JP2003145064A

JP2003145064A - ２流体ジェットノズル及び基板洗浄装置

Info

Publication number: JP2003145064A
Application number: JP2001345786A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Nagata; 広永田; Masaya Shinozaki; 賢哉篠崎
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2001-11-12
Filing date: 2001-11-12
Publication date: 2003-05-20

Abstract

(57)【要約】【課題】機構・取付の簡易化、省スペース化、使用用
力の節減および洗浄品質の向上を図ること。【解決手段】このノズル１３４は、搬送方向と直交す
る水平方向（横方向）において少なくとも基板の一端か
ら他端までカバーできる長さに亘って延在する長尺状に
横長のノズル本体１６０を有している。このノズル本体
１６０の先端部にはノズル長手方向に一端から他端まで
連続的に延在するスリット状のノズル口または噴出口１
６２が形成されている。ノズル本体１６０の内部にはノ
ズル長手方向に一端部から他端部まで延在するガスバッ
ファ室１６４，液体バッファ１６６、霧化部１７２、ミ
スト通路１６３が設けられている。ガスバッファ室１６
４はガス通路１７０を介して、液体バッファ１６６は液
体通路１７６を介してそれぞれ霧化部１７２に連通す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、気体と液体（洗浄
液）を用いる２流体ジェットノズルおよび平流し方式の
基板洗浄装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】最近、ＬＣＤ（液晶表示ディスプレイ）
製造におけるレジスト塗布現像処理システムでは、ＬＣ
Ｄ基板の大型化に有利に対応できる洗浄方法として、搬
送ローラや搬送ベルトを水平方向に敷設してなる搬送路
上でＬＣＤ基板を搬送しながら洗浄処理を行うようにし
た、いわゆる平流し方式が注目されている。このような
平流し方式は、基板を回転運動させるスピンナ方式と較
べて、基板の取扱いや搬送系および駆動系の構成が簡単
であり、ミストの発生ないし基板への再付着が少ない等
の利点がある。

【０００３】上記のような平流し方式の基板洗浄工程に
おいても、基板の表面に付着している異物（塵埃、破
片、汚染物等）を十全に除去するために、スクラビング
ブラシを用いるブラッシング洗浄に加えて、ジェットノ
ズルを用いるブロー洗浄が行われる。

【０００４】平流し方式における従来のブロー洗浄部
は、ブラッシング洗浄部の直ぐ下流側にて搬送路の上方
および／または下方に多数のジェットノズルを横一列に
配置し、傍を通過する搬送路上の基板に対してそれらの
ジェットノズルより一斉に洗浄液を液状またはミスト状
の高圧ジェット流で吹き付けることにより、先のブラッ
シング洗浄によっても除去しきれなかった異物を基板表
面から取り除くようにしている。ここで、洗浄液をミス
ト状態の高圧ジェット流で吹き付ける方式のいわゆる２
流体ジェットノズルは、加圧された洗浄液（たとえば純
水）と加圧された気体（たとえばエア、窒素ガス等）と
をノズル内で混合して洗浄液を液滴化つまり霧化し、ノ
ズル口より洗浄液のミストをジェット流で噴出する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】従来の２流体ジェット
ノズルは、筒状のノズル口より洗浄液のミストを糸状ま
たは円錐状に噴出するように構成されている。このた
め、上記のように平流し方式における従来のブロー洗浄
部では搬送方向と直交する横方向において基板の一端か
ら他端までカバーするように多数のジェットノズルを横
一列に配置しているが、ノズル間ピッチを不可避的に伴
なうため縞状の洗浄ムラが発生しやすい。そこで、ノズ
ル間ピッチを可及的に小さくするように２列に千鳥配置
する構成も提案されているが、ノズル組立体のコスト、
スペースおよび煩雑度（特に配管類の煩雑度）が著しく
増大し、コストパフォーマンスは低い。また、ジェット
ノズルの使用本数が増えるほど、気体や洗浄液等の用力
の使用量が非効率に増加するという不利点もある。

【０００６】本発明は、かかる従来技術の問題点に鑑み
てなされたものであり、機構・取付の簡易化、省スペー
ス化、使用用力の節減および洗浄品質の向上を実現する
２流体ジェットノズルおよび基板洗浄装置を提供するこ
とを目的する。

【０００７】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の２流体ジェットノズルは、長尺状に横長
のノズル本体と、前記ノズル本体の先端部にてノズル長
手方向に延在するスリット状の噴出口と、前記ノズル本
体内で前記噴出口の内奥と連通する霧化部と、前記ノズ
ル本体内でノズル長手方向に延在し、加圧された気体を
導入していったん蓄積してから第１の通路を介して前記
霧化部へ送る第１のバッファ室と、前記ノズル本体内で
ノズル長手方向に延在し、加圧された洗浄液を導入して
いったん蓄積してから第２の通路を介して前記霧化部へ
送る第２のバッファ室とを有し、前記霧化部で前記気体
と前記洗浄液とを混合して前記洗浄液を霧化し、前記洗
浄液のミストを前記噴出口より噴出する構成とした。

【０００８】上記の構成においては、加圧された気体お
よび洗浄液がそれぞれ第１および第２のバッファ室内で
一時的に滞留する間にノズル長手方向で均一に分散して
から第１および第２の通路を介して霧化部へ送られて均
一に混じり合い、１つのスリット状噴出口より洗浄液の
ミストが長手方向ほぼ均一の流量でライン状に吐出され
る。

【０００９】本発明の一態様によれば、第１および第２
の通路の少なくとも一方がノズル長手方向にスリット状
に形成される。別の態様によれば、第１および第２の通
路の少なくとも一方がノズル長手方向に一列に設けられ
る多数のトンネル状通路を含む。

【００１０】また、一態様によれば、霧化部がノズル長
手方向に連続する１つの室で形成される。別の態様によ
れば、霧化部がノズル長手方向に一列に配置される多数
の霧化室で形成される。この場合、各霧化室における気
体と洗浄液の混合効率を高めるための好ましい一形態と
して、霧化室内に、第２の通路からの洗浄液をスパイラ
ル状に案内して第１の通路からの気体と衝突・混合させ
る洗浄液案内手段を有する構成としてよい。

【００１１】また、好ましくは、第１の通路から霧化部
に気体の流入する方向と噴出口より洗浄液のミストが噴
出する方向とがほぼ一致する構成としてよい。こ構成に
おいて、霧化部で生成された洗浄液ミストは、第１の通
路から直進して流れてくる気体に押し出されるようにし
てミスト通路内を加速しながら噴出口側に送られ、噴出
口よりノズル長手方向においてほぼ均一の流量を有する
ライン状の噴流またはジェット流として吐出される。

【００１２】本発明の基板洗浄装置は、被処理基板をほ
ぼ水平な姿勢で水平方向に搬送する搬送路と、前記搬送
路上の前記基板の上面または下面に対して搬送方向と直
交する水平方向で前記基板の一端から他端まで前記洗浄
液のミストをライン状に吹き付ける本発明の２流体ジェ
ットノズルとを有する構成とした。

【００１３】本発明の基板洗浄装置においては、平流し
方式において本発明の２流体ジェットノズルを用いるこ
とで、省スペース、省用力で効率よく、洗浄ムラのない
良好なブロー洗浄処理を行うことができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、添付図を参照して本発明の
好適な実施形態を説明する。

【００１５】図１に、本発明の２流体ジェットノズルお
よび基板洗浄装置を適用できる一構成例としての塗布現
像処理システムを示す。この塗布現像処理システム１０
は、クリーンルーム内に設置され、たとえばＬＣＤ基板
を被処理基板とし、ＬＣＤ製造プロセスにおいてフォト
リソグラフィー工程の中の洗浄、レジスト塗布、プリベ
ーク、現像およびポストベーク等の各処理を行うもので
ある。露光処理は、このシステムに隣接して設置される
外部の露光装置１２で行われる。

【００１６】この塗布現像処理システム１０は、中心部
に横長のプロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６を配置
し、その長手方向（Ｘ方向）両端部にカセットステーシ
ョン（Ｃ／Ｓ）１４とインタフェースステーション（Ｉ
／Ｆ）１８とを配置している。

【００１７】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４は、
システム１０のカセット搬入出ポートであり、基板Ｇを
多段に積み重ねるようにして複数枚収容可能なカセット
Ｃを水平方向たとえばＹ方向に４個まで並べて載置可能
なカセットステージ２０と、このステージ２０上のカセ
ットＣに対して基板Ｇの出し入れを行う搬送機構２２と
を備えている。搬送機構２２は、基板Ｇを保持できる手
段たとえば搬送アーム２２ａを有し、Ｘ，Ｙ，Ｚ，θの
４軸で動作可能であり、隣接するプロセスステーション
（Ｐ／Ｓ）１６側と基板Ｇの受け渡しを行えるようにな
っている。

【００１８】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６は、
システム長手方向（Ｘ方向）に延在する平行かつ逆向き
の一対のラインＡ，Ｂに各処理部をプロセスフローまた
は工程の順に配置している。より詳細には、カセットス
テーション（Ｃ／Ｓ）１４側からインタフェースステー
ション（Ｉ／Ｆ）１８側へ向う上流部のプロセスライン
Ａには、洗浄プロセス部２４と、第１の熱的処理部２６
と、塗布プロセス部２８と、第２の熱的処理部３０とを
横一列に配置している。一方、インタフェースステーシ
ョン（Ｉ／Ｆ）１８側からカセットステーション（Ｃ／
Ｓ）１４側へ向う下流部のプロセスラインＢには、第２
の熱的処理部３０と、現像プロセス部３２と、脱色プロ
セス部３４と、第３の熱的処理部３６とを横一列に配置
している。このライン形態では、第２の熱的処理部３０
が、上流側のプロセスラインＡの最後尾に位置するとと
もに下流側のプロセスラインＢの先頭に位置しており、
両ラインＡ，Ｂ間に跨っている。

【００１９】両プロセスラインＡ，Ｂの間には補助搬送
空間３８が設けられており、基板Ｇを１枚単位で水平に
載置可能なシャトル４０が図示しない駆動機構によって
ライン方向（Ｘ方向）で双方向に移動できるようになっ
ている。

【００２０】上流部のプロセスラインＡにおいて、洗浄
プロセス部２４は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４
２を含んでおり、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）
４２内のカセットステーション（Ｃ／Ｓ）１０と隣接す
る場所にエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１を
配置している。後述するように、スクラバ洗浄ユニット
（ＳＣＲ）４２内の洗浄部は、ＬＣＤ基板Ｇをコロ搬送
またはベルト搬送により水平姿勢でラインＡ方向に搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すようになっている。

【００２１】洗浄プロセス部２４の下流側に隣接する第
１の熱的処理部２６は、プロセスラインＡに沿って中心
部に縦型の搬送機構４６を設け、その前後両側に複数の
ユニットを多段に積層配置している。たとえば、図２に
示すように、上流側の多段ユニット部（ＴＢ）４４に
は、基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）５０、
脱水ベーク用の加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５４およ
びアドヒージョンユニット（ＡＤ）５６が下から順に積
み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳＳ）５０
は、スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２側と基板Ｇの
受け渡しを行うために用いられる。また、下流側の多段
ユニット部（ＴＢ）４８には、基板受け渡し用のパスユ
ニット（ＰＡＳＳ）６０、冷却ユニット（ＣＬ）６２，
６４およびアドヒージョンユニット（ＡＤ）６６が下か
ら順に積み重ねられる。ここで、パスユニット（ＰＡＳ
Ｓ）６０は、塗布プロセス部２８側と基板Ｇの受け渡し
を行うためのものである。

【００２２】図２に示すように、搬送機構４６は、鉛直
方向に延在するガイドレール６８に沿って昇降移動可能
な昇降搬送体７０と、この昇降搬送体７０上でθ方向に
回転または旋回可能な旋回搬送体７２と、この旋回搬送
体７２上で基板Ｇを支持しながら前後方向に進退または
伸縮可能な搬送アームまたはピンセット７４とを有して
いる。昇降搬送体７０を昇降駆動するための駆動部７６
が垂直ガイドレール６８の基端側に設けられ、旋回搬送
体７２を旋回駆動するための駆動部７８が昇降搬送体７
０に取り付けられ、搬送アーム７４を進退駆動するため
の駆動部８０が回転搬送体７２に取り付けられている。
各駆動部７６，７８，８０はたとえば電気モータ等で構
成されてよい。

【００２３】上記のように構成された搬送機構４６は、
高速に昇降ないし旋回運動して両隣の多段ユニット部
（ＴＢ）４４，４８の中の任意のユニットにアクセス可
能であり、補助搬送空間３８側のシャトル４０とも基板
Ｇを受け渡しできるようになっている。

【００２４】第１の熱的処理部２６の下流側に隣接する
塗布プロセス部２８は、図１に示すように、レジスト塗
布ユニット（ＣＴ）８２、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８
４およびエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８６をプロ
セスラインＡに沿って一列に配置している。図示省略す
るが、塗布プロセス部２８内には、これら３つのユニッ
ト（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８４、（ＥＲ）８６に基板Ｇ
を工程順に１枚ずつ搬入・搬出するための搬送装置が設
けられており、各ユニット（ＣＴ）８２、（ＶＤ）８
４、（ＥＲ）８６内では基板１枚単位で各処理が行われ
るようになっている。

【００２５】塗布プロセス部２８の下流側に隣接する第
２の熱的処理部３０は、上記第１の熱的処理部２６と同
様の構成を有しており、両プロセスラインＡ，Ｂの間に
縦型の搬送機構９０を設け、プロセスラインＡ側（最後
尾）に一方の多段ユニット部（ＴＢ）８８を設け、プロ
セスラインＢ側（先頭）に他方の多段ユニット部（Ｔ
Ｂ）９２を設けている。

【００２６】図示省略するが、たとえば、プロセスライ
ンＡ側の多段ユニット部（ＴＢ）８８には、最下段に基
板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、そ
の上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）
がたとえば３段積み重ねられてよい。また、プロセスラ
インＢ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２には、最下段に
基板受け渡し用のパスユニット（ＰＡＳＳ）が置かれ、
その上に冷却ユニット（ＣＯＬ）がたとえば１段重ねら
れ、その上にプリベーク用の加熱ユニット（ＰＲＥＢＡ
ＫＥ）がたとえば２段積み重ねられてよい。

【００２７】第２の熱的処理部３０における搬送機構９
０は、両多段ユニット部（ＴＢ）８８，９２のそれぞれ
のパスユニット（ＰＡＳＳ）を介して塗布プロセス部２
８および現像プロセス部３２と基板Ｇを１枚単位で受け
渡しできるだけでなく、補助搬送空間３８内のシャトル
４０や後述するインタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）
１８とも基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっ
ている。

【００２８】下流部のプロセスラインＢにおいて、現像
プロセス部３２は、基板Ｇを水平姿勢で搬送しながら一
連の現像処理工程を行う、いわゆる平流し方式の現像ユ
ニット（ＤＥＶ）９４を含んでいる。

【００２９】現像プロセス部３２の下流側には脱色プロ
セス部３４を挟んで第３の熱的処理部３６が配置され
る。脱色プロセス部３４は、基板Ｇの被処理面にｉ線
（波長３６５ｎｍ）を照射して脱色処理を行うためのｉ
線ＵＶ照射ユニット（ｉ−ＵＶ）９６を備えている。

【００３０】第３の熱的処理部３６は、上記第１の熱的
処理部２６や第２の熱的処理部３０と同様の構成を有し
ており、プロセスラインＢに沿って縦型の搬送機構１０
０とその前後両側に一対の多段ユニット部（ＴＢ）９
８，１０２を設けている。

【００３１】図示省略するが、たとえば、上流側の多段
ユニット部（ＴＢ）９８には、最下段にパスユニット
（ＰＡＳＳ）が置かれ、その上にポストベーキング用の
加熱ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）がたとえば３段積み重ね
られてよい。また、下流側の多段ユニット部（ＴＢ）１
０２には、最下段にポストベーキング・ユニット（ＰＯ
ＢＡＫＥ）が置かれ、その上に基板受け渡しおよび冷却
用のパス・クーリングユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）が
１段重ねられ、その上にポストベーキング用の加熱ユニ
ット（ＰＯＢＡＫＥ）が２段積み重ねられてよい。

【００３２】第３の熱的処理部３６における搬送機構１
００は、両多段ユニット部（ＴＢ）９８，１０２のパス
ユニット（ＰＡＳＳ）およびパス・クーリングユニット
（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）を介してそれぞれｉ線ＵＶ照射ユ
ニット（ｉ−ＵＶ）９６およびカセットステーション
（Ｃ／Ｓ）１４と基板Ｇを１枚単位で受け渡しできるだ
けでなく、補助搬送空間３８内のシャトル４０とも基板
Ｇを１枚単位で受け渡しできるようになっている。

【００３３】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８は、隣接する露光装置１２と基板Ｇのやりとりを行う
ための搬送装置１０４を有し、その周囲にバッファ・ス
テージ（ＢＵＦ）１０５、エクステンション・クーリン
グステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６および周辺装置１
１０を配置している。バッファ・ステージ（ＢＵＦ）１
０５には定置型のバッファカセット（図示せず）が置か
れる。エクステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ
・ＣＯＬ）１０６は、冷却機能を備えた基板受け渡し用
のステージであり、プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１
６側と基板Ｇをやりとりする際に用いられる。周辺装置
１１０は、たとえばタイトラー（ＴＩＴＬＥＲ）と周辺
露光装置（ＥＥ）とを上下に積み重ねた構成であってよ
い。搬送装置１０４は、基板Ｇを保持できる搬送手段た
とえば搬送アーム１０４ａを有し、隣接する露光装置１
２や各ユニット（ＢＵＦ）１０５、（ＥＸＴ・ＣＯＬ）
１０６、（ＴＩＴＬＥＲ／ＥＥ）１１０と基板Ｇの受け
渡しを行えるようになっている。

【００３４】図３に、この塗布現像処理システムにおけ
る処理の手順を示す。先ず、カセットステーション（Ｃ
／Ｓ）１４において、搬送機構２２が、ステージ２０上
の所定のカセットＣの中から１つの基板Ｇを取り出し、
プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６の洗浄プロセス部
２４のエキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４１に搬
入する（ステップＳ1）。

【００３５】エキシマＵＶ照射ユニット（ｅ−ＵＶ）４
１内で基板Ｇは紫外線照射による乾式洗浄を施される
（ステップＳ2）。この紫外線洗浄では主として基板表
面の有機物が除去される。紫外線洗浄の終了後に、基板
Ｇは、カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４の搬送機構
２２によって洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２へ移される。

【００３６】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２で
は、上記したように基板Ｇをコロ搬送またはベルト搬送
により水平姿勢でプロセスラインＡ方向に平流しで搬送
しながら基板Ｇの上面（被処理面）にブラッシング洗浄
やブロー洗浄を施すことにより、基板表面から粒子状の
汚れを除去する（ステップＳ3）。そして、洗浄後も基
板Ｇを平流しで搬送しながらリンス処理を施し、最後に
エアーナイフ等を用いて基板Ｇを乾燥させる。

【００３７】スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２内で
洗浄処理の済んだ基板Ｇは、第１の熱的処理部２６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）４４内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）５０に搬入される。

【００３８】第１の熱的処理部２６において、基板Ｇは
搬送機構４６により所定のシーケンスで所定のユニット
を回される。たとえば、基板Ｇは、最初にパスユニット
（ＰＡＳＳ）５０から加熱ユニット（ＤＨＰ）５２，５
４の１つに移され、そこで脱水処理を受ける（ステップ
Ｓ4）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット（ＣＯＬ）６
２，６４の１つに移され、そこで一定の基板温度まで冷
却される（ステップＳ5）。しかる後、基板Ｇはアドヒ
ージョンユニット（ＡＤ）５６に移され、そこで疎水化
処理を受ける（ステップＳ6）。この疎水化処理の終了
後に、基板Ｇは冷却ユニット（ＣＯＬ）６２，６４の１
つで一定の基板温度まで冷却される（ステップＳ7）。
最後に、基板Ｇは下流側多段ユニット部（ＴＢ）４８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）６０に移される。

【００３９】このように、第１の熱的処理部２６内で
は、基板Ｇが、搬送機構４６を介して上流側の多段ユニ
ット部（ＴＢ）４４と下流側の多段ユニット部（ＴＢ）
４８との間で任意に行き来できるようになっている。な
お、第２および第３の熱的処理部３０，３６でも同様の
基板搬送動作を行えるようになっている。

【００４０】第１の熱的処理部２６で上記のような一連
の熱的または熱系の処理を受けた基板Ｇは、下流側多段
ユニット部（ＴＢ）４８内のパスユニット（ＰＡＳＳ）
６０から下流側隣の塗布プロセス部２８のレジスト塗布
ユニット（ＣＴ）８２へ移される。

【００４１】基板Ｇはレジスト塗布ユニット（ＣＴ）８
２でたとえばスピンコート法により基板上面（被処理
面）にレジスト液を塗布され、直後に下流側隣の減圧乾
燥ユニット（ＶＤ）８４で減圧による乾燥処理を受け、
次いで下流側隣のエッジリムーバ・ユニット（ＥＲ）８
６で基板周縁部の余分（不要）なレジストを取り除かれ
る（ステップＳ8）。

【００４２】上記のようなレジスト塗布処理を受けた基
板Ｇは、減圧乾燥ユニット（ＶＤ）８４から隣の第２の
熱的処理部３０の上流側多段ユニット部（ＴＢ）８８に
属するパスユニット（ＰＡＳＳ）に受け渡される。

【００４３】第２の熱的処理部３０内で、基板Ｇは、搬
送機構９０により所定のシーケンスで所定のユニットを
回される。たとえば、基板Ｇは、最初に該パスユニット
（ＰＡＳＳ）から加熱ユニット（ＰＲＥＢＡＫＥ）の１
つに移され、そこでレジスト塗布後のベーキングを受け
る（ステップＳ9）。次に、基板Ｇは、冷却ユニット
（ＣＯＬ）の１つに移され、そこで一定の基板温度まで
冷却される（ステップＳ10）。しかる後、基板Ｇは下流
側多段ユニット部（ＴＢ）９２側のパスユニット（ＰＡ
ＳＳ）を経由して、あるいは経由せずにインタフェース
ステーション（Ｉ／Ｆ）１８側のエクステンション・ク
ーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６へ受け渡さ
れる。

【００４４】インタフェースステーション（Ｉ／Ｆ）１
８において、基板Ｇは、エクステンション・クーリング
ステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）１０６から周辺装置１１０
の周辺露光装置（ＥＥ）に搬入され、そこで基板Ｇの周
辺部に付着するレジストを現像時に除去するための露光
を受けた後に、隣の露光装置１２へ送られる（ステップ
Ｓ11）。

【００４５】露光装置１２では基板Ｇ上のレジストに所
定の回路パターンが露光される。そして、パターン露光
を終えた基板Ｇは、露光装置１２からインタフェースス
テーション（Ｉ／Ｆ）１８に戻されると（ステップＳ1
1）、先ず周辺装置１１０のタイトラー（ＴＩＴＬＲＥ
Ｒ）に搬入され、そこで基板上の所定の部位に所定の情
報が記される（ステップＳ12）。しかる後、基板Ｇはエ
クステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯ
Ｌ）１０６に戻される。インタフェースステーション
（Ｉ／Ｆ）１８における基板Ｇの搬送および露光装置１
２との基板Ｇのやりとりは搬送装置１０４によって行わ
れる。

【００４６】プロセスステーション（Ｐ／Ｓ）１６で
は、第２の熱的処理部３０において搬送機構９０がエク
ステンション・クーリングステージ（ＥＸＴ・ＣＯＬ）
１０６より露光済の基板Ｇを受け取り、プロセスライン
Ｂ側の多段ユニット部（ＴＢ）９２内のパスユニット
（ＰＡＳＳ）を介して現像プロセス部３２へ受け渡す。

【００４７】現像プロセス部３２では、該多段ユニット
部（ＴＢ）９２内のパスユニット（ＰＡＳＳ）から受け
取った基板Ｇを現像ユニット（ＤＥＶ）９４に搬入す
る。現像ユニット（ＤＥＶ）９４において基板Ｇはプロ
セスラインＢの下流に向って平流し方式で搬送され、そ
の搬送中に現像、リンス、乾燥の一連の現像処理工程が
行われる（ステップＳ13）。

【００４８】現像プロセス部３２で現像処理を受けた基
板Ｇは下流側隣の脱色プロセス部３４へ搬入され、そこ
でｉ線照射による脱色処理を受ける（ステップＳ14）。
脱色処理の済んだ基板Ｇは、第３の熱的処理部３６の上
流側多段ユニット部（ＴＢ）９８内のパスユニット（Ｐ
ＡＳＳ）に受け渡される。

【００４９】第３の熱的処理部（ＴＢ）９８において、
基板Ｇは、最初に該パスユニット（ＰＡＳＳ）から加熱
ユニット（ＰＯＢＡＫＥ）の１つに移され、そこでポス
トベーキングを受ける（ステップＳ15）。次に、基板Ｇ
は、下流側多段ユニット部（ＴＢ）１０２内のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）に移され、そこ
で所定の基板温度に冷却される（ステップＳ16）。第３
の熱的処理部３６における基板Ｇの搬送は搬送機構１０
０によって行われる。

【００５０】カセットステーション（Ｃ／Ｓ）１４側で
は、搬送機構２２が、第３の熱的処理部３６のパスクー
リング・ユニット（ＰＡＳＳ・ＣＯＬ）から塗布現像処
理の全工程を終えた基板Ｇを受け取り、受け取った基板
Ｇをいずれか１つのカセットＣに収容する（ステップＳ
1）。

【００５１】この塗布現像処理システム１０において
は、たとえば洗浄プロセス部２４のスクラバ洗浄ユニッ
ト（ＳＣＲ）４２に本発明を適用することができる。以
下、図４〜図１０を参照して本発明をスクラバ洗浄ユニ
ット（ＳＣＲ）４２に適用した実施形態を説明する。

【００５２】図４に、本発明の一実施形態によるスクラ
バ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２の全体構成を示す。この
スクラバ洗浄ユニット（ＳＣＲ）４２は、プロセスライ
ンＡに沿って水平方向（Ｘ方向）に搬送ローラ１１２を
敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を有し、この搬
送路１１４に沿って隔壁１１６を介して６つのブロック
またはモジュールＭ1〜Ｍ6を一列に連続配置してなる。

【００５３】これら６つのモジュールＭ1〜Ｍ6のうち、
最上流端に位置する１番目のモジュールＭ1は基板搬入
部を構成し、２番目のモジュールＭ2はスクラビング洗
浄処理部を構成し、３番目のモジュールＭ3はブロー洗
浄処理部を構成し、４番目のモジュールＭ4はリンス処
理部を構成し、５番目のモジュールＭ5は乾燥処理部を
構成し、６番目つまり最後尾のモジュールＭ6は基板搬
出部を構成している。

【００５４】基板搬入部Ｍ1には、上流側隣の基板搬送
機構（図示せず）から手渡される基板Ｇを水平姿勢で受
け取って搬送路１１４上に移載するための昇降可能な複
数本のリフトピン１１８が設けられている。基板搬出部
Ｍ6にも、基板Ｇを水平姿勢で持ち上げて隣の基板搬送
機構（図示せず）へ手渡すための昇降可能な複数本のリ
フトピン１２０が設けられている。もっとも、リフトピ
ン１１８，１２０を設けずに搬送ローラ１１２を延設す
ることにより基板Ｇの受け渡しを行う構成も可能であ
る。

【００５５】スクラビング洗浄処理部Ｍ2には、搬送路
１１４に沿って上流側から順に薬液ノズル１２２、プレ
ウエット用の洗浄スプレー管１２４、スクラビング洗浄
用の上下一対のロールブラシ１２６，１２８、洗い流し
用の上下一対の洗浄スプレー管１３０，１３１等が配置
されている。また、下流側の端部または壁際には、隣室
（Ｍ3）と空間を空気的に区画するためのエアカーテン
形成部またはエア吹出し部１３２が設けられている。

【００５６】ブロー洗浄処理部Ｍ3には、本発明の一実
施形態における２流体ジェットノズル１３４，１３５が
搬送路１１４を挟んで上下に（図示の例では一対）配置
されている。また、下流側の隣室（Ｍ4）と空間を空気
的に区画するためのエアカーテン形成部１３６も設けら
れている。

【００５７】リンス処理部Ｍ4には、搬送路１１４を挟
んで上下一対のリンスノズル１３７，１３８が配置され
ている。また、下流側の隣室（Ｍ5）と空間を空気的に
区画するためのエアカーテン形成部１３９も設けられて
いる。

【００５８】乾燥処理部Ｍ5には、液切り用の複数（図
示の例では一対）のエアナイフ１４０，１４２が、搬送
路１１４を挟んで上下に配置されている。

【００５９】処理部Ｍ2〜Ｍ5においては、搬送路１１４
の下に落ちた液を受け集めるためのパン１４４，１４
６，１４８，１５０がそれぞれ設けられている。各パン
１４４〜１５０の底に設けられた排液口には回収系統ま
たは排液系統の配管が接続されている。

【００６０】ここで、このスクラバ洗浄ユニット（ＳＣ
Ｒ）４２における全体の動作および作用を説明する。基
板搬入部Ｍ1は、隣の基板搬送機構（図示せず）から基
板Ｇを１枚単位で受け取って搬送路１１４に移載または
搬入する。搬送路１１４を構成する搬送ローラ１１２
は、回転駆動シャフトや歯車等の伝動機構（図示せず）
を介して電気モータ（図示せず）の駆動力により前進方
向に回転している。したがって、搬送路１１２に載った
基板Ｇは直ちに隣のスクラビング洗浄処理部Ｍ2へ向け
て搬送される。通常、ＬＣＤ用の基板Ｇは長方形に形成
されており、その長辺方向が搬送方向と平行になる向き
で搬送路１１４上を搬送される。

【００６１】スクラビング洗浄処理部Ｍ2では、搬送路
１１４上を搬送される基板Ｇの上面（被処理面）に対し
て、最初に薬液ノズル１２２がたとえば酸またはアルカ
リ系の薬液を基板Ｇの上面に吹き付け、直後に洗浄スプ
レー管１２４がプレウエット用の洗浄液たとえば純水を
吹き付ける。なお、図示しないが、搬送路１１４の下方
にも同様の薬液ノズルおよび洗浄スプレー管を配置し
て、基板Ｇの下面にも薬液やプレウエット液を吹き付け
てもよい。

【００６２】次いで、基板Ｇは上下のロールブラシ１２
６，１２８の間を通り抜け、その際に両ロールブラシ１
２６，１２８が基板Ｇの上下面に付いている異物（塵
埃、破片、汚染物等）を擦り取る。直後に、上下の洗浄
スプレー管１３０，１３１が基板Ｇの上下面に洗浄液た
とえば純水を吹き付け、基板表面に浮遊している異物を
洗い流す。

【００６３】スクラビング洗浄処理部Ｍ2を抜けると、
基板Ｇは次にブロー洗浄処理部Ｍ3に入る。その際、エ
アカーテン形成部１３２より空気流が基板Ｇの上面に吹
き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液
が基板後端からスクラビング洗浄処理部Ｍ2側のパン１
４４に落とされる。

【００６４】ブロー洗浄処理部Ｍ3では、上下の２流体
ジェットノズル１３４，１３５が、加圧された洗浄液
（たとえば純水）と加圧された気体（たとえばエア）と
をノズル内で混合して粒状の液滴を生成し、生成した液
滴またはミストを基板Ｇの上下面に向けて高圧ジェット
流で吹き付ける。こうしてミスト状ないしバブル状の洗
浄液が基板Ｇの表面に衝突することで、基板表面に付着
または残存している異物が除去される。後述するよう
に、この実施形態では、各２流体ジェットノズル１３
４，１３５が搬送路１１４の幅方向に延在する長尺状の
横長ノズルとして構成され、基板Ｇの端から端までカバ
ーするようにスリット状の噴出口より洗浄液のミストを
ライン状のジェット流として噴出するようになってい
る。

【００６５】ブロー洗浄処理部Ｍ3の次に基板Ｇはリン
ス処理部Ｍ4を通過する。ブロー洗浄処理部Ｍ3を抜ける
際にも、エアカーテン形成部１３６より空気流が基板Ｇ
の上面に吹き付けられることで、ある程度であるが、基
板上面の液が基板後端からブロー洗浄処理部Ｍ3側のパ
ン１４６に落とされる。

【００６６】リンス処理部Ｍ4では、搬送路１１４上を
水平姿勢で搬送される基板Ｇの上下面に対して、上下の
リンスノズル１３７，１３８がリンス液たとえば純水を
吹き付けることにより、ブロー洗浄処理部Ｍ3から持ち
込まれた基板Ｇ上の液（異物が浮遊している液）がリン
ス液と一緒に流れて基板の外へ掃き出され、基板表面に
は清浄なリンス液が残る（つまり置換される）。

【００６７】リンス処理部Ｍ4の次に基板Ｇは乾燥処理
部Ｍ5に送られる。リンス処理部Ｍ4を抜ける際にも、エ
アカーテン形成部１３９より空気流が基板Ｇの上面に吹
き付けられることで、ある程度であるが、基板上面の液
が基板後端から処理部Ｍ4側のパン１４８に落とされ
る。

【００６８】乾燥処理部Ｍ5では、搬送路１１４上を水
平姿勢で搬送される基板Ｇの両面に対して、上下のエア
ナイフ１４０，１４２が気体（たとえば空気または窒素
ガス等の中性ガス）を吹き付けることにより、基板表面
に付いていたリンス液を取り除く（液切りする）。な
お、乾燥処理後に基板Ｇ上に水あかが部分的または局所
的に残るのを防止するために、エアナイフ１４０，１４
２の少し上流側でプレウエット用のノズル（図示せず）
よりたとえば純水を基板Ｇの上面または全面に万遍に吹
き付けるのが好ましい。

【００６９】乾燥処理部Ｍ5で液切りされた基板Ｇはそ
のまま搬送路１１４に乗って基板搬出部Ｍ6に送られ
る。基板搬出部Ｍ6は、基板搬入部Ｍ1と同様の構成を有
しており、基板の受け渡し手順が搬入と搬出とで反対に
なるだけで基板搬入部Ｍ1と同様に動作する。つまり、
基板受け渡し用のリフトピン１２０を搬送路１１４より
も低い位置に待機させて基板Ｇが上流側（乾燥部Ｍ5）
から流れてくるのを待ち、基板Ｇがリフトピン１２０の
直上の所定位置に着いたならリフトピン１２０を上方へ
突き上げて基板Ｇを水平姿勢で持ち上げ、隣の基板搬送
機構（図示せず）へ渡す。

【００７０】次に、図５〜図１０につき、ブロー洗浄処
理部Ｍ3に設けられる本実施形態の２流体ジェットノズ
ル１３４，１３５を具体的な実施例につきより詳細に説
明する。両ノズル１３４，１３５は同一の構成および機
能を有するものであってよいので、以下では上部ノズル
１３４について説明する。

【００７１】図５および図６に、２流体ジェットノズル
１３４の外観および一実施例による内部構造をそれぞれ
示す。図示のように、このノズル１３４は、搬送方向と
直交する水平方向（横方向）において少なくとも基板Ｇ
の一端から他端までカバーできる長さに亘って延在する
長尺状に横長のノズル本体１６０を有している。このノ
ズル本体１６０の先端部（下端部）にはノズル長手方向
（横方向）に一端から他端まで連続的に延在するスリッ
ト状のノズル口または噴出口１６２が形成されている。
この噴出口１６２のスリット間隙Ｄは好ましくは１ｍｍ
以下に選ばれてよい。ノズル本体１６０の材質はたとえ
ばステンレス鋼である。

【００７２】ノズル本体１６０の内部にはノズル長手方
向に一端部から他端部までそれぞれ延在する２つのバッ
ファ室１６４，１６６が設けられている。図示の実施例
では、両バッファ室１６４，１６６のいずれもノズル長
手方向に連続する空間つまり１つの室で形成されてい
る。

【００７３】噴出口１６２の直上に位置する上部バッフ
ァ室１６４はガスバッファ室であり、ガス導入口１６４
ａおよびガス送出口１６４ｂを有している。ガス導入口
１６４ａは、バッファ室１６４の一壁面たとえば上壁面
の１箇所または複数箇所（図示の例では長手方向中心部
の１箇所）に設けられ、ガス供給管１６８を介してガス
供給部１８０（図７）に接続される。ガス送出口１６４
ｂは、ノズル長手方向にバッファ室１６４の一端から他
端まで延在する１つまたは複数の開口として形成されて
おり、ノズル長手方向の各位置でガス通路１７０を介し
て霧化部１７２に連通している。霧化部１７２およびガ
ス通路１７０は、噴出口１６２の内奥の通路またはミス
ト通路１６３の延長上に噴出口１６２とほぼ同じサイズ
の間隙または断面積で縦向きのスリット状に形成されて
いる。

【００７４】サイドのバッファ室１６６は液体バッファ
室であり、液体導入口１６６ａおよび液体送出口１６６
ｂを有している。液体導入口１６６ａは、バッファ室１
６６の一壁面たとえば側壁の１箇所または複数箇所（図
示の例では長手方向中心部の１箇所）に設けられ、洗浄
液供給管１７４を介して洗浄液供給部１８２（図７）に
接続される。液体送出口１６６ｂは、ノズル長手方向に
バッファ室１６６の一端から他端まで延在する１つまた
は複数の開口として形成されており、ノズル長手方向の
各位置で液体通路１７６を介して霧化部１７２に連通し
ている。この液体通路１７６は、上記ガス通路１７０な
いし霧化部１７２に対してＴ字型に交差する横向きのス
リット状に形成されている。なお、液体通路１７６の間
隙または断面積は、通常はガス通路１７０よりも小さな
サイズに選ばれる。

【００７５】図７に、この実施形態における用力供給部
の構成例を示す。この用力供給部はガス供給部１８０と
洗浄液供給部１８２とを含む。ガス供給部１８０は、圧
縮空気供給源または供給口１８４、レギュレータ１８
６、開閉弁１８８、フローメータ１９０およびフィルタ
１９２等を有する。レギュレータ１８６は、圧縮空気供
給源１８４から送出される圧縮空気を安定した所望圧力
のエアＡに変える。開閉弁１８８はたとえば空気作動弁
からなり、コントローラ（図示せず）の制御の下で必要
な時だけエアＡをノズル１３４へ供給する。フローメー
タ１９０は、流量調整手段たとえばニードルバルブを備
え、エアＡの供給流量を所望の値に調整できるようにな
っている。フィルタ１９２はエアＡからゴミ類を取り除
く。

【００７６】洗浄液供給部１８２は、洗浄液（純水）供
給源または供給口１９４、レギュレータ１９６、開閉弁
１９８、フローメータ２００およびフィルタ２０２等で
構成され、基本的には用力が洗浄液（純水）Ｃである点
を除いて各部が上記ガス供給部１８０の各部と同様の機
能を有する。

【００７７】この実施例の２流体ジェットノズル１３４
において、ガス供給部１８０からの加圧されたエアＡ
は、ガス供給管１６８よりガス導入口１６４ａを通って
ガスバッファ室１６４に導入され、このバッファ室１６
４内でいったん蓄積される。この一時的な蓄積または滞
留の間にエアＡはガスバッファ室１６４内で長手方向に
拡散または分散して、長手方向の各位置にてガス送出口
１６４ｂよりほぼ均一な圧力でガス通路１７０に送出さ
れる。

【００７８】一方、洗浄液供給部１８２からの加圧され
た洗浄液（純水）Ｃは、洗浄液供給管１７４より液体導
入口１６６ａを通って液体バッファ室１６６に導入さ
れ、このバッファ室１６６内でいったん蓄積される。こ
の一時的な蓄積または滞留の間に洗浄液Ｃはバッファ室
１６６内で長手方向に拡散または分散して、長手方向の
各位置にて液体送出口１６６ｂよりほぼ均一な圧力で液
体通路１７６に送出される。

【００７９】霧化部１７２では、液体通路１７６から出
た洗浄液Ｃがガス通路１７０を流れてくるエアＡと衝突
・混合して霧化され、微小な液滴またはミストｍが発生
する。霧化部１７２で生成された洗浄液ミストｍは、ガ
ス通路１７０から流れてくるエアＡに押し出されるよう
にしてミスト通路１６３内を加速しながら噴出口１６２
側に送られ、噴出口１６２よりノズル長手方向において
ほぼ均一の圧力・濃度および流量を有するライン状の噴
流またはジェット流Ｊｍとして吐出される。こうして、
図５に示すように、ノズル１２３の直下を通過する基板
Ｇの上面に対して、横方向で基板の一端から他端までほ
ぼ均一に洗浄液（純水）のミストを吹き付けることがで
き、洗浄ムラのない良好な洗浄品質を得ることができ
る。

【００８０】このように、この実施形態においては、搬
送方向と直交する横方向で基板Ｇの端から端までカバー
できるスリット状の噴出口１６２を有する２流体ジェッ
トノズル１３４が、該スリット状の噴出口１６２より洗
浄液ミストのジェット流Ｊｍを長手方向均一の圧力・濃
度および流量でライン状に吐出することにより、搬送路
１１４上の基板Ｇに対して必要最小限の用力使用量で効
率的かつ高品質のバブル洗浄を行うことができる。ま
た、図５に示すように、長尺状で横長のノズル本体１６
０を１本横設するだけの簡易な配置構成で済み、省スペ
ース化を図れるとともに、配管等の取付・取外し作業も
至って簡単である。

【００８１】この実施形態の２流体ジェットノズル１３
４においては、ガス供給部１８０からのエア供給流量と
洗浄液供給部１８２からの洗浄液供給流量とが相反する
関係にあり、エア供給流量を大きくするほど洗浄液供給
流量が減少する。ノズル１３４の吐出動作を開始すると
きは、先ずガス供給部１８０側を完全閉止して洗浄液供
給部１８２側を全開状態の流量たとえば５リットル／分
としてよい。この時、ノズル１３４の噴出口１６２より
５リットル／分の流量で洗浄液Ｃが吐出される。次に、
ガス供給部１８０側の開閉弁１８８を開状態にしてエア
の供給流量を除除に増やしていくと、ガスバッファ室１
６４から霧化部１７２に流れ込むエアＡの流量が増し、
それと反比例して液体バッファ室１６６から霧化部１７
２に流れ込む洗浄液Ｃの流量が減少する。霧化部１７２
内では、エアＡの混合比率が高まるにつれて洗浄液Ｃの
混合比率が下がり、生成される液滴が次第に小さくなっ
て、やがてミスト状態となる。ジェット流Ｊｍが安定し
た状態では、エアの流量がたとえば７０リットル／分、
洗浄液の流量がたとえば０．１リットル／分の割合にな
る。

【００８２】図８および図９に、この実施形態における
２流体ジェットノズル１３４の第２の実施例を示す。こ
の実施例では、ガス通路１７０および液体通路１７６
が、それぞれノズル長手方向一列に配置された多数（ｎ
個）のトンネル状通路［１７０(1)，１７０(2) ，１７
０(3)‥‥，１７０(n)］、［１７６(1)，１７６(2) ，
１７６(3)‥‥，１７６(n)］として形成されている。ま
た、霧化部１７２が、各トンネル状ガス通路［１７０
(1)，１７０(2) ，１７０(3)‥‥，１７０(n)］と一体
的に連続するトンネル状霧化室［１７２(1)，１７２(2)
，１７２(3)‥‥，１７２(n)］として形成されてい
る。

【００８３】長手方向の各対応する位置で、ガスバッフ
ァ室１６４から各トンネル状ガス通路１７０(i)を通っ
て供給されるエアＡと液体バッファ室１６６から各トン
ネル状液体通路１７６(i)を通って供給される洗浄液Ｃ
とが各トンネル状霧化室１７２(i)で衝突・混合して、
ミストｍが発生する。各トンネル状霧化室１７２(1)，
１７２(2) ，１７２(3)‥‥，１７２(n)で個別に生成さ
れた洗浄液ミストｍはスリット状のミスト通路１６３内
を流れる途中でノズル長手方向に均一化される。こうし
て、上記実施例と同様に、噴出口１６２より洗浄液ミス
トがノズル長手方向においてほぼ均一の圧力・濃度およ
び流量でライン状のジェット流Ｊｍとして吐出される。

【００８４】このように、ガス通路１７０および液体通
路１７６をそれぞれ長手方向一列に配置される多数のト
ンネル状通路として形成する構成によれば、長手方向の
各位置で通路流体抵抗が高くなることで、両バッファ室
１６４，１６６におけるエアＡ，洗浄液Ｃの均一分散化
を一層向上させることができる。また、両通路１７０，
１７６の多孔構造に対応させて霧化部１７２も長手方向
一列のトンネル状霧化室として形成することで、エアＡ
と洗浄液Ｃとの衝突・混合効率ないしミスト生成効率を
高めることができる。

【００８５】もっとも、ガス通路１７０、液体通路１７
６または霧化部１７２のいずれかを上記第１実施例のよ
うなスリット型に形成することも可能である。また、多
トンネル構造とする場合においても、トンネルの配列構
造や配列数を種々変形・選択することが可能であり、た
とえば２列構造も可能である。

【００８６】図１０に、第３の実施例を示す。この第３
の実施例は、上記第２の実施例において各トンネル状霧
化室１７２(i)の構成を変形したものである。

【００８７】より詳細には、各トンネル状霧化室１７２
(i)をトンネル状ガス通路１７０(i)よりも断面積の格段
に大きな室に形成し、室内に先端部を切り欠いた円錐状
の液体案内板２０４を懸垂配置し、トンネル状液体通路
１７６(i)の出口を液体案内板２０４の上部に対向させ
ている。液体案内板２０４は、上端がトンネル状ガス通
路１７０(i)の下端部に気密に接続し、下端がミスト通
路１６３から浮いている。

【００８８】液体バッファ室１６６から各トンネル状液
体通路１７６(i)を通って各トンネル状霧化室１７２(i)
に導入された洗浄液Ｃは、液体案内板２０４の外周面に
沿ってスパイラル状に落ちて、ガスバッファ室１６４側
から液体案内板２０４の中を直進して降りてくるエアＡ
と衝突・混合して霧化する。こうして、各トンネル状霧
化室１７２(i)の底部でミストｍが生成される。そし
て、各トンネル状霧化室１７２(i)で生成されたミスト
ｍはミスト通路１６３内でノズル長手方向に均一化さ
れ、噴出口１６２より上記実施例と同様にノズル長手方
向においてほぼ均一の圧力・濃度および流量を有するラ
イン状のジェット流Ｊｍとして吐出される。ミスト通路
１６３においては、上部を各トンネル状霧化室１７２
(i)に接続するトンネル状の通路１６３ａとすることで
ミストｍの加速性を高め、下部を噴出口１６２に接続す
るスリット状通路１６３ｂとすることでミストｍの均一
性を高めることができる。

【００８９】なお、上記第３の実施例において、各トン
ネル状霧化室１７２(i)から液体案内板２０４を省く構
成も可能であり、その場合は霧化室１７２(i)の空間を
より小さくすることができる。その他にも、上記第１〜
第３の各実施例に限定されることなく、２流体ジェット
ノズル１３４の各部の構成を種々変形することができ
る。たとえば、各バッファ室１６４，１６６の空間をノ
ズル長手方向において１個または数個の隔壁で複数の空
間に分割し、各分割空間毎に用力を供給する構成とする
ことも可能である。また、液体通路１７６を液体バッフ
ァ室１６６の底部または底部に近い側部に設けてもよ
く、その場合はバッファ室１６６内に古い洗浄液が滞留
する可能性を低減できる。

【００９０】上記した実施形態では、搬送ローラ１１２
を水平方向に敷設してなるコロ搬送型の搬送路１１４を
構成した。このようなコロ搬送型の搬送路では、各対向
する一対の搬送ローラ１１２，１１２の中間位置にも基
板搬送用のローラを取り付けてもよい。また、一定の間
隔を空けて一対のベルトを水平方向に敷設してなるベル
ト搬送型の搬送路も可能であり、さらには適当な治具に
よって基板を水平方向に搬送する方式も可能である。

【００９１】搬送路の途中で、たとえばブロー洗浄処理
部Ｍ3内で基板Ｇを傾斜状態で停止または搬送すること
も可能である。その場合、上記実施形態における２流体
ジェットノズル１３４，１３５も基板の傾斜に合せて傾
斜状態に切り換える構成とすることができる。

【００９２】また、本発明の２流体ジェットノズルに用
いる気体や洗浄液は、上記実施形態のエア、純水に限定
されるわけではなく、各種のガスや洗浄用薬液等も使用
可能である。たとえば、気体に二酸化炭素を用いてもよ
く、その場合は基板の静電気の発生を低減できる。ま
た、気体としてオゾンを用いた場合は基板洗浄能力をさ
らに向上できる。また、不活性ガスたとえば窒素を用い
てもよいことはいうまでもなく、たとえば複数の気体の
うちの少なくとも２種を混合して用いてもよい。この場
合、各々の気体に対応するガス供給管１６８をそれぞれ
設けてガスバッファ室１６４内で混合して用いてもよい
し、ガス供給管１６８の途中に図示しない混合部を設け
てこの混合部で生成した混合気体をガスバッファ室１６
４に供給してもよい。たとえば、窒素またはエアを主と
してこれに二酸化炭素やオゾンを混合させることによ
り、二酸化炭素やオゾンの使用量を抑制しつつ静電気の
発生を低減したり基板洗浄能力を高めることができる。

【００９３】本発明における被処理基板はＬＣＤ基板に
限るものではなく、ブロー洗浄を必要とする任意の被処
理基板が含まれる。

【００９４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の２流体ジ
ェットノズルまたは基板洗浄装置によれば、機構・取付
の簡易化、省スペース化および使用用力の節減を図り、
かつ洗浄品質を向上させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の２流体ジェットノズルおよび基板洗浄
装置の適用可能な塗布現像処理システムの構成を示す平
面図である。

【図２】上記塗布現像処理システムにおける熱的処理部
の構成を示す側面図である。

【図３】上記塗布現像処理システムにおける処理の手順
を示すフローチャートである。

【図４】一実施形態におけるスクラバ洗浄ユニットの全
体構成を示す正面図である。

【図５】実施形態における２流体ジェットノズルの外観
を示す斜視図である。

【図６】実施形態の第１の実施例による２流体ジェット
ノズルの内部構造を示す横断面図である。

【図７】実施形態における用力供給部の構成を示す略断
面図である。

【図８】実施形態の第２の実施例による２流体ジェット
ノズルの内部構造を示す横断面図である。

【図９】実施形態の第２の実施例による２流体ジェット
ノズルのガス通路および液体通路の配置構成を示す図で
ある。

【図１０】実施形態の第３の実施例による２流体ジェッ
トノズルの内部構造を示す横断面図である。

【符号の説明】

１０塗布現像処理システム１６（Ｐ／Ｓ）プロセスステーション２４洗浄プロセス部４２スクラバ洗浄ユニット１１２搬送ローラ１１４搬送路Ｍ3 ブロー洗浄処理部１３４，１３５２流体ジェットノズル１６０ノズル本体１６２噴出口１６３ミスト通路１６４ガスバッファ室１６６液体バッファ室１６８ガス供給管１７０ガス通路１７２霧化部１７４洗浄液供給管１７６液体通路１８０ガス供給部１８２洗浄液供給部２０４液体案内板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考） // Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３Ｂ６４３ＣＦターム(参考） 2H088 FA17 FA21 FA24 FA30 HA01 MA20 3B201 AA01 AB14 BA02 BA03 BB22 BB38 BB82 BB90 BB92 BB99 BC01 CC01 CC12 4F033 AA04 BA01 BA02 BA04 CA02 DA01 EA01 NA01 QA09 QB02Y QB15X QC02 QD04 QD14 QE08 QE21 4F042 AA10 DA01

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】長尺状に横長のノズル本体と、前記ノズル本体の先端部にてノズル長手方向に延在する
スリット状の噴出口と、前記ノズル本体内で前記噴出口の内奥と連通する霧化部
と、前記ノズル本体内でノズル長手方向に延在し、加圧され
た気体を導入していったん蓄積してから第１の通路を介
して前記霧化部へ送る第１のバッファ室と、前記ノズル本体内でノズル長手方向に延在し、加圧され
た洗浄液を導入していったん蓄積してから第２の通路を
介して前記霧化部へ送る第２のバッファ室とを有し、前記霧化部で前記気体と前記洗浄液とを混合して前記洗
浄液を霧化し、前記洗浄液のミストを前記噴出口より噴
出する２流体ジェットノズル。
【請求項２】前記第１および第２の通路の少なくとも
一方がノズル長手方向にスリット状に形成される請求項
１に記載の２流体ジェットノズル。
【請求項３】前記第１および第２の通路の少なくとも
一方がノズル長手方向に配列される多数のトンネル状通
路を含む請求項１に記載の２流体ジェットノズル。
【請求項４】前記霧化部がノズル長手方向に連続する
１つの室で形成される請求項１〜３のいずれかに記載の
２流体ジェットノズル。
【請求項５】前記霧化部がノズル長手方向に配列され
る多数の霧化室で形成される請求項１〜３のいずれかに
記載の２流体ジェットノズル。
【請求項６】前記霧化室内に、前記第２の通路からの
洗浄液をスパイラル状に案内して前記第１の通路からの
気体と衝突・混合させる洗浄液案内手段を有する請求項
５に記載の２流体ジェットノズル。
【請求項７】前記第１の通路から前記霧化部に前記気
体の流入する方向と前記噴出口より前記洗浄液のミスト
が噴出する方向とがほぼ一致する請求項１〜６のいずれ
かに記載の２流体ジェットノズル。
【請求項８】被処理基板をほぼ水平な姿勢で水平方向
に搬送する搬送路と、前記搬送路上の前記基板の上面または下面に対して搬送
方向と直交する水平方向で前記基板の一端から他端まで
前記洗浄液のミストをライン状に吹き付ける請求項１〜
７のいずれかに記載の２流体ジェットノズルとを有する
基板洗浄装置。