JP2015032803A - ウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】分割されたベースフレーム及び防水パンを有するウェット処理装置の防水性を向上させるとともに、ウェット処理装置の組み立てを容易に行う。
【解決手段】 ウェット処理装置１０は、第１のベースフレーム１３と、第２のベースフレーム１４とを備えている。また、第１のベースフレーム１３の搭載面１３ａには、第１の防水パン１５が配置され、第２のベースフレーム１４の搭載面１４ａには、第２の防水パン１６が配置されている。第１の防水パン１５の端部１５ａには、可撓性を有する板状構造体１７が設けられている。板状構造体１７は、第１の防水パン１５の端部１５ａと第２の防水パン１６の端部１６ａとの隙間を覆うように構成されており、第１の防水パン１５の端部１５ａと第２の防水パン１６の端部１６ａとの間を防水することができる。
【選択図】 図２

Description

本発明は、分割及び組み立て可能なウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置に関する。

従来、半導体ウェハの製造工程においては、半導体ウェハ表面を研磨して平坦化するためにＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）装置が使用されている。
このＣＭＰ装置は、一般的に、研磨パッドを回転させる研磨テーブルと、基板（半導体ウェハ）を研磨パッドに押圧するためのトップリングと、研磨パッドをドレッシングするためのドレッシングリングとを備えている。ＣＭＰ装置は、研磨材を含む研磨砥液をスラリーラインから研磨パッドの上面に供給し、トップリングが保持した基板を回転している研磨テーブル上の研磨パッドに接触させることで基板を研磨するとともに、ドレッシングリングを研磨パッドに接触させて、研磨後の研磨パッド表面の目立て・再生を行う。

さらに、このＣＭＰ装置には搬送装置が併設されることがある。この搬送装置は、例えば、基板が収納されたカセットから基板を受け取って、ＣＭＰ装置のトップリングに基板を受け渡す。処理が終了した基板は、再び搬送装置により受け取られ、例えば乾燥装置で乾燥された後、カセットに収納される。

このＣＭＰ装置のように、処理工程に液体が用いられる基板処理装置では、液体の漏洩を防止するために防水パンを有するウェット処理装置が設けられている。
図６は従来のウェット処理装置の例を示す概略側面図である。
図６に示すように、ウェット処理装置１００は、基板処理装置本体及び搬送装置を搭載するための、剛性の高いベースフレーム１０１を備え、ベースフレーム１０１の大きさに合わせた複数の防水パン１０２（ここでは二つ）が、その端部同士が重なるようにベースフレーム１０１上に配置されている。防水パン１０２は、基板処理に用いられた処理液を受け入れることができるように構成されており、装置外部へ処理液が漏洩することを防止している。

このように、防水パン１０２を剛性の高いベースフレーム１０１上に配置することで、基板処理装置の半導体製造工場への輸送、搬入及び設置、さらに試運転を通じた防水パン１０２の破損等による防水機能の劣化を防止している。
さらに、このウェット処理装置の他、一つのベースフレーム上に複数の防水パンを互いに離間するように配置しつつ、その離間した防水パンの端部間を他の部材で覆うことも知られている。

ところで、半導体製造工場は、ＳＥＭＩ−Ｅ７２規格に定められた装置サイズと重量規格値を満たした装置のみが受け入れられるように設計されているので、被処理基板である半導体ウェハのサイズアップに伴い基板処理装置のサイズが大きくなってきている近年では、基板処理装置の半導体製造工場のクリーンルームへの搬入、クリーンルーム内での移動が困難になってきている。

このため、装置サイズをＳＥＭＩ−Ｅ７２規格に適合させて、ウェット処理装置をクリーンルームへ搬送等するためには、ベースフレーム、防水パンを分割してサブモジュール化する必要がある。
しかしながら、基板処理装置のような半導体製造装置は、フットプリント（装置の占有
面積）最小化、及び生産性（時間当たりの処理基板枚数/フットプリント）最大化を達成すべく、装置構造が改良されているので、その装置構造は複雑であり、特にウェット処理装置を有する基板処理装置の場合は、ベースフレーム及び防水パンが複雑な構造を成している。

このようなベースフレーム、防水パンを分割した場合、分割されたベースフレーム、防水パンをクリーンルームに搬入して組み立てるにあたり、防水パンの分割部の防水機能の確保、及び組み立ての容易さが要求される。

図７は、従来の分割されたベースフレーム及び防水パンを備えたウェット処理装置の組み立て工程を示す図である。
図７ａに示すように、ウェット処理装置１１０は、第１のベースフレーム１１１と、第２のベースフレーム１１２とを有している。また、第１のベースフレーム１１１上には、第１のベースフレーム１１１の大きさに合わせた第１の防水パン１１３が配置され、第２のベースフレーム１１２上には、第２のベースフレーム１１２に大きさに合わせた第２の防水パン１１４が配置されている。

この第１の防水パン１１３及び第２の防水パン１１４は、第１のベースフレーム１１１及び第２のベースフレーム１１２によって支持されることで形状を維持しているので、第１のベースフレーム１１１及び第２のベースフレーム１１２から分離することは困難である。また、上述したように、ウェット処理装置を有する基板処理装置の場合は、ベースフレーム及び防水パンが複雑な構造を成している、即ち、本従来例では第１のベースフレーム１１１及び第２のベースフレーム１１２の高さが互いに異なり、これに合わせて防水パンの形状も湾曲して構成されている。

このため、分割された防水パンが破損しないように、この分割されたベースフレーム及び防水パンを組み立てるためには、図７ｂに示すように第１のベースフレーム１１１を例えば図示しないクレーンなどで吊り上げて、図７ｃに示すように第１の防水パン１１３及び第２の防水パン１１４が互いに接触しないように、第１のベースフレーム１１１を第２のベースフレーム１１２に隣接させる。
続いて、図７ｄに示すように、第１の防水パン１１３の端部が第２の防水パン１１４の端部に対して上から重なるように、第１のベースフレーム１１１を下す。

以上で説明したように、分割されたベースフレーム及び防水パンを連結・組み立てする工程は、ベースフレーム構造体同士を連結させる工程と、防水パンの分割面を合わせる工程を伴うので、防水パンの分割面を破損させないようにベースフレームを連結することは極めて困難且つ手間のかかる作業となる。また、分割された防水パンの端部同士を重ねただけでは、端部間に隙間が生じるので、防水効果が不十分であった。

特開平９−２０７０４７号公報 特開平９−２３４６８８号公報

本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、その一つの目的は、分割されたベースフレーム及び防水パンを有するウェット処理装置の防水性を向上させることである。また、他の一つの目的は分割されたベースフレーム及び防水パンを有するウェット処理装置の組み立てを容易に行うことである。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係るウェット処理装置は、第１ベースフレームと、前記第１ベースフレームに隣接して配置される第２ベースフレームと、前記第１ベースフレームの上面に設置される第１防水パンと、前記第２ベースフレームの上面に設置される第２防水パンと、前記第１防水パン又は前記第２防水パンに取り付けられ、前記第１防水パンと前記第２防水パンとの隙間を防水するように構成された、可撓性を有する構造体と、を備える。

本発明の別の形態に係るウェット処理装置は、前記第１防水パンの端部が、前記第２防水パンの端部と少なくとも一部が平面視上重なるように構成され、前記構造体が、前記第１防水パンの前記端部又は前記第２防水パンの前記端部に取り付けられる。

本発明の別の形態に係るウェット処理装置は、前記第１防水パンの前記端部が、前記第２の防水パンの前記端部よりも高い位置に配置される。

本発明の別の形態に係るウェット処理装置は、前記構造体が、合成樹脂又は金属で形成され、前記第１ベースフレーム及び第２ベースフレームより剛性が小さい。

本発明の別の形態に係るウェット処理装置は、前記構造体が、板状、ブラシ状又はすだれ状に形成される。

本発明の別の形態に係るウェット処理装置は、前記第１ベースフレームは基板処理機を搭載可能に構成され、前記第２ベースフレームは基板搬送機を搭載可能に構成される。

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る基板処理装置は、上記ウェット処理装置を備える。

本発明によれば、分割されたベースフレーム及び防水パンを有するウェット処理装置の防水性を向上させることができる。また、分割されたベースフレーム及び防水パンを有するウェット処理装置の組み立てを容易に行うことができる。

本実施形態に係るウェット処理装置を備えたＣＭＰ装置を模式的に示す平面図である。 本実施形態に係るウェット処理装置の概略側面図である。 本実施形態に係るウェット処理装置の組み立て工程を説明する図である。 第１の防水パンの端部に取り付けられた別の構造体の平面図である。 第１の防水パンと第２の防水パンの形状の例を示す平面図である。 従来のウェット処理装置の例を示す概略側面図である。 従来のウェット処理装置の組み立て工程を説明する図である。

以下、本願発明の実施形態に係るウェット処理装置及びこれを備えた基板処理装置を図面に基づいて説明する。以下で説明する図面においては、同一または相当する構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略する。以下の実施形態では、基板処理装置の一例としてＣＭＰ装置を説明するが、これに限られず、基板処理装置は、例えば洗浄装置（ウェハ、レチクル、カセット用等）やメッキ装置など、処理工程に液体を用いる基板処理装置を含む。

図１は、本実施形態に係るウェット処理装置を備えたＣＭＰ装置を模式的に示す平面図である。
図１に示すように、このＣＭＰ装置１は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄと、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに基板を搬送するための第１搬送機構２Ａと、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに基板を搬送するための第２搬送機項２Ｂと、を有している。さらに、ＣＭＰ装置１は、第１研磨ユニット３Ａ、第２研磨ユニット３Ｂ及び第１搬送機項２Ａにおいて基板処理時に発生する液体を受けるためのウェット処理装置１０と、第３研磨ユニット３Ｃ、第３研磨ユニット３Ｄ及び第２搬送機項２Ｂにおいて基板処理時に発生する液体を受けるためのウェット処理装置１１と、を有している。

第１研磨ユニット３Ａは、研磨面を有する研磨パッド２０が取り付けられた研磨テーブル３０Ａと、ウェハを保持しかつウェハを研磨テーブル３０Ａ上の研磨パッド２０に押圧しながら研磨するためのトップリング３１Ａと、研磨パッド２０に研磨液やドレッシング液（例えば、純水）を供給するための研磨液供給ノズル３２Ａと、研磨パッド２０の研磨面のドレッシングを行うためのドレッサ３３Ａと、液体（例えば純水）と気体（例えば窒素ガス）の混合流体または液体（例えば純水）を霧状にして研磨面に噴射するアトマイザ３４Ａとを備えている。

同様に、第２研磨ユニット３Ｂは、研磨パッド２０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｂと、トップリング３１Ｂと、研磨液供給ノズル３２Ｂと、ドレッサ３３Ｂと、アトマイザ３４Ｂと、を備え、第３研磨ユニット３Ｃは、研磨パッド２０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｃと、トップリング３１Ｃと、研磨液供給ノズル３２Ｃと、ドレッサ３３Ｃと、アトマイザ３４Ｃと、を備え、第４研磨ユニット３Ｄは、研磨パッド２０が取り付けられた研磨テーブル３０Ｄと、トップリング３１Ｄと、研磨液供給ノズル３２Ｄと、ドレッサ３３Ｄと、アトマイザ３４Ｄと、を備えている。

第１搬送機項２Ａは、第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂに隣接して配置された、第１リニアトランスポータ６を有している。この第１リニアトランスポータ６は、研磨ユニット３Ａ，３Ｂが配列する方向に沿った４つの搬送位置（図中右から順に第１搬送位置ＴＰ１、第２搬送位置ＴＰ２、第３搬送位置ＴＰ３、第４搬送位置ＴＰ４とする）の間で基板を搬送する機構である。

また、第２搬送機項２Ｂは、第３研磨ユニット３Ｃ及び第４研磨ユニット３Ｄに隣接して配置された、第２リニアトランスポータ７を有している。この第２リニアトランスポータ７は、研磨ユニット３Ｃ，３Ｄが配列する方向に沿った３つの搬送位置（図中右から順に第５搬送位置ＴＰ５、第６搬送位置ＴＰ６、第７搬送位置ＴＰ７とする）の間で基板を搬送する機構である。

基板は、第１リニアトランスポータ６によって研磨ユニット３Ａ，３Ｂに搬送される。第１研磨ユニット３Ａのトップリング３１Ａは、トップリングヘッドのスイング動作により研磨位置と第２搬送位置ＴＰ２との間を移動する。従って、トップリング３１Ａへの基板の受け渡しは第２搬送位置ＴＰ２で行われる。同様に、第２研磨ユニット３Ｂのトップリング３１Ｂは研磨位置と第３搬送位置ＴＰ３との間を移動し、トップリング３１Ｂへの基板の受け渡しは第３搬送位置ＴＰ３で行われる。第３研磨ユニット３Ｃのトップリング３１Ｃは研磨位置と第６搬送位置ＴＰ６との間を移動し、トップリング３１Ｃへの基板の受け渡しは第６搬送位置ＴＰ６で行われる。第４研磨ユニット３Ｄのトップリング３１Ｄは研磨位置と第７搬送位置ＴＰ７との間を移動し、トップリング３１Ｄへの基板の受け渡しは第７搬送位置ＴＰ７で行われる。

第１搬送位置ＴＰ１には、図示しない搬送ロボットから基板を受け取るためのリフタ１２が配置されている。基板はこのリフタ１２を介して図示しない搬送ロボットから第１リニアトランスポータ６に渡される。また、第１リニアトランスポータ６と、第２リニアトランスポータ７との間にはスイングトランスポータ１２が配置されている。このスイングトランスポータ１２は、第４搬送位置ＴＰ４と第５搬送位置ＴＰ５との間を移動可能なハンドを有しており、第１リニアトランスポータ６から第２リニアトランスポータ７への基板の受け渡しは、スイングトランスポータ１２によって行われる。基板は、第２リニアトランスポータ７によって第３研磨ユニット３Ｃ及び／または第４研磨ユニット３Ｄに搬送される。

本実施形態にかかるＣＭＰ装置１のウェット処理装置１０，１１は、半導体製造工場のクリーンルームへの搬出入を行うために分割可能に構成されている。
図２は、本実施形態に係るウェット処理装置１０の概略側面図である。
図示のようにウェット処理装置１０は、図１に示した第１研磨ユニット３Ａ及び第２研磨ユニット３Ｂ（基板処理機）を搭載可能に構成された第１のベースフレーム１３と、図１に示した第１搬送機構２Ａ（基板搬送機）を搭載可能に構成され、第１のベースフレーム１３と隣接して配置された第２のベースフレーム１４とを備えている。また、第１のベースフレーム１３の基板処理機を搭載する搭載面１３ａには、搭載面１３ａの大きさ（占有面積）に合わせた第１の防水パン１５が配置され、第２のベースフレーム１４の基板搬送機を搭載する搭載面１４ａには、搭載面１４ａに大きさ（占有面積）に合わせた第２の防水パン１６が配置されている。

第１のベースフレーム１３の搭載面１３ａの外周側（図中左側）には、上方に突出して形成された凸部１３ｂが設けられ、第１の防水パン１５は、搭載面１３ａ及び凸部１３ｂの形状に合わせて湾曲し、且つ搭載面１３ａの第２のベースフレーム１４と隣接する側（図中右側）の端部１５ａが搭載面１３ａから垂れ下がるように形成されている。これにより、第１の防水パン１５で受けた基板処理機からの処理液は、端部１５ａから第２の防水パン１６へ流れ込むように構成されている。

第２のベースフレーム１４の搭載面１４ａは、第１のベースフレーム１３の搭載面１３ａよりも低く形成されており、その外周側（図中右側）には、上方に突出して形成された凸部１４ｂが設けられている。第２の防水パン１６は、搭載面１４ａ及び凸部１４ｂの形状に合わせて湾曲し、且つ搭載面１４ａの第１のベースフレーム１３と隣接する側（図中右側）の端部１６ａは、上方に湾曲している。これにより、第２の防水パン１６は、第１の防水パン１５から流れ込んだ処理液及び第２の防水パン１６で受けた処理液が外部へ流出することを防止している。

第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６は、平面視で略矩形状に形成されている。ここで、平面視とは、第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６が第１のベースフレーム１３と第２のベースフレーム１４に配置された状態で、各ベースフレームの搭載面と平行な平面で各防水パンを視ることを意味する。

第１の防水パン１５の端部１５ａは、第２の防水パン１６の端部１６ａと少なくとも一部が平面視上重なるように構成されており、端部１５ａの高さは、端部１６ａよりも高くなるように形成されている。
第１の防水パン１５の端部１５ａには、可撓性を有する板状構造体１７が設けられている。板状構造体１７は、第１の防水パン１５の端部１５ａと第２の防水パン１６の端部１６ａとの隙間を覆うように構成されており、第１の防水パン１５の端部１５ａと第２の防水パン１６の端部１６ａとの間を防水することができる。

板状構造体１７の形状は、本実施形態では長方形である。また、板状構造体１７が湾曲しやすいように、板状構造体１７には、第１の防水パン１５の端部１５ａと略平行（図中奥行き方向）に複数のスリットが形成されている。
板状構造体１７は、例えば、接着、溶接、リベット接合、ねじ接合により、第１の防水パン１５の端部に取り付けられている。

第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６の材質は、例えば硬質塩化ビニル（ＰＶＣ）や、ステンレス等の金属から構成されている。
板状構造体１７は、第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６の材質よりも剛性の小さいものであって、柔軟性がある材質、例えば軟質の塩化ビニル、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）、ゴム、プラスチックなどの合成樹脂、または金属から形成される。また、板状構造体１７は、第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６の材質よりも剛性の小さい公知の材料から成る織物、不織布又はこれらの織物および不織布に樹脂を含有させた板状（シート状）の構造体であってもよい。

以下、ウェット処理装置１０の組み立て工程について説明する。
図３は、分割されたウェット処理装置１０の組み立て工程を説明する図である。
図３ａに示すように、第１のベースフレーム１３と第２のベースフレーム１４に、予め夫々第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６が設置されている状態で、第１のベースフレーム１３と第２のベースフレーム１４がクリーンルーム等に搬入される。また、第１の防水パン１５の端部１５ａには、予め板状構造体１７が取り付けられている。

ウェット処理装置１０を組み立てる際は、例えば図示しないクレーン等で第１のベースフレーム１３を吊り上げながら、第２のベースフレーム１４へ隣接するように移動させて配置する（図３ｂ参照）。または、第１のベースフレーム１３を吊り上げることなくスライドさせて、第２のベースフレーム１４へ隣接するように移動させてもよい。
このとき、第１の防水パン１５の端部１５ａの高さが、第２のベースフレーム１４の端部１４ａの高さよりも高く構成されているので、第１のベースフレーム１３を第２のベースフレーム１４に隣接するように移動させても、第１の防水パン１５の端部１５ａが第２のベースフレーム１４の端部１４ａに接触することがなく、各防水パンの破損を確実に防止することができる。

第１の防水パン１５の端部１５ａに取り付けられた板状構造体１７は、第２の防水パン１６の端部１６ａと接触して湾曲する（図３ｂ参照）。
このとき、板状構造体１７は、第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６の材質よりも軟質な材質で形成されているので、第２の防水パン１６と接触しても、第２の防水パンを破損させることがない。また、板状構造体１７は、可撓性を有している、即ち湾曲可能な程度に柔軟性を有しており、必要に応じて変形して、第２の防水パン１６と接触しても破損しないように構成されている。また、板状構造体１７には、上述したようにスリットが形成されているので、より柔軟に湾曲することができ、板状構造体１７と第２の防水パン１６との接触による互いの破損をより確実に防止することができる。

第１のベースフレーム１３が、組み立て完了位置に移動されると、湾曲した板状構造体１７は、元の形状に戻ると共に、第２の防水パン１６の端部１６ａに覆いかぶさる（図３ｃ参照）。これにより、第１の防水パン１５の端部１５ａと第２の防水パン１６の端部１６ａとの隙間を確実に防水することができる。

本実施形態に係るウェット処理装置１０によれば、第１の防水パン１５及び第２の防水
パン１６との隙間を板状構造体１７により確実に防水することができ、且つ、第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６を破損させることなく、容易に組み立てることができる。
また、第１の防水パン１５の端部１５ａが、第２の防水パン１６の端部１６ａと少なくとも一部が平面視上重なるように構成され、この端部１５ａに板状構造体１７が取り付けられているので、第１の防水パン１５が受けた処理液が、板状構造体１７を介して確実に第２の防水パン１６へ流れ込むので、処理液の漏洩を防止することができる。
さらに、予め第１の防水パン１５に板状構造体が取り付けられた状態で、ウェット処理装置１０の組み立てを行うことができるので、現場で板状構造体１７を取り付ける必要がなく、現場での作業時間を短縮することができる。

なお、本実施形態では、板状構造体１７は、第２の防水パン１６には固定されないが、必要に応じて、接着、溶接、リベット接合、ねじ接合等によって、第２の防水パン１６に取り付けてもよい。
また、本実施形態では、板状構造体１７は、相対的に高い位置に配置された第１の防水パン１５の端部１５ａに取り付けられているが、これに代えて第２の防水パン１６の端部１６ａに取り付けるようにしてもよい。この場合は、板状構造体１７は、第２の防水パン１６の端部１６ａに取り付けられた状態で鉛直方向に自立可能な程度の剛性を有する材料が選択される。

さらに、板状構造体１７に代えて、例えば、複数の可撓性を有する棒状体又は円筒体の端部を第１の防水パン１５の端部１５ａに取り付け、密に並べてブラシ状に形成された構造体１７（図４ａ参照）や、複数の可撓性を有する棒状体又は円筒体が面内方向に連結してすだれ状に形成された構造体１７（図４ｂ参照）を設けてもよい。なお、ブラシ状の構造体１７およびすだれ状の構造体１７は、上記板状構造体１７と同様に、第１の防水パン１５及び第２の防水パン１６の材質よりも剛性の小さいものであって、柔軟性がある材質、例えば軟質の塩化ビニル、ＰＦＡ、ＰＴＦＥ、ゴム、プラスチックなどの合成樹脂、または金属から形成することができる。

本実施形態では、第１の防水パン１５の端部１５ａと第２の防水パン１６の端部１６ａとは、平面視で略矩形状に形成されているが、より複雑な形状であってもよい。例えば、図５に示すように、端部１５ａ及び端部１６ａが互いに矩形状に入り組む形状であったり（図５ａないし図５ｄ参照）、端部１５ａ及び端部１６ａの一部が互いに鋭角状に入り組む形状であったり（図５ｅ及び図５ｆ参照）、端部１５ａ及び端部１６ａの一部が互いに円弧状に入り組む形状であってもよい（図５ｇ及び図５ｈ）。これらの場合、板状構造体１７は、図示破線で示すように、端部１５ａの形状に沿って端部１５ａに取り付けられる。このように板状構造体１７が端部１５ａの形状に沿って設けられることで、端部１５ａと端部１６ａとの隙間の防水を確実に行うことができる。

１ ＣＭＰ装置、２Ａ 第１搬送機構、２Ｂ 第２搬送機構、３Ａ 第１研磨ユニット、３Ｂ 第２研磨ユニット、３Ｃ 第３研磨ユニット、３Ｄ 第４研磨ユニット、６ 第１リニアトランスポータ、７ 第２リニアトランスポータ、１０，１１，１００，１１０ ウェット処理装置、１３，１１１ 第１のベースフレーム、１３ａ 搭載面、１３ｂ 凸部、１４，１１２ 第２のベースフレーム、１４ａ 搭載面、１４ｂ 凸部、１５，１１３ 第１の防水パン、１５ａ 端部、１６，１１４ 第２の防水パン、１６ａ 端部、１７ 板状構造体、 ２０ 研磨パッド、３０Ａ，３０Ｂ３０Ｃ，３０Ｄ 研磨テーブル、３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ トップリング、３２Ａ，３２Ｂ，３２Ｃ，３２Ｄ 研磨液供給ノズル、３３Ａ，３３Ｂ，３３Ｃ，３３Ｄ ドレッサ、３４Ａ，３４Ｂ，３４Ｃ，３４Ｄ アトマイザ、１０２ 防水パン。

Claims (7)

1. 第１ベースフレームと、
   前記第１ベースフレームに隣接して配置される第２ベースフレームと、
   前記第１ベースフレームの上面に設置される第１防水パンと、
   前記第２ベースフレームの上面に設置される第２防水パンと、
   前記第１防水パン又は前記第２防水パンに取り付けられ、前記第１防水パンと前記第２防水パンとの隙間を防水するように構成された、可撓性を有する構造体と、を備えたウェット処理装置。
2. 前記第１防水パンの端部は、前記第２防水パンの端部と少なくとも一部が平面視上重なるように構成され、
   前記構造体は、前記第１防水パンの前記端部又は前記第２防水パンの前記端部に取り付けられた、請求項１に記載されたウェット処理装置。
3. 前記第１防水パンの前記端部は、前記第２の防水パンの前記端部よりも高い位置に配置された、請求項１又は２に記載されたウェット処理装置。
4. 前記構造体は、合成樹脂又は金属で形成され、前記第１ベースフレーム及び第２ベースフレームより剛性が小さい、請求項１ないし３のいずれか一項に記載されたウェット処理装置。
5. 前記構造体は、板状、ブラシ状又はすだれ状に形成された、請求項１ないし４のいずれか一項に記載されたウェット処理装置。
6. 前記第１ベースフレームは基板処理機を搭載可能に構成され、
   前記第２ベースフレームは基板搬送機を搭載可能に構成された、請求項１ないし５のいずれか一項に記載されたウェット処理装置。
7. 請求項１ないし６のいずれか一項に記載されたウェット処理装置を備えた、基板処理装置。

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