JP7143465B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents
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Description
回転する前記基板に前記処理液よりも揮発性が高い第1乾燥液を供給して液膜を形成した後に、前記基板上における前記基板の回転中心から前記第1乾燥液の供給位置までの距離が次第に大きくなるように前記第1乾燥液の前記供給位置を移動させ、これによって乾燥領域を同心円状に拡げてゆきながら前記基板を乾燥させる乾燥工程と、を備え、前記乾燥工程は、前記第1乾燥液を前記基板に供給しながら、前記処理液よりも揮発性が高い第2乾燥液を前記基板に供給することおよび乾燥ガスを前記基板に供給することを含み、このとき、平面視で前記基板上における前記第1乾燥液の供給位置と前記第2乾燥液の供給位置とが互いに異なり、前記基板上における前記乾燥ガスの供給位置は前記乾燥領域内にあり、前記乾燥工程において、前記第1乾燥液は第1乾燥液ノズル移動機構により移動させられる第1乾燥液ノズルから供給され、前記第2乾燥液は第2乾燥液ノズル移動機構により移動させられる第2乾燥液ノズルから供給され、前記乾燥ガスはガスノズル移動機構により移動させられるガスノズルから供給され、前記第1乾燥液ノズル、前記第2乾燥液ノズルおよび前記ガスノズルは、前記基板の回転中心から離れるように互いに別々の方向に移動する、基板処理方法が提供される。
そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
乾燥ガスとして、他の不活性ガス例えばアルゴンガスを用いることもできる。
次に、第1ノズルアーム46により、薬液ノズル41がウエハWの中心部の真上の位置に移動する。また、基板保持機構30の駆動部33により、ウエハWを保持した保持部31が回転駆動され、これによりウエハWが鉛直軸線周りに回転する。この状態で、薬液供給機構71により薬液ノズル41に供給されたDHFが、薬液ノズル41からウエハWの表面の中心部に供給される。供給されたDHFは、ウエハWの表面を遠心力により周縁部に向かって広がりながら流れ、これによりウエハWの表面にDHFの液膜が形成された状態でウエハWに薬液処理が施される。ウエハWは、後述の乾燥工程が完了するまでの間、継続的に回転させられる。
薬液処理を所定時間行った後、薬液ノズル41からのDHF液の供給を停止し、これとほぼ同時に、リンス液供給機構72によりリンスノズル42に供給されたDIWが、リンスノズル42からウエハWの表面の中心部に供給される。供給されたDIWは、ウエハWの表面を遠心力により周縁部に向かって広がりながら流れ、これによりウエハWの表面にDIWの液膜が形成された状態でウエハWにリンス処理が施される。
次に、乾燥工程について説明する。なお、今後の説明の便宜のため、図4に示すように、第1及び第2乾燥液ノズル43,44から吐出されたIPAのウエハW表面への着液点P1,P2(これはこれらのノズルの吐出口の軸線とウエハW表面との交点と実質的に一致する)の位置、またはこれら着液点P1,P2のウエハWの回転中心Oからの距離R1,R2を、第1及び第2乾燥液ノズル43,44の位置を示す指標として用いることもある。また、ガスノズル45から吐出されるガスの主流が衝突するウエハWの表面上の位置であるガス衝突点Pg(これはガスノズル45の吐出口の軸線とウエハWの表面との交点と実質的に一致する)、またはガス衝突点PgのウエハWの回転中心Oからの距離Rgを、ガスノズル45の位置を示す指標として用いることとする。
4 制御装置
31 基板保持部(保持部)
33 回転機構(駆動部)
42 処理液ノズル(リンスノズル)
43 第1乾燥液ノズル
44 第2乾燥液ノズル
45 ガスノズル
72 処理液供給機構(リンス液供給機構)
73 第1乾燥液供給機構
74 第2乾燥液供給機構
75 ガス供給機構
46~48,46A~48A ノズル移動機構(ノズルアーム、昇降回転機構)
P1 第1乾燥液の供給位置(着液点)
P2 第2乾燥液の供給位置(着液点)
O 基板の回転中心
R1 OからP1までの距離
R2 OからP2までの距離
DC 乾燥領域(乾燥コア)
Claims (12)
- 基板を処理液によって処理する処理工程と、
回転する前記基板に前記処理液よりも揮発性が高い第1乾燥液を供給して液膜を形成した後に、前記基板上における前記基板の回転中心から前記第1乾燥液の供給位置までの距離が次第に大きくなるように前記第1乾燥液の前記供給位置を移動させ、これによって乾燥領域を同心円状に拡げてゆきながら前記基板を乾燥させる乾燥工程と、
を備え、
前記乾燥工程は、前記第1乾燥液を前記基板に供給しながら、前記処理液よりも揮発性が高い第2乾燥液を前記基板に供給することおよび乾燥ガスを前記基板に供給することを含み、このとき、平面視で前記基板上における前記第1乾燥液の供給位置と前記第2乾燥液の供給位置とが互いに異なり、前記基板上における前記乾燥ガスの供給位置は前記乾燥領域内にあり、
前記乾燥工程において、前記第1乾燥液は第1乾燥液ノズル移動機構により移動させられる第1乾燥液ノズルから供給され、前記第2乾燥液は第2乾燥液ノズル移動機構により移動させられる第2乾燥液ノズルから供給され、前記乾燥ガスはガスノズル移動機構により移動させられるガスノズルから供給され、前記第1乾燥液ノズル、前記第2乾燥液ノズルおよび前記ガスノズルは、前記基板の回転中心から離れるように互いに別々の方向に移動し、
前記乾燥工程において、前記基板上における前記基板の回転中心から前記第2乾燥液の供給位置までの距離が前記基板の回転中心から前記第1乾燥液の供給位置までの距離よりも大きく、かつ、前記基板上における前記基板の回転中心から前記第1乾燥液の供給位置までの距離が前記基板の回転中心から前記乾燥ガスの供給位置までの距離よりも大きいという条件が維持されるように前記第1乾燥液、前記第2乾燥液および前記乾燥ガスの供給位置を移動させる、基板処理方法。 - 前記乾燥工程において、前記基板上における前記基板の回転中心から前記第2乾燥液の供給位置までの距離と、前記基板の回転中心から前記第1乾燥液の供給位置までの距離との差が変化する、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記乾燥工程において、前記基板上における前記基板の回転中心から前記第2乾燥液の供給位置までの距離と、前記基板の回転中心から前記第1乾燥液の供給位置までの距離との差が一定である、請求項1記載の基板処理方法。
- 前記乾燥工程において、前記乾燥ガスが前記乾燥領域とその外側の非乾燥領域との間の界面の近傍に向けて供給されるよう、前記乾燥ガスの供給位置を移動させてゆく、請求項1から3のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1乾燥液と前記第2乾燥液は同じ成分を有する液である、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1乾燥液及び前記第2乾燥液はIPA(イソプロピルアルコール)である、請求項5記載の基板処理方法。
- 前記第1乾燥液と前記第2乾燥液は異なる成分を有する液である、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1乾燥液を前記基板に供給しながら前記第2乾燥液を前記基板に供給するときにおける前記第1乾燥液の温度は、前記第2乾燥液の温度よりも高い、請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1乾燥液を前記基板に供給しながら前記第2乾燥液を前記基板に供給するときにおける前記第2乾燥液の流量は、前記第1乾燥液の流量よりも大きい、請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記基板上における前記基板の回転中心から前記第1乾燥液の供給位置までの距離が大きくなるに伴い前記第1乾燥液の流量を大きくする、請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1乾燥液を前記基板に供給しながら前記第2乾燥液を前記基板に供給するときにおいて、前記第1乾燥液の温度は前記第2乾燥液の温度よりも高く、前記第2乾燥液の流量は前記第1乾燥液の流量よりも大きい、請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板処理装置であって、
基板を水平に保持するための基板保持部と、
前記基板保持部を鉛直軸周りに回転させるための回転機構と、
前記基板保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液ノズルと、
前記基板を乾燥させるための第1乾燥液を供給する第1乾燥液ノズルと、
前記基板を乾燥させるための第2乾燥液を供給する第2乾燥液ノズルと、
前記基板を乾燥させるための乾燥ガスを供給するガスノズルと、
前記第1乾燥液ノズルに前記第1乾燥液を供給する第1乾燥液供給機構と、
前記第2乾燥液ノズルに前記第2乾燥液を供給する第2乾燥液供給機構と、
前記ガスノズルに前記乾燥ガスを供給するガス供給機構と、
平面視で前記第1乾燥液ノズルが第1方向に基板の中心から離れてゆくように、前記第1乾燥液ノズルを水平方向に移動させることができるように構成された第1乾燥液ノズル移動機構と、
平面視で前記第2乾燥液ノズルが前記第1方向とは異なる第2方向に基板の中心から離れてゆくように、前記第2乾燥液ノズルを水平方向に移動させることができるように構成された第2乾燥液ノズル移動機構と、
平面視で前記ガスノズルが前記第1方向および第2方向とは異なる第3方向に基板の中心から離れてゆくように、前記ガスノズルを水平方向に移動させることができるように構成されたガスノズル移動機構と、
前記第1乾燥液供給機構、前記第2乾燥液供給機構、前記ガス供給機構、前記第1乾燥液ノズル移動機構、前記第2乾燥液ノズル移動機構および前記ガスノズル移動機構を制御して、請求項1から11のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させる制御部と、
を備えた基板処理装置。
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JP2021041788A JP7143465B2 (ja) | 2021-03-15 | 2021-03-15 | 基板処理装置および基板処理方法 |
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JP2007036180A (ja) | 2005-06-23 | 2007-02-08 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2016082223A (ja) | 2014-10-17 | 2016-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
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