JP3284496B2 - めっき装置及びめっき液除去方法 - Google Patents
めっき装置及びめっき液除去方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、めっき装置及びめ
っき液除去方法に係り、特に半導体基板に形成された配
線用の窪みに銅等の金属を充填する等の用途のめっき装
置及び該めっき装置の基板保持部の基板との当接部乃至
その近傍に残るめっき液を除去するめっき液除去方法に
関する。
っき液除去方法に係り、特に半導体基板に形成された配
線用の窪みに銅等の金属を充填する等の用途のめっき装
置及び該めっき装置の基板保持部の基板との当接部乃至
その近傍に残るめっき液を除去するめっき液除去方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体基板上に配線回路を形成するため
の材料としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金
が一般に用いられているが、集積度の向上に伴い、より
伝導率の高い材料を配線材料に採用することが要求され
ている。このため、基板にめっき処理を施して、基板に
形成された配線パターンに銅またはその合金を充填する
方法が提案されている。
の材料としては、アルミニウムまたはアルミニウム合金
が一般に用いられているが、集積度の向上に伴い、より
伝導率の高い材料を配線材料に採用することが要求され
ている。このため、基板にめっき処理を施して、基板に
形成された配線パターンに銅またはその合金を充填する
方法が提案されている。
【０００３】これは、配線パターンに銅またはその合金
を充填する方法としては、ＣＶＤ（化学的蒸着）やスパ
ッタリング等各種の方法が知られているが、金属層の材
質が銅またはその合金である場合、即ち、銅配線を形成
する場合には、ＣＶＤではコストが高く、またスパッタ
リングでは高アスペクト（パターンの深さの比が幅に比
べて大きい）の場合に埋込みが不可能である等の短所を
有しており、めっきによる方法が最も有効だからであ
る。
を充填する方法としては、ＣＶＤ（化学的蒸着）やスパ
ッタリング等各種の方法が知られているが、金属層の材
質が銅またはその合金である場合、即ち、銅配線を形成
する場合には、ＣＶＤではコストが高く、またスパッタ
リングでは高アスペクト（パターンの深さの比が幅に比
べて大きい）の場合に埋込みが不可能である等の短所を
有しており、めっきによる方法が最も有効だからであ
る。
【０００４】ここで、半導体基板上に銅めっきを施す方
法としては、カップ式やディップ式のようにめっき槽に
常時めっき液を張ってそこに基板を浸す方法と、めっき
槽に基板が供給された時にのみめっき液を張る方法、ま
た、電位差をかけていわゆる電解めっきを行う方法と、
電位差をかけない無電解めっきを行う方法など、種々の
方法がある。
法としては、カップ式やディップ式のようにめっき槽に
常時めっき液を張ってそこに基板を浸す方法と、めっき
槽に基板が供給された時にのみめっき液を張る方法、ま
た、電位差をかけていわゆる電解めっきを行う方法と、
電位差をかけない無電解めっきを行う方法など、種々の
方法がある。
【０００５】従来、この種のめっき装置のうち、カップ
式めっき装置にあっては、基板の周縁部及び裏面をシー
ルした状態で基板を基板保持部で保持し、この基板の表
面露出部にめっき液を接触させてめっきを施すようにし
ているため、この基板保持部の基板との当接部乃至その
近傍にめっき液が残り易くなり、ここにめっき液が残る
と、これが乾燥してパーティクルの発生源となるなるば
かりでなく、次の基板に残っためっき液が付着して良好
なめっき処理ができなくなってしまう。
式めっき装置にあっては、基板の周縁部及び裏面をシー
ルした状態で基板を基板保持部で保持し、この基板の表
面露出部にめっき液を接触させてめっきを施すようにし
ているため、この基板保持部の基板との当接部乃至その
近傍にめっき液が残り易くなり、ここにめっき液が残る
と、これが乾燥してパーティクルの発生源となるなるば
かりでなく、次の基板に残っためっき液が付着して良好
なめっき処理ができなくなってしまう。
【０００６】このため、めっき液を吸収する吸収材また
はめっき液を吸引する吸引具を有するめっき液除去装置
を基板保持部の基板との当接部乃至その近傍に沿って円
周方向に移動させることで、この当接部乃至その近傍に
残るめっき液を吸収または吸引除去するようにしたもの
が開発されている。
はめっき液を吸引する吸引具を有するめっき液除去装置
を基板保持部の基板との当接部乃至その近傍に沿って円
周方向に移動させることで、この当接部乃至その近傍に
残るめっき液を吸収または吸引除去するようにしたもの
が開発されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記基
板保持部の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき
液を強制的に除去するようにした従来のめっき装置にあ
っては、基板保持部側が固定で、めっき液除去装置側を
回転させるようにしているため、基板保持部の基板との
当接部乃至その近傍に残っためっき液の液切り（スピン
除去）を行うことができずに基板保持部の基板との当接
部乃至その近傍に多量のめっき液が残り、このため、め
っき処理を施す度にめっき液除去作業を行う必要がある
ばかりでなく、このめっき液除去作業にかなりの時間を
要する。しかも、多量のめっき液を除去するため、めっ
き液の消耗が多くなり、製品のコスト上昇につながって
しまうという問題があると考えられる。
板保持部の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき
液を強制的に除去するようにした従来のめっき装置にあ
っては、基板保持部側が固定で、めっき液除去装置側を
回転させるようにしているため、基板保持部の基板との
当接部乃至その近傍に残っためっき液の液切り（スピン
除去）を行うことができずに基板保持部の基板との当接
部乃至その近傍に多量のめっき液が残り、このため、め
っき処理を施す度にめっき液除去作業を行う必要がある
ばかりでなく、このめっき液除去作業にかなりの時間を
要する。しかも、多量のめっき液を除去するため、めっ
き液の消耗が多くなり、製品のコスト上昇につながって
しまうという問題があると考えられる。
【０００８】本発明は上記事情に鑑みて為されたもの
で、基板保持部の基板との当接部乃至その近傍に残った
めっき液を容易かつ迅速に除去することができ、しかも
構造が簡単で設置スペースが少なくて済むようにしため
っき装置及びめっき液除去方法を提供することを目的と
する。
で、基板保持部の基板との当接部乃至その近傍に残った
めっき液を容易かつ迅速に除去することができ、しかも
構造が簡単で設置スペースが少なくて済むようにしため
っき装置及びめっき液除去方法を提供することを目的と
する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を保持する基板保持部を有する回転自在なハウ
ジングを備えたヘッド部と、前記ヘッド部の下方に配置
されめっき液を保持するめっき処理槽と、前記ハウジン
グの前記基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その
近傍に付着しためっき液を除去するめっき液除去手段と
を有することを特徴とするめっき処理装置である。
は、基板を保持する基板保持部を有する回転自在なハウ
ジングを備えたヘッド部と、前記ヘッド部の下方に配置
されめっき液を保持するめっき処理槽と、前記ハウジン
グの前記基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その
近傍に付着しためっき液を除去するめっき液除去手段と
を有することを特徴とするめっき処理装置である。
【００１０】これにより、基板保持部の内周端の基板と
の当接部乃至その近傍に残っためっき液を強制的に吸引
除去することで、この当接部乃至その近傍に残っためっ
き液が乾燥してパーティクルの発生源となったり、残っ
ためっき液でシード層が溶解するのを防止することがで
きる。しかも、基板保持部を回転させることで、めっき
液の液切りを可能となすとともに、めっき液除去手段側
を回転させる必要をなくすことができる。
の当接部乃至その近傍に残っためっき液を強制的に吸引
除去することで、この当接部乃至その近傍に残っためっ
き液が乾燥してパーティクルの発生源となったり、残っ
ためっき液でシード層が溶解するのを防止することがで
きる。しかも、基板保持部を回転させることで、めっき
液の液切りを可能となすとともに、めっき液除去手段側
を回転させる必要をなくすことができる。
【００１１】請求項２に記載の発明は、前記めっき液除
去手段は、前記基板保持部の内周端の基板との当接部近
傍に近接自在で、該当接部乃至その近傍に付着しためっ
き液を吸引するめっき液吸引ノズルを有することを特徴
とする請求項１記載のめっき装置である。ここで、この
めっき液吸引ノズルを、前記基板保持部の当接部に沿っ
て延びる円弧状の形状に形成し、上下動及び水平方向に
移動自在に構成しても良く、これにより、基板保持部の
当接部乃至その近傍に残っためっき液の吸引除去作業を
短時間で効率的に行うことができる。
去手段は、前記基板保持部の内周端の基板との当接部近
傍に近接自在で、該当接部乃至その近傍に付着しためっ
き液を吸引するめっき液吸引ノズルを有することを特徴
とする請求項１記載のめっき装置である。ここで、この
めっき液吸引ノズルを、前記基板保持部の当接部に沿っ
て延びる円弧状の形状に形成し、上下動及び水平方向に
移動自在に構成しても良く、これにより、基板保持部の
当接部乃至その近傍に残っためっき液の吸引除去作業を
短時間で効率的に行うことができる。
【００１２】請求項３に記載の発明は、前記めっき液除
去手段は、前記基板保持部の内周端の基板との当接部近
傍に近接自在で、該当接部乃至その近傍に向けて洗浄液
を噴射する洗浄液噴射ノズルを更に有することを特徴と
する請求項２記載のめっき装置である。これにより、洗
浄液噴射ノズルから純水等の洗浄液を基板保持部の内周
端の基板との当接部乃至その近傍に向けて噴射して該当
接部乃至その近傍を洗浄し、更に、この当接部乃至その
近傍の残っためっき液を洗浄液と同時にめっき液吸引ノ
ズルで吸引することで、めっき液吸引ノズルの内部にめ
っき液が残り、これが乾燥してめっき液吸引ノズルを詰
まらせてしまうことを防止することができる。
去手段は、前記基板保持部の内周端の基板との当接部近
傍に近接自在で、該当接部乃至その近傍に向けて洗浄液
を噴射する洗浄液噴射ノズルを更に有することを特徴と
する請求項２記載のめっき装置である。これにより、洗
浄液噴射ノズルから純水等の洗浄液を基板保持部の内周
端の基板との当接部乃至その近傍に向けて噴射して該当
接部乃至その近傍を洗浄し、更に、この当接部乃至その
近傍の残っためっき液を洗浄液と同時にめっき液吸引ノ
ズルで吸引することで、めっき液吸引ノズルの内部にめ
っき液が残り、これが乾燥してめっき液吸引ノズルを詰
まらせてしまうことを防止することができる。
【００１３】
【００１４】
【００１５】請求項４に記載の発明は、基板を保持する
基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残
るめっき液を除去するにあたり、前記基板保持部を回転
させてめっき液の液切りを行った後、前記基板保持部を
回転させつつ、前記当接部乃至その近傍に残っためっき
液を吸引除去することを特徴とするめっき液除去方法で
ある。
基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残
るめっき液を除去するにあたり、前記基板保持部を回転
させてめっき液の液切りを行った後、前記基板保持部を
回転させつつ、前記当接部乃至その近傍に残っためっき
液を吸引除去することを特徴とするめっき液除去方法で
ある。
【００１６】請求項５に記載の発明は、回転自在なハウ
ジングの基板保持部に基板を保持した状態で、上記基板
にめっきを施す工程と、前記ハウジングを回転させて、
前記基板及び前記基板保持部に付着しためっき液の液切
りを行う工程と、前記ハウジングから前記基板を取り出
す工程と、前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保
持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っため
っき液を吸引除去する工程とを有することを特徴とする
めっき方法である。請求項６に記載の発明は、基板を保
持する基板保持部を有する回転自在なハウジングを備え
たヘッド部と、前記ヘッド部の下方に配置されてめっき
液を保持するめっき処理槽と、前記ハウジングの前記基
板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っ
ためっき液を吸引除去するめっき液除去手段を有し、前
記めっき液除去手段のめっき液吸引部は、前記ハウジン
グに設けられた開口より該ハウジング内の該基板保持部
近傍まで移動され、該基板保持部に対峙した状態で、前
記ハウジングを回転させながら、前記基板保持部の内周
端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を吸
引除去することを特徴とするめっき装置である。請求項
７に記載の発明は、回転自在なハウジングの基板保持部
に基板を保持した状態で、上記基板にめっきを施す工程
と、前記ハウジングを回転させて、前記基板及び前記基
板保持部に付着しためっき液の液切りを行う工程と、前
記ハウジングに設けられた開口から、前記基板保持部に
保持された基板を該ハウジング外に取り出す工程と、前
記ハウジングに設けられた該開口より、めっき液除去手
段を該ハウジング内に挿入し、該めっき液除去手段のめ
っき液吸引部を該基板保持部に対峙させる工程と、前記
めっき液吸引部を前記基板保持部近傍に対峙させた状態
で、前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保持部の
内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液
を吸引除去する工程とを有することを特徴とするめっき
方法である。
ジングの基板保持部に基板を保持した状態で、上記基板
にめっきを施す工程と、前記ハウジングを回転させて、
前記基板及び前記基板保持部に付着しためっき液の液切
りを行う工程と、前記ハウジングから前記基板を取り出
す工程と、前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保
持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っため
っき液を吸引除去する工程とを有することを特徴とする
めっき方法である。請求項６に記載の発明は、基板を保
持する基板保持部を有する回転自在なハウジングを備え
たヘッド部と、前記ヘッド部の下方に配置されてめっき
液を保持するめっき処理槽と、前記ハウジングの前記基
板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っ
ためっき液を吸引除去するめっき液除去手段を有し、前
記めっき液除去手段のめっき液吸引部は、前記ハウジン
グに設けられた開口より該ハウジング内の該基板保持部
近傍まで移動され、該基板保持部に対峙した状態で、前
記ハウジングを回転させながら、前記基板保持部の内周
端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を吸
引除去することを特徴とするめっき装置である。請求項
７に記載の発明は、回転自在なハウジングの基板保持部
に基板を保持した状態で、上記基板にめっきを施す工程
と、前記ハウジングを回転させて、前記基板及び前記基
板保持部に付着しためっき液の液切りを行う工程と、前
記ハウジングに設けられた開口から、前記基板保持部に
保持された基板を該ハウジング外に取り出す工程と、前
記ハウジングに設けられた該開口より、めっき液除去手
段を該ハウジング内に挿入し、該めっき液除去手段のめ
っき液吸引部を該基板保持部に対峙させる工程と、前記
めっき液吸引部を前記基板保持部近傍に対峙させた状態
で、前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保持部の
内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液
を吸引除去する工程とを有することを特徴とするめっき
方法である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。この実施の形態のめっき装置は、
半導体基板の表面に銅めっきを施して、銅層からなる配
線が形成された半導体装置を得るのに使用されるのであ
るが、この工程を図１を参照して説明する。
を参照して説明する。この実施の形態のめっき装置は、
半導体基板の表面に銅めっきを施して、銅層からなる配
線が形成された半導体装置を得るのに使用されるのであ
るが、この工程を図１を参照して説明する。
【００１８】即ち、半導体基板Ｗには、図１（ａ）に示
すように、半導体素子が形成された半導体基材１上の導
電層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２が堆積され、
リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール
３と配線用の溝４が形成され、その上にＴｉＮ等からな
るバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層として
スパッタリング等により銅シード層７が形成されてい
る。
すように、半導体素子が形成された半導体基材１上の導
電層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２が堆積され、
リソグラフィ・エッチング技術によりコンタクトホール
３と配線用の溝４が形成され、その上にＴｉＮ等からな
るバリア層５、更にその上に電解めっきの給電層として
スパッタリング等により銅シード層７が形成されてい
る。
【００１９】そして、図１（ｂ）に示すように、前記半
導体基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、半導体基材
１のコンタクトホール３及び溝４内に銅を充填させると
ともに、絶縁膜２上に銅層６を堆積させる。その後、化
学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅層６
を除去して、コンタクトホール３及び配線用の溝４に充
填させた銅層６の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平
面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように銅層６
からなる配線が形成される。
導体基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、半導体基材
１のコンタクトホール３及び溝４内に銅を充填させると
ともに、絶縁膜２上に銅層６を堆積させる。その後、化
学的機械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅層６
を除去して、コンタクトホール３及び配線用の溝４に充
填させた銅層６の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平
面にする。これにより、図１（ｃ）に示すように銅層６
からなる配線が形成される。
【００２０】以下、半導体基板Ｗに電解銅めっきを施す
本発明の実施の形態のめっき装置を図２を参照して説明
する。図２に示すように、このめっき装置は、矩形状の
設備１０内に配置されて、半導体基板の銅めっきを連続
的に行うように構成されているのであるが、この設備１
０は、仕切壁１１によってめっき空間１２と清浄空間１
３に仕切られ、これらの各めっき空間１２と清浄空間１
３は、それぞれ独自に給排気できるようになっている。
そして、前記仕切壁１１には、開閉自在なシャッタ（図
示せず）が設けられている。また、清浄空間１３の圧力
は、大気圧より低く、且つめっき空間１２の圧力よりも
高くしてあり、これにより、清浄空間１３内の空気が設
備１０の外部に流出することがなく、且つめっき空間１
２内の空気が清浄空間１３内に流入することがないよう
なっている。
本発明の実施の形態のめっき装置を図２を参照して説明
する。図２に示すように、このめっき装置は、矩形状の
設備１０内に配置されて、半導体基板の銅めっきを連続
的に行うように構成されているのであるが、この設備１
０は、仕切壁１１によってめっき空間１２と清浄空間１
３に仕切られ、これらの各めっき空間１２と清浄空間１
３は、それぞれ独自に給排気できるようになっている。
そして、前記仕切壁１１には、開閉自在なシャッタ（図
示せず）が設けられている。また、清浄空間１３の圧力
は、大気圧より低く、且つめっき空間１２の圧力よりも
高くしてあり、これにより、清浄空間１３内の空気が設
備１０の外部に流出することがなく、且つめっき空間１
２内の空気が清浄空間１３内に流入することがないよう
なっている。
【００２１】前記清浄空間１３内には、基板収納用カセ
ットを載置する２つのカセットステージ１５と、めっき
処理後の基板を純水で洗浄（リンス）し乾燥する２基の
洗浄・乾燥装置１６が配置され、更に基板の搬送を行う
固定タイプで回転自在な第１搬送装置（４軸ロボット）
１７が備えられている。この洗浄・乾燥装置１６として
は、例えば基板の表裏両面に超純水を供給する洗浄液供
給ノズルを有し、基板を高速でスピンさせて脱水、乾燥
させる形式のものが用いられる。
ットを載置する２つのカセットステージ１５と、めっき
処理後の基板を純水で洗浄（リンス）し乾燥する２基の
洗浄・乾燥装置１６が配置され、更に基板の搬送を行う
固定タイプで回転自在な第１搬送装置（４軸ロボット）
１７が備えられている。この洗浄・乾燥装置１６として
は、例えば基板の表裏両面に超純水を供給する洗浄液供
給ノズルを有し、基板を高速でスピンさせて脱水、乾燥
させる形式のものが用いられる。
【００２２】一方、めっき空間１２内には、基板のめっ
きの前処理を行い、前処理後の基板を反転機２０で反転
させる２基の前処理部２１と、基板の表面に該表面を下
向きにして銅めっき処理を施す４基のめっき処理部２２
と、基板を載置保持する２基の第１基板ステージ２３
ａ，２３ｂが配置され、更に基板の搬送を行う自走タイ
プで回転自在な第２搬送装置（４軸ロボット）２４が備
えられている。
きの前処理を行い、前処理後の基板を反転機２０で反転
させる２基の前処理部２１と、基板の表面に該表面を下
向きにして銅めっき処理を施す４基のめっき処理部２２
と、基板を載置保持する２基の第１基板ステージ２３
ａ，２３ｂが配置され、更に基板の搬送を行う自走タイ
プで回転自在な第２搬送装置（４軸ロボット）２４が備
えられている。
【００２３】この実施の形態にあっては、清浄空間１３
内に位置して、めっき後の基板を薬液で洗浄する２基の
薬液洗浄装置２５と、この薬液洗浄装置２５と前記洗浄
・乾燥装置１６との間に位置して第２基板ステージ２６
ａ，２６ｂが配置され、更に２基の薬液洗浄装置２５に
挟まれた位置に基板の搬送を行う固定タイプで回転自在
な第３搬送装置（４軸ロボット）２７が備えられてい
る。前記一方の第１基板ステージ２３ｂ及び第２基板ス
テージ２６ｂは、基板を水洗い可能に構成されていると
ともに、基板を反転させる反転機２０が備えられてい
る。
内に位置して、めっき後の基板を薬液で洗浄する２基の
薬液洗浄装置２５と、この薬液洗浄装置２５と前記洗浄
・乾燥装置１６との間に位置して第２基板ステージ２６
ａ，２６ｂが配置され、更に２基の薬液洗浄装置２５に
挟まれた位置に基板の搬送を行う固定タイプで回転自在
な第３搬送装置（４軸ロボット）２７が備えられてい
る。前記一方の第１基板ステージ２３ｂ及び第２基板ス
テージ２６ｂは、基板を水洗い可能に構成されていると
ともに、基板を反転させる反転機２０が備えられてい
る。
【００２４】これにより、前記第１搬送装置１７は、前
記カセットステージ１５に載置されたカセット、洗浄・
乾燥装置１６及び第２基板ステージ２６ａ，２６ｂ間で
基板を搬送し、第２搬送装置２４は、前記第１基板ステ
ージ２３ａ，２３ｂ、前処理部２１及びめっき処理部２
２間で基板を搬送し、第３搬送装置２７は、前記第１基
板ステージ２３ａ，２３ｂ、薬液洗浄装置２５及び第２
基板ステージ２６ａ，２６ｂ間で基板を搬送するように
なっている。
記カセットステージ１５に載置されたカセット、洗浄・
乾燥装置１６及び第２基板ステージ２６ａ，２６ｂ間で
基板を搬送し、第２搬送装置２４は、前記第１基板ステ
ージ２３ａ，２３ｂ、前処理部２１及びめっき処理部２
２間で基板を搬送し、第３搬送装置２７は、前記第１基
板ステージ２３ａ，２３ｂ、薬液洗浄装置２５及び第２
基板ステージ２６ａ，２６ｂ間で基板を搬送するように
なっている。
【００２５】ここで、前記搬送装置１７として、落し込
みタイプの２本のハンドを有し、上側をドライハンド、
下側をウェットハンドとしたものを使用し、搬送装置２
４，２７として、落し込みタイプの２本のハンドを有
し、双方をウエットハンドとしたものを使用している
が、これに限定されないことは勿論である。
みタイプの２本のハンドを有し、上側をドライハンド、
下側をウェットハンドとしたものを使用し、搬送装置２
４，２７として、落し込みタイプの２本のハンドを有
し、双方をウエットハンドとしたものを使用している
が、これに限定されないことは勿論である。
【００２６】なお、この実施の形態においては、例えば
希フッ化水素酸や過酸化水素水等の薬液で基板の表面を
洗浄する薬液洗浄装置２５を備えた例を示しているが、
めっき後の基板を薬液で洗浄する必要がない場合には、
薬液洗浄装置２５を省略しても良い。この場合、第１搬
送装置１７で、前記カセットステージ１５に載置された
カセット、洗浄・乾燥装置１６及び第１基板ステージ２
３ａ，２３ｂ間の基板の搬送を行うことで、第３搬送装
置２７及び第２基板ステージ２６ａ，２６ｂを省略する
こともできる。
希フッ化水素酸や過酸化水素水等の薬液で基板の表面を
洗浄する薬液洗浄装置２５を備えた例を示しているが、
めっき後の基板を薬液で洗浄する必要がない場合には、
薬液洗浄装置２５を省略しても良い。この場合、第１搬
送装置１７で、前記カセットステージ１５に載置された
カセット、洗浄・乾燥装置１６及び第１基板ステージ２
３ａ，２３ｂ間の基板の搬送を行うことで、第３搬送装
置２７及び第２基板ステージ２６ａ，２６ｂを省略する
こともできる。
【００２７】次に、この実施の形態における基板の流れ
の概要を説明する。基板は表面（素子形成面、処理面）
を上に向けてカセットに収納されてカセットステージ１
５に載置される。そして、第１搬送装置１７が基板をカ
セットから取り出し、第２基板ステージ２６ａ上に移動
して、基板を第２基板ステージ２６ａ上に載置する。そ
して、第３搬送装置２７が第２基板ステージ２６ａ上に
あった基板を第１基板ステージ２３ａに移す。次に、第
２搬送装置２４が第１基板ステージ２３ａから基板を受
け取って前処理部２１に渡し、前処理部２１での前処理
終了後、基板の表面が下に向くように反転機２０で基板
を反転させ、再び第２搬送装置２４に渡す。そして、第
２搬送装置２４は基板をめっき処理部２２のヘッド部に
渡す。
の概要を説明する。基板は表面（素子形成面、処理面）
を上に向けてカセットに収納されてカセットステージ１
５に載置される。そして、第１搬送装置１７が基板をカ
セットから取り出し、第２基板ステージ２６ａ上に移動
して、基板を第２基板ステージ２６ａ上に載置する。そ
して、第３搬送装置２７が第２基板ステージ２６ａ上に
あった基板を第１基板ステージ２３ａに移す。次に、第
２搬送装置２４が第１基板ステージ２３ａから基板を受
け取って前処理部２１に渡し、前処理部２１での前処理
終了後、基板の表面が下に向くように反転機２０で基板
を反転させ、再び第２搬送装置２４に渡す。そして、第
２搬送装置２４は基板をめっき処理部２２のヘッド部に
渡す。
【００２８】めっき処理部２２で基板のめっき処理及び
液切りを行った後、基板を第２搬送装置２４に渡し、第
２搬送装置２４は基板を第１基板ステージ２３ｂへ渡
す。基板は、第１基板ステージ２３ｂの反転機２０によ
って、表面が上に向くように反転され、第３搬送装置２
７によって薬液洗浄装置２５に移される。薬液洗浄装置
２５において薬液洗浄、純水リンス、スピン液切りされ
た基板は、第３搬送装置２７により第１基板ステージ２
３ｂへ運ばれる。次に、第１搬送装置１７が第１基板ス
テージ２３ｂから基板を受取り、洗浄・乾燥装置１６に
基板を移送し、洗浄・乾燥装置１６で純水によるリンス
とスピン乾燥を行う。乾燥された基板は、第１搬送装置
１７によりカセットステージ１５に載置された基板カセ
ット内に収納される。
液切りを行った後、基板を第２搬送装置２４に渡し、第
２搬送装置２４は基板を第１基板ステージ２３ｂへ渡
す。基板は、第１基板ステージ２３ｂの反転機２０によ
って、表面が上に向くように反転され、第３搬送装置２
７によって薬液洗浄装置２５に移される。薬液洗浄装置
２５において薬液洗浄、純水リンス、スピン液切りされ
た基板は、第３搬送装置２７により第１基板ステージ２
３ｂへ運ばれる。次に、第１搬送装置１７が第１基板ス
テージ２３ｂから基板を受取り、洗浄・乾燥装置１６に
基板を移送し、洗浄・乾燥装置１６で純水によるリンス
とスピン乾燥を行う。乾燥された基板は、第１搬送装置
１７によりカセットステージ１５に載置された基板カセ
ット内に収納される。
【００２９】図３は、設備１０内の気流の流れを示す。
清浄空間１３においては、配管３０より新鮮な外部空気
が取込まれ、この外部空気は、ファンにより高性能フィ
ルタ３１を通して清浄空間１３内に押込まれ、天井３２
ａよりダウンフローのクリーンエアとして洗浄・乾燥装
置１６及び薬液洗浄装置２５の周囲に供給される。供給
されたクリーンエアの大部分は、床３２ｂから循環配管
３３を通して天井３２ａ側に戻され、再び高性能フィル
タ３１を通してファンにより清浄空間１３内に押込まれ
て清浄空間１３内を循環する。一部の気流は、洗浄・乾
燥装置１６及び薬液洗浄装置２５内から配管３４により
外部に排気される。これにより、清浄空間１３内は、大
気圧より低い圧力に設定される。
清浄空間１３においては、配管３０より新鮮な外部空気
が取込まれ、この外部空気は、ファンにより高性能フィ
ルタ３１を通して清浄空間１３内に押込まれ、天井３２
ａよりダウンフローのクリーンエアとして洗浄・乾燥装
置１６及び薬液洗浄装置２５の周囲に供給される。供給
されたクリーンエアの大部分は、床３２ｂから循環配管
３３を通して天井３２ａ側に戻され、再び高性能フィル
タ３１を通してファンにより清浄空間１３内に押込まれ
て清浄空間１３内を循環する。一部の気流は、洗浄・乾
燥装置１６及び薬液洗浄装置２５内から配管３４により
外部に排気される。これにより、清浄空間１３内は、大
気圧より低い圧力に設定される。
【００３０】前処理部２１及びめっき処理部２２が存在
するめっき空間１２は、清浄空間ではない（汚染ゾー
ン）とはいいながらも、基板表面にパーティクルが付着
することは許されない。このため、配管３５から取込ま
れ高性能フィルタ３６を通して天井３７ａ側からファン
によりめっき空間１２内に押込まれたダウンフローのク
リーンエアを流すことにより、基板にパーティクルが付
着することを防止している。しかしながら、ダウンフロ
ーを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気
に依存すると、膨大な給排気量が必要となる。このた
め、めっき空間１２内を清浄空間１３より低い圧力に保
つ程度に配管３８より外部排気を行い、ダウンフローの
大部分の気流を床３７ｂから延びる循環配管３９を通し
た循環気流でまかなうようにしている。
するめっき空間１２は、清浄空間ではない（汚染ゾー
ン）とはいいながらも、基板表面にパーティクルが付着
することは許されない。このため、配管３５から取込ま
れ高性能フィルタ３６を通して天井３７ａ側からファン
によりめっき空間１２内に押込まれたダウンフローのク
リーンエアを流すことにより、基板にパーティクルが付
着することを防止している。しかしながら、ダウンフロ
ーを形成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気
に依存すると、膨大な給排気量が必要となる。このた
め、めっき空間１２内を清浄空間１３より低い圧力に保
つ程度に配管３８より外部排気を行い、ダウンフローの
大部分の気流を床３７ｂから延びる循環配管３９を通し
た循環気流でまかなうようにしている。
【００３１】これにより、循環配管３９から天井３７ａ
側に戻ったエアは、再びファンにより押込まれ高性能フ
ィルタ３６を通ってめっき空間１２内にクリーンエアと
して供給されて循環する。ここで、前処理部２１、めっ
き処理部２２、第２搬送装置２４及びめっき液調整タン
ク４０からの薬液ミストや気体を含むエアは、前記配管
３８を通して外部に排出されて、めっき空間１２内は、
清浄空間１３より低い圧力に設定される。
側に戻ったエアは、再びファンにより押込まれ高性能フ
ィルタ３６を通ってめっき空間１２内にクリーンエアと
して供給されて循環する。ここで、前処理部２１、めっ
き処理部２２、第２搬送装置２４及びめっき液調整タン
ク４０からの薬液ミストや気体を含むエアは、前記配管
３８を通して外部に排出されて、めっき空間１２内は、
清浄空間１３より低い圧力に設定される。
【００３２】図４は、めっき処理部２２の要部を示すも
ので、このめっき処理部２２は、略円筒状で内部にめっ
き液４５を収容するめっき処理槽４６と、このめっき処
理槽４６の上方に配置されて基板を保持するヘッド部４
７とから主に構成されている。なお、図４は、ヘッド部
４７で基板Ｗを保持して下降させためっき位置にある時
の状態を示している。
ので、このめっき処理部２２は、略円筒状で内部にめっ
き液４５を収容するめっき処理槽４６と、このめっき処
理槽４６の上方に配置されて基板を保持するヘッド部４
７とから主に構成されている。なお、図４は、ヘッド部
４７で基板Ｗを保持して下降させためっき位置にある時
の状態を示している。
【００３３】前記めっき処理槽４６には、上方に開放
し、例えば含リン銅からなるアノード４８を底部に配置
しためっき室４９を有し、このめっき室４９内にめっき
液４５を保有するめっき槽５０が備えられている。前記
めっき槽５０の内周壁には、めっき室４９の中心に向か
って水平に突出するめっき液噴出ノズル５３が円周方向
に沿って等間隔で配置され、このめっき液噴出ノズル５
３は、めっき槽５０の内部を上下に延びるめっき液供給
路に連通している。
し、例えば含リン銅からなるアノード４８を底部に配置
しためっき室４９を有し、このめっき室４９内にめっき
液４５を保有するめっき槽５０が備えられている。前記
めっき槽５０の内周壁には、めっき室４９の中心に向か
って水平に突出するめっき液噴出ノズル５３が円周方向
に沿って等間隔で配置され、このめっき液噴出ノズル５
３は、めっき槽５０の内部を上下に延びるめっき液供給
路に連通している。
【００３４】更に、この例では、めっき室４９内のアノ
ード４８の上方位置に、例えば３ｍｍ程度の多数の穴を
設けたパンチプレート２２０が配置され、これによっ
て、アノード４８の表面に形成されたブラックフィルム
がめっき液４５によって巻き上げられ、流れ出すことを
防止するようになっている。
ード４８の上方位置に、例えば３ｍｍ程度の多数の穴を
設けたパンチプレート２２０が配置され、これによっ
て、アノード４８の表面に形成されたブラックフィルム
がめっき液４５によって巻き上げられ、流れ出すことを
防止するようになっている。
【００３５】また、めっき槽５０には、めっき室４９内
のめっき液４５を該めっき室４９の底部周縁から引抜く
第１めっき液排出口５７と、めっき槽５０の上端部に設
けた堰部材５８をオーバーフローしためっき液４５を排
出する第２めっき液排出口５９と、この堰部材５８をオ
ーバーフローする前のめっき液を排出する第３めっき液
排出口１２０が設けられ、更に、堰部材５８の下部に
は、図１０に示すように、所定間隔毎に所定幅の開口２
２２が設けられている。
のめっき液４５を該めっき室４９の底部周縁から引抜く
第１めっき液排出口５７と、めっき槽５０の上端部に設
けた堰部材５８をオーバーフローしためっき液４５を排
出する第２めっき液排出口５９と、この堰部材５８をオ
ーバーフローする前のめっき液を排出する第３めっき液
排出口１２０が設けられ、更に、堰部材５８の下部に
は、図１０に示すように、所定間隔毎に所定幅の開口２
２２が設けられている。
【００３６】これによって、めっき処理時にあって、供
給めっき量が大きい時には、めっき液を第３めっき液排
出口１２０から外部に排出する共に、図１０（ａ）に示
すように、堰部材５８をオーバーフローさせ、更に開口
２２２を通過させて第２めっき液排出口５９からも外部
に排出する。また、めっき処理時にあって、供給めっき
量が小さい時には、めっき液を第３めっき液排出口１２
０から外部に排出すると共に、図１０（ｂ）に示すよう
に、開口２２２を通過させて第２めっき液排出口５９か
らも外部に排出し、これによって、めっき量の大小に容
易に対処できるようになっている。
給めっき量が大きい時には、めっき液を第３めっき液排
出口１２０から外部に排出する共に、図１０（ａ）に示
すように、堰部材５８をオーバーフローさせ、更に開口
２２２を通過させて第２めっき液排出口５９からも外部
に排出する。また、めっき処理時にあって、供給めっき
量が小さい時には、めっき液を第３めっき液排出口１２
０から外部に排出すると共に、図１０（ｂ）に示すよう
に、開口２２２を通過させて第２めっき液排出口５９か
らも外部に排出し、これによって、めっき量の大小に容
易に対処できるようになっている。
【００３７】更に、図１０（ｄ）に示すように、めっき
液噴出ノズル５３の上方に位置して、めっき室４９と第
２めっき液排出口５９とを連通する液面制御用の貫通孔
２２４が円周方向に沿った所定のピッチで設けられ、こ
れによって、非めっき時にめっき液を貫通孔２２４を通
過させ第２めっき液排出口５９から外部に排出すること
で、めっき液の液面を制御するようになっている。な
お、この貫通孔２２４は、めっき処理時にオリフィスの
如き役割を果たして、ここから流れ出すめっき液の量が
制限される。
液噴出ノズル５３の上方に位置して、めっき室４９と第
２めっき液排出口５９とを連通する液面制御用の貫通孔
２２４が円周方向に沿った所定のピッチで設けられ、こ
れによって、非めっき時にめっき液を貫通孔２２４を通
過させ第２めっき液排出口５９から外部に排出すること
で、めっき液の液面を制御するようになっている。な
お、この貫通孔２２４は、めっき処理時にオリフィスの
如き役割を果たして、ここから流れ出すめっき液の量が
制限される。
【００３８】図５に示すように、第１めっき液排出口５
７は、めっき液排出管６０ａを介してリザーバ２２６に
接続され、このめっき液排出管６０ａの途中に流量調整
器６１ａが介装されている。第２めっき液排出口５９と
第３めっき液排出口１２０は、めっき槽５０の内部で合
流した後、めっき液排出管６０ｂを介して直接リザーバ
２２６に接続されている。
７は、めっき液排出管６０ａを介してリザーバ２２６に
接続され、このめっき液排出管６０ａの途中に流量調整
器６１ａが介装されている。第２めっき液排出口５９と
第３めっき液排出口１２０は、めっき槽５０の内部で合
流した後、めっき液排出管６０ｂを介して直接リザーバ
２２６に接続されている。
【００３９】このリザーバ２２６には、他の全てのめっ
き処理部からめっき液が流入するようになっており、こ
のリザーバ２２６に入っためっき液は、リザーバ２２６
からポンプ２２８によりめっき液調整タンク４０（図３
参照）に入る。このめっき液調整タンク４０には、温度
コントローラ２３０や、サンプル液を取り出して分析す
るめっき液分析ユニット２３２が付設されており、単一
のポンプ２３４の駆動に伴って、めっき液調整タンク４
０からフィルタ２３６を通してめっき液が各めっき処理
部のめっき液噴出ノズル５３に供給されるようになって
おり、このめっき液調整タンク４０から各めっき処理部
に延びるめっき液供給管５５の途中に、二次側の圧力を
一定にして、一つのめっき処理部が止まっても他のめっ
き処理部のめっき液供給圧を一定する制御弁５６が備え
られている。
き処理部からめっき液が流入するようになっており、こ
のリザーバ２２６に入っためっき液は、リザーバ２２６
からポンプ２２８によりめっき液調整タンク４０（図３
参照）に入る。このめっき液調整タンク４０には、温度
コントローラ２３０や、サンプル液を取り出して分析す
るめっき液分析ユニット２３２が付設されており、単一
のポンプ２３４の駆動に伴って、めっき液調整タンク４
０からフィルタ２３６を通してめっき液が各めっき処理
部のめっき液噴出ノズル５３に供給されるようになって
おり、このめっき液調整タンク４０から各めっき処理部
に延びるめっき液供給管５５の途中に、二次側の圧力を
一定にして、一つのめっき処理部が止まっても他のめっ
き処理部のめっき液供給圧を一定する制御弁５６が備え
られている。
【００４０】図４に戻って、めっき室４９の内部の周辺
近傍に位置して、該めっき室４９内のめっき液４５の上
下に分かれた上方の流れでめっけ液面の中央部を上方に
押上げ、下方の流れをスムーズにするとともに、電流密
度の分布をより均一になるようにした鉛直整流リング６
２と水平整流リング６３が該水平整流リング６３の外周
端をめっき槽５０に固着して配置されている。
近傍に位置して、該めっき室４９内のめっき液４５の上
下に分かれた上方の流れでめっけ液面の中央部を上方に
押上げ、下方の流れをスムーズにするとともに、電流密
度の分布をより均一になるようにした鉛直整流リング６
２と水平整流リング６３が該水平整流リング６３の外周
端をめっき槽５０に固着して配置されている。
【００４１】一方、ヘッド部４７には、回転自在な下方
に開口した有底円筒状で周壁に開口９６を有するハウジ
ング７０と、下端に押圧リング２４０を取付けた上下動
自在な押圧ロッド２４２が備えられている。ハウジング
７０の下端には、図８及び図９に示すように、内方に突
出するリング状の基板保持部７２が設けられ、この基板
保持部７２に、内方に突出し、内周端上面が上方に尖塔
状に突出する基板との当接部３６０を有するリング状の
シール材２４４が取付けられている。更に、このシール
材２４４の上方にカソード電極用接点７６が配置されて
いる。また、基板保持部７２には、水平方向に外方に延
び、更に外方に向けて上方に傾斜して延びる空気抜き穴
７５が円周方向に沿って等間隔に設けられている。
に開口した有底円筒状で周壁に開口９６を有するハウジ
ング７０と、下端に押圧リング２４０を取付けた上下動
自在な押圧ロッド２４２が備えられている。ハウジング
７０の下端には、図８及び図９に示すように、内方に突
出するリング状の基板保持部７２が設けられ、この基板
保持部７２に、内方に突出し、内周端上面が上方に尖塔
状に突出する基板との当接部３６０を有するリング状の
シール材２４４が取付けられている。更に、このシール
材２４４の上方にカソード電極用接点７６が配置されて
いる。また、基板保持部７２には、水平方向に外方に延
び、更に外方に向けて上方に傾斜して延びる空気抜き穴
７５が円周方向に沿って等間隔に設けられている。
【００４２】これによって、図６に示すように、めっき
液４５の液面を下げた状態で、図８及び図９に示すよう
に、基板ＷをロボットハンドＨ等で保持してハウジング
７０の内部に入れて基板保持部７２のシール材２４４の
上面に載置し、ロボットハンドＨをハウジング７０から
引き抜いた後、押圧リング２４０を下降させることで、
基板Ｗの周縁部をシール材２４４と押圧リング２４０の
下面で狭持して基板Ｗを保持し、しかも基板Ｗを保持し
た時に基板Ｗの下面とシール材２４４が圧接して、ここ
を確実にシールし、同時に、基板Ｗとカソード電極用接
点７６とが通電するようになっている。
液４５の液面を下げた状態で、図８及び図９に示すよう
に、基板ＷをロボットハンドＨ等で保持してハウジング
７０の内部に入れて基板保持部７２のシール材２４４の
上面に載置し、ロボットハンドＨをハウジング７０から
引き抜いた後、押圧リング２４０を下降させることで、
基板Ｗの周縁部をシール材２４４と押圧リング２４０の
下面で狭持して基板Ｗを保持し、しかも基板Ｗを保持し
た時に基板Ｗの下面とシール材２４４が圧接して、ここ
を確実にシールし、同時に、基板Ｗとカソード電極用接
点７６とが通電するようになっている。
【００４３】図４に戻って、ハウジング７０は、モータ
２４６の出力軸２４８に連結されて、モータ２４６の駆
動によって回転するように構成されている。また、押圧
ロッド２４２は、モータ２４６を囲繞する支持体２５０
に固着したガイド付きシリンダ２５２の作動によって上
下動するスライダ２５４の下端にベアリング２５６を介
して回転自在に支承したリング状の支持枠２５８の円周
方向に沿った所定位置に垂設され、これによって、シリ
ンダ２５２の作動によって上下動し、しかも基板Ｗを保
持した時にハウジング７０と一体に回転するようになっ
ている。
２４６の出力軸２４８に連結されて、モータ２４６の駆
動によって回転するように構成されている。また、押圧
ロッド２４２は、モータ２４６を囲繞する支持体２５０
に固着したガイド付きシリンダ２５２の作動によって上
下動するスライダ２５４の下端にベアリング２５６を介
して回転自在に支承したリング状の支持枠２５８の円周
方向に沿った所定位置に垂設され、これによって、シリ
ンダ２５２の作動によって上下動し、しかも基板Ｗを保
持した時にハウジング７０と一体に回転するようになっ
ている。
【００４４】支持体２５０は、モータ２６０の駆動に伴
って回転するボールねじ２６１と螺合して上下動するス
ライドベース２６２に取付けられ、更に上部ハウジング
２６４で囲繞されて、モータ２６０の駆動に伴って、上
部ハウジング２６４と共に上下動するようになってい
る。また、めっき槽５０の上面には、めっき処理時にハ
ウジング７０の周囲を囲繞する下部ハウジング２６６が
取付けられている。
って回転するボールねじ２６１と螺合して上下動するス
ライドベース２６２に取付けられ、更に上部ハウジング
２６４で囲繞されて、モータ２６０の駆動に伴って、上
部ハウジング２６４と共に上下動するようになってい
る。また、めっき槽５０の上面には、めっき処理時にハ
ウジング７０の周囲を囲繞する下部ハウジング２６６が
取付けられている。
【００４５】これによって、図７に示すように、支持体
２５０と上部ハウジング２６４とを上昇させた状態で、
めっき処理部内部のメンテナンスを行うことができるよ
うになっている。また、堰部材５８の内周面にはめっき
液の結晶が付着し易いが、このように、支持体２５０と
上部ハウジング２６４とを上昇させた状態で多量のめっ
き液を流して堰部材５８をオーバーフローさせること
で、堰部材５８の内周面へのめっき液の結晶の付着を防
止することができる。また、めっき槽５０には、めっき
処理時にオーバーフローするめっき液の上方を覆うめっ
き液飛散防止カバー５０ｂが一体に設けられているが、
このめっき液飛散防止カバー５０ｂの下面に、例えばＨ
ＩＲＥＣ（ＮＴＴアドバンステクノロジ社製）等の超撥
水材をコーティングすることで、ここにめっき液の結晶
が付着することを防止することができる。
２５０と上部ハウジング２６４とを上昇させた状態で、
めっき処理部内部のメンテナンスを行うことができるよ
うになっている。また、堰部材５８の内周面にはめっき
液の結晶が付着し易いが、このように、支持体２５０と
上部ハウジング２６４とを上昇させた状態で多量のめっ
き液を流して堰部材５８をオーバーフローさせること
で、堰部材５８の内周面へのめっき液の結晶の付着を防
止することができる。また、めっき槽５０には、めっき
処理時にオーバーフローするめっき液の上方を覆うめっ
き液飛散防止カバー５０ｂが一体に設けられているが、
このめっき液飛散防止カバー５０ｂの下面に、例えばＨ
ＩＲＥＣ（ＮＴＴアドバンステクノロジ社製）等の超撥
水材をコーティングすることで、ここにめっき液の結晶
が付着することを防止することができる。
【００４６】ハウジング７０の基板保持部７２の上方に
位置して、基板Ｗの芯出しを行う基板芯出し機構２７０
が、この例では円周方向に沿った４カ所に設けられてい
る（図１３参照）。図１１は、この基板芯出し機構２７
０の詳細を示すもので、これは、ハウジング７０に固定
した門形のブラケット２７２と、このブラケット２７２
内に配置した位置決めブロック２７４とを有し、この位
置決めブロック２７４は、その上部において、ブラケッ
ト２７２に水平方向に固定した枢軸２７６を介して揺動
自在に支承され、更にハウジング７０と位置決めブロッ
ク２７４との間に圧縮コイルばね２７８が介装されてい
る。これによって、位置決めブロック２７４は、圧縮コ
イルばね２７８を介して枢軸２７６を中心に下部が内方
に突出するように付勢され、その上面２７４ａがストッ
パとしての役割を果たしブラケット２７２の上部下面２
７２ａに当接することで、位置決めブロック２７４の動
きが規制されるようになっている。更に、位置決めブロ
ック２７４の内面は、上方に向けて外方に拡がるテーパ
面２７４ｂとなっている。
位置して、基板Ｗの芯出しを行う基板芯出し機構２７０
が、この例では円周方向に沿った４カ所に設けられてい
る（図１３参照）。図１１は、この基板芯出し機構２７
０の詳細を示すもので、これは、ハウジング７０に固定
した門形のブラケット２７２と、このブラケット２７２
内に配置した位置決めブロック２７４とを有し、この位
置決めブロック２７４は、その上部において、ブラケッ
ト２７２に水平方向に固定した枢軸２７６を介して揺動
自在に支承され、更にハウジング７０と位置決めブロッ
ク２７４との間に圧縮コイルばね２７８が介装されてい
る。これによって、位置決めブロック２７４は、圧縮コ
イルばね２７８を介して枢軸２７６を中心に下部が内方
に突出するように付勢され、その上面２７４ａがストッ
パとしての役割を果たしブラケット２７２の上部下面２
７２ａに当接することで、位置決めブロック２７４の動
きが規制されるようになっている。更に、位置決めブロ
ック２７４の内面は、上方に向けて外方に拡がるテーパ
面２７４ｂとなっている。
【００４７】これによって、例えば搬送ロボット等のハ
ンドＨで基板Ｗを保持しハウジング７０内に搬送して基
板保持部７２の上に載置した際（図８参照）、基板の中
心が基板保持部７２の中心からずれていると圧縮コイル
ばね２７８の弾性力に抗して位置決めブロック２７４が
外方に回動し、搬送ロボット等のハンドによる把持を解
くと、圧縮コイルばね２７８の弾性力で位置決めブロッ
ク２７４が元の位置に復帰することで、基板の芯出しを
行うことができるようになっている。
ンドＨで基板Ｗを保持しハウジング７０内に搬送して基
板保持部７２の上に載置した際（図８参照）、基板の中
心が基板保持部７２の中心からずれていると圧縮コイル
ばね２７８の弾性力に抗して位置決めブロック２７４が
外方に回動し、搬送ロボット等のハンドによる把持を解
くと、圧縮コイルばね２７８の弾性力で位置決めブロッ
ク２７４が元の位置に復帰することで、基板の芯出しを
行うことができるようになっている。
【００４８】図１２は、カソード電極用接点７６のカソ
ード電極板２０８に給電する給電接点（プローブ）７７
を示すもので、この給電接点７７は、プランジャで構成
されているとともに、カソード電極板２０８に達する円
筒状の保護体２８０で包囲されて、めっき液から保護さ
れている。
ード電極板２０８に給電する給電接点（プローブ）７７
を示すもので、この給電接点７７は、プランジャで構成
されているとともに、カソード電極板２０８に達する円
筒状の保護体２８０で包囲されて、めっき液から保護さ
れている。
【００４９】ここで、めっき処理を行うと、シール材２
４４の内周端の上方に突出した尖塔状部の当接部３６０
（図１６参照）が基板のめっき面に圧接し、この内部に
めっき液が満たされるため、この当接部３６０乃至その
近傍にめっき液が残り、このめっき液が乾燥してパーテ
ィクルの発生源となる。このため、この例では、シール
材２４４の当接部３６０乃至その近傍に残っためっき液
を吸引除去するためのめっき液吸引機構３００が備えら
れている。
４４の内周端の上方に突出した尖塔状部の当接部３６０
（図１６参照）が基板のめっき面に圧接し、この内部に
めっき液が満たされるため、この当接部３６０乃至その
近傍にめっき液が残り、このめっき液が乾燥してパーテ
ィクルの発生源となる。このため、この例では、シール
材２４４の当接部３６０乃至その近傍に残っためっき液
を吸引除去するためのめっき液吸引機構３００が備えら
れている。
【００５０】図１３乃至図１５は、このめっき液吸引機
構３００を示すもので、これは、シール材２４４の内周
端の当接部３６０に沿って、例えば中心角が約１００゜
の円弧状に延びるノズルヘッド３０２を有している。こ
のノズルヘッド３０２の内部には、該ノズルヘッド３０
２の長さ方向に沿って延びるめっき液通路３０２ａと洗
浄液通路３０２ｂが略平行に形成され、このノズルヘッ
ド３０２の両端に位置して、前記めっき液通路３０２ａ
に連通して下方に開口するめっき液吸引ノズル３０２ｃ
と前記洗浄液通路３０２ｂに連通して下方に開口する洗
浄液噴射ノズル３０２ｄがそれぞれ設けられている。洗
浄液噴射ノズル３０２ｄは、各めっき液吸引ノズル３０
２ｃの両側に配置されている。
構３００を示すもので、これは、シール材２４４の内周
端の当接部３６０に沿って、例えば中心角が約１００゜
の円弧状に延びるノズルヘッド３０２を有している。こ
のノズルヘッド３０２の内部には、該ノズルヘッド３０
２の長さ方向に沿って延びるめっき液通路３０２ａと洗
浄液通路３０２ｂが略平行に形成され、このノズルヘッ
ド３０２の両端に位置して、前記めっき液通路３０２ａ
に連通して下方に開口するめっき液吸引ノズル３０２ｃ
と前記洗浄液通路３０２ｂに連通して下方に開口する洗
浄液噴射ノズル３０２ｄがそれぞれ設けられている。洗
浄液噴射ノズル３０２ｄは、各めっき液吸引ノズル３０
２ｃの両側に配置されている。
【００５１】このノズルヘッド３０２は、水平方向から
直角に屈曲して鉛直方向に延びるノズル支持体３０４の
下端にブロック３０６を介して連結されており、このノ
ズル支持体３０４の内部には、前記めっき液通路３０２
ａと洗浄液通路３０２ｂにそれぞれ連通するめっき液通
路３０４ａと洗浄液通路３０４ｂが形成されている。め
っき液通路３０４ａは、フレキシブル管３１２ａを介し
てバキューム３１０に接続され、洗浄液通路３０４ｂ
は、フレキシブル管３１２ｂを介して洗浄液供給源３１
３に接続されている。
直角に屈曲して鉛直方向に延びるノズル支持体３０４の
下端にブロック３０６を介して連結されており、このノ
ズル支持体３０４の内部には、前記めっき液通路３０２
ａと洗浄液通路３０２ｂにそれぞれ連通するめっき液通
路３０４ａと洗浄液通路３０４ｂが形成されている。め
っき液通路３０４ａは、フレキシブル管３１２ａを介し
てバキューム３１０に接続され、洗浄液通路３０４ｂ
は、フレキシブル管３１２ｂを介して洗浄液供給源３１
３に接続されている。
【００５２】そして、ノズル支持体３０４は、水平移動
用シリンダ３１４の作動に伴って水平に移動する水平ス
ライダ３１６に連結され、更にこの水平移動用シリンダ
３１４は、上下移動用シリンダ３１８の作動に伴って上
下に移動する上下スライダ３２０に鈎状のブラケット３
２２を介して連結されている。更に上下移動用シリンダ
３１８は、前記支持体２５０に取付けられ、これによっ
て、ノズルヘッド３０２は上下及び水平方向に移動する
ようになっている。
用シリンダ３１４の作動に伴って水平に移動する水平ス
ライダ３１６に連結され、更にこの水平移動用シリンダ
３１４は、上下移動用シリンダ３１８の作動に伴って上
下に移動する上下スライダ３２０に鈎状のブラケット３
２２を介して連結されている。更に上下移動用シリンダ
３１８は、前記支持体２５０に取付けられ、これによっ
て、ノズルヘッド３０２は上下及び水平方向に移動する
ようになっている。
【００５３】図１６は、シール材２４４の要部拡大図
で、このシール材２４４の内周端上面には、横断面尖塔
状に上方に突出した基板との当接部３６０が形成されて
いる。この当接部３６０は、シール材２４４の内周端面
によって形成される平面からやや外方に位置して水平方
向に拡がる平坦面３６２と、この平坦面３６２の内側の
水平面と角度θ１で鋭角で交わる逆テーパ面３６４と、
外側の水平面と角度θ２で鋭角に交わるテーパ面３６６
によってその輪郭が区画形成されている。即ち、この当
接部３６０は、横断面鋭角三角形状で、その頂端を平坦
にした形状に形成されている。ここで、逆テーパ面３６
４と水平面とのなす角度θ１は、テーパ面３６６と水平
面とのなす角度θ２よりも大きく（θ１＞θ２）設定さ
れている。
で、このシール材２４４の内周端上面には、横断面尖塔
状に上方に突出した基板との当接部３６０が形成されて
いる。この当接部３６０は、シール材２４４の内周端面
によって形成される平面からやや外方に位置して水平方
向に拡がる平坦面３６２と、この平坦面３６２の内側の
水平面と角度θ１で鋭角で交わる逆テーパ面３６４と、
外側の水平面と角度θ２で鋭角に交わるテーパ面３６６
によってその輪郭が区画形成されている。即ち、この当
接部３６０は、横断面鋭角三角形状で、その頂端を平坦
にした形状に形成されている。ここで、逆テーパ面３６
４と水平面とのなす角度θ１は、テーパ面３６６と水平
面とのなす角度θ２よりも大きく（θ１＞θ２）設定さ
れている。
【００５４】これによって、シール材２４４の基板との
当接部３６０の剛性を高め、しかも、めっき液と接触す
る内側に逆テーパ面３６４を設けることで、図１６
（ｂ）に示すように、この当接部３６０に基板Ｗを当接
させ、基板Ｗを十分な荷重Ｆで押付けて基板Ｗの周縁部
を確実にシールしてめっきを施した時、めっき液Ｐが基
板Ｗと逆テーパ面３６４との間に溜まり、基板Ｗを取り
除いた時に、このめっき液Ｐが平坦面３６２で堰き止め
られて、外側の接点側に流れ流れ落ちないようになって
いる。
当接部３６０の剛性を高め、しかも、めっき液と接触す
る内側に逆テーパ面３６４を設けることで、図１６
（ｂ）に示すように、この当接部３６０に基板Ｗを当接
させ、基板Ｗを十分な荷重Ｆで押付けて基板Ｗの周縁部
を確実にシールしてめっきを施した時、めっき液Ｐが基
板Ｗと逆テーパ面３６４との間に溜まり、基板Ｗを取り
除いた時に、このめっき液Ｐが平坦面３６２で堰き止め
られて、外側の接点側に流れ流れ落ちないようになって
いる。
【００５５】つまり、この種の従来の一般的なシール材
にあっては、図１７に示すように、互いに鈍角で交わる
２つのテーパ面３８０，３８２で区画形成される鈍角三
角形状の当接部（シール部）３８４を有し、当接部３８
４の尖った先端で基板をシールするようにしているが、
これをこの実施の形態のシール材２４４に適用すると、
図１７（ｂ）に示すように、基板Ｗを十分な荷重Ｆで押
付けて基板Ｗの周縁部を確実にシールしてめっきを施す
時に、この荷重Ｆによって当接部３８４の先端が基板Ｗ
の下方に垂れ下がり、この上部の基板Ｗとの間にめっき
液Ｐが溜まり、基板Ｗを取り除いた時に、当接部３８４
がそのこの弾性力で元の状態に復帰した時、図１７
（ａ）に示すように、このめっき液Ｐが外側の接点側に
流れ落ちてしまう。
にあっては、図１７に示すように、互いに鈍角で交わる
２つのテーパ面３８０，３８２で区画形成される鈍角三
角形状の当接部（シール部）３８４を有し、当接部３８
４の尖った先端で基板をシールするようにしているが、
これをこの実施の形態のシール材２４４に適用すると、
図１７（ｂ）に示すように、基板Ｗを十分な荷重Ｆで押
付けて基板Ｗの周縁部を確実にシールしてめっきを施す
時に、この荷重Ｆによって当接部３８４の先端が基板Ｗ
の下方に垂れ下がり、この上部の基板Ｗとの間にめっき
液Ｐが溜まり、基板Ｗを取り除いた時に、当接部３８４
がそのこの弾性力で元の状態に復帰した時、図１７
（ａ）に示すように、このめっき液Ｐが外側の接点側に
流れ落ちてしまう。
【００５６】そして、このようにめっき液が外側の接点
側に流れ落ちると、このめっき液を吸引除去することが
困難となってパーティクルの発生源となるばかりでな
く、めっき液で接点部が腐食し、更に接点と基板接触部
との間に局部的電池が構成されて基板の外観を損ねる結
果となるが、この例にあっては、めっき液が外側の接点
側に流れ落ちることを阻止して、このような弊害を防止
することができる。
側に流れ落ちると、このめっき液を吸引除去することが
困難となってパーティクルの発生源となるばかりでな
く、めっき液で接点部が腐食し、更に接点と基板接触部
との間に局部的電池が構成されて基板の外観を損ねる結
果となるが、この例にあっては、めっき液が外側の接点
側に流れ落ちることを阻止して、このような弊害を防止
することができる。
【００５７】また、この例では、シール材２４４は、フ
ッ素ゴムまたはエチレンプロピレンゴムよりも高い撥水
性を有し、かつ十分な引張り強度を有する高引裂性シリ
コンゴムで構成されている。このように、基板と接触す
るシール材２４４自体に高い撥水性を持たせることで、
この表面に残るめっき液の量を減少させることができ
る。
ッ素ゴムまたはエチレンプロピレンゴムよりも高い撥水
性を有し、かつ十分な引張り強度を有する高引裂性シリ
コンゴムで構成されている。このように、基板と接触す
るシール材２４４自体に高い撥水性を持たせることで、
この表面に残るめっき液の量を減少させることができ
る。
【００５８】即ち、この種のシール材は、フッ素ゴムま
たはエチレンプロピレンゴムで一般に構成されていた
が、例えばフッ素ゴム製作のシール材とこれよりも高い
撥水性を持つシリコンゴム製のシール材における、未浸
漬品と７６２．６５時間めっき液に浸漬させた後の接触
角の変化（θ）を比較すると、図１８に示すように、フ
ッ素ゴム製のシール材にあっては、８０゜から７６゜に
変化して撥水性が劣化しているが、これに対してシリコ
ンゴム（Ｓｉゴム）にあっては、９１°から９２°と殆
ど変化がなく、撥水性の劣化が進んでないことが判る。
たはエチレンプロピレンゴムで一般に構成されていた
が、例えばフッ素ゴム製作のシール材とこれよりも高い
撥水性を持つシリコンゴム製のシール材における、未浸
漬品と７６２．６５時間めっき液に浸漬させた後の接触
角の変化（θ）を比較すると、図１８に示すように、フ
ッ素ゴム製のシール材にあっては、８０゜から７６゜に
変化して撥水性が劣化しているが、これに対してシリコ
ンゴム（Ｓｉゴム）にあっては、９１°から９２°と殆
ど変化がなく、撥水性の劣化が進んでないことが判る。
【００５９】しかし、通常のシリコンゴムは、その引張
り強度が約８ＭＰａ（８０ｋｇｆ／ｃｍ２）程度で、フ
ッ素ゴムの引張り強度の約１．６ＭＰａ（１６０ｋｇｆ
／ｃｍ２）の半分程度とかなり低くなってしまうが、高
引裂き製シリコンゴムにあっては、その引張り強度を１
０〜１２ＭＰａ（１００〜１２０ｋｇｆ／ｃｍ２）程度
に高めることができ、これによって、強度的に不足して
しまうことを防止することができる。
り強度が約８ＭＰａ（８０ｋｇｆ／ｃｍ２）程度で、フ
ッ素ゴムの引張り強度の約１．６ＭＰａ（１６０ｋｇｆ
／ｃｍ２）の半分程度とかなり低くなってしまうが、高
引裂き製シリコンゴムにあっては、その引張り強度を１
０〜１２ＭＰａ（１００〜１２０ｋｇｆ／ｃｍ２）程度
に高めることができ、これによって、強度的に不足して
しまうことを防止することができる。
【００６０】次に、このめっき処理部２２によるめっき
処理について説明する。先ず、めっき処理部２２に基板
を受渡す時には、図２に示す第２搬送装置２４の吸着ハ
ンドと該ハンドで表面を下に向けて吸着保持した基板Ｗ
を、ハウジング７０の開口９６からこの内部に挿入し、
吸着ハンドを下方に移動させた後、真空吸着を解除し
て、基板Ｗをハウジング７０の基板保持部７２上に載置
し、しかる後、吸着ハンドを上昇させてハウジング７０
から引き抜く。次に、押圧リング２４０を下降させて、
基板Ｗの周縁部を基板保持部７２と押圧リング２４０の
下面で挟持して基板Ｗを保持する。
処理について説明する。先ず、めっき処理部２２に基板
を受渡す時には、図２に示す第２搬送装置２４の吸着ハ
ンドと該ハンドで表面を下に向けて吸着保持した基板Ｗ
を、ハウジング７０の開口９６からこの内部に挿入し、
吸着ハンドを下方に移動させた後、真空吸着を解除し
て、基板Ｗをハウジング７０の基板保持部７２上に載置
し、しかる後、吸着ハンドを上昇させてハウジング７０
から引き抜く。次に、押圧リング２４０を下降させて、
基板Ｗの周縁部を基板保持部７２と押圧リング２４０の
下面で挟持して基板Ｗを保持する。
【００６１】そして、めっき液噴出ノズル５３からめっ
き液４５を噴出させ、同時にハウジング７０とそれに保
持された基板Ｗを中速（１００〜２５０ｍｉｎ−１程
度、例えば１５０ｍｉｎ−１）で回転させ、めっき液４
５が所定の量まで充たされ、更に数秒経過した時に、ハ
ウジング７０の回転速度を低速回転（１０〜２２５ｍｉ
ｎ−１程度、例えば１００ｍｉｎ−１）に低下させ、ア
ノード４８を陽極、基板処理面を陰極としてめっき電流
を流して電解めっきを行う。
き液４５を噴出させ、同時にハウジング７０とそれに保
持された基板Ｗを中速（１００〜２５０ｍｉｎ−１程
度、例えば１５０ｍｉｎ−１）で回転させ、めっき液４
５が所定の量まで充たされ、更に数秒経過した時に、ハ
ウジング７０の回転速度を低速回転（１０〜２２５ｍｉ
ｎ−１程度、例えば１００ｍｉｎ−１）に低下させ、ア
ノード４８を陽極、基板処理面を陰極としてめっき電流
を流して電解めっきを行う。
【００６２】通電を終了した後、図１０（ｄ）に示すよ
うに、めっき液噴出ノズル５３の上方に位置する液面制
御用の貫通孔２２４のみからめっき液が外部に流出する
ようにめっき液の供給量を減少させ、これにより、ハウ
ジング７０及びそれに保持された基板をめっき液面上に
露出させる。このハウジング７０とそれに保持された基
板Ｗが液面より上にある位置で、高速（例えば、５００
〜１０００ｍｉｎ−１）で回転させてめっき液を遠心力
により液切りする。液切りが終了した後、ハウジング７
０が所定の方向に向くようにしてハウジング７０の回転
を停止させる。
うに、めっき液噴出ノズル５３の上方に位置する液面制
御用の貫通孔２２４のみからめっき液が外部に流出する
ようにめっき液の供給量を減少させ、これにより、ハウ
ジング７０及びそれに保持された基板をめっき液面上に
露出させる。このハウジング７０とそれに保持された基
板Ｗが液面より上にある位置で、高速（例えば、５００
〜１０００ｍｉｎ−１）で回転させてめっき液を遠心力
により液切りする。液切りが終了した後、ハウジング７
０が所定の方向に向くようにしてハウジング７０の回転
を停止させる。
【００６３】ハウジング７０が完全に停止した後、押圧
リング２４０を上昇させる。次に、第２搬送装置２４の
吸着ハンドを吸着面を下に向けて、ハウジング７０の開
口９６からこの内部に挿入し、吸着ハンドが基板を吸着
できる位置にまで吸着ハンドを下降させる。そして、基
板を吸着ハンドにより真空吸着し、吸着ハンドをハウジ
ング７０の開口９６の上部の位置にまで移動させて、ハ
ウジング７０の開口９６から吸着ハンドとそれに保持し
た基板を取り出す。
リング２４０を上昇させる。次に、第２搬送装置２４の
吸着ハンドを吸着面を下に向けて、ハウジング７０の開
口９６からこの内部に挿入し、吸着ハンドが基板を吸着
できる位置にまで吸着ハンドを下降させる。そして、基
板を吸着ハンドにより真空吸着し、吸着ハンドをハウジ
ング７０の開口９６の上部の位置にまで移動させて、ハ
ウジング７０の開口９６から吸着ハンドとそれに保持し
た基板を取り出す。
【００６４】このめっき処理部２２によれば、ヘッド部
４７の機構的な簡素化及びコンパクト化を図り、かつめ
っき処理槽４６内のめっき液の液面がめっき時液面にあ
る時にめっき処置を、基板受渡し時液面にある時に基板
の水切りと受渡しを行い、しかもアノード４８の表面に
生成されたブラックフィルムの乾燥や酸化を防止するこ
とができる。
４７の機構的な簡素化及びコンパクト化を図り、かつめ
っき処理槽４６内のめっき液の液面がめっき時液面にあ
る時にめっき処置を、基板受渡し時液面にある時に基板
の水切りと受渡しを行い、しかもアノード４８の表面に
生成されたブラックフィルムの乾燥や酸化を防止するこ
とができる。
【００６５】そして、このようにめっき処理を繰り返す
と、シール材２４４を高撥水性を有する高引裂き性シリ
コンで構成し、かつ基板を高速で回転させて遠心力によ
り液切り行って、間接的にシール材２４４の当接部３６
０乃至その近傍に付着しためっき液の液切りを行って
も、シール材２４４の当接部３６０乃至その近傍に残る
めっき液が徐々に増えてゆく。そこで、例えば、複数回
（例えば５回）のめっき処理を行う度、或いは任意の時
に、めっき液吸引機構３００によってシール材２４４の
当接部３６０乃至その近傍に残っためっき液を吸引除去
する。めっき処理を行う度、毎回（１回毎に）めっき液
を吸引除去することももちろん可能である。
と、シール材２４４を高撥水性を有する高引裂き性シリ
コンで構成し、かつ基板を高速で回転させて遠心力によ
り液切り行って、間接的にシール材２４４の当接部３６
０乃至その近傍に付着しためっき液の液切りを行って
も、シール材２４４の当接部３６０乃至その近傍に残る
めっき液が徐々に増えてゆく。そこで、例えば、複数回
（例えば５回）のめっき処理を行う度、或いは任意の時
に、めっき液吸引機構３００によってシール材２４４の
当接部３６０乃至その近傍に残っためっき液を吸引除去
する。めっき処理を行う度、毎回（１回毎に）めっき液
を吸引除去することももちろん可能である。
【００６６】即ち、基板を保持した状態でハウジング７
０を高速回転（５００〜１０００ｍｉｎ−１）させて基
板上の余分なめっき液及びシール材２４４の当接部３６
０乃至その近傍に残っためっき液の液切り（スピン除
去）を行う。液切りが終了し、基板をハウジング７０か
ら取り出した後、水平移動用シリンダ３１４を作動させ
て、ノズルヘッド３０２をハウジング７０の方向に前進
させ、このハウジング７０の開口９６からハウジング７
０の内部に入れ、しかる後、上下移動用シリンダ３１８
を作動させて、ノズルヘッド３０２を下降させる。これ
によって、ノズルヘッド３０２をシール材２４４の当接
部３６０に近接させて対峙させる。
０を高速回転（５００〜１０００ｍｉｎ−１）させて基
板上の余分なめっき液及びシール材２４４の当接部３６
０乃至その近傍に残っためっき液の液切り（スピン除
去）を行う。液切りが終了し、基板をハウジング７０か
ら取り出した後、水平移動用シリンダ３１４を作動させ
て、ノズルヘッド３０２をハウジング７０の方向に前進
させ、このハウジング７０の開口９６からハウジング７
０の内部に入れ、しかる後、上下移動用シリンダ３１８
を作動させて、ノズルヘッド３０２を下降させる。これ
によって、ノズルヘッド３０２をシール材２４４の当接
部３６０に近接させて対峙させる。
【００６７】この状態で、ハウジング７０を左右にゆっ
くりと回転させながら（１〜１０ｍｉｎ−１）、バキュ
ーム３１０による吸引を行うと同時に、洗浄液噴射ノズ
ル３０２ｄから純水等の洗浄液をシール材２４４の当接
部３６０乃至その近傍に向けて噴出してシール材２４４
の当接部３６０乃至その近傍を洗浄する。これにより、
シール材２４４の当接部３６０乃至その近傍に残っため
っき液をめっき液吸引ノズル３０２ｃで吸引するのであ
り、シール材２４４の洗浄に使用した洗浄液を同時に吸
引することで、めっき液吸引ノズル３０２ｃの内部にめ
っき液が残り、これが乾燥してめっき液吸引ノズル３０
２ｃを詰まらせてしまうことを防止することができる。
くりと回転させながら（１〜１０ｍｉｎ−１）、バキュ
ーム３１０による吸引を行うと同時に、洗浄液噴射ノズ
ル３０２ｄから純水等の洗浄液をシール材２４４の当接
部３６０乃至その近傍に向けて噴出してシール材２４４
の当接部３６０乃至その近傍を洗浄する。これにより、
シール材２４４の当接部３６０乃至その近傍に残っため
っき液をめっき液吸引ノズル３０２ｃで吸引するのであ
り、シール材２４４の洗浄に使用した洗浄液を同時に吸
引することで、めっき液吸引ノズル３０２ｃの内部にめ
っき液が残り、これが乾燥してめっき液吸引ノズル３０
２ｃを詰まらせてしまうことを防止することができる。
【００６８】そして、シール材２４４の当接部３６０乃
至その近傍の半分に亘るめっき液の吸引を行った後、前
記と逆の動作でめっき液吸引ノズル３０２ｃをハウジン
グ７０から引き抜き、ハウジング７０を水平方向に１８
０゜回転させ、しかる後、ハウジングの開口９６と向か
い合った開口９６’からめっき液吸引ノズル３０２ｃを
挿入し、前記と同様にして、めっき液吸引ノズル３０２
ｃをシール材２４４の当接部３６０乃至その近傍に近接
させて、シール材２４４の当接部３６０乃至その近傍の
あと半分に亘るめっき液の吸引を行う。
至その近傍の半分に亘るめっき液の吸引を行った後、前
記と逆の動作でめっき液吸引ノズル３０２ｃをハウジン
グ７０から引き抜き、ハウジング７０を水平方向に１８
０゜回転させ、しかる後、ハウジングの開口９６と向か
い合った開口９６’からめっき液吸引ノズル３０２ｃを
挿入し、前記と同様にして、めっき液吸引ノズル３０２
ｃをシール材２４４の当接部３６０乃至その近傍に近接
させて、シール材２４４の当接部３６０乃至その近傍の
あと半分に亘るめっき液の吸引を行う。
【００６９】これにより、シール材２４４の当接部３６
０乃至その近傍に残っためっき液を短時間で効率的に吸
引除去して、このめっき液がパーティクルの発生源とな
ってしまうことを防止し、しかも吸引しためっき液によ
ってめっき液吸引ノズル３０２ｃが詰まってしまうこと
を防止することができる。めっき処理を行う度（１回
毎）にめっき液を吸引除去する場合など、吸引除去間隔
が短い場合には、洗浄液噴射ノズル３０２ｄから洗浄液
を噴出しないで、めっき液吸引ノズル３０２ｃでめっき
液を吸引するだけでシール材２４４の当接部３６０乃至
その近傍に残っためっき液を容易に除去することも可能
である。
０乃至その近傍に残っためっき液を短時間で効率的に吸
引除去して、このめっき液がパーティクルの発生源とな
ってしまうことを防止し、しかも吸引しためっき液によ
ってめっき液吸引ノズル３０２ｃが詰まってしまうこと
を防止することができる。めっき処理を行う度（１回
毎）にめっき液を吸引除去する場合など、吸引除去間隔
が短い場合には、洗浄液噴射ノズル３０２ｄから洗浄液
を噴出しないで、めっき液吸引ノズル３０２ｃでめっき
液を吸引するだけでシール材２４４の当接部３６０乃至
その近傍に残っためっき液を容易に除去することも可能
である。
【００７０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残
っためっき液を強制的に吸引除去することで、この当接
部乃至その近傍に残っためっき液が乾燥してパーティク
ルの発生源となってしまうことを防止することができ
る。しかも、基板保持部を回転させることで、例えばダ
マシンによって銅配線を形成する際のめっきの埋込み性
を良好にしてめっき性能を向上させるとともに、基板保
持部の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を
容易かつ迅速に除去することができる。しかも、めっき
液除去手段側を回転させる必要をなくして、構造の簡素
化と設置スペースの縮小化を図ることができる。
基板保持部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残
っためっき液を強制的に吸引除去することで、この当接
部乃至その近傍に残っためっき液が乾燥してパーティク
ルの発生源となってしまうことを防止することができ
る。しかも、基板保持部を回転させることで、例えばダ
マシンによって銅配線を形成する際のめっきの埋込み性
を良好にしてめっき性能を向上させるとともに、基板保
持部の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を
容易かつ迅速に除去することができる。しかも、めっき
液除去手段側を回転させる必要をなくして、構造の簡素
化と設置スペースの縮小化を図ることができる。
【図１】本発明の基板のめっき装置によってめっきを行
なう工程の一例を示す断面図である。
なう工程の一例を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態のめっき装置を示す
平面配置図である。
平面配置図である。
【図３】図２に示すめっき装置内の気流の流れを示す説
明図である。
明図である。
【図４】図１に使用されているめっき処理部のめっき処
理時における全体を示す断面図である。
理時における全体を示す断面図である。
【図５】めっき液の流れの状態を示すめっき液フロー図
である。
である。
【図６】非めっき時（基板受渡し時）におけるめっき処
理部の全体を示す断面図である。
理部の全体を示す断面図である。
【図７】メンテナンス時におけるめっき処理部の全体を
示す断面図である。
示す断面図である。
【図８】基板の受渡し時におけるハウジング、押圧リン
グ及び基板の関係の説明に付する断面図である。
グ及び基板の関係の説明に付する断面図である。
【図９】図８の一部拡大図である。
【図１０】めっき処理時及び非めっき時におけるめっき
液の流れの説明に付する図である。
液の流れの説明に付する図である。
【図１１】芯出し機構の拡大断面図である。
【図１２】給電接点（プローブ）を示す断面図である。
【図１３】めっき液吸引機構の平面図である。
【図１４】図１３の正面図である。
【図１５】めっき液吸引機構の要部を示す斜視図であ
る。
る。
【図１６】シール材の要部を拡大して示す断面図であ
る。
る。
【図１７】シール材としての従来の一般的な形状を有す
るものを使用した時の問題点の説明に付する図である。
るものを使用した時の問題点の説明に付する図である。
【図１８】フッ素ゴムとシリコンゴムでシール材を構成
し、未浸漬品と７６２．６５時間めっき液に浸漬させた
時の接触角の変化を示すグラフである。
し、未浸漬品と７６２．６５時間めっき液に浸漬させた
時の接触角の変化を示すグラフである。
１５ カセットステージ １６ 洗浄・乾燥装置 １７，２４，２７ 搬送装置 ２１ 前処理部 ２２ めっき処理部 ２３ａ，２３ｂ，２６ａ，２６ｂ 基板ステージ ２５ 薬液洗浄装置 ４０ めっき液調整タンク ４５ めっき液 ４６ めっき処理槽 ４７ ヘッド部 ４８ アノード ４９ めっき室 ５０ めっき槽 ５３ めっき液噴出ノズル ５５ めっき液供給管 ５７，５９，１２０ めっき液排出口 ６０ａ，６０ｂ めっき液排出管 ６２ 鉛直整流リング ６３ 水平整流リング ７０ ハウジング ７２ 基板保持部 ７５ 空気抜き穴 ７６ カソード電極用接点 ７７ 給電接点 ２０８ カソード電極板 ２２０ パンチプレート ２２６ リザーバ ２４０ 押圧リング ２４２ 押圧ロッド ２４４ シール材 ２６４ 上部ハウジング ２６６ 下部ハウジング ２７０ 芯出し機構 ３００ めっき液吸引機構 ３０２ ノズルヘッド ３０２ａ めっき液通路 ３０２ｂ 洗浄液通路 ３０２ｃ めっき液吸引ノズル ３０２ｄ めっき洗浄液噴射ノズル ３０４ ノズル支持体 ３０４ａ めっき液通路 ３０４ｂ 洗浄液通路 ３１０ バキューム ３１３ めっき洗浄液供給源 ３６０ 当接部 ３６２ 平坦面 ３６４ 逆テーパ面 ３６６ テーパ面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開2001−89898（ＪＰ，Ａ) 特開2001−303295（ＪＰ，Ａ) 特開2001−223184（ＪＰ，Ａ) 特開2001−158968（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C25D 7/12 C25D 17/00 C25D 21/00 H01L 21/288 H01L 21/768
Claims (7)
- 【請求項１】 基板を保持する基板保持部を有する回転
自在なハウジングを備えたヘッド部と、 前記ヘッド部の下方に配置されてめっき液を保持するめ
っき処理槽と、 前記ハウジングの前記基板保持部の内周端の基板との当
接部乃至その近傍に付着しためっき液を除去するめっき
液除去手段とを有することを特徴とするめっき装置。 - 【請求項２】 前記めっき液除去手段は、前記基板保持
部の内周端の基板との当接部近傍に近接自在で、該当接
部乃至その近傍に付着しためっき液を吸引するめっき液
吸引ノズルを有することを特徴とする請求項１記載のめ
っき装置。 - 【請求項３】 前記めっき液除去手段は、前記基板保持
部の内周端の基板との当接部近傍に近接自在で、該当接
部乃至その近傍に向けて洗浄液を噴射する洗浄液噴射ノ
ズルを更に有することを特徴とする請求項２記載のめっ
き装置。 - 【請求項４】 基板を保持する基板保持部の内周端の基
板との当接部乃至その近傍に残るめっき液を除去するに
あたり、 前記基板保持部を回転させてめっき液の液切りを行った
後、前記基板保持部を回転させつつ、前記当接部乃至そ
の近傍に残っためっき液を吸引除去することを特徴とす
るめっき液除去方法。 - 【請求項５】 回転自在なハウジングの基板保持部に基
板を保持した状態で、上記基板にめっきを施す工程と、 前記ハウジングを回転させて、前記基板及び前記基板保
持部に付着しためっき液の液切りを行う工程と、 前記ハウジングから前記基板を取り出す工程と、 前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保持部の内周
端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を吸
引除去する工程とを有することを特徴とするめっき方
法。 - 【請求項６】 基板を保持する基板保持部を有する回転
自在なハウジングを備えたヘッド部と、 前記ヘッド部の下方に配置されてめっき液を保持するめ
っき処理槽と、 前記ハウジングの前記基板保持部の内周端の基板との当
接部乃至その近傍に残っためっき液を吸引除去するめっ
き液除去手段を有し、 前記めっき液除去手段のめっき液吸引部は、前記ハウジ
ングに設けられた開口より該ハウジング内の該基板保持
部近傍まで移動され、該基板保持部に対峙した状態で、
前記ハウジングを回転させながら、前記基板保持部の内
周端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっき液を
吸引除去することを特徴とするめっき装置。 - 【請求項７】 回転自在なハウジングの基板保持部に基
板を保持した状態で、上記基板にめっきを施す工程と、 前記ハウジングを回転させて、前記基板及び前記基板保
持部に付着しためっき液の液切りを行う工程と、 前記ハウジングに設けられた開口から、前記基板保持部
に保持された基板を該ハウジング外に取り出す工程と、 前記ハウジングに設けられた該開口より、めっき液除去
手段を該ハウジング内に挿入し、該めっき液除去手段の
めっき液吸引部を該基板保持部に対峙させる工程と、 前記めっき液吸引部を前記基板保持部近傍に対峙させた
状態で、前記基板保持部を回転させつつ、前記基板保持
部の内周端の基板との当接部乃至その近傍に残っためっ
き液を吸引除去する工程とを有することを特徴とするめ
っき方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000241503A JP3284496B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | めっき装置及びめっき液除去方法 |
| TW090118975A TW568961B (en) | 2000-08-09 | 2001-08-03 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
| US09/922,680 US6689216B2 (en) | 2000-08-09 | 2001-08-07 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
| DE60136763T DE60136763D1 (de) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | Metallisierungsgerät und Verfahren zur Entfernung von Metallisierungsflüssigkeit |
| EP01119225A EP1179618A3 (en) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
| KR1020010047919A KR100802122B1 (ko) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | 도금 장치 및 도금액 제거 방법 |
| EP07001406A EP1793017B1 (en) | 2000-08-09 | 2001-08-09 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
| US10/740,630 US7241372B2 (en) | 2000-08-09 | 2003-12-22 | Plating apparatus and plating liquid removing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000241503A JP3284496B2 (ja) | 2000-08-09 | 2000-08-09 | めっき装置及びめっき液除去方法 |
Publications (2)
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