JP6017922B2 - 基板乾燥方法、液処理システムおよび記憶媒体 - Google Patents
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以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板乾燥方法、液処理システムおよび記憶媒体の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
次に、本実施形態に係る基板洗浄装置5の構成および動作について具体的に説明する。図2は、基板洗浄装置5の構成を示す模式図である。なお、図2では、基板洗浄装置5の特徴を説明するために必要な構成要素のみを示しており、一般的な構成要素についての記載を省略している。
5 基板洗浄装置
6 制御装置
10 チャンバ
20 基板保持部
21 回転保持機構
22 第2供給部
30 第1供給部
31a〜31c ノズル
40 回収カップ
41 排液口
42 排気口
50 気流形成ユニット
100 液処理システム
Claims (15)
- 基板の表面を処理液で液処理した後、基板の表面に揮発性流体を供給して基板表面に液膜を形成する揮発性流体供給工程と、
前記基板を回転させて、前記基板における前記揮発性流体から露出した露出部を前記基板の中心から周縁部に向けて広げることによって、前記基板の表面を前記揮発性流体から露出させる露出工程と、
前記露出工程に先立って開始され、前記露出工程において前記露出部が前記基板の周縁部に到達する前までの期間において前記基板の裏面に加熱流体を供給することによって前記露出部の結露を防止する加熱流体供給工程と
を含むことを特徴とする基板乾燥方法。 - 前記露出工程は、
前記基板を回転させつつ前記揮発性流体の供給位置を前記基板の中心から周縁部に向けて移動させることによって、前記基板の表面を前記揮発性流体から露出させること
を特徴とする請求項1に記載の基板乾燥方法。 - 前記加熱流体は、
露点温度として予め決められた温度を超える温度に加熱された流体であること
を特徴とする請求項1または2に記載の基板乾燥方法。 - 前記加熱流体は、
加熱された純水であること
を特徴とする請求項1〜3のいずれか一つに記載の基板乾燥方法。 - 前記加熱流体供給工程後、前記基板の裏面に気体を供給する気体供給工程
を含むことを特徴とする請求項4に記載の基板乾燥方法。 - 前記加熱流体供給工程は、
少なくとも、露点温度として予め決められた温度を超える温度まで前記基板の温度を上昇させるのに要する時間分だけ前記露出工程よりも前に開始されること
を特徴とする請求項1〜5のいずれか一つに記載の基板乾燥方法。 - 前記揮発性流体供給工程に先立って、前記基板の表面に純水を供給して、前記基板に残存する残留物を前記純水で洗い流すリンス工程
をさらに含むことを特徴とする請求項1〜6のいずれか一つに記載の基板乾燥方法。 - 基板に処理液を供給して液処理を行う液処理装置と、
前記液処理装置を制御する制御部と
を備え、
前記液処理装置は、
前記基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部によって保持された基板の表面に揮発性流体を供給する第1供給部と、
前記基板保持部によって保持された基板の裏面に加熱流体を供給する第2供給部と、
前記基板保持部によって保持された基板を回転させる回転機構と
を備え、
前記制御部は、
前記基板の表面を処理液で液処理した後、前記第1供給部から前記基板の表面に前記揮発性流体を供給して基板表面に液膜を形成する揮発性流体供給処理、前記基板を回転させて、前記基板における前記揮発性流体から露出した露出部を前記基板の中心から周縁部に向けて広げることによって、前記基板の表面を前記揮発性流体から露出させる露出処理、および、前記露出処理に先立って開始され、前記露出処理において前記露出部が前記基板の周縁部に到達する前までの期間において前記基板の裏面に前記第2供給部から前記加熱流体を供給することによって前記露出部の結露を防止する加熱流体供給処理を前記液処理装置に行わせること
を特徴とする液処理システム。 - 前記液処理装置は、
前記基板保持部によって保持された基板を回転させる回転機構と、
前記第1供給部を移動させる移動機構と
をさらに備え、
前記制御部は、
前記回転機構を用いて前記基板を回転させつつ、前記移動機構を用いて前記揮発性流体の供給位置を前記基板の中心から周縁部に向けて移動させる処理を前記露出処理として前記液処理装置に行わせること
を特徴とする請求項8に記載の液処理システム。 - 前記加熱流体は、
露点温度として予め決められた温度を超える温度に加熱された流体であること
を特徴とする請求項8または9に記載の液処理システム。 - 前記加熱流体は、
加熱された純水であること
を特徴とする請求項8〜10のいずれか一つに記載の液処理システム。 - 前記液処理装置は、
前記基板保持部によって保持された基板の裏面に気体を供給する気体供給部
を備え、
前記制御部は、
前記加熱流体供給処理後、前記気体供給部から前記基板の裏面に前記気体を供給する気体供給処理を前記液処理装置に行わせること
を特徴とする請求項11に記載の液処理システム。 - 前記制御部は、
少なくとも、露点温度として予め決められた温度を超える温度まで前記基板の温度を上昇させるのに要する時間分だけ前記露出処理よりも前に前記加熱流体供給処理を開始させること
を特徴とする請求項8〜12のいずれか一つに記載の液処理システム。 - 前記液処理装置は、
前記基板の表面に純水を供給する第3供給部
をさらに備え、
前記制御部は、
前記揮発性流体供給処理に先立って、前記第3供給部から前記基板の表面に純水を供給して、前記基板に付着する残留物を前記純水で洗い流すリンス処理を前記液処理装置に行わせること
を特徴とする請求項8〜13のいずれか一つに記載の液処理システム。 - コンピュータ上で動作し、液処理装置を制御するプログラムが記憶されたコンピュータ読取可能な記憶媒体であって、
前記プログラムは、実行時に、請求項1〜7のいずれか一つに記載の基板乾燥方法が行われるように、コンピュータに前記液処理装置を制御させること
を特徴とする記憶媒体。
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