JP2017157800A - 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 - Google Patents
液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2017157800A JP2017157800A JP2016042521A JP2016042521A JP2017157800A JP 2017157800 A JP2017157800 A JP 2017157800A JP 2016042521 A JP2016042521 A JP 2016042521A JP 2016042521 A JP2016042521 A JP 2016042521A JP 2017157800 A JP2017157800 A JP 2017157800A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- humidity
- substrate
- drying
- processing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
- H01L21/02052—Wet cleaning only
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67248—Temperature monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
Abstract
【解決手段】処理容器20内に配置された基板Wに対して液処理を行った後、当該基板Wを乾燥させるにあたり、基板Wの中心部に処理液が供給されている期間中に、処理容器20内の湿度を低下させる低湿度ガスを供給し、処理容器20内の湿度を測定して得られた湿度測定値が、予め設定された湿度目標値以下となった後に基板Wの中心部に供給する処理液を停止する。
【選択図】図3
Description
前記処理容器内の基板の中心部に処理液を供給して液処理を行う処理液供給工程と、
前記基板に処理液が供給されている期間中に、前記処理容器内の湿度を低下させる低湿度ガスを供給する低湿度ガス供給工程と、
前記基板に供給する処理液を停止した後、当該基板を乾燥させる乾燥工程と、を含み、
前記処理容器内の湿度を測定して得られた湿度測定値が、予め設定された湿度目標値以下となった後に前記基板の中心部に供給する処理液を停止することを特徴とする。
(a)前記低湿度ガス供給工程の開始後、前記処理容器内の湿度の測定を実行し、湿度測定値が前記湿度目標値以下とならない場合に、前記処理液供給工程を継続すること。ここで、前記乾燥工程が、前記低湿度ガス供給工程の開始後、予め設定された乾燥開始時間の経過後に開始されるとき、前記乾燥開始時間の経過後に乾燥工程が開始されること。
(b)前記低湿度ガス供給工程の開始後、前記処理容器内の湿度の測定を実行し、湿度測定値が前記湿度目標値以下となった場合に、前記乾燥工程を開始すること。前記乾燥工程が、前記低湿度ガス供給工程の開始後、予め設定された乾燥開始時間の経過後に開始されるとき、湿度測定値が前記湿度目標値以下となった場合には、前記乾燥開始時間の経過前に乾燥工程を開始すること。
(c)前記低湿度ガス供給工程にて低湿度ガスの供給を開始するタイミングは、前記処理容器に低湿度ガスの供給を開始してから、前記湿度測定値が湿度目標値以下となると予測される目標値到達タイミングまでの予測時間を予め把握し、前記目標値到達タイミングから逆算して設定されていること。
(d)記乾燥工程は、前記処理液である乾燥用液体の供給位置を、基板の中心部側から周縁部側に移動させる動作を含むこと。
(e)前記への処理液の供給は、基板水平に保持された鉛直軸周りに回転する基板に対して行われ、前記処理容器内の湿度の測定は、前記回転する基板の径方向外側の位置にて行われること。
以下、図3を参照しながら、当該構成について説明する。
DIWノズル412、開閉バルブV2やDIW供給源72は、本例のリンス液供給部に相当する。
IPAノズル411、開閉バルブV1やIPA供給源71は、本例の乾燥用液体供給部に相当する。
本例のN2ノズル431は、IPAノズル411などが設けられた既述の第1ノズルアーム41とは異なる第2ノズルアーム43の先端部に設けられている。第2ノズルアーム43の基端部側は、保持部31に保持されたウエハWの中央部の上方側の位置と、当該ウエハWの上方位置から側方へと退避した位置との間でN2ノズル431を移動させるためのガイドレール44に接続されている。ガイドレール44には、第2ノズルアーム43を移動させるための駆動部441が設けられている。図3中、側方へと退避した第2ノズルアーム43を実線で示し、ウエハWの中央部の上方側へ進入した第2ノズルアーム43を破線(既述の第1ノズルアーム41と共通の破線)で示してある。
N2ノズル431は、開閉バルブV4を介してN2供給源74に接続されている。
以下、図4を参照しながら、チャンバ20に対する給気、排気系統について説明する。なお、図示の便宜上、図4において各ノズル411〜414が設けられたノズルアーム41、43やその駆動機構(ガイドレール42、44、駆動部421、441)の記載は省略してある。
ガス供給ライン211は、FFU21と、各処理ユニット16との間に設けられる。
即ち図4に示すように、各処理ユニット16のガス供給ライン211上には、切替弁215が介設され、この切替弁215に対して、CDAの供給を行うためのCDA供給ライン222が接続されている。CDA供給ライン222には開閉弁V5が介設され、その上流側はCDA供給源221に接続されている。
CDA供給ライン222やCDA供給源221、またCDAを受け入れている期間中の切替弁215の下流側のガス供給ライン211やガス拡散部213は、本例の低湿度ガス供給部に相当する。
また、回収カップ50内に流れ込まなかった清浄空気やCDAは、例えばチャンバ20の底部に設けられたチャンバ排気口201を介して外部の排気部23へ向けて排気される。
以下、図5〜図8を参照し、処理ユニット16にて実行される動作の詳細について説明する。
基板搬送機構17により処理ユニット16内に搬入されたウエハWが、保持部31に設けられた保持ピン311によって保持されると、側方へ退避していた第1ノズルアーム41をウエハWの上方側へ進入させ、薬液ノズル413、DIWノズル412をウエハWの中心部の上方位置に配置する。しかる後、ウエハWを所定の回転速度で回転させて薬液ノズル413より薬液を供給し、薬液処理を行う(図5(a))。
図5(a)〜(e)に示したウエハWの処理において、図5(a)〜(c)までが本例の処理液供給工程に相当し、ウエハWの表面のIPAの液膜の一部を除去してコアを形成する動作(ウエハWの中心部に供給する乾燥液を停止する動作)以降の第1、第2乾燥処理は乾燥工程に相当する(図5(d)、(e))。
ウエハWの乾燥終了後、各ノズルアーム41、43を側方側へ退避させ、ウエハWの回転を停止した後(搬出前動作)、基板搬送装置17により、処理が完了したウエハWを処理ユニット16から取り出す。こうして、処理ユニット16におけるウエハWに対する一連の処理が終了する。
ここで図6は、ウエハWに対する処理の進行を調節する動作の流れを示すフロー図である。また図7、図8は、ウエハWの処理期間中のタイムチャートである。2つのタイムチャートのうち、図7は予め設定した切替タイミングが経過した時点で、チャンバ20内が湿度目標値に到達している場合を示し、図8は前記切替タイミングの経過後にチャンバ20内が湿度目標値に到達した場合を示している。切替タイミングは、ウエハWの中心部へのIPAの供給を止めて乾燥処理に切り替える切替動作を行う時点である(但し、図5(d)に示すように、コアの外側位置へのIPAの供給は継続している)。なお図7、図8(a)は、既述の図5(a)〜(e)に対応する処理の内容を示し、図7、図8(b)はチャンバ20に供給される気体の種類を示している。また、図7、図8(c)はチャンバ20内の湿度測定値の経時変化を示している。
以降の動作について、図6のフロー図も参照しながら説明する(図6のスタート)。IPA供給を開始し、ウエハWの表面にIPAの液膜を形成する(図6のステップS101)。
なお、例えばウエハWの乾燥処理が完了した後の所定の気体変更タイミング(2)にて、チャンバ20に供給される気体は、FFU21からの清浄空気に切り替えられる(図7(a))。
なお参考として、図8(c)には、図7(c)における湿度測定値の経時変化を一点鎖線で示してある。
そこで、当該処理ユニット16について、所定の時間内(本例ではIPA供給を開始してから継続時間が経過するまでの時間)にチャンバ20内の湿度が湿度目標値に到達しなかった旨のアラームを発報する(ステップS107)。アラームは、基板処理システム1に設けられているスピーカー(不図示)からアラーム音を発報してもよいし、基板処理システム1の操作画面(不図示)にアラーム画面を表示してもよい。さらに、湿度が高い雰囲気下で乾燥処理が行われたウエハWに対しては、その旨の情報を付し、キャリアCに収容される製品ウエハWから隔離したり、ウォーターマークやパターン倒壊の発生の状況を確認する追加検査を行ったりする。
例えば図9に示すように、チャンバ20内の湿度が湿度目標値以下となったら、切替タイミングの経過を待たずに乾燥処理の開始タイミングを前倒ししてもよい(図9のステップS101→ステップS102;YES→ステップS103、図10)。
例えば「チャンバ20内の湿度が湿度目標値以下のとなったか否か」という判断基準のみに基づいて、IPA供給から乾燥処理への処理の切り替えタイミングを適宜、変化させてもよい。
例えば、処理ユニット16にてウエハWの処理を行っていない待機期間中に、チャンバ20に供給する気体を清浄空気からCDAへと切り替え、湿度計24による湿度測定値が予定通り(例えば、切替タイミングに対応する時間の経過までに)湿度目標値以下となるか否かを確認する確認運転を行ってもよい。またこのとき、チャンバ20内がウエハWの処理時と同じ状態となるように、ウエハWを保持しない状態で基板保持機構30を回転させたり、ダミーウエハWを用いて図5(a)〜(e)に示した処理を実行したりしてもよい。
しかしながら、乾燥処理時のウエハWの加熱にDIWを用いてしまうと、ウエハWから排出されたIPAとDIWの混合液は、排水として処理しなければならず、排液処理の負荷の増大につながる。
16 処理ユニット
20 チャンバ
21 FFU
211 ガス供給ライン
213 ガス拡散部
221 CDA供給源
222 CDA供給ライン
24 湿度計
241 センサ部
242 本体部
31 保持部
40 処理流体供給部
Claims (11)
- 処理容器内に配置された基板に対して液処理を行った後、当該基板を乾燥させる液処理方法において、
前記処理容器内の基板の中心部に処理液を供給して液処理を行う処理液供給工程と、
前記基板に処理液が供給されている期間中に、前記処理容器内の湿度を低下させる低湿度ガスを供給する低湿度ガス供給工程と、
前記基板に供給する処理液を停止した後、当該基板を乾燥させる乾燥工程と、を含み、
前記処理容器内の湿度を測定して得られた湿度測定値が、予め設定された湿度目標値以下となった後に前記基板の中心部に供給する処理液を停止することを特徴とする液処理方法。 - 前記低湿度ガス供給工程の開始後、前記処理容器内の湿度の測定を実行し、湿度測定値が前記湿度目標値以下とならない場合に、前記処理液供給工程を継続することを特徴とする請求項1に記載の液処理方法。
- 前記乾燥工程が、前記低湿度ガス供給工程の開始後、予め設定された乾燥開始時間の経過後に開始されるとき、前記乾燥開始時間の経過後に乾燥工程が開始されることを特徴とする請求項2に記載の液処理方法。
- 前記低湿度ガス供給工程の開始後、前記処理容器内の湿度の測定を実行し、湿度測定値が前記湿度目標値以下となった場合に、前記乾燥工程を開始することを特徴とする請求項1に記載の液処理方法。
- 前記乾燥工程が、前記低湿度ガス供給工程の開始後、予め設定された乾燥開始時間の経過後に開始されるとき、湿度測定値が前記湿度目標値以下となった場合には、前記乾燥開始時間の経過前に乾燥工程を開始することを特徴とする請求項4に記載の液処理方法。
- 前記低湿度ガス供給工程にて低湿度ガスの供給を開始するタイミングは、前記処理容器に低湿度ガスの供給を開始してから、前記湿度測定値が湿度目標値以下となると予測される目標値到達タイミングまでの予測時間を予め把握し、前記目標値到達タイミングから逆算して設定されていることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一つに記載の液処理方法。
- 前記乾燥工程は、前記処理液である乾燥用液体の供給位置を、基板の中心部側から周縁部側に移動させる動作を含むことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一つに記載の液処理方法。
- 前記への処理液の供給は、基板水平に保持された鉛直軸周りに回転する基板に対して行われ、
前記処理容器内の湿度の測定は、前記回転する基板の径方向外側の位置にて行われることを特徴とする請求項1ないし7のいずれか一つに記載の液処理方法。 - 基板に対して薬液を用いた液処理を行う基板処理装置において、
処理容器内に配置され、基板を保持する基板保持部と、
前記基板保持部に保持された基板に対して、リンス洗浄用のリンス液を供給するリンス液供給部、及び前記リンス液よりも揮発性が高い乾燥用液体を供給する乾燥用液体供給部と、
前記処理容器内に、大気よりも湿度が低い低湿度ガスを供給する低湿度ガス供給部と、
前記処理容器内の湿度を測定する湿度測定部と、
薬液による液処理が行われた基板の中心部に対して、前記リンス液供給部からリンス液を供給するステップと、前記基板の中心部に対し、前記乾燥用液体供給部から乾燥用液体を供給してリンス液と置換した後、当該基板に供給する乾燥用液体を停止し、基板を乾燥させるステップと、前記基板への薬液による液処理の開始後、リンス液によるリンス洗浄を行い、当該リンス液を乾燥液と置換してから基板の乾燥を開始するまでの期間中に、大気雰囲気の前記処理容器内に、前記低湿度ガス供給部から低湿度ガスを供給するステップと、を実行するための制御信号を出力する制御部と、を備え、
前記制御部は、湿度測定部により処理容器内の湿度を測定して得られた湿度測定値が、予め設定された湿度目標値以下となった後に前記基板の中心部に供給する乾燥用液体を停止することを特徴とする基板処理装置。 - 前記基板保持部は、基板水平に保持すると共に、鉛直軸周りに回転自在に構成され、
前記湿度測定部は、前記処理容器内であって、前記基板保持部に保持されて回転する基板の径方向外側の位置に配置されていることを特徴とする請求項9に記載の基板処理装置。 - 基板に対して液処理を行う基板処理装置に用いられるコンピュータプログラムを記憶する記憶媒体であって、
前記コンピュータプログラムは、請求項1ないし8のいずれか一つに記載の液処理方法を実行するようにステップ群が組まれていることを特徴とする記憶媒体。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016042521A JP2017157800A (ja) | 2016-03-04 | 2016-03-04 | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
US15/446,071 US10192731B2 (en) | 2016-03-04 | 2017-03-01 | Liquid processing method, substrate processing apparatus, and storage medium |
CN201710120340.1A CN107154371B (zh) | 2016-03-04 | 2017-03-02 | 液处理方法、基板处理装置以及存储介质 |
TW106106842A TWI679695B (zh) | 2016-03-04 | 2017-03-02 | 液處理方法、基板處理裝置及記憶媒體 |
KR1020170027088A KR102275857B1 (ko) | 2016-03-04 | 2017-03-02 | 액 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016042521A JP2017157800A (ja) | 2016-03-04 | 2016-03-04 | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019162295A Division JP6795068B2 (ja) | 2019-09-05 | 2019-09-05 | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2017157800A true JP2017157800A (ja) | 2017-09-07 |
Family
ID=59724367
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016042521A Pending JP2017157800A (ja) | 2016-03-04 | 2016-03-04 | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10192731B2 (ja) |
JP (1) | JP2017157800A (ja) |
KR (1) | KR102275857B1 (ja) |
CN (1) | CN107154371B (ja) |
TW (1) | TWI679695B (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019107048A1 (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JPWO2020235438A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6672023B2 (ja) * | 2016-03-08 | 2020-03-25 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
US10955741B2 (en) * | 2018-08-14 | 2021-03-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Reticle cleaning system and method for using the same |
JP7336306B2 (ja) * | 2018-10-23 | 2023-08-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP7189013B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-12-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理装置の運転方法 |
KR102267912B1 (ko) * | 2019-05-14 | 2021-06-23 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
WO2021033588A1 (ja) * | 2019-08-22 | 2021-02-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP7344726B2 (ja) * | 2019-09-13 | 2023-09-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布処理方法、塗布処理装置及び記憶媒体 |
JP7175423B2 (ja) * | 2020-03-05 | 2022-11-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、及び基板処理装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006004955A (ja) * | 2003-05-30 | 2006-01-05 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2007263485A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法,記録媒体及び基板処理装置 |
JP2009200193A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009224514A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2014236081A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6799589B2 (en) * | 2000-11-08 | 2004-10-05 | Sony Corporation | Method and apparatus for wet-cleaning substrate |
US20050026455A1 (en) * | 2003-05-30 | 2005-02-03 | Satomi Hamada | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
WO2006137330A1 (ja) * | 2005-06-22 | 2006-12-28 | Tokyo Electron Limited | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP4527660B2 (ja) | 2005-06-23 | 2010-08-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
JP2007273758A (ja) * | 2006-03-31 | 2007-10-18 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP5117365B2 (ja) * | 2008-02-15 | 2013-01-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 |
JP5151629B2 (ja) * | 2008-04-03 | 2013-02-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、現像方法、現像装置及び記憶媒体 |
JP4862903B2 (ja) * | 2009-03-06 | 2012-01-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、濾材の再生方法及び記憶媒体 |
JP5522028B2 (ja) * | 2010-03-09 | 2014-06-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
KR101806191B1 (ko) * | 2010-06-17 | 2017-12-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램이 기록된 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
JP5472169B2 (ja) * | 2011-03-16 | 2014-04-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法および記憶媒体 |
JP5813495B2 (ja) * | 2011-04-15 | 2015-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
JP2013033866A (ja) * | 2011-08-02 | 2013-02-14 | Sharp Corp | 成膜装置のクリーニング方法および半導体製造装置 |
KR101783079B1 (ko) * | 2011-08-26 | 2017-09-28 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
KR101497288B1 (ko) * | 2012-03-06 | 2015-02-27 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 액처리 방법, 액처리 장치 및 기억 매체 |
JP6289241B2 (ja) * | 2013-06-20 | 2018-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
-
2016
- 2016-03-04 JP JP2016042521A patent/JP2017157800A/ja active Pending
-
2017
- 2017-03-01 US US15/446,071 patent/US10192731B2/en active Active
- 2017-03-02 KR KR1020170027088A patent/KR102275857B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-02 CN CN201710120340.1A patent/CN107154371B/zh active Active
- 2017-03-02 TW TW106106842A patent/TWI679695B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006004955A (ja) * | 2003-05-30 | 2006-01-05 | Ebara Corp | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP2007263485A (ja) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法,記録媒体及び基板処理装置 |
JP2009200193A (ja) * | 2008-02-21 | 2009-09-03 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2009224514A (ja) * | 2008-03-14 | 2009-10-01 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2014236081A (ja) * | 2013-05-31 | 2014-12-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019107048A1 (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-06 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2019102482A (ja) * | 2017-11-28 | 2019-06-24 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JPWO2020235438A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | ||
WO2020235438A1 (ja) * | 2019-05-23 | 2020-11-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
JP7191216B2 (ja) | 2019-05-23 | 2022-12-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201742137A (zh) | 2017-12-01 |
US20170256392A1 (en) | 2017-09-07 |
TWI679695B (zh) | 2019-12-11 |
KR102275857B1 (ko) | 2021-07-08 |
CN107154371B (zh) | 2022-02-25 |
US10192731B2 (en) | 2019-01-29 |
KR20170103679A (ko) | 2017-09-13 |
CN107154371A (zh) | 2017-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102275857B1 (ko) | 액 처리 방법, 기판 처리 장치 및 기억 매체 | |
JP6404189B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
TWI790241B (zh) | 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體 | |
JP5992379B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP6728358B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 | |
JP6798185B2 (ja) | 液処理方法、基板処理装置及び記憶媒体 | |
JP2016157802A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法および基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体 | |
JP2015220369A (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 | |
JP6400766B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 | |
JP6795068B2 (ja) | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 | |
TWI757514B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP6117041B2 (ja) | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 | |
TW201911395A (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP7169865B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2018129476A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2017118049A (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 | |
JP7143465B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP2019201075A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP7138493B2 (ja) | 基板液処理方法、記憶媒体および基板液処理装置 | |
JP6184892B2 (ja) | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20171226 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20180117 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20181126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20181204 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20190129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20190702 |