TW201306151A - 液體處理方法、液體處理裝置及記憶媒體 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 225
- 238000000034 method Methods 0.000 title abstract description 16
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 119
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims abstract description 69
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical group CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 266
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 33
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 25
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims description 24
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 20
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 17
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims description 15
- 239000003814 drug Substances 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 1,2-Dimethylhydrazine Chemical compound CNNC DIIIISSCIXVANO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 4
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910017665 NH4HF2 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 2
- MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N Decylamine Chemical compound CCCCCCCCCCN MHZGKXUYDGKKIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 78
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 13
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 229940079593 drug Drugs 0.000 description 8
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 5
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 2
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000724291 Tobacco streak virus Species 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
- C11D7/5004—Organic solvents
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02046—Dry cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D2111/00—Cleaning compositions characterised by the objects to be cleaned; Cleaning compositions characterised by non-standard cleaning or washing processes
- C11D2111/10—Objects to be cleaned
- C11D2111/14—Hard surfaces
- C11D2111/22—Electronic devices, e.g. PCBs or semiconductors
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76898—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics formed through a semiconductor substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
本發明之目的在於：當藉由藥液來清洗基板表面上所形成凹部的內部時，使藥液迅速進入凹部的內部。本發明之液體處理方法包含：預濕步驟，對基板供給表面張力低於藥液的有機溶劑，以浸濕凹部的內部；以及藥液清洗步驟，在該預濕步驟之後，對基板供給由藥液所構成的清洗液，而以該藥液來替代凹部的內部之液體，以藉由該藥液來清洗該凹部的內部。
Description
本發明係關於一種當藉由藥液對半導體晶圓等基板之表面上所形成凹部的內部進行處理時，使藥液迅速進入凹部的內部之技術。
最近，有人提出了基於減少配線長度以謀求裝置的高速化之目的，而將半導體晶片在厚度方向上疊層複數個之技術(稱作3D-LSI等)。為了使疊層於厚度方向的半導體晶片互相電性連接，而形成將構成半導體晶片之矽晶圓於厚度方向貫通之貫通電極，並將其稱作TSV(Through-Si Via，矽穿孔)(例如參照專利文獻1)。
TSV的形成，包含：藉由乾蝕刻例如反應性離子蝕刻(RIE)在矽晶圓上形成有底之孔洞(例如直徑約10μm、深度約100μm的尺寸之孔洞)之蝕刻步驟；以及將導電體埋入該孔洞中之埋入步驟。在蝕刻步驟與埋入步驟之間，係因應需要來實施至少在孔洞的內面形成絕緣膜、阻障膜、種晶膜等薄膜之成膜步驟。若藉由乾蝕刻來進行孔洞形成，則在孔洞的內面會有聚合物等殘渣附著。該殘渣會對其後的埋入步驟以及其前段步驟的成膜步驟帶來不良影響，故必須將之完全除去。
為去除上述殘渣，而利用藥液進行清洗處理。TSV用的孔洞其寬高比(孔深/孔徑)非常之大，難以使藥液進入孔洞之深處。雖多費些時間便可使藥液進入孔洞之深處，但這會導致半導體裝置的生產力降低，故不宜為之。而且，用以除去殘渣的藥液，雖說蝕刻率較低，但視情形仍會將已形成於晶圓上的其他有用的膜(例如覆蓋晶圓表面全體之絕緣膜)蝕刻掉。從這點來看宜避免長時間
的藥液處理。此等問題不僅限於TSV的形成時，在具有細微的凹部(孔、溝等)、特別是細微且寬高比大(深度/徑長或寬度)的凹部之基板處理中，亦同樣存在。
[習知技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2010-103195號公報
本發明提供一種當藉由藥液來清洗基板表面上所形成凹部的內部時，使藥液迅速進入凹部的內部之技術。
本發明提供一種液體處理方法，藉著由藥液所構成的清洗液來清洗在基板表面上所形成的凹部之內部，並包含：預濕步驟，對該基板供給表面張力低於該藥液的有機溶劑，而以該有機溶劑浸濕該凹部的內部；以及藥液清洗步驟，在該預濕步驟之後，對該基板供給該藥液，而以該藥液來替代浸濕了該凹部的內部之液體，以藉由該藥液來清洗該凹部的內部。
又，本發明提供一種液體處理裝置，包含：基板固持部，固持基板；藥液噴嘴，噴吐由藥液所構成的清洗液；有機溶劑噴嘴，噴吐表面張力低於該藥液的有機溶劑；有機溶劑供給機構，對該有機溶劑噴嘴供給有機溶劑；藥液供給機構，對該藥液噴嘴供給藥液；以及控制部，控制該有機溶劑供給機構以及該藥液供給機構的動作，來實施對由該基板固持部所固持的該基板供給該有機溶劑之預濕步驟，以及其後對該基板供給該藥液之藥液清洗步驟。
進而，本發明提供一種記憶媒體，記錄可由構成液體處理裝置的控制部之電腦進行讀取之程式；該液體處理裝置包含：有機溶劑噴嘴，噴吐表面張力低於由藥液所構成的清洗液之有機溶劑；藥液噴嘴，噴吐藥液；有機溶劑供給機構，對該有機溶劑噴嘴供給該有機溶劑；以及藥液供給機構，對該藥液噴嘴供給該藥液；當該電腦執行該程式時，該控制部便控制該液體處理裝置，來執行對基板供給該有機溶劑以浸濕該凹部的內部之預濕步驟，以及其後對基板供給該藥液，而以該藥液來替代該凹部的內部之液體，以藉由該藥液來清洗該凹部的內部之藥液清洗步驟。
可直接將位於凹部的內部之有機溶劑替代為藥液。又，一但將凹部的內部之有機溶劑替代為別種液體之後，亦可將該別種液體替代為有機溶劑。
根據本發明，使更容易進入凹部的內部之低表面張力的有機溶劑先進入凹部，在液體位於凹部的內部之狀態下供給藥液來與該液體進行替代，因此相較於自一開始就供給了藥液之情形，能在短時間內以藥液填滿凹部的內部。
[用以實施發明之較佳形態]
以下參照圖式來說明較佳的實施形態。
首先，說明液體處理裝置的一實施形態即基板清洗裝置之構成。基板清洗裝置，具有旋轉夾頭10，概略地水平固持基板(本例中為半導體晶圓W)並予以旋轉。旋轉夾頭10包含：基板固持部14，由固持基板周緣部之複數的固持構件12使基板固持在水平姿態；以及旋轉驅動部16，旋轉驅動該基板固持部14。基板固持部
14的周圍設有接收自晶圓W飛散的處理液之杯體18。另，基板固持部14以及杯體18可相對地往上下方向移動，俾在未圖示之基板運送臂與基板固持部14之間進行晶圓W的傳遞。
基板清洗裝置更包含：藥液噴嘴20，用以對晶圓W供給由藥液所構成的清洗液；IPA噴嘴(有機溶劑噴嘴)22，對晶圓W供給作為有機溶劑的IPA(異丙醇)；以及DIW噴嘴24，對晶圓W供給DIW(純水)。藥液從藥液供給源(CHM)通過插設有流量調整閥20a與開閉閥20b之藥液管路20c供給至藥液噴嘴20。IPA從IPA供給源(IPA)通過插設有流量調整閥22a與開閉閥22b之IPA管路22c供給至IPA噴嘴22。DIW從DIW供給源(DIW)通過插設有流量調整閥24a與開閉閥24b之DIW管路24c供給至DIW噴嘴24。另，流量調整閥20a、開閉閥20b以及藥液管路20c構成藥液供給機構；流量調整閥22a、開閉閥22b以及IPA管路22c構成IPA供給機構(預濕液供給機構)；流量調整閥24a、開閉閥24b以及DIW管路24c構成DIW供給機構。
藥液噴嘴20、IPA噴嘴22以及DIW噴嘴24係由噴嘴移動機構50所驅動。噴嘴移動機構50包含：導軌51；驅動機構內建型的移動體52，可沿著導軌51移動；以及噴嘴臂53，其基端安裝在移動體52，並且將藥液噴嘴20、IPA噴嘴22以及DIW噴嘴24固持在其前端上。噴嘴移動機構50，可使藥液噴嘴20、IPA噴嘴22以及DIW噴嘴24，於固持在基板固持部14的晶圓W的中心之正上方位置與晶圓W的周緣之正上方位置之間移動；又，可使藥液噴嘴20、IPA噴嘴22以及DIW噴嘴24在以俯視觀之時移動至杯體18外側的待機位置。
基板清洗裝置，具有統一控制其整體動作之控制部100。控制部100，控制濕蝕刻裝置的所有功能部件(例如旋轉驅動部16，閥20a、20b、22a、22b、24a、24b、噴嘴移動機構50等)之動作。控
制部100，可由例如：在硬體上有泛用電腦，以及在軟體上有用以使該電腦動作之程式(裝置控制程式以及處理程序等)所實現。軟體，係儲存於固定裝設在電腦中的硬碟驅動等之記憶媒體中；或儲存於CDROM、DVD、快閃記憶體等可裝卸地安裝在電腦上的記憶媒體。此種記憶媒體係以參照符號101顯示。處理器102，係因應需要而依據來自未圖示的使用者之指示等，將既定的處理程序從記憶媒體101中叫出並執行之，藉以在控制部100的控制之下，使基板清洗裝置的各功能部件動作來進行既定的處理。
另，所圖示之旋轉夾頭10的基板固持部14，係藉由可動的固持構件12來把持晶圓W的周緣部之機械夾頭類型，但並不限於此，亦可為真空吸附晶圓W的背面中央部之所謂真空夾頭類型。又，所圖示之噴嘴移動機構50，雖為使噴嘴並行移動之所謂線性動作類型，但亦可為將噴嘴固持在繞鉛直軸周圍旋轉的臂部的前端之所謂擺臂類型。又，圖示例中，3個噴嘴20、22、24雖由共通的臂部所固持，但亦可分別固持在各別的臂部上而獨立移動。
其次，說明使用上述基板清洗裝置所進行的基板清洗處理之一連串步驟。另，以下所說明之一連串步驟，乃是控制部100控制基板清洗裝置的各功能構件藉以執行之，俾實現記憶於記憶媒體102的處理程序中所定義之各種製程參數。
首先，說明基板清洗處理的第1實施形態。在本例中成為處理對象的晶圓W，係用以說明後述實驗結果之圖3、圖4的照片所示般、由乾蝕刻而於其表面側形成有TSV用的孔洞(例如直徑約9μm、深度約100μm之孔洞)之矽晶圓。另，光阻膜已由乾製程即灰化所除去。此晶圓W的孔洞之內表面，附著有當使用SF6氣體+HBr氣體以作為蝕刻氣體來對矽(Si)進行乾蝕刻時所產生的聚合物。為了除去該聚合物，則使用無機類清洗液作為藥液，在本例中使用DHF(稀氫氟酸)。
首先，藉由未圖示的運送臂，將上述狀態的晶圓W移入基板清洗裝置，固持在旋轉夾頭10的基板固持部14。
[預濕步驟(第1預濕步驟)]
使IPA噴嘴22位於晶圓W中心的正上方，使晶圓W以既定轉速例如200~2000rpm旋轉，自IPA噴嘴22以既定流量例如10~500ml/min的流量在既定時間例如30~180sec內噴吐常溫的IPA以作為預濕液。供給至晶圓W中心的IPA因離心力而擴散，使晶圓W表面整體均勻地浸濕。在此，IPA對於晶圓W表面的張力約為21.7dyne/cm(21.7×10-3N/m)之小，故容易進入又細又深的孔洞之底部，來填滿該孔洞的內部，並且使該孔洞的所有內表面浸濕。
[DIW替代步驟(第2預濕步驟)]
其次，使DIW噴嘴24位於晶圓W中心的正上方，使晶圓W以既定轉速例如100~2000rpm旋轉，自DIW噴嘴24以既定流量例如300~1500ml/min的流量在既定時間例如30~180sec內噴吐DIW。因此，位於晶圓W表面(上面)的IPA由DIW所移除。又，DIW(水)與IPA互相充分混合，故亦將孔洞內的IPA替代為DIW。另，亦可交互進行複數次預濕步驟(第1預濕步驟)與DIW替代步驟(第2預濕步驟)。
[藥液清洗步驟]
其次，使藥液噴嘴20位於晶圓W中心的正上方，使晶圓W以既定轉速例如200~2000rpm旋轉，自藥液噴嘴20以既定流量例如10~500ml/min的流量在既定時間例如30~900sec內噴吐無機類清洗液(本例中為DHF)。因此，位於晶圓W表面(上面)的DIW由無機類清洗液所移除。又，水溶液即無機類清洗液與水互相充分混合，故亦將孔洞內的DIW替代為無機類清洗液。而藉由所替代
的無機類清洗液，將附著在孔洞的內表面之聚合物除去。
[沖洗步驟]
其次，使DIW噴嘴24位於晶圓W中心的正上方，使晶圓W以既定轉速例如200~1500rpm旋轉，自DIW噴嘴24以既定流量例如500~1500L(公升)/min的流量在既定時間例如30~180sec內噴吐DIW。因此，位於晶圓W表面以及孔洞內的無機類清洗液由DIW所洗去。
[乾燥用IPA替代步驟]
其次，使IPA噴嘴22位於晶圓W中心的正上方，使晶圓W以既定轉速例如200~2000rpm旋轉，自IPA噴嘴22以既定流量例如10~100L/min的流量在既定時間例如30~120sec內噴吐IPA。因此，將位於晶圓W的表面以及孔洞內的DIW替代為IPA。
[旋轉乾燥步驟]
其次，停止從IPA噴嘴22噴吐IPA，令晶圓W的旋轉速度為既定轉速例如200~2000rpm，在既定時間例如10~60sec內進行甩乾。IPA的揮發性高，故不僅是晶圓W表面亦可輕易地使孔內乾燥。此時，為了促進乾燥，亦可對晶圓W吹送N2氣體、乾空氣。此時設有用以吹送N2氣體或乾空氣之噴嘴(未圖示)。
上述一連串的步驟結束之後，藉由未圖示的運送臂，將晶圓W從基板清洗裝置中移出。
首先，說明基板清洗處理的第2實施形態。在本例中成為處理對象的晶圓W，係與第1實施形態同樣由乾蝕刻而形成有TSV用的孔洞之矽晶圓，但於孔洞的內表面，不同於第1實施形態，附著有適合利用有機類清洗液加以清洗之聚合物(例如CF類聚合物)。另，有機類清洗液，可使用二甲亞碸、由可與二甲亞碸混合
的有機溶劑所構成者。可與二甲亞碸混合的有機溶劑，可使用：選自N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基四氫咪唑酮所構成的群組中的至少一種。
首先，藉由未圖示的運送臂，將上述狀態的晶圓W移入基板清洗裝置，固持在旋轉夾頭10的基板固持部14。
[預濕步驟]
其次，以與第1實施形態的預濕步驟(第1預濕步驟)相同之順序，將IPA供給至晶圓W，以IPA填滿孔洞的內部並且使該孔洞的所有內表面浸濕。
[藥液清洗步驟]
其次，不進行DIW替代步驟(第2預濕步驟)，而是進行藥液清洗步驟。藥液清洗步驟能以與第1實施形態的藥液清洗步驟相同之順序來進行。將前述有機類清洗液供給至晶圓W，因此，位於晶圓W表面(上面)的IPA由藥液所移除。又，有機類清洗液與IPA互相充分混合，故亦將孔洞內的IPA替代為有機類清洗液，藉由所替代的有機類清洗液將附著在孔洞的內表面之聚合物除去。
[第1沖洗步驟(有機溶劑沖洗步驟)]
其次，使IPA噴嘴22位於晶圓W中心的正上方，使晶圓W以既定轉速例如200~1500rpm旋轉，自IPA噴嘴22以既定流量例如50~500ml/min的流量在既定時間例如30~180sec內噴吐IPA。因此，位於晶圓W的表面以及孔洞內的藥液為IPA所替代。另，此第1沖洗步驟中所使用之沖洗液並不限於IPA，亦可使用與在藥液清洗步驟中所使用的有機類清洗液以及第2沖洗步驟中所使用的DIW具有混合性之其他有機溶劑。
[第2沖洗步驟(DIW沖洗步驟)]
其次，使DIW噴嘴24位於晶圓W中心的正上方，使晶圓W以既定轉速例如200~1500rpm旋轉，自DIW噴嘴24以既定流量例如500~1500L(公升)/min的流量在既定時間例如30~180sec內噴吐DIW。因此，位於晶圓W表面以及孔洞內的IPA由DIW所洗去。
[乾燥用IPA替代步驟]
其次，以與第1實施形態的乾燥用IPA替代步驟相同的順序，對晶圓W供給IPA，使位於晶圓W的表面以及孔洞內的DIW替代為IPA。
[旋轉乾燥步驟]
其次，以與第1實施形態的旋轉乾燥步驟相同的順序，進行晶圓W的乾燥。以上，第2實施形態的一連串步驟結束。
另，本發明的實施形態，並不限於上述內容，可考慮以下所說明的事項來加以變更。
上述第1以及第2實施形態中，在預濕步驟中所使用的有機溶劑(預濕液)雖為IPA，但對於晶圓W的表面張力小於藥液即可，並不限於此。預濕步驟中，亦可使用其他有機溶劑例如二甲苯、IPA+HFE(異丙醇與氫氟醚之混合液)。另，如第1實施形態，在由有機溶劑所構成的預濕液一但替代為DIW之後而供給藥液時，一般宜使用具有與DIW的混合性之有機溶劑。IPA，與水的混合性高，故位於凹部內的IPA相較於二甲苯更快為水(DIW)所替代，所以從縮短處理時間的觀點來看，更佳為使用IPA來作為預濕液。又，在上述實施形態中，於旋轉乾燥步驟前所執行的乾燥用IPA替代步驟中使用IPA，故從裝置構成的簡化(噴嘴以及處理液供給系統之削減)之觀點來看，更佳為使用IPA來作為預濕液。另，二
甲苯雖不具有與水的混合性，但可藉由水(DIW)的擴散來將位於凹部內的二甲苯替代為水(DIW)，故可將之作為預濕液使用。另，預濕步驟中所使用的有機溶劑(預濕液)為IPA以外的有機溶劑，且在乾燥用IPA替代步驟中使用IPA時，係另外設置噴吐IPA以外的有機溶劑之噴嘴以及對該噴嘴供給有機溶劑之供給機構。
藥液為有機類清洗液時(參照第2實施形態)，在藥液即將供給至晶圓W之前充滿著晶圓W的孔洞之液體宜為有機溶劑。這是因為若在藥液即將供給至晶圓W之前充滿著晶圓W的孔洞之液體為DIW，則有藥液與DIW的混合性較低，使替代效率降低之虞。
藥液為無機類清洗液時(參照第1實施形態)，在無機類清洗液的供給之前充滿著晶圓W的孔洞之液體宜為DIW。這是因為例如，當藥液為如DHF般，藉由DIW將藥液即HF加以稀釋之類型時，若在DHF(無機類清洗液)中混入IPA(由有機溶劑所構成之預濕液)，則有DHF造成蝕刻率產生變化，而無法進行穩定的處理之虞。另，當藥液與預濕液混合仍可進行穩定的處理，而藥液為無機類清洗液時，亦可非如上述第1實施形態令步驟順序為「預濕步驟(第1預濕步驟」→「DIW替代步驟(第2預濕步驟」→「藥液清洗步驟」；而是在預濕步驟(第1預濕步驟)之後不進行DIW替代步驟而移至藥液清洗步驟。
在藥液即將供給至晶圓W之前所供給至晶圓W的液體(亦即，第1實施形態中為DIW；第2實施形態中為由有機溶劑所構成的預濕液)，宜在已加熱之狀態下來供給之。若在孔洞充滿著已加熱的液體(DIW或由有機溶劑所構成的預濕液)之狀態下供給常溫的藥液，則容易藉由熱對流來進行替代。具體而言，在第2實施形態中，宜將IPA加熱至其沸點(82.4℃)以下的適當溫度例如30℃~60℃來供給之。此時，例如可在IPA管路22c中插設加熱IPA的加熱器(未圖示)。另，在供給藥液之前或供給藥液時加熱晶圓
W，亦可使熱對流產生。此種晶圓W的加熱，可藉由在基板固持部14設置電阻加熱器(未圖示)，或在晶圓W上方設置燈加熱器例如LED燈加熱器(未圖示)來加以實現。
第1以及第2實施形態中，藉由設置乾燥用IPA替代步驟，可使孔洞中從充滿了IPA的狀態下開始進行乾燥，可迅速且確實地進行乾燥。另，孔洞的寬高比不大時，亦可省略旋轉乾燥步驟之前的乾燥用IPA替代步驟。
在第2實施形態中，亦宜重複執行複數次的第1沖洗步驟與第2沖洗步驟。
在第2實施形態中，進行利用IPA等有機溶劑之第1沖洗步驟以及利用DIW的第2沖洗步驟。亦即，即使未能藉由第1沖洗步驟將孔洞內的有機類清洗液完全除去，則藉由第2沖洗步驟將孔洞內的有機類清洗液的殘渣完全去除即可。從而，可減少第1沖洗步驟中的有機溶劑之消耗量，並且減少孔洞內的有機類清洗液之殘渣。另，不進行第2沖洗步驟而僅進行第1沖洗步驟亦可。此時，若第1沖洗步驟中所使用的有機溶劑為IPA，而與乾燥用IPA替代步驟中所使用的有機溶劑相同，則可直接移至乾燥，在縮短處理時間的觀點上係有利的。
又，在上述實施形態中，清洗對象的凹部，係半導體晶圓所構成之基板的矽層(Si層)中所形成之TSV用的孔洞，但並不限於此。亦可為在半導體晶圓中所形成的其他種類的凹部，具體而言為孔洞(導通孔、穿通孔)以及溝槽(溝)。上述實施形態的清洗方法，可有效清洗特別高的寬高比之凹部。
又，清洗對象的凹部，並不限於矽層中所形成的凹部，亦可為SiN層、SiO2層、poly-Si層中所形成的凹部。另，在用以形成
凹部的乾蝕刻步驟中所使用的蝕刻氣體，係因應形成有凹部的層之材料而有所不同。而殘存於凹部內的蝕刻殘渣(聚合物)的組成，係取決於被蝕刻層的材質、蝕刻氣體的種類、蝕刻遮罩的材質而有所不同。聚合物，可舉出氣類聚合物、氧化物類聚合物、CF類聚合物、碳類聚合物等各種聚合物。藥液清洗步驟中所使用的藥液，係因應除去對象的蝕刻殘渣來選擇最適當者。亦即，在藥液清洗步驟中所使用的藥液，並不限於第1實施形態中所使用的無機類清洗液即DHF或第2實施形態中所使用的有機類清洗液。無機類清洗液，例如可使用：(1)SC-1液、(2)SC-2液、或(3)將選自HF液、NH4F液以及NH4HF2液所構成群組中的1種液體或2種以上液體的混合液以DIW加以稀釋之HF類藥液。
又，清洗對象的基板，並不限於半導體晶圓，亦可為其他基板例如LCD用的玻璃基板。
又，在基板的處理時，並非必定要讓基板旋轉，例如亦可使用細長的所謂狹縫噴嘴來掃描塗布各處理液。
[實施例]
<第1實驗>
以下說明調查了預濕效果之實驗結果。
準備藉由乾蝕刻而形成有直徑10μm(以孔洞的入口測定)、深度100μm的有底孔洞之矽晶圓，對其進行藥液清洗。作為實施例，進行利用IPA等有機溶劑之預濕步驟(第1預濕步驟)、利用DIW的DIW替代步驟(第2預濕步驟)之後，實施了利用DHF的藥液清洗步驟。第1預濕步驟，係令晶圓轉速為300rpm，IPA溫度為常溫，IPA流量為35ml/min，進行了60sec。第2預濕步驟，係令晶圓轉速為300rpm，DIW溫度為常溫，DIW流量為1000ml/min，進行了60sec。藥液清洗步驟，係令晶圓轉速為300rpm，DHF流量為1500ml/min，進行了60sec。在藥液清洗步驟之後，進行了上
述的沖洗步驟、IPA替代步驟以及旋轉乾燥步驟。又，以上述一連串步驟中省去了第1預濕步驟以及第2預濕步驟者作為比較例，以藥液清洗步驟的時間為60sec者作為比較例1，以藥液清洗步驟的時間為180sec者作為比較例2。
處理結束後，將晶圓切斷俾可確認孔洞的表面，並以掃描式電子顯微鏡觀察孔洞的內面。其結果示於圖3。在圖3中，(a)為比較例1，(b)為比較例2，(c)為實施例。殘存有聚合物的部分為絕緣物，且藉由電子束而充電故顯得較白。發現在比較例1中，藥液未完全進入孔洞內，未能將孔洞的底部部分清洗乾淨。又，發現在比較例2中，藥液雖到達了孔洞的底部，但孔洞表面的一部分仍有白色部分，清洗不完全。相對於此，發現在實施例中，能將孔洞的全部區域清洗乾淨。藉由此試驗，可知藉由在藥液清洗步驟前執行預濕步驟，可在短時間內使藥液完全進入深孔的內部。
<第2實驗>
作為實施例，以與上述第1實驗中的實施例相同的條件，依序進行利用IPA之第1預濕步驟、利用DIW之第2預濕步驟、利用DHF之藥液清洗步驟、沖洗步驟、IPA替代步驟以及旋轉乾燥步驟。又，以上述一連串步驟中省去了IPA替代步驟者作為比較例。藉由CVD法，對於實施例以及比較例的晶圓形成絕緣膜。
在成膜後，將晶圓切斷俾可確認孔洞的表面，並以掃描式電子顯微鏡觀察孔洞的內面。其結果示於圖4。在圖4中，左欄為比較例，右欄為實施例。在孔洞的入口部分(參照上段照片)以及中央部分(參照中段照片)中，未能辨認出比較例與實施例的成膜狀態之明顯差異。另一方面，在孔洞底部(參照下段照片)，相較於比較例中未形成有膜，在實施例中形成有良好的膜。這被認為是在比較例中孔洞底部未完全乾燥，故在成膜中產生了缺陷。因此可知IPA替代步驟，作為深孔清洗後的乾燥之前處理係有益的。
10‧‧‧旋轉夾頭
12‧‧‧固持構件
14‧‧‧基板固持部
16‧‧‧旋轉驅動部
18‧‧‧杯體
20‧‧‧藥液噴嘴
20a‧‧‧流量調整閥
20b‧‧‧開閉閥
20c‧‧‧藥液管路
22‧‧‧IPA噴嘴(有機溶劑噴嘴)
22a‧‧‧流量調整閥
22b‧‧‧開閉閥
22c‧‧‧IPA管路
24‧‧‧DIW噴嘴
24a‧‧‧流量調整閥
24b‧‧‧開閉閥
24c‧‧‧DIW管路
50‧‧‧噴嘴移動機構
51‧‧‧導軌
52‧‧‧移動體
53‧‧‧噴嘴臂
100‧‧‧控制部
101‧‧‧記憶媒體
102‧‧‧處理器
CHM‧‧‧藥液供給源
DIW‧‧‧DIW供給源
IPA‧‧‧IPA供給源
W‧‧‧晶圓
圖1係示意性顯示用以實施清洗方法之清洗裝置的構成之圖。
圖2係顯示圖1所示清洗裝置的一部分之平面圖。
圖3(a)~(c)係顯示說明第1實驗的結果之照片之圖。
圖4係顯示說明第2實驗的結果之照片之圖。
10‧‧‧旋轉夾頭
12‧‧‧固持構件
14‧‧‧基板固持部
16‧‧‧旋轉驅動部
18‧‧‧杯體
20‧‧‧藥液噴嘴
20a‧‧‧流量調整閥
20b‧‧‧開閉閥
20c‧‧‧藥液管路
22‧‧‧IPA噴嘴(有機溶劑噴嘴)
22a‧‧‧流量調整閥
22b‧‧‧開閉閥
22c‧‧‧IPA管路
24‧‧‧DIW噴嘴
24a‧‧‧流量調整閥
24b‧‧‧開閉閥
24c‧‧‧DIW管路
50‧‧‧噴嘴移動機構
51‧‧‧導軌
53‧‧‧噴嘴臂
100‧‧‧控制部
101‧‧‧記憶媒體
102‧‧‧處理器
CHM‧‧‧藥液供給源
DIW‧‧‧DIW供給源
IPA‧‧‧IPA供給源
W‧‧‧晶圓
Claims (20)
- 一種液體處理方法，藉著由藥液所構成的清洗液來清洗在基板表面上所形成的凹部之內部，並包含：預濕步驟，對該基板供給表面張力低於該藥液的有機溶劑，而以該有機溶劑浸濕該凹部的內部；以及藥液清洗步驟，在該預濕步驟之後，對該基板供給該藥液，而以該藥液來替代浸濕了該凹部的內部之液體，以藉由該藥液來清洗該凹部的內部。
- 如申請專利範圍第1項之液體處理方法，其中，該有機溶劑為IPA(異丙醇)、二甲苯、或IPA與HFE(氫氟醚)之混合物。
- 如申請專利範圍第1或2項之液體處理方法，其中，該藥液為無機類清洗液。
- 如申請專利範圍第3項之液體處理方法，其中更包含：DIW替代步驟，在該預濕步驟後該藥液清洗步驟前，對基板供給DIW(純水)，而以DIW來替代浸濕了該凹部的內部之該有機溶劑；且在該藥液清洗步驟中，浸濕了該凹部的內部之DIW為該藥液所替代。
- 如申請專利範圍第4項之液體處理方法，其中，在該DIW替代步驟中供給已加熱的DIW。
- 如申請專利範圍第4或5項之液體處理方法，其中，該無機類清洗液係：DHF(稀氫氟酸)液、SC-1液、SC-2液、或將選自HF液、NH4F液以及NH4HF2液所構成群組中的1種液體或2種以上液體的混合液以DIW加以稀釋之HF類藥液，其中任一者。
- 如申請專利範圍第1或2項之液體處理方法，其中，該藥液為有機類清洗液。
- 如申請專利範圍第7項之液體處理方法，其中，在該藥液清洗步驟中，浸濕了該凹部的內部之該有機溶劑直 接為該有機類清洗液所替代。
- 如申請專利範圍第7或8項之液體處理方法，其中，該有機類清洗液，係包含二甲亞碸、可與二甲亞碸混合的有機溶劑之混合物所構成。
- 如申請專利範圍第9項之液體處理方法，其中，可與該二甲亞碸混合的有機溶劑，係使用：選自N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基吡咯烷酮、N,N-二甲基四氫咪唑酮所構成群組中的至少一種。
- 如申請專利範圍第8至10項中任一項之液體處理方法，其中，在該預濕步驟中供給已加熱的有機溶劑。
- 如申請專利範圍第7至11項中任一項之液體處理方法，其中更包含：第1沖洗步驟，在該藥液清洗步驟之後，對該基板供給由有機溶劑所構成的第1沖洗液，而以該第1沖洗液來替代該凹部的內部之該藥液；第2沖洗步驟，在該第1沖洗步驟之後，對該基板供給由DIW所構成的第2沖洗液，而以該第2沖洗液來替代該凹部的內部之該第1沖洗液；以及乾燥步驟，在該第2沖洗步驟之後，使該基板乾燥。
- 如申請專利範圍第12項之液體處理方法，其中，在該乾燥步驟中對該基板供給IPA。
- 如申請專利範圍第1至11項中任一項之液體處理方法，其中更包含：沖洗步驟，在該藥液清洗步驟之後，對該基板供給沖洗液，而以該沖洗液來替代該凹部的內部之該藥液；以及乾燥步驟，在該沖洗步驟之後，使該基板乾燥；且在該乾燥步驟中對該基板供給IPA。
- 一種液體處理裝置，包含：基板固持部，固持基板； 藥液噴嘴，噴吐由藥液所構成的清洗液；有機溶劑噴嘴，噴吐表面張力低於該藥液的有機溶劑；有機溶劑供給機構，對該有機溶劑噴嘴供給有機溶劑；藥液供給機構，對該藥液噴嘴供給藥液；以及控制部，控制該有機溶劑供給機構以及該藥液供給機構的動作，來實施對由該基板固持部所固持的該基板供給該有機溶劑之預濕步驟，以及其後對該基板供給該藥液之藥液清洗步驟。
- 如申請專利範圍第15項之液體處理裝置，其中更包含：DIW噴嘴，噴吐DIW(純水)；以及DIW供給機構，對該DIW噴嘴供給DIW；且該控制部控制DIW供給機構的動作，以在該預濕步驟與該藥液清洗步驟之間，更加實施對該基板供給DIW，而以DIW來替代位於該基板上的該有機溶劑之DIW替代步驟。
- 如申請專利範圍第15項之液體處理裝置，其中，該控制部，係以在藥液清洗步驟中對該基板供給該藥液，藉此直接以該藥液來替代位於該基板上的該有機溶劑之方式，實施該藥液清洗步驟。
- 一種記憶媒體，記錄可由構成液體處理裝置的控制部之電腦進行讀取之程式，該液體處理裝置包含：有機溶劑噴嘴，噴吐表面張力低於由藥液所構成的清洗液之有機溶劑；藥液噴嘴，噴吐藥液；有機溶劑供給機構，對該有機溶劑噴嘴供給該有機溶劑；以及藥液供給機構，對該藥液噴嘴供給該藥液；當該電腦執行該程式時，該控制部便控制該液體處理裝置，來執行對基板供給該有機溶劑以浸濕該凹部的內部之預濕步驟，以及其後對基板供給該藥液，而以該藥液來替代該凹部的內部之液體，以藉由該藥液來清洗該凹部的內部之藥液清洗步驟。
- 如申請專利範圍第18項之記憶媒體，其中，該液體處理裝置更包含：DIW噴嘴，噴吐DIW(純水)；以及DIW供給機構，對該DIW噴嘴供給DIW；當該電腦執行該程式時，該控制部便控制該液體處理裝置，以在該預濕步驟與該藥液清洗步驟之間，更加實施對該基板供給DIW，而以DIW來替代位於該基板上的該有機溶劑之DIW替代步驟。
- 如申請專利範圍第19項之記憶媒體，其中，當該電腦執行該程式時，該控制部便控制該液體處理裝置，而以在藥液清洗步驟中對該基板供給該藥液，藉此直接以該藥液來替代位於該基板上的該有機溶劑之方式，實施該藥液清洗步驟。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011091295 | 2011-04-15 | ||
| JP2011277159A JP5813495B2 (ja) | 2011-04-15 | 2011-12-19 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201306151A true TW201306151A (zh) | 2013-02-01 |
| TWI524453B TWI524453B (zh) | 2016-03-01 |
Family
ID=47005472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW101113226A TWI524453B (zh) | 2011-04-15 | 2012-04-13 | 液體處理方法、液體處理裝置及記憶媒體 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9111967B2 (zh) |
| JP (1) | JP5813495B2 (zh) |
| KR (1) | KR101678248B1 (zh) |
| TW (1) | TWI524453B (zh) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206373A (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 细美事有限公司 | 用于处理衬底的装置和方法 |
| TWI702652B (zh) * | 2015-09-18 | 2020-08-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| CN111613549A (zh) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置及基片处理方法 |
| CN118073176A (zh) * | 2024-04-25 | 2024-05-24 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 晶圆清洗方法和晶圆清洗机 |
| CN118073176B (zh) * | 2024-04-25 | 2024-07-09 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 晶圆清洗方法和晶圆清洗机 |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5783971B2 (ja) * | 2012-08-10 | 2015-09-24 | 株式会社東芝 | 塗布装置および塗布方法 |
| US9870933B2 (en) * | 2013-02-08 | 2018-01-16 | Lam Research Ag | Process and apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles |
| KR20150000548A (ko) * | 2013-06-24 | 2015-01-05 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 |
| TWI539515B (zh) * | 2013-11-13 | 2016-06-21 | 弘塑科技股份有限公司 | 晶片堆疊結構之洗淨方法及洗淨設備 |
| JP6308910B2 (ja) * | 2013-11-13 | 2018-04-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄システムおよび記憶媒体 |
| CN104979236B (zh) * | 2014-04-11 | 2017-09-26 | 沈阳芯源微电子设备有限公司 | 一种化学液供给装置及其供给方法 |
| KR102347975B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2022-01-07 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| JP6449097B2 (ja) | 2014-07-24 | 2019-01-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| JP6440111B2 (ja) * | 2014-08-14 | 2018-12-19 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法 |
| CN105047529A (zh) * | 2015-05-28 | 2015-11-11 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 改善小尺寸高深宽比结构的湿法工艺润湿性的方法 |
| JP2017157800A (ja) * | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
| JP6623943B2 (ja) | 2016-06-14 | 2019-12-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 半導体装置の製造方法、熱処理装置及び記憶媒体。 |
| EP3282474B1 (en) * | 2016-08-11 | 2021-08-04 | IMEC vzw | Method for performing a wet treatment of a substrate |
| JP6690717B2 (ja) * | 2016-08-22 | 2020-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布方法、塗布装置及び記憶媒体 |
| JP6979826B2 (ja) * | 2017-08-04 | 2021-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| KR102029127B1 (ko) * | 2019-02-08 | 2019-10-07 | 영창케미칼 주식회사 | 반도체 제조 공정에 있어서 실리콘 또는 실리콘 화합물 패턴을 형성하기 위한 신규 방법 |
| TW202105495A (zh) * | 2019-05-23 | 2021-02-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理方法 |
| JP7419896B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-01-23 | 栗田工業株式会社 | ウエハの洗浄方法 |
| JP2022023733A (ja) * | 2020-07-27 | 2022-02-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置および処理液 |
| CN116134587A (zh) | 2020-07-27 | 2023-05-16 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理方法及基板处理装置 |
| JP2022023732A (ja) | 2020-07-27 | 2022-02-08 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法、基板処理装置、および、処理液、 |
| CN112185857A (zh) * | 2020-09-29 | 2021-01-05 | 王健 | 一种晶圆电镀前处理用摇摆喷淋工艺 |
| KR102597005B1 (ko) * | 2020-12-29 | 2023-11-02 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 |
| JP2022110505A (ja) * | 2021-01-18 | 2022-07-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US11925963B2 (en) | 2022-05-27 | 2024-03-12 | Semes Co., Ltd. | Method for treating a substrate |
Family Cites Families (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1187290A (ja) * | 1997-09-10 | 1999-03-30 | Hitachi Ltd | 半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| JP3932636B2 (ja) * | 1997-12-08 | 2007-06-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP3185753B2 (ja) * | 1998-05-22 | 2001-07-11 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP2001015480A (ja) | 1999-06-29 | 2001-01-19 | Tokyo Electron Ltd | 基板の処理方法 |
| JP2003124316A (ja) * | 2001-07-12 | 2003-04-25 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法及び処理液 |
| US6890864B2 (en) * | 2001-07-12 | 2005-05-10 | Nec Electronics Corporation | Semiconductor device fabricating method and treating liquid |
| JP4678665B2 (ja) * | 2001-11-15 | 2011-04-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2008047831A (ja) * | 2006-08-21 | 2008-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | ドライエッチング残渣用洗浄液および洗浄法 |
| JP5139844B2 (ja) * | 2008-03-04 | 2013-02-06 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US7838425B2 (en) | 2008-06-16 | 2010-11-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of treating surface of semiconductor substrate |
| JP5305331B2 (ja) * | 2008-06-17 | 2013-10-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像処理方法及び現像処理装置 |
| JP5298762B2 (ja) | 2008-10-21 | 2013-09-25 | 株式会社ニコン | 積層型半導体装置、積層型半導体装置の製造方法及び半導体基板 |
| JP5220707B2 (ja) * | 2009-07-31 | 2013-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法、プログラムおよびプログラム記録媒体 |
| US8950414B2 (en) * | 2009-07-31 | 2015-02-10 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing apparatus, liquid processing method, and storage medium |
-
2011
- 2011-12-19 JP JP2011277159A patent/JP5813495B2/ja active Active
-
2012
- 2012-04-13 KR KR1020120038520A patent/KR101678248B1/ko active IP Right Grant
- 2012-04-13 TW TW101113226A patent/TWI524453B/zh active
- 2012-04-13 US US13/446,255 patent/US9111967B2/en active Active
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106206373A (zh) * | 2015-05-29 | 2016-12-07 | 细美事有限公司 | 用于处理衬底的装置和方法 |
| US10079142B2 (en) | 2015-05-29 | 2018-09-18 | Semes Co., Ltd. | Apparatus and method for treating substrate |
| CN106206373B (zh) * | 2015-05-29 | 2019-07-16 | 细美事有限公司 | 用于处理衬底的装置和方法 |
| TWI702652B (zh) * | 2015-09-18 | 2020-08-21 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 基板處理裝置及基板處理方法 |
| CN111613549A (zh) * | 2019-02-26 | 2020-09-01 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置及基片处理方法 |
| CN111613549B (zh) * | 2019-02-26 | 2024-02-06 | 东京毅力科创株式会社 | 基片处理装置及基片处理方法 |
| CN118073176A (zh) * | 2024-04-25 | 2024-05-24 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 晶圆清洗方法和晶圆清洗机 |
| CN118073176B (zh) * | 2024-04-25 | 2024-07-09 | 合肥新晶集成电路有限公司 | 晶圆清洗方法和晶圆清洗机 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20120117678A (ko) | 2012-10-24 |
| JP5813495B2 (ja) | 2015-11-17 |
| US9111967B2 (en) | 2015-08-18 |
| JP2012231116A (ja) | 2012-11-22 |
| KR101678248B1 (ko) | 2016-11-21 |
| TWI524453B (zh) | 2016-03-01 |
| US20120260949A1 (en) | 2012-10-18 |
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