TWI612558B - 基板處理裝置及基板處理方法以及記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體 - Google Patents

基板處理裝置及基板處理方法以及記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體 Download PDF

Info

Publication number
TWI612558B
TWI612558B TW104112699A TW104112699A TWI612558B TW I612558 B TWI612558 B TW I612558B TW 104112699 A TW104112699 A TW 104112699A TW 104112699 A TW104112699 A TW 104112699A TW I612558 B TWI612558 B TW I612558B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
liquid
processing
processing liquid
replacement
Prior art date
Application number
TW104112699A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201604933A (zh
Inventor
Kazuyoshi Shinohara
Yuki Yoshida
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tokyo Electron Ltd filed Critical Tokyo Electron Ltd
Publication of TW201604933A publication Critical patent/TW201604933A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI612558B publication Critical patent/TWI612558B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B08B3/024—Cleaning by means of spray elements moving over the surface to be cleaned
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
    • B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B15/00—Machines or apparatus for drying objects with progressive movement; Machines or apparatus with progressive movement for drying batches of material in compact form
    • F26B15/02—Machines or apparatus for drying objects with progressive movement; Machines or apparatus with progressive movement for drying batches of material in compact form with movement in the whole or part of a circle
    • F26B15/04—Machines or apparatus for drying objects with progressive movement; Machines or apparatus with progressive movement for drying batches of material in compact form with movement in the whole or part of a circle in a horizontal plane
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F26—DRYING
    • F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
    • F26B21/00—Arrangements or duct systems, e.g. in combination with pallet boxes, for supplying and controlling air or gases for drying solid materials or objects
    • F26B21/004—Nozzle assemblies; Air knives; Air distributors; Blow boxes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02296—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer
    • H01L21/02299—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment
    • H01L21/02307—Forming insulating materials on a substrate characterised by the treatment performed before or after the formation of the layer pre-treatment treatment by exposure to a liquid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

抑制水印的發生和微粒的殘存，將基板的處理 可良好地進行。
在本發明中，具備：將基板(3)一邊保持一 邊旋轉的基板旋轉部(11)、及朝前述基板(3)供給處理液的處理液供給部(13)、及將與從前述處理液供給部(13)被供給的前述處理液置換的置換液供給至前述基板(3)的置換液供給部(14)，藉由前述基板旋轉部(11)使前述基板(3)旋轉，藉由前述處理液供給部(13)朝前述基板(3)供給前述處理液，其後，藉由前述置換液供給部(14)朝前述基板(3)供給前述置換液，並且朝從前述置換液供給部(14)被供給的置換液的靠前述基板(3)的外周側從前述處理液供給部(13)將前述處理液補給而形成處理液的液膜。

Description

基板處理裝置及基板處理方法以及記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體
本發明，是有關於將基板上的處理液除去進行基板的乾燥的基板處理裝置及基板處理方法以及記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體者。
以往，製造半導體零件和平面顯示器等時，使用基板處理裝置對於半導體晶圓和液晶基板等的基板施加洗淨和蝕刻等的各種的液處理。
例如，在進行基板的洗淨的基板處理裝置中，朝向旋轉的基板供給洗淨用的藥液，將基板的表面由藥液洗淨處理。其後，朝基板的中央部供給清洗液，將基板的表面由清洗液清洗處理。在此清洗處理中，將基板的表面清洗處理用的處理液(例如純水)供給至基板，在基板的表面使形成處理液的液膜。其後，停止處理液的供給，進行將揮發性比處理液更高的乾燥用液(例如IPA(異丙醇))供給至基板的中央部將形成於基板的表面的處理液的液膜與乾燥用液置換的置換處理。在此置換處理 中，處理液是從基板的中央部朝向外周側被置換成乾燥用液，且在基板的表面形成乾燥用液的液膜。其後，藉由朝向乾燥用液將惰性氣體(例如氮氣體)吹附同時由旋轉的基板所產生的離心力將乾燥用液從基板的表面朝外側方擺脫，使基板的表面乾燥。
如此在習知的基板處理裝置中，進行基板的乾燥時，朝基板的表面供給處理液並形成處理液的液膜，在停止處理液的供給之後藉由開始乾燥用液的供給，將形成於基板的表面的處理液的液膜置換成乾燥用液(例如專利文獻1參照)。
[習知技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2010-45389號公報
但是在上述習知的基板處理裝置中，在基板的表面形成處理液的液膜時，由基板的旋轉所產生的離心力會作用在處理液的液膜。其離心力，是基板的外周側比基板的中央部更大。因此，從處理液的供給切換至乾燥用液的供給時在基板的表面形成乾燥用液的液膜之前形成於基板的外周側的處理液的液膜會朝基板的外側方被擺脫使液膜成為中斷的狀態。尤其是，基板的表面被疏水化的情 況時會顯著地出現。
且如第13圖意示，在基板的內周側(與一點鎖線顯示的基板同心圓狀(從基板的中心的規定半徑)的圓形領域內)，形成有乾燥溶液的液膜，在基板的外周側，乾燥用液的液膜會中斷。如此乾燥用液的液膜是中斷的話會形成乾燥用液的液滴，氣氛中的物質(例如氨)會溶入液滴，直接乾燥的話會在基板的表面發生水印且微粒有可能殘存。
如此，在習知的基板處理裝置中，供給置換液時無法在基板的表面整體將處理液的液膜保持，無法將基板良好地處理。
又，供給置換液時雖也考慮藉由降低基板的旋轉速度來減小離心力將處理液的液膜保持，但是具有處理時間變長，基板處理裝置的處理量(能力)低減等的問題。
在此，在本發明中，基板處理裝置，具備：將基板一邊保持一邊旋轉的基板旋轉部、及朝前述基板供給處理液的處理液供給部、及將與從前述處理液供給部被供給的前述處理液置換的置換液供給至前述基板的置換液供給部，朝從前述置換液供給部被供給的置換液的靠前述基板的外周側，從前述處理液供給部補給前述處理液而形成處理液的液膜。
且前述處理液供給部及置換液供給部，是在前述基板的表面整體形成前述處理液及置換液的液膜，前述處理液供給部，是將形成於前述置換液的液膜的靠前述基板的外周側部分的前述處理液的液膜保持的方式補給前述處理液。
且前述置換液供給部，是朝向前述基板的中央部上方供給前述置換液，前述處理液供給部，是一邊朝向前述基板的外圓周方向移動一邊補給前述處理液。
且前述處理液供給部，是由前述基板的周緣部停止前述處理液的補給。
且前述處理液供給部，是具有：朝向前述基板的中央部上方供給前述處理液的處理液供給噴嘴、及朝前述置換液的靠前述基板的外周側將前述處理液補給的處理液補給噴嘴。
且前述處理液供給部，是補給比從前述處理液供給部供給的前述處理液的流量更少的流量的前述處理液。
且前述處理液供給部，是在從前述置換液供給部開始朝前述基板的前述置換液的供給之前開始前述處理液的補給。
且前述處理液供給部，是即使不補給處理液的情況也使置換液的液膜朝與基板形成同心圓狀的圓形領域內補給處理液。
且基板處理方法，具有：朝旋轉的基板供給 處理液的處理液供給過程、及將置換被供給至前述基板的前述處理液用的置換液供給至基板並形成置換液的液膜的置換液供給過程、及朝被供給至前述基板的前述置換液的靠前述基板的外周側將前述處理液補給而形成處理液的液膜的處理液補給過程。
且在前述處理液供給過程中，在前述基板的表面整體形成前述處理液的液膜，在前述處理液補給過程中，將形成於前述置換液的靠前述基板的外周側部分的前述處理液的液膜保持。
且在前述置換液供給過程中，朝向前述基板的中央部上方供給前述置換液，在前述處理液補給過程中，一邊朝向前述基板的外圓周方向移動一邊補給前述處理液。
且在前述處理液補給過程中，補給比由前述處理液供給過程中供給的前述處理液的流量更少的流量的前述處理液。
且前述處理液補給過程，是在由前述置換液供給過程開始朝前述基板的前述置換液的供給之前開始前述處理液的補給。
且記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體，是使用基板處理裝置，其具有，將基板一邊保持一邊旋轉的基板旋轉部、及朝前述基板供給處理液的處理液供給部、及將與從前述處理液供給部被供給的前述處理液置換的置換液供給至前述基板的置換液供給部，藉由前述 基板旋轉部使前述基板旋轉，藉由前述處理液供給部朝前述基板供給前述處理液，其後，藉由前述置換液供給部朝前述基板供給前述置換液使形成置換液的液膜，並且藉由前述處理液供給部朝前述置換液的靠前述基板的外周側將前述處理液補給而形成處理液的液膜。
在本發明中，不需要將基板處理裝置的處理量(能力)下降，就可以抑制水印的發生和微粒的殘存，可以將基板的處理良好地進行。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧搬入出部
3‧‧‧基板
4‧‧‧載體
5‧‧‧搬運部
6‧‧‧基板搬運裝置
7‧‧‧基板交付台
8‧‧‧處理部
9‧‧‧基板搬運裝置
10‧‧‧基板液處理裝置
11‧‧‧基板旋轉部
12‧‧‧藥液供給部
13‧‧‧處理液供給部
14‧‧‧置換液供給部
15‧‧‧惰性氣體供給部
16‧‧‧處理液補給部
17‧‧‧回收部
18‧‧‧控制部
19‧‧‧基板處理室
20‧‧‧旋轉軸
21‧‧‧旋轉台
22‧‧‧基板保持體
23‧‧‧基板旋轉機構
24‧‧‧基板昇降機構
25‧‧‧導軌
26‧‧‧臂
27‧‧‧藥液、處理液供給噴嘴
28‧‧‧藥液供給源
29‧‧‧流量調整器
30‧‧‧噴嘴移動機構
31‧‧‧處理液供給源
32‧‧‧流量調整器
33‧‧‧置換液供給噴嘴
34‧‧‧置換液供給源
35‧‧‧流量調整器
36‧‧‧導軌
37‧‧‧臂
38‧‧‧惰性氣體供給噴嘴
39‧‧‧惰性氣體供給噴嘴
40‧‧‧惰性氣體供給源
41‧‧‧流量調整器
42‧‧‧流量調整器
43‧‧‧噴嘴移動機構
44‧‧‧處理液補給噴嘴
45‧‧‧處理液補給源
46‧‧‧流量調整器
47‧‧‧回收杯
48‧‧‧漏部
49‧‧‧記錄媒體
[第1圖]顯示基板處理裝置的俯視圖。
[第2圖]顯示基板液處理裝置的側面剖面圖。
[第3圖]同俯視圖。
[第4圖]顯示基板處理程式的流程圖。
[第5圖]基板處理裝置的動作說明圖(基板收取過程、基板交付過程)。
[第6圖]基板處理裝置的動作說明圖(藥液供給過程)。
[第7圖]基板處理裝置的動作說明圖(處理液供給過程)。
[第8圖]基板處理裝置的動作說明圖(處理液補給過 程)。
[第9圖]基板處理裝置的動作說明圖(處理液補給過程)。
[第10圖]基板處理裝置的動作說明圖(置換液供給過程)。
[第11圖]基板處理裝置的動作說明圖(惰性氣體供給過程)。
[第12圖]基板處理裝置的動作說明圖(惰性氣體供給過程)。
[第13圖]顯示形成於基板的液膜的狀態的意示圖。
以下，對於本發明的基板處理裝置及基板處理方法的具體的構成一邊參照圖面一邊說明。
如第1圖所示，基板處理裝置1，是在前端部形成搬入出部2。在搬入出部2中，收容了複數枚(例如25枚)的基板3(在此為半導體晶圓)的載體4是被搬入及搬出，並左右並列地被載置。
且基板處理裝置1，是在搬入出部2的後部形成搬運部5。搬運部5，是在前側配置基板搬運裝置6，並且在後側配置基板交付台7。在此搬運部5中，在與被載置於搬入出部2的其中任一的載體4及基板交付台7之間使用基板搬運裝置6將基板3搬運。
且基板處理裝置1，是在搬運部5的後部形成 處理部8。處理部8，是在中央配置前後延伸的基板搬運裝置9，並且在基板搬運裝置9的左右兩側前後並列配置將基板3液處理用的基板液處理裝置10。在此處理部8中，在基板交付台7及基板液處理裝置10之間使用基板搬運裝置9將基板3搬運，使用基板液處理裝置10進行基板3的液處理。
基板液處理裝置10，是如第2圖及第3圖所示，具有基板旋轉部11及藥液供給部12及處理液供給部13及置換液供給部14及惰性氣體供給部15及處理液補給部16及回收部17，將這些由控制部18控制。在此，基板旋轉部11，是將基板3一邊保持一邊旋轉。藥液供給部12，是朝基板3供給洗淨用的藥液。處理液供給部13，是朝基板3供給清洗用的處理液(例如純水)。置換液供給部14，是朝基板3供給置換液(在此為揮發性比處理液更高的乾燥用液，例如，IPA)。惰性氣體供給部15，是朝基板3供給惰性氣體。處理液補給部16，是朝置換液的靠基板3的外周側將處理液輔助地供給(補給)者，與處理液供給部13同樣地作為朝基板3供給處理液的處理液供給部功能。回收部17，是將藥液和處理液和置換液等回收。
基板旋轉部11，是在基板處理室19的內部大致中央將上下延伸的旋轉軸20設成可旋轉自如。在旋轉軸20的上端，圓板狀的旋轉台21是被安裝成水平。3個基板保持體22是在圓周方向隔有等間隔地被安裝在旋轉 台21的外周端緣。
且基板旋轉部11，是將基板旋轉機構23及基板昇降機構24與旋轉軸20連接。這些的基板旋轉機構23及基板昇降機構24，是由控制部18被旋轉控制和昇降控制。
此基板旋轉部11，是由旋轉台21的基板保持體22將基板3保持水平。且，基板旋轉部11，是由基板旋轉機構23將保持在旋轉台21的基板3旋轉，由基板昇降機構24將旋轉台21和基板3昇降。
藥液供給部12，是在基板處理室19設置左右水平延伸的導軌25，將前後水平延伸的臂26可左右移動自如地設在導軌25。在臂26的先端下部左側中，將藥液、處理液供給噴嘴27垂直朝下方地安裝。供給洗淨用的藥液用的藥液供給源28是透過流量調整器29被連接在藥液、處理液供給噴嘴27。此流量調整器29，是由控制部18被流量控制。
且藥液供給部12，是將第1噴嘴移動機構30連接在臂26。此第1噴嘴移動機構30，是由控制部18被移動控制。
處理液供給部13，是將朝藥液、處理液供給噴嘴27供給作為處理液的清洗液用的處理液供給源31透過流量調整器32連接。此流量調整器32，是由控制部18被流量控制。
這些的藥液供給部12及處理液供給部13，是 藉由第1噴嘴移動機構30將藥液、處理液供給噴嘴27在基板3的中央上方(開始位置)及基板3的左外側方(退避位置)之間可移動，可以朝向基板3的表面(上面)將洗淨用的藥液和清洗用的處理液吐出。又，在此，雖從藥液、處理液供給噴嘴27將藥液及處理液選擇性地吐出，但是將藥液及處理液各別從各噴嘴吐出也可以。
置換液供給部14，是在臂26的先端下部右側將置換液供給噴嘴33垂直朝下方地安裝。在置換液供給噴嘴33中，供給置換液用的置換液供給源34是透過流量調整器35被連接。此流量調整器35，是由控制部18被流量控制。
此置換液供給部14，是藉由第1噴嘴移動機構30將置換液供給噴嘴33在基板3的中央上方(開始位置)及基板3的左外側方(退避位置)之間可移動，可以朝向基板3的表面(上面)將置換液吐出。
惰性氣體供給部15，是在基板處理室19設置左右水平延伸的導軌36，將前後水平延伸的臂37可左右移動自如地設在導軌36。在臂37的先端下部中央中，第1惰性氣體供給噴嘴38是被安裝成垂直朝下方(向下)。且，在臂37的先端下部左側中，第2惰性氣體供給噴嘴39是從上方朝向下方右側被傾斜地安裝。在第1及第2惰性氣體供給噴嘴38、39中，供給惰性氣體(例如氮氣體)用的惰性氣體供給源40是各別透過流量調整器41、42被連接。此流量調整器41、42，是由控制部18 被流量控制。
且惰性氣體供給部15，是將第2噴嘴移動機構43連接在臂37。此第2噴嘴移動機構43，是由控制部18被移動控制。
此惰性氣體供給部15，是藉由第2噴嘴移動機構43將第1及第2惰性氣體供給噴嘴38、39在基板3的中央上方(開始位置)及基板3的右外側方(退避位置)之間可移動，可以朝向基板3的表面(上面)將惰性氣體吐出。此時，從第1惰性氣體供給噴嘴38，將惰性氣體朝基板3的表面垂直朝下方地吐出。另一方面，從第2惰性氣體供給噴嘴39，將惰性氣體朝基板3的表面從上方朝向外周側傾斜狀地吐出。
處理液補給部16，是在臂37的先端下部右側將處理液補給噴嘴44垂直朝下方地安裝。在處理液補給噴嘴44中，透過流量調整器46連接補給處理液用的處理液補給源45。此流量調整器46，是由控制部18被流量控制。又，在此，雖將處理液補給源45及處理液供給源31個別使用者，但是使用同一者(共用)也可以。
此處理液補給部16，是藉由第2噴嘴移動機構43將處理液補給噴嘴44在基板3的中央上方(開始位置)及基板3的右外側方(退避位置)之間可移動，可以朝向基板3的表面(上面)將處理液吐出。
回收部17，是在旋轉台21的周圍配置圓環狀的回收杯47。在回收杯47的上端部，形成比旋轉台21 更大一圈尺寸的開口。且，在回收杯47的下端部，將漏部48連接。
此回收部17，是將被供給至基板3的表面的處理液和置換液等由回收杯47回收，從漏部48朝外部排出。
基板處理裝置1，是如以上說明地構成，依據被記錄在設在控制部18(電腦)中的記錄媒體49的各種的程式由控制部18被控制，進行基板3的處理。在此，記錄媒體49，是容納各種的設定資料和程式，由ROM和RAM等的記憶體、和硬碟(HD)、CD-ROM、DVD-ROM和軟碟(FD)等的碟片狀記錄媒體等的公知者構成。
且基板處理裝置1，是依據被記錄在記錄媒體49的基板處理程式(第4圖參照)進行如以下說明的基板3的處理。
首先，基板處理裝置1，是如第5圖所示，將藉由基板搬運裝置9被搬運的基板3由基板液處理裝置10收取(基板收取過程)。
在此基板收取過程中，控制部18，是藉由基板昇降機構24將旋轉台21上昇至規定位置為止。且，將從基板搬運裝置9朝基板處理室19的內部被搬運的1枚的基板3由基板保持體22在水平保持的狀態下收取。其後，藉由基板昇降機構24將旋轉台21降下至規定位置為止。又，在基板收取過程中，將藥液、處理液供給噴嘴27、置換液供給噴嘴33、第1及第2惰性氣體供給噴嘴 38、39、處理液補給噴嘴44退避至旋轉台21的外周的靠外方的退避位置。
接著，基板處理裝置1，是如第6圖所示，朝基板3的表面供給藥液進行基板3的洗淨處理(藥液供給過程)。
在此藥液供給過程中，控制部18，是藉由第1噴嘴移動機構30將臂26移動使藥液、處理液供給噴嘴27配置於基板3的中心部上方的供給開始位置。且，藉由基板旋轉機構23由規定的旋轉速度將旋轉台21旋轉而使基板3旋轉。其後，將藉由流量調整器29由規定流量被流量控制的藥液從藥液、處理液供給噴嘴27朝向基板3的表面吐出。又，被供給至基板3的藥液是由回收杯47被回收從漏部48朝外部被排出。其後，藉由流量調整器29停止藥液的吐出。
接著，基板處理裝置1，是如第7圖所示，朝基板3的表面供給處理液進行基板3的清洗處理(處理液供給過程)。
在此處理液供給過程中，控制部18，是在將藥液、處理液供給噴嘴27維持在基板3的中心部上方的狀態下，將藉由流量調整器32由規定流量被流量控制的處理液從藥液、處理液供給噴嘴27朝向基板3的表面吐出。由此，在基板3的表面形成有處理液的液膜。此處理液的液膜是成為形成於基板3的表面的狀態的方式調整處理液的吐出流量。又，被供給至基板3的處理液是由回收 杯47被回收從漏部48朝外部被排出。
接著，基板處理裝置1，是如第8圖~第10圖所示，與朝基板3的表面將處理液輔助地供給(補給)(處理液補給過程)同時，朝基板3的表面供給置換液進行基板3的置換處理(置換液供給過程)。
在處理液補給過程的開始時，如第8圖所示，從藥液、處理液供給噴嘴27繼續進行朝基板3的中央部上方的處理液的供給，並且從處理液補給噴嘴44朝向基板3的外周部上方補給與從藥液、處理液供給噴嘴27被吐出的處理液同種的處理液。即，控制部18，是將藉由流量調整器32由規定流量被流量控制的處理液從藥液、處理液供給噴嘴27朝向基板3的中央部上方吐出。且，藉由第2噴嘴移動機構43將臂37移動將處理液補給噴嘴44配置於基板3的中心部的靠外周部上方的供給開始位置。其後，將藉由流量調整器46由規定流量被流量控制的處理液從處理液補給噴嘴44朝向基板3的表面吐出。由此，形成於基板3的表面的處理液的液膜被保持。此時，將從處理液補給噴嘴44補給的處理液的流量比從藥液、處理液供給噴嘴27供給的處理液的流量更減少，防止處理液在基板3的表面飛散。又，被供給至基板3的處理液是由回收杯47被回收從漏部48朝外部被排出。
處理液補給過程開始之後，如第9圖所示，終了處理液供給過程，開始置換液供給過程。即，控制部18，是藉由第1噴嘴移動機構30將臂26移動將置換液供 給噴嘴33配置於基板3的中心部上方的供給開始位置。其後，藉由流量調整器32停止處理液的吐出，並且將藉由流量調整器35由規定流量被流量控制的置換液從置換液供給噴嘴33朝向基板3的表面垂直朝下方地吐出。
置換液供給過程開始且按規定的時間供給處理液之後，如第10圖所示，終了處理液補給過程。即，控制部18，是藉由第2噴嘴移動機構43停止臂37(處理液補給噴嘴44)的移動，並且藉由流量調整器46停止處理液的吐出。置換液是從置換液供給噴嘴33朝基板3吐出。由此，在基板3的表面形成置換液的液膜。又，被供給至基板3的置換液是由回收杯47被回收從漏部48朝外部被排出。
如此，供給置換液時，不將處理液的供給停止藉由將處理液朝置換液的供給位置的靠基板3的外周側補給，藉由離心力的作用使處理液和置換液的液膜在基板3的表面不會成為中斷的狀態，可以在基板3的表面保持(持續形成)處理液和置換液的液膜。由此，可以在基板3的表面抑制由液滴狀的置換液殘留所起因的水印的發生和微粒的殘存。如習知供給置換液時不補給處理液的情況時，如第13圖意示，在基板3的內周側(與由一點鎖線顯示的基板同心圓狀(從基板的中心的規定半徑)的圓形領域內)，雖形成置換液的液膜，但在基板的外周側，置換液的液膜會中斷。在此，即使不補給處理液的情況也使置換液的液膜朝與基板形成同心圓狀的圓形領域內補給處 理液較佳。由此，在基板的外周側也可以保持置換液的液膜。又，置換液供給過程，是在處理液補給過程之前開始也可以，與處理液補給過程同時開始也可以。且，在處理液補給過程中，藉由第2噴嘴移動機構43將處理液補給噴嘴44沿著基板3朝向右外側方水平移動也可以。由此，可以更確實地進行液膜的保持。
接著，基板處理裝置1，是朝基板3吹附惰性氣體從基板3的表面將置換液除去進行基板3的乾燥處理(惰性氣體供給過程)。此惰性氣體供給過程，是具有：只有在基板3的中央部將惰性氣體吹附將基板3的中央部部分地乾燥的中央部乾燥處理過程、及從基板3的中央部朝外周側一邊移動一邊將惰性氣體吹附從基板3的中央部朝外周側漸漸地將整體乾燥的外周部乾燥處理過程。
在中央部乾燥處理過程中，如第11圖所示，控制部18，是一邊藉由第1噴嘴移動機構30將置換液供給噴嘴33沿著基板3朝向左外側方水平移動，一邊將藉由流量調整器35由規定流量被流量控制的置換液從置換液供給噴嘴33朝向基板3的表面垂直朝下方地吐出。且，藉由第2噴嘴移動機構43將臂37移動使第1惰性氣體供給噴嘴38朝基板3的中心部上方的供給開始位置移動。其後，將藉由流量調整器41由規定流量被流量控制的惰性氣體從第1惰性氣體供給噴嘴38朝向基板3的表面垂直朝下方地吐出。此時，不將第2噴嘴移動機構43驅動，將第1惰性氣體供給噴嘴38停止於基板3的中央 上方。在此中央部乾燥處理過程中，從停止於基板3的中央上方的第1惰性氣體供給噴嘴38朝向基板3的中央部垂直朝下方地使惰性氣體被吐出。因此，形成於基板3的表面的置換液的液膜是只有基板3的中央部朝外周側被除去，只有基板3的中央部是成為部分地乾燥的狀態。
其後，在外周部乾燥處理過程中，如第12圖所示，控制部18，是藉由流量調整器41停止來自第1惰性氣體供給噴嘴38的惰性氣體的吐出之後，藉由第2噴嘴移動機構43將臂37移動使第2惰性氣體供給噴嘴39朝基板3的中心部上方的供給開始位置移動。其後，將藉由流量調整器42由規定流量被流量控制的惰性氣體從第2惰性氣體供給噴嘴39朝基板3的表面從基板3的上方朝向外側方傾斜狀吐出。此時，藉由第2噴嘴移動機構43將第2惰性氣體供給噴嘴39沿著基板3從基板3的中心朝向右側的周緣部水平移動。且，一邊藉由第1噴嘴移動機構30將置換液供給噴嘴33沿著基板3朝向左外側方水平移動，一邊將藉由流量調整器35由規定流量被流量控制的置換液從置換液供給噴嘴33朝向基板3的表面垂直朝下方地吐出。其後，藉由流量調整器35、42停止置換液及惰性氣體的吐出。停止置換液及惰性氣體的吐出之後經過規定時間後，藉由基板旋轉機構23停止基板3(旋轉台21)的旋轉。在外周部乾燥處理過程的最後，藉由第1噴嘴移動機構30將臂26移動使置換液供給噴嘴33朝基板3的外周的靠左外方的退避位置移動。且，藉 由第2噴嘴移動機構43將臂37移動使第1及第2惰性氣體供給噴嘴38、39朝基板3的外周的靠右外方的退避位置移動。
最後，基板處理裝置1，是如第5圖所示，將基板3從基板液處理裝置10朝基板搬運裝置9交付(基板交付過程)。
在此基板交付過程中，控制部18，是藉由基板昇降機構24將旋轉台21上昇至規定位置為止。且，將由旋轉台21保持的基板3朝基板搬運裝置9交付。其後，藉由基板昇降機構24將旋轉台21降下至規定位置為止。
又，在上述基板處理裝置1中，雖將處理液供給部13及處理液補給部16各別設在臂26、37，但是不限定於此，將這些形成於一隻臂也可以。且，雖將藥液供給部12及處理液供給部13形成於一隻臂26，但是將這些形成於各臂也可以。且，雖在惰性氣體供給部15設置第1惰性氣體供給噴嘴38及第2惰性氣體供給噴嘴39，但是只有其中任一個也可以。且，處理液的補給雖是置換液的供給位置的靠基板3的外周側即可，但是依據處理液的補給位置(處理液補給噴嘴44的位置)及置換液的供給位置(置換液供給噴嘴33的位置)之間的間隔、和處理液的補給流量及置換液的供給流量、和基板3的旋轉速度等的條件，在基板3的表面有可能發生由處理液和置換液衝突所產生的飛散。因此，在不會產生處理液和置 換液的飛散的條件的範圍預先由實驗等決定好，在該範圍內適宜設定較佳。進一步，在上述基板處理裝置1中，在清洗處理後進行置換處理的情況時將處理液補給形成處理液的液膜，但是不限定於此，將基板3由處理液(疏水性液體)疏水化處理之後，將處理液(疏水性液體)置換成置換液進行的置換處理的情況等也可以適用。
如以上說明，在上述基板處理裝置1(由基板處理裝置1實行的基板處理方法及基板處理程式)中，朝旋轉的基板3供給處理液且在基板3的表面整體形成處理液的液膜，朝基板3供給置換液時，朝置換液的靠基板3的外周側將處理液補給將處理液的液膜保持。如此，因為藉由補給處理液不需要減少基板3的旋轉數就可將基板3的表面的處理液的液膜保持，不需要將基板處理裝置1的處理量(能力)下降，就可以抑制水印的發生和微粒的殘存，可以將基板3的處理良好地進行。且，為了確實形成置換液的液膜，考慮將置換液的流量增加，但是藉由如本實施例實施不需增加置換液的消耗量就可形成液膜。
3‧‧‧基板
10‧‧‧基板液處理裝置
11‧‧‧基板旋轉部
12‧‧‧藥液供給部
13‧‧‧處理液供給部
14‧‧‧置換液供給部
15‧‧‧惰性氣體供給部
16‧‧‧處理液補給部
17‧‧‧回收部
18‧‧‧控制部
19‧‧‧基板處理室
20‧‧‧旋轉軸
21‧‧‧旋轉台
22‧‧‧基板保持體
23‧‧‧基板旋轉機構
24‧‧‧基板昇降機構
25‧‧‧導軌
26‧‧‧臂
27‧‧‧藥液、處理液供給噴嘴
28‧‧‧藥液供給源
29‧‧‧流量調整器
30‧‧‧噴嘴移動機構
31‧‧‧處理液供給源
32‧‧‧流量調整器
33‧‧‧置換液供給噴嘴
34‧‧‧置換液供給源
35‧‧‧流量調整器
36‧‧‧導軌
37‧‧‧臂
38‧‧‧惰性氣體供給噴嘴
39‧‧‧惰性氣體供給噴嘴
40‧‧‧惰性氣體供給源
41‧‧‧流量調整器
42‧‧‧流量調整器
43‧‧‧噴嘴移動機構
44‧‧‧處理液補給噴嘴
45‧‧‧處理液補給源
46‧‧‧流量調整器
47‧‧‧回收杯
48‧‧‧漏部
49‧‧‧記錄媒體

Claims (12)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵為，具備：將基板一邊保持一邊旋轉的基板旋轉部、及朝前述基板供給處理液的處理液供給部、及將與從前述處理液供給部被供給的前述處理液置換的置換液供給至前述基板的置換液供給部，朝從前述置換液供給部被供給的置換液的靠前述基板的外周側從前述處理液供給部將前述處理液補給而形成處理液的液膜，前述處理液供給部，具有：朝向前述基板的中央部上方供給前述處理液的處理液供給噴嘴、及朝前述置換液的靠前述基板的外周側將前述處理液補給的處理液補給噴嘴。
  2. 一種基板處理裝置，其特徵為，具備：將基板一邊保持一邊旋轉的基板旋轉部、及朝前述基板供給處理液的處理液供給部、及將與從前述處理液供給部被供給的前述處理液置換的置換液供給至前述基板的置換液供給部，朝從前述置換液供給部被供給的置換液的靠前述基板的外周側從前述處理液供給部將前述處理液補給而形成處理液的液膜，前述處理液供給部，是補給比從前述處理液供給部供給的前述處理液的流量更少的流量的前述處理液。
  3. 如申請專利範圍第1或2項的基板處理裝置，其 中，前述處理液供給部及置換液供給部，是在前述基板的表面整體形成前述處理液及置換液的液膜，前述處理液供給部，是將形成於前述置換液的液膜的靠前述基板的外周側部分之前述處理液的液膜保持的方式將前述處理液補給。
  4. 如申請專利範圍第1或2項的基板處理裝置，其中，前述置換液供給部，是朝向前述基板的中央部上方供給前述置換液，前述處理液供給部，是朝向前述基板的外圓周方向一邊移動一邊補給前述處理液。
  5. 如申請專利範圍第4項的基板處理裝置，其中，前述處理液供給部，是由前述基板的周緣部停止前述處理液的補給。
  6. 如申請專利範圍第1或2項的基板處理裝置，其中，前述處理液供給部，是在從前述置換液供給部開始朝前述基板的前述置換液的供給之前開始前述處理液的補給。
  7. 如申請專利範圍第1或2項的基板處理裝置，其中，前述處理液供給部，是在不補給處理液的情況使置換液的液膜朝與基板形成同心圓狀的圓形領域內補給處理 液。
  8. 一種基板處理方法，其特徵為，具有：朝旋轉的基板供給處理液的處理液供給過程、及將置換被供給至前述基板的前述處理液用的置換液供給至基板並形成置換液的液膜的置換液供給過程、及朝被供給至前述基板的前述置換液的靠前述基板的外周側補給前述處理液而形成處理液的液膜的處理液補給過程，在前述處理液補給過程中，補給比由前述處理液供給過程供給的前述處理液的流量更少的流量的前述處理液。
  9. 如申請專利範圍第8項的基板處理方法，其中，在前述處理液供給過程中，在前述基板的表面整體形成前述處理液的液膜，在前述處理液補給過程中，將形成於前述置換液的靠前述基板的外周側部分的前述處理液的液膜保持。
  10. 如申請專利範圍第8或9項的基板處理方法，其中，在前述置換液供給過程中，朝向前述基板的中央部上方供給前述置換液，在前述處理液補給過程中，朝向前述基板的外圓周方向一邊移動一邊補給前述處理液。
  11. 如申請專利範圍第8或9項的基板處理方法，其中，前述處理液補給過程，是在由前述置換液供給過程開 始朝前述基板的前述置換液的供給之前開始前述處理液的補給。
  12. 一種記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體，其特徵為：使用基板處理裝置，其具有：將基板一邊保持一邊旋轉的基板旋轉部、及朝前述基板供給處理液的處理液供給部、及將與從前述處理液供給部被供給的前述處理液置換的置換液供給至前述基板的置換液供給部，藉由前述基板旋轉部使前述基板旋轉，藉由前述處理液供給部朝前述基板供給前述處理液(處理液供給過程)，其後，藉由前述置換液供給部朝前述基板供給前述置換液使形成置換液的液膜(置換液供給過程)，並且藉由前述處理液供給部朝前述置換液的靠前述基板的外周側補給比由前述處理液供給過程供給的前述處理液的流量更少的流量的前述處理液而形成處理液的液膜(處理液補給過程)。
TW104112699A 2014-05-01 2015-04-21 基板處理裝置及基板處理方法以及記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體 TWI612558B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014094640A JP6118758B2 (ja) 2014-05-01 2014-05-01 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201604933A TW201604933A (zh) 2016-02-01
TWI612558B true TWI612558B (zh) 2018-01-21

Family

ID=54358733

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW104112699A TWI612558B (zh) 2014-05-01 2015-04-21 基板處理裝置及基板處理方法以及記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10475638B2 (zh)
JP (1) JP6118758B2 (zh)
KR (1) KR102349845B1 (zh)
CN (1) CN106463377B (zh)
TW (1) TWI612558B (zh)
WO (1) WO2015167012A1 (zh)

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6118758B2 (ja) * 2014-05-01 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6672023B2 (ja) 2016-03-08 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6765878B2 (ja) * 2016-07-06 2020-10-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理方法及び基板液処理装置
JP6842952B2 (ja) * 2017-02-28 2021-03-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6982432B2 (ja) * 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6982434B2 (ja) * 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6982433B2 (ja) * 2017-08-24 2021-12-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102134261B1 (ko) * 2018-10-25 2020-07-16 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110148573B (zh) * 2019-04-17 2020-12-04 湖州达立智能设备制造有限公司 一种半导体设备工艺腔的晶圆升降装置
JP7292120B2 (ja) * 2019-06-17 2023-06-16 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP7356896B2 (ja) * 2019-12-24 2023-10-05 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
CN115136282A (zh) * 2020-02-25 2022-09-30 东京毅力科创株式会社 基板处理装置和基板处理方法
KR102553044B1 (ko) * 2020-03-05 2023-07-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2022189496A (ja) * 2021-06-11 2022-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW386235B (en) * 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
TW201342458A (zh) * 2012-01-05 2013-10-16 Tokyo Electron Ltd 基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用記憶媒體

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3402932B2 (ja) * 1995-05-23 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及びその装置
TWI286353B (en) * 2004-10-12 2007-09-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing method and substrate processing apparatus
JP4527660B2 (ja) * 2005-06-23 2010-08-18 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP2007220956A (ja) * 2006-02-17 2007-08-30 Toshiba Corp 基板処理方法及び基板処理装置
JP5090089B2 (ja) * 2006-10-19 2012-12-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2011009601A (ja) * 2009-06-29 2011-01-13 Ebara Corp 基板乾燥方法及び基板乾燥装置
JP5789400B2 (ja) * 2011-04-12 2015-10-07 東京エレクトロン株式会社 液処理方法及び液処理装置
JP5889691B2 (ja) * 2012-03-28 2016-03-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6224515B2 (ja) * 2013-06-07 2017-11-01 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP6118758B2 (ja) * 2014-05-01 2017-04-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW386235B (en) * 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
TW201342458A (zh) * 2012-01-05 2013-10-16 Tokyo Electron Ltd 基板洗淨方法、基板洗淨裝置及基板洗淨用記憶媒體

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015213105A (ja) 2015-11-26
US20170047219A1 (en) 2017-02-16
KR20160143705A (ko) 2016-12-14
US10475638B2 (en) 2019-11-12
CN106463377A (zh) 2017-02-22
CN106463377B (zh) 2019-06-25
KR102349845B1 (ko) 2022-01-11
JP6118758B2 (ja) 2017-04-19
WO2015167012A1 (ja) 2015-11-05
TW201604933A (zh) 2016-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI612558B (zh) 基板處理裝置及基板處理方法以及記錄了基板處理程式的電腦可讀取的記錄媒體
CN106796876B (zh) 基板液体处理方法、基板液体处理装置以及存储有基板液体处理程序的计算机可读存储介质
TWI790241B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
TWI584366B (zh) A substrate processing apparatus and a substrate processing method and a computer-readable recording medium for recording a substrate processing program
TWI632000B (zh) 基板液處理方法及基板液處理裝置與記錄有基板液處理程式之電腦可讀取的記憶媒體
CN109494174B (zh) 基片处理装置、基片处理方法和计算机存储介质
TWI584364B (zh) Substrate liquid processing device and substrate liquid treatment method
TW201308492A (zh) 基板處理方法、基板處理系統及記憶有基板處理程式之電腦可讀取記憶媒體
TW201243922A (en) Release device, release system, release method, program and computer storage medium
JP2015220369A (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
TW201618201A (zh) 基板處理方法及基板處理裝置和記憶基板處理程式之電腦可讀取之記憶媒體
TWI697043B (zh) 基板液體處理裝置及基板液體處理方法與記錄有基板液體處理程式之電腦可讀取的記錄媒體
TWI700127B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記憶媒體
JP6027523B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録した記録媒体
KR102508316B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체
JP6411571B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP2018176366A (ja) 基板周縁部のクリーニング装置、基板周縁部のクリーニング方法及び記憶媒体
CN209729871U (zh) 基板处理装置
JP6254054B2 (ja) 塗布装置、接合システム、塗布方法、接合方法、プログラム、および情報記憶媒体