JP2003229404A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 平流し方式において被処理基板に気体を吹き
付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミストの
基板への再付着を防止して、処理品質を向上させるこ
と。 【解決手段】 搬送路１１４上で基板Ｇが上下エアナイ
フ１４０，１４２の傍を通過する際、各々の気体噴出部
１５２は搬送方向に逆らう向きでナイフ状の鋭利な空気
流を噴出してそれぞれ斜め上方および斜め下方から基板
Ｇの上面および下面に吹き付ける。そうすると、基板Ｇ
の上下面においてリンス液の液膜Ｒaや液滴Ｒが表面張
力に抗して基板後方へ吹き寄せられ、あるいは寄せ集め
られ、エアの風圧を直接受ける各ミスト吸い込み口１７
２付近の基板表面からはミストｍが発生する。しかし、
発生したミストｍは周囲に拡散することなく速やかに各
ミスト回収室１７０の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４
を通って排出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、平流し方式で被処
理基板に処理を施す基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）
製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣ
Ｄ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法あるいは現
像方法として、搬送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷
設してなる搬送路上でＬＣＤ基板を搬送しながら洗浄処
理あるいは現像処理を行うようにした、いわゆる平流し
方式が注目されている。

【０００３】一般に、平流し方式の洗浄装置や現像装置
では、処理工程の最終段で基板の表面に残存または付着
している液を取り除いて基板を乾燥させるためのツール
として、エアナイフが用いられている。エアナイフは、
搬送路の左右幅方向で基板の端から端までカバーする無
数のガス吐出口またはスリット状のガス吐出口を有し、
所定の位置で直下または直上を通過する基板に対してナ
イフ状の鋭利な気体流（通常は空気流または窒素ガス
流）を吹き付けるものである。このナイフ状の鋭利な気
体流の吹き付けにより、基板がエアナイフの傍を通過す
る際に、基板表面の液が基板後端側へ掃き寄せられるよ
うにして基板の外へ払い落とされる（つまり液切りされ
る）。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
この種の基板処理装置では、エアナイフの傍を通過する
基板表面からミストが発生して、周囲に飛散または舞い
上がったミストの一部がエアナイフの下流側に廻り込ん
で乾燥処理直後の基板表面に付着することがあり、歩留
りを下げる原因になっていた。

【０００５】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたもので、平流し方式において被処理基板に気
体を吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生する
ミストの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質
を向上させるようにした基板処理装置を提供することを
目的とする。

【０００６】また、最近、ＬＣＤ基板の大型化に伴なっ
てエアナイフも大型化していることから、工場における
噴出用気体の消費量が増大しているという問題もある。

【０００７】したがって、本発明の別の目的は、噴出用
気体の消費量を削減して省エネを実現できる基板処理装
置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の第１の基板処理装置は、被処理基板をほ
ぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前記搬送
路上の前記基板に向けて気体を噴出して吹き付ける気体
噴出部と、前記気体噴出部からの気体が前記基板の表面
に当たることによって発生するミストを吸い込んで回収
するための前記気体噴出部の近傍に設けられるミスト回
収部とを有する。

【０００９】上記の構成においては、搬送路上の基板に
対して気体噴出部が気体を噴きつけるのと同時に、気体
噴出部に隣接して配置されているミスト回収部が基板表
面から発生するミストを吸い込んで回収することによ
り、搬送方向下流側へのミストの回り込みを防止し、ひ
いては乾燥処理直後の基板表面へのミストの再付着を防
止することができる。

【００１０】上記第１の基板処理装置における好ましい
一態様は、ミスト回収部が、搬送路に臨むミスト吸い込
み口を有するミスト回収室と、このミスト回収室に排気
路を介して接続されている負圧源とを有し、該排気路に
ミスト捕集用のトラップを設ける構成である。かかる態
様によれば、気体噴出部より吹き付けられる気体の風圧
で基板表面からミストが発生しても、ミストは周囲に拡
散することなく速やかにミスト吸い込み口からミスト回
収室へ吸い込まれてトラップ側へ回収される。

【００１１】この態様において、好ましくは、ミスト回
収部の負圧源としてミスト回収室に入側を接続される給
排気ファンで構成し、該給排気ファンの出側を給気路を
介して気体噴出部に接続する構成としてよい。かかる構
成によれば、１つの空気循環システムによって、気体噴
出部にエアを供給すると同時にミスト回収室からミスト
を回収することができる。この構成においては、給気路
に、気体中の粒子を捕集するフィルタおよび／または流
量調整器を設けるのが好ましい。

【００１２】上記第１の基板処理装置における好ましい
別の態様は、気体噴出部が搬送方向に逆らう向きで気体
を噴出し、ミスト回収部のミスト吸い込み口が気体噴出
部よりも搬送方向の上流側に配置される構成である。か
かる構成では、気体噴出部が搬送路の上流側に向けて気
体を噴出することにより、ミストは気体噴出部の上流側
でのみ発生し、気体噴出部の上流側に配置されるミスト
回収部によって確実に捕捉される。

【００１３】また、気体噴出部およびミスト回収部を搬
送路の上方に配置する場合、ミスト回収部において、好
ましくは、ミスト吸い込み口の内側に液滴の垂れ落ちを
防止するための樋部を設ける構成としてよい。

【００１４】本発明の一態様によれば、上記給気路に
は、気体の湿度を調整する湿度調整機構が設けられる。
上記ミスト捕集用のトラップでミストを捕集しただけで
は、給排気ファンより循環供給される気体に水蒸気が多
量に残っていることがある。そのようなミスト捕集用の
トラップからの水蒸気混じりの気体の湿度を上記湿度調
整機構によって適切に調整することで、たとえば、より
乾燥した気体を給排気ファンより循環供給して気体噴出
部より噴出させることができる。これにより、たとえば
新しい気体を使用する必要がなく、気体の消費量を削減
することができる。また、より乾燥した気体を噴出させ
ることで、基板の周囲の雰囲気も乾燥し、ミストの発生
を抑制することができる。湿度調整機構は、たとえば乾
燥装置や除湿装置で構成されてよく、気体を乾燥させる
ことで湿度を調整できる。

【００１５】本発明の一態様によれば、上記樋部に集め
られた液を回収するバキューム機構をさらに備える。こ
のバキューム機構により、樋部に集められた液が満杯に
なって溢れ落ちるのを防止し、処理品質の信頼性を向上
させることができる。

【００１６】本発明の一態様によれば、搬送路上の基板
の端部に吹き付ける気体の量を、基板両端部以外の領域
に吹き付ける気体の量よりも多くする噴射量調整手段を
備える。基板の端部の領域には液を除去しきれず「液残
り」が発生しやすく、特に基板が矩形の場合に「液残
り」が発生しやすいが、噴出量調整手段を備えることに
よって、そのような「液残り」を確実に防止できる。こ
こで、気体の噴出量とは、たとえば単位時間当たりの気
体の噴出量であってもよく、あるいは基板上の単位面積
当たりに吹き付けられる気体の量であってもよい。

【００１７】本発明の一態様によれば、上記気体噴出部
が、長手方向に配列された複数の気体噴出口を有する長
尺状のノズルであり、基板の端部に対応する（たとえば
ノズル端部側の）気体噴出口の気体噴射量が基板の中央
部に対応する（たとえばノズル中央部の）気体噴出口の
気体噴射量よりも多くなるように構成される。複数の気
体噴出口は多孔型であってもよく、あるいは１つのスリ
ット型噴出口を仕切り板等で分割することによってノズ
ル端部側の気体噴出口とノズル中央部の気体噴出口とを
形成することも可能である。

【００１８】本発明の一態様によれば、ミストを回収し
てミストを含む気体を排気する際の排気量を可変制御す
る排気量制御手段を備える。かかる排気量制御手段は、
たとえば負圧源の圧力を可変制御する手段からなり、た
とえばミストの発生量が少ないときには排気量を少なく
して、すなわち負圧源に用いられるエネルギーを小さく
して、省エネをはかることができる。

【００１９】本発明の一態様によれば、上記排気量制御
手段が、ミストを含む気体を回収する際の排気量を、搬
送方向における基板の搬送上流側または搬送下流側端部
の領域に対して気体を吹き付けるときに、当該端部領域
以外の基板領域に対して気体を吹き付けるときよりも多
くする。搬送方向における基板の端部の領域でも上記の
ような「液残り」が発生しやすく、基板端部領域に気体
を吹き付ける際には比較的多量のミストが発生するの
で、このときに負圧源による排気を強めることでミスト
を漏れなく回収することができる。ここで、排気量と
は、たとえば単位時間当たりの排気量である。

【００２０】本発明の第２の基板処理装置は、被処理基
板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前
記搬送路上の前記基板に向けて気体を噴出して吹き付け
る気体噴出部と、前記気体噴出部からの気体が前記気体
の表面に当たることによって発生するミストを吸い込ん
で回収するための前記気体噴出部の近傍に設けられるミ
スト回収部と、前記気体噴出部からの気体の噴出量を可
変制御する噴出量制御手段と、前記ミスト回収部からミ
ストを含む気体を排気する際の排気量を可変制御する排
気量制御手段とを有する。

【００２１】本発明では、搬送路上の基板に対して気体
噴出部が気体を吹き付けるのと同時に、気体噴射部に隣
接して配置されているミスト回収部が基板表面から発生
するミストを吸い込んで回収することにより、搬送方向
下流側へのミストの回り込みを防止し、ひいては乾燥処
理直後の基板表面へのミストの再付着を防止することが
できる。

【００２２】また、噴出量制御手段および排気量制御手
段のうちの少なくとも一方を動作させて、搬送路上の基
板の周囲の雰囲気の圧力が大気圧より高くなるように制
御することができる。たとえば、噴出量制御手段により
気体の噴射量を下げた場合は、これに合わせて排気量制
御手段で排気量を下げることによって、基板の周囲の雰
囲気圧力が大気圧より大きくなるように制御し、外部か
らパーティクルが侵入するのを防止することができる。

【００２３】本発明の第３の基板処理装置は、被処理基
板をほぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前
記搬送路上の前記基板に向けて気体を噴出して吹き付け
る気体噴出ノズルと、前記気体噴出ノズルからの気体が
前記基板の表面に残存する処理液に当たることによって
発生するミストを吸い込んで回収するための前記気体噴
出ノズルの搬送上流側近傍に設けられるミスト回収部と
を有し、前記ミスト回収部が、前記搬送路に臨んだミス
ト吸い込み口と、前記基板の搬送中に前記基板上の処理
液に接することで該処理液を除去する処理液除去部材と
を有する。

【００２４】本発明では、気体噴出ノズルの搬送上流側
に設けられたミスト回収部が処理液除去部材を備えるこ
とにより、搬送される基板上の処理液を処理液除去部材
によってある程度まで除去することができる。これによ
り、気体噴出ノズルにおける気体の吹き付けとミスト回
収部におけるミスト吸い込みの負担が軽減され、省エネ
をはかれる。

【００２５】また、上記の目的を達成するために、本発
明の第４の基板処理装置は、被処理基板をほぼ水平な姿
勢で水平方向に搬送する搬送路と、前記搬送路上で前記
基板がわずかな隙間を空けて通り抜けできる開口部を有
する隔壁と、前記隔壁を挟んで前記搬送路の上流側およ
び下流側にそれぞれ設けられた第１および第２の室と、
前記第２の室内に前記第１の室内よりも相対的に高い圧
力空間を形成する差圧形成手段とを有し、前記基板が前
記隔壁の開口部を通り抜けする際に、前記基板と前記開
口部との間に形成される隙間を通って前記第２の室から
前記第１の室へ流れる気体の風圧によって前記基板の表
面に付いている液を払い落とす構成とした。

【００２６】この第４の基板処理装置においては、搬送
路上で基板が隔壁の開口部を通り抜ける際に、基板と開
口部との間に形成される隙間を通って下流側の第２の室
から上流側の第１の室に向って、つまり搬送方向に逆ら
う向きで空気流が吹き抜けることにより、基板の表面に
付着している液が該空気流の風圧によって基板後方へ払
い落とされ、一部はミストとなって第１の室内で飛散な
いし拡散する。こうして、開口部を通り抜けた基板の表
面は液を取り除かれた状態つまり乾燥状態になる。基板
と開口部との間に形成される隙間は、狭いほど大きな液
切り用の風圧を得ることができ、好ましくは４ｍｍ以下
に設定されてよい。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。

【００２８】図１に、本発明の基板処理装置を適用でき
る一構成例としての塗布現像処理システムを示す。この
塗布現像処理システム１０は、クリーンルーム内に設置
され、たとえばＬＣＤ基板を被処理基板とし、ＬＣＤ製
造プロセスにおいてフォトリソグラフィー工程の中の洗
浄、レジスト塗布、プリベーク、現像およびポストベー
ク等の各処理を行うものである。露光処理は、このシス
テムに隣接して設置される外部の露光装置１２で行われ
る。

【００２９】この塗布現像処理システム１０は、中心部
に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置
し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーシ
ョン（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ
／Ｆ）１８とを配置している。

【００３０】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、
システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを
多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセット
Ｃを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能
なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセ
ットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２と
を備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手
段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの
４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション
（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようにな
っている。

【００３１】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、
システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向き
の一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまた
は工程の順に配置している。より詳細には、カセットス
テーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステー
ション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスライン
Ａには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６
と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを
横一列に配置している。一方、インタフェースステーシ
ョン（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／
Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２
の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロ
セス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置
している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０
が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとと
もに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、
両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。

【００３２】両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送
空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に
載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によって
ライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっ
ている。

【００３３】上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄
プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４
２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接す
る場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を
配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット
（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送
またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すようになっている。

【００３４】洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第
１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心
部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の
ユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に
示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４に
は、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、
脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およ
びアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積
み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０
は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの
受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段
ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，
６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下か
ら順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡し
を行うためのものである。

【００３５】図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直
方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能
な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に
回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送
体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または
伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有して
いる。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６
が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送
体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７
０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するため
の駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。
各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構
成されてよい。

【００３６】上記のように構成された搬送機構４６は、
高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部
（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可
能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板
Ｇを受け渡しできるようになっている。

【００３７】第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する
塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗
布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８
４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロ
セスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略す
るが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニッ
ト（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇ
を工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設
けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８
４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われ
るようになっている。

【００３８】塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第
２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同
様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に
縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後
尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロ
セスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（Ｔ
Ｂ）９２を設けている。

【００３９】図示省略するが、たとえば、プロセスライ
ンＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基
板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、そ
の上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラ
インＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に
基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、
その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねら
れ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。

【００４０】第２の熱的処理部３０における搬送機構９
０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれ
のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２
８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け
渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル
４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）
１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっ
ている。

【００４１】下流部のプロセスラインＢにおいて、現像
プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一
連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユ
ニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。

【００４２】現像プロセス部３２の下流側には脱色プロ
セス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置され
る。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線
（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ
線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。

【００４３】第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的
処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有し
ており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１０
０とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９
８，１０２を設けている。

【００４４】図示省略するが、たとえば、上流側の多段
ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット
（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の
加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ね
られてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１
０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却
用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が
１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニ
ット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。

【００４５】第３の熱的処理部３６における搬送機構１
００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパス
ユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット
（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユ
ニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション
（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだ
けでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板
Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。

【００４６】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行う
搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ステージ
（ＢＵＦ）１０６、エクステンション・クーリングステ
ージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８および周辺装置１１０を
配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１０６に
は定置型のバッファカセット（図示せず）が置かれる。
エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯ
Ｌ）１０８は、冷却機能を備えた基板受け渡し用のステ
ージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６側と
基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置１１０
は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺露光装
置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよい。搬
送装置１０４は、基板Ｇを保持できる手段たとえば搬送
アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１２や各ユニ
ット（ＢＵＦ）１０６、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８、
（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け渡しを行
えるようになっている。

【００４７】図３に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ
／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上
の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部
２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬
入する（ステップＳ1）。

【００４８】エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４
１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される
（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表
面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板
Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構
２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２へ移される。

【００４９】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２で
は、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送
により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の
汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基
板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後に
エアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。

【００５０】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で
洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）５０に搬入される。

【００５１】第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは
搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニット
を回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット
（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５
４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップ
Ｓ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６
２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷
却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化
処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了
後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１
つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。
最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。

【００５２】このように、第１の熱的処理部２６内で
は、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニ
ット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）
４８との間で任意に行き来できるようになっている。な
お、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の
基板搬送動作を行えるようになっている。

【００５３】第１の熱的処理部２６で上記のような一連
の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段
ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）
６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布
ユニット（ＣＴ）８２へ移される。

【００５４】基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８
２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理
面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾
燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、
次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８
６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれ
る（ステップＳ8）。

【００５５】上記のようなレジスト塗布処理を受けた基
板Ｇは、エッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６から隣
の第２の熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（Ｔ
Ｂ）８８に属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡さ
れる。

【００５６】第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬
送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを
回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット
（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１
つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受け
る（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット
（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで
冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流
側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡ
ＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェース
ステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・ク
ーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８へ受け渡さ
れる。

【００５７】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリング
ステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０８から周辺装置１１０
の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周
辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光
を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップ
Ｓ11）。

【００５８】露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所
定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光
を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースス
テーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ1
1）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥ
Ｒ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情
報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエ
クステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯ
Ｌ）１０８に戻される。インタフェースステーション
（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１
２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行わ
れる。

【００５９】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６で
は、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエク
ステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）
１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスライン
Ｂ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット
（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。

【００６０】現像プロセス部３２では、該多段ユニット
部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け
取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入す
る。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板Ｇはプロ
セスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、そ
の搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が
行われる（ステップＳ13）。

【００６１】現像プロセス部３２で現像処理を受けた基
板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこ
でｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。
脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）に受け渡される。

【００６２】第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、
基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱
ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポス
トベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇ
は、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこ
で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３
の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１０
０によって行われる。

【００６３】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側で
は、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処
理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板
Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ
1）。

【００６４】この塗布現像処理システム１０において
は、たとえば洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２に本発明を適用することができる。以
下、図４〜図１０を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニ
ット（ＳＣＲ）４２に適用した一実施形態を説明する。

【００６５】図４に、本発明の一実施形態によるスクラ
バ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の全体構成を示す。この
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、プロセスライ
ンＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に搬送ローラ１１２を
敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を有し、この搬
送路１１４に沿って隔壁１１６を介して６つのブロック
またはモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。

【００６６】これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、
最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入
部を構成し、２番目のモジュールＭ2はスクラビング洗
浄処理部を構成し、３番目のモジュールＭ3はブロー洗
浄処理部を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス処
理部を構成し、５番目のモジュールＭ5は乾燥処理部を
構成し、６番目つまり最後尾のモジュールＭ6は基板搬
出部を構成している。

【００６７】基板搬入部Ｍ1には、上流側隣の基板搬送
機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受
け取って搬送路１１４上に移載するための昇降可能な複
数本のリフトピン１１８が設けられている。基板搬出部
Ｍ6にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送
機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリ
フトピン１２０が設けられている。もっとも、リフトピ
ン１１８，１２０を設けずに搬送ローラ１１２を延設す
ることにより基板Ｇの受け渡しを行う構成も可能であ
る。

【００６８】スクラビング洗浄処理部Ｍ2には、搬送路
１１４に沿って上流側から順に薬液ノズル１２２、プレ
ウエット用の洗浄スプレー管１２４、スクラビング洗浄
用の上下一対のロールブラシ１２６，１２８、洗い流し
用の上下一対の洗浄スプレー管１３０，１３１等が配置
されている。また、下流側の端部または壁際には、隣室
（Ｍ3）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン
形成部またはエア吹出し部１３２が設けられている。

【００６９】ブロー洗浄処理部Ｍ3には、たとえば２流
体ジェットノズルからなる洗浄ノズル１３４，１３５が
搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例では一対）配置
されるとともに、下流側の隣室（Ｍ4）と空間を空気的
に区画するためのエアカーテン形成部１３６も設けられ
ている。

【００７０】リンス処理部Ｍ4には、搬送路１１４を挟
んで上下一対のリンスノズル１３７，１３８が配置され
るとともに、下流側の隣室（Ｍ5）と空間を空気的に区
画するためのエアカーテン形成部１３９も設けられてい
る。

【００７１】乾燥処理部Ｍ5には、本実施形態における
液切り用のエアナイフ機構として複数（図示の例では一
対）のエアナイフ１４０，１４２が、搬送路１１４を挟
んで上下に配置されている。

【００７２】処理部Ｍ2〜Ｍ5においては、搬送路１１４
の下に落ちた液を受け集めるためのパン１４４，１４
６，１４８，１５０がそれぞれ設けられている。各パン
１４４〜１５０の底に設けられた排液口には回収系統ま
たは排液系統の配管が接続されている。

【００７３】ここで、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣ
Ｒ）４２における全体の動作および作用を説明する。基
板搬入部Ｍ1は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基
板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１１４に移載または
搬入する。搬送路１１４を構成する搬送ローラ１１２
は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構（図示せず）
を介して電気モータ（図示せず）の駆動力により前進方
向に回転している。したがって、搬送路１１２に載った
基板Ｇは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部Ｍ2へ向け
て搬送される。通常、ＬＣＤ用の基板Ｇは長方形に形成
されており、その長辺方向または長手方向が搬送方向と
平行になる向きで搬送路１１４上を搬送される。

【００７４】スクラビング洗浄処理部Ｍ2では、搬送路
１１４上を搬送される基板Ｇの上面（被処理面）に対し
て、最初に薬液ノズル１２２がたとえば酸またはアルカ
リ系の薬液を基板Ｇの上面に吹き付け、直後に洗浄スプ
レー管１２４がプレウエット用の洗浄液たとえば純水を
吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路１１４の下方
にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配置し
て、基板Ｇの下面にも薬液やプレウエット液を吹き付け
てもよい。

【００７５】次いで、基板Ｇは上下のロールブラシ１２
６，１２８の間を通り抜け、その際に各ロールブラシ１
２６，１２８が基板Ｇの上下面に付いている異物（塵
埃、破片、汚染物等）を擦り取る。直後に、上下の洗浄
スプレー管１３０，１３１が基板Ｇの上下面に洗浄液た
とえば純水を吹き付け、基板表面に浮遊している異物を
洗い流す。

【００７６】スクラビング洗浄処理部Ｍ2を抜けると、
基板Ｇは次にブロー洗浄処理部Ｍ3に入る。その際、エ
アカーテン形成部１３２より空気流が基板Ｇの上面に吹
き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液
が基板後端から処理部Ｍ2側のパン１４４に落とされ
る。

【００７７】ブロー洗浄処理部Ｍ3では、上下の洗浄ノ
ズル１３４，１３５が、加圧された洗浄液（たとえば純
水）と加圧された気体（たとえば窒素）とをノズル内で
混合して粒状の液滴を生成し、生成した液滴を基板Ｇの
上下面に向けて噴射する。こうしてガスが溶け込んだ洗
浄液が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に付着
または残存している異物が除去される。

【００７８】ブロー洗浄処理部Ｍ3の次に基板Ｇはリン
ス処理部Ｍ4を通過する。ブロー洗浄処理部Ｍ3を抜ける
際にも、エアカーテン形成部１３６より空気流が基板Ｇ
の上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基
板上面の液が基板後端から処理部Ｍ3側のパン１４６に
落とされる。

【００７９】リンス処理部Ｍ4では、搬送路１１４上を
水平姿勢で搬送される基板Ｇの上下両面に対して、上下
のリンスノズル１３７，１３８がリンス液たとえば純水
を吹き付けることにより、ブロー洗浄処理部Ｍ3から持
ち込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリ
ンス液と一緒に流れて基板の外へ掃き出され、基板表面
には清浄なリンス液が残る（つまり置換される）。

【００８０】リンス処理部Ｍ4の次に基板Ｇは乾燥処理
部Ｍ5に送られる。リンス処理部Ｍ4を抜ける際にも、エ
アカーテン形成部１３９より空気流が基板Ｇの上面に吹
き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液
が基板後端から処理部Ｍ4側のパン１４８に落とされ
る。

【００８１】乾燥処理部Ｍ5では、搬送路１１４上を水
平姿勢で搬送される基板Ｇの両面に対して、上下のエア
ナイフ１４０，１４２が気体（たとえば空気または窒素
ガス等の中性ガス）を吹き付けることにより、基板表面
に付いていたリンス液を取り除く（液切りする）。後に
詳しく説明するように、この液切りに際しては、エアナ
イフ１４０，１４２付近の基板表面より発生するミスト
が周囲へ拡散したり基板表面に再付着することなく回収
除去されるようになっている。

【００８２】なお、乾燥処理後に基板Ｇ上に水あかが部
分的または局所的に残るのを防止するために、エアナイ
フ１４０，１４２の少し上流側でプレウエット用のノズ
ル（図示せず）よりたとえば純水を基板Ｇの上面または
全面に万遍に吹き付けるのが好ましい。

【００８３】乾燥処理部Ｍ5で液切りされた基板Ｇはそ
のまま搬送路１１４に乗って基板搬出部Ｍ6に送られ
る。基板搬出部Ｍ6は、基板搬入部Ｍ1と同様の構成を有
しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対に
なるだけで基板搬入部Ｍ1と同様に動作する。つまり、
基板受け渡し用のリフトピン１２０を搬送路１１４より
も低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部Ｍ5）
から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２０の
直上の所定位置に着いたならリフトピン１２０を上方へ
突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送
機構（図示せず）へ渡す。

【００８４】次に、図５〜図８につき、この実施形態の
乾燥処理部Ｍ5に設けられるエアナイフ機構の実施例を
説明する。

【００８５】図５に、この実施形態におけるエアナイフ
機構の一実施例を一部断面斜視図で示す。この実施例の
エアナイフ１４０は、ナイフ状の鋭利な気体たとえばエ
アを噴出する気体噴出部１５２と、この気体噴出部１５
２の長手方向に延びる一側面に連設されたミスト回収部
１５４とを有する。

【００８６】気体噴出部１５２は、搬送路１１４の左右
幅方向において基板Ｇ（図５には図示せず）の端から端
までカバーするスリット型の気体噴出口１５６を有する
長尺状ノズル体として構成されており、このノズル体の
内部は整流用の多孔板１５８によって上部のバッファ室
１６０と下部の断面テーパ状の噴射室１６２とに区画さ
れている。なお、このノズル体の左右端面は閉塞してい
る。バッファ室１６０の天井部には１箇所または複数箇
所にて給気管１６４が接続されている。図示しない気体
供給源からの陽圧のエアが給気管１６４を介してバッフ
ァ室１６０に供給され、バッファ室１６０にいったん蓄
積されたエアが多孔板１５８および噴射室１６２を通っ
て気体噴出口１５６より所定の圧力および流量でナイフ
状に噴出または吐出されるようになっている。

【００８７】ミスト回収部１５４は、気体噴出部１５２
の一側壁を兼ねる一方（内側）の側壁部１６６と、この
側壁部１６６に接続する天井部１６７から気体噴出部１
５２の気体噴出口１５６よりも少し上の高さ位置まで彎
曲しながら庇状に延在する他方（外側）の側壁部１６８
とで構成されるミスト回収室１７０を有しており、この
ミスト回収室１７０の下端に形成される開口をミスト吸
い込み口１７２としている。なお、ミスト回収室１７０
の左右両端は閉塞している。ミスト回収室１７０の天井
部１６７には１箇所または複数箇所にて排気管１７４が
接続されている。図示しない負圧源からの負圧吸引力が
排気管１７４を介してミスト回収室１７０に伝えられる
ことにより、ミスト吸い込み口１７２付近に浮遊してい
るミストが周囲のエアと一緒にミスト回収室１７０の内
奥に吸い込まれ、排気管１７４を通って負圧源側へ送ら
れるようになっている。

【００８８】ミスト回収部１５４は、気体噴出部１５２
からの気体の風圧で基板表面（図示せず）より発生する
ミストをほぼ漏れなく回収できるように、気体噴出部１
５２より噴出される気体の大部分を外に逃がさず吸い込
むのが好ましい。この条件を満たすように、ミスト回収
部１５４側でミスト吸い込み口１７２の形状・サイズや
負圧吸引力または排気流量等を適宜設定したり、気体噴
出部１５２側で気体噴出口１５６の形状・サイズや気体
噴出量等を適宜設定してよい。

【００８９】図６に、本実施形態においてエアナイフ１
４０の気体噴出部１５２に液切り用のエアを供給し、エ
アナイフ１４０のミスト回収部１５４よりミストを回収
するシステムの一実施例を示す。

【００９０】この実施例のエア供給およびミスト回収シ
ステムは、給気および排気兼用型の電動式ブロアファン
１８０を有する空気循環系統として構成されている。よ
り詳細には、ファン１８０の出側を給気管１６４を介し
て気体噴出部１５２に接続し、ファン１８０の入側を排
気管１７４を介してミスト回収部１５４に接続してい
る。給気管１６４の途中には、ファン１８０より給気さ
れるエアの中に含まれる塵埃等の粒子を捕集するための
エアフィルタたとえばＵＬＰＡフィルタ１８２や、エア
の給気流量を調整するための流量調整器１８４等が設け
られる。また、排気管１７４の途中には、ミスト回収部
１５４より回収されるエアの中に含まれるミストを捕集
するためのミストトラップ１８６や、エアの排気流量を
調整するための流量調整器１８８等が設けられる。

【００９１】このエア供給およびミスト回収システムに
おいて、ブロアファン１８０の出側より送出されたエア
は給気管１６４を通って気体噴出部１５２に供給され
る。途中のＵＬＰＡフィルタ１８２では不所望な粒子を
取り除かれて清浄な空気となり、流量調整器１８４では
所望の流量に調整される。上記のように、気体噴出部１
５２に供給されたエアは、内部で蓄積・整流されたうえ
でスリット状の気体噴出口１５６よりナイフ状の鋭利な
空気流として吐出される。この気体噴出口１５６より吹
き出されたエアは図示しない基板Ｇの表面に当たって反
射し、ミスト吸い込み口１７２からミスト回収室１７０
に吸い込まれる。その際、エアの風圧で基板表面からミ
ストが発生したときは、そのミストもエアと一緒に巻き
込まれるようにしてミスト回収室１７０に吸い込まれ、
排気管１７４へ送られる。排気管１７４を通って回収さ
れたミストおよびエアのうちミストだけがミストトラッ
プ１８６に捕集され、エアはブロアファン１８０の入側
へ送られる。ミストトラップ１８６は、たとえば公知の
ラビリンス方式またはサイクロン方式によってミストを
トラップ部材に捕集するものであってよい。流量調整器
１８８は、排気管１７４を流れるエアの流量を調整し、
ひいてはミスト吸い込み口１７２ないしミスト回収室１
７０の吸い込み力を調整することができる。

【００９２】この実施形態において、搬送路１１４の下
に配置される他方のエアナイフ１４２も上記エアナイフ
１４０と実質的に同じ構成および機能を有するものであ
ってよい。また、両エアナイフ１４０，１４２を上記の
ようなエア供給およびミスト回収システムの中で並列接
続する構成としてもよい。

【００９３】次に、図７につきこの実施形態における乾
燥処理部Ｍ5内のエアナイフ機構の作用を説明する。両
エアナイフ１４０，１４２を通過する基板Ｇは、前段の
リンス処理部Ｍ4で上下リンスノズル１３７，１３８よ
りリンス液を浴びてきており、概して、基板上面にはリ
ンス液が１つないし数個の液膜Ｒaの形態で付いてお
り、基板下面にはリンス液が無数の液滴Ｒbの形態で付
いている。

【００９４】搬送路１１４上で基板Ｇが上下エアナイフ
１４０，１４２の傍を通過する際、各エアナイフ１４
０，１４２の気体噴出部１５２は搬送方向に逆らう向き
でナイフ状の鋭利な空気流を噴出してそれぞれ斜め上方
および斜め下方から基板Ｇの上面および下面に吹き付け
る。

【００９５】そうすると、基板Ｇの上面では、リンス液
の液膜Ｒaが表面張力に抗して基板後方へ吹き寄せられ
ると同時に、エアの風圧を直接受ける上部ミスト吸い込
み口１７２付近の基板表面からミストｍが発生し、発生
したミストｍは周囲に拡散することなく速やかに上部ミ
スト回収室１７０の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４を
通って排出される。また、基板Ｇの下面でも、リンス液
の液滴Ｒbが基板後方へ寄せ集められると同時に、エア
の風圧を直接受ける下部ミスト吸い込み口１７２付近の
基板表面からミストＭが発生し、発生したミストｍは周
囲に拡散することなく速やかに下部ミスト回収室１７０
の内奥へ吸い込まれ、排気管１７４を通って排出され
る。

【００９６】一例として、各エアナイフ１４０，１４２
において、気体噴出部１５２のエア噴出流量は約１ｍ³
／分に設定され、ミスト回収部１５４のエア排気流量は
エア噴出流量を上回る流量たとえば１.２ｍ³／分に設定
されてよい。また、基板Ｇのとの離間距離は、気体噴出
口１５６が約３〜４ｍｍ、ミスト回収室１７０の外側壁
部１６８が約５〜６ｍｍに設定されてよい。

【００９７】このように、本実施形態では、各エアナイ
フ１４０，１４２において、その傍を通過する搬送路１
１４上の基板Ｇに対して気体噴出部１５２が搬送方向に
逆らう向きでナイフ状の鋭利な空気流を吹き付けるのと
並行して、気体噴出部１５２の上流側に隣接して配置さ
れているミスト回収部１５４が基板表面から発生するミ
ストを周囲に拡散する前に吸い込んで回収することによ
り、搬送方向下流側へのミストの回り込みを防止し、ひ
いては乾燥処理直後の基板表面へのミストの再付着を確
実に防止することができる。

【００９８】図８に、本実施形態における上部エアナイ
フ１４０の一変形例を示す。上部エアナイフ１４０で
は、ミスト回収室１７０に吸い込まれたミストｍの一部
が内壁１６６，１６８に付着して液滴となり、重力によ
って基板Ｇ上に垂れ落ちる可能性がある。この変形例で
は、ミスト回収室１７０の下端内側に樋部１９０を設
け、この樋部１９０の中に液滴を落として集液すること
で、垂れ落ちを防止するようにしている。この樋部１９
０に集液された液は適宜回収されてよく、たとえばミス
ト回収室１７０の左右端部の片側および／両側から負圧
またはバキューム吸引力で排液する構成としてよい。

【００９９】図９に、第２の実施形態における乾燥処理
室Ｍ5および基板乾燥機構の構成を示す。この実施形態
の乾燥処理室Ｍ5は隔壁１９４により搬送方向に沿って
２つの室Ｍ5a，Ｍ5bに分割されており、隔壁１９４には
搬送路１１４上の基板Ｇがわずかな隙間を空けて通り抜
けできる開口部１９２が設けられている。下流側の室Ｍ
5b内には気体供給系（図示せず）より給気口１９６を介
して気体たとえば空気が適当な流量で供給される一方
で、上流側の室Ｍ5a内の空気は主として排気口１９８お
よびドレイン口２００から適当な流量で排気系統（図示
せず）へ排気される。これにより、両室Ｍ5b，Ｍ5aの間
では相対的に高圧および低圧の空間がそれぞれ形成さ
れ、下流側の高圧室Ｍ5bから隔壁１９４の基板通り抜け
開口部１９２を通って上流側の低圧室Ｍ5aへ空気が流れ
込む。この空気流の風速および流量は、両室Ｍ5b，Ｍ5a
間の圧力差を変えることによって適宜調節できる。な
お、パン１５０は上流側の室Ｍ5aだけに設けられてよ
い。

【０１００】図１０に、この実施形態における基板乾燥
処理の作用を示す。搬送路１１４上で基板Ｇが隔壁１９
４の開口部１９２を通り抜ける時、基板Ｇと開口部１９
２との間にはわずかな隙間Ｋが形成され、この隙間Ｋを
通って下流側の室Ｍ5bから上流側の室Ｍ5aに向って、つ
まり搬送方向に逆らう向きで空気流Ａが吹き抜けること
により、基板Ｇの表面に付着している液Ｒa，Ｒbは空気
流Ａの風圧によって基板後方へ払い落とされると同時
に、一部がミストｍとなって上流側の室Ｍ5a内で飛散な
いし拡散する。これにより、基板Ｇは表面から液を取り
除かれた状態つまり乾燥状態で下流側の室Ｍ5bに抜け出
ることとなり、室Ｍ5b内ではミストｍの再付着するおそ
れもない。上流側の室Ｍ5aでは排気口１９８やドレイン
口２００を介してミストが室外へ排出される。

【０１０１】上記基板Ｇと開口部１９２との間に形成さ
れる隙間Ｋ（Ｄa,Ｄb）は、狭いほど空気流Ａの風圧を
大きくすることができ、好ましくは４ｍｍ以下に設定し
てよい。また、下流側の室Ｍ5bにおいて隔壁１９４を仮
想線（一点鎖線）１９４’で示すように開口部１９２に
向って断面テーパ状に絞る構成とすることにより、開口
部１９２を吹き抜ける空気流Ａの指向性を高めることが
できる。

【０１０２】また、隔壁１９４の開口部１９２付近で基
板Ｇは搬送方向と逆向きの空気流Ａを受けるので、基板
Ｇがぶれないように水平姿勢を保つのが好ましい。この
実施形態では、図９に示すように、開口部１９２の前後
または両側にて搬送路１１４上に、基板Ｇの上面の左右
両側縁部に接触する押えローラ２０２を設けている。

【０１０３】上記した実施形態では搬送路１１４に沿っ
て上下一対のエアノズル１４０，１４２を配置したが、
３個以上または二対以上配置する構成や、片側だけに１
個または複数個配置する構成も可能である。

【０１０４】上記実施形態の気体供給およびミスト回収
システム（図６）は、ブロアファン１８０を有する空気
循環系統によって構成された。しかし、気体供給システ
ムとミスト回収システムとを独立させる構成も可能であ
る。その場合、気体供給シスムに気体タンクや給気ポン
プを使用してもよく、ミスト回収システムにバキューム
装置たとえばエジェクト装置を使用してもよい。

【０１０５】上記実施形態のエアナイフ機構は、気体噴
出部１５２の片側にミスト回収部１５４を連設する構成
であった。しかし、気体噴出部１５２の両側にミスト回
収部１５４を連接する構成も可能である。また、気体噴
出部１５２とミスト回収部１５４とを一体型に代えて分
離独立型の構成とすることも可能である。また、気体噴
出部１５２の気体噴出口１５６をスリット型に代えて多
孔型にすることも可能であり、ミスト回収部１５４にお
いてもミスト回収室１７０等の各部の構成を種々変形す
ることができる。

【０１０６】上記した実施形態では、搬送ローラ１１２
を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を
構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、各対向
する一対の搬送ローラ１１２，１１２の中間位置にも基
板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、一定の間
隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベル
ト搬送型の搬送路も可能であり、さらには適当な治具に
よって基板を水平方向に搬送する方式も可能である。。

【０１０７】搬送路の途中で、たとえば乾燥処理部Ｍ5
内で基板Ｇを傾斜状態で停止または搬送することも可能
である。その場合、本発明におけるエアナイフも基板の
傾斜に合せて傾斜状態に切り換える構成とすることがで
きる。

【０１０８】上記した実施形態はスクラバ洗浄ユニット
または洗浄処理装置に係るものであったが、本発明は洗
浄処理装置以外の基板処理装置にも適用可能であり、た
とえば上記のような塗布現像処理システムにおいては現
像ユニット（ＤＥＶ）９４にも適用可能である。すなわ
ち、現像ユニット（ＤＥＶ）９４における搬送路上のリ
ンス処理部の下流側で上記実施形態と同様の乾燥処理を
行うことができる。また、本発明はリンス液以外にも任
意の液の液切りに適用可能である。本発明における被処
理基板はＬＣＤ基板に限るものではなく、液切りまたは
乾燥を必要とする任意の被処理基板が含まれる。

【０１０９】図１１に、図６に示すミスト回収システム
の他の実施形態を示す。図１１において、図６における
構成要素と同一のものについては同一の符号を付して、
その説明を省略する。

【０１１０】この実施形態では、エアの湿度を減少させ
るために、ミストトラップ１８６と流量調整器１８８と
の間に除湿器１８１をさらに設けている。ミスト回収部
１５４から排気された気体はミストトラップ１８６でミ
ストを補集した後であっても、依然として水蒸気が含ま
れている。除湿器１８１により、水蒸気混じりの気体の
湿度を適切に調整すれば、例えば、より乾燥した気体を
再び気体噴出部１５２から噴出させることができる。こ
れにより例えば新しい気体を使用する必要がなく気体の
消費量を削減することができる。また、より乾燥した気
体を噴出させることで基板の周囲の雰囲気も乾燥し、ミ
ストの発生を抑制することができる。

【０１１１】図１２に、気体噴出部の一変形例を示す。
図１２（ａ）は、気体噴出部（気体噴出ノズル）１５２
を模式的に示す。図示のように、気体噴出ノズル１５２
の先端に吐出口１５７が設けられている。図１２（ｂ）
は、吐出口１５７の形状を示す。吐出口１５７は、たと
えば３つのエリアから構成され、それぞれのエリアには
気体が噴出する孔１５７ａ、１５７ｂおよび１５７ｃが
設けられている。両端のエリアの孔１５７ａおよび１５
７ｃは、中央のエリアの孔１５７ｂよりも大きくなって
いる。気体噴出部１５２より気体を噴出するとき、図１
２（ｃ）のように両端エリアにおける孔１５７ａ，１５
７ｃの気体噴出量が中央エリアにおける孔１５７ｂの気
体噴出量よりも大きい。これにより、液残りの多い基板
の端部に強めに気体を吹き付けることができる。

【０１１２】一般的に、基板Ｇの端部の領域には処理液
を除去しきれず「液残り」が発生しやすいが、本実施形
態によれば、確実にその「液残り」を防止できる。な
お、この気体噴出ノズル１５２において、吐出口または
孔１５７ａ、１５７ｂ、１５７ｃは、ノズル１５２の長
手方向の端部から中央部にかけて段階的に小さくなるよ
うに形成してもよい。

【０１１３】図１３に、気体噴出部１５２より噴出され
る気体の噴出量の変化を示す。上述のように、一般的に
矩形の基板Ｇの端部には処理液が残りやすくなる。そこ
で、この実施形態では、図１３（ａ）、（ｃ）に示すよ
うに矢印方向に流れてくる基板Ｇの下流側端部および上
流側端部の領域に吹き付ける気体の量を、図１３（ｂ）
に示すように基板Ｇの中央部の領域に吹き付ける量より
多くする。基板Ｇの中央部の領域は液残りが少ないた
め、図１３（ｂ）に示すように比較的弱く吹き付けても
除去することができる。

【０１１４】このように、搬送路上で基板Ｇが搬送され
ることで、気体を噴きつける場所が順に端部、中央部、
端部と移行するのに対し、気体噴出の強さは強く、弱
く、強く、という具合に、液残りの量に応じて気体噴出
の強さを調整することが好ましい。これにより、基板各
部の液残りを除去するために必要最小限の強さで気体噴
出を行うことができ、省エネルギー化を図ることができ
る。この気体の噴出量は流量調整器１８４により調整す
る。

【０１１５】また、給気側の流量調整器１８４の調節に
伴って、排気側の流量調整器１８８を調整することによ
り、ミストの発生量に応じて排気量を調節してもよい。
上記のように基板Ｇの端部に向けて気体を強く噴出した
場合、端部に残っている液が多いぶんミストも多めに発
生する。一方で、基板Ｇの中央部に向けて気体を噴出し
た場合には、中央部に残っている液が少ないためミスト
発生量も少ない。このとき、例えば気体を強く噴出する
場合には排気量が多くなるように、弱く噴出する場合に
は排気量が少なくなるように調整する。つまり、給気側
の流量調整器１８４により噴出量が強く調整されている
場合には、排気側の流量調整器１８８により排気量を強
く調整する。また、給気側の流量調整器１８４により噴
出量が弱く調整されている場合には、排気側の流量調整
器１８８により排気量を弱く調整する。この動作は自動
で制御させるようにしてもよい。

【０１１６】このように、給気（噴出）側の流量調整器
１８４と排気側の流量調整器１８８とを連動して作動さ
せ、適切な強さで効率よくミストを除去することができ
る。これにより、ブロアファン１８０で消費されるエネ
ルギーを可及的に小さくすることができ、省エネを達成
することができる。

【０１１７】この場合、エアナイフ１４０が設けられて
いる乾燥部Ｍ５内の圧力が、大気圧よりも高くなるよう
に制御することが好ましい。これにより、外部からパー
ティクルが侵入するのを防止することができる。

【０１１８】図１４に、上記した（図１２および図１３
において説明した）基板Ｇの表面上でエアが強く噴射さ
れる領域（破線で示す）を示す。

【０１１９】図１５は、図８に示したエアナイフ１４０
の他の例を示す。この例では、樋部１９０に集められた
処理液をポンプ１８９によって吸引する構成としてもよ
い。これにより、樋部１９０に集められた液が満杯にな
って溢れ落ちることを防止でき、処理品質を向上させる
ことができる。

【０１２０】図１６に、上記実施形態における上部エア
ナイフ１４０の他の変形例を示す。この例では、ミスト
回収部１５４における側壁部１６８の下部１６８ａによ
り基板Ｇ上の処理液を掻いている。このように、長く下
方へ延びた側壁部１６８によって処理液の一部が塞き止
められて除去されるため、気体噴出部１５２およびミス
ト回収部１５２における気体噴出およびミスト回収の負
担が軽減され、気体噴出部１５２からの気体の量を少な
くすることができる。これにより、省エネルギー化を達
成することができる。

【０１２１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板処理
装置によれば、平流し方式において被処理基板に気体を
吹き付ける乾燥処理に際して基板表面より発生するミス
トの基板への再付着を効果的に防止して、処理品質を向
上させ、ひいては歩留りを向上させることができる。ま
た、吹き付ける気体の消費量を削減して省エネルギー化
をはかることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の基板処理装置の適用可能な塗布現像処
理システムの構成を示す平面図である。

【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部
の構成を示す側面図である。

【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理の手順
を示すフローチャートである。

【図４】一実施形態におけるスクラバ洗浄ユニットの全
体構成を示す正面図である。

【図５】実施形態で用いるエアナイフ機構の構成を示す
一部断面斜視図である。

【図６】実施形態におけるエア供給およびミスト回収シ
ステムの構成を示すブロック図である。

【図７】実施形態におけるエアナイフ機構の作用を示す
略断面図である。

【図８】実施形態の一変形例におけるエアナイフ機構の
構成を示す略断面図である。

【図９】第２の実施形態における乾燥処理部および基板
乾燥機構の構成を示す略側面図である。

【図１０】第２の実施例における乾燥処理の作用を示す
部分拡大側面図である。

【図１１】ミスト回収システムの他の実施形態を示す図
である。

【図１２】気体噴出部の一変形例を示す図である。

【図１３】気体噴出部より噴出される気体の噴出量の変
化を示す側面図である。

【図１４】基板の表面上でエアが強く噴射される領域を
示す平面図である。

【図１５】図８に示したエアナイフ機構の他の例を示す
略断面図である。

【図１６】エアナイフの一変形例を示す略断面図であ
る。

【符号の説明】

１０ 塗布現像処理システム １６（Ｐ／Ｓ） プロセスステーション ２４ 洗浄プロセス部 ４２ スクラバ洗浄ユニット ９４（ＤＥＶ） 現像ユニット １１２ 搬送ローラ １１４ 搬送路 Ｍ5 乾燥処理部 １４０ 上部エアナイフ １４２ 下部エアナイフ １５２ 気体噴出部 １５４ ミスト回収部 １５６ 気体噴出口 １５７ａ〜１５７ｃ 吐出口（孔） １６４ 給気管 １７０ ミスト回収室 １７２ ミスト吸い込み口 １７４ 排気管 １８０ ブロアファン １８１ 除湿器 １８９ ポンプ １９０ 樋部 Ｍ5a 上流側（低圧）室 Ｍ5b 下流側（高圧）室 １９２ 基板通り抜け開口部 １９４ 隔壁 １９６ 給気口 １９８ 排気口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 宮崎 一仁 東京都港区赤坂五丁目３番６号 ＴＢＳ放 送センター 東京エレクトロン株式会社内 Ｆターム(参考） 3B116 AA02 AB13 BB22 BB62 BB72 BB75 CD43

Claims (20)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向
   に搬送する搬送路と、 前記搬送路上の前記基板に向けて気体を噴出して吹き付
   ける気体噴出部と、 前記気体噴出部からの気体が前記基板の表面に当たるこ
   とによって発生するミストを吸い込んで回収するための
   前記気体噴出部の近傍に設けられるミスト回収部とを有
   する基板処理装置。
2. 【請求項２】 前記ミスト回収部が、前記搬送路に臨む
   ミスト吸い込み口を有するミスト回収室と、前記ミスト
   回収室に排気路を介して接続されている負圧源と、前記
   排気路に設けられるミスト捕集用のトラップとを含む請
   求項１に記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 前記ミスト回収部の負圧源が前記ミスト
   回収室に入側を接続された給排気ファンで構成され、前
   記給排気ファンの出側が給気路を介して前記気体噴出部
   に接続される請求項２に記載の基板処理装置。
4. 【請求項４】 前記給気路に気体中の粒子を捕集するフ
   ィルタが設けられる請求項３に記載の基板処理装置。
5. 【請求項５】 前記給気路に流量調整器が設けられる請
   求項３または４に記載の基板処理装置。
6. 【請求項６】 前記排気路または前記給気路に気体の湿
   度を調整するための湿度調整機構が設けられる請求項３
   〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
7. 【請求項７】 前記気体噴出部が搬送方向に逆らう向き
   で前記気体を噴出し、前記ミスト回収部のミスト吸い込
   み口が前記気体噴出部よりも搬送方向の上流側に配置さ
   れる請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 【請求項８】 前記ミスト回収部のミスト吸い込み口が
   前記搬送路の上方に設けられ、前記ミスト吸い込み口の
   内側に液滴の垂れ落ちを防止するための樋部が設けられ
   る請求項１〜７のいずれかに記載の基板処理装置。
9. 【請求項９】 前記樋部に集められた液を回収するバキ
   ューム機構を有する請求項８に記載の基板処理装置。
10. 【請求項１０】 前記搬送路上の前記基板の端部の領域
    に吹き付ける気体の量を該端部領域以外の基板領域に吹
    き付ける気体の量よりも多くするための噴出量調整手段
    を有する請求項１に記載の基板処理装置。
11. 【請求項１１】 前記基板は矩形であり、前記基板の端
    部の領域は前記搬送路上での基板の搬送方向にほぼ平行
    な辺に沿った領域である請求項１０に記載の基板処理装
    置。
12. 【請求項１２】 前記気体噴出部が、長手方向に配列さ
    れた複数の気体噴出口を有する長尺状のノズルを有し、 前記噴出量調整手段が、基板の端部に対応する気体噴出
    口の気体噴射量が基板の中央部に対応する気体噴出口の
    気体噴射量よりも大きくなるように各部の気体噴射量を
    調整する請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 【請求項１３】 前記基板は矩形であり、前記基板の端
    部の領域は前記搬送路上での基板の上流側または下流側
    の辺に沿った領域である請求項１０に記載の基板処理装
    置。
14. 【請求項１４】 前記ミストを回収して該ミストを含む
    気体を排気する際の排気量を可変制御する排気量制御手
    段を有する請求項１〜１３のいずれか一項に記載の基板
    処理装置。
15. 【請求項１５】 前記排気量制御手段が、前記ミストを
    含む気体を排気する際の排気量を、前記搬送路上で搬送
    される前記基板の搬送方向上流側または下流側の端部の
    領域に対する吹き付けのときに、当該端部の領域以外の
    基板上の領域に対する吹き付けのときよりも多くする請
    求項１４に記載の基板処理装置。
16. 【請求項１６】 被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方
    向に搬送する搬送路と、 前記搬送路上の前記基板に向けて気体を噴出して吹き付
    ける気体噴出部と、 前記気体噴出部からの気体が前記基板の表面に当たるこ
    とによって発生するミストを吸い込んで回収するための
    前記気体噴出部の近傍に設けられるミスト回収部と、 前記気体噴出部からの気体の噴出量を可変制御するため
    の噴出量制御手段と、 前記ミスト回収部で排気されるミストを含む気体の排気
    量を可変制御するための排気量制御手段とを有する基板
    処理装置。
17. 【請求項１７】 前記搬送路上の前記基板の周囲の雰囲
    気の圧力が大気圧よりも高くなるように前記噴射量制御
    手段および前記排気量制御手段の少なくとも一方を動作
    させる請求項１６に記載の基板処理装置。
18. 【請求項１８】 被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方
    向に搬送する搬送路と、 前記搬送路上の前記基板に向けて気体を噴出して吹き付
    ける気体噴出ノズルと、 前記気体噴出ノズルからの気体が前記基板の表面に残存
    する処理液に当たることによって発生するミストを吸い
    込んで回収するための前記気体噴出ノズルの搬送上流側
    近傍に設けられるミスト回収部とを有し、 前記ミスト回収部が、前記搬送路に臨んだミスト吸い込
    み口と、前記基板の搬送中に前記基板上の処理液に接す
    ることで該処理液を除去する処理液除去部材とを有する
    基板処理装置。
19. 【請求項１９】 被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方
    向に搬送する搬送路と、 前記搬送路上で前記基板がわずかな隙間を空けて通り抜
    けできる開口部を有する隔壁と、 前記隔壁を挟んで前記搬送路の上流側および下流側にそ
    れぞれ設けられた第１および第２の室と、 前記第２の室内に前記第１の室内よりも相対的に高い圧
    力の空間を形成する差圧形成手段とを有し、 前記基板が前記隔壁の開口部を通り抜けする際に、前記
    基板と前記開口部との間に形成される隙間を通って前記
    第２の室から前記第１の室へ流れる気体の風圧によって
    前記基板の表面に付いている液を払い落とす基板処理装
    置。
20. 【請求項２０】 前記基板と前記開口部との間に形成さ
    れる隙間を４ｍｍ以下に設定する請求項１９に記載の基
    板処理装置。