TWI584364B - Substrate liquid processing device and substrate liquid treatment method - Google Patents

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TWI584364B
TWI584364B TW103121008A TW103121008A TWI584364B TW I584364 B TWI584364 B TW I584364B TW 103121008 A TW103121008 A TW 103121008A TW 103121008 A TW103121008 A TW 103121008A TW I584364 B TWI584364 B TW I584364B
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treatment liquid
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TW103121008A
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TW201515081A (zh
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Shigehisa Inoue
Daisuke Nakayama
Katsufumi Matsuki
Takuro Masuzumi
Yuki Yoshida
Meitoku Aibara
Hiromi Kiyose
Takashi Uno
Hirotaka Maruyama
Kazuya Koyama
Takasi Nakazawa
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
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    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • H—ELECTRICITY
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    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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Description

基板液處理裝置及基板液處理方法
本發明，係關於以含有純水之液滴狀的處理液來處理基板的基板液處理裝置及基板液處理方法者。
從以往，在製造半導體零件或平板顯示器等時，係使用基板液處理裝置，對半導體晶圓或液晶基板等的基板施予洗淨或蝕刻等的各種處理。
例如，在進行基板之洗淨的基板液處理裝置中，係朝向旋轉之基板供給SC-1(Standard Clean 1)液(過氧化氫與氫氧化銨與純水的混合液)，而以洗淨液處理基板之表面。然後，從2流體噴嘴朝向基板噴吹純水與氮氣之混合流體，且以液滴狀之純水處理基板之表面。然後，朝向基板供給純水，而以純水處理基板之表面。最後，藉由以高速使基板旋轉的方式，從基板之表面甩開純水，而使基板之表面乾燥。
如此一來，在以往之基板液處理裝置中，係為了使即使形成於基板之表面的電路圖案微細化亦可良好地處理基板之表面，而使用2流體噴嘴且以液滴狀的純水 處理基板之表面(例如，參閱專利文獻1)。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2005-46737號公報
然而，本發明者們發現了，在如上述以往的基板液處理裝置，以SC-1液處理基板的表面之後而以純水進行處理時，雖可去除在處理前附著於基板之表面的微粒，但，會造成在處理中環境中的微粒重新附著於基板之表面的情形。
於是，本發明，係在基板液處理裝置中，具有：第1處理液吐出部，朝向基板之表面吐出含有純水之液滴狀的第1處理液；及第2處理液吐出部，朝向以前述液滴狀的第1處理液所處理之前述基板的表面，吐出使前述基板之表面的仄他電位反轉為負的第2處理液。
又，前述第2處理液吐出部，係在以前述液滴狀之第1處理液進行處理後立即朝向前述基板的表面，吐出前述第2處理液。
又，前述第1處理液吐出部，係在朝向前述 基板之表面吐出SC-1液之後，吐出液滴狀之第1處理液。
又，使用已添加了二氧化碳的純水作為前述第1處理液，且使用SC-1液作為前述第2處理液。
又，使用在表面形成有矽氮化膜的基板作為前述基板。
又，具有第3處理液吐出部，係朝向以前述液滴狀之第1處理液所處理的前述基板之表面，吐出使在前述基板帶電之電荷釋放的第3處理液。
又，使用已添加了二氧化碳的純水作為前述第3處理液，且使用SC-1液作為前述第2處理液。
又，在基板液處理方法中，以液滴狀之第1處理液來處理基板之表面，然後，以使前述基板之表面之仄他電位反轉成負的第2處理液來處理前述基板的表面。
又，在以前述液滴狀之第1處理液處理前述基板之表面之後，立即以前述第2處理液處理前述基板之表面。
又，在以前述液滴狀之第1處理液處理前述基板之表面之前，以SC-1液處理前述基板之表面。
又，使用已添加了二氧化碳的純水作為前述第1處理液，且使用SC-1液作為前述第2處理液。
又，使用在表面形成有矽氮化膜的基板作為前述基板。
又，在以液滴狀之第1處理液處理前述基板 之表面之後，以使前述基板帶電之電荷釋放的第3處理液處理前述基板之表面。
又，使用已添加了二氧化碳的純水作為前述第3處理液，且使用SC-1液作為前述第2處理液。
在本發明中，係可抑制環境中的微粒重新附著於基板之表面的情形，且可良好地進行基板之處理。
1‧‧‧基板液處理裝置
3‧‧‧基板
11‧‧‧基板保持部
12‧‧‧第1處理液吐出部
13‧‧‧第2處理液吐出部
25‧‧‧第1處理液吐出噴嘴
31‧‧‧第2處理液吐出噴嘴
〔圖1〕表示基板液處理裝置之平面圖。
〔圖2〕表示基板液處理裝置之側面剖面圖。
〔圖3〕基板液處理裝置之動作說明圖(基板接收工程)。
〔圖4〕基板液處理裝置之動作說明圖(液滴處理工程)。
〔圖5〕基板液處理裝置之動作說明圖(仄他電位反轉處理工程)。
〔圖6〕基板液處理裝置之動作說明圖(沖洗處理工程)。
〔圖7〕基板液處理裝置之動作說明圖(乾燥處理工程)。
〔圖8〕基板液處理裝置之動作說明圖(基板收授工 程)。
〔圖9〕表示基板之表面之仄他電位的說明圖。
〔圖10〕表示基板液處理方法之流程圖。
在下述中，參閱圖面說明本發明之基板液處理裝置及基板液處理方法的具體構成。
如圖1所示，基板液處理裝置1，係在前端部形成搬入搬出部2。在搬入搬出部2，係搬入及搬出收容了複數片(例如25片)之基板3(在此，係半導體晶圓)的載體4，且左右排列載置。
又，基板液處理裝置1，係在搬入搬出部2的後部形成搬送部5。搬送部5，係在前側配置基板搬送裝置6，且在後側配置基板收授台7。該搬送部5，係在被載置於搬入搬出部2之任一的載體4與基板收授台7之間，使用基板搬送裝置6搬送基板3。
又，基板液處理裝置1，係在搬送部5的後部形成處理部8。處理部8，係在中央處配置前後延伸之基板搬送裝置9，並且在基板搬送裝置9的左右兩側前後地排列配置用於對基板3進行液處理的基板處理裝置10。該處理部8，係在基板收授台7與基板處理裝置10之間，使用基板搬送裝置9搬送基板3，且使用基板處理裝置10進行基板3的液處理。
基板處理裝置10，係如圖2所示，具有：基 板保持部11，用於一邊保持基板3一邊旋轉；第1~第3處理液吐出部12、13、14，用於對基板3吐出處理液；及回收部15，用於回收處理液，且具有用於控制該些的控制部16。
基板保持部11，係在基板處理室17之內部大致中央，旋轉自如地設置上下延伸的旋轉軸18。在旋轉軸18之上端，水平地安裝有圓板狀之旋轉台19。在旋轉台19之外周端緣，係沿圓周方向隔著等間隔安裝有複數個基板保持體20。
又，基板保持部11，係將基板旋轉機構21與基板升降機構22連接於旋轉軸18。該些基板旋轉機構21及基板升降機構22，係藉由控制部16予以旋轉控制或升降控制。
該基板保持部11，係以旋轉台19之基板保持體20而水平地保持基板3。又，基板保持部11，係以基板旋轉機構21使保持於旋轉台19的基板3旋轉，且以基板升降機構22使旋轉台19或基板3升降。
第1處理液吐出部12，係在基板處理室17之左側，旋轉自如地設置上下延伸的旋轉軸23。旋轉軸23之上端，設置有水平延伸的支臂24。在支臂24之前端下部左側，垂直向下地安裝有第1處理液吐出噴嘴(2流體噴嘴)25。在第1處理液吐出噴嘴25，係分別經由流量調整器28、29，連接有：第1處理液供給源26，用於供給作為第1處理液的純水；及惰性氣體供給源27，用於 供給作為惰性氣體的氮氣。該流量調整器28、29，係藉由控制部16予以流量控制。另外，為了在作為第1處理液之純水中防止基板3等帶電，而添加少量二氧化碳等。
又，第1處理液吐出部12，係將噴嘴移動機構30連接於旋轉軸23。該噴嘴移動機構30，係藉由控制部16予以移動控制。
該第1處理液吐出部12，係藉由噴嘴移動機構30，使第1處理液吐出噴嘴25在基板3的中央上方(開始位置)與基板3的左外側方(退避位置)之間移動，且藉由第1處理液吐出噴嘴25，以惰性氣體使第1處理液形成為液滴狀而朝向基板3之表面(上面)進行噴霧。
第2處理液吐出部13，係在支臂24之前端下部右端，垂直向下地安裝第2處理液吐出噴嘴31。在第2處理液吐出噴嘴31，係經由流量調整器33，連接有用於供給作為第2處理液之SC-1(Standard Clean 1)液(過氧化氫與氫氧化銨之混合液)的第2處理液供給源32。該流量調整器33，係藉由控制部16予以流量控制。
該第2處理液吐出部13，係藉由噴嘴移動機構30，使第2處理液吐出噴嘴31在基板3的中央上方(開始位置)與基板3的左外側方(退避位置)之間移動，並且從第2處理液吐出噴嘴31朝向基板3之表面(上面)吐出第2處理液。
第3處理液吐出部14，係在基板處理室17之 右側，旋轉自如地設置上下延伸的旋轉軸34。旋轉軸34之上端，設置有水平延伸的支臂35。在支臂35之前端下部，垂直向下地安裝有第3處理液吐出噴嘴36。在第3處理液吐出噴嘴36，係經由流量調整器38連接有用於供給作為第3處理液之純水的第3處理液供給源37。該流量調整器38，係藉由控制部16予以流量控制。另外，為了在作為第3處理液之純水中防止帶電，而添加少量二氧化碳等的抗靜電劑。
又，第3處理液吐出部14，係將噴嘴移動機構39連接於旋轉軸34。該噴嘴移動機構39，係藉由控制部16予以移動控制。
該第3處理液吐出部14，係藉由噴嘴移動機構39，使第3處理液吐出噴嘴36在基板3的中央上方(開始位置)與基板3的右外側方(退避位置)之間移動，且從第3處理液吐出噴嘴36朝向基板3之表面(上面)吐出第3處理液。
回收部15，係在旋轉台19之周圍配置圓環狀的回收杯體40。在回收杯體40之上端部，形成有比旋轉台19大一圈之尺寸的開口。又，在回收杯體40之下端部，連接有排液管41。
該回收部15，係以回收杯體40來回收被供給至基板3之表面的處理液，且從排液管41向外部排出。另外，回收部15，係在回收杯體40形成複數個回收口，且亦可因應回收之處理液的性質(例如，酸性/中性/鹼性 等)，使回收口不同。
基板液處理裝置1，係如上述所說明予以構成，按照記錄於被設置在控制部16(電腦)之記錄媒體42的各種程式，以控制部16予以控制，而進行基板3的處理。在此，記錄媒體42，係儲存有各種設定資料或程式，且由ROM或RAM等之記憶體或硬碟、CD-ROM、DVD-ROM或軟碟片等之碟片狀記錄媒體等之眾所皆知的記憶裝置所構成。
且，基板液處理裝置1，係按照記錄於記錄媒體42的基板處理程式，如下述進行說明，進行基板3之處理(參閱圖10(a))。
首先，基板液處理裝置1，係如圖3所示，以基板處理裝置10接收由基板搬送裝置9所搬送的基板3(基板接收工程)。
在該基板接收工程中，係藉由基板升降機構22使旋轉台19上升至預定位置。且，在以基板保持體20來水平保持的狀態下，接收從基板搬送裝置9被搬送至基板處理室17之內部的1片基板3。然後，藉由基板升降機構22使旋轉台19下降至預定位置。另外，在基板接收工程中，係事先使第1~第3處理液吐出噴嘴25、31、36退避至比旋轉台19之外周更往外方的退避位置。
接下來，基板液處理裝置1，係如圖4所示，以液滴狀(包含霧狀)的純水來處理基板3的表面(液滴處理工程)。
在液滴處理工程中，係藉由噴嘴移動機構30使支臂24移動，且使第1處理液吐出噴嘴25移動至基板3之中心部上方的供給開始位置。然後，藉由流量調整器28、29，以預定流量的氮氣使預定流量之純水形成為液滴狀，而從第1處理液吐出噴嘴25朝向朝向基板3之表面吐出。然後，藉由噴嘴移動機構30，使第1處理液吐出噴嘴25沿著基板3從中央上方朝向左外側方水平地移動。另外，供給至基板3的純水會被回收杯體40回收，且從排液管41排出至外部。在1第1處理液吐出噴嘴25到達基板3的周緣部之後，藉由流量調整器28、29使純水及氮氣的吐出停止。在液滴處理工程最後，藉由噴嘴移動機構30使支臂24移動，並使第1處理液吐出噴嘴25移動至比基板3之外周更往左外方的退避位置。
在液滴處理工程中，係自處理前可去除附著於基板3之表面的微粒。其另一面，在液滴處理工程中，由於第1處理液(添加有二氧化碳之純水)為酸性，如圖9(a)及(c)模式地表示般，因此，基板3之表面的仄他電位形成為正。在基板處理室17之內部，由於基板3之周圍的浮遊粒子43大多數在負側帶電，因此，會被吸引至基板3的表面。又，由於液滴狀之第1處理液會被噴霧至基板3之表面，因此，在基板3之表面將形成比較薄之純水的液膜45。因此，在液滴處理工程中，微粒43係通過膜厚薄之純水的液膜45，而容易附著於基板3之表面。
接下來，基板液處理裝置1，係如圖5所示，藉由以SC-1液處理基板3之表面的方式，使基板3之表面的仄他電位從正反轉至負(仄他電位反轉處理工程)。
在該仄他電位反轉工程中，係藉由噴嘴移動機構30使支臂24移動，且使第2處理液吐出噴嘴31移動至基板3之中心部上方的供給開始位置。然後，藉由流量調整器33使預定流量之SC-1液從第2處理液吐出噴嘴31朝向基板3之表面中央吐出。另外，供給至基板3的SC-1液會被回收杯體40回收，且從排液管41排出至外部。然後，藉由流量調整器33使洗淨液之吐出停止。在仄他電位反轉處理工程最後，藉由噴嘴移動機構30使支臂24移動，並使第2處理液吐出噴嘴31移動至比基板3之外周更往左外方的退避位置。
在仄他電位反轉處理工程中，由於第2處理液(SC-1液)為鹼性，因此，當在基板3之表面形成矽氮化膜等時，如圖9(a)及(d)模示地表示，基板3之表面的仄他電位將從正反轉為負。此時，仄他電位並不是直接反轉，而是慢慢地反轉。因此，在仄他電位反轉處理工程的初始階段中，基板3之表面係在正側帶電。但是，在仄他電位反轉工程中，由於在基板3之表面形成有比較厚之SC-1液的液膜46，因此，環境中之微粒43並不會附著於基板3之表面，而與SC-1液一起被排出至基板3之外方。然後，由於基板3之表面係在負側帶電，因此，於負側帶電的微粒43會在基板3之表面相互排斥，從而 可剝離已附著於基板3之表面的微粒43。藉此，可抑制微粒43附著於基板3之表面的情形。
接下來，基板液處理裝置1，係如圖6所示，以純水處理基板3之表面(沖洗處理工程)。
在該沖洗處理工程中，係藉由噴嘴移動機構39使支臂35移動，且使第3處理液吐出噴嘴36移動至基板3之中心部上方的供給開始位置。然後，藉由流量調整器38使預定流量的純水從第3處理液吐出噴嘴36朝向基板3之表面中央吐出。另外，供給至基板3的純水會被回收杯體40回收，且從排液管41排出至外部。又，在沖洗處理工程最後，藉由噴嘴移動機構39使支臂35移動，並使第3處理液吐出噴嘴36移動至比基板3之外周更往右外方的退避位置。又，藉由流量調整器38使純水之吐出停止。
在沖洗處理工程中，由於第3處理液(添加有二氧化碳等之抗靜電劑的純水)為酸性，因此，如圖9(a)及(e)模式地表示般，基板3之表面的仄他電位形成為正。然而，由於純水會被供給至基板3之表面，因此，在基板3之表面會形成比較厚之純水的液膜47。因此，在沖洗處理工程中，可抑制微粒43被膜厚較厚之純水的液膜47阻斷而附著於基板3之表面的情形。
接下來，基板液處理裝置1，係如圖7所示，以從基板3之表面去除處理液的方式，進行基板3之乾燥(乾燥處理工程)。
在該乾燥處理工程中，係以藉由基板旋轉機構21，使旋轉台19以預定旋轉速度旋轉的方式，使基板3旋轉。藉此，基板3之表面的純水，係被基板3之旋轉所致之離心力的作用甩開至基板3之外周外方。被甩開的純水會被回收杯體40回收，且從排液管41排出至外部。
最後，基板液處理裝置1，係如圖8所示，將基板3從基板處理裝置10收授到基板搬送裝置9(基板收授工程)。
在該基板收授工程中，係藉由基板旋轉機構21使旋轉台19之旋轉停止，且藉由基板升降機構22使旋轉台19上升至預定位置。且，將在旋轉台19所保持的基板3收授至基板搬送裝置9。然後，藉由基板升降機構22使旋轉台19下降至預定位置。
如上述之說明，在上述基板液處理裝置1中(以基板液處理裝置1所執行之基板液處理方法)，係以含有純水之液滴狀的第1處理液(在此，係酸性之處理液：例如添加有二氧化碳等之抗靜電劑的純水)來處理基板3之表面(液滴處理工程)，然後，以使基板3之表面的仄他電位反轉為負的第2處理液(在此，係鹼性之處理液：例如SC-1液)來處理基板3之表面(仄他電位反轉處理工程)。藉此，在上述基板液處理裝置1中(基板液處理方法)，係可抑制環境中之微粒重新附著於基板3之表面的情形，且可去除已附著之微粒，從而可良好地進行基板3之處理。
在此，本發明，係只要在進行液滴處理工程之後進行仄他電位反轉處理工程即可，如上述基板液處理裝置1般，並不限於在進行液滴處理工程之後立即進行仄他電位反轉處理工程的情形。例如，在進行液滴處理工程後的情況下，有因液滴彼此或液滴與基板3之摩擦而產生靜電且於基板3電荷帶電之虞。當在基板3電荷一旦帶電時，有導致在基板3之表面殘留有接下來所使用之鹼性的處理液(例如SC-1液)等，且基板3之電氣特性(例如洩漏電流之發生等)惡化之虞。於是，如圖10(b)所示，亦可在進行液滴處理工程之後，進行使在基板3帶電之電荷釋放的除電處理工程，然後，進行仄他電位反轉處理工程。作為該除電處理工程，係只要對基板3吐出酸性之處理液等而使在基板3帶電的電荷降低即可，亦可為使用添加有上述二氧化碳等之抗靜電劑的純水而進行的沖洗處理工程。如此一來，在進行液滴處理工程之後，進行除電處理工程，然後，以進行仄他電位反轉處理工程的方式，可更進一步良好地從基板3之表面去除微粒。液滴處理工程後之處理並非以液滴供給處理液，而是以使處理液成為連續之液流予以供給。亦即，各處理液吐出噴嘴並非以液滴吐出處理液，而是以使處理液成為連續的液流予以吐出。
又，本發明，係亦可在液滴處理工程之前，朝向基板3之表面吐出預定流量之SC-1液，然後，吐出液滴狀之第1處理液。在此所指的預定流量，係指所謂的 處理液可覆蓋基板3之表面程度的流量(參閱圖9(b))。藉此，能夠以SC-1液使微粒從基板3之表面剝離，且在接下來的液滴處理工程中從基板3之表面去除微粒。又，作為第1處理液吐出噴嘴25，係只要能夠液滴狀地吐出第1處理液即可，並不限於2流體噴嘴，亦可使用1流體噴嘴。
3‧‧‧基板
10‧‧‧基板處理裝置
11‧‧‧基板保持部
12‧‧‧第1處理液吐出部
13‧‧‧第2處理液吐出部
14‧‧‧第3處理液吐出部
15‧‧‧回收部
16‧‧‧控制部
17‧‧‧基板處理室
18‧‧‧旋轉軸
19‧‧‧旋轉台
20‧‧‧基板保持體
21‧‧‧基板旋轉機構
22‧‧‧基板升降機構
23‧‧‧旋轉軸
24‧‧‧支臂
25‧‧‧第1處理液吐出噴嘴
26‧‧‧第1處理液供給源
27‧‧‧惰性氣體供給源
28‧‧‧流量調整器
29‧‧‧流量調整器
30‧‧‧噴嘴移動機構
31‧‧‧第2處理液吐出噴嘴
32‧‧‧第2處理液供給源
33‧‧‧流量調整器
34‧‧‧旋轉軸
35‧‧‧支臂
36‧‧‧第3處理液吐出噴嘴
37‧‧‧第3處理液供給源
38‧‧‧流量調整器
39‧‧‧噴嘴移動機構
40‧‧‧回收杯體
41‧‧‧排液管
42‧‧‧記錄媒體

Claims (13)

  1. 一種基板液處理裝置，其特徵係，具有：第1處理液吐出部，朝向基板之表面吐出含有純水之液滴狀的第1處理液；及第2處理液吐出部，朝向以前述液滴狀的第1處理液所處理之前述基板的表面，吐出使前述基板之表面的仄他電位反轉為負的第2處理液，且使該第2處理液成為連續之液流，且具有：SC-1液吐出部，朝向前述基板之表面吐出SC-1液，前述第1處理液吐出部，係從SC-1液吐出部朝向前述基板之表面吐出SC-1液之後，吐出前述液滴狀之第1處理液。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，前述第2處理液吐出部，係以前述液滴狀之第1處理液進行處理後立即朝向前述基板的表面，吐出前述第2處理液。
  3. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，使用已添加了二氧化碳的純水作為前述第1處理液，且使用SC-1液作為前述第2處理液。
  4. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中， 使用在表面形成有矽氮化膜的基板作為前述基板。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板液處理裝置，其中，具有：第3處理液吐出部，朝向以前述液滴狀之第1處理液所處理的前述基板之表面，吐出以使在前述基板帶電之電荷釋放的第3處理液，且使該第3處理液成為連續之液流。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板液處理裝置，其中，使用已添加了二氧化碳的純水作為前述第3處理液，且使用SC-1液作為前述第2處理液。
  7. 一種基板液處理方法，其特徵係，以含有純水之液滴狀的第1處理液來處理基板之表面，然後，以使前述基板之表面的仄他電位反轉成負且為連續之液流的第2處理液來處理前述基板的表面，以前述液滴狀之第1處理液來處理前述基板之表面之前，以SC-1液來處理前述基板之表面。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板液處理方法，其中，以前述液滴狀之第1處理液來處理前述基板之表面之後，立即以前述第2處理液處理前述基板之表面。
  9. 如申請專利範圍第7項之基板液處理方法，其中，使用已添加了二氧化碳的純水作為前述第1處理液， 且使用SC-1液作為前述第2處理液。
  10. 如申請專利範圍第7項之基板液處理方法，其中，使用在表面形成有矽氮化膜的基板作為前述基板。
  11. 如申請專利範圍第7項之基板液處理方法，其中，在以液滴狀之第1處理液處理基板之表面之後，以使在前述基板帶電之電荷釋放的第3處理液且為連續之液流來處理前述基板之表面，然後，以前述第2處理液來處理前述基板之表面。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板液處理方法，其中，使用已添加了二氧化碳的純水作為前述第3處理液，且使用SC-1液作為前述第2處理液。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板液處理方法，其中，使用添加有二氧化碳之純水作為前述第1處理液，並且，在以前述第2處理液處理前述基板之表面結束之後，以添加有二氧化碳之純水且為連續之液流予以處理。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20170207079A1 (en) * 2016-01-15 2017-07-20 United Microelectronics Corp. Substrate cleaning method
US10388537B2 (en) 2016-04-15 2019-08-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Cleaning apparatus, chemical mechanical polishing system including the same, cleaning method after chemical mechanical polishing, and method of manufacturing semiconductor device including the same
KR20170128801A (ko) 2016-05-16 2017-11-24 삼성전자주식회사 기판 세정 방법 및 이를 수행하기 위한 장치
JP6980457B2 (ja) * 2017-08-23 2021-12-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
KR20220038223A (ko) 2020-09-18 2022-03-28 삼성전자주식회사 기판 세정 방법 및 그를 포함하는 기판 제조 방법
TW202331909A (zh) * 2021-12-21 2023-08-01 日商東京威力科創股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200739710A (en) * 2006-04-11 2007-10-16 Dainippon Screen Mfg Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20100124823A1 (en) * 2008-11-20 2010-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Novel method for removing dummy poly in a gate last process

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100202761B1 (ko) * 1995-06-09 1999-06-15 니시무로 타이죠 반도체 기판의 세정 방법 및 세정 장치
US6348289B1 (en) * 1999-08-03 2002-02-19 Advanced Micro Devices, Inc. System and method for controlling polysilicon feature critical dimension during processing
US7364625B2 (en) * 2000-05-30 2008-04-29 Fsi International, Inc. Rinsing processes and equipment
JP4046486B2 (ja) * 2001-06-13 2008-02-13 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 洗浄水及びウエハの洗浄方法
JP4053800B2 (ja) * 2002-03-25 2008-02-27 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
US6852173B2 (en) * 2002-04-05 2005-02-08 Boc, Inc. Liquid-assisted cryogenic cleaning
JP4702920B2 (ja) * 2002-11-12 2011-06-15 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP4312542B2 (ja) * 2003-07-29 2009-08-12 東京エレクトロン株式会社 ２流体ノズル装置、洗浄処理装置、およびミスト発生方法
EP1801859A4 (en) * 2004-09-30 2009-02-11 Shinetsu Handotai Kk SOI WAFER CLEANING METHOD
US7767026B2 (en) * 2005-03-29 2010-08-03 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2006286665A (ja) * 2005-03-31 2006-10-19 Toshiba Corp 電子デバイス洗浄方法及び電子デバイス洗浄装置
KR100682538B1 (ko) * 2006-02-07 2007-02-15 삼성전자주식회사 반도체 웨이퍼 세정설비 및 세정방법
JP2007311559A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
JP2008226900A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板洗浄方法、半導体装置の製造方法及び基板洗浄装置。
CN101884092A (zh) * 2007-12-04 2010-11-10 三菱化学株式会社 半导体器件用基板的清洗方法及清洗液
US20100258142A1 (en) * 2009-04-14 2010-10-14 Mark Naoshi Kawaguchi Apparatus and method for using a viscoelastic cleaning material to remove particles on a substrate
KR101044409B1 (ko) * 2009-05-27 2011-06-27 세메스 주식회사 기판 세정 방법
JP2011192779A (ja) * 2010-03-15 2011-09-29 Kurita Water Ind Ltd 電子材料の洗浄方法および洗浄システム
WO2012078580A1 (en) * 2010-12-10 2012-06-14 Fsi International, Inc. Process for selectively removing nitride from substrates
KR101907510B1 (ko) * 2011-11-07 2018-10-16 삼성전자주식회사 기판 세척 방법 및 기판 세척 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200739710A (en) * 2006-04-11 2007-10-16 Dainippon Screen Mfg Substrate processing method and substrate processing apparatus
US20100124823A1 (en) * 2008-11-20 2010-05-20 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Novel method for removing dummy poly in a gate last process

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