JP2002299306A

JP2002299306A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2002299306A
Application number: JP2001103851A
Authority: JP
Inventors: Akihisa Hongo; 明久本郷; Kenichi Abe; 賢一阿部
Original assignee: Ebara Corp
Current assignee: Ebara Corp
Priority date: 2001-04-02
Filing date: 2001-04-02
Publication date: 2002-10-11
Anticipated expiration: 2021-04-02
Also published as: JP3850226B2

Abstract

(57)【要約】【課題】例えば薬液処理とそれに伴うリンス処理等の
異なる処理を１つの装置（１バス）で連続して行うこと
ができ、しかも薬液等を回収してより有効に再使用でき
るようにする。【解決手段】基板を着脱自在に保持する基板保持部１
２と、少なくとも２種類の液体を基板保持部１２で保持
した基板に向けて個別に噴射する噴射ヘッド２４と、噴
射ヘッド２４の周囲に設けられた第１流路３６及び第２
流路３８と、第１流路３６及び第２流路３８の一方を選
択的に閉鎖する片流路閉鎖手段とを有する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体基板
に形成された配線用の溝等に金属をめっきによって充填
して配線を形成するのに際し、この基板の表面に無電解
めっきでシード層を形成する時の前処理を行うのに使用
したり、ＣＭＰ（化学的機械的研磨）を施した基板の表
面を薬液で洗浄し、その後純水でリンスするといった後
洗浄処理を行うのに使用される基板処理装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体チップの高速化、高集積化
に伴い、半導体基板上に配線回路を形成するための金属
材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代
えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐
性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。
この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部
に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配
線を形成する方法としては、めっきが一般的であり、電
解銅めっきで銅配線を形成する際には、例えばＴａＮ等
からなるバリア層の表面に、電解めっきの給電層として
のシード層を形成し、このシード層の表面に銅膜を成膜
した後、その表面を化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により
平坦に研磨するようにしている。

【０００３】ここで、例えば無電解銅めっきで基板の表
面にシード層を形成する際には、その前処理として、Ｐ
ｄとの置換を行うためＳｎＣｌ_２液等によるＳｎ吸着化
処理、及び無電解めっきの際の触媒となるＰｄを基板上
に析出させるためＰｄＣｌ_２液等による置換処理を行う
必要があり、これらの各処理には、それぞれ純水による
リンス処理を伴う。また、これらの２段処理を１液のＰ
ｄ／Ｓｎコロイドのキャタリストで行われる場合もあ
る。この場合も純水によるリンス処理が伴う。

【０００４】従来、これらの各処理（Ｓｎ吸着化処理ま
たはＰｄ置換処理）とそれに付随するリンス処理は、一
般に同一の装置（１バス）で連続して行われていた。つ
まり、ＳｎＣｌ_２液等による活性化処理にあっては、基
板の表面にＳｎＣｌ_２液等の薬液を供給した後、これに
連続して基板の表面に残った薬液を純水で洗い流し、し
かる後、基板を次工程（触媒付与工程）に搬送する。Ｐ
ｄＣｌ_２液等による触媒付与処理にあっては、基板の表
面にＰｄＣｌ_２液等の薬液を供給した後、これに連続し
て基板の表面に残った薬液を純水で洗い流し、しかる
後、基板を次工程（無電解めっき工程）に搬送するよう
にしていた。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来例
のように、例えば無電解めっきにおける各前処置（薬液
処理）とそれに伴うリンス処理等の異なる処理を同一の
装置（１バス）で連続して行うと、設置スペースを削減
できるものの、残液の問題でクロスコンタミネーション
が発生したり、薬液が希釈化するため、薬液を効率よく
回収して再使用することが困難となる。一方、廃液とし
て処分すると、薬液の消費量が多くなって、ランニング
コストが高くなるといった問題があった。

【０００６】なお、これらの薬液による処理と純水によ
るリンス処理等の異なる処理を別々の装置（２バス）で
個別に行うことも行われているが、これでは広い設置ス
ペースが必要となって、装置がかなり大型化してしま
う。

【０００７】本発明は上記に鑑みてなされたもので、例
えば薬液処理とそれに伴うリンス処理等の異なる処理を
１つの装置（１バス）で連続して行うことができ、しか
も薬液等を回収してより有効に再使用できるようにした
基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を着脱自在に保持する基板保持部と、少なくと
も２種類の液体を前記基板保持部で保持した基板に向け
て個別に噴射する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドの周囲
に設けられた第１流路及び第２流路と、前記第１流路及
び第２流路の一方を選択的に閉鎖する片流路閉鎖手段と
を有することを特徴とする基板処理装置である。

【０００９】これにより、例えば第２流路を閉鎖した時
には、噴射ヘッドから基板に向けて噴射された少なくと
も１種の液体が第１流路内に流入し、第１流路を閉鎖し
た時には、噴射ヘッドから基板に向けて噴射された他の
液体が第２流路内に流入するようにして、噴射ヘッドか
ら基板に向けて噴射される少なくとも１種の液体が他の
液体と混じらないようにすることができる。従って、噴
射ヘッドから噴射する液体を変えることで、異なる処理
を連続して行い、しかも、第１流路と第２流路を選択的
に閉鎖することで、少なくとも１種の液体を他の液体か
ら分離しこの大部分を回収して再使用することができ
る。

【００１０】請求項２に記載の発明は、前記第１流路及
び前記第２流路は、内外に配置した内槽と外槽の該内槽
の内部及び内槽と外槽に挟まれた領域にそれぞれ形成さ
れ、前記片流路閉鎖手段は、前記内槽を昇降させる内槽
昇降機構と、前記噴射ヘッドの下方に配置され前記内槽
の下降に伴って該内槽の上端開口部を覆う傘体とを有す
ることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置であ
る。ここで、内槽と外槽は、一般的には同心状に配置さ
れるが、外槽として角形状のものを使用し、内槽と同心
状とならないように配置してもよい。

【００１１】これにより、内槽を噴射ヘッドの上方まで
上昇させることで、内槽と外槽との間の領域に形成した
第２流路を該内槽の周壁で閉鎖し、内槽を下降させてこ
の上端開口部を傘体で覆うことで、内槽の内部に形成し
た第１流路を傘体で閉鎖することができる。請求項３に
記載の発明は、前記傘体は、回転自在に構成されている
ことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置である。
これにより、傘体の上面に滴下した液体を、この傘体の
回転に伴う遠心力で外方に飛散させることができる。

【００１２】請求項４に記載の発明は、前記内槽が下降
した位置にあるとき、前記傘体を回転または停止させた
状態で第１の液体による処理を、内槽が上昇した位置に
あるとき、前記傘体を回転または停止させた状態で第２
の液体による処理をそれぞれ行うことを特徴とする請求
項２または３記載の基板処置装置である。

【００１３】請求項５に記載の発明は、前記第１の液体
が薬液で、第２の液体が純水であることを特徴とする請
求項４記載の基板処理装置である。これにより、薬液処
理と該薬液を洗い流すリンス処理を連続して行う際に、
噴射ヘッドから基板に向けて噴射された薬液を第２流路
内に、噴射ヘッドから基板に向けて噴射された純水を第
１流路内にそれぞれ流入させ、薬液が純水に混じらない
ようにして、薬液を純水から分離しこれを回収して再使
用することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１及び図２は、本発明の実施の
形態の基板処理装置の全体構成の概略を示すもので、こ
の基板処理装置１０は、表面（被めっき面）Ｓにコンタ
クトホールや配線用の溝を形成し、更にＴａＮ等からな
るバリア層を形成した半導体ウエハ等の基板Ｗを下向き
（フェースダウン）にして着脱自在に保持する基板保持
部１２を有している。この基板保持部１２は、下方に開
口した支持体１４の下端に回転自在に連結されていると
ともに、この支持体１４の上部に配置された基板回転用
モータ１６の回転軸１６ａの下端に連結されている。更
に、この支持体１４は、支持体昇降用モータ１８の駆動
に伴って昇降する昇降ロッド２０の上端に連結した、水
平方向に延びる昇降アーム２２の自由端に連結されてい
る。

【００１５】これにより、支持体昇降用モータ１８の駆
動に伴って、基板保持部１２が支持体１４と一体に昇降
し、基板回転用モータ１６の駆動に伴って、基板保持部
１２が基板Ｗを保持したまま回転するようになってい
る。基板保持部１２の下方に位置して、基板保持部１２
で保持した基板Ｗに向けて、この例では純水と薬液の２
つの液体を個別に噴射する噴射ヘッド２４が水平に配置
されている。この噴射ヘッド２４は、基板保持部１２で
保持した基板Ｗの直径方向のほぼ全長に亘る長さを有す
る棒状体で構成され、上下方向に延びる固定軸２６の上
端に連結されている。

【００１６】前記基板保持部１２及び噴射ヘッド２４の
周囲を包囲して槽本体３０が配置されている。この槽本
体３０は、基板保持部１２の下方に配置された内槽３２
と、この内槽３２と同心状に配置された外槽３４とから
主に構成され、内槽３２の内部に第１流路３６が、内槽
３２と外槽との間に領域に第２流路３８がそれぞれ区画
形成されている。

【００１７】更に、第１流路３６を開いた時に第２流路
３８を閉鎖し、逆に第１流路３６を閉鎖した時に第２流
路３８を開くことで、第１流路３６と第２流路３８の一
方を選択的に閉鎖する片流路閉鎖手段が備えられてい
る。ここで、図１は、第１流路３６を開いて第２流路３
８を閉鎖した状態を、図２は、第１流路３６を閉鎖して
第２流路３８を開いた状態をそれぞれ示している。

【００１８】すなわち、内槽３２は、内槽昇降用モータ
４０の駆動に伴って昇降する昇降ロッド４２の上端に連
結されて昇降自在に構成され、更に、内槽３２の内部の
噴射ヘッド２４の下方には、該内槽３２の内径よりやや
小さな外径を有し、中央が盛り上がった山形に屈曲させ
た平板状の傘体４４が配置されている。そして、図１に
示すように、内槽３２が上昇した時には、この内槽３２
の上端が噴射ヘッド２４のやや上方に位置して、この内
槽３２の周壁で内槽３２と外槽３４との間の第２流路３
８を閉鎖し、図２に示すように、内槽３２が下降した時
には、この内槽３２の上端開口部を傘体４４で覆って、
この傘体４４で内槽３２の内部の第１流路３６を閉鎖す
るようになっている。

【００１９】これによって、噴射ヘッド２４から基板Ｗ
に向けて噴射され、基板に当たって跳ね返った液体は、
内槽３２が上昇した時には、内槽３２の内部の第１流路
３６内に流入し、内槽３２が下降した時には、内槽３２
と外槽３４との間の第２流路３８内に流入する。

【００２０】傘体４４は、固定軸２６の周囲を囲繞して
上方に延びる中空の回転軸４６の上端に連結され、この
回転軸４６の下端に固着された従動プーリ４８と傘体回
転用モータ５０の駆動軸に固着された駆動プーリ５２と
の間にベルト５４が掛け渡されている。これによって、
傘体回転用モータ５０の駆動に伴って、傘体４４が回転
するようになっている。このように、傘体４４を回転さ
せることで、傘体４４の上面に滴下した液体を、この傘
体４４の回転に伴う遠心力で外方に飛散させることがで
きる。

【００２１】ここに、この例では、純水を供給する純水
経路６０と、薬液を供給して循環させる薬液経路６２が
設けられている。純水経路６０は、第１流路３６をその
経路の一部とするもので、図１に示すように、内槽３２
を上昇させた状態で、噴射ヘッド２４及び固定軸２６の
内部に設けられた純水通路２４ａ，２６ａ（図３参照）
を通って供給された純水を噴射ヘッド２４に設けられた
純水噴射ノズル７４ａ（図３参照）から基板Ｗに向けて
噴射して基板Ｗに付着した薬液等を純水で洗い流し、内
槽３２の内部の第１流路３６内に流入した純水を該内槽
３２の底部に設けられた排出口３２ａから外部に排出す
るようになっている。

【００２２】一方、薬液経路６２は、第２流路３８をそ
の経路の一部とするもので、循環槽６４及びポンプ６６
を備え、図２に示すように、内槽３２を下降させた状態
で、噴射ヘッド２４及び固定軸２６に設けられた薬液通
路２４ｂ，２６ｂ（図３参照）を通って供給された薬液
を噴射ヘッド２４に設けられた薬液噴射ノズル７４ｂ
（図３参照）から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗを薬液
で処理し、内槽３２と外槽３４との間の第２流路３８内
に流入した薬液を該外槽３４の底部に設けられた排出口
３４ａから循環槽６４に戻すことで、薬液を循環させる
ようになっている。

【００２３】図３乃至図５は、基板処理装置１０の要部
を拡大して示す拡大図で、基板保持部１２は、内部に基
板Ｗを収納するハウジング７０を有し、このハウジング
７０の下端に設けた爪部７０ａの上面に基板を載置した
状態で、この爪部７０ａと上下動自在な押圧板７２との
間で基板Ｗの周縁部を挟持して基板Ｗを保持するように
なっている。

【００２４】なお、図３には、その右半分に基板保持部
１２を下端まで下降させた状態を、左半分に基板保持部
１２を上端まで上昇させた状態をそれぞれ示している。
この基板保持部１２の上下動は、前述のように、支持体
昇降用モータ１８（図１及び図２参照）の駆動によって
行われる。このように、基板保持部１２を昇降させ、こ
の基板保持部１２で保持した基板Ｗと下記の噴射ノズル
７４との距離を調節することで、噴射ノズル７４から噴
射された液体が基板Ｗに当たる状態（噴射ノズルから噴
射される液体の方向や強さ等）を調節することができ
る。

【００２５】噴射ヘッド２４の内部には、その軸方向の
ほぼ全長に亘って延び、両端を閉塞させた純水通路２４
ａと薬液通路２４ｂが平行に設けられている。更に、こ
の噴射ヘッド２４の上面側の幅方向に沿った中央には、
純水通路２４ａ及び薬液通路２４ｂと互い違いに連通す
る複数の噴射ノズル７４が軸方向に沿って直列に設けら
れている。これにより、噴射ノズル７４は、純水を噴射
する純水噴射ノズル７４ａと薬液を噴射する薬液噴射ノ
ズル７４ｂに分類され、これらの純水噴射ノズル７４ａ
と薬液噴射ノズル７４ｂと互い違いに並ぶようになって
いる。

【００２６】更に、固定軸２６の内部には、噴射ヘッド
２４の純水通路２４ａと薬液通路２４ｂにそれぞれ連通
し、その軸方向の全長に亘って延びる純水通路２６ａと
薬液通路２６ｂが平行に設けられている。この固定軸２
６の下端には、連結板７６が固着され、この連結板７６
の螺着したプラグ７８ａ，７８ｂを介して、純水通路２
６ａ及び薬液通路２６ｂは、前記純水経路６０及び薬液
経路６２（図１及び図２参照）を構成するチューブ８０
ａ，８０ｂにそれぞれ連通している。

【００２７】これにより、純水経路６０を開くと、純水
通路２４ａ，２６ａを通過した純水が純水噴射ノズル７
４ａから基板Ｗに向けて噴射され、薬液経路６２を開く
と、薬液通路２４ｂ，２６ｂを通過した薬液が薬液噴射
ノズル７４ｂから基板に向けて噴射されるようになって
いる。

【００２８】この例にあっては、内槽３２の底部に設け
た排出口３２ａに中空体８２を連結し、この中空体８２
の下端に螺着したプラグ７８ｃを介して、この内部の第
１流路３６内の液体（純水）を純水経路６０（図１及び
図２参照）から外部に排出し、内槽３２の底部に連結し
た押圧ロッド８４を介して内槽３２が昇降するようにし
ている。なお、図１及び図２に示すように、この中空体
８２と押圧ロッド８４を一体としてもよい。また、外槽
３４の底部に設けた排出口３４ａに螺着したプラグ７８
ｄを介して、この内部の第２流路３８内の液体（薬液）
を薬液経路６２（図１及び図２参照）を循環させるよう
にしている。

【００２９】次に、この基板処理装置を用いて基板に薬
液による処理と純水によるリンス処理を連続して行うと
きの動作について説明する。先ず基板Ｗを基板保持部１
２のハウジング７０の内部に入れ、爪部７０ａの上に基
板Ｗをその表面Ｓを下向きした状態（フェースダウン）
で載置し、押圧板７２を下降させて基板Ｗを挟持保持す
る。そして、必要に応じて、基板保持部１２を任意の位
置に昇降させ、基板保持部１２を回転させて基板Ｗを回
転させる。一方、図２に示すように、内槽３２にあって
は、これを下降させて、第１流路３６を傘体４４で閉鎖
し、第２流路３８を開いた状態にする。

【００３０】この状態で、傘体４４を回転させながら、
ポンプ６６を作動させて薬液経路６２を開き、薬液を薬
液噴射ノズル７４ｂから基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗ
の表面Ｓに薬液による処理を施す。この時、薬液噴射ノ
ズル７４ｂから基板に向けて噴射された薬液は、第２流
路３８内に流入し、薬液経路６２を戻り、循環槽６４を
経て再使用される。これにより、薬液に純水が混じるこ
となく、しかも外部に流出することなく、薬液の大部分
を効率よく回収して再使用することができる。

【００３１】そして、所定の時間に亘って薬液による処
理を行った後、薬液噴射ノズル７４ｂからの薬液の噴射
を停止し、基板Ｗに付着した薬液の液切りを行った後、
基板Ｗの回転を停止する。この時、傘体４４の回転を継
続し、所定時間経過した後にこの回転を停止する。これ
により、傘体４４の上面に滴下した薬液をこの回転に伴
う遠心力で極力振り切りって、薬液の純水側への持ち込
みを軽減し、第２流路３８に飛散した薬液を循環槽６４
に回収する。

【００３２】次に、必要に応じて基板保持部１２を任意
の位置に昇降させた後、基板保持部１２を回転させて基
板Ｗを回転させる。一方、内槽３２にあっては、これを
上昇させ、第２流路３８を内槽３２の周壁で閉鎖し、第
１流路３６を開いた状態にする。この状態で、傘体４４
を回転させながら、純水経路６０を開くことで、純水を
純水噴射ノズル７４ａから基板Ｗに向けて噴射して基板
Ｗの表面Ｓに付着した薬液を純水によって洗い流す。こ
の時、純水噴射ノズル７４ａから基板Ｗに向けて噴射さ
れた薬液は、第１流路３６内に流入し、純水経路６０か
ら外部に排出され、これによって、純水が薬液に混じる
ことが防止される。

【００３３】そして、所定の時間に亘るリンス処理を行
った後、純水噴射ノズル７４ａからの純水の噴射を停止
し、基板Ｗに付着した純水の液切りを行った後、基板Ｗ
の回転を停止する。この時、傘体４４は、リンス中は停
止状態とし、リンス終了後に回転させ、所定時間経過後
にこの回転を停止し、これにより、傘体４４の上面に滴
下した純水をこの回転に伴う遠心力で極力振り切って、
純水が薬液に混じることを軽減する。しかる後、前述の
逆の動作でリンス処理終了後の基板Ｗをハウジング７０
の外に搬送する。

【００３４】なお、この例では、薬液による処理と純水
によりリンス処理を連続して行うようにした例を示して
いるが、この純水の代わりに、他の薬液を使うことで、
異なる薬液による処理を連続して行うようにしてもよ
く、この場合、前記純水の場合のように、外部に排出す
ることなく、両薬液を回収し再使用するようにしてもよ
いことは勿論である。また、第１流路と第２流路の使い
方として、薬液と純水を逆にしてもよい。

【００３５】図６は、前述の基板処理装置１０を無電解
めっきの前処理装置に利用し、半導体ウエハ等の基板Ｗ
の表面に形成した配線用の溝やコンタクトホールに銅を
埋込んで銅配線を形成するようにしためっき装置の全体
構成を示す。

【００３６】このめっき装置は、矩形状のハウジング９
０内に配置された、ロード・アンロードユニット９２
ａ，９２ｂ、Ｓｎの吸着剤となるＳｎＣｌ_２液等により
吸着化処理を行う吸着化処理装置（前処理装置）９４、
ＳｎとＰｄの置換のためＰｄＣｌ_２液等により置換処理
を行う置換処理装置（前処理装置）９６、無電解めっき
装置９８、電解めっき装置１００、基板Ｗの外周部に付
着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要に応じて基板の
裏面を洗浄するベベルエッチ装置１０２、ベベルエッチ
後の基板を洗浄し乾燥させる洗浄・乾燥装置１０４、こ
れらの間で基板Ｗの搬送を行う２基の搬送装置（搬送ロ
ボット）１０６ａ，１０６ｂ、及び仮置きステージ１０
８ａ，１０８ｂを有している。ここで、前処理装置であ
る吸着化処理装置９４及び置換処理装置９６は、使用す
る薬液が異なるだけで、前記図１乃至図５に示す基板処
理装置１０と同じ構成をしている。ここで、洗浄・乾燥
装置１０４は、この例では、ペンシル・スポンジを備え
たスピンドライユニットで構成されている。

【００３７】次に、上記のように構成しためっき装置に
よる一連のめっき処理の工程について説明する。まず、
ロード・アンロードユニット９２ａまたは９２ｂに保持
された基板Ｗを一方の搬送装置１０６ａにより取り出
し、仮置きステージ１０８ａまたは１０８ｂに置く。他
方の搬送装置１０６ｂは、これを吸着化処理装置９４に
搬送し、ここで、基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗの表面
Ｓ（図１及び図２等参照、以下同様）にＳｎＣｌ_２等の
吸着化剤等を含む薬液を供給して基板Ｗの表面Ｓの吸着
化処理を行い、この薬液による処理に連続して、基板Ｗ
を回転させつつ、基板Ｗの表面Ｓに純水を供給して、基
板Ｗに付着した薬液を純水で洗い流すリンス処置を行
う。次に、基板Ｗを隣接する置換処理装置９６に搬送
し、ここで、基板Ｗを回転させつつ、基板Ｗの表面Ｓに
ＰｄＣｌ_２液等でＰｄ置換を行い基板Ｗの表面Ｓの触媒
付与処理を行い、この薬液による処理に連続して、基板
Ｗを回転させつつ、基板Ｗの表面Ｓに純水を供給して、
基板Ｗに付着した薬液を純水で洗い流すリンス処置を行
う。

【００３８】この時、ＳｎＣｌ_２等のＳｎ吸着化剤を含
む薬液やＰｄＣｌ_２液等の薬液は、前述のように、これ
に純水が混じったり、廃液と処理されることなく、その
大部分が回収して再使用される。

【００３９】この過程では、Ｓｎ吸着化処理装置におい
て、ＳｎＣｌ_２からのイオンＳｎ^２ ^＋が基板Ｗの表面に
吸着され、このイオンは、置換処理装置において酸化さ
れてＳｎ^４＋になり、逆にＰｄ^２＋は還元されて金属Ｐ
ｄとなって基板Ｗの表面に析出して、次の無電解めっき
工程の触媒層となる。この過程は、Ｐｄ／Ｓｎコロイド
の１液キャタリストを用いて行うこともできる。なお、
以上のような触媒付与工程は、この例のように、Ｓｎ吸
着化処理装置とＰｄ置換処理装置で行うこともできる
が、別の装置で行ってから基板Ｗを移送してもよい。ま
た、半導体基板に存在する窪み内表面の材質、状態によ
っては、前述のＳｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理を省
略できる場合がある。

【００４０】搬送装置１０６ｂは、基板Ｗをさらに無電
解銅めっき装置９８に運び、ここで所定の還元剤と所定
のめっき液を用いて無電解めっき処理を行う。これによ
って、例えば、ＴａＮ等からなるバリア層の表面に薄い
銅めっき膜を形成する。この場合、固液界面で還元剤の
分解によって生じた電子が、基板表面の触媒を経由して
Ｃｕ^２＋に与えられ、金属Ｃｕとして触媒上に析出して
銅めっき膜を形成する。なお、この触媒としては、Ｐｄ
以外にも、遷移金属である、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，
Ａｇ等を用いることができる。

【００４１】次に、無電解めっき処理後の基板Ｗを搬送
装置１０６ｂで無電解めっき装置９８から取り出して電
解めっき装置１００に運び、ここで、基板を所定の電解
めっき液に浸漬させつつ、基板と電解めっき液との間に
所定のめっき電圧を印加することで、電解めっき処理を
行う。これによって、基板Ｗの表面に形成された配線用
の溝やコンタクトホールの内部に銅を充填する。

【００４２】次に、この基板を搬送装置１０６ｂで仮置
きステージ１０８ａまたは１０８ｂに置き、搬送装置１
０６ａでベベルエッチ装置１０２に運び、ここで、基板
Ｗの外周部に付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要
に応じて基板Ｗの裏面を洗浄する。このベベルエッチ後
の基板Ｗを搬送装置１０６ａで洗浄・乾燥装置１０４に
運び、この洗浄・乾燥装置１０４でペンシル・スポンジ
による仕上げの洗浄とスピンドライによる乾燥を行っ
て、ロード・アンロードユニット９２ａまたは９２ｂへ
戻す。基板は後にアニール装置やＣＭＰ装置に搬送され
る。

【００４３】なお、この例では、無電解銅めっきで銅め
っき膜を成膜した例を示しているが、無電解めっきで成
膜するめっき膜としては、銅の他に、ニッケル−ボロ
ン、ニッケル−リン、コバルト−リン、ニッケル−タン
グステン−リン、ニッケル−コバルト−リン、コバルト
−タングステン−リン等が挙げられる。

【００４４】また、無電解めっきの前処理装置として、
本発明に係る基板処理装置を使用し、薬液による処理と
純水によるリンス処理を、薬液を回収し再利用しつつ、
連続して行うようにした例を示しているが、このような
薬液による処理と純水による処理等の２種類、更にはそ
れ以上の処理を、少なくとも１種類の薬液を回収しつつ
連続して行うようにした例に適用できることは勿論であ
る。

【００４５】例えば、前記の例でめっきを行い、乾燥・
洗浄した基板は、一般にアニール工程を経てＣＭＰ処理
が施されるが、このＣＭＰ工程の前処理装置として、本
発明に係る基板洗浄装置を使用し、薬液による洗浄処理
と純水によるリンス処理を、薬液を回収し再利用しつ
つ、連続して行うようにしてもよい。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
例えば薬液による処理と純水による処理等の２種類の処
理を、薬液に純水が混じることを防止し、薬液の大部分
を回収して再使用しつつ行うことができ、これによっ
て、薬液の無駄を省いてランニングコストを低く押さえ
ることができる。しかも、このような２種類の処理を一
つの装置（１バス）で連続して行うことで、フットプリ
ントを極力小さくすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態の基板処理装置の第２流路
を選択的に閉鎖した状態の全体構成を示す概要図であ
る。

【図２】同じく、第１流路を選択的に閉鎖した状態の全
体構成を示す概要図である。

【図３】基板処理装置の要部を拡大して示す要部拡大断
面図である。

【図４】同じく、噴射ヘッドの上面図である。

【図５】同じく、一部を示す部分断面図である。

【図６】図１乃至図５に示す基板処理装置を備えためっ
き処理装置の平面配置図である。

【符号の説明】

１０基板処理装置１２基板保持部２４噴射ヘッド２４ａ同、純水通路２４ｂ同、薬液通路２６固定軸２６ａ同、純水通路２６ｂ同、薬液通路３０槽本体３２内槽３４外槽３６第１流路３８第２流路４４傘体４６回転軸６０純水経路６２薬液経路６４循環槽７２押圧板７４噴射ノズル７４ａ同、純水噴射ノズル７４ｂ同、薬液噴射ノズル８２中空体８４押圧ロッド９２ａ，９２ｂロード・アンロードユニット９４Ｓｎ吸着化処理装置（無電解めっき前処理装置）９６Ｐｄ置換処理装置（無電解めっき前処理装置）９８無電解めっき装置１００電解めっき装置１０２ベベルエッチ装置１０４洗浄・乾燥装置１０６ａ，１０６ｂ搬送装置１０８ａ，１０８ｂ仮置きステージＷ基板

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続きＦターム(参考） 3B201 AA03 AB08 AB33 AB47 BB21 BB92 BB93 CC01 CC13 CD11 CD22 4K022 AA05 AA37 AA41 BA04 BA06 BA08 BA14 BA16 BA24 CA03 CA18 CA19 CA20 CA21 DA01 DB15 DB17 DB19 DB30 4M104 BB32 DD22 DD53

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を着脱自在に保持する基板保持部
と、少なくとも２種類の液体を前記基板保持部で保持した基
板に向けて個別に噴射する噴射ヘッドと、前記噴射ヘッドの周囲に設けられた第１流路及び第２流
路と、前記第１流路及び第２流路の一方を選択的に閉鎖する片
流路閉鎖手段とを有することを特徴とする基板処理装
置。
【請求項２】前記第１流路及び前記第２流路は、内外
に配置した内槽と外槽の該内槽の内部及び内槽と外槽に
挟まれた領域にそれぞれ形成され、前記片流路閉鎖手段
は、前記内槽を昇降させる内槽昇降機構と、前記噴射ヘ
ッドの下方に配置され前記内槽の下降に伴って該内槽の
上端開口部を覆う傘体とを有することを特徴とする請求
項１記載の基板処理装置。
【請求項３】前記傘体は、回転自在に構成されている
ことを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】前記内槽が下降した位置にあるとき、前
記傘体を回転または停止させた状態で第１の液体による
処理を、内槽が上昇した位置にあるとき、前記傘体を回
転または停止させた状態で第２の液体による処理をそれ
ぞれ行うことを特徴とする請求項２または３記載の基板
処置装置。
【請求項５】前記第１の液体が薬液で、第２の液体が
純水であることを特徴とする請求項４記載の基板処理装
置。