JP7191216B2 - 基板処理方法 - Google Patents
基板処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7191216B2 JP7191216B2 JP2021520742A JP2021520742A JP7191216B2 JP 7191216 B2 JP7191216 B2 JP 7191216B2 JP 2021520742 A JP2021520742 A JP 2021520742A JP 2021520742 A JP2021520742 A JP 2021520742A JP 7191216 B2 JP7191216 B2 JP 7191216B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- humidity
- liquid
- pure water
- rotation speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 229
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims description 13
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 89
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 80
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 34
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 26
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 69
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 48
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 46
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 44
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 27
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 23
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 13
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 238000012993 chemical processing Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
まず、実施形態に係る基板処理方法の実施に好適な基板処理装置について説明する。図1は、基板処理装置を示す平面図である。
次に、基板液処理装置10の詳細について説明する。図2は、基板液処理装置10を示す側面図である。基板液処理装置10は、図2に示すように、基板回転部11と処理液供給部12と処理液回収部13とを有し、これらを制御部14で制御している。ここで、基板回転部11は、基板3を保持しながら回転させる。処理液供給部12は、基板3に各種の処理液を供給する。処理液回収部13は、各種の処理液を回収する。制御部14は、基板処理装置1の全体を制御する。
基板処理装置1は、記憶媒体37に記録された基板処理プログラムにしたがって以下に説明するようにエッチング処理された基板3に対して処理を行う。図3は、実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
第1の実験は、プリウェット処理に関する実験である。第1の実験では、粒径が100nmのPSL粒子を疎水性の窒化シリコン基板上に付着させ、純水の流量及び基板の回転速度を変化させて、PSL粒子の除去率の相違を確認した。処理時間は60秒間である。この結果を表1に示す。
第2の実験は、プリウェット処理に関する実験である。第2の実験では、粒径が50nmのPSL粒子を親水性のシリコン基板上に付着させ、純水の流量及び基板の回転速度を変化させて、PSL粒子の除去率の相違を確認した。処理時間は30秒間である。この結果を表2に示す。
第3の実験は、プリウェット処理に関する実験である。第3の実験では、粒径が50nmのPSL粒子を親水性のシリコン基板上に付着させ、純水の流量及び基板の回転速度を変化させて、PSL粒子の除去率の相違を確認した。処理時間は30秒間である。この結果を表3及び表4に示す。
第4の実験は、低湿度処理に関する実験である。第4の実験では、粒径が50nmのPSL粒子をシリコン基板上に付着させ、24時間放置した後に、2種類の湿度の雰囲気下で純水を用いたリンス処理を行い、除去率の相違を確認した。この結果を表5に示す。
第5の実験は、低湿度処理に関する実験である。第5の実験は、粒径が100nmの酸化シリコン粒子をシリコン基板上に付着させ、24時間放置した後に、2種類の湿度の雰囲気下でポリマー除去液(DHF)及びキャリアガスの2流体を用いた洗浄を行い、除去率の相違を確認した。この結果を表6に示す。
第6の実験は、薬液処理に関する実験である。第6の実験では、オゾン水を用いてシリコン基板の表面に厚さが0.8nm程度のケミカル酸化膜を形成し、粒径が100nmの酸化シリコン粒子をケミカル酸化膜上に付着させ、3時間放置して、試料を作製した。そして、2種類の条件(条件6-1、条件6-2)で、試料の洗浄を行った。これらの結果を図10に示す。図10の横軸は、薬液処理でエッチングされたケミカル酸化膜の厚さ(nm)を示し、図10の縦軸は、酸化シリコン粒子の除去率(%)を示す。薬液処理でエッチングされたケミカル酸化膜の厚さは、薬液処理に用いられるDHFの濃度を反映する。
3 基板
29 ポリマー除去液供給ノズル
30 ポリマー除去液供給源
41 キャリアガス供給源
50 ガス吐出ヘッド
62 低湿度ガス供給源
110、120 粒子
111 接合力
112 水
113 固体架橋
121 純水
122 2流体
123 液膜
124 ポリマー除去液
129 隙間
Claims (6)
- 湿度が第1の湿度の処理室内に基板を搬送する工程と、
前記基板を搬送した後、前記処理室内の湿度を前記第1の湿度よりも低い第2の湿度に下げる工程と、
前記処理室内の湿度を前記第2の湿度に下げた後、前記処理室内の湿度を前記第2の湿度に保持し、且つ前記基板を第1の回転速度で回転させながら、前記基板の表面に液体を供給する工程と、
前記液体を供給した後、前記基板を前記第1の回転速度よりも高い第2の回転速度で回転させながら、前記基板の表面に薬液を供給する工程と、
を有し、
前記第2の湿度は10%RH以下であり、
前記第1の回転速度は前記液体が前記基板の全体に濡れ広がる回転速度以上で且つ200rpm以下であり、
前記液体を1.0L/分以下の流量で供給する、基板処理方法。 - 前記処理室内の湿度を前記第2の湿度に下げる工程は、前記基板を第3の回転速度で回転させる工程を有する、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記薬液を供給する工程は、前記基板の前記薬液が供給される位置を半径方向で変化させる工程を有する、請求項1又は2に記載の基板処理方法。
- 前記薬液は希フッ酸を含む、請求項1乃至3のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記薬液を供給する工程は、前記薬液をキャリアガスと混合して2流体のスプレーを前記基板の表面に吐出する工程を有する、請求項1乃至4のいずれか1項に記載の基板処理方法。
- 前記薬液を供給する工程は、時間の経過につれて前記キャリアガスが前記基板に衝突する際の圧力を下げる工程を有する、請求項5に記載の基板処理方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019097157 | 2019-05-23 | ||
JP2019097157 | 2019-05-23 | ||
PCT/JP2020/019246 WO2020235438A1 (ja) | 2019-05-23 | 2020-05-14 | 基板処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020235438A1 JPWO2020235438A1 (ja) | 2020-11-26 |
JP7191216B2 true JP7191216B2 (ja) | 2022-12-16 |
Family
ID=73458856
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021520742A Active JP7191216B2 (ja) | 2019-05-23 | 2020-05-14 | 基板処理方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7191216B2 (ja) |
TW (1) | TW202105495A (ja) |
WO (1) | WO2020235438A1 (ja) |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134673A (ja) | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Sony Corp | 基板の処理方法 |
JP2007263485A (ja) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法,記録媒体及び基板処理装置 |
JP2008108830A (ja) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 二流体ノズルユニットおよびそれを用いた基板処理装置 |
JP2009200365A (ja) | 2008-02-23 | 2009-09-03 | Sony Corp | 基板の処理方法 |
JP2012054269A (ja) | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Elpida Memory Inc | 半導体洗浄方法および半導体洗浄装置 |
JP2012231116A (ja) | 2011-04-15 | 2012-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
JP2016086072A (ja) | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP2017157800A (ja) | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
JP2018056206A (ja) | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018056223A (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0831435B2 (ja) * | 1986-09-29 | 1996-03-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の洗浄方法 |
JP2004349501A (ja) * | 2003-05-22 | 2004-12-09 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
JP4991668B2 (ja) * | 2008-09-29 | 2012-08-01 | 株式会社東芝 | コンピュータシステムおよび修正パッチ確認/適用方法 |
-
2020
- 2020-05-12 TW TW109115677A patent/TW202105495A/zh unknown
- 2020-05-14 WO PCT/JP2020/019246 patent/WO2020235438A1/ja active Application Filing
- 2020-05-14 JP JP2021520742A patent/JP7191216B2/ja active Active
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007134673A (ja) | 2005-10-14 | 2007-05-31 | Sony Corp | 基板の処理方法 |
JP2007263485A (ja) | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法,記録媒体及び基板処理装置 |
JP2008108830A (ja) | 2006-10-24 | 2008-05-08 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 二流体ノズルユニットおよびそれを用いた基板処理装置 |
JP2009200365A (ja) | 2008-02-23 | 2009-09-03 | Sony Corp | 基板の処理方法 |
JP2012054269A (ja) | 2010-08-31 | 2012-03-15 | Elpida Memory Inc | 半導体洗浄方法および半導体洗浄装置 |
JP2012231116A (ja) | 2011-04-15 | 2012-11-22 | Tokyo Electron Ltd | 液処理方法、液処理装置および記憶媒体 |
JP2016086072A (ja) | 2014-10-24 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、基板処理装置および記憶媒体 |
JP2017157800A (ja) | 2016-03-04 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、基板処理装置、及び記憶媒体 |
JP2018056206A (ja) | 2016-09-26 | 2018-04-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2018056223A (ja) | 2016-09-27 | 2018-04-05 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2020235438A1 (ja) | 2020-11-26 |
TW202105495A (zh) | 2021-02-01 |
WO2020235438A1 (ja) | 2020-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI698906B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
US7803230B2 (en) | Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and medium for recording program used for the method | |
CN101253604B (zh) | 衬底处理方法和衬底处理设备 | |
JP5676658B2 (ja) | 液体エーロゾル式パーティクル除去方法 | |
CN106796876B (zh) | 基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质 | |
KR102027725B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP6894264B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2007157898A (ja) | 基板洗浄方法、基板洗浄装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体 | |
JP4812563B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
WO2016199769A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2004006618A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
WO2006038472A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
KR101665036B1 (ko) | 기판 표면 근방의 유체 혼합을 제어하는 마이크로전자 기판의 습식 처리 | |
CN108028195B (zh) | 基板处理方法、基板处理装置以及存储介质 | |
JP2010503236A (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 | |
JP6225067B2 (ja) | 基板液処理装置及び基板液処理方法 | |
JP6983571B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7191216B2 (ja) | 基板処理方法 | |
WO2023136200A1 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2003197590A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
JP5006734B2 (ja) | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 | |
US20220339676A1 (en) | Substrate cleaning apparatus and substrate cleaning method | |
JP5905666B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP7136543B2 (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2002124508A (ja) | 基板用スピン処理装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210823 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220510 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220706 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20221108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20221206 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7191216 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |