JP4527660B2 - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents
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Description
Po ウェハの中心
Sf IPA液の供給位置
Sn 窒素ガスの供給位置
W ウェハ
1 基板処理装置
3 スピンチャック
5 ノズル
12 流体ノズル
13 不活性ガスノズル
16 制御コンピュータ
Claims (36)
- 基板を処理流体によって処理する工程と,
基板の上面に前記処理流体よりも揮発性が高い第一の流体を供給して液膜を形成する工程と,
基板を回転させながら,基板の上面に前記処理流体よりも揮発性が高い第二の流体を供給する工程と,を有し,
前記液膜を形成する工程において,前記液膜は,前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態となっており,
前記第二の流体を供給する工程において,前記第二の流体の供給位置は,前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を前記第二の流体で押し流して除去するように,基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする,基板処理方法。 - 前記処理流体によって処理する工程の前に,基板を薬液によって処理する薬液処理工程を有することを特徴とする,請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記薬液処理工程が行われることにより,前記薬液処理工程の前よりも基板の疎水性が強められることを特徴とする,請求項2に記載の基板処理方法。
- 前記液膜を形成する工程において,基板を回転させながら,前記第一の流体の供給位置を基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させることにより,前記液膜を形成することを特徴とする,請求項1〜3のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記液膜を形成する工程における基板に対する前記第一の流体の供給位置の移動速度は,前記第二の流体を供給する工程における基板に対する前記第二の流体の供給位置の移動速度より速くすることを特徴とする,請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記液膜を形成する工程における基板の回転数は,前記第二の流体を供給する工程における基板の回転数より低いことを特徴とする,請求項1〜5のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記第二の流体を供給する工程において,基板に乾燥用ガスを供給し,
前記乾燥用ガスの供給位置は,前記第二の流体の供給位置よりも基板の中心側において,基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする,請求項1〜6のいずれかに記載の基板処理方法。 - 前記第二の流体を供給する工程において,前記乾燥用ガスの供給位置は,前記基板の中心部と前記第二の流体の供給位置との間に配置されることを特徴とする,請求項7に記載の基板処理方法。
- 前記第二の流体を供給する工程において,前記乾燥用ガスの供給位置は,前記第二の流体の供給位置の基板に対する相対的な回転方向において,前記第二の流体の供給位置よりも後方に隣接させて配置されることを特徴とする,請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記移動方向に対して直交する方向における前記乾燥用ガスの吐出幅は,前記第二の流体の吐出幅よりも大きいことを特徴とする,請求項8に記載の基板処理方法。
- 前記乾燥用ガスは不活性ガスであることを特徴とする,請求項7〜10のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記乾燥用ガスはドライエアーであることを特徴とする,請求項7〜10のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記乾燥用ガスを加熱して基板に供給することを特徴とする,請求項7〜12のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記第二の流体を供給する工程において,前記基板の上面近傍の雰囲気を吸引口に吸引させることを特徴とする,請求項1〜13のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記吸引口は,前記第二の流体の供給位置よりも基板の周縁部側において,基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする,請求項14に記載の基板処理方法。
- 前記吸引口は,前記第二の流体の供給位置の基板に対する相対的な回転方向において,前記第二の流体の供給位置よりも後方に配置されながら,基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられることを特徴とする,請求項14又は15に記載の基板処理方法。
- 少なくとも前記液膜を形成する工程,及び/又は,前記第二の流体を供給する工程において,前記基板の周囲の湿度を減少させることを特徴とする,請求項1〜16のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記処理流体は純水であることを特徴とする,請求項1〜17のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記第一の流体及び/又は第二の流体は,IPA液,IPAを含む溶液,IPA液のミスト,IPAを含む溶液のミスト,IPA液の蒸気,又は,IPAを含む溶液の蒸気であることを特徴とする,請求項1〜18のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記第一の流体と前記第二の流体は同一のものであることを特徴とする,請求項1〜19のいずれかに記載の基板処理方法。
- 前記第二の流体を加熱して基板に供給することを特徴とする,請求項1〜20のいずれかに記載の基板処理方法。
- 基板処理装置の制御コンピュータによって実行することが可能なソフトウェアが記録された記録媒体であって,
前記ソフトウェアは,前記制御コンピュータによって実行されることにより,前記基板処理装置に,請求項1〜21のいずれかに記載の基板処理方法を行わせるものであることを特徴とする,記録媒体。 - 基板を処理する装置であって,
基板を回転させるスピンチャックを備え,
基板に処理流体を供給する処理流体ノズルと,前記処理流体よりも揮発性が高い第一の流体を基板に供給する第一の流体ノズルと,前記処理流体よりも揮発性が高い第二の流体を基板に供給する第二の流体ノズルとを備え,
前記スピンチャックによって基板を回転させながら,前記処理流体を供給することにより,前記基板の上面を前記処理流体で処理する制御と,
前記スピンチャックによって基板を回転させながら,前記第一の流体を供給することにより,前記基板の上面に前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を形成する制御と,前記スピンチャックによって基板を回転させながら,前記処理流体が前記第一の流体中に取り込まれた状態の液膜を前記第二の流体で押し流して除去するように,前記第二の流体ノズルを前記基板の略中心側から周縁部側に向かって前記基板と相対的に移動させながら,前記第二の流体を供給する制御と,を行う制御コンピュータを備えたことを特徴とする,基板処理装置。 - 基板に乾燥用ガスを供給する乾燥用ガスノズルを備え,
前記制御コンピュータは,基板に前記第二の流体を供給しながら,前記第二の流体の供給位置より基板の略中心側に,前記乾燥用ガスノズルから前記乾燥用ガスを供給させる制御を行なうことを特徴とする,請求項23に記載の基板処理装置。 - 基板に対する前記第二の流体ノズルの移動方向に対して直交する方向において,前記乾燥用ガスノズルの供給口の幅は,前記第二の流体ノズルの供給口の幅よりも大きいことを特徴とする,請求項24に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥用ガスは不活性ガスであることを特徴とする,請求項24又は25に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥用ガスはドライエアーであることを特徴とする,請求項24又は25に記載の基板処理装置。
- 前記乾燥用ガスを加熱する乾燥用ガス温度調節部を備えることを特徴とする,請求項24〜27のいずれかに記載の基板処理装置。
- 基板の近傍の雰囲気を吸引する吸引口を備え,
前記吸引口は,前記第二の流体の供給位置よりも基板の周縁部側において,基板の略中心側から周縁部側に向かって基板と相対的に移動させられる構成としたことを特徴とする,請求項23〜28のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記吸引口は,基板の回転方向において前記第二の流体の供給位置より後方に配置させられたことを特徴とする,請求項29に記載の基板処理装置。
- 前記スピンチャックに支持された基板の周囲の湿度を調節する湿度調節機構を備えたことを特徴とする,請求項23〜30のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第一の流体ノズルと前記第二の流体ノズルは同一のノズルであることを特徴とする,請求項23〜31のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第一の流体と第二の流体は,同一のものであることを特徴とする,請求項23〜32のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理流体は純水であることを特徴とする,請求項23〜33のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第一の流体及び/又は第二の流体は,IPA液,IPAを含む溶液,IPA液のミスト,IPAを含む溶液のミスト,IPAの蒸気,又は,IPAを含む溶液の蒸気であることを特徴とする,請求項23〜34のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記第二の流体を加熱する流体温度調節部を備えることを特徴とする,請求項23〜35のいずれかに記載の基板処理装置。
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