WO2022123648A1 - めっき装置及びめっき処理方法 - Google Patents

めっき装置及びめっき処理方法 Download PDF

Info

Publication number
WO2022123648A1
WO2022123648A1 PCT/JP2020/045625 JP2020045625W WO2022123648A1 WO 2022123648 A1 WO2022123648 A1 WO 2022123648A1 JP 2020045625 W JP2020045625 W JP 2020045625W WO 2022123648 A1 WO2022123648 A1 WO 2022123648A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
anode
plating
substrate
diaphragm
process gas
Prior art date
Application number
PCT/JP2020/045625
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
紹華 張
泰之 増田
正也 関
Original Assignee
株式会社荏原製作所
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 株式会社荏原製作所 filed Critical 株式会社荏原製作所
Priority to PCT/JP2020/045625 priority Critical patent/WO2022123648A1/ja
Priority to US17/624,034 priority patent/US20220356595A1/en
Priority to KR1020217039574A priority patent/KR102406835B1/ko
Priority to JP2021512282A priority patent/JP6936420B1/ja
Priority to CN202080039920.8A priority patent/CN114916234B/zh
Publication of WO2022123648A1 publication Critical patent/WO2022123648A1/ja

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02—Tanks; Installations therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/002—Cell separation, e.g. membranes, diaphragms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/008—Current shielding devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C25D17/08—Supporting racks, i.e. not for suspending
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/10—Electrodes, e.g. composition, counter electrode
    • C25D17/12—Shape or form
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/04—Removal of gases or vapours ; Gas or pressure control
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12—Process control or regulation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/02—Electroplating of selected surface areas
    • C25D5/022—Electroplating of selected surface areas using masking means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/04—Electroplating with moving electrodes

Definitions

  • the present invention relates to a plating apparatus and a plating processing method.
  • a so-called cup-type plating device is known as a plating device for plating a substrate (see, for example, Patent Document 1).
  • a diaphragm is arranged, a plating tank in which an anode is arranged in an anode chamber partitioned below the diaphragm, and a substrate as a cathode are arranged above the anode chamber. It is equipped with a board holder that holds the.
  • the anode has a flat plate shape extending in the horizontal direction.
  • Patent Document 2 is mentioned as another prior art document related to the present invention.
  • This Patent Document 2 discloses a technique relating to an anode mask. Specifically, in Patent Document 2, an anode mask having an opening through which electricity flowing between the anode and the substrate passes, and a mechanism for changing the size of the opening (referred to as an opening variable mechanism). And, a plating apparatus having the above is disclosed. According to such a plating apparatus, by changing the size of the opening of the anode mask by the opening variable mechanism, it is possible to change the formation mode of the electric field formed between the anode and the substrate.
  • the process gas generated from the anode during the plating process may stay on the lower surface of the diaphragm. In this case, the plating quality of the substrate may deteriorate due to this process gas.
  • the present invention has been made in view of the above, and an object of the present invention is to provide a technique capable of suppressing deterioration of the plating quality of a substrate due to a process gas staying on the lower surface of a diaphragm. Make it one.
  • the plating apparatus has a plating tank in which a diaphragm is arranged and an anode is arranged in an anode chamber partitioned below the anode chamber, and the anode chamber.
  • a plating apparatus comprising a substrate holder that is disposed above and holds a substrate as a cathode, wherein the anode has a cylindrical shape extending in the vertical direction, and the anode is the anode.
  • a gas storage unit provided in the anode chamber so as to cover the upper end, the outer peripheral surface, and the inner peripheral surface of the anode while having a space between the anode and the anode, and a gas storage unit for storing the process gas generated from the anode. Further provided with a discharge mechanism for discharging the process gas stored in the gas storage unit to the outside of the plating tank.
  • the process gas generated from the cylindrical anode extending in the vertical direction can be stored in the gas storage unit, and the stored process gas can be discharged to the outside of the plating tank by the discharge mechanism. ..
  • the discharge mechanism ..
  • the first aspect further comprises an anode mask arranged in the anode chamber and having an opening through which electricity flowing between the anode and the substrate passes, and an anode moving mechanism for moving the anode in the vertical direction. You may be prepared.
  • the form of the electric field formed between the substrate and the anode can be changed. Further, since the electric field formation mode can be changed by a simple mechanism of moving the anode in the vertical direction, it is compared with the case where the plating apparatus is provided with an opening variable mechanism for changing the size of the opening of the anode mask. Therefore, it is possible to prevent the structure of the plating apparatus from becoming complicated.
  • the anode mask may be arranged so that the upper surface of the anode mask is in contact with the lower surface of the diaphragm.
  • the anode mask may be arranged so that a space is formed between the upper surface of the anode mask and the lower surface of the diaphragm.
  • the anode moving mechanism is connected to the anode via a first connecting member, and by moving the first connecting member in the vertical direction, the anode is moved in the vertical direction.
  • the anode mask is connected to the first connecting member via a second connecting member, and is configured to move together with the anode when the anode moving mechanism moves the first connecting member. It may have been done.
  • the plating treatment method includes a plating tank in which a diaphragm is arranged and an anode is arranged in an anode chamber partitioned below the diaphragm.
  • a plating method using a plating apparatus including a substrate holder that is arranged above the anode chamber and holds a substrate as a cathode, wherein the anode has a cylindrical shape extending in the vertical direction.
  • the plating apparatus is provided in the anode chamber so as to cover the upper end, the outer peripheral surface, and the inner peripheral surface of the anode while having a space between the plating apparatus and the anode, and the process generated from the anode.
  • a gas storage unit for storing gas and a discharge mechanism for discharging the process gas stored in the gas storage unit to the outside of the plating tank are further provided. At the time of processing, the process gas stored in the gas storage unit is discharged to the outside of the plating tank by the discharge mechanism.
  • the process gas generated from the cylindrical anode extending in the vertical direction can be stored in the gas storage unit, and the stored process gas can be discharged to the outside of the plating tank by the discharge mechanism. ..
  • This makes it possible to prevent the process gas from staying on the lower surface of the diaphragm of the anode chamber. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the plating quality of the substrate due to this process gas.
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view of the diaphragm and the anode mask according to the embodiment.
  • FIG. 7B is a schematic perspective view of the anode mask according to the embodiment.
  • FIG. 10A is a schematic cross-sectional view showing the peripheral configuration of the anode mask of the plating apparatus according to the first modification of the embodiment.
  • FIG. 10B is a schematic cross-sectional view showing the peripheral configuration of the anode mask of the plating apparatus according to the second modification of the embodiment.
  • FIG. 1 is a perspective view showing the overall configuration of the plating apparatus 1000 of the present embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view showing the overall configuration of the plating apparatus 1000 of the present embodiment.
  • the plating apparatus 1000 includes a load port 100, a transfer robot 110, an aligner 120, a pre-wet module 200, a pre-soak module 300, a plating module 400, a cleaning module 500, a spin rinse dryer 600, and a transfer. It includes a device 700 and a control module 800.
  • the load port 100 is a module for carrying in a substrate housed in a cassette such as FOUP (not shown in the plating apparatus 1000) or for carrying out the substrate from the plating apparatus 1000 to the cassette.
  • a cassette such as FOUP (not shown in the plating apparatus 1000)
  • four load ports 100 are arranged side by side in the horizontal direction, but the number and arrangement of the load ports 100 are arbitrary.
  • the transport robot 110 is a robot for transporting the substrate, and is configured to transfer the substrate between the load port 100, the aligner 120, and the transport device 700. When the transfer robot 110 and the transfer device 700 transfer the substrate between the transfer robot 110 and the transfer device 700, the transfer robot 110 and the transfer device 700 can transfer the substrate via a temporary stand (not shown).
  • the aligner 120 is a module for aligning the positions of the orientation flat and the notch of the substrate in a predetermined direction.
  • the two aligners 120 are arranged side by side in the horizontal direction, but the number and arrangement of the aligners 120 are arbitrary.
  • the pre-wet module 200 replaces the air inside the pattern formed on the surface of the substrate with the treatment liquid by wetting the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as pure water or degassed water.
  • the pre-wet module 200 is configured to perform a pre-wet treatment that facilitates supply of the plating liquid to the inside of the pattern by replacing the treatment liquid inside the pattern with the plating liquid at the time of plating.
  • the two pre-wet modules 200 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-wet modules 200 are arbitrary.
  • the pre-soak module 300 cleans the surface of the plating base by, for example, etching and removing an oxide film having a large electric resistance existing on the surface of the seed layer formed on the surface to be plated of the substrate before the plating treatment with a treatment liquid such as sulfuric acid or hydrochloric acid. Alternatively, it is configured to be subjected to a pre-soak treatment that activates it.
  • the two pre-soak modules 300 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the pre-soak modules 300 are arbitrary.
  • the plating module 400 applies a plating process to the substrate. In the present embodiment, there are two sets of 12 plating modules 400 arranged three in the vertical direction and four in the horizontal direction, and a total of 24 plating modules 400 are provided. However, the plating module 400 is provided. The number and arrangement of are arbitrary.
  • the cleaning module 500 is configured to perform a cleaning process on the substrate in order to remove the plating solution and the like remaining on the substrate after the plating process.
  • the two cleaning modules 500 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the cleaning modules 500 are arbitrary.
  • the spin rinse dryer 600 is a module for rotating the substrate after the cleaning treatment at high speed to dry it.
  • two spin rinse dryers 600 are arranged side by side in the vertical direction, but the number and arrangement of the spin rinse dryers 600 are arbitrary.
  • the transport device 700 is a device for transporting a substrate between a plurality of modules in the plating device 1000.
  • the control module 800 is configured to control a plurality of modules of the plating apparatus 1000, and can be configured from a general computer or a dedicated computer having an input / output interface with an operator, for example.
  • the substrate housed in the cassette is carried into the load port 100.
  • the transfer robot 110 takes out the board from the cassette of the load port 100 and transfers the board to the aligner 120.
  • the aligner 120 aligns the orientation flat, the notch, and the like of the substrate in a predetermined direction.
  • the transfer robot 110 transfers the substrate oriented by the aligner 120 to the transfer device 700.
  • the transfer device 700 transfers the substrate received from the transfer robot 110 to the pre-wet module 200.
  • the pre-wet module 200 applies a pre-wet treatment to the substrate.
  • the transport device 700 transports the pre-wet-treated substrate to the pre-soak module 300.
  • the pre-soak module 300 applies a pre-soak treatment to the substrate.
  • the transport device 700 transports the pre-soaked substrate to the plating module 400.
  • the plating module 400 applies a plating process to the substrate.
  • the transport device 700 transports the plated substrate to the cleaning module 500.
  • the cleaning module 500 performs a cleaning process on the substrate.
  • the transport device 700 transports the cleaned substrate to the spin rinse dryer 600. In the spin rinse dryer 600, the substrate is dried.
  • the transfer device 700 transfers the dried substrate to the transfer robot 110.
  • the transfer robot 110 transfers the board received from the transfer device 700 to the cassette of the load port 100. Finally, the cassette containing the substrate is carried out from the load port 100.
  • the configuration of the plating apparatus 1000 described with reference to FIGS. 1 and 2 is only an example, and the configuration of the plating apparatus 1000 is not limited to the configuration of FIGS. 1 and 2.
  • plating module 400 Since the plurality of plating modules 400 included in the plating apparatus 1000 according to the present embodiment have the same configuration, one plating module 400 will be described.
  • FIG. 3 is a diagram for explaining the configuration of the plating module 400 of the plating apparatus 1000 according to the present embodiment.
  • the plating device 1000 according to the present embodiment is a cup-type plating device.
  • the plating module 400 of the plating apparatus 1000 according to the present embodiment mainly includes a plating tank 10, an overflow tank 20, a substrate holder 30, a rotation mechanism 40, an elevating mechanism 45, a gas storage unit 60, and a discharge mechanism 70.
  • the level sensor 75 and the anode moving mechanism 80 are provided.
  • the plating tank 10, the overflow tank 20, and the substrate holder 30 are schematically shown in cross section.
  • the plating tank 10 is composed of a bottomed container having an opening at the top. Specifically, the plating tank 10 has a bottom wall portion 10a and an outer peripheral wall portion 10b extending upward from the outer peripheral edge of the bottom wall portion 10a, and the upper portion of the outer peripheral wall portion 10b is open. is doing.
  • the shape of the outer peripheral wall portion 10b of the plating tank 10 is not particularly limited, but the outer peripheral wall portion 10b according to the present embodiment has a cylindrical shape as an example.
  • the plating solution Ps may be any solution containing ions of a metal element constituting the plating film, and specific examples thereof are not particularly limited.
  • the copper plating treatment is used as an example of the plating treatment, and the copper sulfate solution is used as an example of the plating liquid Ps.
  • the plating solution Ps contains a predetermined additive.
  • the configuration is not limited to this, and the plating solution Ps may have a configuration that does not contain additives.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view of the anode 11.
  • the anode 11 according to the present embodiment has a cylindrical shape extending in the vertical direction.
  • a bus bar 50 as a conductive member is connected to the lower end of the anode 11.
  • the bus bar 50 is electrically connected to an energizing device (not shown) via wiring 55.
  • the substrate Wf as a cathode is also electrically connected to this energizing device via wiring (not shown).
  • the specific example of the anode 11 is not particularly limited as long as it generates the process gas Ga described later, but in the present embodiment, an insoluble anode is used as a specific example of the anode 11.
  • the specific type of the insoluble anode is not particularly limited, and platinum, iridium oxide, or the like can be used.
  • the process gas Ga generated from the anode 11 can be easily recovered by the gas storage unit 60 described later.
  • a diaphragm 12 is arranged above the anode 11 inside the plating tank 10. Specifically, the diaphragm 12 is arranged at a position between the anode 11 and the substrate Wf (cathode). The outer peripheral portion of the diaphragm 12 according to the present embodiment is connected to the side wall portion 60b of the gas storage portion 60 described later. Further, the diaphragm 12 according to the present embodiment is arranged so that the plane direction of the diaphragm 12 is the horizontal direction.
  • the inside of the plating tank 10 is divided into two in the vertical direction by the diaphragm 12.
  • the region defined below the diaphragm 12 is referred to as an anode chamber 13.
  • the region above the diaphragm 12 is referred to as the cathode chamber 14.
  • the anode 11 described above is arranged in the anode chamber 13.
  • the diaphragm 12 is composed of a film that allows the passage of metal ions and suppresses the passage of additives contained in the plating solution Ps. That is, in the present embodiment, the plating solution Ps in the cathode chamber 14 contains an additive, but the plating solution Ps in the anode chamber 13 does not contain an additive. However, the configuration is not limited to this, and for example, the plating solution Ps in the anode chamber 13 may also contain an additive. However, even in this case, the concentration of the additive in the anode chamber 13 is lower than the concentration of the additive in the cathode chamber 14.
  • the specific type of the diaphragm 12 is not particularly limited, and a known diaphragm can be used.
  • an electrolytic diaphragm can be used, and as a specific example of the electrolytic diaphragm, for example, an electrolytic diaphragm for plating manufactured by Yuasa Membrane System Co., Ltd. may be used, or an ion exchange membrane may be used. Etc. can be used.
  • the plating apparatus 1000 when the plating apparatus 1000 is provided with the diaphragm 12, it is possible to suppress the decomposition or reaction of the additive components contained in the plating solution Ps due to the reaction on the anode side, whereby the reaction can be suppressed. It is possible to suppress the generation of components that adversely affect plating due to the decomposition or reaction of the components of this additive.
  • the plating tank 10 is provided with an anode supply port 15 for supplying the plating solution Ps to the anode chamber 13. Further, the plating tank 10 is provided with an anode discharge port 16 for discharging the plating solution Ps of the anode chamber 13 from the anode chamber 13. The plating solution Ps discharged from the anode discharge port 16 is then stored in a reservoir tank for the anode (not shown), and then is supplied again from the anode supply port 15 to the anode chamber 13.
  • the plating tank 10 is provided with a cathode supply port 17 for supplying the plating solution Ps to the cathode chamber 14.
  • a protruding portion 10c protruding toward the center of the plating tank 10 is provided in a part of the portion of the outer peripheral wall portion 10b of the plating tank 10 according to the present embodiment corresponding to the cathode chamber 14.
  • a cathode supply port 17 is provided in the protruding portion 10c.
  • the overflow tank 20 is composed of a bottomed container arranged outside the plating tank 10.
  • the overflow tank 20 is a tank provided for storing the plating liquid Ps (that is, the plating liquid Ps overflowing from the plating tank 10) beyond the upper end of the outer peripheral wall portion 10b of the plating tank 10.
  • the plating solution Ps supplied from the cathode supply port 17 to the cathode chamber 14 flows into the overflow tank 20 and then is discharged from the overflow tank 20 discharge port (not shown), and is discharged from the cathode reservoir tank (Fig.). Not shown). After that, the plating solution Ps is supplied again to the cathode chamber 14 from the cathode supply port 17.
  • a porous resistor 18 is arranged in the cathode chamber 14 in the present embodiment. Specifically, the resistor 18 according to the present embodiment is provided near the upper end portion of the protruding portion 10c.
  • the resistor 18 is composed of a porous plate member having a plurality of pores (pores).
  • the resistor 18 is not an essential configuration in this embodiment, and the plating apparatus 1000 may be configured without the resistor 18.
  • the anode mask 19 is arranged in the anode chamber 13. The details of the anode mask 19 will be described later.
  • the substrate holder 30 is a member for holding the substrate Wf as a cathode.
  • the substrate holder 30 according to the present embodiment holds the substrate Wf so that the surface to be plated Wfa of the substrate Wf faces downward.
  • the board holder 30 is connected to the rotation mechanism 40.
  • the rotation mechanism 40 is a mechanism for rotating the substrate holder 30.
  • As the rotation mechanism 40 a known mechanism such as a rotation motor can be used.
  • the rotation mechanism 40 is connected to the elevating mechanism 45.
  • the elevating mechanism 45 is supported by a support shaft 46 extending in the vertical direction.
  • the elevating mechanism 45 is a mechanism for elevating and lowering the substrate holder 30 and the rotation mechanism 40 in the vertical direction.
  • a known elevating mechanism such as a linear acting actuator can be used.
  • the rotation mechanism 40 rotates the substrate holder 30, and the elevating mechanism 45 moves the substrate holder 30 downward to immerse the substrate Wf in the plating solution Ps of the plating tank 10.
  • the operation of the plating module 400 is controlled by the control module 800.
  • the control module 800 includes a microcomputer, which includes a CPU (Central Processing Unit) 801 as a processor, a storage unit 802 as a non-temporary storage medium, and the like.
  • the CPU 801 controls the operation of the controlled unit of the plating module 400 based on the command of the program stored in the storage unit 802.
  • one control module 800 functions as a control device that integrally controls the controlled unit of the plating module 400, but the configuration is not limited to this.
  • the control module 800 includes a plurality of control devices, and each of the plurality of control devices may individually control each controlled unit of the plating module 400.
  • FIG. 5A and 5 (B) are schematic cross-sectional views for explaining the gas storage unit 60 and the discharge mechanism 70.
  • FIG. 5A schematically shows a cross-sectional view of the peripheral configuration of the discharge mechanism 70 in the plating tank 10 of FIG. 3
  • FIG. 5B is a level in the plating tank 10 of FIG.
  • the peripheral configuration of the sensor 75 is schematically shown in a cross-sectional view.
  • oxygen (O 2 ) as the process gas Ga is generated in the anode chamber 13 based on the following reaction formula. 2H 2 O ⁇ O 2 + 4H + + 4e-
  • the plating module 400 suppresses the retention of the process gas Ga on the lower surface 12a of the diaphragm 12, and suppresses the deterioration of the plating quality of the substrate Wf due to the process gas Ga. Therefore, the gas storage unit 60 and the discharge mechanism 70 described below are provided.
  • the gas storage unit 60 is provided in the anode chamber 13.
  • the gas storage unit 60 is configured to store the process gas Ga generated from the anode 11.
  • the gas storage unit 60 according to the present embodiment has a space between the anode 11 and the cylindrical anode 11, and has an upper end 11c, an outer peripheral surface 11a, and an inner peripheral surface 11b (reference numeral is FIG. 4). Is provided in the anode chamber 13 so as to cover the anode chamber 13.
  • the gas storage unit 60 has an upper wall portion 60a and a side wall portion 60b.
  • the upper wall portion 60a is a portion connected to the outer peripheral wall portion 10b of the plating tank 10 and arranged above the upper end 11c of the anode 11.
  • the side wall portion 60b is a portion configured such that the upper end portion thereof is connected to the upper wall portion 60a and extends downward from the upper wall portion 60a.
  • the upper wall portion 60a according to the present embodiment has a ring shape (or a flange shape), and the side wall portion 60b has a cylindrical shape.
  • the process gas Ga generated from the anode 11 is stored in the region partitioned by the outer peripheral wall portion 10b of the plating tank 10, the upper wall portion 60a of the gas storage portion 60, and the side wall portion 60b.
  • the discharge mechanism 70 is a mechanism configured to discharge the process gas Ga stored in the gas storage unit 60 to the outside of the plating tank 10.
  • the discharge mechanism 70 according to the present embodiment includes a discharge pipe 71 and an on-off valve 72 arranged in the discharge pipe 71.
  • the discharge pipe 71 communicates the gas storage unit 60 with the outside of the plating tank 10.
  • the opening / closing operation of the on-off valve 72 is controlled by the control module 800.
  • the on-off valve 72 is normally closed. When the on-off valve 72 is opened, the process gas Ga of the gas storage unit 60 passes through the discharge pipe 71 and is discharged to the outside of the plating tank 10 (specifically, in the atmosphere).
  • the level sensor 75 is a sensor for detecting the position (height) of the liquid level of the plating liquid Ps in the gas storage unit 60.
  • the level sensor 75 transmits the detection result to the control module 800.
  • the control module 800 controls the discharge mechanism 70 based on the detection result of the level sensor 75. The control of the discharge mechanism 70 by the control module 800 will be described as follows using a flowchart.
  • FIG. 6 is an example of a flowchart for controlling the discharge mechanism 70 by the control module 800 according to the present embodiment.
  • the control module 800 determines whether or not the "discharge start condition", which is a condition for starting the process gas Ga of the gas storage unit 60 to be discharged, is satisfied.
  • step S10 whether or not the liquid level of the plating solution Ps of the gas storage unit 60 is lower than the predetermined reference position in the control module 800 based on the detection result of the level sensor 75. Is determined.
  • the control module 800 determines that the liquid level of the plating solution Ps is at a position lower than the reference position, the control module 800 determines that the discharge start condition is satisfied (YES).
  • step S10 If YES is determined in step S10, the control module 800 opens the on-off valve 72 (step S11). As a result, the process gas Ga of the gas storage unit 60 is discharged to the outside of the plating tank 10.
  • the control module 800 After the on-off valve 72 is opened once, the liquid level of the plating solution Ps of the gas storage unit 60 is at the reference position or above the reference position based on the detection result of the level sensor 75. When it is determined that the position has been reached, the on-off valve 72 may be returned to the closed state. Alternatively, the control module 800 may return the on-off valve 72 to the closed state after a predetermined time has elapsed from the opening of the on-off valve 72 (that is, in this case, the on-off valve 72 may be returned to the closed state. The valve will be open for a specified period of time).
  • the process gas Ga generated from the cylindrical anode 11 extending in the vertical direction is stored in the gas storage unit 60, and the process gas Ga stored in the gas storage unit 60 is stored. Can be discharged to the outside of the plating tank 10 by the discharge mechanism 70. As a result, it is possible to prevent the process gas Ga from staying on the lower surface 12a of the diaphragm 12 of the anode chamber 13. As a result, it is possible to suppress the deterioration of the plating quality of the substrate Wf due to this process gas Ga.
  • FIG. 7A is a schematic cross-sectional view of the diaphragm 12 and the anode mask 19.
  • FIG. 7B is a schematic perspective view of the anode mask 19.
  • the anode mask 19 is arranged in the anode chamber 13.
  • the anode mask 19 according to this embodiment has a ring shape.
  • the anode mask 19 has an opening 19b through which electricity flowing between the anode 11 and the substrate Wf passes.
  • the diameter (diameter) of the opening 19b is smaller than the inner diameter of the anode 11.
  • the anode mask 19 according to the present embodiment is arranged so that the upper surface 19a of the anode mask 19 is in contact with the lower surface 12a of the diaphragm 12.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view schematically showing the peripheral configuration of the anode moving mechanism 80 in the plating module 400.
  • the anode moving mechanism 80 is a mechanism for moving the anode 11 in the vertical direction. Specifically, the anode moving mechanism 80 according to the present embodiment is connected to the anode 11 via the bus bar 50.
  • the bus bar 50 according to the present embodiment is an example of the "first connecting member 90" that connects the anode moving mechanism 80 and the anode 11.
  • the anode moving mechanism 80 according to the present embodiment moves the anode 11 in the vertical direction by moving the bus bar 50 as the first connecting member 90 in the vertical direction.
  • the bus bar 50 includes a rod-shaped portion 50b extending in the vertical direction and a flat plate portion 50a connected to the upper end of the rod-shaped portion 50b and extending in the horizontal direction.
  • the outer peripheral edge of the flat plate portion 50a is connected to the lower end of the anode 11.
  • the flat plate portion 50a and the rod-shaped portion 50b are made of a conductive material.
  • the bus bar 50 according to the present embodiment also includes a covering material 50c that covers the flat plate portion 50a and the rod-shaped portion 50b.
  • the specific material of the covering material 50c is not particularly limited, but in this embodiment, a resin such as polytetrafluoroethylene or polyetheretherketone is used as an example.
  • the anode moving mechanism 80 may be any as long as it can move the anode 11 in the vertical direction, and the specific configuration thereof is not particularly limited.
  • the anode moving mechanism 80 according to the present embodiment is described. As an example, it is configured by a piston / cylinder mechanism.
  • the anode moving mechanism 80 according to the present embodiment includes a cylinder 81, a piston 82 that moves in and out of the cylinder 81 while sliding with respect to the cylinder 81, and an actuator 83 that drives the piston 82. ..
  • the operation of the actuator 83 is controlled by the control module 800.
  • the anode moving mechanism 80 is arranged so that the piston 82 is displaced in the vertical direction.
  • a rod-shaped portion 50b of the bus bar 50 (specifically, a covering material 50c that covers the periphery of the rod-shaped portion 50b) is connected to the upper end of the piston 82.
  • the actuator 83 Upon receiving the instruction of the control module 800, the actuator 83 displaces the piston 82 upward, so that the bus bar 50 moves upward, and thereby the anode 11 also moves upward.
  • the actuator 83 displaces the piston 82 downward in response to the instruction of the control module 800, the bus bar 50 moves downward, whereby the anode 11 also moves downward.
  • the bottom wall portion 10a of the plating tank 10 is provided with a through hole through which the rod-shaped portion 50b of the bus bar 50 passes, and a seal member 57 is provided on the inner peripheral surface of the through hole. ..
  • the sealing member 57 effectively suppresses the leakage of the plating solution Ps in the anode chamber 13 to the outside through the through holes.
  • FIGS. 9 (A) and 9 (B) are schematic cross-sectional views showing a change in the form of an electric field when the vertical position of the anode 11 changes.
  • FIG. 9 (A) schematically shows a cross-sectional view showing a state in which the anode 11 is located above FIG. 9 (B) during the plating process
  • FIG. 9 (B) shows the plating process.
  • a cross-sectional view schematically shows a state in which the anode 11 is located lower than FIG. 9 (A) at times.
  • “Ef” shown in FIGS. 9 (A) and 9 (B) indicates an electric line of force.
  • the anode moving mechanism 80 moves the anode 11 upward and downward, so that the distance between the substrate Wf and the anode 11 can be changed. This makes it possible to change the form of the electric field formed between the substrate Wf and the anode 11 during the plating process.
  • the forming mode of the electric field can be changed by a simple mechanism of moving the anode 11 in the vertical direction by the anode moving mechanism 80. Therefore, for example, the plating apparatus 1000 has a large opening 19b. It is possible to prevent the structure of the plating apparatus 1000 from becoming complicated as compared with the case where the opening variable mechanism for changing the size is provided. As a result, the cost of the plating apparatus 1000 can be reduced.
  • the density of the electric line of force Ef passing through the opening 19b of the anode mask 19 increases as the anode 11 moves downward. Therefore, when it is desired to increase the density of the electric lines of force Ef passing through the opening 19b of the anode mask 19, the anode 11 is moved downward, and conversely, the density of the electric lines of force Ef passing through the opening 19b is increased. If you want to lower it, you can move the anode 11 upward.
  • the plating treatment method according to the present embodiment is realized by the above-mentioned plating apparatus 1000. Therefore, in order to omit duplicate explanations, detailed description of this plating treatment method will be omitted.
  • the anode mask 19 is arranged so that the upper surface 19a thereof is in contact with the lower surface 12a of the diaphragm 12 (FIG. 7A), but the anode mask 19 is not limited to this configuration.
  • the anode mask 19 may be arranged at the following positions.
  • FIG. 10A is a schematic cross-sectional view showing the peripheral configuration of the anode mask 19 in the plating module 400A of the plating apparatus 1000A according to the first modification of the embodiment.
  • the upper surface 19a of the anode mask 19 is not in contact with the lower surface 12a of the diaphragm 12, and a space is formed between the upper surface 19a of the anode mask 19 and the lower surface 12a of the diaphragm 12. It is placed in a suitable position. Also in this modification, the same action and effect as those of the above-described embodiment can be obtained.
  • FIG. 10B is a schematic cross-sectional view showing the peripheral configuration of the anode mask 19 in the plating module 400B of the plating apparatus 1000B according to the second modification of the embodiment.
  • the plating module 400B according to this modification is different from the plating module 400 and the plating module 400A described above in that it mainly further includes a second connecting member 91.
  • the second connecting member 91 is a member for connecting the anode mask 19 and the first connecting member 90 (bus bar 50 in this modification).
  • the anode mask 19 according to the present modification is in the vertical direction together with the anode 11 when the anode moving mechanism 80 moves the first connecting member 90 in the vertical direction in order to move the anode 11 in the vertical direction. You can move.
  • the specific example of the second connecting member 91 is not particularly limited, but in this modification, the second resistor 18B is used as an example of the second connecting member 91.
  • the second resistor 18B is made of a porous member like the resistor 18.
  • the second resistor 18B is arranged in a region inside the anode chamber 13 in the radial direction (diametrical direction of the anode 11) with respect to the anode 11.
  • the second resistor 18B has a cylindrical shape.
  • the upper end of the second resistor 18B is connected to the anode mask 19, and the lower end of the second resistor 18B is connected to the covering material 50c that covers the surface of the flat plate portion 50a of the bus bar 50.
  • the same action and effect as those of the above-described embodiment can be obtained. Further, according to this modification, the anode mask 19 can be moved in the vertical direction together with the anode 11.
  • Plating tank 11 Anode 11a Outer peripheral surface 11b Inner peripheral surface 11c Upper end 12 Diaphragm 12a Lower surface 13 Anode chamber 19 Anode mask 19a Upper surface 19b Opening 30 Board holder 60 Gas storage 70 Discharge mechanism 80 Anode movement mechanism 90 First connection member 91 Second connection member 400 Plating module 1000 Plating equipment Wf Substrate Wfa Anode surface Ps Plating liquid Ef Electric power line Ga Process gas

Abstract

隔膜の下面に滞留したプロセスガスに起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供する。　めっき装置１０００は、アノード室１３にアノード１１が配置されためっき槽１０と、アノード室よりも上方に配置されてカソードとしての基板Ｗｆを保持する基板ホルダ３０と、を備えるめっき装置であって、アノードは上下方向に延在する円筒形状を有し、めっき装置は、アノードとの間に空間を有しつつ、アノードの上端、外周面、及び、内周面を覆うようにアノード室に設けられて、アノードから発生したプロセスガスを貯留するガス貯留部６０と、ガス貯留部に貯留されたプロセスガスをめっき槽の外部に排出させる排出機構７０と、をさらに備える。

Description

めっき装置及びめっき処理方法
　本発明は、めっき装置及びめっき処理方法に関する。
　従来、基板にめっき処理を施すめっき装置として、いわゆるカップ式のめっき装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このようなめっき装置は、隔膜が配置されるとともに、この隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、を備えている。また、このような従来のめっき装置において、アノードは、水平方向に延在する平板形状を有している。
　なお、本発明に関連する他の先行技術文献として、特許文献２が挙げられる。この特許文献２には、アノードマスクに関する技術が開示されている。具体的には、この特許文献２には、アノードと基板との間を流れる電気が通過する開口部を有するアノードマスクと、この開口部の大きさを変更する機構（開口部可変機構と称する）と、を有するめっき装置が開示されている。このようなめっき装置によれば、開口部可変機構によってアノードマスクの開口部の大きさを変更することで、アノードと基板との間に形成される電場の形成態様を変化させることができる。
特開２００８－１９４９６号公報 特開２０１７－１３７５１９号公報
　上述した特許文献１に例示されているような、従来のカップ式のめっき装置において、めっき処理時にアノードから発生したプロセスガスが隔膜の下面に滞留するおそれがある。この場合、このプロセスガスに起因して基板のめっき品質が悪化するおそれがある。
　本発明は、上記のことを鑑みてなされたものであり、隔膜の下面に滞留したプロセスガスに起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる技術を提供することを目的の一つとする。
（態様１）
　上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、を備えるめっき装置であって、前記アノードは、上下方向に延在する円筒形状を有し、前記めっき装置は、前記アノードとの間に空間を有しつつ、前記アノードの上端、外周面、及び、内周面を覆うように前記アノード室に設けられて、前記アノードから発生したプロセスガスを貯留するガス貯留部と、前記ガス貯留部に貯留されたプロセスガスを前記めっき槽の外部に排出させる排出機構と、をさらに備える。
　この態様によれば、上下方向に延在する円筒形状のアノードから発生したプロセスガスをガス貯留部に貯留させて、この貯留されたプロセスガスを排出機構によってめっき槽の外部に排出させることができる。これにより、隔膜の下面にプロセスガスが滞留することを抑制することができるので、このプロセスガスに起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。
（態様２）
　上記態様１は、前記アノード室に配置されて、前記アノードと前記基板との間を流れる電気が通過する開口部を有するアノードマスクと、前記アノードを上下方向に移動させるアノード移動機構と、をさらに備えていてもよい。
　この態様によれば、アノードを上下方向に移動させることで、基板とアノードとの間に形成される電場の形成態様を変化させることができる。また、アノードを上下方向に移動させるという簡素な機構で、電場の形成態様を変化させることができるので、めっき装置がアノードマスクの開口部の大きさを変更する開口部可変機構を備える場合に比較して、めっき装置の構造が複雑化することを抑制することができる。
（態様３）
　上記態様２において、前記アノードマスクは、前記アノードマスクの上面が前記隔膜の下面に接するように配置されていてもよい。
（態様４）
　上記態様２において、前記アノードマスクは、前記アノードマスクの上面と前記隔膜の下面との間に空間が形成されるように配置されていてもよい。
（態様５）
　上記態様２において、前記アノード移動機構は、第１の接続部材を介して前記アノードと接続されており、前記第１の接続部材を上下方向に移動させることで前記アノードを上下方向に移動させ、前記アノードマスクは、第２の接続部材を介して前記第１の接続部材に接続されており、前記アノード移動機構が前記第１の接続部材を移動させた場合に前記アノードと共に移動するように構成されていてもよい。
（態様６）
　また、上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき処理方法は、隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、を備えるめっき装置を用いためっき処理方法であって、前記アノードは、上下方向に延在する円筒形状を有し、前記めっき装置は、前記アノードとの間に空間を有しつつ、前記アノードの上端、外周面、及び、内周面を覆うように前記アノード室に設けられて、前記アノードから発生したプロセスガスを貯留するガス貯留部と、前記ガス貯留部に貯留されたプロセスガスを前記めっき槽の外部に排出させる排出機構と、をさらに備え、前記めっき処理方法は、前記基板にめっき処理を施すめっき処理時に、前記ガス貯留部に貯留されたプロセスガスを前記排出機構によって前記めっき槽の外部に排出させることを含む。
　この態様によれば、上下方向に延在する円筒形状のアノードから発生したプロセスガスをガス貯留部に貯留させて、この貯留されたプロセスガスを排出機構によってめっき槽の外部に排出させることができる。これにより、アノード室の隔膜の下面にプロセスガスが滞留することを抑制することができる。この結果、このプロセスガスに起因して基板のめっき品質が悪化することを抑制することができる。
実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す斜視図である。 実施形態に係るめっき装置の全体構成を示す平面図である。 実施形態に係るめっきモジュールの構成を説明するための図である。 実施形態に係るアノードの模式的な斜視図である。 図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、実施形態に係るガス貯留部及び排出機構を説明するための模式的断面図である。 実施形態に係る排出機構の制御のフローチャートの一例である。 図７（Ａ）は実施形態に係る隔膜及びアノードマスクの模式的断面図である。図７（Ｂ）は実施形態に係るアノードマスクの模式的斜視図である。 実施形態に係るめっきモジュールにおけるアノード移動機構の周辺構成を模式的に示す断面図である。 図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は実施形態に係るアノードの上下方向の位置が変化した場合における電場の形成態様の変化を示す模式的断面図である。 図１０（Ａ）は、実施形態の変形例１に係るめっき装置のアノードマスクの周辺構成を示す模式的断面図である。図１０（Ｂ）は、実施形態の変形例２に係るめっき装置のアノードマスクの周辺構成を示す模式的断面図である。
　以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の実施形態や実施形態の変形例では、同一又は対応する構成について、同一の符号を付して説明を適宜省略する場合がある。また、図面は、実施形態や変形例の特徴の理解を容易にするために模式的に図示されており、各構成要素の寸法比率等は実際のものと同じであるとは限らない。また、いくつかの図面には、参考用として、Ｘ－Ｙ－Ｚの直交座標が図示されている。この直交座標のうち、Ｚ方向は上方に相当し、－Ｚ方向は下方（重力が作用する方向）に相当する。
　図１は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態のめっき装置１０００の全体構成を示す平面図である。図１及び図２に示すように、めっき装置１０００は、ロードポート１００、搬送ロボット１１０、アライナ１２０、プリウェットモジュール２００、プリソークモジュール３００、めっきモジュール４００、洗浄モジュール５００、スピンリンスドライヤ６００、搬送装置７００、及び、制御モジュール８００を備えている。
　ロードポート１００は、めっき装置１０００に図示していないＦＯＵＰなどのカセットに収容された基板を搬入したり、めっき装置１０００からカセットに基板を搬出するためのモジュールである。本実施形態では４台のロードポート１００が水平方向に並べて配置されているが、ロードポート１００の数及び配置は任意である。搬送ロボット１１０は、基板を搬送するためのロボットであり、ロードポート１００、アライナ１２０、及び搬送装置７００の間で基板を受け渡すように構成される。搬送ロボット１１０及び搬送装置７００は、搬送ロボット１１０と搬送装置７００との間で基板を受け渡す際には、仮置き台（図示せず）を介して基板の受け渡しを行うことができる。
　アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるためのモジュールである。本実施形態では２台のアライナ１２０が水平方向に並べて配置されているが、アライナ１２０の数及び配置は任意である。プリウェットモジュール２００は、めっき処理前の基板の被めっき面を純水または脱気水などの処理液で濡らすことで、基板表面に形成されたパターン内部の空気を処理液に置換する。プリウェットモジュール２００は、めっき時にパターン内部の処理液をめっき液に置換することでパターン内部にめっき液を供給しやすくするプリウェット処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリウェットモジュール２００が上下方向に並べて配置されているが、プリウェットモジュール２００の数及び配置は任意である。
　プリソークモジュール３００は、例えばめっき処理前の基板の被めっき面に形成したシード層表面等に存在する電気抵抗の大きい酸化膜を硫酸や塩酸等の処理液でエッチング除去してめっき下地表面を洗浄または活性化するプリソーク処理を施すように構成される。本実施形態では２台のプリソークモジュール３００が上下方向に並べて配置されているが、プリソークモジュール３００の数及び配置は任意である。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。本実施形態では、上下方向に３台かつ水平方向に４台並べて配置された１２台のめっきモジュール４００のセットが２つあり、合計２４台のめっきモジュール４００が設けられているが、めっきモジュール４００の数及び配置は任意である。
　洗浄モジュール５００は、めっき処理後の基板に残るめっき液等を除去するために基板に洗浄処理を施すように構成される。本実施形態では２台の洗浄モジュール５００が上下方向に並べて配置されているが、洗浄モジュール５００の数及び配置は任意である。スピンリンスドライヤ６００は、洗浄処理後の基板を高速回転させて乾燥させるためのモジュールである。本実施形態では２台のスピンリンスドライヤ６００が上下方向に並べて配置されているが、スピンリンスドライヤ６００の数及び配置は任意である。搬送装置７００は、めっき装置１０００内の複数のモジュール間で基板を搬送するための装置である。制御モジュール８００は、めっき装置１０００の複数のモジュールを制御するように構成され、例えばオペレータとの間の入出力インターフェースを備える一般的なコンピュータまたは専用コンピュータから構成することができる。
　めっき装置１０００による一連のめっき処理の一例を説明する。まず、ロードポート１００にカセットに収容された基板が搬入される。続いて、搬送ロボット１１０は、ロードポート１００のカセットから基板を取り出し、アライナ１２０に基板を搬送する。アライナ１２０は、基板のオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせる。搬送ロボット１１０は、アライナ１２０で方向を合わせた基板を搬送装置７００へ受け渡す。
　搬送装置７００は、搬送ロボット１１０から受け取った基板をプリウェットモジュール２００へ搬送する。プリウェットモジュール２００は、基板にプリウェット処理を施す。搬送装置７００は、プリウェット処理が施された基板をプリソークモジュール３００へ搬送する。プリソークモジュール３００は、基板にプリソーク処理を施す。搬送装置７００は、プリソーク処理が施された基板をめっきモジュール４００へ搬送する。めっきモジュール４００は、基板にめっき処理を施す。
　搬送装置７００は、めっき処理が施された基板を洗浄モジュール５００へ搬送する。洗浄モジュール５００は、基板に洗浄処理を施す。搬送装置７００は、洗浄処理が施された基板をスピンリンスドライヤ６００へ搬送する。スピンリンスドライヤ６００は、基板に乾燥処理を施す。搬送装置７００は、乾燥処理が施された基板を搬送ロボット１１０へ受け渡す。搬送ロボット１１０は、搬送装置７００から受け取った基板をロードポート１００のカセットへ搬送する。最後に、ロードポート１００から基板を収容したカセットが搬出される。
　なお、図１や図２で説明しためっき装置１０００の構成は、一例に過ぎず、めっき装置１０００の構成は、図１や図２の構成に限定されるものではない。
　続いて、めっきモジュール４００について説明する。なお、本実施形態に係るめっき装置１０００が有する複数のめっきモジュール４００は同様の構成を有しているので、１つのめっきモジュール４００について説明する。
　図３は、本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００の構成を説明するための図である。本実施形態に係るめっき装置１０００は、カップ式のめっき装置である。本実施形態に係るめっき装置１０００のめっきモジュール４００は、主として、めっき槽１０と、オーバーフロー槽２０と、基板ホルダ３０と、回転機構４０と、昇降機構４５と、ガス貯留部６０と、排出機構７０と、レベルセンサ７５と、アノード移動機構８０と、を備えている。なお、図３において、めっき槽１０、オーバーフロー槽２０及び基板ホルダ３０は、模式的に断面図示されている。
　本実施形態に係るめっき槽１０は、上方に開口を有する有底の容器によって構成されている。具体的には、めっき槽１０は、底壁部１０ａと、この底壁部１０ａの外周縁から上方に延在する外周壁部１０ｂとを有しており、この外周壁部１０ｂの上部が開口している。なお、めっき槽１０の外周壁部１０ｂの形状は特に限定されるものではないが、本実施形態に係る外周壁部１０ｂは、一例として円筒形状を有している。
　めっき槽１０の内部には、めっき液Ｐｓが貯留されている。めっき液Ｐｓとしては、めっき皮膜を構成する金属元素のイオンを含む溶液であればよく、その具体例は特に限定されるものではない。本実施形態においては、めっき処理の一例として、銅めっき処理を用いており、めっき液Ｐｓの一例として、硫酸銅溶液を用いている。また、本実施形態において、めっき液Ｐｓには所定の添加剤が含まれている。但し、この構成に限定されるものではなく、めっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない構成とすることもできる。
　めっき槽１０の内部には、アノード１１が配置されている。図４は、アノード１１の模式的な斜視図である。図３及び図４を参照して、本実施形態に係るアノード１１は、上下方向に延在する円筒形状を有している。図３に示すように、アノード１１の下端には、導電性部材としてのバスバー５０が接続されている。バスバー５０は、配線５５を介して通電装置（図示せず）に電気的に接続されている。なお、カソードとしての基板Ｗｆも、配線（図示せず）を介して、この通電装置に電気的に接続されている。
　アノード１１の具体例は、後述するプロセスガスＧａが発生するものであればよく、特に限定されるものではないが、本実施形態においては、アノード１１の具体例として不溶解アノードを用いている。この不溶解アノードの具体的な種類は特に限定されるものではなく、白金や酸化イリジウム等を用いることができる。
　本実施形態によれば、アノード１１が上下方向に延在する円筒形状を有しているので、アノード１１から発生するプロセスガスＧａを後述するガス貯留部６０によって容易に回収することができる。
　図３に示すように、めっき槽１０の内部において、アノード１１よりも上方には、隔膜１２が配置されている。具体的には、隔膜１２は、アノード１１と基板Ｗｆ（カソード）との間の箇所に配置されている。本実施形態に係る隔膜１２の外周部は、後述するガス貯留部６０の側壁部６０ｂに接続されている。また、本実施形態に係る隔膜１２は、隔膜１２の面方向が水平方向になるように配置されている。
　めっき槽１０の内部は、隔膜１２によって上下方向に２分割されている。隔膜１２よりも下方側に区画された領域をアノード室１３と称する。隔膜１２よりも上方側の領域を、カソード室１４と称する。前述したアノード１１は、アノード室１３に配置されている。
　隔膜１２は、金属イオンの通過を許容しつつ、めっき液Ｐｓに含まれる添加剤の通過を抑制する膜によって構成されている。すなわち、本実施形態において、カソード室１４のめっき液Ｐｓは添加剤を含んでいるが、アノード室１３のめっき液Ｐｓは添加剤を含んでいない。但し、この構成に限定されるものではなく、例えば、アノード室１３のめっき液Ｐｓも添加剤を含んでいてもよい。しかしながら、この場合においても、アノード室１３の添加剤の濃度は、カソード室１４の添加剤の濃度よりも低くなっている。隔膜１２の具体的な種類は、特に限定されるものではなく、公知の隔膜を用いることができる。この隔膜１２の具体例を挙げると、例えば、電解隔膜を用いることができ、この電解隔膜の具体例として、例えば、株式会社ユアサメンブレンシステム製のめっき用電解隔膜を用いたり、あるいは、イオン交換膜等を用いたりすることができる。
　本実施形態のように、めっき装置１０００が隔膜１２を備えることによって、アノード側での反応によってめっき液Ｐｓに含まれる添加剤の成分が分解又は反応することを抑制することができ、これにより、この添加剤の成分の分解又は反応によってめっきに悪影響を及ぼす成分が生成されることを抑制することができる。
　めっき槽１０には、アノード室１３にめっき液Ｐｓを供給するためのアノード用供給口１５が設けられている。また、めっき槽１０には、アノード室１３のめっき液Ｐｓをアノード室１３から排出するためのアノード用排出口１６が設けられている。アノード用排出口１６から排出されためっき液Ｐｓは、その後、アノード用のリザーバータンク（図示せず）に貯留された後に、アノード用供給口１５からアノード室１３に再び供給される。
　めっき槽１０には、カソード室１４にめっき液Ｐｓを供給するためのカソード用供給口１７が設けられている。具体的には、本実施形態に係るめっき槽１０の外周壁部１０ｂのカソード室１４に対応する部分の一部には、めっき槽１０の中心側に突出した突出部１０ｃが設けられており、この突出部１０ｃにカソード用供給口１７が設けられている。
　オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外側に配置された、有底の容器によって構成されている。オーバーフロー槽２０は、めっき槽１０の外周壁部１０ｂの上端を超えためっき液Ｐｓ（すなわち、めっき槽１０からオーバーフローしためっき液Ｐｓ）を貯留するために設けられた槽である。カソード用供給口１７からカソード室１４に供給されためっき液Ｐｓは、オーバーフロー槽２０に流入した後に、オーバーフロー槽２０用の排出口（図示せず）から排出されて、カソード用のリザーバータンク（図示せず）に貯留される。その後、めっき液Ｐｓは、カソード用供給口１７からカソード室１４に再び供給される。
　本実施形態におけるカソード室１４には、多孔質の抵抗体１８が配置されている。具体的には、本実施形態に係る抵抗体１８は、突出部１０ｃの上端部近傍箇所に設けられている。抵抗体１８は、複数の孔（細孔）を有する多孔性の板部材によって構成されている。但し、抵抗体１８は本実施形態に必須の構成というわけではなく、めっき装置１０００は抵抗体１８を備えていない構成とすることもできる。
　また、本実施形態において、アノード室１３には、アノードマスク１９が配置されている。このアノードマスク１９の詳細は後述する。
　基板ホルダ３０は、カソードとしての基板Ｗｆを保持するための部材である。本実施形態に係る基板ホルダ３０は、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａが下方を向くように、基板Ｗｆを保持している。基板ホルダ３０は、回転機構４０に接続されている。回転機構４０は、基板ホルダ３０を回転させるための機構である。回転機構４０としては、回転モータ等の公知の機構を用いることができる。回転機構４０は、昇降機構４５に接続されている。昇降機構４５は、上下方向に延在する支軸４６によって支持されている。昇降機構４５は、基板ホルダ３０及び回転機構４０を上下方向に昇降させるための機構である。昇降機構４５としては、直動式アクチュエータ等の公知の昇降機構を用いることができる。
　めっき処理を実行する際には、回転機構４０が基板ホルダ３０を回転させるとともに、昇降機構４５が基板ホルダ３０を下方に移動させて、基板Ｗｆをめっき槽１０のめっき液Ｐｓに浸漬させる。次いで、通電装置によって、アノード１１と基板Ｗｆとの間に電気が流れる。これにより、基板Ｗｆの被めっき面Ｗｆａに、めっき皮膜が形成される。
　めっきモジュール４００の動作は、制御モジュール８００によって制御される。制御モジュール８００は、マイクロコンピュータを備えており、このマイクロコンピュータは、プロセッサとしてのＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）８０１や、非一時的な記憶媒体としての記憶部８０２、等を備えている。制御モジュール８００においては、記憶部８０２に記憶されたプログラムの指令に基づいてＣＰＵ８０１がめっきモジュール４００の被制御部の動作を制御する。
　なお、本実施形態においては、一つの制御モジュール８００が、めっきモジュール４００の被制御部を統合的に制御する制御装置として機能しているが、この構成に限定されるものではない。例えば、制御モジュール８００は、複数の制御装置を備え、この複数の制御装置が、それぞれ、めっきモジュール４００の各々の被制御部を個別に制御してもよい。
　続いて、ガス貯留部６０及び排出機構７０について説明する。図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、ガス貯留部６０及び排出機構７０を説明するための模式的断面図である。具体的には、図５（Ａ）は、図３のめっき槽１０における排出機構７０の周辺構成を模式的に断面図示しており、図５（Ｂ）は、図３のめっき槽１０におけるレベルセンサ７５の周辺構成を模式的に断面図示している。
　ここで、めっき装置１０００による基板Ｗｆのめっき処理時には、以下の反応式に基づいて、プロセスガスＧａとしての酸素（Ｏ２）がアノード室１３に発生する。
　２Ｈ２Ｏ→Ｏ２+４Ｈ++４ｅ-
　このようなプロセスガスＧａが隔膜１２の下面１２ａに滞留した場合、このプロセスガスＧａが電場を遮断するおそれがある。この場合、基板Ｗｆのめっき品質が悪化するおそれがある。そこで、本実施形態に係るめっきモジュール４００は、隔膜１２の下面１２ａにプロセスガスＧａが滞留することを抑制して、このプロセスガスＧａに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制するために、以下に説明するガス貯留部６０及び排出機構７０を備えている。
　ガス貯留部６０は、アノード室１３に設けられている。ガス貯留部６０は、アノード１１から発生したプロセスガスＧａを貯留するように構成されている。具体的には、本実施形態に係るガス貯留部６０は、円筒形状のアノード１１との間に空間を有しつつ、アノード１１の上端１１ｃ、外周面１１ａ及び内周面１１ｂ（符号は図４を参照）を覆うように、アノード室１３に設けられている。
　より具体的には、本実施形態に係るガス貯留部６０は、上壁部６０ａと、側壁部６０ｂとを有している。上壁部６０ａはめっき槽１０の外周壁部１０ｂに接続するとともに、アノード１１の上端１１ｃよりも上方に配置された部位である。側壁部６０ｂは、その上端部が上壁部６０ａに接続するとともに、上壁部６０ａから下方に延在するように構成された部位である。なお、本実施形態に係る上壁部６０ａは、リング形状（又はフランジ形状）を有しており、側壁部６０ｂは円筒形状を有している。めっき槽１０の外周壁部１０ｂとガス貯留部６０の上壁部６０ａと側壁部６０ｂとによって区画された領域に、アノード１１から発生したプロセスガスＧａが貯留される。
　図５（Ａ）を参照して、排出機構７０は、ガス貯留部６０に貯留されたプロセスガスＧａをめっき槽１０の外部に排出するように構成された機構である。具体的には、本実施形態に係る排出機構７０は、排出管７１と、この排出管７１に配置された開閉弁７２とを備えている。排出管７１は、ガス貯留部６０とめっき槽１０の外部とを連通している。開閉弁７２の開閉動作は制御モジュール８００によって制御されている。開閉弁７２は、通常は閉弁状態になっている。開閉弁７２が開弁状態になることで、ガス貯留部６０のプロセスガスＧａは排出管７１を通過して、めっき槽１０の外部（具体的には、大気中）に排出される。
図５（Ｂ）を参照して、レベルセンサ７５は、ガス貯留部６０におけるめっき液Ｐｓの液面の位置（高さ）を検出するためのセンサである。レベルセンサ７５は、その検出結果を制御モジュール８００に伝える。ガス貯留部６０にプロセスガスＧａが存在しない場合、ガス貯留部６０はめっき液Ｐｓで満たされている。ガス貯留部６０にプロセスガスＧａが貯留されると、ガス貯留部６０におけるめっき液Ｐｓの液面は低下する。このように、ガス貯留部６０におけるめっき液Ｐｓの液面は、ガス貯留部６０に貯留されたプロセスガスＧａの量と相関関係を有している。そこで、本実施形態に係る制御モジュール８００は、このレベルセンサ７５の検出結果に基づいて、排出機構７０を制御する。この制御モジュール８００による排出機構７０の制御についてフローチャートを用いて説明すると、次のようになる。
　図６は、本実施形態に係る制御モジュール８００による排出機構７０の制御のフローチャートの一例である。ステップＳ１０において、制御モジュール８００は、ガス貯留部６０のプロセスガスＧａを排出させることを開始させる条件である「排出開始条件」が満たされたか否かを判定する。
　具体的には、このステップＳ１０において、制御モジュール８００は、レベルセンサ７５の検出結果に基づいて、ガス貯留部６０のめっき液Ｐｓの液面が所定の基準位置よりも下方の位置になったか否かを判定する。制御モジュール８００は、めっき液Ｐｓの液面が基準位置よりも下方の位置になったと判定した場合に、排出開始条件が満たされた（ＹＥＳ）と判定する。
　ステップＳ１０でＹＥＳと判定された場合、制御モジュール８００は、開閉弁７２を開弁させる（ステップＳ１１）。これにより、ガス貯留部６０のプロセスガスＧａは、めっき槽１０の外部に排出される。
　なお、制御モジュール８００は、一度、開閉弁７２を開弁させた後に、レベルセンサ７５の検出結果に基づいてガス貯留部６０のめっき液Ｐｓの液面が基準位置又はこの基準位置よりも上方の位置になったと判定した場合には、開閉弁７２を閉弁状態に戻せばよい。あるいは、制御モジュール８００は、開閉弁７２を開弁させてから予め設定された所定時間が経過した後に、開閉弁７２を閉弁状態に戻してもよい（つまり、この場合、開閉弁７２は、所定時間の間、開弁状態になる）。
　以上のような本実施形態によれば、上下方向に延在する円筒形状のアノード１１から発生したプロセスガスＧａをガス貯留部６０に貯留させて、このガス貯留部６０に貯留されたプロセスガスＧａを排出機構７０によってめっき槽１０の外部に排出させることができる。これにより、アノード室１３の隔膜１２の下面１２ａにプロセスガスＧａが滞留することを抑制することができる。この結果、このプロセスガスＧａに起因して基板Ｗｆのめっき品質が悪化することを抑制することができる。
　続いて、アノードマスク１９について説明する。図７（Ａ）は、隔膜１２及びアノードマスク１９の模式的断面図である。図７（Ｂ）は、アノードマスク１９の模式的斜視図である。図３、図７（Ａ）及び図７（Ｂ）を参照して、アノードマスク１９は、アノード室１３に配置されている。本実施形態に係るアノードマスク１９は、リング形状を有している。アノードマスク１９は、アノード１１と基板Ｗｆとの間を流れる電気が通過する開口部１９ｂを有している。本実施形態において、開口部１９ｂの径（直径）は、アノード１１の内径よりも小さい。また、本実施形態に係るアノードマスク１９は、図７（Ａ）に示すように、アノードマスク１９の上面１９ａが隔膜１２の下面１２ａに接するように配置されている。
　続いて、アノード移動機構８０について説明する。図８は、めっきモジュール４００におけるアノード移動機構８０の周辺構成を模式的に示す断面図である。アノード移動機構８０は、アノード１１を上下方向に移動させるための機構である。具体的には、本実施形態に係るアノード移動機構８０は、バスバー５０を介してアノード１１と接続されている。
　すなわち、本実施形態に係るバスバー５０は、アノード移動機構８０とアノード１１とを接続する「第１の接続部材９０」の一例である。本実施形態に係るアノード移動機構８０は、この第１の接続部材９０としてのバスバー５０を上下方向に移動させることで、アノード１１を上下方向に移動させている。
　なお、本実施形態に係るバスバー５０は、上下方向に延在する棒状部５０ｂと、棒状部５０ｂの上端に接続するとともに水平方向に延在する平板部５０ａと、を備えている。平板部５０ａの外周縁はアノード１１の下端に接続している。平板部５０ａ及び棒状部５０ｂは、導電性の素材によって構成されている。また、本実施形態に係るバスバー５０は、平板部５０ａ及び棒状部５０ｂを被覆する被覆材５０ｃも備えている。被覆材５０ｃの具体的な材質は特に限定されるものではないが、本実施形態では一例として、ポリテトラフルオロエチレンや、ポリエーテルエーテルケトン等の樹脂を用いている。
　アノード移動機構８０としては、アノード１１を上下方向に移動させることができるものであればよく、その具体的な構成は特に限定されるものではないが、本実施形態に係るアノード移動機構８０は、一例として、ピストン・シリンダ機構によって構成されている。具体的には、本実施形態に係るアノード移動機構８０は、シリンダ８１と、シリンダ８１に対して摺動ながらシリンダ８１に出入するピストン８２と、ピストン８２を駆動するアクチュエータ８３と、を備えている。アクチュエータ８３の動作は、制御モジュール８００が制御している。また、アノード移動機構８０は、ピストン８２が上下方向に変位するように配置されている。
　ピストン８２の上端には、バスバー５０の棒状部５０ｂ（具体的には、棒状部５０ｂの周囲を覆う被覆材５０ｃ）が接続されている。制御モジュール８００の指示を受けてアクチュエータ８３がピストン８２を上方に変位させることで、バスバー５０が上方に移動し、これにより、アノード１１も上方に移動する。一方、制御モジュール８００の指示を受けてアクチュエータ８３がピストン８２を下方に変位させることで、バスバー５０が下方に移動し、これにより、アノード１１も下方に移動する。
　なお、めっき槽１０の底壁部１０ａには、バスバー５０の棒状部５０ｂが通過するための貫通孔が設けられており、この貫通孔の内周面には、シール部材５７が設けられている。このシール部材５７によって、アノード室１３のめっき液Ｐｓがこの貫通孔から外部に漏洩することが効果的に抑制されている。
　図９（Ａ）及び図９（Ｂ）は、アノード１１の上下方向の位置が変化した場合における電場の形成態様の変化を示す模式的断面図である。具体的には、図９（Ａ）は、めっき処理時においてアノード１１が図９（Ｂ）に比較して上方に位置した状態を模式的に断面図示し、図９（Ｂ）は、めっき処理時においてアノード１１が図９（Ａ）比較して下方に位置した状態を模式的に断面図示している。図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に図示されている「Ｅｆ」は、電気力線を示している。
　図９（Ａ）及び図９（Ｂ）に示すように、アノード移動機構８０がアノード１１を上方及び下方に移動させることで、基板Ｗｆとアノード１１との距離を変更することができる。これにより、めっき処理時に基板Ｗｆとアノード１１との間に形成される電場の形成態様を変化させることができる。
　また、本実施形態によれば、アノード移動機構８０によってアノード１１を上下方向に移動させるという簡素な機構で、電場の形成態様を変化させることができるので、例えばめっき装置１０００が開口部１９ｂの大きさを変更する開口部可変機構を備える場合に比較して、めっき装置１０００の構造が複雑化することを抑制することができる。これにより、めっき装置１０００のコストの低減を図ることができる。
　なお、本実施形態の場合、アノード１１が下方に移動するほど、アノードマスク１９の開口部１９ｂを通過する電気力線Ｅｆの密度が多くなる。このため、アノードマスク１９の開口部１９ｂを通過する電気力線Ｅｆの密度を多くしたい場合には、アノード１１を下方に移動させ、逆に、開口部１９ｂを通過する電気力線Ｅｆの密度を低くしたい場合は、アノード１１を上方に移動させればよい。
　なお、本実施形態に係るめっき処理方法は、上述しためっき装置１０００によって実現されている。したがって、重複した説明を省略するため、このめっき処理方法の詳細な説明は省略する。
（変形例１）
　上述した実施形態において、アノードマスク１９は、その上面１９ａが隔膜１２の下面１２ａに接するように配置されているが（図７（Ａ））、この構成に限定されるものではない。例えば、アノードマスク１９は、以下のような位置に配置されていてもよい。
　図１０（Ａ）は、実施形態の変形例１に係るめっき装置１０００Ａのめっきモジュール４００Ａにおけるアノードマスク１９の周辺構成を示す模式的断面図である。本変形例に係るアノードマスク１９は、アノードマスク１９の上面１９ａが隔膜１２の下面１２ａに接しておらず、アノードマスク１９の上面１９ａと隔膜１２の下面１２ａとの間に空間が形成されるような位置に配置されている。本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。
（変形例２）
　図１０（Ｂ）は、実施形態の変形例２に係るめっき装置１０００Ｂのめっきモジュール４００Ｂにおけるアノードマスク１９の周辺構成を示す模式的断面図である。本変形例に係るめっきモジュール４００Ｂは、主として、第２の接続部材９１をさらに備えている点において、前述しためっきモジュール４００や、めっきモジュール４００Ａと異なっている。
　第２の接続部材９１は、アノードマスク１９と第１の接続部材９０（本変形例ではバスバー５０）とを接続するための部材である。これにより、本変形例に係るアノードマスク１９は、アノード１１を上下方向に移動させるためにアノード移動機構８０が第１の接続部材９０を上下方向に移動させた場合に、アノード１１と共に上下方向に移動することができる。
　第２の接続部材９１の具体例は特に限定されるものではないが、本変形例においては第２の接続部材９１の一例として、第２抵抗体１８Ｂを用いている。具体的には、この第２抵抗体１８Ｂは、抵抗体１８と同様に、多孔質の部材によって構成されている。また、第２抵抗体１８Ｂは、アノード室１３におけるアノード１１よりも径方向（アノード１１の径方向）で内側の領域に配置されている。また、第２抵抗体１８Ｂは、円筒形状を有している。そして、第２抵抗体１８Ｂの上端はアノードマスク１９に接続し、第２抵抗体１８Ｂの下端はバスバー５０の平板部５０ａの表面を覆う被覆材５０ｃに接続している。
　本変形例においても、前述した実施形態と同様の作用効果を奏することができる。また、本変形例によれば、アノードマスク１９をアノード１１と共に上下方向に移動させることができる。
　以上、本発明の実施形態や変形例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施形態や変形例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、さらなる種々の変形・変更が可能である。
　１０　めっき槽
　１１　アノード
　１１ａ　外周面
　１１ｂ　内周面
　１１ｃ　上端
　１２　隔膜
　１２ａ　下面
　１３　アノード室
　１９　アノードマスク
　１９ａ　上面
　１９ｂ　開口部
　３０　基板ホルダ
　６０　ガス貯留部
　７０　排出機構
　８０　アノード移動機構
　９０　第１の接続部材
　９１　第２の接続部材
　４００　めっきモジュール
　１０００　めっき装置
　Ｗｆ　基板
　Ｗｆａ　被めっき面
　Ｐｓ　めっき液
　Ｅｆ　電気力線
　Ｇａ　プロセスガス

Claims (6)

  1. 　隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、を備えるめっき装置であって、
    　前記アノードは、上下方向に延在する円筒形状を有し、
    　前記めっき装置は、
    　前記アノードとの間に空間を有しつつ、前記アノードの上端、外周面、及び、内周面を覆うように前記アノード室に設けられて、前記アノードから発生したプロセスガスを貯留するガス貯留部と、
    　前記ガス貯留部に貯留されたプロセスガスを前記めっき槽の外部に排出させる排出機構と、をさらに備える、めっき装置。
  2. 　前記アノード室に配置されて、前記アノードと前記基板との間を流れる電気が通過する開口部を有するアノードマスクと、
    　前記アノードを上下方向に移動させるアノード移動機構と、をさらに備える、請求項１に記載のめっき装置。
  3. 　前記アノードマスクは、前記アノードマスクの上面が前記隔膜の下面に接するように配置されている、請求項２に記載のめっき装置。
  4. 　前記アノードマスクは、前記アノードマスクの上面と前記隔膜の下面との間に空間が形成されるように配置されている、請求項２に記載のめっき装置。
  5. 　前記アノード移動機構は、第１の接続部材を介して前記アノードと接続されており、前記第１の接続部材を上下方向に移動させることで前記アノードを上下方向に移動させ、
    　前記アノードマスクは、第２の接続部材を介して前記第１の接続部材に接続されており、前記アノード移動機構が前記第１の接続部材を移動させた場合に前記アノードと共に移動するように構成されている、請求項２に記載のめっき装置。
  6. 　隔膜が配置されるとともに、前記隔膜よりも下方側に区画されたアノード室にアノードが配置されためっき槽と、前記アノード室よりも上方に配置されて、カソードとしての基板を保持する基板ホルダと、を備えるめっき装置を用いためっき処理方法であって、
    　前記アノードは、上下方向に延在する円筒形状を有し、
    　前記めっき装置は、前記アノードとの間に空間を有しつつ、前記アノードの上端、外周面、及び、内周面を覆うように前記アノード室に設けられて、前記アノードから発生したプロセスガスを貯留するガス貯留部と、前記ガス貯留部に貯留されたプロセスガスを前記めっき槽の外部に排出させる排出機構と、をさらに備え、
    　前記めっき処理方法は、前記基板にめっき処理を施すめっき処理時に、前記ガス貯留部に貯留されたプロセスガスを前記排出機構によって前記めっき槽の外部に排出させることを含む、めっき処理方法。
PCT/JP2020/045625 2020-12-08 2020-12-08 めっき装置及びめっき処理方法 WO2022123648A1 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/045625 WO2022123648A1 (ja) 2020-12-08 2020-12-08 めっき装置及びめっき処理方法
US17/624,034 US20220356595A1 (en) 2020-12-08 2020-12-08 Plating apparatus and plating process method
KR1020217039574A KR102406835B1 (ko) 2020-12-08 2020-12-08 도금 장치 및 도금 처리 방법
JP2021512282A JP6936420B1 (ja) 2020-12-08 2020-12-08 めっき装置及びめっき処理方法
CN202080039920.8A CN114916234B (zh) 2020-12-08 2020-12-08 镀覆装置以及镀覆处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/045625 WO2022123648A1 (ja) 2020-12-08 2020-12-08 めっき装置及びめっき処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2022123648A1 true WO2022123648A1 (ja) 2022-06-16

Family

ID=77657972

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2020/045625 WO2022123648A1 (ja) 2020-12-08 2020-12-08 めっき装置及びめっき処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220356595A1 (ja)
JP (1) JP6936420B1 (ja)
KR (1) KR102406835B1 (ja)
CN (1) CN114916234B (ja)
WO (1) WO2022123648A1 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7086317B1 (ja) * 2021-10-18 2022-06-17 株式会社荏原製作所 めっき処理方法
WO2023073860A1 (ja) * 2021-10-28 2023-05-04 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP7161085B1 (ja) * 2022-04-21 2022-10-25 株式会社荏原製作所 めっき装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11350185A (ja) * 1998-06-12 1999-12-21 Electroplating Eng Of Japan Co カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法
JP2005068561A (ja) * 1999-03-11 2005-03-17 Ebara Corp めっき装置
JP2006517004A (ja) * 2001-08-31 2006-07-13 セミトゥール・インコーポレイテッド 電気泳動エマルジョン付着装置及び方法
JP2008019496A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電解めっき装置および電解めっき方法
JP2019002065A (ja) * 2017-06-20 2019-01-10 株式会社荏原製作所 めっき装置、及びプログラムを記録した記録媒体

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0734252A (ja) * 1993-06-25 1995-02-03 Kokusai Electric Co Ltd ２重槽式成膜室
KR100275918B1 (ko) * 1995-01-27 2000-12-15 엔도 마코토 기판처리장치
US6402923B1 (en) * 2000-03-27 2002-06-11 Novellus Systems Inc Method and apparatus for uniform electroplating of integrated circuits using a variable field shaping element
JP4664320B2 (ja) * 2000-03-17 2011-04-06 株式会社荏原製作所 めっき方法
US6527920B1 (en) * 2000-05-10 2003-03-04 Novellus Systems, Inc. Copper electroplating apparatus
JP3568455B2 (ja) * 2000-06-14 2004-09-22 大日本スクリーン製造株式会社 基板メッキ装置
JP2002275683A (ja) * 2001-03-21 2002-09-25 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 電解めっき処理装置
JP2007113082A (ja) * 2005-10-21 2007-05-10 Ebara Corp めっき装置及びめっき方法
KR101204666B1 (ko) * 2010-04-16 2012-11-26 에스케이하이닉스 주식회사 웨이퍼 구리 도금 장비 및 방법
KR101723991B1 (ko) * 2015-10-15 2017-04-07 주식회사 티케이씨 웨이퍼 도금장치
JP2017137519A (ja) 2016-02-01 2017-08-10 株式会社荏原製作所 めっき装置
JP6621377B2 (ja) * 2016-06-07 2019-12-18 株式会社荏原製作所 めっき装置、めっき方法、及び記録媒体

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11350185A (ja) * 1998-06-12 1999-12-21 Electroplating Eng Of Japan Co カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法
JP2005068561A (ja) * 1999-03-11 2005-03-17 Ebara Corp めっき装置
JP2006517004A (ja) * 2001-08-31 2006-07-13 セミトゥール・インコーポレイテッド 電気泳動エマルジョン付着装置及び方法
JP2008019496A (ja) * 2006-07-14 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電解めっき装置および電解めっき方法
JP2019002065A (ja) * 2017-06-20 2019-01-10 株式会社荏原製作所 めっき装置、及びプログラムを記録した記録媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US20220356595A1 (en) 2022-11-10
JPWO2022123648A1 (ja) 2022-06-16
KR102406835B1 (ko) 2022-06-10
CN114916234A (zh) 2022-08-16
CN114916234B (zh) 2023-03-24
JP6936420B1 (ja) 2021-09-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2022123648A1 (ja) めっき装置及びめっき処理方法
JP6934127B1 (ja) めっき装置、プリウェット処理方法及び洗浄処理方法
US11591709B2 (en) Apparatus for plating
US20050082163A1 (en) Plating apparatus and method
US10240247B2 (en) Anode holder and plating apparatus
KR20010107766A (ko) 기판처리장치 및 기판도금장치
JP2015071802A (ja) めっき装置および該めっき装置に使用されるクリーニング装置
CN115135618A (zh) 镀覆方法及镀覆装置
US20180223444A1 (en) Plating apparatus and substrate holder used together with plating apparatus
JP6936422B1 (ja) めっき装置及び基板の膜厚測定方法
WO2022137277A1 (ja) めっき装置及びめっき液の撹拌方法
KR20050025986A (ko) 일정한 웨이퍼 침지 각도를 갖는 경사진 전기화학적 도금 셀
TWI758006B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆處理方法
JP7029579B1 (ja) めっき装置及びリンス処理方法
JP2022059253A (ja) めっき装置及びめっき方法
KR102553048B1 (ko) 기판 홀더, 도금 장치 및 도금 장치의 제조 방법
JP2002249896A (ja) 液処理装置、液処理方法
JP2022127862A (ja) めっき装置及びめっき液の液面調整方法
JP2005068561A (ja) めっき装置
CN108346599A (zh) 用于电化学处理半导体基底的方法和装置及装置维修方法
CN116897226B (zh) 镀覆装置以及镀覆方法
KR102626664B1 (ko) 애노드실의 액 관리 방법 및 도금 장치
KR102558706B1 (ko) 도금 장치, 및 도금 방법
KR102494058B1 (ko) 도금 처리 방법
CN116411330A (zh) 基板保持器、镀覆装置以及镀覆方法

Legal Events

Date Code Title Description
ENP Entry into the national phase

Ref document number: 2021512282

Country of ref document: JP

Kind code of ref document: A

121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 20965033

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

NENP Non-entry into the national phase

Ref country code: DE

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 20965033

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1