CN108346599A - 用于电化学处理半导体基底的方法和装置及装置维修方法 - Google Patents

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Abstract

根据本发明，提供了一种用于处理半导体晶片的正面的方法、装置以及装置维修方法，所述装置包括：主室；连接到所述主室的至少一个装载口，用于将所述晶片置入所述主室；晶片处理模块的至少一个堆，上述堆包括三个或更多个基本竖直堆的晶片处理模块，其中所述堆叠中的相邻晶片处理模块之间的竖直间隔小于50cm，并且每个处理模块被配置为当所述晶片以所述晶片的正面朝上的方式基本水平地布置在其中时处理所述晶片，并且至少一个晶片处理模块是电化学晶片处理模块；以及传送机构，用于在所述装载口与所述处理模块之间传送所述晶片。

Description

用于电化学处理半导体基底的方法和装置及装置维修方法
技术领域
本发明涉及一种用于电化学处理半导体基底的装置以及相关的电化学处理方法。本发明特别地涉及，但不限于镀层装置，以及相关的在半导体基底上进行电化学沉积和无电沉积的方法。
背景技术
电化学或无电沉积工艺通常用于在半导体器件制造中形成导电层。这些电镀技术可用于实现通孔(诸如硅通孔(TSV))的无空隙填充，特别地用于高纵横比特征。例如，在镶嵌处理期间可以通过电化学沉积形成铜互连。类似地，在使用电化学或无电沉积方法的半导体封装应用中，已知Cu、Ni、SnAg和Au(以及其他金属)被沉积到硅半导体基底或化合物半导体基底上。这些镀层技术适用于当半导体和部件被嵌入环氧树脂模具(诸如扇出型晶片级封装(FO-WLP))中时。诸如FO-WLP的嵌入式管芯格式的出现使得能够使用矩形面板基底来降低制造成本。
半导体工业中的电化学沉积(ECD)工艺通常包括将单独的半导体晶片浸入到电解液中。在晶片(充当阴极)与第二电极(充当阳极)之间施加电势，使得电解液中的物质被沉积在晶片的正面上。典型地，晶片的背面不暴露于电解液。对于相反的电化学蚀刻工艺，当晶片充当阳极并且第二电极充当阴极时，可以去除沉积层。
在自动化ECD系统中，机器人臂通常从装载/卸载口收集半导体晶片。这可以是盒或前开式统集盒(FOUP)。机器人臂将晶片移动到与晶片产生电接触的晶片保持固定装置。在晶片保持固定装置与晶片的正面之间形成流体密封件，以防止任何电解液污染晶片的电触点或晶片的背面。
有两种通用方法，即，“喷泉池(fountain cell)”系统和“机架(rack)”系统用于将晶片浸入电解液。在“喷泉池”系统中，晶片在处理期间保持在基本上水平的平面中。晶片正面(即处理/沉积表面)朝下从沉积槽上方进入电解液。电解液可以沿垂直于晶片的正面的方向流动。晶片可以被旋转以在晶片表面上建立均匀的扩散层厚度，这有助于沉积均匀的层。美国专利第8,500,968号和美国专利第6,800,187号公开了“喷泉池”系统。
在“机架”系统中，晶片保持在基本上竖直的平面中，并在处理期间静态地保持在电解液中。
对于“喷泉池”或“机架”系统，电解液可以借助于泵以相对高的流量(例如每分钟8至40升)在电解液槽内循环。
多个处理槽可以包含在单个晶片处理系统中，使得可以依次进行多个处理步骤以最大化晶片产量。处理步骤可以包括多个电沉积步骤(诸如铜柱与Ni/SnAg帽的沉积)；化学蚀刻步骤；以及多个旋转冲洗干燥(SRD)、润湿和清洁步骤。
优选的是，每个处理槽容易被使用者检修以使得能够维护和清洁处理槽。维护可以包括更换电镀池中的阳极。用于“喷泉池”和“机架”系统的多个处理槽通常被布置成一行或多行，使得每个处理槽可以通过线性轨道上的机器人臂以及用户从上方检修以进行维护。在“喷泉池”和“机架”式系统中使用的晶片传送系统会很复杂，通常实现为晶片保持固定装置、设备前端模块(EFEM)机器人以及用于在处理槽和清洁台之间传送晶片的高架机器人。期望处理槽之间的晶片传送将被简化。
先进的晶片处理系统通常需要大量的处理槽，可能大于20个。处理槽的线性布置可能导致晶片处理系统具有大的工具占用面积(tool footprint)，长度可能大于6m。
期望减小晶片制造或半导体封装设施中的晶片处理系统的工具占用面积，使得可以以高吞吐量和最小的工具占用面积来进行大量处理步骤。
还期望减小包括多个处理槽的晶片处理系统的工具占用面积，同时出于维护和清洁目的而保持易于检修每个处理槽。
应该理解的是，除了上述具体问题之外，还存在减小晶片处理系统的工具占用面积的普遍期望和需要。本发明在其至少一些实施例中解决了这些问题、期望和需求中的至少一些。
发明内容
根据本发明的第一方面，提供了一种用于处理半导体晶片的正面的装置，包括：
主室；
连接到主室的至少一个装载口，用于将晶片置入主室；
晶片处理模块的至少一个堆，上述堆包括三个或更多个基本竖直地堆叠的晶片处理模块，其中，上述堆中的相邻晶片处理模块之间的竖直间隔小于50cm，并且每个处理模块被配置为当晶片正面朝上基本上水平地布置在所述处理模块中时处理晶片，并且至少一个晶片处理模块是电化学晶片处理模块；以及
传送机构，用于在装载口与处理模块之间传送晶片。
处理可以包括化学和/或电化学处理。处理可以包括蚀刻、电化学沉积、电化学抛光、无电沉积，冲洗步骤、清洁步骤和干燥步骤中的一个或多个。因此，装置中使用的处理模块之一可以是蚀刻、电化学沉积、电化学抛光、无电沉积、冲洗、清洁或干燥模块。装置中使用的处理模块之一可以是旋转冲洗干燥模块。
半导体晶片可以是300mm硅晶片，任何其他合适的半导体基底或矩形面板。该装置可以适于并行处理多个半导体晶片。装载口可以是盒或FOUP(前开式统集盒)。
电化学晶片处理模块可以包括密封件，该密封件在使用中抵着表面进行密封，以限定发生电化学处理的密封腔。该密封件可以是弹性密封件。
在一些实施例中，该密封件在使用中抵着晶片的表面进行密封，以限定发生电化学处理的密封腔。优选地，密封件抵着其进行密封的晶片的表面是晶片的上表面。
该装置还可以包括至少一个晶片载具装配件，晶片可以被装载到上述至少一个晶片载具装配件上。上述晶片载具装配件包括密封件，该密封件在使用中抵着晶片的表面进行密封。优选地，该密封件抵着晶片的上表面进行密封。传送机构可以被配置为在装载口与处理模块之间传送装载的晶片载具装配件。在这些实施例中，电化学晶片处理模块的密封件可以在使用抵着晶片载具装配件的表面进行密封，以限定发生电化学处理的密封腔。
典型地，晶片载具装配件还包括用于与装载的晶片进行电接触的电触点。
该装置还可以包括用于将晶片装载到晶片载具装配件上的晶片载具装配件装载台。典型地，一旦处理完成，晶片载具装配件还卸载晶片。装载口可以包括晶片载具装配件装载台。可选地，晶片载具装配件装载台可以位于装载口与处理模块之间。还可选地，晶片载具装配件装载台可以位于装载口之前，使得当晶片被置入主室时，晶片在通过装载口之前被装载到晶片载具装配件上。
该堆中的相邻处理模块之间的竖直间隔优选地小于25cm。该装置可以包括不是该堆的一部分的至少一个处理模块。
传送机构可以包括传送机器人，该传送机器人具有用于在装载口与处理模块之间自动传送晶片的至少一个末端执行器。传送机构可以在装载口与任何处理模块之间传送晶片。
晶片处理模块中的至少一个可以包括电化学沉积晶片处理模块。晶片的正面可以包括电极。电化学处理模块还可以包括第二电极。电偏压可以施加到晶片。晶片的正面可以包括阴极。
处理模块还可以包括位于密封件下方用于收集流体的托盘。
处理模块可以从该堆移除。处理模块可以独立地从该堆中移除。处理模块的可移除特性可以使得出于维护、维修和修理工作的目的而容易地检修处理模块。
处理模块可以在基本上水平的方向上从堆叠移除。处理模块可以通过旋转、滑动或通过任何其他合适的方式从该堆移除。
该装置还可以包括用于保持主室中的层流气流的鼓风机。
该装置还可以包括晶片对准工具。
该装置可以包括至少三个堆。上述至少三个堆可以成行布置或以任何其他合适的布置方式布置。
该装置可以被配置为并行处理两个或更多个半导体晶片的正面。
根据本发明的第二方面，提供了一种使用根据权利要求1所述的装置来处理半导体晶片的方法，该方法包括以下步骤：
经由装载口将晶片置入主室；
使用传送机构将晶片传送到该堆中的第一晶片处理模块，使得晶片正面朝上基本上水平地布置在第一晶片处理模块中；以及
在第一晶片处理模块中对晶片的正面进行处理步骤。
该方法还可以包括以下步骤：使用传送机构将晶片从该堆中的第一晶片处理模块传送到第二晶片处理模块，使得晶片基本上水平地布置在第二晶片处理模块中；以及在第二晶片处理模块中对晶片的正面进行处理步骤。
该方法可以包括使用传送机构将晶片从晶片处理模块传送到装载口的步骤，用于随后传送出该装置。
对晶片的正面进行的至少一个处理步骤可以选自包括化学、电化学、冲洗、清洁、旋转或干燥步骤的组。可选地，电化学处理步骤可以包括电化学沉积或电化学蚀刻。在电化学晶片处理模块中进行电化学处理步骤。电化学晶片处理模块可以包括密封件，该密封件抵着表面进行密封，以限定发生电化学处理的密封腔。密封件可以抵着晶片的表面进行密封，优选地抵着晶片的上表面进行密封，以限定发生电化学处理的密封腔。可选地，该装置还可以包括晶片载具装配件，晶片可以被装载到至少一个晶片载具装配件上，晶片载具装配件包括密封件，该密封件在使用中抵着晶片的表面进行密封，优选地抵着晶片的上表面进行密封，其中，传送机构被配置为在装载口与处理模块之间传送装载的晶片载具装配件。电化学晶片处理模块的密封件可以抵着晶片载具装配件的表面进行密封以限定发生电化学处理的密封腔。
该方法还可以包括将晶片装载到晶片载具装配件上的步骤。将晶片装载到晶片载具装配件上的步骤可以在使用传送机构将晶片传送到该堆中的第一晶片处理模块的步骤之前进行或作为使用传送机构将晶片传送到该堆中的第一晶片处理模块的步骤的一部分进行。
对晶片的正面进行的至少一个处理步骤期间，可以向晶片施加电偏压。
可以并行处理两个或更多个半导体晶片。
根据本发明的第三方面，提供了一种根据本发明的第一方面的装置的维修方法，包括沿基本上水平的方向从该堆移除晶片处理模块的步骤，从而能够检修晶片处理模块。
维修可以包括在装置上进行维护和/或修理工作。
在基本水平的方向上从该堆移除晶片处理模块的步骤可以包括旋转或滑动处理模块。
附图说明
虽然上面描述了本发明，但是本发明可以延伸到上面或者在以下的说明书、附图或者权利要求中给出的特征的任何创造性组合。例如，关于本发明的第一方面描述的任何特征也被认为是关于本发明的任何其他方面公开的。
现在将仅通过示例并参考附图来描述根据本发明的方法和装置的实施例，其中：
图1是包括堆叠的处理模块的晶片处理系统的示意图；
图2是其中出于维护的目的而移除处理模块以能够对其检修的晶片处理系统的示意图；
图3是处理模块的示意图；
图4是处理模块的分解示意图；
图5是处理模块的透视图；
图6是包括成行的堆叠的处理模块的晶片处理系统的平面图；以及
图7是晶片载具装配件的侧视图。
具体实施方式
在不同示例性实施例中使用相同的附图标记的情况下，附图标记对应于相同的特征。
图1示出了根据本发明第一实施例的晶片处理系统10。晶片处理系统10包括框架12、装载/卸载口14、机器人16和多个堆叠的处理模块18a-18d。根据所需的处理步骤的数量和传送机器人16的竖直传送范围，本发明的其他实施例可以包含少于或多于四个处理模块。处理模块可以各自适于湿化学处理步骤(诸如电化学沉积、电沉积、电解抛光、化学蚀刻等)；和清洁、冲洗和干燥处理步骤。堆中的所有位置都可以容纳任何模块配置，并适于进行任何处理步骤。当工艺需求改变时，可以容易地改变硬件。
晶片处理系统10还可以包括位于处理模块18a-18d下方的局部流体供给装置20。局部流体供给装置20可以向每个处理模块18a-18d供给诸如电解液的工艺流体。用于模块(未示出)的电子控制、监测电路和电源可以位于处理模块18a-18d的上方。辅助特征(未示出)(例如用于晶片处理系统10的功率分配、大量电解液储存和监测设备)可以远离晶片处理系统10。
框架12包围晶片处理系统的组件以提供可以发生晶片处理的无污染环境。通过风扇或鼓风机22产生层流气流，以维持主室24内的无微粒环境。
装载/卸载口14使得诸如300mm直径的硅晶片的半导体晶片28装载到晶片处理系统10中以及从晶片处理系统10卸载。装载/卸载口14可以是盒或FOUP。装载/卸载口14也可以在处理步骤之间中充当晶片存储位置。
机器人16包括接触晶片28的背面(即，未经受处理的晶片的面)并将晶片28传送到处理模块18a-18d中的一个的末端执行器26。在一个实施例中，在所有的操作和处理步骤中，以晶片的正面(即待处理的面)朝上的方式对晶片28进行操作。在本发明的一个实施例中，在晶片被传送到处理模块18a-18d中的一个之前，还可以包括晶片对准步骤(未示出)。晶片传送机器人16的使用使得在装载/卸载口14与处理模块18a-18d之间自动传送晶片。
处理模块18a-18d布置在竖直堆19中。与使用相同数量的处理模块的已知系统相比，竖直堆叠处理模块18a-18d显著地减小晶片处理系统10的工具占用面积。优选的是，使用低剖面处理模块，即高度小于约30cm的处理模块。更优选地，低剖面模块的高度将小于22cm。使用低剖面处理模块使得能够实现更高效的竖直堆叠。为了使基底从上方进入处理模块，已知的喷泉池和机架式系统需要大的顶部体积。因此，已知的喷泉池和机架式系统不适于有效的竖直堆叠。
如图2所示，通过将处理模块从竖直堆19中滑出或旋转出来，而可以检修每个处理模块18a-18d。每个处理模块可以独立地从堆叠移除。当需要系统干预时，例如更换阳极或在模块内进行手动清洁时，可能需要这样做。分离的处理模块118可以通过可延伸的固定装置50保持连接到晶片处理系统10，以帮助更换分离的处理模块。可延伸的固定装置也可以附装到框架12。以这种方式移除单独的处理模块使得能够完整和容易地接入分离的模块。
在图3、图4和图5中示出了适于包含在晶片处理系统10中的湿化学处理模块30。在EP2781630和EP2652178中也描述了适于包含在晶片处理系统10中的晶片处理模块。晶片从机器人臂的末端执行器26经由进入槽34被传送到可移动压板组件32。可移动压板组件32可以是可旋转的压板组件。
压板组件32被升起，使得晶片的正面与阳极室35匹配。在晶片的正面和弹性密封件36之间形成流体密封。弹性密封件可以是截头圆锥形以提供可靠的不透流体的密封。此外，这种形状的密封件不会由于润湿的晶片的表面的重力或表面张力而从室中掉出。弹性密封件可以附装到阳极室35。
需要不透流体的密封以防止流体在处理步骤期间从处理模块泄漏。容纳盘38可位于压板32下方以容纳可能发生的任何流体泄漏。
如果需要，还可以形成晶片28的电触点，使得晶片可以充当电极。电触点可以附装到阳极室35。可以使用钛电极、Pt涂覆的钛电极或由任何其他合适的导电材料制成的电极来制作电触点。电极可以在边缘排除区域中接触晶片表面。边缘排除区域通常距离晶片边缘<2mm-3mm。不透流体的密封防止电触头暴露于处理流体或被处理流体污染。
取决于处理步骤，晶片可以是阴极或阳极。仅出于示例的目的，当在电化学沉积工艺中充当阴极时，可以将DC偏压施加到晶片。在这个工艺中的阳极可以是可消耗的金属，诸如Cu、Ni或Sn、或者惰性接触(例如Pt涂覆的Ti或混合金属氧化物(MMO))。
晶片28和阳极室35限定可以发生湿化学处理的密封腔40。湿化学处理可以包括电化学或无电沉积、电化学蚀刻和化学蚀刻中的一种或多种。在任何流体进入腔40之前制成晶片28和阳极室35之间的流体密封。流体可以通过流体连接器42和44进入和离开腔40。取决于待进行的处理步骤，流体可以是电解液或其它合适的流体。在一个实施例中，连接器42是流体入口，而连接器44是流体出口。在另一个实施例中，连接器42是流体出口，而连接器44是流体入口。优选的是，如果需要通过处理模块的高流体流量，则包含多于一个流体连接器。多个流体入口有助于精确地控制流体流速，并有助于确保腔40中不形成气泡/气穴，这会影响处理步骤的质量。例如，电沉积步骤中的气穴可能影响得到的沉积物的均匀性。
在处理步骤完成之后并且在晶片28和阳极室35之间的流体密封被损坏之前，从处理模块30移除流体。流体可以经由流体连接器42和44移除。利用倾斜支架46可以使处理模块30倾斜以帮助流体移除。倾斜支架46被安装在支承板48上。支承板48可以经由一系列的保持螺栓(未示出)固定到阳极室35。流体可以回收用于未来的处理步骤。如果需要，可以在从处理模块30移除晶片28之前进行冲洗步骤。
处理模块可以用于清洁、冲洗、润湿或干燥工艺。为了冲洗、清洁或干燥，可以通过使用可旋转的压板组件来旋转晶片28。为了清洁和/或润湿的目的，清洁流体可以朝晶片表面的正面喷射。在从腔40移除清洁流体之后，可以开始随后的高速干燥步骤。通过旋转压板组件可以加速干燥工艺，例如高达每分钟3000转(rpm)。可以提供旋转冲洗干燥(SRD)模块，其具有可旋转压板和一个或多个喷射装置。
为了从处理模块30移除晶片28，压板组件32被降低，这损坏流体密封。机器人臂的末端执行器26可以收集晶片28。晶片28可以被传送到另外的处理模块或装载口14，用于临时存储或从晶片处理系统10移除。
支承板48可以附装到可延伸固定装置50。当处理模块从框架12移除时，可延伸固定装置50可以保持连接到处理模块30。可延伸固定装置可以包括向处理模块30供给进行电化学处理步骤所需的电力的装置。
在处理模块30已经与框架12分离之后，可以对处理模块进行维护。可以移除保持螺栓和配件(未示出)以使得阳极室35能够从模块30移除。阳极室35然后可以由新室替换、根据需要翻新或替换。
在阳极室35已经被移除之后设法检修压板组件32。也可以通过移除容纳盘38来检修压板组件32。
晶片处理系统10的处理模块18a-18d被布置在竖直堆19中。对于已知的晶片处理系统(诸如“喷泉池”和“机架”型系统)来说，这不是可行的布置。对于这些已知的系统，电解液槽必须具有大深度的开顶，以使得晶片完全浸入。开顶的处理槽的竖直堆叠布置将容易受到来自上述槽中处理流体的污染。此外，堆叠这种已知的处理槽需要大的竖直间隔(或间距)。如果没有大的竖直间隔，上部的槽将至少部分地阻止晶片从上方进入电解液槽。另外，为了维护和清洁的目的，用户接入处理槽也至少部分地受到限制。维护可以包括更换电沉积池中的阳极。
处理模块30的设计使得处理模块以显著更高效和紧凑的布置被竖直地堆叠，而不限制晶片进入每个处理模块。也可以通过从竖直堆9中移除处理模块来容易地检修每个处理模块。这也使得在工艺需求改变时容易改变硬件。
通常使用诸如PVC(聚氯乙烯)、HDPE(高密度聚乙烯)、PVDF(聚偏二氟乙烯)、PTFE(聚四氟乙烯)或PFA(全氟烷氧基)的塑料材料制造所有流体润湿的表面。优选的材料由化学相容性，机械性能和成本确定。
作为简化的处理系统和处理模块布置的结果，可以以成本有效的方式构建晶片处理系统10。
图6示出了其中处理模块18a-18d的竖直堆52a-52c可以成行地被布置的晶片处理系统210的第二实施例的平面图。以上关于图3至图5描述的类型的处理模块30可以适用于晶片处理系统210。每个处理模块可以用于作为较大处理工序的一部分的不同的处理步骤。
晶片处理系统210可以具有一个或多个装载/卸载口214a-214c。装载/卸载口214a-214c使得诸如300mm直径的硅晶片的半导体晶片装载到晶片处理系统以及从晶片处理系统卸载。装载/卸载口214a-214c可以分别是盒或FOUP。端口214a-214c可以在处理步骤之间中用作晶片存储位置。
输送机器人216包括一个或多个末端执行器226，每个末端执行器226可以独立地接触晶片的背面(即，未经处理的晶片的面)并将晶片传送到处理模块18a-18d中的一个。输送机器人216可以沿着轨道254行进，以能够接入每个竖直堆52a-52c中的每个处理模块18a-18d。
机器人216和竖直堆52a-52c被容纳在框架12中。框架12提供可以发生晶片处理的无污染环境。通过风扇或鼓风机产生层流气流，以在主室224内保持无微粒的环境。
晶片对准工具256也可以包含在主室224中以确保在晶片传送期间正确的晶片对准。
图6示出了包含有三个相邻的竖直堆52a-52c的晶片处理系统210，但是可以设想，可以使用更多或更少的竖直堆。此外，可以设想其他空间布置，而不是简单的线性系统，以实现有效的工具占用面积。
在上面关于图1至6描述的实施例中，晶片自身被置入处理模块中。可以替代地将晶片置入安装在晶片载具装配件上的处理模块中。图7示出了半导体晶片70位于晶片载具固定装置72上的实施例。在图7所示的实施例中，晶片载具固定装置72包括框架74，密封件76和与框架74连通的基底支承件78。框架74包括上表面74a并承载密封件76。晶片70位于基底支承件78上。晶片载具固定装置72还包括电触点80和电触点80的馈通82。当晶片70被适当地定位时，电触点80与晶片70电接触，并且密封件76抵着晶片70进行密封以形成不透流体的密封。晶片载具固定装置72的部件可以由任何合适的材料形成。例如，框架74通常由电介质材料形成，并且密封件76通常是诸如氟橡胶(RTM)的弹性材料。
当具有晶片70的晶片载具固定装置72被装载到诸如电化学晶片处理模块的处理模块中时，在模块与框架74的上表面74a之间形成流体密封。对于该密封的对准约束不如晶片表面的流体密封那么严格。本领域技术人员将容易认识到，存在多种方式来对上表面74a进行可靠的密封。
晶片载具固定装置72/晶片70装配组件可以容易地包含在关于图1至图6描述的装置中，而不会对系统的总体布局有任何重大改变。例如，晶片70可以在离开装载/卸载口14之后被插入到固定装置72中。晶片70将保持在晶片载具固定装置72中，直到进行完最后的处理步骤。在装载/卸载口14之后可以提供附加的台或其他机构，用于将晶片装载到晶片载具固定装置上和从晶片载具固定装置卸载晶片。用于运载晶片和将晶片装载到载具上的许多其他装配件是可行的。这种方法的好处是在晶片表面上仅制作一次密封和接触。

Claims (23)

1.一种用于处理半导体晶片的正面的装置，包括：
主室；
连接到所述主室的至少一个装载口，用于将所述晶片置入所述主室；
晶片处理模块的至少一个堆，所述堆包括三个或更多个基本上竖直地堆叠的晶片处理模块，其中，所述堆中的相邻晶片处理模块之间的竖直间隔小于50cm，并且每个处理模块被配置为当所述晶片正面朝上基本上水平地布置在所述处理模块中时处理所述晶片，并且至少一个晶片处理模块是电化学晶片处理模块；以及
传送机构，用于在所述装载口与所述处理模块之间传送所述晶片。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述电化学晶片处理模块包括密封件，所述密封件在使用中抵着表面进行密封，以限定发生电化学处理的密封腔。
3.根据权利要求2所述的装置，其中，所述密封件在使用中抵着所述晶片的表面进行密封，优选地抵着所述晶片的上表面进行密封，以限定发生电化学处理的所述密封腔。
4.根据权利要求1或权利要求2所述的装置，还包括至少一个晶片载具装配件，所述晶片可以被装载到所述至少一个晶片载具装配件上，所述晶片载具装配件包括密封件，所述密封件在使用中抵着所述晶片的表面进行密封，优选地抵着所述晶片的上表面进行密封，其中，所述传送机构被配置为在所述装载口与所述处理模块之间传送装载的晶片载具装配件。
5.根据从属于权利要求2的权利要求4所述的装置，其中，所述电化学晶片处理模块的密封件在使用中抵着所述晶片载具装配件的表面进行密封，以限定发生电化学处理的所述密封腔。
6.根据权利要求4或权利要求5所述的装置，还包括用于将所述晶片装载到所述晶片载具装配件上的晶片载具装配件装载台。
7.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述堆中的相邻处理模块之间的竖直间隔小于25cm。
8.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述传送机构包括传送机器人，所述传送机器人具有用于在所述装载口与所述处理模块之间自动传送所述晶片的至少一个末端执行器。
9.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述晶片处理模块中的至少一个包括电化学沉积晶片处理模块。
10.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述晶片的正面包括电极。
11.根据前述权利要求中任一项所述的装置，其中，所述处理模块能够从所述堆移除。
12.根据权利要求11所述的装置，其中，所述处理模块能够沿基本上水平的方向从所述堆移除。
13.根据权利要求11或12所述的装置，其中所述处理模块能够通过旋转、滑动或通过任何其它合适的方式从所述堆移除。
14.根据前述权利要求中任一项所述的装置，被配置为并行处理两个或更多个半导体晶片的正面。
15.一种使用根据权利要求1所述的装置处理半导体晶片的方法，所述方法包括以下步骤：
经由所述装载口将所述晶片置入所述主室；
使用所述传送机构将所述晶片传送到所述堆中的第一晶片处理模块，使得所述晶片正面朝上基本水平地布置在所述第一晶片处理模块中；以及
在所述第一晶片处理模块中对所述晶片的正面进行处理步骤。
16.根据权利要求15所述的方法，还包括以下步骤：
使用所述传送机构将所述晶片从所述第一晶片处理模块传送到所述堆中的第二晶片处理模块，使得所述晶片基本水平地布置在所述第二晶片处理模块中；以及
在所述第二晶片处理模块中对所述晶片的正面进行处理步骤。
17.根据权利要求15或16所述的方法，还包括使用所述传送机构将所述晶片从晶片处理模块传送到所述装载口的步骤，用于随后传送出所述装置。
18.根据权利要求15至17中任一项所述的方法，其中，对所述晶片的正面进行的至少一个处理步骤选自包括化学步骤、电化学步骤、冲洗步骤、清洁步骤、旋转步骤或干燥步骤的组。
19.根据权利要求18所述的方法，其中，对所述晶片的正面进行的处理步骤是在所述电化学晶片处理模块中进行的电化学处理步骤，其中，所述电化学晶片处理模块包括密封件，所述密封件抵着表面进行密封以限定发生电化学处理的密封腔。
20.根据权利要求15至19中任一项所述的方法，其中，对所述晶片的正面进行的至少一个处理步骤期间，向所述晶片施加电偏压。
21.根据权利要求15至20中任一项所述的方法，其中，并行处理两个或更多个半导体晶片。
22.一种对根据权利要求1所述的装置进行维修的方法，所述方法包括沿基本上水平的方向从所述堆移除晶片处理模块的步骤，从而能够检修所述晶片处理模块。
23.根据权利要求22所述的方法，其中，所述沿基本上水平的方向从所述堆移除所述晶片处理模块的步骤包括旋转或滑动所述处理模块。
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