CN111613549A - 基片处理装置及基片处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基片处理装置及基片处理方法，该基片处理装置包括：能够保持基片的基片保持部；向由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的处理液供给部；药液供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的药液；纯净水供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的纯净水；低介电常数溶剂供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的低介电常数溶剂；和控制部，其控制所述药液供给部、所述纯净水供给部、所述低介电常数溶剂供给部，来调节所述处理液中所包含的所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂的比率。由此，能够调节形成于基片上的两个以上的膜的蚀刻选择比。

Description

基片处理装置及基片处理方法
技术领域
本公开涉及基片处理装置及基片处理方法。
背景技术
半导体器件的制造中，在基片上形成不同种类的多个膜。为了对这些多个膜赋予图案，而实施有湿法蚀刻。专利文献1中记载了，为了调节氮化硅膜(SiN)相对于热氧化硅膜(SiO2)的蚀刻选择性，而控制氢氟酸水溶液(DHF)的浓度和温度。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2004-179583号公报。
发明内容
发明所要解决的技术问题
本公开提供一种技术，能够调节形成于基片的多个膜的蚀刻选择比。
用于解决问题的技术方案
基片处理装置的一个实施方式包括：能够保持基片的基片保持部；向由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的处理液供给部；药液供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的药液；纯净水供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的纯净水；低介电常数溶剂供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的低介电常数溶剂；和控制部，其控制所述药液供给部、所述纯净水供给部、所述低介电常数溶剂供给部，来调节所述处理液中所包含的所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂的比率。
发明效果
根据本公开，能够调节形成于基片的多个膜的蚀刻选择比。
附图说明
图1是表示一个实施方式的基片处理装置的纵剖侧面图。
图2是将向处理单元供给处理液的处理液供给系统的结构的第一例与处理单元的概略结构一起表示的配管系统图。
图3是将向处理单元供给处理液的处理液供给系统的结构的第二例与处理单元的概略结构一起表示的配管系统图。
图4是将向处理单元供给处理液的处理液供给系统的结构的第三例与处理单元的概略结构一起表示的配管系统图。
图5是表示形成于晶片上的膜的一例的剖视图。
图6是表示液处理的顺序的一例的说明图。
符号说明
W 基片(晶片)
4 控制部(控制装置)
16S 基片保持部
30A、30B、30C 处理液供给部(处理液供给系统)
41 药液供给部
42 纯净水供给部
43 低介电常数溶剂供给部。
具体实施方式
参照附图说明基片处理装置的一个实施方式。
图1是表示本实施方式的基片处理系统的概略结构的图。以下，为了使位置关系明确，限定相互正交的X轴、Y轴及Z轴，并将Z轴正方向设为铅垂向上方向。
如图1所示，基片处理系统1包括送入送出站2和处理站3。送入送出站2与处理站3相邻设置。
送入送出站2包括载体载置部11和输送部12。在载体载置部11载置多张基片，本实施方式中载置以水平状态收纳半导体晶片(以下，晶片W)的多个载体C。
输送部12与载体载置部11相邻设置，在内部具有基片输送装置13和转移部14。基片输送装置13具备保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置13可进行向水平方向及铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋回，使用晶片保持机构在载体C与转移部14之间进行晶片W的输送。
处理站3与输送部12相邻地设置。处理站3包括输送部15和多个处理单元16。多个处理单元16排列设置于输送部15的两侧。
输送部15在内部具有基片输送装置17。基片输送装置17包括保持晶片W的晶片保持机构。另外，基片输送装置17可进行向水平方向及铅垂方向的移动以及以铅垂轴为中心的旋回，使用晶片保持机构在转移部14与处理单元16之间进行晶片W的输送。
处理单元16对由基片输送装置17输送来的晶片W进行预定的基片处理。
另外，基片处理系统1包括控制装置4。控制装置4为例如计算机，包括控制部18和存储部19。存储部19中储存有用于控制基片处理系统1中执行的各种处理的程序。控制部18通过读出并执行存储于存储部19中的程序，来控制基片处理系统1的动作。
此外，上述的程序是记录于计算机可读取的存储介质中的程序，也可以是从该存储介质安装于控制装置4的存储部19的程序。作为计算机可读取的存储介质，例如具有硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
上述那样构成的基片处理系统1中，首先，送入送出站2的基片输送装置13从载置于载体载置部11的载体C取出晶片W，将取出的晶片W载置于转移部14。载置于转移部14的晶片W利用处理站3的基片输送装置17从转移部14取出，并被送入处理单元16。
被送入处理单元16的晶片W利用处理单元16处理后，利用基片输送装置17从处理单元16送出，并载置于转移部14。然后，载置于转移部14的处理完成的晶片W利用基片输送装置13返回至载体载置部11的载体C。
接着，参照图2～图4说明处理单元16的概略结构及向处理单元16供给处理液的处理液供给系统(处理液供给部)的实施方式。
如图2中概略地表示，处理单元16具有将晶片W以水平姿势保持且绕铅垂轴线旋转的基片保持部即旋转吸盘16S(基片保持旋转机构)。在旋转吸盘16S的周围设置有用于承接并回收被供给至晶片W后从晶片W飞溅的处理液的液体接收杯16C。旋转吸盘16S及液体接收杯16C收纳于图2中未图示的处理腔室(外壳)内。
图2所示的第一实施方式的处理液供给系统30A具有贮存处理液的罐31、从罐31流出并返回罐31的循环线路32。利用罐31及循环线路32，构成处理液循环的循环系统。循环线路32中依次设有温度调节器33、泵34及过滤器35。泵34用于形成从罐31流出且通过循环线路32并返回罐31的循环流。温度调节器33对通过该温度调节器33的处理液进行加热或冷却。过滤器35从通过该过滤器35的处理液除去微粒等的汚染物质。
在设定于循环线路32的连接区域36连接有一个或多个分支线路37。在各分支线路37的下游端设置有向晶片W排出处理液的喷嘴51。各分支线路37将在循环线路32中流通的处理液供给至对应的处理单元16。在各分支线路37设置有流量控制设备，因此，能够从喷嘴51以控制的流量将处理液供给至晶片W。图1中作为流量控制设备图示有开闭阀38及液体流量控制器39。液体流量控制器39能够通过例如利用流量计、电动气动调节器控制的气动阀的组合构成。流量控制设备的结构能够根据需要适当改变。
处理液供给系统30A在罐31中具有供给或补充处理液的构成成分的罐液供给部40A。
罐液供给部40A具有：向罐31供给作为处理液的构成成分的药液(例如稀释前的原液)的药液供给部41、向罐31供给作为处理液的构成成分的纯净水(DIW)的纯净水供给部42、向罐31供给作为处理液的构成成分的低介电常数溶剂供给部的低介电常数溶剂供给部43。
药液如果是通过与DIW混合而解离并生成蚀刻因素的药液，则是任意的，在本例中使用氢氟酸(HF)。
被称为“低介电常数溶剂”的术语以相对介电常数比DIW低的溶剂的意义使用，特别是附图中，为了简便也有时记载为LDCS(LowDielectric Constant Solvent，低介电常数溶剂)。作为低介电常数溶剂，如果是与DIW具有相溶性，且介电常数比DIW低的溶剂，则能够使用任意的溶剂。低介电常数溶剂的相对介电常数优选为DIW的相对介电常数的1/2以下。本例中，使用常温下的相对介电常数为DIW的相对介电常数的1/4程度的IPA(异丙醇)。
药液供给部41具有与药液供给源411连接的药液线路412(配管)和设于药液线路412的流量控制设备。图2中作为流量控制设备图示有开闭阀413及液体流量控制器414。
纯净水供给部42具有与纯净水供给源421连接的纯净水线路422(配管)和设于纯净水线路422的流量控制设备。图2中作为流量控制设备图示有开闭阀423及液体流量控制器424。
低介电常数溶剂供给部43具有与低介电常数溶剂供给源431连接的低介电常数溶剂线路432(配管)和设于低介电常数溶剂线路432的流量控制设备。图2中作为流量控制设备图示有开闭阀433及液体流量控制器434。
液体流量控制器414、424、434的结构也可以与上述的液体流量控制器39的结构相同。各供给部41、42、43的流量控制设备的结构能够根据需要适当改变。各供给源411、421、431可以是设置有基片处理装置的半导体器件制造工场的用例，也可以是设置于基片处理装置的罐等的液贮存部。此外，图2的实施方式中，处理液的构成成分在罐31内混合后被供给至处理单元16，因此，各供给部41、42、43的流量控制设备只要具有各液体的定量功能即可。
图2所示的第一实施方式中，纯净水线路422作为主线路设置，在设定于纯净水线路422上的第一汇合部(第一混合部)4221，药液线路412与纯净水线路422汇合。在纯净水线路422的设置于比第一汇合部4221靠下游侧的第二汇合部(第二混合部)4222，低介电常数溶剂线路432与纯净水线路422汇合。为了促进纯净水、药液和低介电常数溶剂的混合，在纯净水线路422中，也可以在例如第二汇合部4222或其下游侧部分设置流线混合器。
第一实施方式中，能够使用稳定的浓度(混合比)的处理液进行处理。
图3所示的第二实施方式的处理液供给系统30B中，仅罐液供给部40B不具有低介电常数溶剂供给部43，且低介电常数溶剂被供给至分支线路37的点与第一实施方式的处理液供给系统30A不同。图3中，对与图2所示的构成要素相同的构成要素标注相同的符号，并省略重复说明。
第二实施方式的处理液供给系统30B的低介电常数溶剂供给部43具有与低介电常数溶剂供给源431连接的低介电常数溶剂线路(主线路)432(配管)和从低介电常数溶剂线路432分支的多个分支线路(低介电常数溶剂分支线路)432b。在各分支线路432b设有流量控制设备(433、434)。在各分支线路37的设置于比流量控制设备(38、39)靠下游侧的汇合部371，与一个分支线路432b汇合。
第二实施方式中，罐液供给部40B将通过以控制了的混合比混合纯净水和药液而得到的稀释药液(本例中DHF(希氢氟酸))供给至罐31。稀释药液从循环线路32流入分支线路37。利用设置于分支线路37的流量控制设备(38、39)进行了流量控制的稀释药液与利用设置于分支线路432b的流量控制设备(433、434)进行了流量控制的低介电常数溶剂在汇合部(第二混合部)371混合，由此生成处理液。处理液从喷嘴51向晶片W排出。为了促进稀释药液与低介电常数溶剂的混合，也可以在各分支线路37的汇合部371或其下游侧部分设置流线混合器。
该第二实施方式中，容易灵活地调节处理液中的稀释药液含量。
图4所示的第三实施方式的处理液供给系统30C中，仅稀释药液(本例中DHF)和低介电常数溶剂利用不同的喷嘴(51、52)被供给至晶片W的表面的点与第二实施方式不同。图3中，对与图1及图2所示的构成要素相同的构成要素标注相同的符号，并省略重复说明。
第三实施方式中，分支线路(低介电常数溶剂分支线路)432b不与分支线路37汇合。在分支线路432b的前端设置有喷嘴52。也就是，该第三实施方式中，稀释药液从喷嘴51以控制的流量向晶片W排出，且低介电常数溶剂从喷嘴52以控制的流量向晶片W排出，稀释药液与低介电常数溶剂在晶片W的表面上混合，由此生成处理液。第三实施方式的罐液供给部与第二实施方式的罐液供给部40B相同。
该第三实施方式中，容易灵活地调节处理液中的稀释药液含量。另外，能够减少一连串的液处理(包含冲洗步骤、干燥步骤)中使用的喷嘴的数。
接着，说明作为使用图1～图4所记载的基片处理装置进行的液处理的、形成于晶片W上的膜的湿法蚀刻。液处理通过控制装置4控制基片处理装置1的各种可动作的构成要素(例如药液供给部、纯净水供给部、低介电常数溶剂供给部的流量控制设备、旋转吸盘等)而执行。
图5是表示形成于作为处理对象基片的晶片W上的层叠膜的结构的一例的概略剖视图。在下层101上形成有BPSG(Boron Phosphor Silicate Glass，硼磷硅玻璃)膜102及热氧化膜103。下层101为例如多晶硅膜或钨膜。BPSG膜102也可以为BSG(Boron SilicateGlass，硼硅玻璃)膜或PSG(Phosphor Silicate Glass，磷硅玻璃)膜。热氧化膜103也可以是通过CVD法形成的氧化膜。此外，也可以在层间设有SiN膜(未图示)。
通过干法蚀刻，形成沿着厚度方向贯通的层叠膜的深孔104。关于通过干法蚀刻形成的深孔的孔径，入口侧的孔径
Figure BDA0002385209980000074
较宽，进深侧的孔径
Figure BDA0002385209980000075
较小(参照图5中的(A))。关于深孔104的孔径，为了尽可能缩小孔径
Figure BDA0002385209980000076
与孔径
Figure BDA0002385209980000077
的差(参照图5中的(B))，进行作为蚀刻液使用了DHF(希氢氟酸)的湿法蚀刻。为了该目的，BPSG膜102的蚀刻速率需要比热氧化膜103的蚀刻速率高。
HF水溶液中的HF的平衡状态如下述。
Figure BDA0002385209980000071
Figure BDA0002385209980000072
Figure BDA0002385209980000073
HF2 －是热氧化膜及BPSG膜双方的蚀刻因素。非解离的HF为BPSG的蚀刻因素。因此，通过增加处理液中的非解离HF的量，能够提高BPSG膜102相对于热氧化膜103的蚀刻选择比(蚀刻选择比(BPSG/TEOS))。增加非解离HF的量时，只要增加DHF中的HF浓度即可，但该方法的BPSG膜102的蚀刻选择比的提高中存在瓶颈。
DIW那样的介电常数较高的(极化较大的)溶剂中，产生溶剂化，HF可取得F－或HF2 －等的离子状态。与之相对，低介电常数溶剂(极化较小的)溶剂中，未进行溶剂化，HF取得非解离的状态。本实施方式中，利用该现象，向HF或DHF添加低介电常数溶剂，由此增加非解离HF的量，提高BPSG膜102相对于热氧化膜103的蚀刻选择比。
此外，可以说在BPSG膜为PSG膜或BSG膜的情况下及热氧化膜为通过CVD法形成的氧化膜的情况下，均与上述的说明相同。
＜第一、第二实施方式的情况下的动作＞
以下，说明使用图2所示的第一实施方式的处理液供给系统30A或图3所示的第二实施方式的处理液供给系统30B对晶片W实施的一连串的液处理。
[基片送入步骤]
具有图5所记载的层叠膜结构的晶片W由基片输送装置17(参照图1)送入处理单元16内，并由旋转吸盘16S保持。
[药液处理步骤]
旋转吸盘16S使晶片W以预定的转速绕铅垂轴线旋转。晶片W的旋转继续至对晶片W的一连串的液处理结束。晶片W的转速可根据需要进行变化。
由未图示的喷嘴臂保持的喷嘴51位于晶片W的上方。从喷嘴51向旋转的晶片W的中心部排出以预定的混合比混合的由纯净水、药液及低介电常数溶剂构成的处理液(混合处理液)。利用处理液，对形成于晶片W上的膜进行蚀刻。
通过使用具有预先通过实验求得的适当的纯净水、药液和低介电常数溶剂的混合比的处理液，能够将BPSG膜102相对于热氧化膜103的蚀刻选择比调节成优选的值。由此，可进行作为目标的深孔104的孔径的均匀化。
[冲洗步骤]
将上述药液处理步骤执行预定的时间之后，停止来自喷嘴51的处理液的供给，并且从另一喷嘴54向晶片W供给冲洗液例如DIW。利用该冲洗液，来冲洗药液处理步骤中使用的处理液及反应生成物。为了简化附图，喷嘴54及向该喷嘴54供给DIW的另一纯净水供给部44仅显示于图2的最左侧的处理单元16。
[干燥步骤]
将上述冲洗步骤执行预定的时间之后，在使晶片W继续旋转的状态下(优选增加转速)停止来自喷嘴54的冲洗液，并进行晶片W的甩水。也可以在甩水干燥之前，进一步从另一喷嘴(与喷嘴54一样的喷嘴)向晶片W供给干燥用液体例如IPA，并将处于晶片W上的DIW置换成IPA。干燥方法不限定于此，也可以代替在将处于晶片W上的DIW置换成IPA后进行甩水干燥，而利用另一处理单元进行超临界干燥。
[基片送出步骤]
干燥步骤结束后，基片输送装置17从旋转吸盘16S接收晶片W，并向处理单元16外送出。
此外，如图2中概略地表示，上述的“另一喷嘴”(54等)连接于液供给源(冲洗液供给源、干燥用液体供给源等)，向该“另一喷嘴”以经由设有流量控制设备的液体线路而被控制的流量，供给液体(冲洗液、干燥用液体)。也可以不使用上述的“另一喷嘴”，而从喷嘴51供给冲洗液。在该情况下，与冲洗液供给源连接并且设有流量控制设备的冲洗液线路连接于分支线路37的流量控制设备(38、39)的下游侧(图2的实施方式的情况)或连接于汇合部371的下游侧(图3的实施方式的情况)。
＜第三实施方式的情况的动作＞
接着，说明使用图4所示的第三实施方式的处理液供给系统30C对晶片W实施的一连串的液处理。在该情况下，晶片W在从处理开始到处理结束的期间持续旋转。基片送入步骤、冲洗步骤、干燥步骤以及基片送出步骤与第一、第二实施方式的情况的动作相同，因此省略说明。此外，以下的说明中，作为预湿液体供给的DIW、及作为冲洗液供给的DIW从用于供给DHF的喷嘴51被供给。在该情况下，与纯净水供给源连接并且设有流量控制设备的纯净水线路连接于分支线路37的液体流量控制器39的下游侧。
[预湿步骤]
保持晶片W的旋转吸盘16S使晶片W以预定的转速(例如1000rpm程度)旋转。晶片W的转速在直到开始干燥步骤的期间一直维持为1000rpm程度(但是也可以改变)。
由未图示的喷嘴臂保持的喷嘴51位于晶片W的中心的正上方。从喷嘴51向晶片W的中心部供给DIW(例如排出流量为1500ml/min程度，供给6～7秒钟程度)，使晶片W的表面(包含图案的凹部的内表面)覆盖于DIW的液膜(参照图6中的(A))。
接着，使喷嘴51移动至稍微偏离晶片W的中心的正上方的位置，并且将由未图示的喷嘴臂保持的喷嘴52配置于稍微偏离晶片W的中心的正上方的位置。由此，使喷嘴51与喷嘴52的中间点位于大致晶片W的中心的正上方。使DIW从喷嘴51的排出流量减少至700ml/min程度，并且从喷嘴52向晶片W的中心部供给(例如排出流量为300ml/min程度)作为预湿液体的IPA(其也是低介电常数溶剂)。将该状态继续例如9～10秒钟程度，晶片W的表面覆盖于DIW与IPA的混合液体的液膜(参照图6中的(B))。
接着，使喷嘴52移动至晶片W的中心的正上方，并且使喷嘴51移动至进一步偏离晶片W的中心的正上方的位置。在该状态下，直到继续IPA从喷嘴52的排出为止，停止DIW从喷嘴51的排出。将该状态继续例如4～5秒钟程度，使晶片W的表面覆盖于IPA的液膜(参照图6中的(C))。由此，预湿步骤完成。
预湿步骤在促进干法蚀刻聚合物的除去上是有效的，该聚合物在形成深孔104的干法蚀刻时被形成且附着于深孔104的内表面。通过使IPA浸透于干法蚀刻聚合物与基底之间，能够利用下一步骤中使用的药液对每个基底高效地除去干法蚀刻聚合物。此外，也可以在上述的＜第一、第二实施方式的情况的动作＞的[药液处理步骤]之前执行上述的预湿步骤。
[药液处理步骤(第一药液处理步骤)]
接着，以喷嘴51与喷嘴52的中间点大致位于晶片W的中心的正上方的方式移动喷嘴51及喷嘴52。在该状态下，将来自喷嘴52的IPA排出流量减少至例如300ml/min程度，并且从喷嘴51向晶片W的中心部供给DHF(排出流量为例如700ml/min程度)。将该状态继续例如3秒钟程度，使晶片W的表面覆盖于DHF与IPA的混合液体的液膜(参照图6中的(D))。也就是该实施方式中，作为低介电常数溶剂的IPA被供给至晶片W之后与DHF混合，生成由纯净水、药液(HF)和低介电常数溶剂构成的处理液。来自喷嘴51的DHF的排出流量及来自喷嘴52的IPA排出流量被控制成能够成为预先通过实验求得的适当的纯净水、药液和低介电常数溶剂的混合比那样的值。
[药液处理步骤(第二药液处理步骤)]
接着，使喷嘴51移动至晶片W的中心的正上方，并且使喷嘴52移动至进一步偏离晶片W的中心的正上方的位置。在该状态下，继续维持DHF从喷嘴51的排出(排出流量为例如1500ml/min程度)，并停止IPA从喷嘴52的排出。将该状态继续例如3秒钟程度，使晶片W的表面覆盖于DHF的液膜(参照图6中的(E))。
上述第二药液处理步骤中，能够使热氧化膜103及BPSG膜102的蚀刻速率接近或大致相同。该第二药液处理步骤不限定于完全停止作为低介电常数溶剂的IPA从喷嘴52的排出。也可以通过改变DHF从喷嘴51的排出流量与IPA从喷嘴52的排出流量的比率，而改变热氧化膜103与BPSG膜102的蚀刻速率的比率。
[冲洗步骤]
使上述药液处理步骤执行预定的时间之后，停止DHF从喷嘴51的排出及IPA从喷嘴52的排出，并从位于晶片W的中心的正上方的喷嘴51排出DIW，由此能够进行冲洗处理(参照图6中的(A))。
冲洗处理的结束后，能够进行上述的干燥步骤及基片送出步骤。在干燥步骤时，在甩水干燥之前，执行图6中的(B)及(C)的顺序，由此，也可以将晶片W上的DIW置换成IPA。在该情况下，干燥步骤中使用的干燥用液体(与DIW相比，高挥发性及低表面张力的溶剂)和药液处理步骤中使用的低介电常数溶剂为相同的IPA，因此，能够减少设置于处理单元16的喷嘴及流量控制设备的数量。
根据上述的实施方式，通过调节低介电常数溶剂的含量，能够调节多个膜的蚀刻速率的比率。
上述的实施方式中，作为通过与纯净水混合而解离的药液(药液成分)使用了HF(氢氟酸)，作为抑制药液成分的解离的低介电常数溶剂使用了IPA，但不限定于此。上述的实施方式只要是药液成分的解离度可根据药液、纯净水和低介电常数溶剂的混合比改变，从而改变两种以上的蚀刻对象膜间的蚀刻选择比的方式，则药液及蚀刻对象膜也可以是任意的药液及蚀刻对象膜。包含于处理液中的药液不限定于上述实施方式那样仅为1种(仅为HF)的情况，也可以是包含多种药液成分的药液、例如SC1(作为药液成分包含氢氧化铵及过氧化氢)。
一个具体例中，处理液能够设为作为药液的49％HF、DIW(纯净水)、作为低介电常数溶剂的IPA的混合液。混合液中的HF﹕(DIW+IPA)的比率为1﹕100～1﹕1000，DIW﹕IPA的比率为0﹕1～1﹕2程度的范围内。利用这种混合液蚀刻的蚀刻对象膜不限定于上述的热氧化膜及BPSG膜。蚀刻对象膜只要是由包含BPSG膜的多个膜构成即可，另外，也可以代替热氧化膜，而是SiN(氮化硅)膜、多晶硅膜、钨膜。
作为低介电常数溶剂，能够使用介电常数比DIW低的溶剂。具体而言，作为低介电常数溶剂，除了IPA以外，也能够使用乙醇、甲醇、丙酮、乙二醇、丙二醇、环己烷、PGMA、PGMEA、乙酸、乙酸丁酯、叔戊醇等。
上述的实施方式中，处理对象的基片为半导体晶片，但不限定于此。基片也可以是玻璃基片、陶瓷基片等、半导体器件制造的领域中使用的任意种类的基片。
应认为此次公开的实施方式在所有的点上均为示例，而并不是限定的方式。上述的实施方式只要不脱离权利要求书及其主旨，也可以以各种形式进行省略、置换、变更。

Claims (8)

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：
能够保持基片的基片保持部；
向由所述基片保持部保持的所述基片供给处理液的处理液供给部；
药液供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的药液；
纯净水供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的纯净水；
低介电常数溶剂供给部，其向所述处理液供给部供给作为所述处理液的构成成分的低介电常数溶剂；和
控制部，其控制所述药液供给部、所述纯净水供给部、所述低介电常数溶剂供给部，来调节所述处理液中所包含的所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂的比率。
2.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部具有：
混合部，其将所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂混合而生成所述处理液；和
喷嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出由所述混合部生成的所述处理液。
3.根据权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于，
所述混合部包含：
第一混合部，其将从所述药液供给部供给的所述药液与从所述纯净水供给部供给的所述纯净水混合而生成纯净水稀释药液；和
第二混合部，其将所述第一混合部中生成的所述纯净水稀释药液与从所述低介电常数溶剂供给部供给的所述低介电常数溶剂混合而生成所述处理液，
所述喷嘴排出所述第二混合部中生成的所述处理液。
4.根据权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于，
所述处理液供给部具有：
混合部，其将所述药液与所述纯净水混合而生成纯净水稀释药液；
第一喷嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出由所述混合部生成的所述纯净水稀释药液；和
第二喷嘴，其向由所述基片保持部保持的所述基片排出从所述低介电常数溶剂供给部供给的所述低介电常数溶剂，
所述处理液通过使所述纯净水稀释药液与所述低介电常数溶剂在所述基片上混合而生成。
5.一种基片处理方法，其特征在于，包括：
向基片供给由药液、纯净水和低介电常数溶剂混合而成的处理液，来对形成于所述基片上的膜进行蚀刻的蚀刻步骤；和
在所述蚀刻步骤后，向所述基片供给冲洗液的冲洗步骤。
6.根据权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述蚀刻步骤中，将所述药液、所述纯净水和所述低介电常数溶剂混合之后作为所述处理液，从喷嘴向所述基片排出。
7.根据权利要求5所述的基片处理方法，其特征在于：
在所述蚀刻步骤中，将由所述药液和所述纯净水混合而生成的纯净水稀释药液和所述低介电常数溶剂经由不同的喷嘴向所述基片排出，使所述纯净水稀释药液和所述低介电常数溶剂在所述基片上混合而生成所述处理液。
8.根据权利要求5～7中任一项所述的基片处理方法，其特征在于：
通过调节所述处理液中的低介电常数溶剂的含量，来调节所述膜的蚀刻速率或所述膜相对于其它膜的蚀刻选择比。
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