TW202105495A

TW202105495A - 基板處理方法

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Publication number: TW202105495A
Application number: TW109115677A
Authority: TW
Inventors: 立花康三
Original assignee: 日商東京威力科創股份有限公司
Priority date: 2019-05-23
Filing date: 2020-05-12
Publication date: 2021-02-01
Also published as: JPWO2020235438A1; WO2020235438A1; JP7191216B2

Abstract

[課題]提供能夠提升洗淨效果的基板處理方法。 [解決手段]基板處理方法，具有：將基板搬送至濕度為第1濕度的處理室內的工程；搬送前述基板後，使前述處理室內的濕度下降至比前述第1濕度還低的第2濕度的工程；使前述處理室內的濕度下降至前述第2濕度後，使前述基板以第1旋轉速度旋轉，同時向前述基板的表面供應液體的工程；供應前述液體後，使前述基板以比前述第1旋轉速度還高的第2旋轉速度旋轉，同時向前述基板的表面供應洗淨液的工程。

Description

基板處理方法

本揭示係有關於基板處理方法。

從前，製造半導體部件及平面顯示器等時，對半導體晶圓及液晶基板等基板施予蝕刻處理形成電路圖案等。

經蝕刻處理的基板，因為在表面附著氟等殘留物，會使用聚合物除去液洗淨(例如，專利文獻1參照)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]特開2016-29705號公報

[發明所欲解決的問題]

本揭示提供能夠提升洗淨效果的基板處理方法。 [解決問題的手段]

本揭示的一態樣的基板處理方法，具有：將基板搬送至濕度為第1濕度的處理室內的工程；搬送前述基板後，使前述處理室內的濕度下降至比前述第1濕度還低的第2濕度的工程；使前述處理室內的濕度下降至前述第2濕度後，使前述基板以第1旋轉速度旋轉，同時向前述基板的表面供應液體的工程；供應前述液體後，使前述基板以比前述第1旋轉速度還高的第2旋轉速度旋轉，同時向前述基板的表面供應洗淨液的工程。 [發明的效果]

根據本揭示，能夠提升洗淨效果。

以下，參照圖式說明有關本揭示的實施形態。有在各圖式中對相同或對應的構成附加相同或對應的符號，並省略說明的情形。本說明書中，下方表示鉛直下方、上方表示鉛直上方。

(基板處理裝置) 首先，說明有關適合實施形態的基板處理方法的實施的基板處理裝置。圖1為表示基板處理裝置的平面圖。

如圖1所示，基板處理裝置1在前端部形成搬入搬出部2。在搬入搬出部2中，將收容複數枚(例如，25枚)基板3(這裡為半導體晶圓)的載體4搬入及搬出，在左右排列載置。

又，基板處理裝置1在搬入搬出部2的後部形成搬送部5。搬送部5在前側配置基板搬送裝置6，並在後側配置基板收授台7。在該搬送部5，在配置於搬入搬出部2的任一載體4與基板收授台7之間使用基板搬送裝置6搬送基板3。

再來，基板處理裝置1在搬送部5的後部形成處理部8。處理部8，配置在中央於前後伸延的基板搬送裝置9，並在基板搬送裝置9的左右兩側將用來液處理基板3的基板液處理裝置10前後排列配置。在該處理部8，在基板收授台7與基板液處理裝置10之間使用基板搬送裝置9搬送基板3，使用基板液處理裝置10進行基板3的液處理。

(基板液處理裝置) 接著，說明關於基板液處理裝置10的詳細。圖2為表示基板液處理裝置10的側視圖。基板液處理裝置10，如圖2所示，具有基板回轉部11、處理液供應部12、及處理液回收部13，將該等以控制部14進行控制。其中，基板回轉部11將基板3保持同時使其旋轉。處理液供應部12對基板3供應各種處理液。處理液回收部13回收各種處理液。控制部14控制基板處理裝置1的全體。

基板回轉部11，將在處理室15的內部略中央上下延伸的旋轉軸16以旋轉自如的方式設置。在旋轉軸16的上端，水平安裝圓板狀的轉動載台17。在轉動載台17的外周端緣，3個基板保持體18在圓周方向以等間隔安裝。

又，基板回轉部11在旋轉軸16連接基板旋轉機構19及基板升降機構20。該等基板旋轉機構19及基板升降機構20以控制部14進行旋轉控制和升降控制。

該基板回轉部11，在轉動載台17的基板保持體18將基板3水平保持。又，基板回轉部11藉由使基板旋轉機構19驅動來使保持於轉動載台17的基板3旋轉。再來，基板回轉部11藉由使基板升降機構20驅動來使轉動載台17及基板3升降。

處理液供應部12，在處理室15設置左右水平延伸的導軌21，將在導軌21前後水平延伸的臂22以左右移動自如的方式設置。臂22的前端下部左側，純水供應噴嘴23以鉛直向下安裝。在該純水供應噴嘴23，純水供應源24通過流量調整器25連接。又，臂22的前端下部中央，異丙醇(IPA)供應噴嘴26以鉛直向下安裝。在該IPA供應噴嘴26，IPA供應源27通過流量調整器28連接。再來，在臂22的前端下部右側，聚合物除去液供應噴嘴29以鉛直向下安裝。在該聚合物除去液供應噴嘴29，聚合物除去液供應源30通過流量調整器31連接。在該聚合物除去液供應噴嘴29，更有載體氣體供應源41通過流量調整器42連接。聚合物除去液供應源30供應的聚合物除去液例如包含稀氫氟酸(DHF)。載體氣體供應源41供應的載體氣體例如為氮氣。各流量調整器25、28、31、42以控制部14進行流量控制。

又，處理液供應部12在臂22連接噴嘴移動機構32。該噴嘴移動機構32以控制部14進行移動控制。

該處理液供應部12，藉由使噴嘴移動機構32驅動，使臂22的前端部(純水供應噴嘴23、IPA供應噴嘴26、聚合物除去液供應噴嘴29)在基板3的外方部的待機位置與基板3的中央部的吐出位置之間移動。又，處理液供應部12，使用流量調整器25、28、31、42從純水供應噴嘴23、IPA供應噴嘴26、聚合物除去液供應噴嘴29朝向基板3使純水、IPA、聚合物除去液與載體氣體的2流體吐出。

處理液回收部13在轉動載台17的周圍配置圓環狀的回收罩杯35。回收罩杯35的上端部，形成比轉動載台17(基板3)還大的尺寸的開口。又，回收罩杯35的下端部連接排水路36。

該處理液回收部13，將對基板3的表面供應的處理液以回收罩杯35回收，從排水路36向外部排出。

基板處理裝置1更具有對處理室15內供應低濕度氣體的氣體吐出頭50。氣體吐出頭50在轉動載台17的上方以可上下移動的方式設置。氣體吐出頭50具有形成比回收罩杯35的上部開口還稍微小的徑的筒狀的側壁51、以塞住側壁51的上部開口的方式設置，且形成氣體導入口54的上部板52、及以塞住側壁51的下部開口的方式設置，且形成多數氣體吐出孔53a的下部板53，在內部形成空間55。氣體吐出頭50，例如，能夠位於接近轉動載台17的低濕度氣體吐出位置、及處理室15的頂壁正下方的退避位置。

於氣體導入口54，低濕度氣體供應源62通過開關閥門64連接。低濕度氣體供應源62供應的低濕度氣體，例如為進行除濕並處於低露點的乾燥清淨空氣、乾燥清淨不活性氣體或乾燥清淨氮氣。開關閥門64以控制部14進行控制。低濕度氣體的濕度較佳為10%以下。

基板處理裝置1，以如以上說明的方式構成，依照記錄於設在控制部14(電腦)的記憶媒體37的各種程式以控制部14進行控制，進行基板3的處理。其中，記憶媒體37儲存各種設定資料及程式，以ROM及RAM等記憶體、硬碟、CD-ROM、DVD-ROM或可撓性磁碟等碟盤狀記憶媒體等的公知者構成。

(基板處理方法) 基板處理裝置1，依照記錄於記憶媒體37的基板處理程式，如以下說明的方式，對蝕刻處理後的基板3進行處理。圖3為表示實施形態的基板處理方法的流程圖。

首先，基板處理裝置1，將藉由基板搬送裝置9搬送的基板3在基板液處理裝置10接收(步驟S1)。

在步驟S1中，控制部14藉由基板升降機構20使轉動載台17上升至預定位置。接著，將從基板搬送裝置9搬送至處理室15內部的1枚基板3以在基板保持體18水平保持的狀態接收。接著，封閉處理室15的閘門(圖未示)，將處理室15密閉。之後，藉由基板升降機構20將轉動載台17降下至預定位置。此外，在步驟S1中，使臂22(純水供應噴嘴23、IPA供應噴嘴26、聚合物除去液供應噴嘴29)事先退避至比轉動載台17的外周還外方的待機位置。在基板3的搬送時，處理室15內的濕度成為放置處理室15的氛圍的濕度(第1濕度)。例如，第1濕度為40%RH~45%RH。

接著，基板處理裝置1使處理室15內的濕度降低(步驟S2)。

在步驟S2中，控制部14將開關閥門64設為開狀態。其結果，從低濕度氣體供應源62對氣體吐出頭50供應低濕度氣體，從氣體吐出孔53a朝向基板3吐出低濕度氣體。接著，處理室15內的濕度成為比第1溫度還低的低濕度氣體的濕度(第2濕度)。第2濕度例如為10%RH以下。

因為處理室15內的濕度降低，在基板3的表面會產生以下變化。圖4表示低濕度處理中的變化的示意圖。

如圖4(a)所示，在搬送至處理室15內的基板3表面，附著有光阻殘渣等聚合物的粒子110。在基板3與粒子110之間，固體間的接合力111作用。又，為了40%RH~45%RH左右的第1濕度，在基板3與粒子110的界面附近，因水蒸氣引起水112的凝縮。因此，在基板3與粒子110之間，除了接合力111以外，也作用水112所致的液交聯力。

基板3的搬送後處理室15內的濕度降低至第2濕度後，如圖4(b)所示，水112會揮發。其結果，水112所致的液交聯力消失，在基板3與粒子110之間作用的力僅成為接合力111。這種水112的揮發在10%RH以下的濕度容易產生。因此，第2濕度較佳為10%RH以下、更佳為5%RH以下、再佳為1%RH以下。

供應低濕度氣體的期間，藉由基板旋轉機構19以預定的旋轉速度(第3旋轉速度)使轉動載台17旋轉，而使基板3旋轉也可以。

之後，繼續低濕度氣體的供應，將處理室15內的濕度保持在第2濕度，同時實施預濕處理(步驟S3)。

在步驟S3中，控制部14藉由噴嘴移動機構32使臂22移動，將純水供應噴嘴23配置於基板3的中心部上方的吐出位置。又，藉由基板旋轉機構19以預定的旋轉速度(第1旋轉速度)使轉動載台17旋轉，而使基板3旋轉。之後，使藉由流量調整器25控制流量至預定的流量的純水從純水供應噴嘴23朝向基板3的表面(上面)吐出。供應至基板3的純水沿著旋轉的基板3的表面從基板3的中央朝向外周端緣浸潤擴大，純水浸透至附著於基板3表面的粒子與基板3的表面之間。

藉由預濕處理(步驟S3)，基板3的表面產生以下變化。圖5為表示預濕處理中的變化的示意圖。

如圖5(a)所示，基板3的表面，不只是聚合物的粒子110，也附著有未反應的光阻、及處理室15內的飛來物等比較容易脫離的物質的粒子120。例如，也會附著聚苯乙烯(PSL)的粒子。藉由預濕處理將純水121供應至基板3的表面，純水浸透至粒子120與基板3之間後，如圖5(b)所示，粒子120被純水121包圍，從基板3脫離。包含粒子120的純水121，因旋轉的基板3的離心力被導至基板3的外周外方，被回收罩杯35回收而從排水路36向外部排出。以預定時間持續純水的供應後，藉由流量調整器25使純水的吐出。

在預濕處理(步驟S3)中，於純水在基板3的全體浸潤擴大的範圍內，轉動載台17的旋轉速度越低越好、純水的流量越小越好。轉動載台17的旋轉速度過高時，供應至基板3的純水，在浸透至粒子120與基板3之間以前，會因旋轉的基板3的離心力向基板3的外周外方甩開。因此，如圖6所示，會有在基板3與粒子120的界面附近產生間隙129的情形。若間隙129產生，間隙129的空氣無法脫離，有純水無法浸透至間隙129的情形。又，純水的流量過大時，供應至基板3的純水，在粒子120與基板3之間產生間隙129的同時，有成為液膜覆蓋基板3的情形。另一方面，若轉動載台17的旋轉速度過低、或純水的流量過小，因為基板3的撥水性，會有純水被撥至基板3，純水無法充分浸潤擴大的情形。因此，於純水在基板3的全體浸潤擴大的範圍內，轉動載台17的旋轉速度越低越好、純水的流量越小越好。

例如，基板3為矽基板時，因為矽基板的親水性高，旋轉速度較佳為200rpm以下、更佳為100rpm以下、再佳為10rpm以下。例如，基板3為矽基板時，純水的流量較佳為1.0L/分以下、更佳為500mL/分以下、再佳為100mL/分以下。基板3為氮化矽基板時，因為氮化矽基板的親水性比矽基板的親水性還低，旋轉速度較佳為200rpm以下。又，基板3為氮化矽基板時，純水的流量為500mL/分以下較佳。

此外，在預濕處理中，取代純水使用聚合物除去液，例如DHF也可以。又，取代純水，使用氨水、IPA、無機藥液、純水與IPA的混合液等也可以。純水、DHF、氨水、IPA、無機藥液及純水與IPA的混合液，為以第1旋轉速度使基板旋轉同時供應的液體的一例。

預濕處理(步驟S3)之後，進行使用聚合物除去液的藥液處理(步驟S4)。

在步驟S4中，控制部14，藉由基板旋轉機構19，以比第1旋轉速度還高的預定旋轉速度(第2旋轉速度)使轉動載台17旋轉，而在使基板3持續旋轉的狀態下，藉由噴嘴移動機構32使臂22移動將聚合物除去液供應噴嘴29配置於基板3的中心部上方的吐出位置。之後，使藉由流量調整器31控制流量至預定的流量的聚合物除去液從聚合物除去液供應噴嘴29向基板3的表面吐出，同時也使藉由流量調整器42控制流量至預定流量的載體氣體從聚合物除去液供應噴嘴29向基板3的表面吐出。其結果，藉由載體氣體而將聚合物除去液噴霧化，噴霧化的聚合物除去液從聚合物除去液供應噴嘴29吐出。也就是說，在步驟S4中，從聚合物除去液供應噴嘴29使聚合物除去液與載體氣體的2流體向基板3的表面吐出。聚合物除去液與載體氣體的混合比，能夠藉由量調整器31及42調整。聚合物除去液為洗淨液的一例。

藉由藥液處理(步驟S4)，在基板3的表面產生以下變化。圖7為表示藥液處理中的變化的示意圖。

如圖7(a)所示，聚合物除去液與載體氣體的2流體122被噴出至基板3的表面後，以預濕處理形成於基板3表面的純水121的液膜藉由2流體122沖走，聚合物除去液的液膜123形成於基板3的表面。接著，藉由聚合物除去液的化學作用，聚合物的粒子110從基板3脫離。又，聚合物除去液因為載體氣體的噴出而具有大的動能，對粒子110賦予物理衝擊，促進粒子110從基板3的脫離。其結果，如圖7(b)所示，粒子110容易從基板3脫離。包含粒子110的聚合物除去液，因旋轉的基板3的離心力被導至基板3的外周外方，被回收罩杯35回收而從排水路36向外部排出。以預定時間持續2流體122的供應後，藉由流量調整器31使聚合物除去液的吐出停止，藉由流量調整器42使載體氣體的吐出停止。

此外，如圖8所示，搬送至處理室15時在基板3與聚合物的粒子110的界面附近，也會產生氧化矽等固體交聯113。在這種情形中也一樣，藉由進行使用2流體122的藥液處理，能夠除去固體交聯113同時使粒子110脫離。

又，如圖9所示，不使用載體氣體而僅供應聚合物除去液124時，因基板3的親水性，聚合物除去液124無法充分浸透至基板3與粒子110之間，會有間隙129生成的情形。相對於此，如同本實施形態藉由使用包含載體氣體的2流體122，使聚合物除去液充分浸透至基板3與粒子110之間，能夠提升粒子110的除去率。

接著，基板處理裝置1對基板3的表面供應純水進行基板3的沖洗處理(步驟S5)。藉此，從基板3的表面沖走聚合物除去液，在基板3的表面形成純水的液膜。

在步驟S5中，控制部14，藉由基板旋轉機構19以預定的旋轉速度使轉動載台17旋轉，在使基板3持續旋轉的狀態下，藉由噴嘴移動機構32使臂22移動將純水供應噴嘴23配置於基板3的中心部上方的吐出位置。之後，使藉由流量調整器25控制流量至預定的流量的純水從純水供應噴嘴23朝向基板3的表面吐出。藉此，基板3的表面被純水沖洗。供應至基板3的純水，因旋轉的基板3的離心力被導至基板3的外周外方，被回收罩杯35回收而從排水路36向外部排出。以預定時間供應純水後，藉由流量調整器25使純水的吐出停止。此外，在使純水的吐出停止後也使基板3持續旋轉，從基板3的表面甩開純水。

接著，基板處理裝置1進行使基板3的表面乾燥的基板3的乾燥處理(步驟S6)。

在該步驟S6中，控制部14藉由基板旋轉機構19，以比第1旋轉速度、第2旋轉速度及第3旋轉速度還高的預定旋轉速度使轉動載台17旋轉，使基板3持續旋轉。基板3的表面為疏水性時，藉由噴嘴移動機構32使臂22移動將IPA供應噴嘴26配置於基板3的中心部上方的吐出位置，使藉由流量調整器28控制流量至預定流量的IPA從IPA供應噴嘴26向基板3的表面吐出。藉此，能夠促進乾燥並防止水印的產生。藉此，能夠將基板3的表面乾燥。此外，在未進行IPA的供應時，使臂22(純水供應噴嘴23、IPA供應噴嘴26、聚合物除去液供應噴嘴29)移動並事先退避至比轉動載台17的外周還外方的待機位置。

之後，基板處理裝置1將基板3從基板液處理裝置10向基板搬送裝置9收授。此時，控制部14藉由基板升降機構20使轉動載台17上升至預定位置。接著，將以轉動載台17保持的基板3收授至基板搬送裝置9。之後，藉由基板升降機構20將轉動載台17降下至預定位置。

在本實施形態中，藉此使用基板處理裝置1進行基板3的洗淨。接著，根據本實施形態，能夠提升光阻殘渣等的聚合物、及處理室15內的飛來物等的除去率。又，因為得到載體氣體所致的輔助效果，即便減少聚合物除去液的使用量也能夠得到充分的除去率。

藥液處理(步驟S4)中，使聚合物除去液供應噴嘴29在基板3的半徑方向往返也可以。也就是說，使供應基板3的聚合物除去液的位置在半徑方向變化也可以。

藥液處理(步驟S4)中，使載體氣體碰撞至基板3時的壓力變化也可以。例如，隨著時間的經過降低載體氣體碰撞基板3時的壓力也可以。初期，以在基板3的表面形成的圖案不倒塌的範圍，以高壓力使載體氣體碰撞至基板3，能夠在粒子110與基板3之間使聚合物除去液更確實地浸透。因此，之後即便降低壓力也能夠得到充分的除去率。載體氣體碰撞基板3時的壓力，例如能夠藉由載體氣體的吐出壓力進行調整。又，藉由使聚合物除去液供應噴嘴29從基板3的表面離間，也能夠降低壓力。

又，低濕度處理(步驟S1)之前進行SC-1處理也可以。 [實施例]

以下，說明有關本揭示的實驗。

(第1實驗) 第1實驗為關於預濕處理的實驗。第1實驗中，使粒徑為100nm的PSL粒子附著於疏水性的氮化矽基板上，使純水的流量及基板的旋轉速度變化，確認PSL粒子的除去率的差異。處理時間為60秒。其結果顯示於表1。

如表1所示，純水的流量小，旋轉速度越低，得到優良的除去率。

(第2實驗) 第2實驗為關於預濕處理的實驗。第2實驗中，使粒徑為50nm的PSL粒子附著於親水性的矽基板上，使純水的流量及基板的旋轉速度變化，確認PSL粒子的除去率的差異。處理時間為30秒。其結果顯示於表2。

如表2所示，與第1實驗一樣，純水的流量小，旋轉速度越低，得到優良的除去率。

(第3實驗) 第3實驗為關於預濕處理的實驗。第3實驗中，使粒徑為50nm的PSL粒子附著於親水性的矽基板上，使純水的流量及基板的旋轉速度變化，確認PSL粒子的除去率的差異。處理時間為30秒。評價結果顯示於表3及表4。

如表3及表4所示，與第1、第2實驗一樣，純水的流量小，旋轉速度越低，得到優良的除去率。例如，旋轉速度為200rpm以下時得到50%以上的除去率。旋轉速度為50rpm以下時得到85%以上的除去率。旋轉速度為100rpm時得到90%以上的除去率。

(第4實驗) 第4實驗為關於低濕度處理的實驗。第4實驗中，使粒徑為50nm的PSL粒子附著於親水性的矽基板上，放置24小時後，在2種濕度的氛圍下進行使用純水的沖洗處理，確認除去率的差異。其結果顯示於表5。

如表5所示，若沖洗條件(旋轉速度及純水的流量)相同，濕度越低，得到優良的除去率。

(第5實驗) 第5實驗為關於低濕度處理的實驗。第5實驗中，使粒徑為100nm的氧化矽粒子附著於矽基板上，放置24小時後，在2種濕度的氛圍下進行使用聚合物除去液(DHF)及載體氣體的2流體的洗淨處理，確認除去率的差異。其結果顯示於表6。

如表6所示，若洗淨條件(旋轉速度、聚合物除去的流量及載體氣體的流量)相同，濕度越低，得到優良的除去率。

(第6實驗) 第6實驗為關於藥液處理的實驗。第6實驗中，使用臭氧水在矽基板的表面形成厚度為0.8nm左右的化學氧化膜，使粒徑為100nm的氧化矽粒子附著於化學氧化膜上，放置3小時，製作試料。接著，以2種條件(條件6-1、條件6-2)進行試料的洗淨。該等結果顯示於圖10。圖10的橫軸表示以藥液處理經蝕刻的化學氧化膜的厚度(nm)、圖10的縱軸表示氧化矽粒子的除去率(%)。以藥液處理蝕刻後的化學氧化膜的厚度反映了用於藥液處理DHF的濃度。

在條件6-1中，使得用於聚合物除去液的DHF濃度不同，仿效上述實施形態，進行預濕處理、使用2流體的藥液處理、及沖洗處理，確認除去率的差異。在預濕處理中，以30秒，使基板以1000rpm的旋轉速度旋轉，同時以1.5L/分的流量吐出純水。藥液處理的時間為30秒。在藥液處理中，將基板的旋轉速度設為200rpm、DHF的流量設為100mL/分、載體氣體的流量設為57L/分。在沖洗處理中，以5秒，使基板以1000rpm的旋轉速度旋轉，同時以1.5L/分的流量吐出純水。

在條件6-2中，使得用於聚合物除去液的DHF濃度不同，進行藥液處理、及沖洗處理，確認除去率的差異。在藥液處理中，以30秒，使基板以1000rpm的旋轉速度旋轉，同時以1.5L/分的流量將DHF不使用載體氣體吐出。在沖洗處理中，以30秒，使基板以1000rpm的旋轉速度旋轉，同時以1.5L/分的流量吐出純水。

如圖10所示，條件6-1中，得到約50.0%以上的除去率。另一方面，在條件6-2中，除去率未滿10.0%。從該結果來看，條件6-1中，附隨於基底即化學氧化膜的除去的進行漸漸地進行氧化矽粒子的除去，相對於此，條件6-2中，與化學氧化膜的除去的進行程度無關，藉由使用2流體藥液處理進行氧化矽的除去。

以上，詳細說明關於較佳實施形態等，但不限於上述實施形態等，在不逸脫申請專利範圍記載的範圍內，可以對上述實施形態等施加各種變形及置換。

1:基板處理裝置 3:基板 29:聚合物除去液供應噴嘴 30:聚合物除去液供應源 41:載體氣體供應源 50:氣體吐出頭 62:低濕度氣體供應源 110,120:粒子 111:接合力 112:水 113:固體交聯 121:純水 122:2流體 123:液膜 124:聚合物除去液 129:間隙

[圖1]表示基板處理裝置的平面圖。 [圖2]表示基板液處理裝置的側視圖。 [圖3]表示實施形態的基板處理方法的流程圖。 [圖4]表示低濕度處理中的變化的示意圖。 [圖5]表示預濕處理中的變化的示意圖。 [圖6]表示旋轉速度高時產生的現象之例的示意圖。 [圖7]表示藥液處理中的變化的示意圖。 [圖8]表示固體交聯的示意圖。 [圖9]表示未使用載體氣體時產生的現象之例的示意圖。 [圖10]表示使用2流體的藥液處理的效果的圖。

Claims

一種基板處理方法，具有：將基板搬送至濕度為第1濕度的處理室內的工程；搬送前述基板後，使前述處理室內的濕度下降至比前述第1濕度還低的第2濕度的工程；使前述處理室內的濕度下降至前述第2濕度後，使前述基板以第1旋轉速度旋轉，同時向前述基板的表面供應液體的工程；供應前述液體後，使前述基板以比前述第1旋轉速度還高的第2旋轉速度旋轉，同時向前述基板的表面供應洗淨液的工程。
如請求項1記載的基板處理方法，其中，前述第2濕度為10%RH以下。
如請求項1或2記載的基板處理方法，其中，使前述處理室內的濕度下降至前述第2濕度的工程，具有使前述基板以第3旋轉速度旋轉的工程。
如請求項1或2記載的基板處理方法，其中，將前述處理室內的濕度保持在前述第2濕度，同時將前述液體供應至前述基板的表面。
如請求項1或2記載的基板處理方法，其中，前述第1旋轉速度為200rpm以下。
如請求項1或2記載的基板處理方法，其中，將前述液體以1.0L/分以下的流量供應。
如請求項1或2記載的基板處理方法，其中，供應前述洗淨液的工程，具有使供應前述基板的前述洗淨液的位置在半徑方向變化的工程。
如請求項1或2記載的基板處理方法，其中，前述洗淨液包含稀氫氟酸。
如請求項1或2記載的基板處理方法，其中，供應前述洗淨液的工程，具有將前述洗淨液與載體氣體混合並將2流體的噴霧吐出至前述基板的表面的工程。
如請求項9記載的基板處理方法，其中，供應前述洗淨液的工程，具有隨著時間的經過降低前述載體氣體衝撞至前述基板時的壓力的工程。