JP2000021841A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液のミストの基板への再付着、乾燥処理
のスループットの低下、ウォーターマークの発生などを
防止する。 【解決手段】 スピンチャック１を液処理高さＷＨに配
置して、スピンチャック１に保持された基板Ｗの周囲に
カップ２を配置させた状態で、基板Ｗを保持したスピン
チャック１を回転させつつノズル３や処理液供給口１７
ａから処理液を基板Ｗに供給して処理液による液処理を
行う。基板Ｗへの処理液の供給を停止した後、スピンチ
ャック１を乾燥処理高さＤＨに上昇させてカップ２の上
端２ａよりも上方の位置に基板Ｗを配置させ、その状態
で基板Ｗを保持したスピンチャック１を高速回転させて
基板Ｗを乾燥する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板、フォトマスク用のガラス基
板、光ディスク用の基板などの基板に対して、洗浄液に
よる洗浄処理などの液処理とその後の基板の乾燥処理と
を行う基板処理方法及び基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板処理装置は、回転可
能に基板を保持するスピンチャックや、スピンチャック
に保持された基板に洗浄液などの処理液を供給するノズ
ル、スピンチャックに保持された基板の周囲に配置され
るカップやスプラッシュガードなどの回収部材などを備
えている。

【０００３】回収部材の上端部には、気体を回収部材内
に導入したり、回収部材に対して基板を出し入れしたり
するための開口が形成され、下部には処理液回収路が設
けられている。

【０００４】そして、洗浄液による洗浄処理などの液処
理とその後の基板の乾燥処理とを含む基板処理方法は、
従来、以下のように行われている。

【０００５】すなわち、スピンチャックに保持された基
板の周囲に回収部材を配置させた状態で、基板を保持し
たスピンチャックを回転させつつ、ノズルから基板に処
理液を供給して処理液による液処理が行われる。このと
き、基板の回転に伴って基板の周縁部から飛散される処
理液は、回収部材で受け止められて回収され、処理液回
収路を介して排出される。

【０００６】上記液処理は所定時間行われる。なお、例
えば、薬液による液処理（薬液洗浄処理）と純水による
液処理（リンス処理）を行う場合のように、複数種類の
処理液による液処理を連続して行う場合には、各処理液
による液処理は、スピンチャックに保持された基板の周
囲に回収部材を配置させた状態で、基板を保持したスピ
ンチャックを回転させつつ、ノズルから基板に供給する
処理液を切り換えて行う。

【０００７】そして、最後の液処理を所定時間行うと、
ノズルから基板への処理液の供給を停止し、スピンチャ
ックに保持された基板の周囲に回収部材を配置させた状
態のまま、基板を保持したスピンチャックの回転を継続
して基板の乾燥処理が行われる。なお、ノズルから基板
への処理液の供給停止後の乾燥処理の初期段階で、基板
に残留している処理液の大部分は基板の周縁部から飛散
され、回収部材で受け止められて回収されるが、この段
階では、基板には分子レベルで液滴が残留した湿った状
態であるので、基板が完全に乾燥するのに十分な時間、
基板を回転しての乾燥処理が行われる。また、基板の乾
燥を十分に行うために、通常、乾燥処理は、液処理時よ
りもスピンチャック（基板）を高速回転させて行われ
る。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板処理方法では、スピンチャックに保持された基板の
周囲に回収部材を配置させた状態で、液処理に引き続き
乾燥処理を行うことに起因して以下のような不都合があ
る。

【０００９】すなわち、回収部材内には、液処理や乾燥
処理の初期段階で基板から飛散された処理液がミスト化
して浮遊している。このミストには、液処理によって基
板から洗い流されたゴミなどが含まれることがあり、ま
た、液処理で薬液を用いる場合には、薬液がミストに含
まれることもある。一方で、スピンチャック（基板）を
高速回転させて基板を乾燥させているときに、スピンチ
ャックや基板の周囲に大きな気流が形成され、この気流
によってミストが基板側に運ばれて、基板が完全に乾燥
するまでの間に基板に再付着することがある。この基板
に再付着するミストにゴミや薬液が含まれていると、デ
バイス不良の原因になるという問題がある。

【００１０】また、回収部材で受け止めた処理液が回収
部材に残留しているとその部分に湿った空気が滞留し易
くなる。基板の周囲に回収部材を配置されたまま乾燥処
理を行うと、基板の中心部に比べて周縁部は、湿った雰
囲気で乾燥を行うことになり、基板全体として乾燥処理
が不均一となり、基板全体を完全に乾燥させる時間が長
くなり、スループットの低下を招いている。さらに、基
板全体における乾燥時間のバラツキが大きいと、乾燥後
の基板にウォーターマークが発生するという問題もあ
る。

【００１１】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、ミスト化した処理液の基板への再付着
や、乾燥処理のスループットの低下、ウォーターマーク
の発生などを防止して、液処理とその後の乾燥処理を含
む基板処理を良好に行うことができる基板処理方法及び
基板処理装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板に対して所定の処理
を行う基板処理方法において、基板から飛散される処理
液を受け止めて回収する回収部材を基板の周囲に配置さ
せた状態で、基板を回転させつつ処理液を基板に供給し
て処理液による液処理を行う液処理工程と、基板への処
理液の供給を停止した後、基板と前記回収部材とを相対
的に昇降させて前記回収部材の上端よりも上方の位置に
基板を配置させ、その状態で基板を回転させて基板を乾
燥する乾燥工程と、を含むことを特徴とするものであ
る。

【００１３】請求項２に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板処理方法において、基板と前記回収部材との
相対的な昇降を、基板への処理液の供給停止から所定時
間経過した時点で開始し、少なくとも、基板への処理液
の供給停止から基板と前記回収部材との相対的な昇降の
開始までの間、基板を回転させることを特徴とするもの
である。

【００１４】請求項３に記載の発明は、上記請求項１ま
たは２に記載の基板処理方法において、回転可能なスピ
ンベースに設けられた基板保持部材によって前記スピン
ベースの上面から上方に離間されて基板が保持された状
態で前記液処理工程と前記乾燥工程とを行い、前記乾燥
工程は、前記回収部材の上端部に形成された開口に前記
スピンベースが配置され、かつ、前記基板保持部材に保
持された基板が前記回収部材の上端よりも上方の位置に
配置された状態で基板を回転させて行うことを特徴とす
るものである。

【００１５】請求項４に記載の発明は、基板に対して所
定の処理を行う基板処理装置において、基板を保持する
基板保持手段と、前記基板保持手段を回転させる回転手
段と、前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供
給する処理液供給手段と、前記基板保持手段に保持され
た基板の周囲に配置された状態で、基板から飛散される
処理液を受け止めて回収する回収部材と、前記基板保持
手段と前記回収部材とを相対的に昇降させる昇降手段
と、前記回収部材を基板の周囲に配置させた状態で、前
記回転手段により基板を保持した前記基板保持手段を回
転させつつ前記処理液供給手段から処理液を基板に供給
させて処理液による液処理を行うとともに、前記処理液
供給手段から基板への処理液の供給を停止させた後、前
記昇降手段により基板を保持した前記基板保持手段と前
記回収部材とを相対的に昇降させて前記回収部材の上端
よりも上方の位置に基板を配置させ、その状態で前記回
転手段により基板を保持した前記基板保持手段を回転さ
せて基板を乾燥させる制御手段と、を備えたことを特徴
とするものである。

【００１６】請求項５に記載の発明は、上記請求項４に
記載の基板処理装置において、前記制御手段は、基板へ
の処理液の供給停止から所定時間経過した時点で、前記
昇降手段による前記基板保持手段と前記回収部材との相
対的な昇降を開始し、少なくとも、基板への処理液の供
給停止から前記基板保持手段と前記回収部材との相対的
な昇降の開始までの間、前記回転手段により基板を保持
した前記基板保持手段を回転させることを特徴とするも
のである。

【００１７】請求項６に記載の発明は、上記請求項４ま
たは５に記載の基板処理装置において、前記基板保持手
段は、前記回転手段により回転されるスピンベースと、
前記スピンベースに設けられ、前記スピンベースの上面
から上方に離間させて基板を保持する基板保持部材と、
を備えており、前記制御手段は、昇降手段により前記回
収部材の上端部に形成された開口に前記スピンベースを
配置させ、かつ、前記基板保持手段に保持された基板を
前記回収部材の上端よりも上方の位置に配置させた状態
で前記回転手段により基板を保持した前記基板保持手段
を回転させて基板を乾燥させることを特徴とするもので
ある。

【００１８】

【作用】請求項１に記載の発明に係る基板処理方法の作
用は次のとおりである。すなわち、液処理工程では、基
板から飛散される処理液を受け止めて回収する回収部材
を基板の周囲に配置させた状態で、基板を回転させつつ
処理液を基板に供給して処理液による液処理を行う。な
お、複数種類の処理液を用いた液処理を行う場合には、
回収部材を基板の周囲に配置させた状態で、基板を回転
させつつ基板に供給する処理液を切換えることで行われ
る。

【００１９】そして、最後の液処理を終えて、基板への
処理液の供給を停止した後、基板と回収部材とを相対的
に昇降させて回収部材の上端よりも上方の位置に基板を
配置させ、その状態で基板を回転させて基板を乾燥する
乾燥工程が行われる。

【００２０】請求項２に記載の発明に係る基板処理方法
によれば、基板と回収部材との相対的な昇降を、基板へ
の処理液の供給停止から所定時間経過した時点で開始
し、少なくとも、基板への処理液の供給停止から基板と
回収部材との相対的な昇降の開始までの間、基板を回転
させて、回収部材が基板の周囲に配置された状態で、基
板への処理液の供給停止後に基板に残留している処理液
の大部分を基板から飛散させて除去する粗乾燥を行う。
そして、粗乾燥後の湿った状態の基板を完全に乾燥させ
る仕上げ乾燥を、回収部材の上端よりも上方の位置に基
板を配置させた状態で基板を回転させて行う。

【００２１】請求項３に記載の発明に係る基板処理方法
によれば、回転可能なスピンベースに設けられた基板保
持部材によってスピンベースの上面から上方に離間され
て基板が保持された状態で液処理工程と乾燥工程とを行
う。そして、請求項１、２に記載の基板処理方法の乾燥
工程では、回収部材の上端部に形成された開口にスピン
ベースが配置され、かつ、基板保持部材に保持された基
板が回収部材の上端よりも上方の位置に配置された状態
で基板を回転させて基板を乾燥させる。回収部材の上端
部に形成された開口にスピンベースを配置させること
で、その開口がスピンベースによって塞がれ、回収部材
内の雰囲気と遮断された状態で基板を乾燥させることが
できる。

【００２２】請求項４に記載の発明に係る基板処理装置
は、請求項１に記載の基板処理方法を好適に実施する装
置であり、その作用は次のとおりである。

【００２３】すなわち、制御手段は、昇降手段により回
収部材を基板の周囲に配置させた状態で、回転手段によ
り基板を保持した基板保持手段を回転させつつ処理液供
給手段から処理液を基板に供給させて処理液による液処
理を行う。そして、制御手段は、最後の液処理を終え
て、処理液供給手段から基板への処理液の供給を停止さ
せた後、昇降手段により基板を保持した基板保持手段と
回収部材とを相対的に昇降させて、回収部材の上端より
も上方の位置に基板を配置させ、その状態で回転手段に
より基板を保持した基板保持手段を回転させて基板を乾
燥させる。

【００２４】請求項５に記載の発明に係る基板処理装置
は、請求項２に記載の基板処理方法を好適に実施する装
置であり、制御手段は、処理液供給手段から基板への処
理液の供給停止から所定時間経過した時点で、昇降手段
による基板保持手段と回収部材との相対的な昇降を開始
し、少なくとも、基板への処理液の供給停止から基板保
持手段と回収部材との相対的な昇降の開始までの間、回
転手段により基板を保持した基板保持手段を回転させて
粗乾燥を行う。そして、粗乾燥後の湿った状態の基板を
完全に乾燥させる仕上げ乾燥を、回収部材の上端よりも
上方の位置に基板を配置させた状態で基板保持手段を回
転させて行う。

【００２５】請求項６に記載の基板処理装置は、請求項
３に記載の基板処理方法を好適に実施する装置であり、
回転手段により回転されるスピンベースに設けられた基
板保持部材によってスピンベースの上面から上方に離間
されて基板が保持された状態で液処理や乾燥処理を行
う。そして、制御手段は、昇降手段により回収部材の上
端部に形成された開口にスピンベースを配置させ、か
つ、基板保持手段に保持された基板を回収部材の上端よ
りも上方の位置に配置させた状態で回転手段により基板
を保持した基板保持手段を回転させて基板を乾燥させ
る。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明の第１実施例に係る
基板処理装置の構成を示す全体縦断面図である。

【００２７】この第１実施例装置は、回転可能に基板Ｗ
を保持するスピンチャック１や、回収部材に相当するカ
ップ２、スピンチャック１に保持された基板Ｗの上面
（通常は表面）に処理液を供給するノズル３などがチャ
ンバ４内に設けられている。

【００２８】スピンチャック１は、回転手段に相当する
電動モーター１１によって鉛直方向の軸芯Ｊ周りで回転
される回転軸１２の上端部に円板状のスピンベース１３
が一体回転可能に連結されている。電動モーター１１
は、回転速度を適宜に変更することが可能である。

【００２９】このスピンベース１３の上面には、３個以
上の基板保持部材１４が設けられている。なお、図１及
び以下の各図では、図面が煩雑になるのを避けるため
に、１個の基板保持部材１４のみを示している。

【００３０】各基板処理部材１４は、スピンベース１３
の上面から隔てて基板Ｗの外周部を支持する支持部１４
ａと支持部１４ａに支持された基板Ｗの外周端縁を押圧
して保持する保持部１４ｂとを備えている。これら基板
保持部材１４により基板Ｗはスピンベース１３の上面か
ら隔てて保持される。なお、各保持部１４ｂは、基板Ｗ
の外周端縁を押圧して保持する状態と、基板Ｗの外周端
縁から離れて保持を解除する状態とで切り換え可能であ
る。

【００３１】電動モーター１１を含む回転ユニット部１
５は、ボールネジなどの周知の１軸方向駆動機構で構成
される昇降手段に相当する昇降機構１６によって昇降さ
れ、これによって、固定されたカップ２に対してスピン
チャック１が回転状態でも昇降できる。

【００３２】スピンチャック１の昇降は、保持する基板
Ｗをカップ２の中に収容して液処理する位置に配置する
液処理高さＷＨと、保持する基板Ｗをカップ２の上端２
ａよりも上方の位置に配置して基板Ｗを乾燥させる乾燥
処理高さＤＨと、本装置に対する基板Ｗの搬入搬出を行
う図示しない基板搬送装置との間で基板Ｗの受け渡しを
行う基板受け渡し高さＨＨの３段階の高さ位置の間で行
える。なお、基板搬送装置との間での基板Ｗの受け渡し
を乾燥処理高さＤＨで行うように構成してもよく、その
場合には、スピンチャック１の昇降は、上記液処理高さ
ＷＨと乾燥処理高さＤＨの２段階の高さ位置の間で行わ
れる。

【００３３】回転軸１２は筒状の部材で構成され、その
中空部には、処理液供給管１７が貫通されている。この
処理液供給管１７の上端部の処理液供給口１７ａから、
スピンチャック１に保持された基板Ｗの下面（通常は裏
面）に処理液を供給して液処理が行える。また、回転軸
１２の内壁面と処理液供給管１７の外壁面との間の円筒
状の空間は、気体供給路１８になっており、その上端部
の気体供給口１８ａからスピンチャック１の上面と保持
された基板Ｗの下面との間の空間１９に、窒素ガスなど
の不活性ガスやドライエアなどの気体が供給できる。

【００３４】処理液供給管１７には、管１７ｂなどを介
して処理液供給部３１から処理液が供給される。処理液
供給口１７ａから基板Ｗの下面への処理液の供給と停止
は、電磁開閉弁１７ｃの開閉制御により行われる。ま
た、例えば、薬液による液処理（薬液洗浄処理）と純水
による液処理（リンス処理）とをこの装置で行う場合の
ように、複数種類の処理液を基板Ｗに供給する場合に
は、処理液供給部３１は、処理液供給管１７（基板Ｗの
下面）への各処理液の供給を選択的に行える。

【００３５】気体供給路１８には、管１８ｂなどを介し
て気体供給部３２から気体が供給される。気体供給口１
８ａから空間１９への気体の供給と停止は、電磁開閉弁
１８ｃの開閉制御により行われる。

【００３６】カップ２の上端部には気体をカップ２内に
導入したり、カップ２に対して基板Ｗを出し入れしたり
するための開口２１が形成されている。この開口２１
は、基板Ｗを保持したスピンチャック１が通過できるよ
うに、スピンベース１３よりも若干大きく形成されてい
る。チャンバ４の上部も開口されている。この装置が設
置されるクリーンルーム内のダウンフローの清浄な気流
が、チャンバ４の上部開口からチャンバ４内に導入さ
れ、チャンバ４内に導入されたダウンフローの気流が、
さらに、開口２１からカップ２内に導入される。なお、
チャンバ４の下部には図示しない気体排出路が設けら
れ、チャンバ４内に導入された気体のうち、カップ２に
導入されなかった気体はその気体排出路から排出され
る。

【００３７】カップ２の下部には気体排出路２２と処理
液回収口２３とが設けられている。開口２１からカップ
２内に導入された気体は気体排出路２２から排出され
る。また、カップ２が基板Ｗの周囲に配置された状態で
液処理などを行う際に、基板Ｗから飛散された処理液
は、カップ２の内壁面で受け止められて、処理液回収口
２３に回収される。

【００３８】カップ２の下方には、処理液回収口２３に
対向するリング状の樋溝２４ａを有する略円盤状の樋部
材２４が、回転軸１２を包囲する保護筒２５に回動自在
に取り付けられている。樋溝２４ａの底部の所定の一箇
所には、処理液流下口２４ｂが形成されている。また、
樋部材２４の外周にはリングギア２６が固定されてお
り、このリングギア２６には、モーター２７の駆動軸に
取り付けられた駆動ギア２８が歯合している。樋部材２
４のさらに下方には、複数種類の処理液を個別に回収す
るための複数（図では２つ）の処理液回収ドレイン２９
₁ 、２９₂ 、…が設けられている。

【００３９】モーター２７を駆動して、樋部材２４の処
理液流下口２４ｂを、所望の処理液回収ドレイン２
９₁ 、２９₂ 、…の上方に選択的に位置させることで、
複数種類の処理液を用いて液処理を行った場合に、カッ
プ２、処理液回収口２３、樋部材２４で回収した処理液
を処理液回収ドレイン２９₁ または２９₂ で回収経路を
切り換えて、各液処理に用いた後の各種類の処理液を分
離回収することができる。

【００４０】ノズル３には、管３３を介して上述した処
理液供給部３１から処理液が供給される。ノズル３から
基板Ｗの上面への処理液の供給と停止は、電磁開閉弁３
４の開閉制御により行われる。

【００４１】図２は本実施例の制御系の構成を示すブロ
ック図である。電動モーター１１によるスピンチャック
１の回転制御や、昇降機構１６によるスピンチャック１
の昇降制御、処理液供給部３１から供給される処理液の
種類の切換え制御、電磁開閉弁３４、１７ｃの開閉によ
る基板Ｗへの処理液の供給とその停止の制御、スピンチ
ャック１（保持部１４ｂ）による基板Ｗの保持とその解
除の制御、モーター２７による処理液回収経路の切換え
制御、電磁開閉弁１８ｃの開閉による空間１９への気体
の供給とその停止の制御などは、コントローラー５によ
り行われる。このコントローラー５は、ＣＰＵやメモリ
などを備えたコンピューターで構成されている。

【００４２】次に、上記構成を有する実施例装置の動作
を図３に示すタイミングチャートを参照して説明する。

【００４３】なお、ここでは、薬液による薬液洗浄処
理、純水によるリンス処理、乾燥処理を行う場合につい
て説明する。

【００４４】まず、コントローラー５は、昇降機構１６
によりスピンチャック１を基板受け渡し高さＨＨに位置
させ、そこで、基板搬送装置によって装置に搬入された
未処理の基板Ｗをスピンチャック１に受け取り、受け取
った基板Ｗをスピンチャック１に保持させる。

【００４５】次に、コントローラー５は、昇降機構１６
により基板Ｗを保持したスピンチャック１を液処理高さ
ＷＨまで下降させて、スピンチャック１及びそれによっ
て保持された基板Ｗをカップ２内に収容する。また、コ
ントローラー５は、モーター２７により薬液回収用の処
理液回収ドレイン（ここでは２９₁ ）の上方に、樋部材
２４の処理液流下口２４ｂを配置させる。

【００４６】そして、スピンチャック１に保持された基
板Ｗの周囲にカップ２が配置された状態で、コントロー
ラー５は、電動モーター１１により基板Ｗを保持したス
ピンチャック１を回転させつつノズル３または／および
処理液供給口１７ａから処理液（薬液）を基板Ｗの上面
または／および下面に供給させて、薬液による洗浄処理
を行う。このとき、基板Ｗの回転に伴って基板Ｗの周縁
部から飛散される薬液は、カップ２の内壁面で受け止め
られて、処理液回収口２３、樋部材２４、薬液回収用の
処理液回収ドレイン２９₁ を介して回収される。回収さ
れた薬液は再利用のために、処理液供給部３１内の図示
しない薬液貯留タンクに戻される。

【００４７】上記薬液洗浄処理を所定時間行うと、コン
トローラー５は、モーター２７により純水回収用の処理
液回収ドレイン（ここでは２９₂ ）の上方に、樋部材２
４の処理液流下口２４ｂを配置させるとともに、スピン
チャック１の回転を継続しつつ、ノズル３または／およ
び処理液供給口１７ａから基板Ｗの上面または／および
下面に供給する処理液を薬液から純水に切り換えてリン
ス処理が行われる。このリンス処理の際に、基板Ｗの周
縁部から飛散される純水は、カップ２の内壁面で受け止
められて、処理液回収口２３、樋部材２４、純水回収用
の処理液回収ドレイン２９₂ を介して、薬液と分離して
回収される。回収された純水は廃棄される。

【００４８】上記リンス処理を所定時間行うと、コント
ローラー５は、ノズル３または／および処理液供給口１
７ａから基板Ｗの上面または／および下面への純水の供
給を停止させる。そして、スピンチャック１の回転を継
続しつつ、基板Ｗへの純水の供給停止から所定時間ｔｐ
ｄが経過した時点で昇降機構１６により基板Ｗを保持し
たスピンチャック１の乾燥処理高さＤＨへの上昇を開始
し、スピンチャック１が乾燥処理高さＤＨに上昇され、
スピンチャック１に保持された基板Ｗがカップ２の上端
２ａよりも上方に配置された状態で、スピンチャック１
（基板Ｗ）を高速回転させて基板Ｗを乾燥する。

【００４９】所定の乾燥時間が経過すると、コントロー
ラー５は、スピンチャック１の回転を停止させ、昇降機
構１６によりスピンチャック１を基板受け渡し高さＨＨ
に上昇させ、そこで、処理済の基板Ｗがスピンチャック
１から基板搬送装置に受け渡され、装置外に搬出され
る。

【００５０】なお、薬液洗浄処理または／およびリンス
処理または／および乾燥処理の間、必要に応じて空間１
９に気体が供給される。

【００５１】上記基板処理方法によれば、基板Ｗへの純
水の供給停止から所定時間ｔｐｄ経過した時点でスピン
チャック１の上昇を開始し、基板Ｗへの純水の供給停止
からスピンチャック１の上昇の開始までの間、基板Ｗを
回転させているので、カップ２が基板Ｗの周囲に配置さ
れた状態で、基板Ｗへの純水の供給停止後に基板Ｗに残
留している純水の大部分を基板Ｗから飛散させて粗乾燥
を行い、その粗乾燥後の湿った状態の基板Ｗを完全に乾
燥させる仕上げ乾燥を、カップ２の上端２ａよりも上方
の位置に基板Ｗを配置させた状態で行うことができ、基
板Ｗへの純水の供給を停止させた後に基板Ｗに残留して
いる純水をカップ２、処理液回収口２３、樋部材２４、
処理液回収ドレイン２９₂ を介して回収し、カップ２の
外側に純水をまき散らすことが防止できる。なお、上記
所定時間ｔｐｄは、基板Ｗへの純水の供給停止後に基板
Ｗに残留している純水の大部分を基板Ｗから飛散させる
だけの時間であり、比較的短時間である。

【００５２】また、カップ２の上端２ａよりも上方の位
置に基板Ｗを配置させた状態で仕上げ乾燥を行うので、
カップ２内に薬液や純水などの処理液がミスト化して浮
遊していても、カップ２の上端２ａよりも上方の位置に
配置させて仕上げ乾燥処理している基板Ｗに処理液のミ
ストが飛来して再付着することが防止できる。

【００５３】また、湿った空気が滞留し易いカップ２か
ら離れたカップ２の上方で乾燥（仕上げ乾燥）を行うの
で、湿った雰囲気にさらさせることなく基板Ｗ全体を均
一な雰囲気で乾燥（仕上げ乾燥）を行うことができ、基
板Ｗ全体を完全に乾燥させる時間を従来よりも短縮で
き、スループットを向上させることができるとともに、
ウォーターマークの発生も防止できる。さらに、本実施
例では、基板Ｗの上面全体にダウンフローの清浄な気体
が均一に供給された状態で、乾燥（仕上げ乾燥）を行う
ので、基板Ｗ全体を完全に乾燥させる時間の一層の短縮
が図れ、スループットをさらに向上でき、ウォーターマ
ークの発生もより確実に防止できる。

【００５４】また、図１に示すように、本実施例では、
乾燥処理高さＤＨを、スピンベース１３の上面がカップ
２の上端２ａと同じ高さ位置に配置するように設定して
いるので、開口２１がスピンベース１３によって塞が
れ、カップ２内の雰囲気と遮断された状態で仕上げ乾燥
を行うことができ、カップ２内に浮遊している処理液の
ミストが基板Ｗに飛来して再付着することをより確実に
防止することができる。

【００５５】なお、乾燥処理高さＤＨは、スピンベース
１３の上面とカップ２の上端２ａとが同じ高さになる高
さに限らず、スピンチャック１に保持された基板Ｗがカ
ップ２の上端２ａよりも上方に配置される高さであれば
よい。従って、スピンベース１３全体がカップ２の上端
２ａよりも上方に配置される高さであってもよい。ただ
し、スピンベース１３が開口２１に配置され、かつ、ス
ピンチャック１に保持された基板Ｗがカップ２の上端２
ａよりも上方に配置される高さにすることで、上述した
ような効果が得られる。従って、図１に示す高さや、あ
るいは、スピンベース１３の上面がカップ２の上端２ａ
よりも若干上方または下方に配置される高さを乾燥処理
高さＤＨとすることが好ましい。

【００５６】上記第１実施例では、複数種類の処理液を
用いて液処理を行った場合に、各液処理に用いた後の各
種類の処理液を分離回収することができるように構成し
たが、図４に示すように、液処理に用いた後の処理液を
１つの処理液回収ドレイン２９で回収するように構成さ
れた基板処理装置であっても本発明に係る基板処理方法
は同様に適用することができる。図４に示す装置は、例
えば、１種類の処理液（例えば純水）による液処理と乾
燥処理を行う場合や、複数種類の処理液を用いて液処理
を行うが、各液処理に用いた後の各種類の処理液を分離
回収する必要がない場合などに用いることができる。

【００５７】次に、本発明の第２実施例に係る基板処理
装置を図５を参照して説明する。なお、この第２実施例
において、第１実施例と共通している部分は、図１と同
一符号を付して必要以外はその説明は省略する。

【００５８】この第２実施例装置は、薬液洗浄処理、リ
ンス処理、乾燥処理を行って、処理に使用された後の薬
液と純水とを高精度に分離回収できるように構成された
装置であり、スピンチャック１や、回収部材に相当する
処理液回収部材４０及びスプラッシュガード５０などが
チャンバ６内に設けられ、上部雰囲気遮断部材６０も備
えられている。

【００５９】処理液回収部材４０は、略有底円筒形状の
容器であり、底面には円筒状の仕切り部材４１が上方に
向けて突出して形成されている。これにより、仕切り部
材４１と処理液回収部材４０の側壁４２との間に平面視
でドーナツ形状の薬液回収槽４３が形成され、仕切り部
材４１の内側に略円筒状の純水回収槽４４が形成されて
いる。薬液回収槽４３は、処理に使用された後の薬液を
回収するための槽であって、その底面には薬液回収管４
５に連通接続された薬液回収口４６が形成されている。
また、純水回収槽４４は、処理に使用された後の純水を
回収するための槽であって、その底面には純水回収管４
７に連通接続された純水回収口４８が形成されている。
なお、薬液回収管４５及び純水回収管４７は排気管とし
ても兼用されている。薬液回収管４５を介して回収され
た薬液と気体とは図示しない気液分離装置によって気液
分離され、また、純水回収管４７を介して回収された純
水と気体とも図示しない気液分離装置によって気液分離
されるようになっている。

【００６０】処理液回収部材４０は、ボールネジなどの
周知の１軸方向駆動機構で構成される第１の昇降機構４
９によって昇降可能である。

【００６１】スプラッシュガード５０は、回転軸１２の
中心を通る軸線Ｊに対して略回転対称な形状を有してい
る。スプラッシュガード５０の内壁面５１には、その下
端から上方に所定距離だけ離間した位置に、スピンチャ
ック１に向かって内方に突出した横向き凸部５２が形成
されている。この横向き凸部５２はスプラッシュガード
５０の内壁面５１を、下方側の薬液案内部５３と上方側
の純水案内部５４とに二分している。薬液案内部５３
は、薬液洗浄処理に使用された後の薬液を薬液回収槽４
３に案内するための部位であり、純水案内部５４は、リ
ンス処理に使用された後の純水を純水回収槽４４に案内
するための部位である。

【００６２】また、横向き凸部５２の先端部（スピンチ
ャック１に最も近接した部位）には、下方に垂れ下がっ
た舌部５５が形成されている。これにより、薬液案内部
５３には、上方に窪み、かつ、下方に開放した下向き凹
部５６が形成されている。

【００６３】また、スプラッシュガード５０の上端部に
は、スプラッシュガード５０及び処理液回収部材４０で
形成される処理室内に、チャンバ６内に導入されたダウ
ンフローの清浄な気体を導入したり、スプラッシュガー
ド５０に対して基板Ｗを出し入れしたりするための、ス
ピンベース１３よりも若干大きい開口５７が形成されて
いる。

【００６４】スプラッシュガード５０は、ボールネジな
どの周知の１軸方向駆動機構で構成される第２の昇降機
構５８によって昇降可能である。

【００６５】この第２実施例では、スピンチャック１は
固定される一方で、スプラッシュガード５０及び処理液
回収部材４０が必要に応じて昇降されるようになってい
る。具体的には、スプラッシュガード５０は、スピンチ
ャック１に保持されて回転される基板Ｗから側方に飛散
される薬液を薬液案内部５３で受け止める薬液洗浄処理
高さ（ＱＨ、図６参照）と、同じくスピンチャック１に
保持されて回転される基板Ｗから側方に飛散される純水
を純水案内部５４で受け止めるリンス処理高さ（ＲＨ、
図５、図７参照）と、スプラッシュガード５０の上端５
９よりも上方の位置に、スピンチャック１に保持された
基板Ｗが配置される基板受け渡し・乾燥処理高さ（ＨＤ
Ｈ、図８参照）との３段階の高さに選択的に昇降され
る。また、処理液回収部材４０は、スプラッシュガード
５０が薬液洗浄処理高さＱＨ及びリンス処理高さＲＨに
位置する際の上方高さ（ＵＨ、図５ないし図７）と、ス
プラッシュガード５０が基板受け渡し・乾燥処理高さＨ
ＤＨに位置するときに、このスプラッシュガード５０と
の干渉を避けることができる下方高さ（ＬＨ、図８参
照）とに選択的に昇降される。

【００６６】なお、この第２実施例では、基板受け渡し
高さと乾燥処理高さとを同じに設定しているが、各高さ
を別々に設定してもよい。

【００６７】この第２実施例には、スピンチャック１に
保持された基板Ｗの上面に対向する対向面を有する上部
雰囲気遮断部材６０を備えている。この上部雰囲気遮断
部材６０は、図示しない昇降機構により昇降可能な支持
アーム６１の先端部に設けられた支軸６１に懸垂支持さ
れていて、支持アーム６１を昇降することで、上部雰囲
気遮断部材６０が、スピンチャック１に保持された基板
Ｗに対して離間できるようになっている。また、必要に
応じて支持アーム６１に対して支軸６２を回転可能にし
て、上部雰囲気遮断部材６０を鉛直方向の軸芯周りで回
転可能に構成される。

【００６８】上部雰囲気遮断部材６０及び支軸６２に
は、スピンチャック１と同様の構成により、処理液供給
管６３と気体供給路６４とが設けられている。そして、
上部雰囲気遮断部材６０がスピンチャック１に保持され
た基板Ｗに近接配置された状態で、処理液供給管６３の
先端の処理液供給口６３ａからスピンチャック１に保持
された基板Ｗの上面に処理液を供給でき、上部雰囲気遮
断部材６０の下面とスピンチャック１に保持された基板
Ｗの上面との間の空間６５に、気体供給路６４の先端の
気体供給口６４ａから気体を供給できるようになってい
る。

【００６９】なお、処理液供給管６３には、管６３ｂな
どを介して処理液供給部３１から処理液が供給され、処
理液供給口６３ａから基板Ｗの上面への処理液の供給と
停止は、電磁開閉弁６３ｃの開閉制御により行われる。
また、気体供給路６４には、管６４ｂなどを介して気体
供給部３２から気体が供給され、気体供給口６４ａから
空間６５への気体の供給と停止は、電磁開閉弁６４ｃの
開閉制御により行われる。

【００７０】この第２実施例装置の動作制御は、図示し
ないコントローラーにより以下のように行われる。これ
を図６ないし図８を参照して説明する。

【００７１】図６は薬液洗浄処理時の状態を、図７はリ
ンス処理時の状態を、図８は基板の受け渡し及び乾燥処
理時の状態をそれぞれ示している。

【００７２】まず、図８に示すように、処理液回収部材
４０を下方位置ＬＨに下降させるとともに、スプラッシ
ュガード５０を基板受け渡し・乾燥処理高さＨＤＨに下
降させ、そこで、図示しない基板搬送装置によって装置
に搬入された未処理の基板Ｗをスピンチャック１に受け
取り、受け取った基板Ｗをスピンチャック１に保持させ
る。

【００７３】次に、図８の状態からスプラッシュガード
５０を薬液洗浄処理高さＱＨに上昇させるとともに、処
理液回収部材４０を上方位置ＵＨに上昇させて、図６に
示すように、スプラッシュガード５０のうちの薬液案内
部５３を、スピンチャック１に保持された基板Ｗの周囲
（側方）に配置させる。そして、図示を省略している
が、上部雰囲気遮断部材６０を下降させてスピンチャッ
ク１に保持された基板Ｗに近接配置させる。

【００７４】その状態で、基板Ｗを保持したスピンチャ
ック１を回転させつつ処理液供給口６３ａまたは／およ
び処理液供給口１７ａから処理液（薬液）を基板Ｗの上
面または／および下面に供給させて、薬液による洗浄処
理を行う。このとき、基板Ｗの回転に伴って基板Ｗの周
縁部から飛散される薬液は、スプラッシュガード５０の
うちの薬液案内部５３で受け止められて、薬液回収槽４
３に案内され、薬液回収口４６、薬液回収管４５を介し
て回収される。回収された薬液は再利用のために、処理
液供給部３１内の図示しない薬液貯留タンクに戻され
る。

【００７５】なお、この第２実施例装置では、横向き凸
部５２によって基板Ｗから飛散された薬液が純水案内部
５４に流出することを防止する。特に、舌部５５が横向
き凸部５２の先端に形成されていて、薬液案内部５３の
上部に下向き凹部５６が形成されているので、薬液案内
部５３で受け止めた薬液が純水案内部５４に流出するこ
とをより確実に防止できる。

【００７６】上記薬液洗浄処理を所定時間行うと、図６
の状態からスプラッシュガード５０をリンス処理高さＲ
Ｈに下降させて、図５、図７に示すように、スプラッシ
ュガード５０のうちの純水案内部５４を、スピンチャッ
ク１に保持された基板Ｗの周囲（側方）に配置させると
ともに、スピンチャック１の回転を継続しつつ、処理液
供給口６３ａまたは／および処理液供給口１７ａから基
板Ｗの上面または／および下面に供給する処理液を薬液
から純水に切り換えてリンス処理が行われる。このリン
ス処理の際に、基板Ｗの周縁部から飛散される純水は、
スプラッシュガード５０のうちの純水案内部５４で受け
止められて、純水回収槽４４に案内され、純水回収口４
８、純水回収管４７を介して回収される。回収された純
水は廃棄される。

【００７７】なお、この第２実施例装置では、図５、図
７の状態において、薬液回収槽４３と純水回収槽４４と
を仕切る仕切り部材４１の先端が、薬液案内部５３に形
成された下向き凹部５６に入り込んでいるので、純水案
内部５４で受け止められた純水が、薬液回収槽４３に流
れ込むことをより確実に防止できる。また、横向き凸部
５２の先端に下向きに形成された舌部５５は、純水案内
部５４で受け止めた純水を、その下方の純水回収槽４４
にスムーズに導くことができる。

【００７８】上記リンス処理を所定時間行うと、処理液
供給口６３ａまたは／および処理液供給口１７ａから基
板Ｗの上面または／および下面への純水の供給を停止さ
せる。そして、スピンチャック１の回転を継続しつつ、
基板Ｗへの純水の供給停止から所定時間（図３における
ｔｐｄに相当する時間）が経過した時点で処理液回収部
材４０を下方位置ＬＨに下降させるとともに、スプラッ
シュガード５０を基板受け渡し・乾燥処理高さＨＤＨに
下降させ、図８に示すように、スピンチャック１に保持
された基板Ｗがスプラッシュガード５０の上端５９より
も上方に位置された状態で、スピンチャック１（基板
Ｗ）を高速回転させて基板Ｗを乾燥する。

【００７９】所定の乾燥時間が経過すると、スピンチャ
ック１の回転を停止させ、図８の状態で処理済の基板Ｗ
がスピンチャック１から基板搬送装置に受け渡され、装
置外に搬出される。

【００８０】なお、薬液洗浄処理または／およびリンス
処理または／および乾燥処理の間、必要に応じて空間１
９や６５に気体が供給される。

【００８１】また、リンス処理後に上部雰囲気遮断部材
６０をスピンチャック１に保持された基板Ｗから離間さ
せて、乾燥処理することもある。

【００８２】本発明に係る基板処理方法によれば、この
第２実施例装置の構成でも第１実施例装置で説明したの
と同様の効果を得ることができる。

【００８３】また、乾燥処理時のスピンチャック１の高
さＨＤＨを、図８に示すように、スピンベース１３が開
口５７に配置され、かつ、スピンチャック１に保持され
た基板Ｗがスプラッシュガード５０の上端５９よりも上
方に配置された高さ（図では、スピンベース１３の上面
がスプラッシュガード５０の上端５９と同じ高さ位置に
配置される高さ）に設定しているので、開口５７がスピ
ンベース１３によって塞がれ、スプラッシュガード５０
内の雰囲気と遮断された状態で仕上げ乾燥を行うことが
でき、スプラッシュガード５０内に浮遊している処理液
のミストが基板Ｗに飛来して再付着することをより確実
に防止することができる。

【００８４】なお、図１、図４、図５に示す装置構成に
おいて、空間１９に気体を供給する構成を備えない装置
や、基板Ｗの上面か下面のいずれか一方の面にだけ処理
液を供給可能に構成された装置、また、図１、図４に示
す装置構成で上述したような上部雰囲気遮断部材６０を
備えた装置、あるいは、図５に示す装置構成で上部雰囲
気遮断部材６０を備えずに図１、図４に示す装置のよう
にノズル３から基板Ｗの上面に処理液を供給する装置な
どにおいても、本発明に係る基板処理方法は同様に適用
することができる。

【００８５】その他、液処理を行い、それに続いて乾燥
処理を行う装置であって、液処理時に回収部材を基板の
周囲に配置して基板から飛散された処理液を回収する装
置であれば、上記各実施例の構成に限らず、各種の構成
の装置に本発明に係る基板処理方法は同様に適用するこ
とができる。

【００８６】なお、回収部材と基板保持手段との相対的
な昇降は、図１、図４に示す装置のように回収部材を固
定して基板保持手段側だけを昇降可能に構成してもよい
し、図５に示す装置のように基板保持手段を固定して回
収部材側だけを昇降可能としてもよいし、さらに、回収
部材と基板保持手段の双方を昇降可能に構成してもよ
い。

【００８７】図３に示す基板処理方法では、基板Ｗへの
処理液の供給停止から所定時間ｔｐｄ経過した時点でス
ピンチャック１（基板Ｗ）と回収部材との相対的な昇降
を開始したが、基板Ｗへの処理液の供給を停止した時点
でスピンチャック１（基板Ｗ）と回収部材との相対的な
昇降を開始するようにしてもよい。

【００８８】また、基板Ｗへの処理液の供給停止後、回
収部材の上端よりも上方の位置に基板を配置させるため
に、スピンチャック１（基板Ｗ）と回収部材とを相対的
に昇降させる間、スピンチャック１（基板Ｗ）の回転を
停止させてもよい。

【００８９】また、上記実施例では、薬液洗浄処理、リ
ンス処理、乾燥処理を行う場合を例により説明したが、
リンス処理（純水による洗浄処理）と乾燥処理だけを行
う場合など、液処理を行い、それに続いて乾燥処理を行
う場合に本発明に係る基板処理方法は同様に適用するこ
とができる。

【００９０】さらに、１台の装置で１または複数の液処
理と乾燥処理とを複数回繰り返す場合にも本発明に係る
基板処理方法は同様に適用することができる。

【００９１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明に係る基板処理方法によれば、回収部材
を基板の周囲に配置させた状態で、基板を回転させつつ
処理液を基板に供給して処理液による液処理を行い、基
板への処理液の供給を停止した後、基板と回収部材とを
相対的に昇降させて回収部材の上端よりも上方の位置に
基板を配置させ、その状態で基板を回転させて基板を乾
燥するようにしたので、回収部材内に処理液がミスト化
して浮遊していても、回収部材の上端よりも上方の位置
に基板を配置させた状態で乾燥されている基板に処理液
のミストが飛来して再付着することを防止でき、乾燥中
にゴミや薬液を含むミストが基板に付着することに起因
するデバイス不良の発生を防止することができる。

【００９２】また、湿った空気が滞留し易い回収部材か
ら離れた回収部材の上方で乾燥を行うので、湿った雰囲
気にさらさせることなく基板全体を均一な雰囲気で基板
を乾燥することができ、従来よりも基板全体を完全に乾
燥させる時間を短縮でき、スループットを向上させるこ
とができるとともに、ウォーターマークの発生も防止で
きる。

【００９３】従って、液処理とその後の乾燥処理を含む
基板処理を良好に行うことができる。

【００９４】請求項２に記載の発明に係る基板処理方法
によれば、基板への処理液の供給停止から所定時間経過
した時点で基板と回収部材との相対的な昇降を開始し、
少なくとも、基板への処理液の供給停止から基板と回収
部材との相対的な昇降の開始までの間、基板を回転させ
るので、回収部材が基板の周囲に配置された状態で、基
板への処理液の供給停止後に基板に残留している処理液
の大部分を基板から飛散させて粗乾燥を行い、粗乾燥後
の湿った状態の基板を完全に乾燥させる仕上げ乾燥を、
回収部材の上端よりも上方の位置に基板を配置させた状
態で行うことができ、基板への処理液の供給停止後に基
板に残留している処理液を回収部材で回収することがで
き、回収部材の外側に処理液をまき散らすことを防止で
きる。

【００９５】請求項３に記載の発明に係る基板処理方法
によれば、回転可能なスピンベースに設けられた基板保
持部材によってスピンベースの上面から上方に離間され
て基板が保持された状態で液処理工程と乾燥工程とを行
い、乾燥工程は、回収部材の上端部に形成された開口に
スピンベースが配置され、かつ、基板保持部材に保持さ
れた基板が回収部材の上端よりも上方の位置に配置され
た状態で基板を回転させて行うので、回収部材の上端部
に形成された開口がスピンベースによって塞がれ、回収
部材内の雰囲気と遮断された状態で基板を乾燥させるこ
とができ、回収部材内に浮遊している処理液のミストが
基板に飛来して再付着することをより確実に防止するこ
とができる。

【００９６】請求項４に記載の発明によれば、請求項１
に記載の基板処理方法を好適に実施する基板処理装置を
実現することができる。

【００９７】請求項５に記載の発明によれば、請求項２
に記載の基板処理方法を好適に実施する基板処理装置を
実現することができる。

【００９８】請求項６に記載の発明によれば、請求項３
に記載の基板処理方法を好適に実施する基板処理装置を
実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る基板処理装置の構成
を示す全体縦断面図である。

【図２】第１実施例の制御系の構成を示すブロック図で
ある。

【図３】第１実施例の動作を示すタイミングチャートで
ある。

【図４】第１実施例の変形例の構成を示す全体縦断面図
である。

【図５】本発明の第２実施例に係る基板処理装置の構成
を示す全体縦断面図である。

【図６】第２実施例装置における薬液洗浄処理時の状態
を示す概略図である。

【図７】第２実施例装置におけるリンス処理時の状態を
示す概略図である。

【図８】第２実施例装置における基板の受け渡し及び乾
燥処理時の状態を示す概略図である。

【符号の説明】

１：スピンチャック ２：カップ ３：ノズル ５：コントローラー １１：電動モーター １３：スピンベース １４：基板保持部材 １６：昇降機構 １７ａ、６３ａ：処理液供給口 ４０：処理液回収部材 ４９：第１の昇降機構 ５０：スプラッシュガード ５８：第２に昇降機構 Ｗ：基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 泉 昭 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番１ 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB34 AB42 BB22 BB92 BB93 CC13 3L113 AA03 AB08 AC45 AC46 AC48 AC54 AC57 AC63 AC64 AC72 AC73 AC76 AC78 AC79 AC86 AC90 BA34 CA06 CA15 DA04 DA10 DA24

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対して所定の処理を行う基板処理
   方法において、 基板から飛散される処理液を受け止めて回収する回収部
   材を基板の周囲に配置させた状態で、基板を回転させつ
   つ処理液を基板に供給して処理液による液処理を行う液
   処理工程と、 基板への処理液の供給を停止した後、基板と前記回収部
   材とを相対的に昇降させて前記回収部材の上端よりも上
   方の位置に基板を配置させ、その状態で基板を回転させ
   て基板を乾燥する乾燥工程と、 を含むことを特徴とする基板処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板処理方法におい
   て、 基板と前記回収部材との相対的な昇降を、基板への処理
   液の供給停止から所定時間経過した時点で開始し、少な
   くとも、基板への処理液の供給停止から基板と前記回収
   部材との相対的な昇降の開始までの間、基板を回転させ
   ることを特徴とする基板処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板処理方法
   において、 回転可能なスピンベースに設けられた基板保持部材によ
   って前記スピンベースの上面から上方に離間されて基板
   が保持された状態で前記液処理工程と前記乾燥工程とを
   行い、 前記乾燥工程は、前記回収部材の上端部に形成された開
   口に前記スピンベースが配置され、かつ、前記基板保持
   部材に保持された基板が前記回収部材の上端よりも上方
   の位置に配置された状態で基板を回転させて行うことを
   特徴とする基板処理方法。
4. 【請求項４】 基板に対して所定の処理を行う基板処理
   装置において、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段を回転させる回転手段と、 前記基板保持手段に保持された基板に処理液を供給する
   処理液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の周囲に配置された
   状態で、基板から飛散される処理液を受け止めて回収す
   る回収部材と、 前記基板保持手段と前記回収部材とを相対的に昇降させ
   る昇降手段と、 前記回収部材を基板の周囲に配置させた状態で、前記回
   転手段により基板を保持した前記基板保持手段を回転さ
   せつつ前記処理液供給手段から処理液を基板に供給させ
   て処理液による液処理を行うとともに、前記処理液供給
   手段から基板への処理液の供給を停止させた後、前記昇
   降手段により基板を保持した前記基板保持手段と前記回
   収部材とを相対的に昇降させて前記回収部材の上端より
   も上方の位置に基板を配置させ、その状態で前記回転手
   段により基板を保持した前記基板保持手段を回転させて
   基板を乾燥させる制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板処理装置におい
   て、 前記制御手段は、基板への処理液の供給停止から所定時
   間経過した時点で、前記昇降手段による前記基板保持手
   段と前記回収部材との相対的な昇降を開始し、少なくと
   も、基板への処理液の供給停止から前記基板保持手段と
   前記回収部材との相対的な昇降の開始までの間、前記回
   転手段により基板を保持した前記基板保持手段を回転さ
   せることを特徴とする基板処理装置。
6. 【請求項６】 請求項４または５に記載の基板処理装置
   において、 前記基板保持手段は、 前記回転手段により回転されるスピンベースと、 前記スピンベースに設けられ、前記スピンベースの上面
   から上方に離間させて基板を保持する基板保持部材と、 を備えており、 前記制御手段は、昇降手段により前記回収部材の上端部
   に形成された開口に前記スピンベースを配置させ、か
   つ、前記基板保持手段に保持された基板を前記回収部材
   の上端よりも上方の位置に配置させた状態で前記回転手
   段により基板を保持した前記基板保持手段を回転させて
   基板を乾燥させることを特徴とする基板処理装置。