処理を施すことが可能なめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、めっき液を貯留するとともにアノードが内部に配置されためっき槽と、アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、基板にめっき処理を施すめっき処理時に基板ホルダを回転させる回転機構と、を備えている。

特開２００８−１９４９６号公報

上述したような従来のめっき装置は、めっき処理時に、基板の膜厚を測定することができるような構造になっていなかった。

本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、めっき処理時に基板の膜厚を測定することができる技術を提供することを目的の一つとする。

（態様１）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するとともにアノードが内部に配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記基板にめっき処理を施すめっき処理時に前記基板ホルダを回転させる回転機構と、前記基板ホルダに配置されるとともに前記基板ホルダの周方向に複数配置され、前記基板の下面の外周縁に接触して、前記めっき処理時に前記基板に電気を給電するコンタクト部材と、前記めっき処理時に前記基板ホルダとともに回転する前記コンタクト部材に流れる電流によって生じる磁界による電磁誘導によって、電流が発生するように構成されたコイルと、前記コイルに発生した電流を検出する電流センサと、前記めっき処理時に、前記電流センサが検出した電流に基づいて、前記基板の膜厚を測定する膜厚測定装置と、を備える。

この態様によれば、めっき処理時に基板の膜厚を測定することができる。

（態様２）
上記の態様１において、前記コイルは、前記基板ホルダの径方向で前記基板ホルダよりも外側に、前記基板ホルダとの間に空間を有するように配置されていてもよい。

（態様３）
上記の態様１又は態様２において、複数の前記コンタクト部材は、前記基板ホルダの周方向に均等に配置されており、前記電流センサは、前記めっき処理時に前記基板ホルダとともに回転する前記コンタクト部材のうち、前記コイルに最も近づいた前記コンタクト部材の前記磁界による電磁誘導によって前記コイルに発生した電流を検出するように構成されていてもよい。

この態様によれば、基板の周方向における膜厚の分布を測定することができる。

（態様４）
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係る基板の膜厚測定方法は、めっき液を貯留するとともにアノードが内部に配置されためっき槽と、前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、前記基板にめっき処理を施すめっき処理時に前記基板ホルダを回転させる回転機構と、前記基板ホルダに配置されるとともに前記基板ホルダの周方向に複数配置され、前記基板の下面の外周縁に接触して、前記めっき処理時に前記基板に電気を給電するコンタクト部材と、前記めっき処理時に前記基板ホルダとともに回転する前記コンタクト部材に流れる電流によって生じる磁界による電磁誘導によって、電流が発生するように構成されたコイルと、を備えるめっき装置を用いた前記基板の膜厚測定方法であって、前記めっき処理時に、前記コイルに発生した電流を検出し、この検出された電流に基づいて前記基板の膜厚を測定することを含む。

この態様によれば、めっき処理時に基板の膜厚を測定することができる。

実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。 実施形態に係るめっき装置のめっきモジュールの構成を説明するための模式図である。 めっき処理時において基板がめっき液に浸漬された状態を示す模式図である。 図５（Ａ）は、図３のＡ１部分を拡大して示す模式的断面図である。図５（Ｂ）は、コンタクト部材の周辺構成の断面を上方から視認した様子を示す模式的断面図である。 実施形態に係る膜厚測定手法を説明するための模式図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、図面は、物の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ−Ｙ−Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、−Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。

図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備える。

ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。

アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。

プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。

洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。

めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。

搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。

搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。

なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。

続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。

図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００の構成を説明するための模式図である。図４は、めっき処理時において基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された状態を示す模式図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。めっき装置１０００のめっきモジュール４００は、主として、めっき槽１０と、基板ホルダ２０と、回転機構３０と、昇降機構４０と、コンタクト部材５０と、コイル６０と、電流センサ６５と、膜厚測定装置７０とを備えている。なお、図３及び図４において、めっき装置１０００の一部の部材（例えば、めっき槽１０、基板ホルダ２０等）は、その断面が模式的に図示されている。

本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底部１０ａと、この底部１０ａの外周縁から上方に延在する外周部１０ｂとを有しており、この外周部１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周部１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周部１０ｂは、一例として円筒形状を有している。

めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。

なお、めっき槽１０には、めっき槽１０にめっき液Ｐｓを供給するための供給口（図示せず）と、めっき槽１０からめっき液Ｐｓを排出するための排出口（図示せず）が設けられている。排出口から排出されためっき液Ｐｓはリザーバータンク（図示せず）に一時的に貯留された後に、ポンプ（図示せず）によって圧送されて、再び供給口からめっき槽１０に供給される。

めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。アノード１１の具体的な種類は特に限定されるものではなく、溶解アノードや不溶解アノードを用いることができる。本実施形態においては、アノード１１として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。

めっき槽１０の内部におけるアノード１１よりも上方には、多孔質の抵抗体１２が配置されている。具体的には、抵抗体１２は、複数の孔（細孔）を有する多孔質の板部材によって構成されている。抵抗体１２よりも下方側のめっき液Ｐｓは、抵抗体１２を通過して、抵抗体１２よりも上方側に流動することができる。この抵抗体１２は、アノード１１と基板Ｗｆとの間に形成される電場の均一化を図るために設けられている部材である。このように、めっき槽１０に抵抗体１２が配置されていることで、基板Ｗｆに形成されるめっき皮膜（めっき層）の膜厚の均一化を容易に図ることができる。なお、抵抗体１２は本実施形態において必須の構成ではなく、めっき装置１０００は抵抗体１２を備えていない構成とすることもできる。

基板ホルダ２０は、カソードとしての基板Ｗｆを保持することが可能な部材である。具体的には、基板ホルダ２０は、アノード１１よりも上方（本実施形態では、さらに抵抗体１２よりも上方）に配置されている。基板ホルダ２０は、基板Ｗｆの下面Ｗｆａがアノード１１や抵抗体１２に対向するように基板Ｗｆを保持している。なお、基板Ｗｆの下面Ｗｆａは、被めっき面に相当する。

図５（Ａ）は、図３のＡ１部分を拡大して示す模式的断面図である。本実施形態に係る基板ホルダ２０は、第１保持部材２１と第２保持部材２２とを有している。第１保持部材２１は、基板Ｗｆの上面Ｗｆｂを保持している。第２保持部材２２は、シール部材２３を介して、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの外周縁を保持している。基板ホルダ２０は、第１保持部材２１と第２保持部材２２とによって基板Ｗｆを挟持することで、基板Ｗｆを保持している。なお、第１保持部材２１は円板形状を有しており、第２保持部材２２は略リング形状を有している。シール部材２３は、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された場合に、めっき液Ｐｓがコンタクト部材５０に接触することを抑制するためのシール部材である。シール部材２３は、リング形状を有している。

なお、上述した基板ホルダ２０の構成は、一例に過ぎず、基板ホルダ２０は、基板Ｗｆを保持することができるものであれば上述した構成に限定されるものではない。

図３を再び参照して、基板ホルダ２０は、回転機構３０の回転軸３１に接続されている。回転機構３０は、基板ホルダ２０を回転させるための機構である。回転機構３０としては、モータ等の公知の機構を用いることができる。昇降機構４０は、上下方向に延在する支軸４５によって支持されている。昇降機構４０は、基板ホルダ２０及び回転機構３０を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構４０としては、直動式のアクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。回転機構３０及び昇降機構４０は、制御モジュール８００によって制御されている。

基板Ｗｆにめっき処理を施すめっき処理時において、回転機構３０が基板ホルダ２０を回転させるとともに、昇降機構４０が基板ホルダ２０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる（図４参照）。基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された状態で、通電装置（図示せず）によって、アノード１１と基板Ｗｆとの間に電気が流れる。これにより、基板Ｗｆの下面Ｗｆａに、めっき皮膜が形成される。

めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００によって制御される。制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶部８０２、等を備えている。制御モジュール８００は、記憶部８０２に記憶されたプログラムの指令に従ってＣＰＵ８０１が作動することで、めっきモジュール４００の回転機構３０及び昇降機構４０を制御する。

図５（Ｂ）は、コンタクト部材５０の周辺構成の断面（Ｂ１−Ｂ１線断面）を上方から視認した様子を示す模式的断面図である。なお、図５（Ｂ）において、第１保持部材２１の図示は省略されている。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を参照して、コンタクト部材５０は、基板Ｗｆの下面Ｗｆａの外周縁に接触して基板Ｗｆに電気を給電するための部材である。コンタクト部材５０は、基板ホルダ２０（具体的には、本実施形態では第２保持部材２２）に配置されるとともに、基板ホルダ２０の周方向に複数配置されている。

具体的には、本実施形態に係る複数のコンタクト部材５０は、基板ホルダ２０の周方向に、均等に配置されている。なお、複数のコンタクト部材５０の数は特に限定されるものではないが、本実施形態では、一例として、１２個である。複数のコンタクト部材５０は、通電装置（図示せず）と電気的に接続されており、通電装置から供給された電力を基板Ｗｆに供給する。

続いて、コイル６０、電流センサ６５及び膜厚測定装置７０について説明する。図３、図４、図５（Ａ）及び図５（Ｂ）を参照して、本実施形態に係るコイル６０は、基板ホルダ２０の径方向で基板ホルダ２０よりも外側に配置されている。また、本実施形態に係るコイル６０は、基板ホルダ２０との間に空間を有するように（すなわち、基板ホルダ２０に接触しないように）、配置されている。

コイル６０は、コイル６０を保持するための保持部材（図示せず）を介して、めっきモジュール４００に固定されている。基板ホルダ２０が回転した場合であっても、コイル６０は回転しないように構成されている。また、コイル６０は、基板ホルダ２０が昇降した場合に、基板ホルダ２０とともに昇降するように構成されている。具体的には、本実施形態に係るコイル６０は、保持部材（図示せず）を介して昇降機構４０に接続されている。これにより、基板ホルダ２０が昇降した場合に、コイル６０も基板ホルダ２０とともに昇降する。

また、図４に示すように、本実施形態において、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された場合であってもコイル６０がめっき液Ｐｓに浸漬されないように、コイル６０の配置位置が設定されている。但し、この構成に限定されるものではなく、例えば、基板Ｗｆがめっき液Ｐｓに浸漬された場合に、コイル６０もめっき液Ｐｓに浸漬される構成とすることもできる。

また、図５（Ａ）に示すように、本実施形態において、コイル６０は、コイル６０のコイル軸６０ａが上下方向に延在するように配置されている。但し、コイル軸６０ａの延在方向は、これに限定されるものではない。他の例を挙げると、コイル軸６０ａは水平方向に延在していてもよく、あるいは、水平方向に対して０°よりも大きく９０°未満の角度で傾斜した方向に延在していてもよい。

図６は、膜厚測定手法を説明するための模式図である。なお、図６において、第２保持部材２２、コンタクト部材５０及びコイル６０は、図５（Ｂ）と同じ方向から視認した様子が図示されている。

基板Ｗｆにめっき処理を施すめっき処理時に、コンタクト部材５０に流れる電流によって、コンタクト部材５０の周囲には磁界ＭＡが生じる。めっき処理時に、コンタクト部材５０は基板ホルダ２０とともに回転するため、この磁界ＭＡも基板ホルダ２０とともに回転する。この回転する磁界ＭＡによる電磁誘導によって、コイル６０には、電流（具体的には微弱電流）が発生する。すなわち、このコイル６０に発生する電流は、電磁誘導によって生じる誘電電流である。

具体的には、本実施形態に係るコイル６０は、めっき処理時に基板ホルダ２０とともに回転するコンタクト部材５０のうち、コイル６０に最も近づいたコンタクト部材５０の磁界ＭＡによる電磁誘導でコイル６０に電流が発生するように、その配置位置が調整されている。

電流センサ６５は、コイル６０と電気的に接続されており、コイル６０に発生した電流の値を検出する。具体的には、本実施形態に係る電流センサ６５は、基板ホルダ２０とともに回転するコンタクト部材５０のうち、コイル６０に最も近づいたコンタクト部材５０の磁界ＭＡによる電磁誘導によってコイル６０に発生した電流の値を検出するように構成されている。

膜厚測定装置７０は、電流センサ６５と電気的に接続されている。膜厚測定装置７０は、めっき槽１０の外部に配置されており、電流センサ６５の検出した電流に基づいて、基板Ｗｆの下面Ｗｆａに形成されためっき皮膜の膜厚（すなわち、「基板Ｗｆの膜厚」）を測定する。

具体的には、本実施形態に係る膜厚測定装置７０は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ７１や、非一時的な記憶媒体としての記憶部７２、等を備えている。記憶部７２には、プログラムが記憶されている。膜厚測定装置７０は、記憶部７２に記憶されたプログラムの指令に従ってＣＰＵ７１が作動することで、基板Ｗｆの膜厚を測定する。この膜厚測定装置７０による膜厚測定の具体例は、以下のとおりである。

まず、コンタクト部材５０に流れる電流の値が小さいほど（この結果、この電流によって生じる磁界ＭＡが弱いほど）、基板Ｗｆの膜厚は小さくなる傾向がある。このため、基板Ｗｆの膜厚が小さいほど、コイル６０に発生する電流の値も小さくなる。このように、基板Ｗｆの膜厚とコイル６０に発生する電流の値との間には相関関係がある。そこで、本実施形態に係る膜厚測定装置７０は、このような、基板Ｗｆの膜厚とコイル６０に発生する電流の値との相関関係を利用して、基板Ｗｆの膜厚を測定している。

具体的には、本実施形態に係る膜厚測定装置７０の記憶部７２には、コイル６０に発生する電流の値と基板Ｗｆの膜厚との関係を規定したデータマップが予め記憶されている。このデータマップは、コイル６０に発生する電流の値が小さいほど基板Ｗｆの膜厚が小さくなるように、コイル６０に発生する電流の値と基板Ｗｆの膜厚との関係を規定している。そして、膜厚測定装置７０は、電流センサ６５の検出した電流の値（すなわち、コイル６０に発生した電流の値）を取得し、この取得された電流の値に対応する基板Ｗｆの膜厚を記憶部７２のデータマップから抽出し、この抽出された基板Ｗｆの膜厚を、基板Ｗｆの膜厚の測定値として取得する。以上のようにして、膜厚測定装置７０は基板Ｗｆの膜厚を測定している。

また、本実施形態に係る電流センサ６５は、前述したように、コイル６０に最も近づいたコンタクト部材５０の磁界ＭＡによる電磁誘導でコイル６０に発生した電流を検出しているので、本実施形態に係る膜厚測定装置７０は、このコイル６０に最も近づいたコンタクト部材５０の回転位相（θ）に対応する基板Ｗｆの膜厚を測定している。

例えば、図６に示す電流センサ６５は、回転位相（θ）が１８０°の位置にあるコンタクト部材５０の磁界ＭＡによる電磁誘導でコイル６０に発生した電流を検出する。そして、膜厚測定装置７０は、この電流センサ６５によって検出された電流に基づいて、回転位相（θ）が１８０°の箇所における基板Ｗｆの膜厚を測定する。これが、複数のコンタクト部材５０がコイル６０に近づく毎に行われる。これにより、膜厚測定装置７０は、基板Ｗｆの周方向における膜厚の分布（換言すると、コンタクト部材５０の回転位相毎の膜厚）を測定することができる。

なお、本実施形態に係る基板Ｗｆの膜厚測定方法は、上述しためっき装置１０００によって実現されている。この膜厚測定方法の説明は、めっき装置１０００の説明と重複するため、省略する。

以上説明したような本実施形態によれば、めっき処理時に、基板Ｗｆの膜厚を測定することができる。また、本実施形態によれば、基板Ｗｆの周方向における膜厚の分布を測定することもできる。

以上、本発明の実施形態について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。

１０ めっき槽
１１ アノード
２０ 基板ホルダ
３０ 回転機構
５０ コンタクト部材
６０ コイル
６５ 電流センサ
７０ 膜厚測定装置
４００ めっきモジュール
１０００ めっき装置
Ｗｆ 基板
Ｗｆａ 下面
Ｐｓ めっき液
ＭＡ 磁界

Claims (4)

1. めっき液を貯留するとともにアノードが内部に配置されためっき槽と、
   前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、
   前記基板にめっき処理を施すめっき処理時に前記基板ホルダを回転させる回転機構と、
   前記基板ホルダに配置されるとともに前記基板ホルダの周方向に複数配置され、前記基板の下面の外周縁に接触して、前記めっき処理時に前記基板に電気を給電するコンタクト部材と、
   前記めっき処理時に前記基板ホルダとともに回転する前記コンタクト部材に流れる電流によって生じる磁界による電磁誘導によって、電流が発生するように構成されたコイルと、
   前記コイルに発生した電流を検出する電流センサと、
   前記めっき処理時に、前記電流センサが検出した電流に基づいて、前記基板の膜厚を測定する膜厚測定装置と、を備える、めっき装置。
2. 前記コイルは、前記基板ホルダの径方向で前記基板ホルダよりも外側に、前記基板ホルダとの間に空間を有するように配置されている、請求項１に記載のめっき装置。
3. 複数の前記コンタクト部材は、前記基板ホルダの周方向に均等に配置されており、
   前記電流センサは、前記めっき処理時に前記基板ホルダとともに回転する前記コンタクト部材のうち、前記コイルに最も近づいた前記コンタクト部材の前記磁界による電磁誘導によって前記コイルに発生した電流を検出するように構成されている、請求項１又は２に記載のめっき装置。
4. めっき液を貯留するとともにアノードが内部に配置されためっき槽と、
   前記アノードよりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、
   前記基板にめっき処理を施すめっき処理時に前記基板ホルダを回転させる回転機構と、
   前記基板ホルダに配置されるとともに前記基板ホルダの周方向に複数配置され、前記基板の下面の外周縁に接触して、前記めっき処理時に前記基板に電気を給電するコンタクト部材と、
   前記めっき処理時に前記基板ホルダとともに回転する前記コンタクト部材に流れる電流によって生じる磁界による電磁誘導によって、電流が発生するように構成されたコイルと、を備えるめっき装置を用いた前記基板の膜厚測定方法であって、
   前記めっき処理時に、前記コイルに発生した電流を検出し、この検出された電流に基づいて前記基板の膜厚を測定することを含む、基板の膜厚測定方法。

Images