JP6982432B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板を処理する技術に関する。

従来、半導体基板（以下、単に「基板」という。）の製造工程では、基板に対して様々な処理が施される。例えば、特許文献１および特許文献２では、基板上にめっき液を供給してめっき処理を施すめっき処理装置が開示されている。

特許文献１のめっき処理装置では、まず、パラジウムを含有する置換めっき処理液が回転中の基板に対して供給され、基板にパラジウムめっきが施される。続いて、基板のリンス処理が行われた後、化学還元めっき処理液が回転中の基板に対して供給され、基板にめっき処理が施される。当該基板処理装置では、基板上に供給されためっき処理液は、基板の回転により基板外縁部から周囲へと飛散し、カップにより受けられて装置外に排出される。

特許文献２のめっき処理装置では、基板にめっき液を供給し続けた状態で基板の回転を停止し、基板に初期成膜を行うインキュベーション工程が行われた後、基板を回転させてめっき膜を成長させるめっき膜成長工程が行われる。

特開２０１２−９２３９０号公報 特開２０１３−１０９９６号公報

ところで、特許文献１のめっき処理装置では、基板上にめっきが施されない不具合が発生するおそれがある。当該不具合は、回転中の基板上においてめっき処理液が移動することにより、基板上に生成された金属の初期核が剥離することに起因すると考えられる。

特許文献２のめっき処理装置では、基板の回転を停止して初期成膜が行われるが、停止中の基板上に表面張力にて形成されためっき液の液膜において、基板外縁部の膜厚が基板中央部の膜厚よりも薄くなる。このため、基板に対するめっき処理が、径方向において不均一になるおそれがある。また、めっき処理装置を収容するハウジング内において下向きの気流（いわゆる、ダウンフロー）が形成されている場合、当該気流により基板上の液膜が乱れて外縁部から流れ落ち、液膜の膜厚が減少するおそれもある。

本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、基板上に形成された液膜について、膜厚の径方向における均一性を向上することを目的としている。

請求項１に記載の発明は、基板を処理する基板処理装置であって、基板が通過可能な上部開口を有するとともに内周面の一部の径が前記基板よりも小さい貫通孔が設けられ、前記貫通孔の前記内周面を前記基板の外縁部に下方から接触させて前記基板を水平状態で保持する第１保持部と、前記第１保持部に保持された前記基板の下方に位置する第２保持部と、前記第２保持部を前記貫通孔を介して上方に移動させることにより、前記第２保持部を前記基板の下面に接触させ、前記第１保持部から前記第２保持部への前記基板の受け渡しを行う保持部移動機構と、前記基板の上面上に処理液を供給する処理液供給部とを備え、前記処理液供給部から供給された処理液が、前記貫通孔の上端よりも下方にて前記第１保持部に保持された前記基板の前記上面と前記貫通孔の前記内周面とにより囲まれる貯溜空間に貯溜される。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記第１保持部に保持された前記基板の前記外縁部に向けて下方からガスを噴射するガス噴射部をさらに備える。

請求項３に記載の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記第１保持部が、前記貫通孔の前記内周面に接触する前記基板の前記外縁部を吸引する吸引部を備える。

請求項４に記載の発明は、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記第１保持部および前記第２保持部を内部に収容するハウジングをさらに備え、前記第１保持部が、前記ハウジングに対して固定されている。

請求項５に記載の発明は、請求項１ないし４のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記貫通孔の前記上端よりも上方において前記第２保持部を回転する回転機構と、前記第２保持部と共に回転する前記基板から周囲に飛散する処理液を受ける上受液部とをさらに備える。

請求項６に記載の発明は、請求項１ないし５のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記第１保持部に保持された前記基板を加熱する加熱部をさらに備える。

請求項７に記載の発明は、請求項１ないし６のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、前記貯溜空間に貯溜される処理液が、前記基板の無電解めっき処理に利用されるめっき液である。

本発明では、基板上に形成された液膜について、膜厚の径方向における均一性を向上することができる。

第１の実施の形態に係る基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 めっき液ユニットの構造を示す図である。 トラップ部の縦断面図である。 他のトラップ部の縦断面図である。 他の基板処理装置の縦断面図である。 他の基板処理装置の縦断面図である。 第２の実施の形態に係る基板処理装置の縦断面図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板の処理の流れを示す図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 基板処理装置の縦断面図である。 他の基板処理装置の縦断面図である。 他の基板処理装置の縦断面図である。 他の基板処理装置の縦断面図である。

図１および図２は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置１の構成を示す縦断面図である。基板処理装置１は、半導体基板９（以下、単に「基板９」という。）を１枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１では、例えば、基板９に対してめっき液が供給され、基板９に対する無電解めっき処理が行われる。

基板処理装置１は、ハウジング１１と、第１保持部２と、第２保持部３１と、保持部移動機構３２と、回転機構３３と、処理液供給部４と、上受液部５と、下受液部６と、洗浄部７１と、加熱部７２（後述する図４参照）と、ガス噴射部７３とを備える。第１保持部２、第２保持部３１、処理液供給部４、上受液部５および下受液部６等は、ハウジング１１の内部に収容される。第１保持部２、保持部移動機構３２、回転機構３３、上受液部５および下受液部６は、ハウジング１１に対して固定される。第２保持部３１は、ハウジング１１に対して上下方向に移動可能に取り付けられる。ハウジング１１内の空間は、例えば密閉空間であり、当該密閉空間では、ハウジング１１の天蓋部から下方へと向かう気流（いわゆる、ダウンフロー）が形成されている。

第１保持部２は、上下方向を向く中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部位である。第１保持部２には、上下方向に貫通する貫通孔２１が設けられる。貫通孔２１の上下方向に垂直な断面は、上下方向の各位置において、中心軸Ｊ１を中心とする略円形である。貫通孔２１は、上部開口２２と、下部開口２３とを有する。上部開口２２は、貫通孔２１の上端に位置する。下部開口２３は、貫通孔２１の下端に位置する。上部開口２２および下部開口２３は、中心軸Ｊ１に垂直な略円形である。

上部開口２２の直径（以下、単に「径」と呼ぶ。）は、基板９の径よりも大きい。したがって、基板９は、貫通孔２１の上部開口２２を通過可能である。貫通孔２１の内周面２４の上下方向における一部の径は、基板９の径よりも小さい。図１に示す例では、貫通孔２１の内周面２４の径（すなわち、貫通孔２１の径）は、上部開口２２から離れるに従って漸次減少し、上部開口２２と下部開口２３との間における上下方向の所定位置にて、基板９の径よりも小さくなる。当該所定位置よりも上側においては、貫通孔２１の径は基板９の径よりも大きく、当該所定位置よりも下側においては、貫通孔２１の径は基板９の径よりも小さい。また、下部開口２３の近傍では、貫通孔２１の径は、上下方向において略一定であり、基板９の径よりも小さい。図１に示すように、第１保持部２は、貫通孔２１の内周面２４を、基板９の外縁部に下方から接触させて、基板９を略水平状態で保持する。基板９の外縁部は、略全周に亘って第１保持部２の内周面２４に接触する。

第２保持部３１は、第１保持部２の貫通孔２１の下方、かつ、基板９の下方に位置する。第２保持部３１は、チャック部３１１と、支持部３１２とを備える。チャック部３１１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円板状の部位である。チャック部３１１の径は、第１保持部２の貫通孔２１の最小径（図１に示す例では、下部開口２３の径）、および、基板９の径よりも小さい。チャック部３１１には、基板９の下面を吸着保持可能なバキュームチャック機構（図示省略）が設けられている。支持部３１２は、チャック部３１１の下面中央部に接続され、チャック部３１１を下方から支持する略円柱状の部位である。

保持部移動機構３２は、第２保持部３１を上下方向に移動する機構である。保持部移動機構３２は、例えば、第２保持部３１の下方に配置される。第２保持部３１は、保持部移動機構３２により図１に示す退避位置から上方に移動されることにより、第１保持部２により水平状態にて保持されている基板９の下面９２に接触し、基板９を下側から吸着保持する。そして、保持部移動機構３２により第２保持部３１が貫通孔２１を介してさらに上方へと移動されることにより、図２に示すように、基板９が第１保持部２から第２保持部３１へと受け渡され、第２保持部３１と共に第１保持部２よりも上方へと移動する。

回転機構３３は、第２保持部３１を中心軸Ｊ１を中心として回転する機構である。回転機構３３は、例えば、第２保持部３１の下方に配置される。回転機構３３は、図２に示すように、基板９が第１保持部２から上方に離間した状態で、第２保持部３１および基板９を回転する。具体的には、回転機構３３は、第１保持部２の貫通孔２１の上端よりも上方において第２保持部３１を回転する。

処理液供給部４は、基板９の上面９１上に処理液を供給する。図１および図２に示す例では、処理液供給部４は、基板９の中央部の上方に配置されるノズル４１を備える。ノズル４１は、図示省略の処理液供給源に接続されており、ノズル４１から基板９の上面９１に向けて処理液が吐出される。基板処理装置１では、ノズル４１から基板９に向けて複数種類の処理液が順次供給される。ノズル４１は、複数種類の処理液にそれぞれ対応する複数のノズル要素を含む。あるいは、ノズル４１の下端部に、複数種類の処理液にそれぞれ対応する複数の吐出口が設けられてもよい。

上受液部５は、第２保持部３１および基板９よりも、中心軸Ｊ１を中心とする径方向（以下、単に「径方向」と呼ぶ。）の外側に配置され、第２保持部３１および基板９の周囲を全周に亘って囲む。上受液部５は、第１保持部２よりも上側において第２保持部３１に保持された基板９と径方向に対向する。上受液部５は、第２保持部３１と共に回転する基板９から周囲に飛散する処理液を受ける。

上受液部５は、第１上受液部５１と、第２上受液部５２と、外排液部５３とを備える。第１上受液部５１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部位である。第１上受液部５１は、第１保持部２に連続して第１保持部２の上端部から上方に突出する。第１上受液部５１の内周面５１１は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする周方向（以下、単に「周方向」と呼ぶ。）の略全周に亘って、径方向外方に向かって凸状に湾曲する曲面である。第１上受液部５１の内周面５１１の下端は、第１保持部２の内周面２４の上端に連続する。

第２上受液部５２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材である。第２上受液部５２は、第１上受液部５１よりも径方向外側に配置され、基板９および第１上受液部５１の周囲を全周に亘って囲む。第２上受液部５２の上端部は、第１上受液部５１の上端部よりも上方に延びる。第２上受液部５２は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の側壁部と、当該側壁部の上端部から径方向内方へと延びる天蓋部とを備える。当該天蓋部は、径方向内方に向かうに従って上方へと向かう傾斜部であってもよい。第２上受液部５２により受けられた処理液は、外排液部５３を介してハウジング１１の外部へと排出される。

下受液部６は、図１に示すように、第１保持部２よりも径方向内側、かつ、第２保持部３１よりも径方向外側に配置され、第２保持部３１の周囲を全周に亘って囲む。下受液部６は、第１保持部２の貫通孔２１の下方、かつ、第１保持部２に保持された基板９の下方に配置される。下受液部６は、下受液ブロック６１と、下排液部６２とを備える。下受液ブロック６１は、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部位である。下受液ブロック６１は、第１保持部２に保持された基板９よりも下側に位置し、基板９の下面９２と上下方向に対向する。下受液ブロック６１の上端は、基板９の下面９２から下方に離間している。

下受液ブロック６１の外周面６３は、下受液ブロック６１の上端から下方に向かうに従って径方向外方へと向かう傾斜面である。下受液ブロック６１の外周面６３は、第１保持部２の内周面２４と接触することなく、当該内周面２４と径方向に対向する。第１保持部２の内周面２４の下端は、下受液ブロック６１の外周面６３の上端と下端との間に位置する。第１保持部２と下受液ブロック６１との間の間隙から下方に流れる処理液は、下排液部６２を介してハウジング１１の外部へと排出される。

ガス噴射部７３は、第１保持部２に保持された基板９の外縁部に向けて、下方からガスを噴射する。図１に示す例では、ガス噴射部７３は、下受液ブロック６１に設けられ、下受液ブロック６１の外周面６３から基板９の外縁部の略全周に亘ってガスを噴射する。ガス噴射部７３は、必ずしも下受液ブロック６１に設けられる必要はなく、例えば、第１保持部２の内周面２４のうち基板９の外縁部と接触する部位よりも下方に設けられ、基板９の外縁部に向けて下方からガスを噴射してもよい。ガス噴射部７３から噴射されるガスは、例えば、窒素（Ｎ_２）ガス等の不活性ガスである。ガス噴射部７３からのガスは、不活性ガスには限定されず、様々に変更されてよい。

後述する図４に示す加熱部７２は、第１保持部２に保持された基板９を加熱する。加熱部７２は、例えば、第１保持部２および第２保持部３１の上方に配置される電熱ヒータである。加熱部７２は、基板９の加熱に利用されない状態では、例えば、第１保持部２および第２保持部３１の上方から側方に退避する。したがって、図１および図２等では、加熱部７２の図示を省略している。加熱部７２の構造および配置は様々に変更されてよい。例えば、加熱部７２は、基板９に光を照射して加熱する光照射部であってもよい。

図１および図２に示す洗浄部７１は、下受液部６に洗浄液を供給して下受液部６を洗浄する。図１に示す例では、洗浄部７１は、第１保持部２のうち、下受液ブロック６１の外周面６３と径方向に対向する部位に設けられる。洗浄部７１は、下受液ブロック６１の外周面６３に向かって洗浄液を吐出する。洗浄部７１から吐出された洗浄液は、下受液ブロック６１の外周面６３の略全周に亘って供給される。洗浄部７１は、必ずしも第１保持部２に設けられる必要はなく、他の場所に配置されてもよい。

次に、図３を参照しつつ、基板処理装置１による基板９の処理の流れの一例について説明する。図４ないし図６は、基板９の処理中の基板処理装置１を示す縦断面図である。基板処理装置１により基板９が処理される際には、まず、図２に示すように、第２保持部３１により基板９が水平状態で保持される（ステップＳ１１）。第２保持部３１に保持された基板９は、第１保持部２および第１上受液部５１よりも上側に位置し、第２上受液部５２と径方向に対向する。

続いて、回転機構３３による第２保持部３１および基板９の回転が開始される（ステップＳ１２）。そして、回転中の基板９の上面９１に対して、処理液供給部４から触媒溶液が供給される（ステップＳ１３）。触媒溶液は、後述する無電解めっきに利用される触媒（例えば、パラジウム（Ｐｄ）等の重金属のイオン）を含む溶液である。ステップＳ１３では、例えば、ノズル４１から基板９の中央部に向けて液柱状の触媒溶液が吐出される。

基板９の中央部に供給された触媒溶液は、遠心力により基板９の中央部から外縁部に向かって移動し、基板９の上面９１の全面に亘って塗布される。基板９の外縁部に到達した触媒溶液は、遠心力により周囲へと飛散し、上受液部５の第２上受液部５２により受けられる。第２上受液部５２により受けられた触媒溶液は、外排液部５３を介してハウジング１１の外部へと排出される。排出された触媒溶液は、例えば、回収されて再利用されてもよく、廃棄されてもよい。基板９に対する触媒溶液の供給（すなわち、触媒付与処理）が所定時間行われることにより、基板９の上面９１に触媒（例えば、パラジウム）が吸着する。

触媒溶液の供給が停止されて触媒付与処理が終了すると、回転中の基板９の上面９１に対して、処理液供給部４から第１リンス液が供給される（ステップＳ１４）。第１リンス液は、例えば純水である。ステップＳ１４では、例えば、ノズル４１からミスト状（すなわち、広範囲に広がって比較的低速で下方に移動する多数の微小液滴状）の第１リンス液が吐出され、基板９の上面９１上に供給される。基板９の上面９１上に供給された第１リンス液は、遠心力により径方向外方へと拡がり、これにより、基板９上から触媒溶液が除去される。基板９から周囲へと飛散する第１リンス液は、上受液部５の第２上受液部５２により受けられ、外排液部５３を介してハウジング１１の外部へと排出される。第２上受液部５２により受けられた第１リンス液は、好ましくは、ステップＳ１３における触媒溶液の排出経路とは異なる経路を介して廃棄される。これにより、触媒溶液の回収効率を向上することができる。

基板９に対する第１リンス液の供給（すなわち、第１リンス処理）が所定時間行われると、第１リンス液の供給が停止される。また、回転機構３３による基板９および第２保持部３１の回転も停止される（ステップＳ１５）。

次に、保持部移動機構３２により第２保持部３１が下方へと移動され、基板９の外縁部が第１保持部２の内周面２４に接触する。第２保持部３１はさらに下方へと移動し、図１に示すように、基板９の下面９２から下方に離間する。これにより、基板９は、第２保持部３１から第１保持部２へと受け渡され、貫通孔２１の上端よりも下方にて第１保持部２により水平状態で保持される（ステップＳ１６）。

基板９が第１保持部２により保持されると、ガス噴射部７３から、第１保持部２に保持された基板９の外縁部に向けて、ガスの噴射が開始される。そして、基板９の上面９１に対して、処理液供給部４からめっき液が供給される（ステップＳ１７）。めっき液は、基板９の上面９１にめっきされる重金属（例えば、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、コバルト（Ｃｏ）、コバルトタングステンボロン（ＣｏＷＢ）、金（Ａｕ）または銀（Ａｇ））のイオン、および、還元剤等を含む。ステップＳ１７では、例えば、ノズル４１から基板９の中央部に向けて液柱状のめっき液が吐出される。基板９の中央部に供給されためっき液は径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１が全面に亘ってめっき液により被覆される。めっき液に被覆された基板９の上面９１では、めっき液に含まれる上記金属の初期核が析出する。

処理液供給部４から供給されためっき液は、図４に示すように、第１保持部２に保持された基板９の上面９１と、貫通孔２１の内周面２４とにより囲まれる空間２０（以下、「貯溜空間２０」と呼ぶ。）に貯溜される。貯溜空間２０は、換言すれば、貫通孔２１のうち基板９の上面９１よりも上側の空間である。基板処理装置１では、上述のように、第１保持部２に保持された基板９の外縁部に向けて下方からガスが噴射されているため、仮に、基板９の外縁部と貫通孔２１の内周面２４との間に周方向の一部において隙間が存在する場合であっても、当該隙間からめっき液が下方へと漏出することが防止または抑制される。

貯溜空間２０において、めっき液が所定の深さまで貯溜されると、ノズル４１からのめっき液の供給が一旦停止される。貯溜空間２０に貯溜されためっき液は、貫通孔２１の内周面２４に接触している。貯溜空間２０に貯溜されためっき液の深さ（すなわち、めっき液の液面と基板９の上面９１との間の上下方向の距離）は、基板９の全面に亘って略均一である。貯溜空間２０内のめっき液の深さは、外縁部が他の部材に接していない状態の基板９において、表面張力により基板９の上面９１上に保持可能なめっき液の液膜（以下、「表面張力による液膜」と呼ぶ。）の厚さよりも大きい。詳細には、貯溜空間２０内のめっき液の深さは、基板９の外縁部における表面張力による液膜の厚さよりも大きく、また、基板９の中央部における表面張力による液膜の厚さよりも大きい。

貯溜空間２０に貯溜されためっき液により基板９の上面９１が所定時間被覆されることにより、めっき液に含まれる金属が、基板９の上面９１上に（詳細には、上面９１上に形成されている触媒層上に）析出し、当該金属の層が基板９上に形成される。基板処理装置１では、貯溜空間２０に貯溜されためっき液により基板９の上面９１が被覆されている間、加熱部７２により基板９が加熱される。これにより、基板９の上面９１上への上記金属の析出が促進される。

続いて、保持部移動機構３２により第２保持部３１が上方へと移動され、基板９の下面９２を吸着保持する。また、ガス噴射部７３によるガスの噴射は停止される。そして、第２保持部３１はさらに上方へと移動し、図５に示すように、基板９が第１保持部２から上方に離間する。これにより、基板９は、第１保持部２から第２保持部３１へと受け渡され、第２保持部３１により水平状態で保持される（ステップＳ１８）。貯溜空間２０に貯溜されていためっき液は、基板９の外縁部と第１保持部２の内周面２４との間の間隙から下方へと流れ、下受液部６の下受液ブロック６１により受けられる。下受液部６により受けられためっき液は、下受液ブロック６１の外周面６３を伝わって下方へと流れ、下排液部６２を介してハウジング１１の外部へと排出される。

そして、図６に示すように、基板９が第１上受液部５１と上下方向の同じ位置に配置されると、回転機構３３により、基板９および第２保持部３１の回転が開始される（ステップＳ１９）。ステップＳ１９における基板９の回転速度は、例えば、３００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍである。続いて、ノズル４１から基板９の上面９１の中央部に向けて、液柱状のめっき液の吐出が開始される。基板９の中央部に供給されるめっき液は、遠心力により基板９の上面９１上にて径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１の全面に供給される。これにより、基板９の上面９１に対する無電解めっき処理（以下、単に「めっき処理」と呼ぶ。）が進行する（ステップＳ２０）。

基板処理装置１では、ステップＳ１８，Ｓ１９の間、処理液供給部４から基板９上へのめっき液の供給が継続されてもよい。また、ステップＳ２０において基板９のめっき処理が行われている間、ステップＳ１７におけるめっき処理中と同様に、加熱部７２（図４参照）により基板９が加熱され、めっき処理が促進されてもよい。

回転中の基板９の外縁部に到達しためっき液は、遠心力により周囲へと飛散し、基板９と径方向に対向する第１上受液部５１により受けられる。第１上受液部５１により受けられためっき液は、第１上受液部５１の内周面５１１および第１保持部２の内周面２４を伝わって下方へと流れ、下受液部６の下受液ブロック６１により受けられる。下受液部６により受けられためっき液は、下排液部６２を介してハウジング１１の外部へと排出される。排出されためっき液は、例えば、回収されて再利用されてもよく、廃棄されてもよい。基板９に対するめっき液の供給（すなわち、めっき処理）が所定時間行われることにより、基板９の上面９１に金属がめっきされる。

図１に例示する基板処理装置１では、ハウジング１１の外部へと排出されためっき液は、回収されて基板９の処理に再利用される。図７は、基板処理装置１に接続されるめっき液ユニット８の構造を示す図である。めっき液ユニット８は、基板処理装置１のハウジング１１から排出されためっき液を回収するとともに、基板処理装置１のノズル４１にめっき液を供給する。めっき液ユニット８は、上述の処理液供給源の一部である。めっき液ユニット８は、基板処理装置１の一部であってもよい。

めっき液ユニット８は、めっき液タンク８１と、供給流路８２と、回収流路８３と、循環流路８４とを備える。めっき液タンク８１は、めっき液を貯溜する貯溜槽である。供給流路８２は、めっき液タンク８１と、基板処理装置１のノズル４１とを接続する。めっき液タンク８１内のめっき液は、供給流路８２を介してノズル４１へと供給され、ノズル４１から基板９の上面９１に向けて吐出される。めっき液タンク８１内のめっき液が所定量よりも減少すると、図示省略のめっき液供給源からめっき液タンク８１へとめっき液が補充される。

供給流路８２の途中から分岐する循環流路８４は、めっき液タンク８１に接続されている。ノズル４１からのめっき液の吐出が停止されている間、めっき液タンク８１から供給流路８２へと送出されためっき液は、循環流路８４を介してめっき液タンク８１へと戻される。循環流路８４を用いてめっき液を循環させることにより、めっき液タンク８１に貯溜されているめっき液の成分や温度の均一性を向上することができる。

回収流路８３は、めっき液タンク８１と、基板処理装置１の下排液部６２とを接続する。詳細には、回収流路８３は、基板処理装置１のトラップ部４５を介して下排液部６２に接続される。下排液部６２からハウジング１１の外部へと排出されためっき液は、トラップ部４５および回収流路８３を介してめっき液タンク８１へと導かれ、めっき液タンク８１に回収される。回収されためっき液は、供給流路８２を介してノズル４１へと再供給される。

図８は、トラップ部４５の構造を示す縦断面図である。トラップ部４５は、トラップタンク４５１と、仕切壁４５２とを備える。トラップタンク４５１は、上下方向に延びる略筒状の密閉容器であり、めっき液により満たされている。仕切壁４５２は、トラップタンク４５１の内部に設けられる。仕切壁４５２は、トラップタンク４５１の上端から下方へと延びる。仕切壁４５２の下端は、トラップタンク４５１の下端から上方に離間している。

仕切壁４５２は、トラップタンク４５１の内部空間の上端から下部までを２つの空間に分割する。以下の説明では、図８中において仕切壁４５２の左側にて上下方向に延びる空間を、「第１流路４５４」と呼ぶ。また、図８中において仕切壁４５２の右側にて上下方向に延びる空間を、「第２流路４５５」と呼ぶ。第１流路４５４の上端には、下排液部６２が接続される。第１流路４５４の下部は、仕切壁４５２の下方にて第２流路４５５の下部と連続する。第１流路４５４の下部は、下方に向かうに従って第２流路４５５へと近づく傾斜流路である。第２流路４５５の上端には、めっき液ユニット８の回収流路８３が接続される。

トラップタンク４５１の下端部には、上下方向に延びる略筒状の下凹部４５３が設けられる。下凹部４５３は、第１流路４５４および第２流路４５５よりも下側に位置する。下凹部４５３は、トラップタンク４５１において、第１流路４５４の下部と第２流路４５５の下部とが連続する部位から、下方に向かって突出する。図８に示す例では、下凹部４５３は、第２流路４５５の鉛直下方に位置する。下凹部４５３は、第１流路４５４の下部、および、第２流路４５５の下部に接続されている。下凹部４５３と第１流路４５４の下部の傾斜流路との間の境界部は、当該傾斜流路から鉛直下方へと屈曲する段差部となっている。

基板処理装置１では、下排液部６２を介してハウジング１１（図７参照）の外部へと排出されためっき液は、トラップタンク４５１の第１流路４５４の上端から流入する。当該めっき液は、第１流路４５４内を下方へと流れ、仕切壁４５２の下方かつ下凹部４５３の上方にて反転し、第２流路４５５内を上方へと流れる。そして、第２流路４５５の上端に到達しためっき液は、回収流路８３によりめっき液タンク８１（図７参照）へと導かれ、めっき液タンク８１に貯溜される。図８では、トラップタンク４５１内のめっき液の流れを細い矢印にて示す（図９においても同様）。

基板処理装置１では、基板９のめっき処理中に、基板９上から触媒（例えば、パラジウム）の一部が剥離して下受液部６へと流入する可能性がある。仮に、当該触媒が回収流路８３に流入すると、回収流路８３やめっき液タンク８１内において無電解めっき反応が生じ、めっき液中の金属が析出して流路の詰まり等が発生する可能性がある。

基板処理装置１では、上述のように、下排液部６２と回収流路８３との間にトラップ部４５を設けることにより、基板９上から剥離したパラジウム等の触媒、および、無電解めっき反応により生じた金属が、回収流路８３に進入することを防止または抑制することができる。具体的には、めっき液と共にトラップタンク４５１に流入した上記触媒または上記金属（以下、まとめて「進入重金属」と呼ぶ。）は、めっき液よりも比重が大きいため、第１流路４５４の下部にてめっき液の流れから外れ、めっき液の流路の下方に設けられた下凹部４５３内へと沈降する。下凹部４５３内の進入重金属は、上述の段差部等により第１流路４５４および第２流路４５５へと戻ることが防止される。したがって、進入重金属が第２流路４５５内を上昇して回収流路８３に進入することを防止または抑制することができる。

下凹部４５３に溜まった進入重金属は、基板処理装置１のメンテナンスの際等に、トラップタンク４５１へと酸洗浄液（例えば、王水または硝酸）を供給することにより、トラップタンク４５１内から除去される。なお、トラップタンク４５１には、酸洗浄の際に発生する水素を除去するための排気部が設けられる。

図９は、他の好ましいトラップ部４５ａの構造を示す縦断面図である。トラップ部４５ａは、図８に示すトラップタンク４５１とは形状が異なるトラップタンク４５１ａを備える。トラップタンク４５１ａでは、第２流路４５５の下部が、下方に向かうに従って第１流路４５４へと近づく傾斜流路である。第１流路４５４は上下方向に延び、第１流路４５４の鉛直下方に下凹部４５３が設けられる。トラップ部４５に代えてトラップ部４５ａが設けられる場合も、上記と同様に、下排液部６２から第１流路４５４へと流入しためっき液中の進入重金属が、下凹部４５３内へと沈降する。このため、進入重金属が第２流路４５５内を上昇して回収流路８３に進入することを防止または抑制することができる。

図６に示す基板処理装置１では、基板９に対するめっき液の供給が停止されてめっき処理が終了すると、回転中の基板９の上面９１に対して、処理液供給部４から第２リンス液が供給される（ステップＳ２１）。第２リンス液は、例えば純水である。ステップＳ２１では、例えば、ノズル４１から液柱状の第２リンス液が基板９の中央部に向けて吐出される。この場合、ステップＳ１４における第１リンス液の供給時に第１リンス液により基板９に付与される物理力は、ステップＳ２１における第２リンス液の供給時に第２リンス液により基板９に付与される物理力よりも小さい。第１リンス液により基板９に付与される物理力とは、第１リンス液と基板９とが接触する際に、第１リンス液から基板９に付与される物理的な力（すなわち、機械的な力）であり、例えば、第１リンス液の衝突により基板９に付与される衝撃力である。第２リンス液により基板９に付与される物理力についても同様である。

基板９の上面９１上に供給された第２リンス液は、遠心力により径方向外方へと拡がり、これにより、基板９上からめっき液が除去される。基板９から周囲へと飛散する第２リンス液は、第１上受液部５１により受けられ、第１上受液部５１の内周面５１１および第１保持部２の内周面２４を介して下受液部６の下受液ブロック６１により受けられる。下受液部６により受けられた第２リンス液は、下排液部６２を介してハウジング１１の外部へと排出される。下受液部６により受けられた第２リンス液は、好ましくは、ステップＳ２０におけるめっき液の排出経路とは異なる経路を介して廃棄される。これにより、めっき液の回収効率を向上することができる。基板９に対する第２リンス液の供給（すなわち、第２リンス処理）が所定時間行われると、第２リンス液の供給が停止される。

その後、回転機構３３による基板９の回転速度が増大する。これにより、基板９上の第２リンス液が径方向外方へと移動して基板９の外縁部から径方向外方へと飛散する。基板９の回転が所定時間継続されることにより、基板９上から第２リンス液等の液体を除去する乾燥処理が行われる（ステップＳ２２）。基板９の乾燥処理が終了すると、回転機構３３による基板９および第２保持部３１の回転が停止され、基板９に対する処理が終了する（ステップＳ２３）。基板処理装置１では、複数の基板９に対して、上述のステップＳ１１〜Ｓ２３が順次行われ、複数の基板９が順次処理される。

基板処理装置１では、例えば、所定枚数の基板９の処理が終了すると、装置の洗浄処理が行われる。当該洗浄処理では、例えば、洗浄部７１から下受液ブロック６１の外周面６３に向けて洗浄液が吐出され、下受液部６の洗浄が行われる。これにより、下受液部６に付着しているめっき液および第２リンス液等の処理液が除去される。また、基板９のめっき処理中に、基板９上から触媒の一部が剥離して下受液部６へと流入した場合であっても、当該触媒も上記洗浄処理により下受液部６から除去される。

以上に説明したように、基板処理装置１は、第１保持部２と、第２保持部３１と、保持部移動機構３２と、処理液供給部４とを備える。第１保持部２には、貫通孔２１が設けられる。貫通孔２１は、基板９が通過可能な上部開口２２を有する。貫通孔２１の内周面２４の一部の径は、基板９よりも小さい。第１保持部２は、貫通孔２１の内周面２４を基板９の外縁部に下方から接触させて基板９を水平状態で保持する。第２保持部３１は、貫通孔２１の下方に位置する。保持部移動機構３２は、第２保持部３１を貫通孔２１を介して上方に移動させることにより、第２保持部３１を基板９の下面９２に接触させ、第１保持部２から第２保持部３１への基板９の受け渡しを行う。処理液供給部４は、基板９の上面９１上に処理液を供給する。

処理液供給部４から供給された処理液は、貫通孔２１の上端よりも下方にて第１保持部２に保持された基板９の上面９１と、貫通孔２１の内周面２４とにより囲まれる貯溜空間２０に貯溜される。これにより、基板９上に処理液を供給して液処理が行われる際に、基板９の上面９１上において処理液が移動することを抑制することができる。その結果、処理液による基板９の上面９１の処理を安定して行うことができる。

また、貯溜空間２０に処理液を貯溜することにより、基板９の上面９１上に形成された処理液の液膜において、基板９の中央部上における膜厚と、基板９の外縁部上における膜厚とを、およそ等しくすることができる。換言すれば、基板処理装置１では、基板９の上面９１上に形成された処理液の液膜について、外縁部が他の部材に接していない状態の基板上に表面張力により保持される液膜（すなわち、表面張力による液膜）に比べて、膜厚の径方向における均一性を向上することができる。その結果、基板９に対する処理液による処理の質の径方向における均一性を向上することができる。換言すれば、基板処理装置１では、基板９の上面９１の略全面に亘って、処理液による略均質な処理を施すことができる。さらに、基板処理装置１では、ハウジング１１内の下向きの気流（いわゆる、ダウンフロー）により基板９上の処理液が周囲に流れ落ちることが防止されるため、基板９上において、処理液の液膜の膜厚が減少することを防止することができる。

基板処理装置１において貯溜空間２０に貯溜される処理液は、例えば、基板９の無電解めっき処理に利用されるめっき液である。基板処理装置１では、上述のように、基板９の上面９１上に形成されためっき液の液膜について、膜厚の径方向における均一性を向上することができる。その結果、基板９の上面９１の略全面に亘って、略均質なめっき処理を施すことができる。

上述のように、基板処理装置１は、第１保持部２に保持された基板９の外縁部に向けて下方からガスを噴射するガス噴射部７３をさらに備える。これにより、基板９の反り等に起因して、第１保持部２に保持された基板９の外縁部と貫通孔２１の内周面２４との間に隙間が存在する場合であっても、当該隙間がガス噴射部７３からのガスによりシールされる。その結果、貯溜空間２０に貯溜された処理液（上述の例では、めっき液）が、当該隙間から下方へと漏出することを防止または抑制することができる。

上述のように、基板処理装置１は、第１保持部２および第２保持部３１を内部に収容するハウジング１１をさらに備える。また、第１保持部２は、ハウジング１１に対して固定されている。このため、ハウジング１１の内部へと基板９を搬入する搬送機構（図示省略）と、第１保持部２との相対位置の位置決めを精度良く行うことができる。したがって、基板９が第１保持部２により保持される際に、基板９の第１保持部２に対する相対位置のずれが抑制される。これにより、第１保持部２に保持される基板９の水平度のずれ、および、基板９と第１保持部２との接触位置のずれを抑制することができる。その結果、貯溜空間２０に貯溜された処理液が、基板９と第１保持部２との間から下方へと漏出することを防止または抑制することができる。

基板処理装置１は、回転機構３３と、上受液部５とをさらに備える。回転機構３３は、貫通孔２１の上端よりも上方において第２保持部３１を回転する。上受液部５は、第２保持部３１と共に回転する基板９から周囲に飛散する処理液を受ける。このように、回転中の基板９に新たな処理液を供給して処理を行うことにより、基板９の処理効率を向上することができる。上述の例では、めっき液が処理液として回転中の基板９に供給され、基板９に対するめっき処理の効率が向上される。

基板処理装置１は、第１保持部２に保持された基板９を加熱する加熱部７２をさらに備える。これにより、貯溜空間２０に貯溜された処理液による基板９の処理の効率を向上することができる。上述の例では、基板９のめっき処理において、基板９の上面９１上への金属の析出を促進することができる。

図１０は、他の好ましい基板処理装置１ａを示す縦断面図である。基板処理装置１ａでは、図１に示す第１保持部２に代えて、第１保持部２とは構造が異なる第１保持部２ａが設けられる。また、図１に示すガス噴射部７３は省略される。第１保持部２ａでは、貫通孔２１の内周面２４に段差部２５が設けられる。段差部２５の上面２６は、上下方向に略垂直な略円環状の面である。段差部２５の上面２６の外径は、基板９の径よりも大きい。段差部２５の上面２６の内径は、基板９の径よりも小さい。第１保持部２ａにより基板９が保持される際には、基板９の下面９２の外縁部が、段差部２５の上面２６に接触する。第１保持部２ａには、段差部２５の上面２６に接触している基板９の外縁部と対向する吸引部７４が設けられる。吸引部７４は、周方向の略全周に亘って設けられ、基板９の上記外縁部を吸引する。吸引部７４は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状である。

このように、基板処理装置１ａでは、第１保持部２ａが、貫通孔２１の内周面２４に接触する基板９の外縁部を吸引する吸引部７４を備える。これにより、貯溜空間２０に貯溜された処理液（上述の例では、めっき液）が、基板９の外縁部と貫通孔２１の内周面２４との間から下方へと漏出することを防止または抑制することができる。吸引部７４は、好ましくは、基板９の上記外縁部を略全周に亘って吸着する。これにより、貯溜空間２０に貯溜された処理液が、基板９の外縁部と貫通孔２１の内周面２４との間から下方へと漏出することを、より一層防止または抑制することができる。なお、吸引部７４により基板９の外縁部が実質的に吸着されない場合であっても、吸引部７４による吸引により、基板９の外縁部と貫通孔２１の内周面２４との間の隙間を小さくすることができるため、処理液の上記漏出を防止又は抑制することができる。

図１１は、他の好ましい基板処理装置１ｂを示す縦断面図である。基板処理装置１ｂでは、上受液部５ｂが、図１に示す第１上受液部５１に代えて、第１保持部２の径方向外側、かつ、第２上受液部５２の径方向内側に配置される第１上受液部５１ｂを備える。第１上受液部５１ｂは、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材である。第１上受液部５１ｂは、第１保持部２から径方向外方に離間し、第２上受液部５２から径方向内方に離間する。

第１上受液部５１ｂの上端部は、第１保持部２の上端部よりも上方に位置する。第１上受液部５１ｂは、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の側壁部と、当該側壁部の上端部から径方向内方へと延びる天蓋部とを備える。当該天蓋部は、径方向内方に向かうに従って上方へと向かう傾斜部であってもよい。第１上受液部５１ｂの内周面５１１ｂは、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状である。第２上受液部５２の上端部は、第１上受液部５１ｂの上端部よりも上方に位置する。図１１に示す例では、第１上受液部５１ｂおよび第２上受液部５２は、ハウジング１１に固定されており、上下方向には移動しない。

基板処理装置１ｂでは、例えば、上述のステップＳ２０（図３参照）において、基板９は、第１上受液部５１ｂと径方向に対向する位置にて回転する。回転中の基板９に供給されためっき液は、第１上受液部５１ｂにより受けられ、内排液部５４を介してハウジング１１の外部へと排出される。内排液部５４を介して排出されためっき液は、例えば、下排液部６２を介して排出されためっき液と合流して回収または廃棄される。基板処理装置１ｂでは、ステップＳ２１において回転中の基板９に供給された第２リンス液も、第１上受液部５１ｂにて受けられる。

基板処理装置１ｂでは、基板９と第１上受液部５１ｂとの間の径方向の距離が、図２に示す基板９と第１上受液部５１との間の径方向の距離よりも大きいため、基板９から飛散した処理液（すなわち、めっき液または第２リンス液）が第１上受液部５１ｂから跳ね返って基板９に付着する可能性を低減することができる。したがって、ステップＳ２０，Ｓ２１において、基板９の回転速度を増大させ、基板９の処理効率を向上することができる。

基板処理装置１ｂでは、図１１中に二点鎖線にて示すように、第１上受液部５１ｂおよび第２上受液部５２をそれぞれ独立して上下方向に移動する上受液部移動機構５５が設けられてもよい。ステップＳ１３，Ｓ１４において、回転中の基板９から飛散する触媒溶液および第１リンス液を第２上受液部５２により受ける際には、第１上受液部５１ｂが下降し、第１上受液部５１ｂの天蓋部が第１保持部２の上端部に接触する。これにより、触媒溶液および第１リンス液が第１上受液部５１ｂ内に進入することが防止または抑制される。また、ステップＳ２０，Ｓ２１において、回転中の基板９から飛散するめっき液および第２リンス液を第１上受液部５１ｂにより受ける際には、第２上受液部５２が下降し、第２上受液部５２の天蓋部が第１上受液部５１ｂの天蓋部の上面に接触する。これにより、めっき液および第２リンス液が第２上受液部５２内に進入することが防止または抑制される。

次に、本発明の第２の実施の形態にかかる基板処理装置１ｃについて説明する。図１２に示す基板処理装置１ｃでは、図１に示す下受液部６に代えて、下受液部６とは構造が異なる下受液部６ｃが設けられる。また、上受液部５から第２上受液部５２が省略される。さらに、基板処理装置１ｃでは、図１０に示す基板処理装置１ａと同様に、ガス噴射部７３が省略され、第１保持部２ｃに吸引部７４が設けられる。吸引部７４は、基板９の下面９２の外縁部を吸引し、好ましくは吸着する。第１保持部２ｃの貫通孔２１の内周面２４には、処理液を吐出する吐出口４２が設けられる。第１保持部２ｃの下面には、下受液部６ｃに洗浄液を供給して下受液部６ｃを洗浄する洗浄部７１ｃが設けられる。吸引部７４、洗浄部７１ｃおよび吐出口４２は、周方向の略全周に亘って設けられる。吸引部７４、洗浄部７１ｃおよび吐出口４２は、例えば、中心軸Ｊ１を中心とする略円環状である。基板処理装置１ｃの他の構造は、図１に示す基板処理装置１と略同様である。以下の説明では、基板処理装置１の各構成に対応する基板処理装置１ｃの構成に同符号を付す。

基板処理装置１ｃの下受液部６ｃは、第１下受液部６４と、第２下受液部６５と、下受液部移動機構６６とを備える。第１下受液部６４および第２下受液部６５は、第１保持部２ｃの貫通孔２１よりも下側に配置される。第１下受液部６４および第２下受液部６５はそれぞれ、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材である。第２下受液部６５は、第１下受液部６４よりも径方向内側に配置される。第１下受液部６４の内周面と第２下受液部６５の外周面とは近接している。下受液部移動機構６６は、第１下受液部６４を上下方向に移動する。

第１下受液部６４の内縁部６４２は、第１保持部２ｃの下端部の内周縁よりも径方向内側に位置し、第１保持部２ｃの下端部の内周縁と径方向において隣接する。第１下受液部６４の内縁部６４２以外の部位は、第１保持部２ｃの段差部２５の鉛直下方に位置する。図１２に示す状態では、第１下受液部６４の内縁部６４２の上面は、第１保持部２ｃの内周面２４の下縁と上下方向の略同じ位置に位置する。第１下受液部６４の内縁部６４２の上端外周縁は、第１保持部２ｃの内周面２４の下縁と液密にシールされる。第１下受液部６４は、上面から下方に向かって凹む凹部である第１ポケット６４１を有する。第１ポケット６４１は、段差部２５の鉛直下方に位置する。図１２に示す状態では、第１ポケット６４１の上端である上部開口６４３は、第１保持部２ｃにより閉塞されている。

図１２に示す状態では、第２下受液部６５の上面は、第１下受液部６４の内縁部６４２の上面と上下方向の略同じ位置に位置する。第１下受液部６４の内縁部６４２の上端内周縁は、第２下受液部６５と液密にシールされる。第２下受液部６５は、上面から下方に向かって凹む凹部である第２ポケット６５１を有する。

次に、図１３Ａおよび図１３Ｂを参照しつつ、基板処理装置１ｃによる基板９の処理の流れの一例について説明する。図１４ないし図２０は、基板９の処理中の基板処理装置１ｃを示す縦断面図である。基板処理装置１ｃにより基板９が処理される際には、まず、図１４に示すように、第２保持部３１により基板９が水平状態で保持される（ステップＳ３１）。第２保持部３１に保持された基板９は、第１保持部２ｃよりも上側に位置し、上受液部５の第１上受液部５１と径方向に対向する。

続いて、回転機構３３による基板９および第２保持部３１の回転が開始される（ステップＳ３２）。そして、回転中の基板９の上面９１に対して、処理液供給部４から触媒溶液が供給される（ステップＳ３３）。ステップＳ３３では、例えば、ノズル４１から基板９の中央部に向けて液柱状の触媒溶液が吐出される。基板９の中央部に供給された触媒溶液は、遠心力により基板９の中央部から外縁部に向かって移動し、基板９の上面９１の全面に亘って塗布される。基板９の外縁部に到達した触媒溶液は、遠心力により周囲へと飛散し、第１上受液部５１により受けられる。

第１上受液部５１により受けられた触媒溶液は、第１上受液部５１の内周面５１１および第１保持部２ｃの内周面２４を伝わって下方へと流れ、上部開口６４３が閉塞されている状態の第１下受液部６４の上側（具体的には、第１下受液部６４の内縁部６４２の上側）を通過し、第２下受液部６５の第２ポケット６５１へと流入する。第２下受液部６５の第２ポケット６５１により受けられた処理液は、第２下排液部６８を介してハウジング１１の外部へと排出される。排出された触媒溶液は、例えば、回収されて再利用されてもよく、廃棄されてもよい。基板９に対する触媒溶液の供給（すなわち、触媒付与処理）が所定時間行われることにより、基板９の上面９１に触媒（例えば、パラジウム）が吸着する。

触媒溶液の供給が停止されて触媒付与処理が終了すると、回転機構３３による基板９および第２保持部３１の回転が停止される（ステップＳ３４）。次に、保持部移動機構３２により第２保持部３１が下方へと移動され、基板９の外縁部が第１保持部２ｃの内周面２４に接触する。第２保持部３１はさらに下方へと移動し、図１２に示すように、基板９の下面９２から下方に離間する。これにより、基板９は、第２保持部３１から第１保持部２ｃへと受け渡され、貫通孔２１の上端よりも下方にて第１保持部２ｃにより水平状態で保持される（ステップＳ３５）。基板９が第１保持部２ｃにより保持されると、吸引部７４により基板９の下面９２の外縁部が吸引されて吸着される。

続いて、図１６に示す第１保持部２ｃに設けられた処理液供給部４の吐出口４２から、第１リンス液が吐出される。吐出口４２は、第１保持部２ｃに保持された基板９の上面９１よりも上側に位置する。吐出口４２から吐出された第１リンス液は、第１保持部２ｃの貫通孔２１の内周面２４に沿って下方へと流れ、基板９の上面９１上に径方向外側から供給される。第１リンス液は、例えば純水である。

基板９の外縁部に供給された第１リンス液は径方向内方へと拡がり、基板９の上面９１が全面に亘って第１リンス液により被覆される。換言すれば、第１リンス液は、第１保持部２ｃに保持された基板９の上面９１と、貫通孔２１の内周面２４とにより囲まれる貯溜空間２０に貯溜される。基板処理装置１ｃでは、上述のように、第１保持部２ｃに保持された基板９の下面９２の外縁部が吸引部７４により吸引されているため、仮に基板９に反り等の変形が生じている場合であっても、基板９と第１保持部２ｃとの間から第１リンス液が下方へと漏出することが防止または抑制される。

基板９の上面９１が第１リンス液により被覆されると、処理液供給部４のノズル４１から、基板９の上面９１上の第１リンス液の液膜（すなわち、貯溜空間２０に貯溜された第１リンス液）に対して、第１リンス液の供給が開始される（ステップＳ３６）。ステップＳ３６では、例えば、ノズル４１から基板９の中央部に向けて液柱状の第１リンス液が吐出される。ノズル４１からの第１リンス液の吐出流量は、例えば、吐出口４２からの第１リンス液の吐出流量よりも大きい。基板９の上面９１は、ステップＳ３６において第１リンス液により被覆されているため、ノズル４１からの第１リンス液は、基板９の上面９１に直接的に衝突することなく、基板９上の第１リンス液の液膜を介して間接的に供給される。ノズル４１からの第１リンス液の供給が行われる際には、吐出口４２からの第１リンス液の供給は継続されていてもよく、停止されていてもよい。

図１５に示すように、貯溜空間２０において、第１リンス液が所定の深さまで貯溜されると、処理液供給部４からの第１リンス液の供給が停止される。貯溜空間２０に貯溜された第１リンス液は、貫通孔２１の内周面２４に接触している。貯溜空間２０に貯溜された第１リンス液の深さ（すなわち、第１リンス液の液面と基板９の上面９１との間の上下方向の距離）は、基板９の全面に亘って略均一である。貯溜空間２０内の第１リンス液の深さは、外縁部が他の部材に接していない状態の基板９において、表面張力により基板９の上面９１上に保持可能な第１リンス液の液膜（以下、「表面張力による液膜」と呼ぶ。）の厚さよりも大きい。詳細には、貯溜空間２０内の第１リンス液の深さは、基板９の外縁部における表面張力による液膜の厚さよりも大きく、また、基板９の中央部における表面張力による液膜の厚さよりも大きい。

貯溜空間２０に貯溜された第１リンス液により基板９の上面９１が所定時間被覆されることにより、第１リンス処理が終了する。そして、保持部移動機構３２により第２保持部３１が上方へと移動され、基板９の下面９２を吸着保持する。また、吸引部７４による基板９の吸引は解除される。そして、第２保持部３１はさらに上方へと移動し、図１６に示すように、基板９が第１保持部２ｃから上方に離間する。これにより、基板９は、第１保持部２ｃから第２保持部３１へと受け渡され、第２保持部３１により水平状態で保持される（ステップＳ３７）。

貯溜空間２０に貯溜されていた第１リンス液は、基板９の外縁部と第１保持部２ｃの内周面２４との間の間隙から、下受液部６ｃに向かって下方へと流れる。当該第１リンス液は、第１保持部２ｃにより上部開口６４３が閉塞されている状態の第１下受液部６４上を径方向内方へと流れ、第２下受液部６５の第２ポケット６５１へと流入する。第２下受液部６５の第２ポケット６５１により受けられた処理液は、第２下排液部６８を介してハウジング１１の外部へと排出される。これにより、基板９上の触媒溶液が第１リンス液と共に除去される。第２下受液部６５により受けられた第１リンス液は、好ましくは、ステップＳ３３における触媒溶液の排出経路とは異なる経路を介して廃棄される。これにより、触媒溶液の回収効率を向上することができる。

第１リンス液が基板９上から下方へと流れると、保持部移動機構３２により第２保持部３１が下方へと移動され、図１７に示すように、基板９が、第２保持部３１から第１保持部２ｃへと受け渡されて水平状態で保持される（ステップＳ３８）。そして、吸引部７４により基板９の下面９２の外縁部が吸引されて吸着される。また、下受液部移動機構６６により、第１下受液部６４が下方へと移動し、第１保持部２ｃの下端部と第２下受液部６５との間に（すなわち、第１下受液部６４の内縁部６４２の上方に）間隙が形成される。図１７に示す状態では、第１下受液部６４の上部開口６４３は、第１保持部２ｃから下方に離間して開放されている。

なお、基板処理装置１ｃでは、ステップＳ３７とステップＳ３８との間において、基板９を図１４に示す位置まで上昇させ、基板９を所定時間だけ回転させることにより、基板９上に残存している第１リンス液が除去されてもよい。この場合、基板９から周囲に飛散した第１リンス液は、第１上受液部５１により受けられ、第１上受液部５１の内周面５１１および第１保持部２ｃの内周面２４を伝わって下方へと流れ、第２下受液部６５により受けられてハウジング１１の外部へと排出される。

図１７に示すように、ステップＳ３９において基板９が第１保持部２ｃにより保持されると、基板９の上面９１に対して、処理液供給部４からめっき液が供給される（ステップＳ３９）。ステップＳ３９では、例えば、ノズル４１から基板９の中央部に向けて液柱状のめっき液が吐出される。基板９の中央部に供給されためっき液は径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１が全面に亘ってめっき液により被覆される。なお、めっき液は、処理液供給部４の吐出口４２から基板９上に供給されてもよい。

処理液供給部４から供給されためっき液は、図１８に示すように、貯溜空間２０に貯溜される。貯溜空間２０においてめっき液が所定の深さまで貯溜されると、処理液供給部４からのめっき液の供給が停止される。貯溜空間２０に貯溜されためっき液は、貫通孔２１の内周面２４に接触している。貯溜空間２０に貯溜されためっき液の深さは、基板９の全面に亘って略均一である。貯溜空間２０内のめっき液の深さは、上記と同様に、外縁部が他の部材に接していない状態の基板９において、表面張力により基板９の上面９１上に保持可能なめっき液の液膜（すなわち、表面張力による液膜）の厚さよりも大きい。

貯溜空間２０に貯溜されためっき液により基板９の上面９１が所定時間被覆されることにより、めっき液に含まれる金属が、基板９の上面９１上に（詳細には、上面９１上に形成されている触媒層上に）析出し、当該金属の層が基板９上に形成される。基板処理装置１ｃでは、貯溜空間２０に貯溜されためっき液により基板９の上面９１が被覆されている間、加熱部７２により基板９が加熱される。これにより、基板９の上面９１上への上記金属の析出が促進される。

続いて、保持部移動機構３２により第２保持部３１が上方へと移動され、基板９の下面９２を吸着保持する。また、吸引部７４による基板９の吸引は解除される。そして、第２保持部３１はさらに上方へと移動し、図１９に示すように、基板９が第１保持部２ｃから上方に離間する。これにより、基板９は、第１保持部２ｃから第２保持部３１へと受け渡され、第２保持部３１により水平状態で保持される（ステップＳ４０）。

貯溜空間２０に貯溜されていためっき液は、基板９の外縁部と第１保持部２ｃの内周面２４との間の間隙から、下受液部６ｃに向かって下方へと流れる。当該めっき液は、第１保持部２ｃの下端部と第２下受液部６５との間の間隙を介して下方へと流れ、第１下受液部６４の第１ポケット６４１へと流入する。第１下受液部６４により受けられためっき液は、第１下排液部６７を介してハウジング１１の外部へと排出される。

そして、図２０に示すように、基板９が第１上受液部５１と上下方向の同じ位置に配置されると、回転機構３３により、基板９および第２保持部３１の回転が開始される（ステップＳ４１）。ステップＳ４１における基板９の回転速度は、例えば、３００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍである。ノズル４１から基板９の中央部に向けて吐出されるめっき液は、遠心力により基板９の上面９１上にて径方向外方へと拡がり、基板９の上面９１の全面に供給される。これにより、基板９の上面９１に対するめっき処理が進行する（ステップＳ４２）。

基板処理装置１ｃでは、ステップＳ４０，Ｓ４１の間、ノズル４１から基板９上へのめっき液の供給が継続されてもよい。また、ステップＳ４２において基板９のめっき処理が行われている間、ステップＳ３９におけるめっき処理中と同様に、加熱部７２（図１８参照）により基板９が加熱され、めっき処理が促進されてもよい。

基板９の外縁部に到達しためっき液は、遠心力により周囲へと飛散し、基板９と径方向に対向する第１上受液部５１により受けられる。第１上受液部５１により受けられためっき液は、第１上受液部５１の内周面５１１および第１保持部２ｃの内周面２４を伝わって下方へと流れ、第１下受液部６４の第１ポケット６４１へと流入する。第１下受液部６４により受けられためっき液は、第１下排液部６７を介してハウジング１１の外部へと排出される。排出されためっき液は、例えば、回収されて再利用されてもよく、廃棄されてもよい。基板９に対するめっき液の供給（すなわち、めっき処理）が所定時間行われることにより、基板９の上面９１に金属がめっきされる。

めっき液の供給が停止されてめっき処理が終了すると、回転中の基板９の上面９１に対して、ノズル４１から第２リンス液が供給される（ステップＳ４３）。第２リンス液は、例えば純水である。ステップＳ４３では、例えば、ノズル４１から液柱状の第２リンス液が基板９の中央部に向けて吐出される。この場合、ステップＳ３６における第１リンス液の供給時に第１リンス液により基板９に付与される物理力（例えば、第１リンス液の衝突により基板９に付与される物理的な力）は、ステップＳ４３における第２リンス液の供給時に第２リンス液により基板９に付与される物理力よりも小さい。

基板９の上面９１上に供給された第２リンス液は、遠心力により径方向外方へと拡がり、これにより、基板９上からめっき液が除去される。基板９から周囲へと飛散する第２リンス液は、第１上受液部５１により受けられ、第１上受液部５１の内周面５１１および第１保持部２ｃの内周面２４を介して第１下受液部６４の第１ポケット６４１に流入する。第１下受液部６４により受けられた第２リンス液は、第１下排液部６７を介してハウジング１１の外部へと排出される。第１下受液部６４により受けられた第２リンス液は、好ましくは、ステップＳ４２におけるめっき液の排出経路とは異なる経路を介して廃棄される。これにより、めっき液の回収効率を向上することができる。基板９に対する第２リンス液の供給（すなわち、第２リンス処理）が所定時間行われると、第２リンス液の供給が停止される。

その後、回転機構３３による基板９の回転速度が増大する。これにより、基板９上の第２リンス液が径方向外方へと移動して基板９の外縁部から径方向外方へと飛散する。基板９の回転が所定時間継続されることにより、基板９上から第２リンス液等の液体を除去する乾燥処理が行われる（ステップＳ４４）。基板９の乾燥処理が終了すると、回転機構３３による基板９および第２保持部３１の回転が停止され、基板９に対する処理が終了する（ステップＳ４５）。基板処理装置１ｃでは、複数の基板９に対して、上述のステップＳ３１〜Ｓ４５が順次行われ、複数の基板９が順次処理される。

基板処理装置１ｃでは、例えば、所定枚数の基板９の処理が終了すると、装置の洗浄処理が行われる。当該洗浄処理では、例えば、第１保持部２ｃの下面に設けられた洗浄部７１ｃから第１下受液部６４に向けて洗浄液が吐出され、第１下受液部６４の洗浄が行われる。これにより、第１下受液部６４に付着しているめっき液および第２リンス液等の処理液が除去される。また、基板９のめっき処理中に、基板９上から触媒の一部が剥離して第１下受液部６４へと流入した場合であっても、当該触媒も上記洗浄処理により第１下受液部６４から除去される。

以上に説明したように、基板処理装置１ｃは、上述の基板処理装置１と同様に、第１保持部２ｃと、第２保持部３１と、保持部移動機構３２と、処理液供給部４とを備える。第１保持部２ｃには、貫通孔２１が設けられる。貫通孔２１は、基板９が通過可能な上部開口２２を有する。貫通孔２１の内周面２４の一部の径は、基板９よりも小さい。第１保持部２ｃは、貫通孔２１の内周面２４を基板９の外縁部に下方から接触させて基板９を水平状態で保持する。第２保持部３１は、貫通孔２１の下方に位置する。保持部移動機構３２は、第２保持部３１を貫通孔２１を介して上方に移動させることにより、第２保持部３１を基板９の下面９２に接触させ、第１保持部２ｃから第２保持部３１への基板９の受け渡しを行う。処理液供給部４は、基板９の上面９１上に処理液を供給する。

処理液供給部４から供給された処理液は、貫通孔２１の上端よりも下方にて第１保持部２ｃに保持された基板９の上面９１と、貫通孔２１の内周面２４とにより囲まれる貯溜空間２０に貯溜される。これにより、基板９上に処理液を供給して液処理が行われる際に、基板９の上面９１上において処理液が移動することを抑制することができる。その結果、処理液による基板９の上面９１の処理を安定して行うことができる。

また、貯溜空間２０に処理液を貯溜することにより、基板９の上面９１上に形成された処理液の液膜において、基板９の中央部上における膜厚と、基板９の外縁部上における膜厚とを、およそ等しくすることができる。換言すれば、基板処理装置１ｃでは、基板９の上面９１上に形成された処理液の液膜について、外縁部が他の部材に接していない状態の基板上に表面張力により保持される液膜（すなわち、表面張力による液膜）に比べて、膜厚の径方向における均一性を向上することができる。その結果、基板９に対する処理液による処理の質の径方向における均一性を向上することができる。換言すれば、基板処理装置１ｃでは、基板９の上面９１の略全面に亘って、処理液による略均質な処理を施すことができる。さらに、基板処理装置１では、ハウジング１１内の下向きの気流（いわゆる、ダウンフロー）により基板９上の処理液が周囲に流れ落ちることが防止されるため、基板９上において、処理液の液膜の膜厚が減少することを防止することができる。

基板処理装置１ｃにおいて貯溜空間２０に貯溜される処理液は、例えば、基板９の無電解めっき処理に利用されるめっき液である。基板処理装置１ｃでは、上述のように、基板９の上面９１上に形成されためっき液の液膜について、膜厚の径方向における均一性を向上することができる。その結果、基板９の上面９１の略全面に亘って、略均質なめっき処理を施すことができる。

基板処理装置１ｃでは、触媒溶液および第１リンス液が、下受液部６ｃの第１下受液部６４により受けられ、めっき液および第２リンス液が、下受液部６ｃの第２下受液部６５により受けられてもよい。

図２１は、他の好ましい基板処理装置１ｄを示す縦断面図である。基板処理装置１ｄでは、図１２に示す第１保持部２ｃおよび下受液部６ｃに代えて、第１保持部２ｃおよび下受液部６ｃとは構造が異なる第１保持部２ｄおよび下受液部６ｄが設けられる。また、上受液部５ｄは、図１１に示す第１上受液部５１ｂおよび第２上受液部５２を備える。基板処理装置１ｄの他の構造は、図１２に示す基板処理装置１ｃと略同様である。以下の説明では、基板処理装置１ｃの各構成に対応する基板処理装置１ｄの構成に同符号を付す。基板処理装置１ｄにおける基板９の処理の流れは、上述の基板処理装置１ｃにおける基板９の処理の流れ（ステップＳ３１〜Ｓ４５）と略同様である。

第１保持部２ｄでは、貫通孔２１の内周面２４が、中心軸Ｊ１に略垂直な円環状の載置面２７を含む。載置面２７には、吸引部７４が設けられる。第１保持部２ｄでは、載置面２７上に載置された基板９の下面９２の外縁部が、吸引部７４により吸引され、好ましくは吸着される。第１保持部２ｄでは、貫通孔２１の内周面２４は、載置面２７の内周縁から下方に向かうに従って径方向内方へと向かう。また、第１保持部２ｄは、貫通孔２１の内周面２４の下端縁から径方向外方に向かうに従って下方へと向かう傾斜下面２８を備える。傾斜下面２８は、載置面２７の鉛直下方に位置する。

下受液部６ｄは、図１２に示す下受液部６ｃと略同様に、第１下受液部６４ｄと、第２下受液部６５ｄと、下受液部移動機構６６ｄとを備える。第１下受液部６４ｄおよび第２下受液部６５ｄは、第１保持部２ｄの貫通孔２１よりも下側に配置される。第１下受液部６４ｄは、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部位である。第１下受液部６４ｄは、例えば、第１保持部２ｄと一繋がりの部材である。第２下受液部６５ｄは、中心軸Ｊ１を中心とする略円筒状の部材である。第２下受液部６５ｄは、第１下受液部６４ｄよりも径方向内側に配置される。図２１に示す例では、第１下受液部６４ｄの内縁部と第２下受液部６５ｄの外縁部とが径方向にて重なっており、第１下受液部６４ｄの内周面は、第２下受液部６５ｄの外周面よりも径方向内側に位置する。下受液部移動機構６６ｄは、第２下受液部６５ｄを上下方向に移動する。

第１下受液部６４ｄは、第１保持部２ｄの載置面２７の鉛直下方に位置する。第１下受液部６４ｄは、上面から下方に向かって凹む凹部である第１ポケット６４１を有する。第２下受液部６５ｄは、上面から下方に向かって凹む凹部である第２ポケット６５１を有する。第２下受液部６５ｄの外縁部６５２は、第１保持部２ｄの下端部の内周縁よりも径方向外側に位置し、第１保持部２ｄの下端部の内周縁と上下方向に重なる。図２１に示す状態では、第２下受液部６５ｄの外縁部６５２が、第１保持部２ｄの傾斜下面２８に下側から接触する。これにより、第１下受液部６４ｄの第１ポケット６４１の上端である上部開口が、第２下受液部６５ｄにより閉塞される。第２下受液部６５ｄの外縁部６５２と第１保持部２ｄの傾斜下面２８とは液密にシールされる。

図２１に示す状態で、基板９の上面９１上に処理液が供給されると、処理液は、貯溜空間２０に貯溜される。その後、図２２に示すように、第２保持部３１が第１保持部２ｄから基板９を受け取って上昇させると、貯溜空間２０に貯溜されていた処理液は、基板９の外縁部と第１保持部２ｄの内周面２４との間の間隙から、下受液部６ｄに向かって下方へと流れる。当該処理液は、第２下受液部６５ｄの第２ポケット６５１へと流入する。第２ポケット６５１により受けられた処理液は、第２下排液部６８を介してハウジング１１の外部へと排出される。上述のように、第１下受液部６４ｄの上部開口は閉塞されているため、第１下受液部６４ｄの第１ポケット６４１には処理液は流入しない。

一方、図２３に示すように、下受液部移動機構６６ｄにより第２下受液部６５ｄが下降した状態では、第２下受液部６５ｄの外縁部６５２が第１保持部２ｄの傾斜下面２８から下方に離間する。そして、第２下受液部６５ｄの外縁部６５２と第１保持部２ｄの傾斜下面２８との間には、第１下受液部６４ｄの第１ポケット６４１の上部開口６４３が形成される。この状態で、貯溜空間２０に貯溜されていた処理液が、基板９の外縁部と第１保持部２ｄの内周面２４との間の間隙から、下受液部６ｄに向かって下方へと流れると、当該処理液は、上部開口６４３を介して第１下受液部６４ｄの第１ポケット６４１へと流入する。第１ポケット６４１により受けられた処理液は、第１下排液部６７を介してハウジング１１の外部へと排出される。第２下受液部６５ｄの外縁部６５２の上面は、径方向外方に向かうに従って下方へと向かう傾斜面であるため、処理液は、当該傾斜面に沿って第１ポケット６４１へと流入し、第２ポケット６５１には流入しない。

図２１に示す基板処理装置１ｄでは、例えば、基板９上に供給された触媒溶液は、上受液部５ｄの第２上受液部５２により受けられ、第１リンス液は第１上受液部５１ｂにより受けられる。また、基板９上に供給されためっき液は、下受液部６ｄの第１下受液部６４ｄにより受けられ、第２リンス液は第２下受液部６５ｄにより受けられる。このように、基板９に対する処理が異なる処理液毎に受ける構造を異ならせることにより、処理液（例えば、触媒溶液およびめっき液）の回収効率を向上することができる。なお、基板処理装置１ｄにおいて各処理液を受ける構造は、適宜変更されてよい。

上述の基板処理装置１，１ａ〜１ｄ、および、基板処理装置１，１ａ〜１ｄにおける基板処理では、様々な変更が可能である。

例えば、基板処理装置１，１ａ〜１ｄにおいて使用される触媒溶液に含まれる触媒は、パラジウムには限定されず、パラジウム以外の様々な触媒が触媒溶液に含まれていてよい。また、めっき液に含まれる金属は上述の重金属には限定されず、様々な金属がめっき液に含まれていてよい。第１リンス液および第２リンス液は、純水には限定されず、他の種類のリンス液であってもよい。

基板処理装置１，１ａ〜１ｄでは、ノズル４１を基板９の上方にて略水平に移動するノズル移動機構が設けられ、ノズル４１から基板９に処理液が供給される間、基板９の中央部上方と外縁部上方との間にてノズル４１の往復移動が繰り返されてもよい。

図１０に示す基板処理装置１ａでは、第１保持部２ａにより保持された基板９において、下面９２の外縁部が吸引部７４により吸引されるだけではなく、ガス噴射部７３（図１参照）により当該外縁部に向けて下方からガスが噴射されてもよい。これにより、貯溜空間２０に貯溜される処理液が、基板９と第１保持部２ａとの間から下方へと漏出することを、より一層防止または抑制することができる。基板処理装置１，１ｂ〜１ｄにおいても同様に、ガス噴射部７３および吸引部７４の双方が設けられてよい。

基板処理装置１では、第１保持部２は必ずしもハウジング１１に固定される必要はなく、例えば、ハウジング１１に対して上下方向または水平方向に移動可能とされてもよい。基板処理装置１ａ〜１ｄにおいても同様である。

基板処理装置１では、第２保持部３１を回転する回転機構３３、および、回転中の基板９から飛散する処理液を受ける上受液部５は、省略されてもよい。基板処理装置１ａ〜１ｄにおいても同様である。また、基板処理装置１，１ａ〜１ｄでは、基板９を加熱する加熱部７２が省略されてもよい。

トラップ部４５では、トラップタンク４５１の第２流路４５５と回収流路８３との間に、進入重金属を捕集するフィルタが設けられてもよい。また、トラップ部４５では、下排液部６２と回収流路８３との間に、複数のトラップタンク４５１が直列的に配置されてもよい。これにより、進入重金属が回収流路８３に進入することを、より一層防止または抑制することができる。

あるいは、トラップ部４５では、トラップタンク４５１に代えて、触媒を捕集するフィルタが下排液部６２と回収流路８３との間に設けられてもよい。この場合、フィルタの目詰まりを防止するために、比較的頻繁にフィルタの交換または洗浄を行う必要がある。一方、トラップタンク４５１が設けられた上述の基板処理装置１では、当該フィルタを設ける場合に比べて、進入重金属を捕集するための構造のメンテナンス頻度を低減することができる。

例えば、上述のステップＳ３６では、基板処理装置１ｃの第１保持部２ｃの内周面２４に設けられた吐出口４２から内周面２４に沿って第１リンス液が供給されたのち、貯溜空間２０に貯溜された第１リンス液に向けてノズル４１から第１リンス液が供給されるが、第１リンス液の供給方法は様々に変更されてよい。例えば、ノズル４１からの第１リンス液の供給は省略され、吐出口４２からのみ第１リンス液が供給されてもよい。あるいは、第１保持部２ｃに吐出口４２は設けられず、ノズル４１から第１保持部２ｃの内周面２４に向けて第１リンス液が吐出されることにより、第１リンス液が内周面２４に沿って供給されてもよい。あるいは、ステップＳ１４と同様に、ミスト状の第１リンス液がノズル４１から基板９に供給されてもよい。さらには、第１リンス液は必ずしも貯溜空間２０に貯溜される必要はない。

ステップＳ１１〜Ｓ２３の基板９の処理では、ステップＳ１１とステップＳ１３との間において、基板９に対して処理液を供給して前処理（すなわち、触媒付与処理の前に行われる処理）が行われてもよい。ステップＳ３１〜Ｓ４５の基板９の処理においても同様に、ステップＳ３１とステップＳ３３との間において、基板９に対する前処理が行われてもよい。また、ステップＳ３３では、貯溜空間２０に触媒溶液を貯溜して、基板９に対する触媒付与処理が行われてもよい。

上述の例では、基板９に対するステップＳ３１〜Ｓ４５の処理を、１つの基板処理装置１ｃにおいて連続して行っているが、当該処理は、例えば、２つの基板処理装置１（図１参照）を利用して行われてもよい。具体的には、１番目の基板処理装置１において、基板９に触媒溶液を供給して触媒付与処理が行われた後、貯溜空間２０に第１リンス液を貯溜して第１リンス処理が行われる。第１リンス処理が終了すると、基板９が２番目の基板処理装置１に搬入され、貯溜空間２０にめっき液を貯溜してめっき処理が行われた後、基板９に第２リンス液を供給して第２リンス処理が行われる。このように、２つの基板処理装置１を利用して基板９の処理を行うことにより、基板９の下方において、貯溜空間２０に貯溜された第１リンス液の排出先と、めっき液の排出先とを別々に設ける必要がなく、装置構造を簡素化することができる。

基板処理装置１では、基板９に対して上記処理液（触媒溶液、第１リンス液、めっき液および第２リンス液）以外の様々な処理液が供給され、基板９に対する様々な処理が行われてもよい。例えば、基板９が第１保持部２に保持された状態で、貯溜空間２０に洗浄液が貯溜され、基板９の洗浄処理が行われてもよい。当該洗浄処理が行われる場合、貯溜空間２０に貯溜された洗浄液を振動させる等してバブリング洗浄が行われてもよい。あるいは、基板９が第１保持部２に保持された状態で、貯溜空間２０に窒素ガスを供給した後、脱酸素処理が施された処理液が貯溜空間２０に貯溜されることにより、低酸素状態で基板９の処理が行われてもよい。基板処理装置１ａ〜１ｄについても同様である。

基板処理装置１，１ａ〜１ｄでは、半導体基板以外に、液晶表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（field emission display）等の表示装置に使用されるガラス基板の処理に利用されてもよい。あるいは、基板処理装置１，１ａ〜１ｄは、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板および太陽電池用基板等の処理に利用されてもよい。

上記実施の形態および各変形例における構成は、相互に矛盾しない限り適宜組み合わされてよい。

１，１ａ〜１ｄ 基板処理装置
２，２ａ，２ｃ，２ｄ 第１保持部
４ 処理液供給部
５，５ａ，５ｄ 上受液部
６，６ｃ，６ｄ 下受液部
９ 基板
１１ ハウジング
２０ 貯溜空間
２１ 貫通孔
２２ （第１保持部の）上部開口
２４ （貫通孔の）内周面
３１ 第２保持部
３２ 保持部移動機構
３３ 回転機構
５１，５１ｂ 第１上受液部
５２ 第２上受液部
６４，６４ｄ 第１下受液部
６５，６５ｄ 第２下受液部
７１，７１ｃ 洗浄部
７２ 加熱部
７３ ガス噴射部
７４ 吸引部
９１ （基板の）上面
９２ （基板の）下面
６４３ （第１下受液部の）上部開口
Ｊ１ 中心軸
Ｓ１１〜Ｓ２３，Ｓ３１〜Ｓ４５ ステップ

Claims (7)

1. 基板を処理する基板処理装置であって、
   基板が通過可能な上部開口を有するとともに内周面の一部の径が前記基板よりも小さい貫通孔が設けられ、前記貫通孔の前記内周面を前記基板の外縁部に下方から接触させて前記基板を水平状態で保持する第１保持部と、
   前記第１保持部に保持された前記基板の下方に位置する第２保持部と、
   前記第２保持部を前記貫通孔を介して上方に移動させることにより、前記第２保持部を前記基板の下面に接触させ、前記第１保持部から前記第２保持部への前記基板の受け渡しを行う保持部移動機構と、
   前記基板の上面上に処理液を供給する処理液供給部と、
   を備え、
   前記処理液供給部から供給された処理液が、前記貫通孔の上端よりも下方にて前記第１保持部に保持された前記基板の前記上面と前記貫通孔の前記内周面とにより囲まれる貯溜空間に貯溜されることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記第１保持部に保持された前記基板の前記外縁部に向けて下方からガスを噴射するガス噴射部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記第１保持部が、前記貫通孔の前記内周面に接触する前記基板の前記外縁部を吸引する吸引部を備えることを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１ないし３のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、
   前記第１保持部および前記第２保持部を内部に収容するハウジングをさらに備え、
   前記第１保持部が、前記ハウジングに対して固定されていることを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１ないし４のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、
   前記貫通孔の前記上端よりも上方において前記第２保持部を回転する回転機構と、
   前記第２保持部と共に回転する前記基板から周囲に飛散する処理液を受ける上受液部と、
   をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
6. 請求項１ないし５のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、
   前記第１保持部に保持された前記基板を加熱する加熱部をさらに備えることを特徴とする基板処理装置。
7. 請求項１ないし６のいずれか１つに記載の基板処理装置であって、
   前記貯溜空間に貯溜される処理液が、前記基板の無電解めっき処理に利用されるめっき液であることを特徴とする基板処理装置。

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