JP2011507237A - 半導体ウエハの洗浄方法及び装置 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄方法及び装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2011507237A JP2011507237A JP2010537230A JP2010537230A JP2011507237A JP 2011507237 A JP2011507237 A JP 2011507237A JP 2010537230 A JP2010537230 A JP 2010537230A JP 2010537230 A JP2010537230 A JP 2010537230A JP 2011507237 A JP2011507237 A JP 2011507237A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- tray
- cleaning
- semiconductor substrate
- cleaning liquid
- drain outlet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
Abstract
Description
2.HF:H2O:1:(50〜1000),温度範囲:20〜25℃
3.NH4OH:H2O2:H2O=1:(1〜2):(5〜100),温度範囲:25〜70℃
4.HCl:H2O2:H2O=1:1:(5〜100),温度範囲:25〜75℃
洗浄液の純度を高度に保つためには、洗浄液は部分的に再利用又は再生するのが好ましい。概して、使用された洗浄液の第1の部分が再利用又は再生される。洗浄液の一部を再利用及び再生する作業工程は、洗浄サイクルが僅かに異なっている点を除き、上述した工程と同様である。この状態の下でIthの洗浄液を用いる洗浄サイクルは、次の工程を含む。
図の1Eに示すように、洗浄液の廃棄又は再利用は、三方切替バルブ1015によって制御することができる。この場合、トレイ1008は、1つの受容器1014の上に留まって、洗浄液を廃棄するか再利用するかいずれかが決定され、バルブ1015はその経路に開かれる。ここで、廃棄するIthの洗浄液を集める受容器と、Ithの洗浄液を集めて再利用する受容器とは同じでも異なっていてもよい点は注目されるべきである。
Claims (34)
- 半導体基材の表面を洗浄及び調整するための装置であって、
半導体基材を支持するチャックと、
前記チャックを軸回りに回転駆動する第1の回転手段と、
チャンバー本体と、
少なくとも1つのドレン排出口を有するトレイと、
前記トレイを軸回りに回転駆動する第2の回転手段と、
前記トレイの下方に配置される、少なくとも1つの洗浄液の受容器と、
を備え、
前記洗浄液の受容器は、前記トレイを回転することによって前記トレイの前記ドレン排出口と直線状に並ばせることができる、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
更に、洗浄液を噴出する少なくとも1つのノズルを備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
更に、使用された洗浄液を前記トレイに導くためのシュラウドを備え、
前記シュラウドが、前記トレイの上方に配置され、アクチュエータによって垂直方向に上下する、装置。 - 請求項3に記載の装置において、
前記シュラウドが、セラミクス、テフロン(登録商標)、Peek、PVDFのいずれか1つから形成されている、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
更に、前記トレイを、前記半導体基材を搬入又は搬出する前記チャックの第1の位置に下降させ、洗浄又は調整工程を実行する第2の位置に上昇させる駆動手段を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイが、セラミクス、テフロン(登録商標)、Peek、PVDFのいずれか1つから形成されている、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記チャックは、垂直に移動するディスクを有し、
前記ディスクは、前記半導体基材を搬入又は搬出する第1の位置に移動し、そして、前記半導体基材を前記チャックに載置する第2の位置に移動する、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記半導体基材を搬入又は搬出する第1の位置と、洗浄又は調整工程を実行する第2の位置とに、前記チャックを移動させる垂直方向の移動機構を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイが、その表面から使用された洗浄液を取り除く少なくとも1つの窒素ノズルを備えている、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイが、内側の環状羽根部と、外側の環状羽根部とを有している、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記ドレン排出口を開閉するために、前記トレイの前記ドレン排出口の下に配置された空気で膨張するシールを備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
ドレン排出口と受容器の間に配置された空気で膨張するドーナツ形状のシールを備える、装置。 - 請求項12に記載の装置において、
前記ドレン排出口が、使用された洗浄水を前記トレイから吸引するポンプを備える、装置。 - 請求項13に記載の装置において、
前記ポンプが、加圧ガス駆動のVenturaポンプである、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイの外側に配置された固定の収集体を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイの外側に配置された固定の収集体と、
前記トレイ及び固定の収集体の一部の上方に配置された可動のシュラウドと、
を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイの外側に配置された、可動の収集体とアクチュエータとを備え、
前記アクチュエータは、前記収集体を、前記半導体基材を搬入又は搬出する前記チャックの第1の位置へ降下させ、前記半導体基材を洗浄又は調整する間は第2の位置に上昇させる、装置。 - 請求項17に記載の装置において、
使用した洗浄液を前記可動の収集体に導き、そして、使用された洗浄液が前記トレイのドレン排出口に流入するのを防ぐために、前記トレイの上方に配置されたシュラウドを備える、装置。 - 半導体基材を洗浄するための装置であって、
半導体基材を支持するチャックと、
前記チャックを駆動する回転手段と、
少なくとも1つのドレン排出口を有するチャンバーと、
前記チャンバーの下方に配置された、少なくとも1つの受容器を有するプレートと、
前記受容器が前記ドレン排出口と直線状に並ぶように、前記プレートを駆動する駆動手段と、
を備える、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記駆動手段は、前記プレートを軸回りに回転させる回転機構である、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記駆動手段は、前記プレートを横方向に移動させる並進運動機構である、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記チャックが垂直方向に移動するディスクを有し、
前記ディスクが、半導体基材を搬入又は搬出する第1の位置と、前記チャックに前記半導体基材を載せ又は取る第2の位置とに移動する、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記装置が、更に、前記チャックを、前記半導体基材を搬入又は搬出する第1の位置と、洗浄又は調整工程を実行する第2の位置とに駆動する、垂直移動機構を備える、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
トレイが、前記チャンバーの表面から使用された洗浄液を除去するために、少なくとも1つの窒素ノズルを有している、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記チャンバーから使用された洗浄液を処分するドレン排出口を開閉するために、前記ドレン排出口の下方に配置された、空気で膨張するボール形状のシールを備える、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記チャンバーのドレン排出口と前記プレート上の受容器との間に配置された、空気で膨張するドーナツ形状のシールを備える、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記ドレン排出口が、前記チャンバーから使用された洗浄液を迅速に吸引するポンプを有している、装置。 - チャックの上に半導体基材を搬入し、少なくとも1種類の洗浄液で前記半導体基材を洗浄する、半導体基材を洗浄する方法であって、
前記半導体基材を回転させ、
所定の洗浄液を集めるために、所定の受容器と直線状に並ぶように、トレイのドレン排出口を移動させ、
半導体基材に所定の洗浄液を噴射し、
所定の洗浄液の噴射を停止し、
全ての種類の洗浄液が前記半導体基材に用いられるまで、洗浄液の種類ごとに洗浄サイクルが用いられ、
前記半導体基材を乾燥し、
前記チャックから前記半導体基材を搬出する、洗浄サイクルが洗浄液の種類ごとに実行される、方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記洗浄サイクルが、
廃棄の洗浄液を集める所定の受容器と直線状に並ぶように前記トレイの前記ドレン排出口を移動させ、
前記半導体基材上にリンス液を噴射し、
前記半導体基材上へのリンス液の噴射を停止する、方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記リンス液の噴射の開始時に排液を停止して前記リンス液が前記トレイに満たされた時に前記ドレン排出口を開くリンスサイクルを実行するために、前記ドレン排出口の上にバルブを加え、
前記トレイの表面上の化学的残留物が所望するレベルに洗浄されるまで、前記リンスサイクルが繰り返し実行される、方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記トレイ内の前記リンス液を迅速に吐出するために、前記受容器に接続された補助ポンプを備える、方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記リンス液が脱イオン水である、方法。 - 請求項32に記載の方法において、
前記脱イオン水の温度が20〜90℃の範囲内である、方法。 - 請求項32に記載の方法において、
前記脱イオン水に二酸化炭素ガスが圧入されている、方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/CN2007/071210 WO2009079874A1 (en) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | Methods and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011507237A true JP2011507237A (ja) | 2011-03-03 |
JP4994501B2 JP4994501B2 (ja) | 2012-08-08 |
Family
ID=40800694
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010537230A Active JP4994501B2 (ja) | 2007-12-10 | 2007-12-10 | 半導体ウエハの洗浄方法及び装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8580042B2 (ja) |
JP (1) | JP4994501B2 (ja) |
KR (1) | KR101467974B1 (ja) |
WO (1) | WO2009079874A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012199295A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料洗浄方法および洗浄システム |
JP2014123713A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2015019046A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 億力▲シン▼系統科技股▲フン▼有限公司 | 流体ノズルおよび基板洗浄装置、並びに基板の洗浄方法 |
JP2015032803A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-16 | 株式会社荏原製作所 | ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置 |
KR101875753B1 (ko) * | 2011-11-10 | 2018-07-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2950326A1 (en) | 2014-05-30 | 2015-12-02 | Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO | Removing particulate contaminants from the backside of a wafer or reticle |
US10203604B2 (en) | 2015-11-30 | 2019-02-12 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for post exposure processing of photoresist wafers |
US10669023B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-06-02 | Raytheon Company | Tactical aerial platform |
US9958782B2 (en) * | 2016-06-29 | 2018-05-01 | Applied Materials, Inc. | Apparatus for post exposure bake |
US11342215B2 (en) * | 2017-04-25 | 2022-05-24 | Veeco Instruments Inc. | Semiconductor wafer processing chamber |
CN114545188A (zh) * | 2022-03-02 | 2022-05-27 | 深圳市卓晶微智能机器人科技有限公司 | 一种适用性强的半导体测试设备 |
CN115339710B (zh) * | 2022-06-30 | 2024-03-26 | 浙江工业大学之江学院 | 一种新鲜农产品快速包装装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021841A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2936505B2 (ja) | 1993-01-18 | 1999-08-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布装置 |
JP3396377B2 (ja) * | 1996-07-22 | 2003-04-14 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JPH10335298A (ja) | 1997-05-27 | 1998-12-18 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
TW502130B (en) * | 1997-06-17 | 2002-09-11 | Toshiba Corp | Cleaning method of substrate |
JP3587723B2 (ja) * | 1999-04-30 | 2004-11-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP3341727B2 (ja) | 1999-07-28 | 2002-11-05 | 日本電気株式会社 | ウエット装置 |
US6379226B1 (en) * | 1999-12-08 | 2002-04-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method for storing carrier for polishing wafer |
JP3673459B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2005-07-20 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP3616748B2 (ja) * | 2000-11-07 | 2005-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法,現像処理装置及び処理装置 |
KR100445259B1 (ko) * | 2001-11-27 | 2004-08-21 | 삼성전자주식회사 | 세정방법 및 이를 수행하기 위한 세정 장치 |
US6800141B2 (en) * | 2001-12-21 | 2004-10-05 | International Business Machines Corporation | Semi-aqueous solvent based method of cleaning rosin flux residue |
JP3761482B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2006-03-29 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置およびスプラッシュガードの洗浄方法 |
KR100468110B1 (ko) * | 2002-07-12 | 2005-01-26 | 삼성전자주식회사 | 웨이퍼 처리 장치 |
US7584760B2 (en) * | 2002-09-13 | 2009-09-08 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US20040216770A1 (en) | 2003-04-29 | 2004-11-04 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Process for rinsing and drying substrates |
JP2005032948A (ja) | 2003-07-11 | 2005-02-03 | Sansha Electric Mfg Co Ltd | 半導体ウエハの洗浄方法および,洗浄装置 |
JP2005174961A (ja) | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Ebara Corp | 基板処理方法及び装置 |
US7311781B2 (en) * | 2004-11-17 | 2007-12-25 | Dainippon Screen Mgf, Co., Ltd | Substrate rotation type treatment apparatus |
TWI269376B (en) | 2005-04-22 | 2006-12-21 | Advanced Semiconductor Eng | Chuck table for wafer cleaning apparatus |
CN100362629C (zh) | 2005-05-13 | 2008-01-16 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体晶片的清洗方法 |
JP2007012859A (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
ATE450885T1 (de) | 2006-04-18 | 2009-12-15 | Tokyo Electron Ltd | Flüssigkeitsverarbeitungsvorrichtung |
JP4901650B2 (ja) * | 2007-08-31 | 2012-03-21 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
-
2007
- 2007-12-10 KR KR1020107015272A patent/KR101467974B1/ko active IP Right Grant
- 2007-12-10 JP JP2010537230A patent/JP4994501B2/ja active Active
- 2007-12-10 US US12/734,983 patent/US8580042B2/en active Active
- 2007-12-10 WO PCT/CN2007/071210 patent/WO2009079874A1/en active Application Filing
-
2013
- 2013-10-11 US US14/052,555 patent/US8671961B2/en active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000021841A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012199295A (ja) * | 2011-03-18 | 2012-10-18 | Kurita Water Ind Ltd | 電子材料洗浄方法および洗浄システム |
KR101875753B1 (ko) * | 2011-11-10 | 2018-07-09 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP2014123713A (ja) * | 2012-11-21 | 2014-07-03 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置 |
JP2015019046A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 億力▲シン▼系統科技股▲フン▼有限公司 | 流体ノズルおよび基板洗浄装置、並びに基板の洗浄方法 |
JP2015032803A (ja) * | 2013-08-07 | 2015-02-16 | 株式会社荏原製作所 | ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8671961B2 (en) | 2014-03-18 |
KR101467974B1 (ko) | 2014-12-10 |
US20140034094A1 (en) | 2014-02-06 |
KR20100100961A (ko) | 2010-09-15 |
JP4994501B2 (ja) | 2012-08-08 |
US20110114120A1 (en) | 2011-05-19 |
US8580042B2 (en) | 2013-11-12 |
WO2009079874A1 (en) | 2009-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4994501B2 (ja) | 半導体ウエハの洗浄方法及び装置 | |
US20050115671A1 (en) | Substrate treating apparatus and substrate treating method | |
KR101608105B1 (ko) | 액 처리 장치 및 액 처리 방법 | |
JP4884057B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
CN101540268B (zh) | 用于清洗半导体晶片的方法和装置 | |
US9346084B2 (en) | Liquid processing apparatus and liquid processing method | |
JP2004006618A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR102189980B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
JP2002134464A (ja) | 基板表面処理方法及び基板表面処理装置 | |
JP3973196B2 (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
JP2001070861A (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
JP2004172573A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR100871821B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
TWI390618B (zh) | 用於清洗半導體晶片的方法和裝置 | |
JP5080885B2 (ja) | 基板処理装置および処理チャンバ内洗浄方法 | |
JP2002028588A (ja) | 液処理方法 | |
KR101010311B1 (ko) | 매엽식 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2001316878A (ja) | 液処理装置および液処理システムならびに液処理方法 | |
KR20070075964A (ko) | 스테이지 세정 방법 및 장치 | |
CN219778838U (zh) | 一种晶圆后处理装置 | |
KR102240493B1 (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 | |
CN116387207A (zh) | 一种晶圆后处理装置 | |
CN117378034A (zh) | 基板处理方法以及基板处理装置 | |
KR20070076789A (ko) | 웨트 스테이션의 척 클리닝 장치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20101201 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20101201 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20110531 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20110617 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20110628 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110927 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120315 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20120315 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120410 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120508 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150518 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4994501 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |