JP4090177B2 - 基板メッキ方法及びその装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)に対してメッキ処理を施す基板メッキ方法及びその装置に係り、特に硫酸銅などのメッキ液を基板の処理面に供給した状態で給電して電解メッキ処理を行う技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の基板に銅配線を施すためのメッキ処理では、基板の裏面全体や基板の表面(処理面)のうち周辺部にあたる数ミリの範囲には、メッキによる成膜がされたり、メッキ液による汚染が生じると不都合が生じる部分が存在している。
【0003】
このためメッキ処理を施す際には、処理面の周辺部分をメッキ液から遮断するためのリング状のマスク部材を基板に取り付け、このマスク部材とともに基板の処理面をメッキ液中に接触させたり、処理面に対してメッキ液を供給するようにしている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような従来例に係るメッキ処理の場合には、次のような問題がある。
すなわち、メッキ処理を終えるためにメッキ液の供給を停止したり、基板をメッキ液中から引き上げても、マスク部材と基板の処理面とが近接している角部分にはメッキ液が残留したままとなっている。この残留メッキ液は、たとえ基板とマスク部材を高速回転(例えば、2000rpm)させたとしても、角部分が回転中心位置よりも外周側に位置している関係上、完全に除去することはできない。そして、このような残留メッキ液がある基板のマスク部材を取り外すと、残留メッキ液が基板の周辺部にも拡がってしまい、周辺部を汚染してしまうという問題がある。
【0005】
また、残留メッキ液は、基板の周辺部を汚染するだけでなくマスク部材のカソード電極にも拡がって付着するので、メッキ処理を施すために次なる基板が搬送されてくると、その基板の周辺部に残留メッキ液が転写された相互汚染を生じるという問題もある。
【0006】
さらに洗浄処理のために残留メッキ液で周辺部が汚染された基板を洗浄装置に搬送すると、搬送系などを汚染してしまうという問題点がある。
【0007】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、洗浄処理を工夫することにより、マスク部材に起因する残留メッキ液を除去して基板の汚染及び相互汚染並びに搬送系の汚染を防止することができる基板メッキ方法及びその装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。
すなわち、請求項1に記載の基板メッキ方法は、基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ方法であって、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で、処理面にメッキ液を供給してメッキを施すとともに、その際に使用したメッキ液を、基板の周囲に配置され、かつ、洗浄液を回収するための洗浄液回収カップを囲うようにその外周側に配設されたメッキ液回収カップに回収するメッキ工程と、洗浄液を供給して基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で基板の処理面とマスク部材を洗浄するとともに、その際に使用した洗浄液を基板の周囲に配置された洗浄液回収カップに回収する第1の洗浄工程と、基板の処理面からマスク部材を離間させた状態で、洗浄液を供給して基板を洗浄するとともに、その際に使用した洗浄液を基板の周囲に配置された洗浄液回収カップに回収する第2の洗浄工程と、を含むことを特徴とするものである。
【0009】
また、請求項2に記載の基板メッキ方法は、請求項1に記載の基板メッキ方法において、前記メッキ工程と、前記第1の洗浄工程と、前記第2の洗浄工程とが一体の装置内にて実施されることを特徴とするものである。
【0010】
また、請求項3に記載の基板メッキ装置は、基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ装置において、基板を支持する支持手段と、基板の処理面のうち周辺部をマスクするマスク部材と、前記支持手段に支持された基板に前記マスク部材を密着させた状態で、前記支持手段に支持された基板の処理面に対してメッキ液を供給してメッキ処理を施すメッキ液供給手段と、前記支持手段に支持された基板の処理面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、前記支持手段の周囲に配設され、メッキ処理の際に前記メッキ液供給手段から基板に供給されたメッキ液を回収するメッキ液回収カップと、前記メッキ液回収カップに付設され、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給して、基板の処理面とマスク部材とを洗浄する第1の洗浄処理を施すとともに、その際に使用した洗浄液を回収し、前記支持手段に支持された基板から前記マスク部材を離間させた状態で、前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給して第2の洗浄処理を施すとともに、その際に使用した洗浄液を回収する洗浄液回収カップとを備え、前記洗浄液回収カップは、前記支持手段を囲うように、かつ、第1の洗浄処理時と第2の洗浄処理時に前記マスク部材とともに基板を収容可能に構成され、前記メッキ液回収カップは、前記洗浄液回収カップを囲うようにその外周部側に配設されていることを特徴とするものである。
【0011】
(削除)
【0012】
また、請求項4に記載の基板メッキ装置は、請求項3に記載の基板メッキ装置において、前記メッキ液供給手段は、縦断面下向き凹状を呈したメッキ室を備えるとともに、前記マスク部材に対して相対昇降可能に構成され、メッキ処理の際には、前記メッキ室の下端部を前記マスク部材の上部に密着させた状態でメッキ液をメッキ室内に供給した後、前記メッキ室の下端部を前記マスク部材の上部から僅かに離間させるようにしたことを特徴とするものである。
【0013】
また、請求項5に記載の基板メッキ装置は、請求項4に記載の基板メッキ装置において、前記メッキ室は、メッキ液に対する親和性が高く形成された液誘導板をその下端部に備え、メッキ処理時に前記メッキ液回収カップへメッキ液を誘導することを特徴とするものである。
【0014】
また、請求項6に記載の基板メッキ装置は、請求項3ないし5のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記マスク部材は、メッキ液に対する親和性が低く形成された液切部をその端縁部に備え、メッキ処理時に前記メッキ液回収カップへメッキ液を誘導することを特徴とするものである。
【0015】
また、請求項7に記載の基板メッキ装置は、請求項3ないし6のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記支持手段および前記マスク部材は、鉛直軸周りに回転可能に構成されていることを特徴とするものである。
【0016】
また、請求項8に記載の基板メッキ装置は、請求項7に記載の基板メッキ装置において、前記支持手段および前記マスク部材は、第1の洗浄処理時に回転駆動されることを特徴とするものである。
【0017】
また、請求項9に記載の基板メッキ装置は、請求項7または8に記載の基板メッキ装置において、前記支持手段および前記マスク部材は、メッキ処理時に回転駆動されることを特徴とするものである。
【0018】
また、請求項10に記載の基板メッキ装置は、請求項7ないし9のいずれかに記載の基板メッキ装置において、前記支持手段および前記マスク部材は、第2の洗浄処理の後に回転駆動されて振り切り乾燥処理を行うことを特徴とするものである。
【0019】
【作用】
請求項1に記載の方法発明の作用は次のとおりである。
基板の処理面をメッキ工程でメッキするとともに、メッキ液をメッキ液回収カップに回収した後、第1の洗浄工程において洗浄液を供給して基板の処理面とマスク部材とを同時に洗浄するとともに、洗浄液を洗浄液回収カップに回収する。これによりマスク部材と基板の処理面との角部分に残った残留メッキ液を洗浄除去する。次に、第2の洗浄工程において、マスク部材を基板から取り外した状態で洗浄液を供給して、基板の処理面全体を洗浄するとともに、洗浄液を洗浄液回収カップに回収する。
【0020】
また、請求項2に記載の方法発明によれば、メッキ工程と、第1の洗浄工程と、第2の洗浄工程とを一体の装置内で実施するので洗浄処理のために装置外へ基板を搬送する必要がない。
【0021】
また、請求項3に記載の装置発明の作用は次のとおりである。
基板を支持手段で支持し、基板の処理面にマスク部材を取り付けた後、基板にメッキ液供給手段からメッキ液を供給してメッキ処理を施し、メッキ液をメッキ液回収カップに回収する。次に、洗浄液供給手段から洗浄液を供給して第1の洗浄処理を施し、基板の処理面とマスク部材とを同時に洗浄するとともに洗浄液を洗浄液回収カップに回収する。これによりマスク部材と基板の処理面との角部分に残った残留メッキ液を洗浄除去する。次に、マスク部材を基板の処理面から離間させた状態で洗浄液を供給して第2の洗浄処理を施し、基板の処理面全体を洗浄する。また、第1および第2の洗浄処理時にはマスク部材とともに基板を洗浄液回収カップに収容可能なので、第1および第2の洗浄処理時には洗浄液回収カップを支持手段に対して相対昇降するだけで洗浄液を回収できる。また、メッキ処理時にはメッキ液をメッキ液回収カップに回収できるので、同一装置内でメッキ処理と洗浄処理を実施できる。
【0022】
(削除)
【0023】
また、請求項4に記載の装置発明によれば、メッキ室をマスク部材に密着させた状態でメッキ液を供給してメッキ室内をメッキ液で満たし、その後、隙間からメッキ液を排出しながらメッキ処理を施すことにより、メッキ液の流れを発生させて活性度が高いメッキ液を供給できる。
【0024】
また、請求項5に記載の装置発明によれば、液誘導板によりメッキ液を誘導するので、メッキ液の漏れを防止できる。
【0025】
また、請求項6に記載の装置発明によれば、液切部によりメッキ液を誘導するので、メッキ液の漏れを防止できる。
【0026】
また、請求項7に記載の装置発明によれば、メッキ処理時に支持手段およびマスク部材を鉛直軸周りに回転させるとメッキ処理の均一性を高めることができ、第1および第2の洗浄処理時に回転させると清浄度を高めることができる。
【0027】
また、請求項8に記載の装置発明によれば、第1の洗浄処理時に支持手段及びマスク部材を回転させることにより、残留メッキ液の除去度合いを高めることができる。
【0028】
また、請求項9に記載の装置発明によれば、メッキ処理時に支持手段およびマスク部材を回転させることにより、メッキ処理の均一性を高めることができる。
【0029】
また、請求項10に記載の装置発明によれば、第2の洗浄処理後に支持手段およびマスク部材を回転させることにより、洗浄液を振り切って乾燥処理を行うことができる。
【0030】
【発明の実施の形態】
以下、図面を参照して本発明の一実施例を説明する。
図1は本発明に係る基板メッキ装置の概略構成を示した図であり、図2は基板の搬入時の状態を示す斜視図である。なお、図2では、図示の都合上メカチャックとサセプタを省略してある。
【0031】
処理の対象である基板Wは、メッキ処理を施すための処理面Wsを上向きにした状態でメカチャック1に水平姿勢で支持される。メカチャック1は、基板Wの下面周辺部と端縁の複数箇所に当接して基板Wを支持する。このメカチャック1は、スピンベース3に配設されている3本の支柱5の内側面に取り付けられている。
【0032】
スピンベース3は、下部の回転軸7が中空に形成されており、その外周側に配備された回転駆動系(図示省略)によって、図中に実線矢印で示すように鉛直軸周りにメカチャック1とともに回転可能に構成されている。また、昇降駆動系(図示省略)によりメカチャック1及び回転駆動系とともに昇降可能に構成されている。3本の支柱5の上部には、平面視環状のカソードリング9が配設されている。このカソードリング9は、その内周側に、基板Wの処理面Wsに当接する当接部9aを備えている。この当接部9aは、メッキ液が基板Wの処理面Wsのうち周辺部に浸入することを防止するとともに、スピンベース3の回転軸7を介して供給された負電圧を基板Wの処理面Wsに対して印加する。
【0033】
上述したスピンベース3は、昇降駆動系によって後述するように、
上位置(搬送待機時、スピンドライ時)
下位置(各種処理時)
の二段階の高さに昇降される。
【0034】
なお、上述したメカチャック1が本発明の支持手段に相当し、当接部9aがマスク部材に相当する。
【0035】
スピンベース3の内部には、回転軸7に沿って昇降可能に構成されたサセプタ11が配備されている。その上部には、メカチャック1とカソードリング9との間で基板Wを昇降させる際に基板Wを載置する載置部11aが形成されている。この載置部11aは、メカチャック1の下方に待機しており、所要時にはその位置とカソードリング9との間で昇降移動する。
【0036】
このサセプタ11は、後述するように、
メッキ処理高さ
カソードリング下面水洗高さ
待機高さ
チャック高さ
の四段階に昇降される。
【0037】
なお、サセプタ11も本発明における支持手段に相当する。
【0038】
スピンベース3の周囲には、メッキ液や洗浄液を回収するためのカップ13が配設されている。カップ13は、二重筒構造となっており、内側に洗浄液を回収するための洗浄液回収カップ15が配置され、このカップを囲う外側にメッキ液を回収するためのメッキ液回収カップ17が配置されている。内側の洗浄液回収カップ15は、後述する第1/第2の洗浄処理時に、カソードリング9と基板Wを収容可能な大きさの開口部を備えている。また、洗浄液回収カップ15は、高さ位置固定のメッキ液回収カップ17に対して昇降可能に構成されており、メッキ処理時にはメッキ液を回収するために図1の高さから下降するように構成されている。なお、洗浄液回収カップ15を位置固定としてメッキ液回収カップ17を昇降させるように構成してもよい。
【0039】
なお、上記の洗浄液回収カップ15は、
上位置(メッキ処理以外)
下位置(メッキ処理時)
の二段階に昇降される。
【0040】
スピンベース3の上方には、昇降可能に構成されたメッキ液供給部19が配備されている。このメッキ液供給部19は、図示しないメッキ液供給源から送られるメッキ液を、下向き凹状のメッキ室21内に貯留するとともに基板Wの処理面Wsにメッキ液を供給する。また、メッキ室21には、正電圧を印加するためのアノード電極23が配設されている。
【0041】
このメッキ室21は、後述するように五段階にわたって昇降される。
すなわち、トレー開閉高さ
待機高さ
メッキ液排出高さ
メッキ処理高さ
メッキ液充填高さ
である。
【0042】
なお、メッキ液供給部19が本発明のメッキ液供給手段に相当する。
【0043】
メッキ液供給部19の下部には、主としてメッキ液供給部19からの液滴落下を防止するためのトレー25が配備されている。このトレー25は図示しない移動機構により移動可能に構成されており、洗浄処理時などには図1に示す位置に移動し、メッキ処理時には図1中に点線で示す位置に退避する。また、トレー25の下面には、乾燥処理時に不活性ガス(例えば、N2 ガス)を噴射するためのガスノズル27が配設されている。
【0044】
カップ13の側方には、洗浄液(例えば、純水)を吐出するための洗浄ノズル29が配備されている。この洗浄ノズル29は、洗浄処理時にカップ13近辺の位置にまで移動可能になっている。
【0045】
なお、洗浄ノズル29が本発明の洗浄液供給手段に相当する。
【0046】
上述したカソードリング9とメッキ室21には、液処理のために図3(a)に示すような工夫が施してある。
すなわち、メッキ室21の下端部に、メッキ液Mに対して親和性が高い材料で形成された液誘導板21aが取り付けられている。この液誘導板21aは、下向き傾斜状を呈し、メッキ液Mがその下面を伝うように作用させるためのものである。これによりメッキ液Mが洗浄液回収カップ15を越えてメッキ液回収カップ17に導かれる。
【0047】
また、カソードリング9の外縁部に、メッキ液Mに対して親和性が低い材料で形成された液切部9bが形成されている。この液切部9bは、下向き傾斜状を呈し、メッキ液Mがその上面に付着しにくく弾かれるようになっている。これによってメッキ液Mが上述した液誘導板21a側に浮くように円滑に流れ、洗浄液回収カップ15に流れ込むことを防止することができる。
【0048】
なお、上記の液誘導板21aと液切部9bは、本発明装置にとって必須の構成要件ではなく、洗浄液とメッキ液の選択的回収に問題がなければ配備する必要はない。
【0049】
次に、図4ないし図13を参照して、上述した装置の動作について詳細に説明する。
【0050】
基板の搬入(図2及び図4参照)
まず、図示しない基板搬送機構により基板Wの処理面Wsを上向きにした姿勢で搬送し、基板Wを支柱5の間から搬入してスピンチャック1に載置する。なお、このときメッキ室21は待機高さにあってその下部がトレー25で閉止されており、洗浄液回収カップ15は、その上部開口がメッキ液回収カップ17とほぼ同じ高さ位置となる上位置にある。
【0051】
スピンベース下降(図5参照)
洗浄液回収カップ15の上部開口がメッキ液回収カップ17の上部開口より低くなるように洗浄液回収カップ15を下位置にまで下降させる。次にサセプタ11を待機高さからメッキ処理高さまで僅かに上昇させるとともに、カソードリング9が洗浄液回収カップ15の上部開口より僅かに高くなる位置となるようにスピンベース3を下位置に下降させる。これにより、サセプタ11に載置された基板Wがカソードリング9に密着されて基板Wが挟持される。さらに、メッキ室21をトレー開閉高さにまで上昇させた後、トレー25を側方の退避位置に退避させる。
【0052】
メッキ室下降・メッキ液充填(図6参照)
メッキ室21の下端部がカソードリング9の上面に密着するように、メッキ室21をメッキ液充填高さまで大きく下降させる。次いで、メッキ液M(図中にハッチングで示す)をメッキ室21に供給開始して、内部にメッキ液Mを充満させる。なお、このときには図示しないエア抜き弁を開放して、円滑にメッキ液Mが流入するようにしてある。
【0053】
メッキ室少し上昇(図7参照)
メッキ室21を僅かに上昇させてメッキ処理高さまで移動させ、メッキ室21の下端部とカソードリング9の間に隙間を開ける。これによりメッキ液Mが周囲に流出するが、図3(a)に示した液誘導板21と液切部9bとの作用により、メッキ液Mがメッキ液回収カップ17に導かれる。さらにカソードリング9とアノード電極23に通電するとともに、スピンベース3を回転駆動しながら所定時間だけ電解メッキを行う。このように回転駆動させることにより、活性度の高いメッキ液Mが処理面Wsに供給されるので、メッキ処理時における均一性を高めることができる。
【0054】
なお、この工程が本発明におけるメッキ工程に相当する。
【0055】
メッキ液供給停止,振り切り(図8,図9参照)
所定時間が経過した後、通電を停止するとともにメッキ室21に対するメッキ液Mの供給を停止し、エア抜き弁を開放した後、メッキ室21をメッキ液排出高さまで上昇させる。なお、スピンベース3の回転駆動は継続したままである。
【0056】
所定時間だけ液抜きを行った後、メッキ室21をトレー開閉高さに上昇させてトレー25でその下面を閉鎖した後、待機高さに下降させる。これとともにスピンベース3の回転数を振り切り回転数まで上昇させ、基板Wやカソードリング9に付着しているメッキ液を遠心力で振り切る。しかしながら、遠心力が加わる方向の関係上、カソードリング9の内側にはメッキ液が付着して残留する。
【0057】
スピンベース下降(図10参照)
振り切りを行った後、スピンベース3を下位置に下降させるとともに、洗浄液回収カップ15を上位置にまで上昇させてカソードリング9の上面を洗浄液回収カップ15の上部開口より低い位置に移動させる。
【0058】
洗浄液吐出(図10,図3(b)参照)
洗浄液ノズル29をカップ13の近辺に移動させた後、洗浄液(例えば、純水)を吐出させて基板Wの処理面Wsに洗浄液Cを供給する。この状態を拡大したのが図3(b)であるが、洗浄液Cは基板Wの処理面Wsを流れ、カソードリング9の内周部に付着している残留メッキ液を洗い流しつつ洗浄液回収カップ15に流入する。
【0059】
なお、この工程が本発明における第1の洗浄工程に相当する。
【0060】
サセプタ下降(図11,図3(c)参照)
サセプタ11をカソードリング下面水洗高さまで僅かに下降させて、基板Wの処理面Wsとカソードリング9との間に空間をとる。これにより基板Wの処理面Wsのうちのカソードリング9によりマスクされていた周辺部が露出し、この部分ごと洗浄液Cによって洗浄されるとともに、カソードリング9の下面にあたる当接部9aも洗浄される。この際には、先の工程である程度の洗浄が行われているので、残留メッキ液が基板Wの周辺部を通ってこの部分を汚染するような不都合は生じない。
【0061】
なお、この工程が本発明における第2の洗浄工程に相当する。
【0062】
サセプタ下降(図12参照)
サセプタ11をチャック高さまで下降させ、基板Wをメカチャック1に載置する。これにより基板Wの全体を洗浄する。次に、洗浄液Cの吐出を停止し、スピンベース3を高速回転させて軽く洗浄液を振り切る。
【0063】
スピンベース上昇,スピンドライ(図13参照)
上方に位置しているトレー25の直下となるように上位置までスピンベース3を上昇させ、ガスノズル27から不活性ガスを噴射させて、所定時間だけスピンドライを行う。これにより高速回転により除去できなかった液滴を乾燥して除去する。
【0064】
基板の搬出(図4参照)
不活性ガスの噴射およびスピンベース3の回転を停止させた後、上カップ21を待機高さまで上昇させてから基板Wを搬出する。
【0065】
なお、上記の一連の処理の流れを示したのが図14の工程図である。
【0066】
上記のような本実施例装置によれば、メッキ処理の後に洗浄液を供給して第1の洗浄処理を施すので、カソードリング9と基板Wの処理面Wsとの角部分に残った残留メッキ液を洗浄除去できる。次にカソードリング9を基板Wの処理面Wsから離間させた状態で洗浄液を供給して第2の洗浄処理を施し、処理面Wsの全体を清浄にするようにしたので、残留メッキ液による基板Wの汚染が防止できる。したがって、基板間の汚染である相互汚染を防止できるだけでなく、メッキ処理後の洗浄処理のために基板を別個の装置に搬送する必要もないので、搬送系の汚染も防止することができるようになっている。
【0067】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、例えば、次のように変形実施が可能である。
【0068】
(1)メッキ液供給手段としては、メッキ室21のような構成でなくノズル状の供給手段で基板Wの処理面Wsにメッキ液を供給する構成であってもよい。
【0069】
(2)洗浄液回収カップ15とメッキ液回収カップ17は、洗浄液とメッキ液を選択的に回収できれば上記のような構成に限定されず、種々の構成を採用できる。
【0070】
(3)上記の構成では、基板Wの処理面Wsを上方に向けた状態で処理するように構成されているが、その逆に処理面Wsを下方に向けて処理するようにしてもよい。
【0071】
【発明の効果】
以上の説明から明らかなように、請求項1に記載の方法発明によれば、メッキ工程でメッキするとともに、メッキ液をメッキ液回収カップに回収した後、第1の洗浄工程にて基板の処理面とマスク部材とを同時に洗浄して残留メッキ液を洗浄除去するとともに、洗浄液を洗浄液回収カップに回収する。次に、第2の洗浄工程にてマスク部材を取り外した状態で洗浄液を供給して処理面全体を清浄にするとともに、洗浄液を洗浄液回収カップに回収するようにしたので、残留メッキ液による基板の汚染が防止できる。したがって、基板間の汚染である相互汚染も防止でき、メッキ工程後に洗浄工程へ基板を搬送する必要もないので、搬送系の汚染も防止することができる。
【0072】
また、請求項2に記載の方法発明によれば、メッキ工程から第2の洗浄工程までを一体の装置内で実施するので、洗浄工程のために装置外へ基板を搬送する必要がない。したがって、搬送系の汚染を防止することができる。
【0073】
また、請求項3に記載の装置発明によれば、メッキ処理の後に洗浄液を供給して第1の洗浄処理を施すので、マスク部材と基板の処理面との角部分に残った残留メッキ液を洗浄除去できる。次にマスク部材を基板の処理面から離間させた状態で洗浄液を供給して第2の洗浄処理を施し、処理面全体を清浄にするようにしたので、残留メッキ液による基板の汚染が防止できる。したがって、相互汚染を防止できるだけでなく、メッキ処理後に洗浄処理のために基板を別個の装置に搬送する必要もないので、搬送系の汚染も防止することができ、請求項1に記載の方法発明を好適に実施することができる。また、第1および第2の洗浄処理時にはマスク部材とともに基板を洗浄液回収カップに収容可能なので、第1および第2の洗浄処理時には洗浄液回収カップを支持手段に対して相対昇降するだけで洗 浄液を回収できる。また、メッキ処理時にはメッキ液をメッキ液回収カップに回収できるので、同一装置内でメッキ処理と洗浄処理を実施できる。
【0074】
(削除)
【0075】
また、請求項4に記載の装置発明によれば、メッキ処理時にメッキ液の流れを発生させて活性度が高いメッキ液を供給でき、メッキ処理を効率的に施すことができる。
【0076】
また、請求項5に記載の装置発明によれば、液誘導板により回収時におけるメッキ液の漏れを防止できる。
【0077】
また、請求項6に記載の装置発明によれば、液切部により回収時におけるメッキ液の漏れを防止できる。
【0078】
また、請求項7に記載の装置発明によれば、回転を加えることによりメッキ処理時にはメッキ処理の均一性を高めることができ、第1および第2の洗浄処理時には清浄度を高めることができる。
【0079】
また、請求項8に記載の装置発明によれば、回転駆動により第1の洗浄処理時における残留メッキ液の除去度合いを高めることができる。
【0080】
また、請求項9に記載の装置発明によれば、回転駆動によりメッキ処理時における均一性を高めることができる。
【0081】
また、請求項10に記載の装置発明によれば、回転駆動により振り切り乾燥処理を行うことができ、メッキ処理と、第1/第2の洗浄処理と、乾燥処理とを同一装置内で実施できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す図である。
【図2】 基板の搬入時の状態を示す斜視図である。
【図3】 メッキ処理時におけるメッキ液の流れ及び洗浄処理時における洗浄液の流れを示す図である。
【図4】 基板搬入時の状態を示す図である。
【図5】 メッキ処理の説明に供する図である。
【図6】 メッキ処理の説明に供する図である。
【図7】 メッキ処理の説明に供する図である。
【図8】 メッキ処理の説明に供する図である。
【図9】 メッキ処理の説明に供する図である。
【図10】 洗浄処理の説明に供する図である。
【図11】 洗浄処理の説明に供する図である。
【図12】 洗浄処理の説明に供する図である。
【図13】 乾燥処理の説明に供する図である。
【図14】 基板に対する一連の処理を示した工程図である。
【符号の説明】
W … 基板
Ws … 処理面
1 … メカチャック(支持手段)
3 … スピンベース
9 … カソードリング
9a … 当接部(マスク部材)
9b … 液切部
11 … サセプタ(支持手段)
13 … カップ
15 … 洗浄液回収カップ
17 … メッキ液回収カップ
19 … メッキ液供給部(メッキ液供給手段)
21 … メッキ室
21a … 液誘導板
25 … トレー
29 … 洗浄ノズル(洗浄液供給手段)
Claims (10)
- 基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ方法であって、
基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で、処理面にメッキ液を供給してメッキを施すとともに、その際に使用したメッキ液を、基板の周囲に配置され、かつ、洗浄液を回収するための洗浄液回収カップを囲うようにその外周側に配設されたメッキ液回収カップに回収するメッキ工程と、
洗浄液を供給して基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で基板の処理面とマスク部材を洗浄するとともに、その際に使用した洗浄液を基板の周囲に配置された洗浄液回収カップに回収する第1の洗浄工程と、
基板の処理面からマスク部材を離間させた状態で、洗浄液を供給して基板を洗浄するとともに、その際に使用した洗浄液を基板の周囲に配置された洗浄液回収カップに回収する第2の洗浄工程と、
を含むことを特徴とする基板メッキ方法。 - 請求項1に記載の基板メッキ方法において、
前記メッキ工程と、前記第1の洗浄工程と、前記第2の洗浄工程とが一体の装置内にて実施されることを特徴とする基板メッキ方法。 - 基板の処理面にメッキ処理を施すための基板メッキ装置において、
基板を支持する支持手段と、
基板の処理面のうち周辺部をマスクするマスク部材と、
前記支持手段に支持された基板に前記マスク部材を密着させた状態で、前記支持手段に支持された基板の処理面に対してメッキ液を供給してメッキ処理を施すメッキ液供給手段と、
前記支持手段に支持された基板の処理面に対して洗浄液を供給する洗浄液供給手段と、
前記支持手段の周囲に配設され、メッキ処理の際に前記メッキ液供給手段から基板に供給されたメッキ液を回収するメッキ液回収カップと、
前記メッキ液回収カップに付設され、基板の処理面のうち周辺部をマスク部材でマスクした状態で前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給して、基板の処理面とマスク部材とを洗浄する第1の洗浄処理を施すとともに、その際に使用した洗浄液を回収し、前記支持手段に支持された基板から前記マスク部材を離間させた状態で、前記洗浄液供給手段から洗浄液を供給して第2の洗浄処理を施すとともに、その際に使用した洗浄液を回収する洗浄液回収カップとを備え、
前記洗浄液回収カップは、前記支持手段を囲うように、かつ、第1の洗浄処理時と第2の洗浄処理時に前記マスク部材とともに基板を収容可能に構成され、
前記メッキ液回収カップは、前記洗浄液回収カップを囲うようにその外周部側に配設されていることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項3に記載の基板メッキ装置において、
前記メッキ液供給手段は、縦断面下向き凹状を呈したメッキ室を備えるとともに、前記マスク部材に対して相対昇降可能に構成され、
メッキ処理の際には、前記メッキ室の下端部を前記マスク部材の上部に密着させた状態でメッキ液をメッキ室内に供給した後、前記メッキ室の下端部を前記マスク部材の上部から僅かに離間させるようにしたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項4に記載の基板メッキ装置において、
前記メッキ室は、メッキ液に対する親和性が高く形成された液誘導板をその下端部に備え、メッキ処理時に前記メッキ液回収カップへメッキ液を誘導することを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項3ないし5のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記マスク部材は、メッキ液に対する親和性が低く形成された液切部をその端縁部に備え、メッキ処理時に前記メッキ液回収カップへメッキ液を誘導することを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項3ないし6のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記支持手段および前記マスク部材は、鉛直軸周りに回転可能に構成されていることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項7に記載の基板メッキ装置において、
前記支持手段および前記マスク部材は、第1の洗浄処理時に回転駆動されることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項7または8に記載の基板メッキ装置において、
前記支持手段および前記マスク部材は、メッキ処理時に回転駆動されることを特徴とする基板メッキ装置。 - 請求項7ないし9のいずれかに記載の基板メッキ装置において、
前記支持手段および前記マスク部材は、第2の洗浄処理の後に回転駆動されて振り切り乾燥処理を行うことを特徴とする基板メッキ装置。
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