JP2011507237A - 半導体ウエハの洗浄方法及び装置 - Google Patents
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Abstract
Description
2.HF:H2O:1:(50〜1000),温度範囲:20〜25℃
3.NH4OH:H2O2:H2O=1:(1〜2):(5〜100),温度範囲:25〜70℃
4.HCl:H2O2:H2O=1:1:(5〜100),温度範囲:25〜75℃
洗浄液の純度を高度に保つためには、洗浄液は部分的に再利用又は再生するのが好ましい。概して、使用された洗浄液の第1の部分が再利用又は再生される。洗浄液の一部を再利用及び再生する作業工程は、洗浄サイクルが僅かに異なっている点を除き、上述した工程と同様である。この状態の下でIthの洗浄液を用いる洗浄サイクルは、次の工程を含む。
図の1Eに示すように、洗浄液の廃棄又は再利用は、三方切替バルブ1015によって制御することができる。この場合、トレイ1008は、1つの受容器1014の上に留まって、洗浄液を廃棄するか再利用するかいずれかが決定され、バルブ1015はその経路に開かれる。ここで、廃棄するIthの洗浄液を集める受容器と、Ithの洗浄液を集めて再利用する受容器とは同じでも異なっていてもよい点は注目されるべきである。
Claims (34)
- 半導体基材の表面を洗浄及び調整するための装置であって、
半導体基材を支持するチャックと、
前記チャックを軸回りに回転駆動する第1の回転手段と、
チャンバー本体と、
少なくとも1つのドレン排出口を有するトレイと、
前記トレイを軸回りに回転駆動する第2の回転手段と、
前記トレイの下方に配置される、少なくとも1つの洗浄液の受容器と、
を備え、
前記洗浄液の受容器は、前記トレイを回転することによって前記トレイの前記ドレン排出口と直線状に並ばせることができる、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
更に、洗浄液を噴出する少なくとも1つのノズルを備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
更に、使用された洗浄液を前記トレイに導くためのシュラウドを備え、
前記シュラウドが、前記トレイの上方に配置され、アクチュエータによって垂直方向に上下する、装置。 - 請求項3に記載の装置において、
前記シュラウドが、セラミクス、テフロン(登録商標)、Peek、PVDFのいずれか1つから形成されている、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
更に、前記トレイを、前記半導体基材を搬入又は搬出する前記チャックの第1の位置に下降させ、洗浄又は調整工程を実行する第2の位置に上昇させる駆動手段を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイが、セラミクス、テフロン(登録商標)、Peek、PVDFのいずれか1つから形成されている、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記チャックは、垂直に移動するディスクを有し、
前記ディスクは、前記半導体基材を搬入又は搬出する第1の位置に移動し、そして、前記半導体基材を前記チャックに載置する第2の位置に移動する、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記半導体基材を搬入又は搬出する第1の位置と、洗浄又は調整工程を実行する第2の位置とに、前記チャックを移動させる垂直方向の移動機構を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイが、その表面から使用された洗浄液を取り除く少なくとも1つの窒素ノズルを備えている、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイが、内側の環状羽根部と、外側の環状羽根部とを有している、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記ドレン排出口を開閉するために、前記トレイの前記ドレン排出口の下に配置された空気で膨張するシールを備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
ドレン排出口と受容器の間に配置された空気で膨張するドーナツ形状のシールを備える、装置。 - 請求項12に記載の装置において、
前記ドレン排出口が、使用された洗浄水を前記トレイから吸引するポンプを備える、装置。 - 請求項13に記載の装置において、
前記ポンプが、加圧ガス駆動のVenturaポンプである、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイの外側に配置された固定の収集体を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイの外側に配置された固定の収集体と、
前記トレイ及び固定の収集体の一部の上方に配置された可動のシュラウドと、
を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置において、
前記トレイの外側に配置された、可動の収集体とアクチュエータとを備え、
前記アクチュエータは、前記収集体を、前記半導体基材を搬入又は搬出する前記チャックの第1の位置へ降下させ、前記半導体基材を洗浄又は調整する間は第2の位置に上昇させる、装置。 - 請求項17に記載の装置において、
使用した洗浄液を前記可動の収集体に導き、そして、使用された洗浄液が前記トレイのドレン排出口に流入するのを防ぐために、前記トレイの上方に配置されたシュラウドを備える、装置。 - 半導体基材を洗浄するための装置であって、
半導体基材を支持するチャックと、
前記チャックを駆動する回転手段と、
少なくとも1つのドレン排出口を有するチャンバーと、
前記チャンバーの下方に配置された、少なくとも1つの受容器を有するプレートと、
前記受容器が前記ドレン排出口と直線状に並ぶように、前記プレートを駆動する駆動手段と、
を備える、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記駆動手段は、前記プレートを軸回りに回転させる回転機構である、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記駆動手段は、前記プレートを横方向に移動させる並進運動機構である、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記チャックが垂直方向に移動するディスクを有し、
前記ディスクが、半導体基材を搬入又は搬出する第1の位置と、前記チャックに前記半導体基材を載せ又は取る第2の位置とに移動する、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記装置が、更に、前記チャックを、前記半導体基材を搬入又は搬出する第1の位置と、洗浄又は調整工程を実行する第2の位置とに駆動する、垂直移動機構を備える、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
トレイが、前記チャンバーの表面から使用された洗浄液を除去するために、少なくとも1つの窒素ノズルを有している、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記チャンバーから使用された洗浄液を処分するドレン排出口を開閉するために、前記ドレン排出口の下方に配置された、空気で膨張するボール形状のシールを備える、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記チャンバーのドレン排出口と前記プレート上の受容器との間に配置された、空気で膨張するドーナツ形状のシールを備える、装置。 - 請求項19に記載の装置において、
前記ドレン排出口が、前記チャンバーから使用された洗浄液を迅速に吸引するポンプを有している、装置。 - チャックの上に半導体基材を搬入し、少なくとも1種類の洗浄液で前記半導体基材を洗浄する、半導体基材を洗浄する方法であって、
前記半導体基材を回転させ、
所定の洗浄液を集めるために、所定の受容器と直線状に並ぶように、トレイのドレン排出口を移動させ、
半導体基材に所定の洗浄液を噴射し、
所定の洗浄液の噴射を停止し、
全ての種類の洗浄液が前記半導体基材に用いられるまで、洗浄液の種類ごとに洗浄サイクルが用いられ、
前記半導体基材を乾燥し、
前記チャックから前記半導体基材を搬出する、洗浄サイクルが洗浄液の種類ごとに実行される、方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記洗浄サイクルが、
廃棄の洗浄液を集める所定の受容器と直線状に並ぶように前記トレイの前記ドレン排出口を移動させ、
前記半導体基材上にリンス液を噴射し、
前記半導体基材上へのリンス液の噴射を停止する、方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記リンス液の噴射の開始時に排液を停止して前記リンス液が前記トレイに満たされた時に前記ドレン排出口を開くリンスサイクルを実行するために、前記ドレン排出口の上にバルブを加え、
前記トレイの表面上の化学的残留物が所望するレベルに洗浄されるまで、前記リンスサイクルが繰り返し実行される、方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記トレイ内の前記リンス液を迅速に吐出するために、前記受容器に接続された補助ポンプを備える、方法。 - 請求項28に記載の方法において、
前記リンス液が脱イオン水である、方法。 - 請求項32に記載の方法において、
前記脱イオン水の温度が20〜90℃の範囲内である、方法。 - 請求項32に記載の方法において、
前記脱イオン水に二酸化炭素ガスが圧入されている、方法。
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