CN107546155B - 清洗装置及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可减轻更换不同种类的清洗模块的作业所造成的负担的清洗装置及基板处理装置。本发明采用包含下述构件的结构:多种清洗模块(31(31A、31B)),进行清洗处理;第1收纳部,可收纳多种清洗模块(31);及流体供给部(60),经由配管(63)对收纳于第1收纳部的清洗模块(31)供给流体;多种清洗模块(31)分别具备与配管(63)的连接位置共用的配管连接部(70)。

Description

清洗装置及基板处理装置
技术领域
本发明是关于清洗装置及基板处理装置。
背景技术
以往已知下述专利文献1中所记载的基板处理装置。该基板处理装置是将硅晶片等基板表面磨平的化学机械研磨(CMP:Chemical Mechanical Polishing)装置,其具备运送基板的基板运送部、研磨基板的研磨部及清洗基板的清洗部(清洗装置)。该清洗装置具备清洗模块,其用于去除CMP中所使用的浆液的残渣、金属研磨屑等的微小粒子,而作为该清洗模块,已知例如使用辊清洗构件的辊清洗模块、使用笔型清洗构件的笔型清洗模块、使用双流体喷嘴的双流体清洗模块等。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平11-87462号公报
发明要解决的课题
在上述清洗装置中,因应对于清洗的要求,有时会将清洗模块更换成其他种类的清洗模块。因为各种清洗模块供给流体(纯水或药液等)的位置等不同,在更换成其他种类的清洗模块时,不仅是清洗模块,还必需变更与对清洗模块供给流体的配管的连接关系,该更换作业繁杂且费时。
另外,在组装到半导体制造装置的清洗装置的情况下,为了使装置小型化,最近越来越要求尽量减少清洗装置的占地面积(设置面积)。
专利文献1中记载的基板处理装置采用如下单元结构:以嵌合状将清洗模块收纳至外部框体,还在该外部框体中内置该连接配管系统。根据此结构,可逐一对清洗模块及其连接配管系统进行更换作业。然而,这种单元结构,尺寸大且操作性变差,对于进行更换作业的作业者造成负担。另外,尺寸若变大,则例如难以将该单元在高度方向上重叠设置而多轨同时对基板进行清洗处理。此外,将单元平放设置的情况中,装置整体的占地面积增加。
发明内容
本发明是鉴于上述问题点而完成的,其目的是提供一种清洗装置及基板处理装置,可降低更换不同种类的清洗模块所造成的负担,另外可抑制装置的占地面积增加。
解决课题的手段
(1)本发明的一方式的清洗装置,具备:多种清洗模块,该多种清洗模块进行基板的清洗处理;收纳部,该收纳部可收纳所述多种清洗模块;及流体供给部,该流体供给部经由配管对收纳于所述收纳部的清洗模块供给流体,所述多种清洗模块分别具备与所述配管的连接位置共用的配管连接部。
(2)如上述(1)记载的清洗装置,也可以是,该流体供给部具备:纯水配管,该纯水配管供给纯水作为所述流体;药液配管,该药液配管供给药液作为所述流体;及空气配管,该空气配管供给空气作为所述流体,该空气驱动所述清洗模块;所述配管连接部与所述纯水配管、所述药液配管、所述空气配管中的至少一个连接。
(3)如上述(1)或(2)记载的清洗装置,也可以是,所述多种清洗模块包含辊清洗模块及笔型清洗模块,所述辊清洗模块具备:第1旋转机构,该第1旋转机构使所述基板旋转;第1顶面流体供给喷嘴,该第1顶面流体供给喷嘴对所述基板的顶面供给流体;第1底面流体供给喷嘴,该第1底面流体供给喷嘴对所述基板的底面供给流体;及辊清洗构件,该辊清洗构件的周面与且该辊清洗构件旋转;所述笔型清洗模块具备:第2旋转机构,该第2旋转机构使所述基板旋转;第2顶面流体供给喷嘴,该第2顶面流体供给喷嘴对所述基板的顶面供给流体;第2底面流体供给喷嘴,该第2底面流体供给喷嘴通过所述第2旋转机构的旋转轴对所述基板的底面供给流体;及笔型清洗构件,该笔型清洗构件的端面与所述基板接触且该笔型清洗构件旋转;所述笔型清洗模块还具备:配管延长部,该配管延长部设置成与所述第2底面流体供给喷嘴连通,从所述第2旋转机构的旋转轴导出至模块框体的外部,并延长至所述第1底面流体供给喷嘴与所述配管连接的连接位置;及配管盖,该配管盖以覆盖所述配管延长部的方式安装于所述模块框体。
此外,本发明的一方式的清洗装置所采用的清洗模块并不限定于使用上述辊清洗模块及笔型清洗模块,在其他方式的中,当然也可采用其他种类的清洗模块。
(4)如上述(1)~(3)记载的清洗装置,也可以是,所述多种清洗模块分别具备尺寸相同的模块框体。
(5)如上述(1)~(4)记载的清洗装置,也可以是,所述收纳部将所述清洗模块在高度方向上重叠以进行收纳。
(6)如上述(1)~(5)记载的清洗装置,也可以是,具备:第2收纳部,该第2收纳部将所述流体供给部收纳成能够抽出,所述流体供给部具备所述配管及与所述配管不同的其他配管,包含所述配管与所述其他配管的所有配管连接于所述流体供给部的抽出方向的前侧或后侧。
(7)如上述(1)~(6)记载的清洗装置,也可以是,所述多种清洗模块的至少一种包含:
基板保持部,该基板保持部水平地保持所述基板的底面;模块侧流体供给部,该模块侧流体供给部对保持于所述基板保持部的所述基板的底面供给流体;及清洗构件,在所述基板被所述基板保持部保持时,该清洗构件与所述基板的底面接触以进行清洗。
(8)本发明的一方式的基板处理装置具备:运送基板的基板运送部;研磨所述基板的研磨部;及清洗所述基板的清洗部,其中,所述清洗部包含上述(1)至(7)记载的清洗装置。
发明的效果
根据上述本发明的方式,可提供一种清洗装置及基板处理装置,降低不同种类清洗模块的更换作业的负担,另外,抑制装置的占地面积增加。
附图说明
图1是表示一实施方式的基板处理装置1的整体构成的俯视图。
图2是表示一实施方式的基板处理装置1的清洗部30侧的侧视图。
图3(a)是图2的箭头A-A图,(b)是表示第1轨道L1的清洗模块31与流体供给部60的连接关系的示意图,(c)是表示第2轨道L2的清洗模块31与流体供给部60的连接关系的示意图。
图4是表示一实施方式的清洗模块31A的构成的立体图。
图5是表示设于一实施方式的清洗模块31A的第1顶面流体供给喷嘴82及第1底面流体供给喷嘴83与配管63的连接关系的示意图。
图6是表示一实施方式的清洗模块31B的构成的立体图。
图7是表示设于一实施方式的清洗模块31B的第2顶面流体供给喷嘴92及第2底面流体供给喷嘴93与配管63的连接关系的示意图。
图8是表示一实施方式的清洗模块31A与清洗模块31B的更换作业的情况的示意图。
图9是表示与一实施方式的流体供给部60的药液供给部61连接的配管63及其他配管110的(a)连接状态、(b)卸除状态的立体图。
图10是表示与一实施方式的流体供给部60的药液供给部61连接的配管63及其他配管110的(a)连接状态、(b)抽出状态的立体图。
符号说明
1 基板处理装置
2 壳体
2a 底板
2b 背板
2c 架板
3 控制部
10 装载/卸除部
11 前装载部
12 运送机器人
13 行进机构
20 研磨部
21 研磨模块
21A 研磨模块
21B 研磨模块
21C 研磨模块
21D 研磨模块
22 研磨垫
23 研磨平台
24 顶环
25 研磨液供给喷嘴
26 修整器
27 喷雾器
28 运送机器人
29a 第1交换器
29b 第2交换器
30 清洗部(清洗装置)
31 清洗模块
31A 清洗模块(辊清洗模块)
31B 清洗模块(笔型清洗模块)
31C 清洗模块
31Add 清洗模块
32 干燥模块
33 运送室
34 清洗部基板运送机构
35 运送机器人
36 行进机构
40 基板运送部
41 基板运送路径
41a 一端部
41b 另一端部
50 第1收纳部(收纳部)
51 第2收纳部
60 流体供给部
61 药液供给部
62 纯水供给部
63 配管
63a 药液配管
63a1 内管
63a2 内管
63b 纯水配管
64 电装零件安装部
65 药液供给部驱动系统
66 纯水供给部驱动系统
67 模块驱动系统
70 配管连接部
80 第1旋转机构
80a 保持滚轴
81 辊清洗构件
81A 周面
81a 辊海绵
81b 辊海绵
82 第1顶面流体供给喷嘴
82a 连接配管
83 第1底面流体供给喷嘴
83a 连接配管
84 保护管
90 第2旋转机构
90a 旋转载台
90b 旋转轴
90b1 导出口
91 笔型清洗构件
91A 端面
91a 笔型海绵
90a1 夹头
91b 手臂
91c 旋转轴
92 第2顶面流体供给喷嘴
92a 连接配管
93 第2底面流体供给喷嘴
93a1 配管延长部
100 模块框体
101 配管盖
110 其他配管
110a 药液输入配管
110b 纯水输入配管
110c 空气输入配管
110d 排水配管
200 外部框体
200a 维修面
200b 背面
W 基板
W1 顶面
W2 底面
L1 第1轨道
L2 第2轨道
TP1 第1运送位置
TP2 第2运送位置
TP3 第3运送位置
TP4 第4运送位置
具体实施方式
以下,参照图附图说明本发明的一实施方式的清洗装置及基板处理装置。
图1是表示一实施方式的基板处理装置1的整体构成的俯视图。
图1所示的基板处理装置1是将硅晶片等基板W的表面磨平的化学机械研磨(CMP)装置。基板处理装置1具备矩形箱状的壳体2。壳体2在俯视下形成大致长方形。壳体2的内部被分隔壁区分为装载/卸除部10、研磨部20、清洗部30。另外,基板处理装置1具备:基板运送部40,将基板W从装载/卸除部10运送至研磨部20;控制部3(控制盘),控制装载/卸除部10、研磨部20、清洗部30及基板运送部40的动作。
装载/卸除部10具备收纳基板W的前装载部11。多个前装载部11设于壳体2的长边方向上的一侧的侧面。多个前装载部11排列于壳体2的宽度方向(俯视下与长边方向垂直的方向)上。前装载部11搭载例如开放式匣合、SMIF(Standard Manufacturing Interface/机械标准接口)盒或是FOUP(Front Opening Unified Pod/前开统一标准晶片盒)。SMIF、FOUP是在内部收纳基板W的匣合且被分隔壁覆盖的密闭容器,其可保持与外部空间独立的环境。
另外,装载/卸除部10具备:运送机器人12,使基板W从前装载部11进出;及行进机构13,使运送机器人12沿着前装载部11的并排方向行进。运送机器人12在上下具备2个爪部,分别用于基板W的处理前、处理后。例如,在使基板W回到前装载部11时,使用上侧的爪部,在从前装载部11取出处理前的基板W时,使用下侧的爪部。
基板运送部40具备基板运送路径41,其在壳体2的长边方向上延伸。基板运送路径41在俯视下通过配置有清洗部30的区域,一端部41a与装载/卸除部10连通,另一端部41b与研磨部20连通。在基板运送路径41设有支承基板W的滑动载台及使该滑动载台在一端部41a与另一端部41b之间移动的载台移动机构。一端部41a是基板W的搬入口,一般被挡板关闭,在装载/卸除部10的运送机器人12进行取放时开启。另外,另一端部41b是基板W的搬出口,一般被挡板关闭,在研磨部20的运送机器人28进行取放时开启。
研磨部20具备进行基板W的研磨(或是也称为研削、平坦化)的多个研磨模块21(21A、21B、21C、21D)。多个研磨模块21在壳体2的长边方向上排列。研磨模块21具备:研磨平台23,使具有研磨面的研磨垫22旋转;顶环24,用于保持基板W且一边将基板W压附于研磨平台23上的研磨垫22一边进行研磨;研磨液供给喷嘴25,用于对研磨垫22供给研磨液、修整液(例如,纯水);修整器26,进行研磨垫22的研磨面的修整;及喷雾器27,使液体(例如纯水)与气体(例如氮气)的混合流体或液体(例如纯水)成为雾状并将其喷射至研磨面。
在研磨模块21中,一边从研磨液供给喷嘴25将研磨液供给至研磨垫22上,一边通过顶环24将基板W压附于研磨垫22,再使顶环24与研磨平台23相对移动,从而研磨基板W而使其表面平坦。修整器26在与研磨垫22接触的前端的旋转部固定有钻石粒子、陶瓷粒子等硬质的粒子,通过一边使该旋转部旋转一边摆动,从而能够均匀地修整研磨垫22的整个研磨面,而形成平坦的研磨面。喷雾器27利用高压的流体洗掉残留于研磨垫22的研磨面的研磨屑、磨粒等,从而达成研磨面的净化以及利用修整器26的机械接触所进行的研磨面修整作业,即研磨面的再生。
另外,研磨部20具备运送机器人28、第1交换器29a及第2交换器29b。在研磨部20中,在多个研磨模块21的并排方向上,从装载/卸除部10侧依序设定第1运送位置TP1、第2运送位置TP2、第3运送位置TP3、第4运送位置TP4。第1运送位置TP1、第2运送位置TP2、第3运送位置TP3、第4运送位置TP4分别的将基板W传递至研磨模块21A、研磨模块21B、研磨模块21C、研磨模块21D的位置。各研磨模块21利用顶环24的手臂的转动,从而对于第1运送位置TP1、第2运送位置TP2、第3运送位置TP3、第4运送位置TP4进行取放。
运送机器人28在基板运送部40、第1交换器29a、第2交换器29b之间进行基板W的传递。运送机器人28具备保持基板W的爪部、使爪部上下反转的反转机构、支承爪部的可伸缩的手臂、使手臂上下移动的手臂上下移动机构以及使手臂绕着在垂直方向上延伸的轴转动的手臂转动机构等。运送机器人28可在第2运送位置TP2与第3运送位置TP3之间移动,以将从基板运送部40接收的基板W分配给第1交换器29a或第2交换器29b。另外,运送机器人28从第1交换器29a或第2交换器29b接收经研磨模块21研磨后的基板W,并将其传递至清洗部30。
第1交换器29a是在第1运送位置TP1、第2运送位置TP2之间运送基板W的机构。第1交换器29a具备支承基板W的多个滑动载台、使各滑动载台以不同高度在水平方向上移动的载台移动机构、配置于第1运送位置TP1的第1推动器、及配置于第2运送位置TP2的第2推动器。各滑动载台具有可使第1推动器、第2推动器上下通过的大致コ字形的缺口部,利用载台移动机构在第1运送位置TP1与第2运送位置TP2之间移动。第1推动器在第1运送位置TP1上下移动,以在滑动载台与研磨模块21A的顶环24之间进行基板W的传递。另外,第2推动器在第2运送位置TP2上下移动,以在滑动载台与研磨模块21B的顶环24之间进行基板W的传递。
第2交换器29b是在第3运送位置TP3、第4运送位置TP4之间运送基板W的机构。第2交换器29b具备支承基板W的多个滑动载台、以不同高度使各滑动载台在水平方向上移动的载台移动机构、配置于第3运送位置TP3的第3推动器、及配置于第4运送位置TP4的第4推动器。各滑动载台具有可使第3推动器、第4推动器上下通过的大致コ字形的缺口部,利用载台移动机构在第3运送位置TP3与第4运送位置TP4之间移动。第3推动器在第3运送位置TP3上下移动,以在滑动载台与研磨模块21C的顶环24之间进行基板W的传递。另外,第4推动器在第4运送位置TP4上下移动,以在滑动载台与研磨模块21D的顶环24之间进行基板W的传递。
清洗部30(清洗装置)具备:多个清洗模块31(31A、31B、31C、31Add),进行基板W的清洗;及干燥模块32,使清洗后的基板W干燥。多个清洗模块31及干燥模块32在壳体2的长边方向上排列。在清洗模块31A与清洗模块31Add之间设有运送室33(晶片站)。在运送室33设有载台,以载置从运送机器人28传递来的基板W。另外,清洗部30具备清洗部基板运送机构34,其拾起载置于运送室33的载台的基板W,并在多个清洗模块31、干燥模块32与运送室33之间运送基板W。
清洗模块31A与运送室33彼此相邻配置,对基板W进行第一次清洗。另外,清洗模块31B与清洗模块31A彼此相邻配置,对基板W进行第二次清洗。另外,清洗模块31C与清洗模块31B彼此相邻配置,对基板W进行第三次清洗。干燥模块32与清洗模块31C相邻配置,进行例如ROTAGONI干燥(IPA(Iso-Propyl Alcohol/异丙醇)干燥)。此外,隔着运送室33而与清洗模块31A配置于相反侧的清洗模块31Add是根据清洗的规格而追加的构件,例如,在清洗模块31A、31B、31C的清洗处理前,对基板W进行预备清洗。各清洗模块31及干燥模块32具备带有挡板的开口部,其供基板W及运送基板W的清洗部基板运送机构34通过。干燥后,设于干燥模块32与装载/卸除部10之间的分隔壁的挡板开启,利用运送机器人12从干燥模块32取出基板W。
图2是一实施方式的基板处理装置1的清洗部30侧的侧视图。此外,在图2中,为了提升可视性,未表示装载/卸除部10。
如图2所示,清洗部30具备:配置成上下两列的第1收纳部50(收纳部);以及配置于第1收纳部50下方的第2收纳部51。第1收纳部50及第2收纳部51通过壳体2的框架形成多段的棚状。第1收纳部50以可向前侧(壳体2的宽度方向(图2的中纸面垂直方向))抽出的方式收纳清洗模块31及干燥模块32。第2收纳部51与第1收纳部50相同地,以可向前侧抽出的方式收纳对清洗模块31及干燥模块32供给流体(纯水、药液、驱动用的空气等)的流体供给部60。
如图2所示,第1收纳部50在高度方向上重叠清洗模块31及干燥模块32以进行收纳。即,清洗模块31及干燥模块32设置成彼此在垂直方向上积层。在该清洗部30中,通过上方的第1轨道L1的各清洗模块31及干燥模块32与下方的第2轨道L2的各清洗模块31及干燥模块32,可同时对基板W进行清洗处理。清洗部基板运送机构34分别设于第1轨道L1与第2轨道L2。另外,运送室33上下具备载台,以分别对应第1轨道L1与第2轨道L2的高度支承基板W。
清洗部基板运送机构34具备:运送机器人35,运送基板;及行进机构36,使运送机器人35沿着清洗模块31及干燥模块32的并排方向行进。运送机器人35左右具备2个爪部,分别使用于基板W的清洗处理前、清洗处理后。例如,从运送室33取出研磨处理后的基板W时,使用左侧的爪部;从清洗模块31(例如,在清洗处理后半段为清洗模块31C等)取出清洗处理后的基板W时,使用右侧的爪部。
图3(a)是图2的箭头A-A图,(b)是表示第1轨道L1的清洗模块31与流体供给部60的连接关系的示意图,(c)是表示第2轨道L2的清洗模块31与流体供给部60的连接关系的示意图。
如图3(a)所示,清洗部基板运送机构34配置于清洗模块31的抽出方向前侧(纸面左侧),即第1收纳部50的入口侧。此外,上述基板运送部40利用配置于第1轨道L1的清洗模块31与配置于第2轨道L2的清洗模块31之间隙(空间)进行配置。
回到图2,对清洗模块31供给流体的流体供给部60具备药液供给部61与纯水供给部62。药液供给部61及纯水供给部62分别各设置2个,如图3(b)所示,配置于上方的药液供给部61及纯水供给部62经由配管63(药液配管63a、纯水配管63b)与配置于其上方的第1轨道L1的清洗模块31连接,另外,如图3(c)所示,配置于下方的药液供给部61及纯水供给部62经由配管63(药液配管63a、纯水配管63b)与配置于第2轨道L2的清洗模块31连接。
流体供给部60具备电装零件安装部64。电装零件安装部64具备:药液供给部驱动系统65,驱动药液供给部61;纯水供给部驱动系统66,驱动纯水供给部62;及模块驱动系统67,驱动清洗模块31。药液供给部驱动系统65及纯水供给部驱动系统66具备:电线,用于控制设于药液供给部61及纯水供给部62的运送流体的泵、调整流体流量的控制阀等;及空气配管等,其供给空气以驱动使药液配管63a及纯水配管63b开闭的空气操作阀。另外,模块驱动系统67具备控制下述清洗模块31的电驱动部(马达等)的电线,另外具备控制清洗模块31的空气驱动部(空气汽缸等)的空气配管(配管)等。
药液配管63a、纯水配管63b以及模块驱动系统67的电线、空气配管等沿着图3(a)所示的棚状的壳体2的底板2a、背板2b以及架板2c铺设。即,药液配管63a、纯水配管63b及模块驱动系统67的电线、空气配管等铺设为紧贴底板2a、背板2b、及架板2c。
如图3(b)及图3(c)所示,清洗模块31具备与配管63连接的配管连接部70。配管63在配管连接部70中的连接位置在配置于轨道L1的清洗模块31与配置于第2轨道L2的清洗模块31是共用的。此外,本实施方式中,模块驱动系统67的电线及空气配管的连接位置在配置于第1轨道L1的清洗模块31与配置于第2轨道L2的清洗模块31中也是共用的。
另外,图2所示的配置于第1轨道L1的各清洗模块31A、31B、31C、31Add具备共同的配管连接部70,其与各清洗模块31A、31B、31C、31Add中的各流体供给部60的连接位置相同。另外,配置于第2轨道L2的各清洗模块31A、31B、31C、31Add也具备共同的配管连接部70,其与各清洗模块31A、31B、31C、31Add中的各流体供给部60的连接位置相同。如此,清洗模块31与流体供给部60的连接位置在第1轨道L1及第2轨道L2的任一第1收纳部50中皆为共用的。在这多个清洗模块31中包含进行不同清洗处理的多种清洗模块31。例如,清洗模块31A与清洗模块31B中进行不同的清洗处理。即,即使清洗模块31的种类不同,其配管63的连接位置也是共用的。
图4是表示一实施方式的清洗模块31A的构成的立体图。
清洗模块31A是例如图4所示的辊清洗模块。该清洗模块31A具备:第1旋转机构80,使基板W旋转;及辊清洗构件81,使周面81A接触基板W并且旋转。第1旋转机构80具备多个保持滚轴80a,其保持基板W的外周以使其在绕着在垂直方向上延伸的轴旋转。多个保持滚轴80a与马达等电驱动部连接而水平旋转。另外,多个保持滚轴80a是可通过空气汽缸等的空气驱动部而上下移动的结构。
辊清洗构件81具备:一对辊海绵81a、81b,其与基板W的顶面W1及底面W2接触;马达等电驱动部,其使一对辊海绵81a、81b旋转;及空气汽缸等空气驱动部,其使上侧的辊海绵81a上下移动。即,下侧的辊海绵81b被保持在一定的高度。在设置基板W时,首先使上侧的辊海绵81a及多个的保持滚轴80a上升。接着,将基板W保持于上升后的多个保持滚轴80a,之后,基板W的底面W2下降至与下侧的辊海绵81b接触为止。最后,使上侧的辊海绵81a下降,与基板W的顶面W1接触。
图5是表示设于一实施方式的清洗模块31A的第1顶面流体供给喷嘴82及第1底面流体供给喷嘴83与配管63的连接关系的示意图。
如图5所示,清洗模块31A具备:第1顶面流体供给喷嘴82,对基板W的顶面W1供给流体;及第1底面流体供给喷嘴83,对基板W的底面W2供给流体。第1顶面流体供给喷嘴82经由连接配管82a与配管连接部70连接。配管连接部70将连接配管82a与药液配管63a的内管63a1(分支管)连接。另外,第1底面流体供给喷嘴83经由连接配管83a与配管连接部70连接。配管连接部70将连接配管83a与药液配管63a的内管63a2(分支管)连接。此外,内管63a1、内管63a2以从药液供给部61分支的方式设置,它们的外侧被保护管84覆盖。
此外,图5所示的第1顶面流体供给喷嘴82及第1底面流体供给喷嘴83与药液配管63a连接,而对基板W的顶面W1与底面W2供给药液,而在纯水配管63b中,也是与该药液配管63a相同的结构,是从与第1顶面流体供给喷嘴82及第1底面流体供给喷嘴83相同的位置对基板W的顶面W1与底面W2供给纯水的结构。
在该清洗模块31A中,以下述方式清洗基板W。基板W被保持于多个保持滚轴80a并且旋转。接着,从第1顶面流体供给喷嘴82及第1底面流体供给喷嘴83对基板W的顶面W1与底面W2供给药液。在此状态下,一对辊海绵81a、81b绕着水平延伸的轴旋转,并与基板W的顶面W1及底面W2滑动接触,从而对基板W的顶面W1与底面W2进行刷洗。刷洗后,使上侧的辊海绵81a及多个保持滚轴80a上升,使一对辊海绵81a、81b从基板W离开的同时,从与第1顶面流体供给喷嘴82及第1底面流体供给喷嘴83相同的位置对基板W的顶面W1与底面W2供给纯水,由此冲洗基板W。
图6是表示一实施方式的清洗模块31B的构成的立体图。
清洗模块31B例如是图6所示的笔型清洗模块。该清洗模块31B具备:第2旋转机构90,使基板W旋转;及笔型清洗构件91,使基板W接触端面91A并且旋转。第2旋转机构90具备保持基板W外周的多个夹头90a1,并且具备旋转载台90a,其使基板W绕着在垂直方向上延伸的轴旋转。旋转载台90a以旋转自如的方式支承于下述图7所示的旋转轴90b,另外,与马达等电驱动部连接并且水平旋转。
笔型清洗构件91具备:笔型海绵91a;及手臂91b,保持笔型海绵91a。笔型海绵91a与配置于手臂91b内的马达等电驱动部连接,其绕着在垂直方向上延伸的轴旋转。手臂91b配置于基板W的上方。手臂91b的一端与笔型海绵91a连结,手臂91b的另一端与旋转轴91c连结。旋转轴91c与使手臂91b旋转的马达等电驱动部连接。手臂91b以旋转轴91c为中心,在与基板W平行的平面内旋转。即,通过手臂91b的旋转,使其支承的笔型海绵91a在基板W的半径方向上移动,进而与基板W的顶面W1(图案面)接触。
图7是表示设于一实施方式的清洗模块31B的第2顶面流体供给喷嘴92及第2底面流体供给喷嘴93与配管63的连接关系的示意图。
如图7所示,清洗模块31B具备:第2顶面流体供给喷嘴92,对基板W的顶面W1供给流体;及第2底面流体供给喷嘴93,对基板W的底面W2供给流体。第2顶面流体供给喷嘴92经由连接配管92a与配管连接部70连接。配管连接部70将连接配管92a与药液配管63a的内管63a1(分支管)连接。第2顶面流体供给喷嘴92的结构与图5所示的第1顶面流体供给喷嘴82的结构相同,与药液配管63a的内管63a1的连接位置也是共用的。
第2底面流体供给喷嘴93经由连接配管93a与配管连接部70连接。配管连接部70将连接配管93a与药液配管63a的内管63a2(分支管)连接。该第2底面流体供给喷嘴93配置成通过第2旋转机构90的旋转轴90b从该旋转中心对基板W的底面W2供给流体。旋转轴90b与清洗模块31B的模块框体100连结,其下端向模块框体100的外部突出。在旋转轴90b的下端的侧方形成有导出口90b1,其将连接配管93a导出至模块框体100的外部。连接配管93a具备配管延长部93a1,该配管延长部93a1以从导出口90b1延长至图5所示的第1底面流体供给喷嘴83与内管63a2连接的位置的方式设置。在以往,如图7中的虚线所示,配管延长部93a为了通过旋转轴90b,使其他连接位置延长至与第1底面流体供给喷嘴83与内管63a2连接的位置共用的位置(即,与第2顶面流体供给喷嘴92的与内管63a1的连接位置相邻的位置)。
配管延长部93a1被安装于模块框体100的配管盖101覆盖。由此,配管延长部93a1从配管连接部70至旋转轴90b之间未露出于外部,而在进行清洗模块31的更换作业时,不会有勾到周围的结构物的担忧。此外,配管盖101是大致コ字形、圆弧形状的盖体,通过螺丝、卡扣等安装于模块框体100。
此外,图7所示的第2顶面流体供给喷嘴92及第2底面流体供给喷嘴93与药液配管63a连接,用于对基板W的顶面W1与底面W2供给药液,在纯水配管63b中,也是与药液配管63a相同的结构,是从与第2顶面流体供给喷嘴92及第2底面流体供给喷嘴93相同的位置对基板W的顶面W1与底面W2供给纯水的结构。
在该清洗模块31B中,以下述方式清洗基板W。基板W被保持于多个夹头90a1,与旋转载台90a一起旋转。接着,从第2顶面流体供给喷嘴92及第2底面流体供给喷嘴93对基板W的顶面W1与底面W2供给药液。在此状态下,笔型海绵91a一边绕着在垂直方向上延伸的轴旋转,一边与基板W的顶面W1滑接,更通过手臂91b沿着基板W的半径方向摆动。在药液的存在下,笔型海绵91a与基板W的顶面W1滑接,从而对基板W进行刷洗。刷洗后,使笔型海绵91a移动至基板W的半径方向外侧,从与第2顶面流体供给喷嘴92及第2底面流体供给喷嘴93相同的位置对基板W的顶面W1与底面W2供给纯水,由此冲洗基板W。
图8是表示一实施方式的清洗模块31A与清洗模块31B的更换作业的情况的示意图。
如图8所示,清洗模块31A与清洗模块31B具备与配管63的连接位置共用的配管连接部70。即,如上所述,清洗模块31B(笔型清洗模块)除了通过旋转轴90b对基板W的底面W2供给流体的关系之外,如图8中的虚线所示,以往需要从两处供给流体,但本实施方式中,如图7所示,通过配管延长部93a1与配管盖101使与配管63的连接位置共用化。因此,如图8所示,即使更换清洗模块31A与清洗模块31B,也无需变更第1收纳部50中的流体供给部60的配管63的铺设。因此,清洗模块31的更换作业变得容易。另外,该更换作业只要更换清洗模块31单体即可,因为尺寸小(例如,宽度50cm,高度70cm,深度60cm左右),操作容易,因此可减少作业者的负担。
另外,清洗模块31A与清洗模块31B分别具备尺寸相同的模块框体100。根据该结构,因为模块框体100的尺寸相同,因此如图2所示,任何第1收纳部50中皆可进行清洗模块31的更换作业。另外,只要模块框体100的尺寸相同,即可在制造不同种类的清洗模块31时,不需逐一针对其种类制造不同尺寸的模块框体100,而可降低制造成本。
另外,如图2所示,第1收纳部50是在高度方向上重叠清洗模块31以进行收纳的结构,因此能够通过上方的第1轨道L1的各清洗模块31与下方的第2轨道L2的各清洗模块31同时对基板W进行清洗处理,而可提升产率。再者,因为在高度方向上将清洗模块31重叠以进行收纳,故不会增加装置整体的占地面积(设置面积)。
如此,根据上述的本实施方式,通过采用具备下述构件的结构,可降低进行不同种类的清洗模块的更换作业时所造成的负担,所述结构具备:多种清洗模块31,进行清洗处理;第1收纳部50,可收纳多种清洗模块31;及流体供给部60,经由配管63对收纳于第1收纳部50的清洗模块31供给流体,多种清洗模块31分别具备与配管63的连接位置共用的配管连接部70。
另外,如图9及图10所示,通过将流体供给部60中的配管连接位置优化,可进一步更降低作业者的负担。此外,以下的说明中,虽例示药液供给部61中的结构,但纯水供给部62也可采用相同的结构。
图9是表示与一实施方式的流体供给部60的药液供给部61连接的配管63及其他配管110的(a)连接状态、(b)卸除状态的立体图。
如图9(a)所示,药液供给部61具备配管63(药液配管63a)与其他配管110。作为其他配管110,具有从外部对药液供给部61输入药液的药液输入配管110a、从外部对药液供给部61输入药液稀释用纯水的纯水输入配管110b、从外部对药液供给部61输入用于驱动空气操作阀的空气的空气输入配管110c、接收来自清洗模块31的排水的排水配管110d等。包含配管63与这些其他配管110的所有配管在第2收纳部51(参照图2及图3)中的药液供给部61的抽出方向(图9(b)的虚线箭头方向)的前侧连接。即,配管63及其他配管110与药液供给部61的露出至外部框体200外部的维修面200a连接。通过此结构,如图9(b)所示,作业者可轻易从药液供给部61卸除配管63及其他配管110,之后可抽出药液供给部61。
图10是表示与一实施方式的流体供给部60的药液供给部61连接的配管63及其他配管110的(a)连接状态、(b)抽出状态的立体图。
该图所示的例子中,如图10(a)所示,包含配管63与这些其他配管110的所有配管在第2收纳部51中的药液供给部61的抽出方向后侧连接。即,配管63及其他配管110连接于与药液供给部61的外部框体200的维修面200a相反的背面200b。另外,配管63及其他配管110以在高度方向上并排成一列的方式连接,分别具有保持某种程度的空间的长度(挠曲)。根据此结构,如图10(b)所示,在原样连接有配管63及其他配管110的状态下(使清洗模块31驱动的状态),可将药液供给部61抽出以进行维修。另外,只要抽出药液供给部61之后,即可容易地取出与背面200b连接的配管63及其他配管110。
再者,根据此实施方式,在进行清洗处理的多种清洗模块31中,考虑流体经由各模块中所使用的配管(连接配管82a、83a、92a、93a)供给至基板W时配管63的压力损失不同,故可由下述方式构成:预先设定各清洗模块31内的各配管所具有的压力损失值,在将某清洗模块31更换为其他种类的清洗模块31时,在控制部3中,在更换前后自动修正用于控制各清洗模块31内所供给的流体的吐出压力而设定的各配管的压力损失值。根据本实施方式,因为共同的流体的配管63的连接位置是共用的,因此通过参照各清洗模块31内的各配管所具有的预先设定的压力损失值,即使在更换模块后,也可迅速将经由配管对清洗的各基板W供给的流体的吐出压力优化。
以上,虽记载并说明本发明的较佳实施方式,但它们是用于例示本发明,应理解为它们不限定本发明。只要不脱离本发明的范围,可进行追加、省略、置换及其他变更。因此,本发明不应被视为被所述说明所限定,而是被权利要求范围所限定。
例如,在上述实施方式中,虽说明了各种清洗模块31具备药液配管63a与纯水配管63b的连接位置共用的配管连接部70的结构,但药液配管63a与纯水配管63b两者也可不是共用的,而是仅一者的连接位置的是共用的。即使是此结构,相较于以往的清洗模块31的更换作业,也减少其负担。另外,在本发明中,也可是如下结构:对清洗模块31供给驱动用空气以作为流体的空气配管(模块驱动系统67)的连接位置是共用的。
另外,例如,在上述实施方式中,虽例示了辊清洗模块、笔型清洗模块作为清洗模块31的种类,但本发明并不限于此结构,也可是公知的其他清洗模块,例如,双流体清洗模块、抛光清洗模块、边缘笔型清洗模块等。
另外,例如,在上述实施方式中,虽例示了多种清洗模块31皆以清洗基板W的顶面W1(具有图案面的一侧的基板W的表面)为主要功能的结构,但例如,多种清洗模块31的至少1者也可具备下述构件:基板保持部,水平地保持朝向下方的基板W的底面W2(即,非图案面的一侧的基板W的背面);模块侧流体供给部,对保持于基板保持部的基板W的底面W2供给流体(纯水、药液、纯水与药液的混合液等的清洗液);及清洗构件,在基板W被基板保持部保持时,接触基板W的底面W2以进行清洗。
即,当基板处理装置1在下述步骤中进行液浸曝光、双重图案化处理的所谓的基板W底面W2侧附着粒子为技术课题的结构的情况中,较佳设有以适当去除附着于基板W底面W2侧的粒子这种清洗基板W底面W2为主要功能的清洗模块(基板背面清洗模块)。
作为该清洗模块,例如,可设置为包含下述构件:第1基板保持部,水平地吸附保持朝向下方的基板W的底面W2的第1区域;第2基板保持部,通过该第1基板保持部接收基板W,水平地吸附保持与该第1区域不重叠的基板W的底面W2的第2区域;模块侧流体供给部,对这些第1基板保持部或第2基板保持部所吸附保持的基板W的底面W2供给流体;干燥手段(例如,将IPA供给至基板W以进行干燥的IPA定量供给装置及IPA喷嘴),用于干燥基板W的顶面W1(具有图案面的一侧的基板表面);清洗构件(辊等物理清洗构件)、双流体供给喷嘴,在基板W被第1基板保持部所保持时,该清洗构件(辊等物理清洗构件)与包含第2区域的基板W的底面W2接触以进行清洗,而在该基板W被第2基板保持部所保持时,与第2区域以外的基板W的底面W2接触以进行清洗,该双流体供给喷嘴对第2区域以外的基板W的底面W2供给所谓的双流体。
另外,例如,在上述实施方式中,虽例示了将本发明的清洗装置应用于基板处理装置1的清洗部30的结构,但例如本发明也可是用于清洗基板的清洗装置单体,另外也可用于CMP装置以外的装置(例如,背面研磨装置、斜边研磨装置、蚀刻装置或是镀覆装置)的清洗部。
另外,例如,在上述实施方式中,虽例示了一边供给研磨液一边将硅晶片等基板W的表面磨平的化学机械研磨(CMP)装置,但在一边使以树脂黏结剂这样的粘接剂固定由钻石构成的磨粒而形成的研削磨石高速旋转,一边将其压附于基板W的背面,从而对基板W背面进行研削的研削装置中,也可应用本发明的清洗装置,以作为清洗实施了研削及研磨加工后的基板W的装置。

Claims (8)

1.一种清洗装置,其特征在于,包含:
多种清洗模块,该多种清洗模块进行基板的清洗处理;
收纳部,该收纳部可收纳所述多种清洗模块;
流体供给部,该流体供给部经由配管对收纳于所述收纳部的清洗模块供给流体;及
控制部,在将所述清洗模块更换为其他种类的清洗模块时,该控制部在更换前后自动修正用于控制各所述清洗模块内所供给的流体的吐出压力而设定的各配管的压力损失值,
所述多种清洗模块分别具备与所述配管的连接位置共用的配管连接部。
2.如权利要求1所述的清洗装置,其特征在于,
所述流体供给部包含:
纯水配管,该纯水配管供给纯水作为所述流体;
药液配管,该药液配管供给药液作为所述流体;及
空气配管,该空气配管供给空气作为所述流体,该空气驱动所述清洗模块,
所述配管连接部与所述纯水配管、所述药液配管、所述空气配管中的至少一个连接。
3.如权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,
所述多种清洗模块包含辊清洗模块及笔型清洗模块,
所述辊清洗模块具备:
第1旋转机构,该第1旋转机构使所述基板旋转;
第1顶面流体供给喷嘴,该第1顶面流体供给喷嘴对所述基板的顶面供给流体;
第1底面流体供给喷嘴,该第1底面流体供给喷嘴对所述基板的底面供给流体;及
辊清洗构件,该辊清洗构件的周面与所述基板接触且该辊清洗构件旋转,
所述笔型清洗模块具备:
第2旋转机构,该第2旋转机构使所述基板旋转;
第2顶面流体供给喷嘴,该第2顶面流体供给喷嘴对所述基板的顶面供给流体;
第2底面流体供给喷嘴,该第2底面流体供给喷嘴通过所述第2旋转机构的旋转轴对所述基板的底面供给流体;及
笔型清洗构件,该笔型清洗构件的端面与所述基板接触且该笔型清洗构件旋转,所述笔型清洗模块还具备:
配管延长部,该配管延长部设置成与所述第2底面流体供给喷嘴连通,从所述第2旋转机构的旋转轴导出至模块框体的外部,并延长至所述第1底面流体供给喷嘴与所述配管连接的连接位置;及
配管盖,该配管盖以覆盖所述配管延长部的方式安装于所述模块框体。
4.如权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,
所述多种清洗模块分别具备尺寸相同的模块框体。
5.如权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,
所述收纳部将所述清洗模块在高度方向上重叠以进行收纳。
6.如权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,包含:
第2收纳部,该第2收纳部将所述流体供给部收纳成能够抽出,
所述流体供给部具备所述配管及与所述配管不同的其他配管,
包含所述配管与所述其他配管的所有配管连接于所述流体供给部的抽出方向的前侧或后侧。
7.如权利要求1或2所述的清洗装置,其特征在于,
所述多种清洗模块的至少一种包含:
基板保持部,该基板保持部水平地保持所述基板的底面;
模块侧流体供给部,该模块侧流体供给部对保持于所述基板保持部的所述基板的底面供给流体;及
清洗构件,在所述基板被所述基板保持部保持时,该清洗构件与所述基板的底面接触以进行清洗。
8.一种基板处理装置,具备:
运送基板的基板运送部;
研磨所述基板的研磨部;及
清洗所述基板的清洗部,
所述基板处理装置的特征在于:
所述清洗部包含如权利要求1至7中任一项所述的清洗装置。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6727044B2 (ja) 2016-06-30 2020-07-22 株式会社荏原製作所 基板処理装置
TWI724645B (zh) * 2019-11-22 2021-04-11 中國大陸商北京爍科精微電子裝備有限公司 用於清洗及乾燥晶圓之裝置以及使用該裝置之方法
CN113246013B (zh) * 2021-05-18 2022-09-16 长江存储科技有限责任公司 研磨系统及其操作方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5951779A (en) * 1997-07-09 1999-09-14 Ses Co., Ltd. Treatment method of semiconductor wafers and the like and treatment system for the same
US6155275A (en) * 1997-09-11 2000-12-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing unit and substrate processing apparatus using the same
US6267142B1 (en) * 1999-06-25 2001-07-31 Lam Research Corporation Fluid delivery stablization for wafer preparation systems

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6861371B2 (en) * 2001-11-05 2005-03-01 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method
JP2012199327A (ja) * 2011-03-18 2012-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP6454629B2 (ja) * 2014-12-16 2019-01-16 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5951779A (en) * 1997-07-09 1999-09-14 Ses Co., Ltd. Treatment method of semiconductor wafers and the like and treatment system for the same
US6155275A (en) * 1997-09-11 2000-12-05 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing unit and substrate processing apparatus using the same
US6267142B1 (en) * 1999-06-25 2001-07-31 Lam Research Corporation Fluid delivery stablization for wafer preparation systems

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