JP2016082223A - 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 425
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 270
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 94
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 117
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 36
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 31
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 165
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 50
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 36
- 239000008155 medical solution Substances 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 34
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 14
- 239000012190 activator Substances 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 6
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 claims 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 claims 1
- -1 silicon organic compound Chemical class 0.000 abstract description 5
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 39
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 19
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-trimethylsilylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C)(C)C KAHVZNKZQFSBFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000006870 function Effects 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N N-(trimethylsilyl)diethylamine Chemical compound CCN(CC)[Si](C)(C)C JOOMLFKONHCLCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000001476 alcoholic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N propylene glycol methyl ether acetate Chemical compound COCC(C)OC(C)=O LLHKCFNBLRBOGN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
Abstract
【課題】液処理後の基板を良好に乾燥させることができる基板液処理装置（基板液処理方法）を提供する。【解決手段】本発明では、基板（３）に純水を供給する純水供給部（リンス液供給部（２２））と、前記基板に純水よりも揮発性の高い乾燥液を供給する乾燥液供給部（２３）とを有する基板液処理装置（１）を用い、前記乾燥液供給部（２３）から前記揮発性の高い乾燥液の一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を前記基板（３）に供給することにした。【選択図】図２
Description
本発明は、液処理後の基板を乾燥液を用いて乾燥させる基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に関するものである。
従来、半導体部品やフラットパネルディスプレイなどを製造する際には、半導体ウエハや液晶基板などの基板に対して洗浄やエッチングなどの各種の液処理を施すために基板液処理装置を用いる。
基板液処理装置では、基板に洗浄液やエッチング液などの処理液を供給して基板の液処理を行った後に、基板にリンス液（たとえば、純水）を供給して基板のリンス処理を行う。その後、基板からリンス液を除去することで基板の乾燥処理を行う。この乾燥処理においては、基板（特に回路パターンやレジストパターンなどのパターン間）に残留するリンス液の表面張力の作用で、基板に形成したパターンが倒壊するおそれがある。
そのため、従来においては、リンス液よりも表面張力が小さい乾燥液でリンス液を置換し、その後、基板から乾燥液を除去することで基板の乾燥処理を行っている（たとえば、特許文献１参照。）。乾燥液としては、主にＩＰＡ（イソプロピルアルコール）等のアルコール系有機化合物が用いられている。
ところが、基板に形成される回路パターンやレジストパターンなどのパターンの微細化に伴って、従来のＩＰＡ等のアルコール系有機化合物を乾燥液として用いて乾燥処理してもパターンが倒壊してしまうおそれがある。
そのため、微細化されたパターンの倒壊を引き起こさずに基板を良好に乾燥させることができる基板液処理装置の開発が望まれている。
そこで、本発明では、基板液処理装置において、基板に純水を供給する純水供給部と、前記基板に純水よりも揮発性の高い乾燥液を供給する乾燥液供給部とを有し、前記乾燥液供給部は、前記揮発性の高い乾燥液の一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を前記基板に供給することにした。
また、前記乾燥液供給部は、シリコン系有機化合物からなる第１薬液を供給する第１薬液供給部と、その他の有機化合物からなる第２薬液を供給する第２薬液供給部とを有し、前記第１薬液と第２薬液との混合液を前記基板に供給することにした。
また、前記乾燥液供給部は、前記混合液を供給した後に、前記第２薬液供給部から前記第１薬液を含まない第２薬液を供給することにした。
また、前記乾燥液供給部は、前記混合液を供給する前に、前記第２薬液供給部から前記第１薬液を含まない第２薬液を供給することにした。
また、前記乾燥液供給部は、前記第１薬液供給部と第２薬液供給部から第１及び第２薬液を同時に供給することにした。
また、前記乾燥液供給部は、前記第１薬液と第２薬液とを予め混合した混合液を供給することを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の基板液処理装置。
また、本発明では、基板液処理方法において、基板に純水を供給する純水供給工程と、その後、前記基板に前記純水よりも揮発性の高い乾燥液を供給する工程を含み、前記基板を乾燥処理する乾燥工程とを有し、前記乾燥工程は、前記基板に乾燥液を供給する乾燥液供給工程と、基板から乾燥液を除去する乾燥液除去工程からなり、乾燥液供給工程において、前記揮発性の高い乾燥液の一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を供給する工程を含むことにした。
また、前記乾燥液は、シリコン系有機化合物からなる第１薬液と、その他の有機化合物からなる第２薬液と、からなる混合液であって、前記乾燥液供給工程は、前記混合液を供給する混合液供給工程を含むことにした。
また、前記混合液供給工程の後に、前記第１薬液を含まない前記第２薬液を供給する後処理工程を含むことにした。
また、前記混合液供給工程の前に、前記第１薬液を含まない前記第２薬液を供給する前処理工程を含むことにした。
また、前記第１及び第２薬液を同時に供給することにした。
また、前記第１薬液と第２薬液とを予め混合した混合液を供給することにした。
また、前記第１薬液と第２薬液との混合液を供給する際に前記第１薬液と第２薬液との混合比率を段階的又は連続的に変更することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の基板液処理方法。
また、前記第１薬液と第２薬液との混合液を供給する際に前記第１薬液に対する活性剤を添加することにした。
また、前記第２薬液としてＩＰＡを用い、前記前処理工程と前記混合液供給工程との間にペグミアを前記基板に供給する工程を有することにした。
また、本発明では、基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記基板に乾燥液を供給する乾燥液供給部とを有する基板液処理装置を用いて前記基板を処理させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、前記乾燥液供給部に、少なくともその一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を前記基板に供給させることにした。
本発明では、微細化されたパターンの倒壊を引き起こさずに液処理後の基板を良好に乾燥させることができる。
以下に、本発明に係る基板液処理装置及び基板液処理方法の具体的な構成について図面を参照しながら説明する。
図１に示すように、基板液処理装置１は、前端部に搬入出部２を形成する。搬入出部２には、複数枚（たとえば、25枚）の基板３（ここでは、半導体ウエハ）を収容したキャリア４が搬入及び搬出され、左右に並べて載置される。
また、基板液処理装置１は、搬入出部２の後部に搬送部５を形成する。搬送部５は、前側に基板搬送装置６を配置するとともに、後側に基板受渡台７を配置する。この搬送部５では、搬入出部２に載置されたいずれかのキャリア４と基板受渡台７との間で基板搬送装置６を用いて基板３を搬送する。
さらに、基板液処理装置１は、搬送部５の後部に処理部８を形成する。処理部８は、中央に前後に伸延する基板搬送装置９を配置するとともに、基板搬送装置９の左右両側に基板３を液処理するための基板液処理ユニット10を前後に並べて配置する。この処理部８では、基板受渡台７と基板液処理ユニット10との間で基板搬送装置９を用いて基板３を搬送し、基板液処理ユニット10を用いて基板３の液処理を行う。
基板液処理ユニット10は、図２に示すように、基板保持部11と液供給部12と液回収部13とを有し、これらを制御部14で制御している。ここで、基板保持部11は、基板３を保持しながら回転させる。液供給部12は、基板３に各種の液体を供給する。液回収部13は、基板３に供給された各種の液体を回収する。制御部14は、基板液処理ユニット10だけでなく基板液処理装置１の全体を制御する。
基板保持部11は、処理室15の内部略中央に上下に伸延させた回転軸16を回転自在に設けている。回転軸16の上端には、円板状のターンテーブル17が水平に取付けられている。ターンテーブル17の外周端縁には、複数個の基板保持体18が円周方向に等間隔をあけて取付けられている。
また、基板保持部11は、回転軸16に基板回転機構19と基板昇降機構20を接続している。これらの基板回転機構19及び基板昇降機構20は、制御部14で回転制御や昇降制御される。
この基板保持部11は、ターンテーブル17の基板保持体18で基板３を水平に保持する。また、基板保持部11は、基板回転機構19を駆動させることでターンテーブル17に保持した基板３を回転させる。さらに、基板保持部11は、基板昇降機構20を駆動させることでターンテーブル17や基板３を昇降させる。
液供給部12は、処理液供給部21とリンス液供給部22と乾燥液供給部23とで構成する。ここで、処理液供給部21は、基板３に処理液（ここでは、洗浄用の薬液）を供給する。リンス液供給部22は、処理液で液処理した基板３にリンス液（ここでは、純水）を供給する。そのため、リンス液供給部22は、本発明の純水供給部として機能する。乾燥液供給部23は、リンス液でリンス処理した基板３に乾燥液（ここでは、シリコン系有機化合物とアルコール系有機化合物を含む薬液）を供給する。
液供給部12は、処理室15に左右に水平に伸延させたガイドレール24を設けている。ガイドレール24には、前後に水平に伸延させたアーム25が左右移動自在に設けられている。アーム25には、ノズル移動機構43が接続されている。このノズル移動機構43は、制御部14で移動制御される。また、アーム25には、処理液供給ノズル26、リンス液供給ノズル27、乾燥液供給ノズル28が鉛直下向きに取付けられている。なお、本実施形態では、１個のアーム25に全てのノズル26,27,28を取付けているが、これに限られず、それぞれのノズル26,27,28又はそれらの組み合わせを別個のアームに取付けてもよい。また、リンス液供給ノズル27と乾燥液供給ノズル28は、共用のノズルとして、同じノズルからリンス液と乾燥液の供給を連続的に行えるようにしてもよい。これにより、リンス液から乾燥液への切り替え時に基板３の表面が露出して雰囲気（周囲の気体）と接触させにくくすることができる。
処理液供給部21は、処理液供給ノズル26に処理液供給源29を配管及び流量調整器30を介して接続している。流量調整器30は、制御部14で流量制御される。
リンス液供給部22は、リンス液供給ノズル27にリンス液供給源31を配管及び流量調整器32を介して接続している。流量調整器32は、制御部14で流量制御される。
乾燥液供給部23は、シリコン系有機化合物からなる第１薬液（ここでは、ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシリルジメチルアミン））を供給する第１薬液供給部33と、その他の有機化合物（ここでは、アルコール系有機化合物）からなる第２薬液（ここでは、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール））を供給する第２薬液供給部34とを有する。
第１薬液供給部33は、乾燥液供給ノズル28に第１薬液を供給する第１薬液供給源35を配管及び流量調整器36を介して接続している。また、第２薬液供給部34は、乾燥液供給ノズル28に第２薬液を供給する第２薬液供給源37を配管及び流量調整器38を介して接続している。流量調整器36,38は、制御部14で流量制御される。
乾燥液供給部23は、第１薬液供給部33から供給される第１薬液と第２薬液供給部34から供給される第２薬液とを１個の乾燥液供給ノズル28の内部で混合し、混合した乾燥液を基板３に供給する。第１薬液と第２薬液との混合部は、乾燥液供給ノズル28の内部でもよく、また、乾燥液供給ノズル28に接続される配管の内部でもよい。なお、予め第１薬液と第２薬液とを図示しないタンク内で所定の比率で混合した乾燥液を基板３に供給するように構成してもよく、また、第１薬液と第２薬液とをそれぞれ別個のノズルから基板３に供給して基板３の表面（上面）で第１薬液と第２薬液とを混合させてもよい。また、乾燥液として、第１薬液と第２薬液とを本基板液処理装置１の内部で混合したものを用いる場合に限られず、第１薬液と第２薬液とを本基板液処理装置１の外部で混合したものを用いてもよい。
液回収部13は、ターンテーブル17の周囲に円環状の回収カップ39を配置している。回収カップ39の上端部には、ターンテーブル17（基板３）よりも一回り大きいサイズの開口を形成している。また、回収カップ39の下端部には、ドレイン40を接続している。
この液回収部13は、基板３の表面に供給された処理液やリンス液や乾燥液を回収カップ39で回収し、ドレイン40から外部へと排出する。なお、ドレイン40は、液体の回収だけでなく、処理室15の内部の気体（雰囲気）をも回収する。これにより、処理室15の上部に設けられたＦＦＵ（Fan Filter Unit）41から供給される清浄空気を処理室15の内部でダウンフローさせる。ＦＦＵ41は、ＣＤＡ（Clean Dry Air）を清浄空気と切り替えて供給することができるようになっており、ＣＤＡを供給する際は、ＣＤＡを処理室15の内部でダウンフローさせる。
基板液処理装置１は、以上に説明したように構成しており、制御部14（コンピュータ）に設けた記憶媒体42に記憶された各種のプログラムにしたがって制御部14で制御され、基板３の処理を行う。ここで、記憶媒体42は、各種の設定データやプログラムを格納しており、ＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のもので構成される。
そして、基板液処理装置１は、記憶媒体41に記憶された基板液処理プログラムにしたがって以下に説明するように基板３に対して処理を行う（図３参照。）。
まず、基板液処理装置１は、基板搬送装置９によって搬送される基板３を基板液処理ユニット10で受け取る（基板受取工程）。
この基板受取工程では、制御部14は、基板昇降機構20によってターンテーブル17を所定位置まで上昇させる。そして、基板搬送装置９から処理室15の内部に搬送された１枚の基板３を基板保持体18で水平に保持した状態で受取る。その後、基板昇降機構20によってターンテーブル17を所定位置まで降下させる。なお、基板受取工程では、アーム25（処理液供給ノズル26、リンス液供給ノズル27、乾燥液供給ノズル28）をターンテーブル17の外周よりも外方の待機位置に退避させておく。
次に、基板液処理装置１は、基板３の表面に処理液を供給して基板３の液処理を行う（液処理工程）。
この液処理工程では、図４に示すように、制御部14は、ノズル移動機構43によってアーム25を移動させて処理液供給ノズル26を基板３の中心部上方の吐出位置に配置する。また、基板回転機構19によって所定の回転速度でターンテーブル17を回転させることで基板３を回転させる。その後、流量調整器30によって所定流量に流量調整された処理液を処理液供給ノズル26から基板３の表面（上面）に向けて吐出させる。これにより、基板３の表面が処理液で液処理される。基板３に供給された処理液は、回転する基板３の遠心力で基板３の外周外方へ振り切られ、回収カップ39で回収されてドレイン40から外部に排出される。処理液を所定時間供給した後に、流量調整器30によって処理液の吐出を停止させる。その際に、ＦＦＵ41から供給される気体は処理液の種類によって清浄空気又はＣＤＡが選択される。
次に、基板液処理装置１は、基板３の表面にリンス液を供給して基板３のリンス処理を行う（リンス処理工程）。
このリンス処理工程では、図５に示すように、制御部14は、基板回転機構19によって所定の回転速度でターンテーブル17を回転させることで基板３を回転させ続けた状態で、ノズル移動機構43によってアーム25を移動させてリンス液供給ノズル27を基板３の中心部上方の吐出位置に配置する。その後、流量調整器32によって所定流量に流量調整されたリンス液をリンス液供給ノズル27から基板３の表面に向けて吐出させる。これにより、基板３の表面がリンス液でリンス処理される。基板３に供給されたリンス液は、回転する基板３の遠心力で基板３の外周外方へ振り切られ、回収カップ39で回収されてドレイン40から外部に排出される。リンス液を所定時間供給した後に、流量調整器32によってリンス液の吐出を停止させる。
次に、基板液処理装置１は、基板３の表面を乾燥させる乾燥処理を行う（乾燥処理工程）。この乾燥処理工程は、基板３に乾燥液を供給する乾燥液供給工程と、基板３に供給された乾燥液を基板３から除去する乾燥液除去工程とで構成する。
乾燥液供給工程では、図６に示すように、制御部14は、基板回転機構19によって所定の回転速度でターンテーブル17を回転させることで基板３を回転させ続けた状態で、ノズル移動機構43によってアーム25を移動させて乾燥液供給ノズル28を基板３の中心部上方の吐出位置に配置する。その後、流量調整器36,38によって所定流量に流量調整された第１薬液と第２薬液を同時に乾燥液供給ノズル28に供給し、乾燥液供給ノズル28の内部で第１薬液と第２薬液とを混合させて乾燥液を生成し、その乾燥液を乾燥液供給ノズル28から基板３の表面に向けて吐出させる。基板３に供給された乾燥液は、回転する基板３の遠心力で基板３の外周外方へ振り切られ、回収カップ39で回収されてドレイン40から外部に排出される。乾燥液を所定時間供給した後に、流量調整器36,38によって乾燥液（第１薬液及び第２薬液）の吐出を停止させる。
乾燥液除去工程では、制御部14は、基板回転機構19によって所定の回転速度でターンテーブル17を回転させることで基板３を回転させ続ける。これにより、回転する基板３の遠心力の作用で基板３の表面に残留する乾燥液が基板３の外方に振切られ、基板３の表面から乾燥液が除去され、基板３の表面が乾燥される。なお、乾燥液除去工程では、アーム25（処理液供給ノズル26、リンス液供給ノズル27、乾燥液供給ノズル28）を移動させてターンテーブル17の外周よりも外方の待機位置に退避させておく。乾燥液供給工程及び乾燥液除去工程では、ＦＦＵ41から供給される気体としてＣＤＡが選択されることが好ましい。また、乾燥液除去工程では、基板３の表面に窒素ガス等の不活性ガスを供給して、乾燥液の除去を促進させるようにしてもよい。
最後に、基板液処理装置１は、基板３を基板液処理ユニット10から基板搬送装置９へ受け渡す（基板受渡工程）。
この基板受渡工程では、制御部14は、基板昇降機構20によってターンテーブル17を所定位置まで上昇させる。そして、ターンテーブル17で保持した基板３を基板搬送装置９に受け渡す。その後、基板昇降機構20によってターンテーブル17を所定位置まで降下させる。
以上に説明したようにして、上記基板液処理装置１（基板液処理装置１で実行する基板液処理方法）では、処理液で液処理した基板３をリンス液でリンス処理し、その後、基板３上のリンス液を乾燥液に置換した後に、乾燥液を基板３から除去することで基板３の乾燥処理を行う。
そして、上記基板液処理装置１では、乾燥処理工程の乾燥液供給工程において、第１薬液としてシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を用いている。従来のアルコール系有機化合物からなる乾燥液を用いた場合では、リンス液である純水を乾燥液に十分に置換することができず、基板３の表面にリンス液である純水が残留することがあった。この結果、乾燥処理工程において、微細化されたパターンでは、残留するリンス液の表面張力によって、倒壊してしまうおそれがあった。本実施の形態では、乾燥液を供給する工程に少なくともその一部に、アルコール系有機化合物とシリコン系有機化合物とを同時に供給することで、リンス液である純水と容易に置換することができ、アルコール系有機化合物に取り込むことができなかった純水を分解することができた。この結果、微細化されたパターンの倒壊を引き起こさずに液処理後の基板３を良好に乾燥させることができた。つまり、リンス液である純水と混和性能は不足しているが純水を分解する能力を持つ第１薬液であるシリコン系有機化合物と、リンス液である純水と混和性能を持つ第２薬液とを混合して乾燥液として使用することで、パターンの倒壊を防止することができる。このシリコン系有機化合物としては、上記ＴＭＳＤＭＡ（トリメチルシリルジメチルアミン）に限られず、ＴＭＳＤＥＡ（トリメチルシリルジエチルアミン）やＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）やシランカップリング剤などを用いることができる。なお、第２薬液としては、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール）に限られず、他のアルコールやＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）等のエーテルなどの有機化合物を用いることができる。第１薬液と第２薬液とは反応性を有しないものを選択することが、各々の薬液の性質を維持しやすく、より望ましい。
また、上記基板液処理装置１では、乾燥処理工程の乾燥液供給工程において、第１薬液と第２薬液とを同時に供給することで第１薬液と第２薬液との混合液を乾燥液として基板３に供給している（混合液供給工程）が、これに限られず、シリコン系有機化合物を含有する乾燥液であればよく、第１薬液（シリコン系有機化合物）を含有する純水よりも揮発性の高い乾燥液だけを乾燥液として基板３に供給してもよい（図７参照。）。
また、上記の基板液処理装置１では、第１薬液（シリコン系有機化合物）を基板３に供給する前に、第２薬液（シリコン系有機化合物を含まないアルコール系有機化合物等）を基板３に供給し（前処理工程。図８参照。）、基板３に残留するリンス液を第２薬液で置換する。その後、第１薬液と第２薬液との混合液を基板３に供給して（図６参照。）第２薬液を置換することもできる。本実施の形態によれば、まず基板３上の多くのリンス液を第２薬液（シリコン系有機化合物を含まないアルコール系有機化合物等）に置換した後に、混合液を基板３の供給することになるため、第１薬液（シリコン系有機化合物）が供給される際には、リンス液の残りが少なくなっている。これにより、基板３に残留するリンス液をシリコン系有機化合物を含有する乾燥液に良好に置換させることができる。また、第１薬液（シリコン系有機化合物）の供給量を少なくすることができる。第１薬液（シリコン系有機化合物）の供給量を少なくすることにより、第１薬液（シリコン系有機化合物）が乾燥した際に残る可能性が有る不純物を減少できる効果もある。
また、上記の基板液処理装置１では、シリコン系有機化合物を含む乾燥液（第１薬液と第２薬液との混合液）を基板３に供給した後に、第２薬液（シリコン系有機化合物を含まないアルコール系有機化合物等）を基板３に供給することもできる（後処理工程。図８参照。）。これにより、基板３をシリコン系有機化合物を含まない乾燥液で処理することになり、シリコン系有機化合物（第１薬液）に含まれる可能性が有る不純物を第２薬液（シリコン系有機化合物を含まないアルコール系有機化合物等）で基板３から良好に除去することができ、基板３にパーティクルが残存したりウォーターマークが生成されるのを防止することができる。
また、上記の基板液処理装置１では、第１薬液（シリコン系有機化合物）を基板３に供給する前に、第２薬液（シリコン系有機化合物を含まないアルコール系有機化合物等）を基板３に供給し（前処理工程。図８参照。）、基板３に残留するリンス液を第２薬液で置換する。その後、第１薬液と第２薬液との混合液を基板３に供給して（図６参照。）第２薬液を置換する。その後、第２薬液（シリコン系有機化合物を含まないアルコール系有機化合物等）を基板３に供給することもできる（後処理工程。図８参照。）。また、第１薬液と第２薬液との混合液を基板３に供給する期間中の少なくとも予め決められた時間、若しくは、第１薬液と第２薬液との混合液を基板３に供給する期間中の前後の予め決められた時間に、第１薬液だけを供給するようにしてもよい。
なお、上記前処理工程から混合液供給工程への移行時や混合液供給工程から後処理工程への移行時には、同一又は別のノズルから第１薬液と第２薬液との混合比率を段階的に変化させて基板３に供給してもよく、また、混合比率を徐々に連続的に変化させて基板３に供給してもよい。これにより、基板３の濡れ性が徐々に変化するために、濡れ性が急激に変化する時と比較して基板３の表面の外気への露出が防止しやすい。たとえば、供給開始時には第２薬液：第１薬液の混合比率は１：０であるが、時間の経過とともに第１薬液の供給量を増加させて第２薬液の供給量を減少させる。その後、予め決められた比率になったら決められた時間その比率で供給する。その後、段階的又は連続的に第２薬液の供給量を増加させるとともに第１薬液の供給量を減少させるようにしてもよい。第１薬液と第２薬液との混合比率は、シリコン系有機化合物（第１薬液）に含まれる可能性の有る不純物の発生を可能な限り防ぐことも考慮して決定するとよりよい。
また、上記の基板液処理装置１に活性剤を供給する機能を追加してもよい。たとえば、図９に示すように、乾燥液供給部23に活性剤を供給するための活性剤供給部43を接続する。活性剤供給部43は、乾燥液供給ノズル28に活性剤供給源44を配管及び流量調整器45を介して接続している。そして、第１薬液と第２薬液との混合液の供給時等に活性剤を添加して基板３に供給する。これにより、シリコン系有機化合物（第１薬液）と純水との反応を活性化させることができる。
さらに、上記基板液処理装置１にペグミア（ＰＧＭＥＡ）を供給する機能を追加してもよい。たとえば、図１０に示すように、乾燥液供給部23にペグミアを供給するためのペグミア供給部46を接続する。ペグミア供給部46は、乾燥液供給ノズル28にペグミア供給源47を配管及び流量調整器48を介して接続している。そして、リンス処理工程後に第２薬液としてＩＰＡを基板３に供給し、その後、ペグミア供給部46からペグミアを基板３に供給する。その後、第１薬液と第２薬液（ＩＰＡ）との混合液を供給する。ペグミアは、ＩＰＡと純水との混合液よりも比重が大きい。そのため、基板３にＩＰＡを供給した後にペグミアを供給することで、基板３の表面では、ペグミアが下側となり、ＩＰＡと純水との混合液が上側となる。これにより、基板３の表面から純水を除去することが容易となる。なお、第１薬液の供給時等にペグミアを希釈液として添加して基板３に供給するようにしてもよい。
本実施形態においては、洗浄処理後やエッチング処理後のリンス処理における乾燥について説明したが、これに限られず、純水を使用した基板液処理後の乾燥に本発明を適用することができる。
１ 基板液処理装置
21 処理液供給部
22 リンス液供給部
23 乾燥液供給部
33 第１薬液供給部
34 第２薬液供給部
21 処理液供給部
22 リンス液供給部
23 乾燥液供給部
33 第１薬液供給部
34 第２薬液供給部
Claims (16)
- 基板に純水を供給する純水供給部と、
前記基板に純水よりも揮発性の高い乾燥液を供給する乾燥液供給部と
を有し、
前記乾燥液供給部は、前記揮発性の高い乾燥液の一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を前記基板に供給することを特徴とする基板液処理装置。 - 前記乾燥液供給部は、シリコン系有機化合物からなる第１薬液を供給する第１薬液供給部と、その他の有機化合物からなる第２薬液を供給する第２薬液供給部とを有し、前記第１薬液と第２薬液との混合液を前記基板に供給することを特徴とする請求項１に記載の基板液処理装置。
- 前記乾燥液供給部は、前記混合液を供給した後に、前記第２薬液供給部から前記第１薬液を含まない第２薬液を供給することを特徴とする請求項２に記載の基板液処理装置。
- 前記乾燥液供給部は、前記混合液を供給する前に、前記第２薬液供給部から前記第１薬液を含まない第２薬液を供給することを特徴とする請求項２又は請求項３に記載の基板液処理装置。
- 前記乾燥液供給部は、前記第１薬液供給部と第２薬液供給部から第１及び第２薬液を同時に供給することを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 前記乾燥液供給部は、前記第１薬液と第２薬液とを予め混合した混合液を供給することを特徴とする請求項２〜請求項４のいずれかに記載の基板液処理装置。
- 基板に純水を供給する純水供給工程と、その後、前記基板に前記純水よりも揮発性の高い乾燥液を供給する工程を含み、前記基板を乾燥処理する乾燥工程と、
を有し、
前記乾燥工程は、前記基板に乾燥液を供給する乾燥液供給工程と、基板から乾燥液を除去する乾燥液除去工程からなり、
乾燥液供給工程において、前記揮発性の高い乾燥液の一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を供給する工程を含むことを特徴とする基板液処理方法。 - 前記乾燥液は、シリコン系有機化合物からなる第１薬液と、その他の有機化合物からなる第２薬液と、からなる混合液であって、
前記乾燥液供給工程は、前記混合液を供給する混合液供給工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の基板液処理方法。 - 前記混合液供給工程の後に、前記第１薬液を含まない前記第２薬液を供給する後処理工程を含むことを特徴とする請求項８に記載の基板液処理方法。
- 前記混合液供給工程の前に、前記第１薬液を含まない前記第２薬液を供給する前処理工程を含むことを特徴とする請求項８又は請求項９に記載の基板液処理方法。
- 前記第１及び第２薬液を同時に供給することを特徴とする請求項８〜請求項１０のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 前記第１薬液と第２薬液とを予め混合した混合液を供給することを特徴とする請求項８〜請求項１０のいずれかに記載の基板液処理方法。
- 前記第１薬液と第２薬液との混合液を供給する際に前記第１薬液と第２薬液との混合比率を段階的又は連続的に変更することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の基板液処理方法。
- 前記第１薬液と第２薬液との混合液を供給する際に前記第１薬液に対する活性剤を添加することを特徴とする請求項９又は請求項１０に記載の基板液処理方法。
- 前記第２薬液としてＩＰＡを用い、前記前処理工程と前記混合液供給工程との間にペグミアを前記基板に供給する工程を有することを特徴とする請求項１０に記載の基板液処理方法。
- 基板に処理液を供給する処理液供給部と、前記基板にリンス液を供給するリンス液供給部と、前記基板に乾燥液を供給する乾燥液供給部とを有する基板液処理装置を用いて前記基板を処理させる基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体において、
前記乾燥液供給部に、少なくともその一部にシリコン系有機化合物を含有する乾燥液を前記基板に供給させることを特徴とする基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US14/880,462 US10026629B2 (en) | 2014-10-17 | 2015-10-12 | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program |
| TW104133444A TWI697043B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-13 | 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體 |
| KR1020150143282A KR102434087B1 (ko) | 2014-10-17 | 2015-10-14 | 기판 액 처리 장치 및 기판 액 처리 방법 및 기판 액 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 |
| CN201510672501.9A CN105529288B (zh) | 2014-10-17 | 2015-10-16 | 基板液处理装置和基板液处理方法 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2014213012 | 2014-10-17 | ||
| JP2014213012 | 2014-10-17 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2016082223A true JP2016082223A (ja) | 2016-05-16 |
| JP6484144B2 JP6484144B2 (ja) | 2019-03-13 |
Family
ID=55959142
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2015167418A Active JP6484144B2 (ja) | 2014-10-17 | 2015-08-27 | 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6484144B2 (ja) |
| KR (1) | KR102434087B1 (ja) |
| TW (1) | TWI697043B (ja) |
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- 2015-08-27 JP JP2015167418A patent/JP6484144B2/ja active Active
- 2015-10-13 TW TW104133444A patent/TWI697043B/zh active
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| JP7143465B2 (ja) | 2021-03-15 | 2022-09-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6484144B2 (ja) | 2019-03-13 |
| TW201637086A (zh) | 2016-10-16 |
| KR20160045591A (ko) | 2016-04-27 |
| TWI697043B (zh) | 2020-06-21 |
| KR102434087B1 (ko) | 2022-08-18 |
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| WO2016063885A1 (ja) | 基板液処理方法及び基板液処理装置並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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