JP2005194613A - 基板の湿式処理方法及び処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】 基板の表面に気体が残ったり、薬液組成並びにその温度が基板の端部と中央部で異なったりすることを容易に回避しつつ薬液処理を行うことができるようにする。
【解決手段】 基板を薬液で処理する湿式処理に際して、表面を下向きにして基板を裏面側で保持し、この裏面側を保持した基板を処理槽内に貯留した薬液中に浸漬させて基板の薬液処理を行い、この薬液処理後の基板の表面、端面及び裏面を洗浄する。
【選択図】図３

Description

本発明は、基板の湿式処理方法及び処理装置に関し、特に表面（被処理面）を下方に向けて保持した基板を、処理槽内に貯留した薬液に浸漬させて基板表面の薬液処理を行うようにした基板の湿式処理方法及び処理装置に関する。湿式処理には、めっき、エッチング及び洗浄等が含まれる。

以下、配線上に無電解めっきにより保護層を形成する場合を例に説明する。
半導体装置の配線形成プロセスとして、配線溝及びコンタクトホールに金属（導電体）を埋込むようにした配線形成プロセス（いわゆる、ダマシンプロセス）が使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め形成した配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、近年では銅や銀等の金属を埋め込んだ後、余分な金属を化学機械的研磨（ＣＭＰ）によって除去し平坦化するプロセス技術である。

この種の配線、例えば配線材料として銅を使用した銅配線にあっては、平坦化後、銅からなる配線の表面が外部に露出しており、配線（銅）の熱拡散を防止したり、例えばその後の酸化性雰囲気の絶縁膜（酸化膜）を積層して多層配線構造の半導体装置を作る場合等に、配線（銅）の酸化を防止したりするため、Ｃｏ合金やＮｉ合金等からなる配線保護層（蓋材）で露出配線の表面を選択的に覆って、配線の熱拡散及び酸化を防止することが検討されている。このＣｏ合金やＮｉ合金等からなる配線保護層は、例えば無電解めっきによって得られる。

例えば、図１に示すように、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面に堆積したＳｉＯ_２等からなる絶縁膜２の内部に配線用の微細な凹部４を形成し、表面にＴａＮ等からなるバリア層６を形成した後、例えば、銅めっきを施し、基板Ｗの表面に銅膜を成膜して凹部４の内部に銅を埋め込む。しかる後、基板Ｗの表面にＣＭＰ（化学機械的研磨）を施して平坦化することで、絶縁膜２の内部に銅からなる配線８を形成し、この配線（銅膜）８の露出表面に、例えば無電解めっきによって得られる、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護層（蓋材）９を選択的に形成して配線８を保護する。

一般的な無電解めっきによって、このようなＣｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護層（蓋材）９を配線８の表面に選択的に形成する工程を説明する。先ず、ＣＭＰ処理を施した半導体ウエハ等の基板Ｗを、例えば液温が２５℃で、０．５ＭのＨ_２ＳＯ_４等の酸溶液中に、例えば１分程度浸漬させて、絶縁膜２の表面に残った銅等のＣＭＰ残さ等を除去する。そして、基板Ｗの表面を超純水等の洗浄液で洗浄した後、例えば、液温が２５℃で、０．００５ｇ／ＬのＰｄＣｌ_２と０．２ｍｌ／ＬのＨＣｌ等の混合溶液中に基板Ｗを、例えば１分間浸漬させ、これにより、配線８の表面に触媒としてのＰｄを付着させて配線８の露出表面を活性化させる。次に、基板Ｗの表面を超純水で水洗いした後、例えば液温が８０℃のＣｏ−Ｗ−Ｐめっき液中に基板Ｗを、例えば１２０秒程度浸漬させて、活性化させた配線８の表面に選択的な無電解めっき（無電解Ｃｏ−Ｗ−Ｐ蓋めっき）を施し、しかる後、基板Ｗの表面を超純水等の洗浄液で洗浄する。これによって、配線８の表面に、Ｃｏ−Ｗ−Ｐ合金膜からなる配線保護層９を選択的に形成して配線８を保護する。

ところで、触媒付与等の前処理やめっき処理には、表面（被処理面）を下向きにして保持した基板を、処理槽内に貯留した薬液に浸漬させて基板表面の処理を行う、いわゆるディップ方式が一般に採用されている。このディップ方式を採用した湿式処理にあっては、基板の裏面や端面が薬液によって汚染されるのを防止しつつ、基板表面の必要箇所のみを薬液で処理するため、基板表面の周縁部をシール材でシールして基板を保持し、基板表面のシール材で囲まれた領域のみに薬液を接触させることが広く行われている。

前述のディップ方式を採用した湿式処理においては、基板を薬液中に浸漬させる時に同伴する気体や反応に伴って発生する気体が基板表面へ付着したり、基板全表面での薬液の組成並びにその温度の不均一性が発生したりする等、湿式処理における基板の面内均一性を妨げる様々な要素がある。

つまり、基板表面の周縁部をシール材でシールして基板を下向きで保持し、この基板を薬液中に浸漬させ基板表面のシール材で囲まれた領域のみに薬液を接触させて薬液処理するようにした従来の湿式処理にあっては、シール材及び該シール材を保持する保持部材が、基板表面で形成される平坦面からリング状に下方に出っ張り、この出っ張りによって、気体や薬液の流れが堰き止められて滞留し、この結果、反応が起こらない部分が生じたり、基板処理の面内均一性が悪化したりすることがある。

本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、基板の表面に気体が残ったり、薬液組成並びにその温度が基板の端部と中央部で異なったりすることを容易に回避しつつ薬液処理を行うことができるようにした基板の湿式処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。

請求項１に記載の発明は、基板を薬液で処理する湿式処理に際して、表面を下向きにして基板を裏面側で保持し、この裏面側を保持した基板を処理槽内に貯留した薬液中に浸漬させて基板の薬液処理を行い、この薬液処理後の基板の表面、端面及び裏面を洗浄することを特徴とする基板の湿式処理方法である。

このように、表面を下向きにして基板を裏面側で保持することで、基板表面で形成される平坦面から下方に出っ張る部材をなくして、基板を薬液中に浸漬させて薬液処理する時に、気体や処理液が基板の表面に沿って滞留することなくスムーズに流れるようにすることができる。これによって、気体が薬液の流れに沿って逃げやすくなり、また薬液の流れの状態を均一にして、薬液組成並びにその温度を基板全面に亘ってより均一にすることができる。なお、基板の裏面側で基板を保持すると、基板の表面のみならず、基板の端面及び裏面にも薬液が付着し汚染の原因となるが、この部分を洗浄することで、そのような問題を回避することができる。

請求項２に記載の発明は、乾燥状態にある基板に対して前記薬液による湿式処理を行うことを特徴とする請求項１記載の基板の湿式処理方法である。
このように、乾燥状態にある基板に対して薬液による湿式処理を行うことで、湿式処理を行う前に、例えば銅からなる配線等に腐食等の不具合が生じてしまうことを防止することができる。

請求項３に記載の発明は、前記洗浄後の基板を乾燥状態にすることを特徴とする請求項１または２記載の基板の湿式処理方法である。
このように、洗浄後の基板を乾燥状態とすることで、そのまま次工程に搬送することが可能となるばかりでなく、次工程にかかるまでの間に、例えば銅配線を保護する保護膜が劣化してしまうことを防止することができる。

なお、基板を乾燥する際には、一般にスピンドライヤーのような回転式の乾燥方法が用いられる。しかしながら、この方法では、基板表裏面の膜種によって、ウォータマークなどの欠陥が大量に発生することがある。このような基板の場合には、基板表裏面に遮蔽用の円板をそれぞれ近接させて配置することで基板表裏面を保護しつつ、前記円板と基板面の間に窒素ガスを流しつつ高速回転して乾燥するとか、乾燥雰囲気下あるいはノズルから噴出させた窒素ガスなどを基板中心から外周に向けて流しながら、３００ｍｉｎ^−１乃至それ以下の低回転速度で回転させて乾燥するとか、様々な方法を適用する必要がある。

請求項４に記載の発明は、表面を下向きにして基板を裏面側で保持するに先だって、表面を上向きにして搬送されてきた基板を反転機で反転させて表面を下向きにすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
基板は、通常表面（被処理面）上方に向けて、工程の内外を搬送される。従って、表面を上向きにして搬送されてきた基板を、予め反転機で反転させて表面を下向きにしておくことで、その後の薬液処理をスムーズに行うことができる。

請求項５に記載の発明は、前記基板の裏面側での保持を真空吸着により行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
このように、真空吸着方式を採用して基板を裏面側で保持することで、基板の脱落を防止しつつ、基板を確実かつ迅速に保持することができる。

請求項６に記載の発明は、前記処理槽内に、５リットル以上の薬液を貯留することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
薬液処理における所定の面内均一性を確保するためには、薬液の精密な温度制御が必要である。そのためには、処理槽内の薬液量は、基板の大きさにもよるが、少なくとも５リットル以上とすることが望ましく、これにより、基板に対して薬液の容量を多くとり、その熱容量により基板表面の各部位での温度の違いを最小限に抑えることができる。また、薬液中の溶存酸素が基板処理の反応に好ましくない影響を持つ場合、予め脱気した薬液で処理することが広く行われているが、この場合、薬液量が少ないと空気中の酸素の溶解により溶存酸素を低いままに維持することが困難となる。この点からも、処理槽内の薬液量は、少なくとも５リットル以上とすることが望ましい。

請求項７に記載の発明は、所定の濃度範囲に調製した薬液を薬液貯槽内に準備し、少なくとも基板の薬液処理時に、前記薬液貯槽内の薬液を前記処理槽に連続的に供給することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
薬液処理における基板の面内均一性を妨げる様々な要素を排除するためには、気体の基板表面への付着、基板全表面での薬液組成並びにその温度の不均一性等を排除する必要がある。そこで別途設けた薬液貯槽内に薬液を準備し、少なくとも基板を処理する間は、薬液貯槽から処理槽中の基板表面に向けて、例えば上向流で薬液を連続的に供給して、処理層内での薬液の流れを作ることで、基板表面の気体の排除をより確実なものとし、しかも基板全面における薬液組成並びにその温度の不均一性を排除して、反応の基板面内における均一性の向上を図ることができる。

請求項８に記載の発明は、前記薬液貯槽内の薬液を、フィードフォワード制御及び／またはフィードバック制御により、所定の容量範囲及び濃度範囲に調製することを特徴とする請求項７記載の基板の湿式処理方法である。
薬液貯槽内の薬液の消費状況や濃度変化を、基板の処理枚数、薬液の温度条件及び処理時間等を基に事前に予測し、その結果を基に、薬液を構成する成分を個別ないし混合状態で追加するフィードフォワード制御、または薬液貯槽内の薬液量を計測するとともに、薬液をサンプリングして該薬液を構成する成分の濃度分析を行い、その結果を基に、薬液を構成する成分を個別ないし混合状態で追加するフィードバック制御、または両者の併用により、薬液貯槽内の薬液を所定の容量範囲及び濃度範囲に調製することができる。

請求項９に記載の発明は、所定の濃度範囲に調製した薬液を薬液貯槽内に準備するに際して、該薬液貯槽内の薬液の温度を所定の範囲に調整することを特徴とする請求項７または８記載の基板の湿式処理方法である。
このように、処理槽に供給される薬液の温度を所定の範囲に調整することで、例えば、薬液の濃度を所定範囲に維持し、かつ供給時における薬液の処理槽内での流れの状態を均一にすることと併せて、反応の基板面内における均一性をより高めることができる。薬液の温度は、室温以下の場合もあれば室温以上の場合もある。

請求項１０に記載の発明は、前記処理槽内の薬液に浸漬させた基板の表面と、前記処理槽内に設置した前記薬液貯槽に供給される薬液の供給口との距離を、５０ｍｍ以上とすることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
薬液貯槽から処理槽に薬液を連続的に供給する際に、処理槽内の薬液に浸漬させた基板の位置と薬液の導入位置との距離が近すぎると、薬液の基板面に対して垂直な線速度を基板全面に亘って均一にすることが困難となる。このため、基板の位置と薬液の導入位置との距離を、少なくとも５０ｍｍ以上とすることが望ましく、これにより、基板表面への薬液の供給が、基板面に対してできるだけ垂直でかつ均一になるようにすることができる。

請求項１１に記載の発明は、前記処理槽内の薬液に浸漬させた基板を回転させることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。
このように、基板を適切な回転速度で回転させながら薬液処理を行うことで、気体の基板表面からの排除を確実なものとし、しかも基板全面における反応の均一性を図ることができる。

請求項１２に記載の発明は、薬液処理後の基板の表面、端面及び裏面を洗浄するに際して、基板の表面、端面及び裏面より薬液を除去し、基板の表面、端面及び裏面に洗浄液を供給して洗浄することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の基板の湿式処理方法である。

薬液処理後の基板の表面、端面及び裏面には、基板の浸漬に伴って薬液が付着しており、基板を次工程に送る以前に清浄化する必要がある。その際、直ちに洗浄液（処理液）で処理するのではなく、まずは基板を回転するなどして、基板に付着した薬液を除去し、次いで洗浄液で処理することで、洗浄効果を高めることができる。このとき、前記薬液処理に用いる薬液や基板表裏面の膜質及び状態などに応じて洗浄液を適宜選択することが望ましい。例えば、パーティクルが付着しているような場合であれば、洗浄液として、アルカリ溶液や水素溶解水などを用いる。金属イオンが付着しているような場合であれば、酸及び／またはキレート剤溶液を用いるとよい。また洗浄液の供給方法も、浸漬、スプレーによる噴霧、ノズルによる局部供給などの中から任意に選択できる。

請求項１３に記載の発明は、表面を下向きにして基板を裏面側で保持する基板ホルダと該基板ホルダで保持した基板を浸漬させる薬液を内部に保持する処理槽を備えた薬液処理ユニットと、基板の表面、端面及び裏面を洗浄する洗浄ユニットを有することを特徴とする基板の湿式処理装置である。

請求項１４に記載の発明は、前記基板ホルダは、真空吸着により基板を保持することを特徴とする請求項１３記載の基板の湿式処理装置である。
請求項１５に記載の発明は、前記基板ホルダは、回転自在に構成されていることを特徴とする請求項１３または１４記載の基板の湿式処理装置である。
請求項１６に記載の発明は、前記処理槽は、５リットル以上の薬液を貯留する容積を有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の基板の湿式処理装置である。

請求項１７に記載の発明は、前記洗浄ユニットは、回転する基板に近接した位置に互いに離間させて配置される流体供給口と流体吸引口を有し、前記流体供給口から処理流体を前記基板に向けて供給するとともに、前記基板に付着した前記処理流体を前記流体吸引口から吸引するように構成されていることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれかに記載の基板の湿式処理装置である。
請求項１８に記載の発明は、前記洗浄ユニットで洗浄した基板を乾燥させる乾燥ユニットを更に有することを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかに記載の基板の湿式処理装置である。

請求項１９に記載の発明は、前記乾燥ユニットは、基板表面に洗浄スポンジを接触させる機構を有することを特徴とする請求項１８記載の基板の湿式処理装置である。
請求項２０に記載の発明は、表面を上向きにして搬送されてきた基板を反転させて表面を下向きにする反転機を更に有することを特徴とする請求項１３乃至１９のいずれかに記載の基板の湿式処理装置である。
請求項２１に記載の発明は、所定の濃度範囲に調製した薬液を準備し、少なくとも基板の薬液処理中に前記薬液を前記処理槽に連続的に供給する薬液貯槽を更に有することを特徴とする請求項１３乃至２０のいずれかに記載の基板の湿式処理装置である。

請求項２２に記載の発明は、前記薬液貯槽は、内部に保持した薬液の温度を所定の範囲に調整する温度調整部を有することを特徴とする請求項２１記載の基板の湿式処理装置である。
請求項２３に記載の発明は、前記処理槽は、この内部の薬液に浸漬させた基板の表面と、前記処理槽内に設置した前記薬液貯槽から供給される薬液の供給口との距離が５０ｍｍ以上となるように構成されていることを特徴とする請求項２１または２２記載の基板の湿式処理装置である。
請求項２４に記載の発明は、基板の周縁部に付着した金属イオンや薄膜を、薬液を用いて除去する基板処理ユニットを更に有することを特徴とする請求項１３乃至２３のいずれかに記載の基板の湿式処理装置である。

請求項２５に記載の発明は、基板を略水平に保持しつつ回転させる回転保持部と、回転する基板の周縁部に、処理液が基板に対して静止するように該処理液を供給する処理液供給部を備えた基板処理ユニットを更に有することを特徴とする請求項１３乃至２３のいずれかに記載の基板の湿式処理装置である。
請求項２６に記載の発明は、前記処理液供給部により供給された処理液を該処理液の供給中及び／または供給後に基板上から除去する処理液除去部を設けたことを特徴とする請求項２５記載の基板の湿式処理装置である。

本発明によれば、基板を薬液中に浸漬させて薬液処理する時に、基板表面で形成される平坦面から下方に出っ張る部材をなくし、気体や処理液が基板の表面に沿って滞留することなくスムーズに流れるようにして、基板の表面に気体が残ったり、薬液組成並びにその温度が基板の端部と中央部で異なったりすることを容易に回避しつつ薬液処理を行うことができる。

以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
図２は、本発明の実施の形態にかかる基板処理装置１の全体概略平面図である。図２に示すように、この基板処理装置１は、ロード・アンロードエリア１００と、洗浄エリア２００と、めっき処理エリア３００の３つの処理エリアを具備して構成されている。そしてロード・アンロードエリア１００には、２つのロードポート１１０、第１基板搬送ロボット１３０及び第１反転機１５０が設置されている。洗浄エリア２００には、基板仮置台２１０、第２基板搬送ロボット２３０、前洗浄ユニット２４０、第２反転機２５０及び２つの後洗浄ユニット２６０が設置されている。めっき処理エリア３００には、第３基板搬送ロボット３１０、４つの前処理ユニット３２０、４つのめっきユニット３６０及び薬液供給ユニット３９０が設置されている。

ここで、前洗浄ユニット２４０、前処理ユニット（触媒付与処理ユニット）３２０、及びめっきユニット３６０として、使用する薬液がそれぞれ異なるだけで、同じ構成の薬液処理ユニット４００が使用されている。

図３（ａ）は、薬液処理ユニット４００を示す側面図で、図３（ｂ）は、図３（ａ）の概略側断面図である。図３に示すように、薬液処理ユニット４００は、内部に薬液Ｑを溜めて基板Ｗのディップ処理を行う処理槽７１０と、処理槽７１０の開口部７１１を塞ぐ蓋部材７４０と、蓋部材７４０の上面に取り付けられる噴霧ノズル７６０と、蓋部材７４０を駆動（旋回）する駆動機構７７０と、基板Ｗを保持する基板ホルダ７８０と、基板ホルダ７８０全体を駆動する基板ホルダ駆動機構８１０とを具備している。

処理槽７１０は、内部に５リットル以上の薬液Ｑを貯留できる容積を有する容器形状の処理槽本体７１３と、処理槽本体７１３の上端外周部分に設置され処理槽本体７１３からオーバーフローする薬液Ｑを回収する外周溝７１５と、外周溝７１５の外周側を囲んで筒状に上方に突出する覆い部７１７とを有している。処理槽本体７１３の底面中央には、薬液供給口７２１が設けられている。

薬液処理における所定の面内均一性を確保するためには、薬液の精密な温度制御が必要である。そのためには、処理槽７１０内に保持される薬液Ｑの量は、処理される基板Ｗの大きさにもよるが、少なくとも５リットル以上とすることが望ましく、これにより、基板Ｗに対して薬液Ｑの容量を多くとり、その熱容量により、基板Ｗの表面の各部位での温度の違いを最小限に抑えることができる。また、薬液Ｑ中の溶存酸素が基板Ｗの処理の反応に好ましくない影響を持つ場合には、予め脱気した薬液Ｑで処理することが広く行われているが、この場合、薬液Ｑの量が少ないと、空気中の酸素の溶解により溶存酸素を低いままに維持することが困難となる。この点からも、処理槽７１０内の薬液Ｑの量は、少なくとも５リットル以上とすることが望ましい。

また、下記のように、処理槽７１０内の薬液Ｑに基板を浸漬させて基板Ｗの表面の薬液処理する際、この基板Ｗと薬液貯槽３９１から処理槽７１０内に供給される薬液Ｑの供給位置との距離Ｄ（図９（ｂ）参照）が５０ｍｍ以上（Ｄ≧５０ｍｍ）となるように構成されている。薬液貯槽３９１から処理槽７１０に薬液Ｑを連続的に供給する際に、処理槽７１０内の薬液Ｑに浸漬させた基板Ｗの位置と薬液Ｑの導入位置との距離Ｄが近すぎると、薬液Ｑの基板Ｗの面に対して垂直な線速度を基板全面に亘って均一にすることが困難となる。このため、基板Ｗの位置と薬液Ｑの導入位置との距離Ｄを、少なくとも５０ｍｍ以上とすることが望ましく、これにより、基板Ｗの表面への薬液Ｑの供給が、基板Ｗの表面に対してできるだけ垂直でかつ均一になるようにすることができる。

薬液供給ユニット３９０は、処理槽７１０の外周溝７１５にオーバーフローした薬液Ｑを、配管によって薬液貯槽３９１に戻し、薬液貯槽３９１内に溜まった薬液Ｑを、薬液供給用ポンプ４０４によって処理槽本体７１３の薬液供給口７２１に供給する。これにより、この薬液貯槽３９１の内部に所定の濃度範囲に調製した薬液Ｑを準備しておき、少なくとも基板の薬液処理時に、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを処理槽７１０に連続的に供給し循環させることができる。

薬液処理における基板Ｗの面内均一性を妨げる様々な要素を排除するためには、気体の基板Ｗの表面への付着、基板Ｗの全表面での薬液Ｑの組成並びにその温度の不均一性等を排除する必要がある。そこで別途設けた薬液貯槽３９１内に薬液Ｑを準備し、少なくとも基板を処理する間は、薬液貯槽３９１から処理槽７１０中の基板Ｗの表面に向けて、例えば上向流で薬液Ｑを連続的に供給して、処理槽７１０での薬液Ｑの流れを作ることで、基板Ｗの表面の気体の排除をより確実なものとし、しかも基板Ｗの全面における薬液Ｑの組成並びにその温度の不均一性を排除して、反応の基板面内における均一性の向上を図ることができる。

更に、薬液Ｑの流れを安定させるために、処理槽本体７１３の内部に整流板７１４を設置している。整流板７１４は、円形の平板中に薬液が流通する多数の貫通する小孔を設けることで構成されている。

蓋部材７４０は、処理槽７１０の開口部７１１を塞ぐ大きさの板材によって構成されており、蓋部材７４０の両側面には、板状のアーム部７４５が取り付けられ、その先端近傍部分が処理槽７１０の略中央両側部分に設置した軸支部７４７に回動自在に軸支されている。アーム部７４５の先端は、駆動機構７７０の連結アーム７７５の先端に固定されている。

噴霧ノズル７６０は、面状に複数個（例えば、１９個）のノズル７６３を上向きに配置して構成されている。複数個のノズル７６３は、基板ホルダ７８０に保持した基板Ｗを、処理槽７１０を塞いだ蓋部材７４０の上部に位置させた状態で、これら複数個のノズル７６３から同時に洗浄液を噴霧することで、基板Ｗの被処理面（下面）全域に洗浄液が均等に噴霧され基板Ｗの被処理面への噴霧圧も極力均等になる位置に、上向きに取り付けられている。これにより、基板Ｗの洗浄処理において、ばらつきのない均等な処理が可能となる。

駆動機構７７０は、蓋部材旋回用シリンダ７７１と、蓋部材旋回用シリンダ７７１のピストンに連結されるロッド７７３と、ロッド７７３の先端に回動自在に連結される連結アーム７７５とを具備して構成されている。蓋部材旋回用シリンダ７７１の下端部は、固定側部材に回動自在に支承されている。

図４（ａ）は、基板ホルダ７８０の概略側断面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＧ部拡大図である。図４（ａ）に示すように、基板ホルダ７８０は、基板保持部７８１と基板保持部駆動部８００とを具備している。基板保持部７８１は、下面が開放された略円筒状の基板受け７８３の内部に、略円形の吸着ヘッド７８９を収納して構成されている。基板受け７８３は、その下端面から内側に向けて基板Ｗを仮置きする仮置き部７８５を突出して設け、またその外周側面に基板挿入口７８７を設けている。吸着ヘッド７８９は、内部に真空供給ライン７９３を設けた略円板状の基部７９１と、基部７９１の下面外周にリング状に取り付けられる基板吸着部７９５とを具備している。

基部７９１には、基板吸着部７９５に吸着した基板Ｗと前記基部７９１の間の空間を開放する複数個（図では１ヶ所のみ示す）の空気抜き用の開口部７９０を設けている。基板吸着部７９５は、シール材（例えばゴム材料等）で構成され、その先端を基部７９１の下面から突出することで該基部７９１の下面に当接する基板Ｗの裏面を吸着するとともに、基板Ｗの裏面の真空吸着した部分の内側への薬液の浸入を防止するシールの役目を果たす。

基板吸着部７９５の形状については、図４（ｂ）に示す形状のみならず、円周幅にて吸着するものであればどのような形状でもかまわない。また基板吸着部７９５の基板Ｗに接触する部分には、基板吸着溝（吸着兼引き離し用孔）７９７を設け、これに前記真空供給ライン７９３を接続することで、基板吸着溝７９７への基板Ｗの吸着及び引き離しを行わせるように構成している。なお真空供給ライン７９３には、真空の他に不活性ガスまたは洗浄液を供給できるように構成されている。

一方、基板保持部駆動部８００は、前記吸着ヘッド７８９を回転駆動する基板回転モータ８０１と、前記基板受け７８３を上下の所定位置（少なくとも３ヶ所）に駆動する基板受け駆動用シリンダ８０３とを具備している。そして吸着ヘッド７８９は、基板回転モータ８０１によって回転駆動され、また基板受け７８３は、基板受け駆動用シリンダ８０３によって上下動される。つまり吸着ヘッド７８９は、回転のみで上下動せず、基板受け７８３は上下動のみで回転しない。

基板ホルダ７８０の動作を説明する。先ず、図４（ａ）に示すように、吸着ヘッド７８９を回転しない状態で、基板受け７８３を最も下の位置（基板受渡し位置）に移動し、基板挿入口７８７を介して、第３基板搬送ロボット３１０の真空ハンドに吸着されて保持された基板Ｗを基板受け７８３の内部に挿入し、真空ハンドの吸着を解除することで、基板Ｗを仮置き部７８５の上に載置する。このとき基板Ｗは、表面（被処理面）を下向きにしたフェースダウンで保持される。そして真空ハンドを基板挿入口７８７から抜き出す。

次に、図５に示すように、基板受け７８３を上昇させ基板Ｗの裏面（上面）の周縁部に基板吸着部７９５の先端を当接させて押し付け、基板吸着溝７９７から真空引きすることで、基板Ｗを基板吸着部７９５に吸着させて保持する。この際、真空力は、基板吸着部７９５の基板Ｗに接触する部分の内部の基板吸着溝７９７内に発生する。このときの基板受け７８３の位置を基板固定位置とする。これによって、基板Ｗの裏側の部分（被処理面と反対側の面）は、基板吸着部７９５によるシールによって表面側から遮断される。

この例では、基板Ｗの裏面周縁部を、リング状の小さな幅（径方向）の基板吸着部７９５によるシールにて吸着することにより、吸着幅を極力小さく抑えることで、基板Ｗへの影響（撓み等）をなくすようにしている。また基板Ｗの裏面の外周部のみが基板吸着部７９５と接触するので、基板処理時に薬液の温度が不必要に基板吸着部７９５との接触面を伝達して逃げる恐れがない。

吸着ヘッド７８９の基板吸着部７９５による基板Ｗの吸着位置は、基板Ｗの外周近傍の、その表面（下面）にデバイスを形成していない部分の裏面、具体的には、基板Ｗの裏面（上面）の外周幅５ｍｍ以内の領域である。このように構成すれば、基板Ｗに接触する部分が基板Ｗのデバイス範囲外の裏面となり、例えば加熱して基板Ｗの薬液処理を行う際の吸着による影響を最小限に抑えることができる。

次に、図６に示すように、基板受け７８３を少し（例えば数ｍｍ）下降させて基板Ｗを仮置き部７８５から引き離す。このときの基板受け７８３の位置を基板処理位置とする。この状態で、基板ホルダ７８０全体を下降させて、図３に示す処理槽７１０の薬液Ｑ中に浸漬させる。すると、基板Ｗは、その裏面が吸着された保持されているだけなので、基板Ｗの表面全域及び端面も薬液Ｑに接触する。

更に、基板受け７８３が下降して基板Ｗから離れ、基板Ｗは、その裏面のみが吸着された保持されているだけなので、薬液Ｑに浸漬しても、基板Ｗに対する薬液Ｑの流れＬ（図６（ｂ）参照）が阻害されることがなく、基板Ｗの表面全域において均一な薬液Ｑの流れＬが形成される。またこの薬液Ｑの流れＬと共に、基板Ｗの表面上に巻き込まれた気体や、薬液処理によって発生した気体を基板Ｗの表面上から処理槽７１０内の他の部分へ排出することができる。また薬液Ｑの流れの状態を均一にして、薬液Ｑの組成並びにその温度を基板Ｗの全面に亘ってより均一にすることができる

これによって、薬液処理に悪影響を及ぼす薬液Ｑの不均一な流れ或いは気体の影響を解決することができる。また基板Ｗの裏面のリング状に真空吸着した部分の内側は、基板吸着部７９５によるシールによって表面側から遮断されるので、薬液が基板Ｗの裏面の基板吸着部７９５の内側へ浸入することを防ぐことができる。

この例においては、吸着ヘッド７８９の基部７９１に開口部７９０を設けているので、基部７９１と基板吸着部７９５と基板Ｗとで形成される空間が密閉状態とはならず、この空間内での熱による空気膨張を防止することで、基板Ｗへの悪影響（撓み等）を回避することができる。更に、開口部７９０があるため、吸着ヘッド７８９の軽量化にもつながり、基板吸着部７９５による吸着のみにて、基板回転モータ（駆動部）８０１による基板Ｗの高速回転（例えば１０００ｒｐｍ）も可能となる。基板Ｗを高速回転させることで、薬液処理後の基板Ｗの表面に残留している薬液及び洗浄液を極力飛散させることができる。これによって、使用する薬液や洗浄液等の無駄な排出がなくなる。

次に、基板Ｗの処理が終了した後、基板受け７８３を、図５に示す基板固定位置まで上昇させ、基板Ｗを仮置き部７８５の上に載置し、基板吸着溝７９７から気体（不活性ガス、例えば窒素ガス）を噴出させて、基板Ｗを基板吸着部７９５から引き離す。同時に、基板受け７８３を、図４に示す基板受渡し位置まで下降させ、基板挿入口７８７から第３基板搬送ロボット３１０の真空ハンドを挿入して基板Ｗを外部に引き出す。

この例においては、前述のように、真空供給ライン７９３に、真空の他に不活性ガスまたは洗浄液を供給するように構成しているが、さらに基板吸着部７９５の外側近傍（吸着ヘッド７８９の外周近傍）に洗浄用噴霧ノズル８０５を設置している。そして必要に応じて、洗浄用噴霧ノズル８０５によって基板吸着部７９５先端の外側と吸着ヘッド７８９の外周側面とを洗浄するとともに、真空供給ライン７９３から基板吸着溝７９７に不活性ガスまたは洗浄液を供給することで真空供給ライン７９３及び基板吸着溝７９７の内部を洗浄するようにしている。

これは以下の理由による。即ち、薬液の種類によっては、時間の経過と共に、通常薬液に接液している箇所に薬液成分が結晶化し析出してしまう。基板吸着部７９５の特に基板Ｗとの接触部において、薬液成分の析出が起こると、適切な基板Ｗの吸着ができなくなる他、析出物が基板Ｗへ付着する等、基板処理に悪影響を与えてしまう。

そこでこの例では、処理槽７１０の開口部７１１を塞ぐ蓋部材７４０の上部に取り付けた噴霧ノズル７６０によって、基板吸着部７９５の下面を洗浄する他に、前記洗浄用噴霧ノズル８０５により基板吸着部７９５の外周側面を洗浄することができるように構成し、更に基板Ｗを吸着する真空供給ライン７９３及び基板吸着溝７９７には、吸着用の真空以外に、不活性ガスや洗浄液（例えば純水）等も注入できるように構成して、真空供給ライン７９３及び基板吸着溝７９７内部を全て洗浄できるように構成している。

図７は、基板ホルダ駆動機構８１０の内部構造の概略側面図である。図７に示すように、基板ホルダ駆動機構８１０は、基板ホルダ７８０全体を揺動して傾斜させる傾斜機構８１１と、基板ホルダ７８０及び傾斜機構８１１全体を旋回させる旋回機構８２１と、基板ホルダ７８０、傾斜機構８１１及び旋回機構８２１全体を昇降させる昇降機構８３１とを具備している。図８（ａ）は、傾斜機構８１１を示す概略側面図（但し基板ホルダ７８０も記載されている）で、図８（ｂ）は、図８（ａ）の右側面図（但し基板ホルダ７８０は省略されている）である。

図８に示すように、傾斜機構８１１は、基板ホルダ７８０に固定されたブラケット８１３と、ブラケット８１３に固定されるとともに固定側の傾斜軸用軸受８１４に回動自在に軸支される傾斜軸８１５と、ヘッド傾斜用シリンダ８１７と、一端をヘッド傾斜用シリンダ８１７の駆動軸８１８の側部に回動自在に取り付け、他端を傾斜軸８１５に固定されるリンクプレート８１９とを具備している。そしてヘッド傾斜用シリンダ８１７を駆動して、その駆動軸８１８を、図８（ｂ）に示す矢印Ｈ方向に移動すれば、リンクプレート８１９によって傾斜軸８１５が所定角度回動し、これによって、基板ホルダ７８０が揺動し、基板ホルダ７８０に保持した基板Ｗを水平位置と水平位置から所定角度傾斜させた傾斜位置とに変更できるようにしている。

基板ホルダ７８０の傾斜角度は、メカストッパーを用いて任意の角度に調整が可能である。一方、旋回機構８２１は、図７に示すように、ヘッド旋回用サーボモータ８２３とこのヘッド旋回用サーボモータ８２３によって回動される旋回軸８２５とを具備しており、旋回軸８２５の上端に前記傾斜機構８１１が固定されている。昇降機構８３１は、ヘッド昇降用シリンダ８３３とヘッド昇降用シリンダ８３３によって昇降されるロッド８３５とを具備しており、ロッド８３５の先端に取り付けたステー８３７に前記旋回機構８２１が固定されている。

図１１は、薬液供給ユニット３９０の詳細を示す。処理槽７１０は、底部において、薬液貯槽３９１から延び、途中に薬液供給ポンプ４０４と三方弁４０６とを介装した薬液供給管４０８に接続されている。これにより、薬液処理中にあっては、処理槽７１０の内部に、この底部から薬液Ｑを供給し、溢れる薬液Ｑを外周溝７１５から薬液貯槽３９１へ回収することで、薬液Ｑが循環できるようになっている。また、三方弁４０６の一つの出口ポートには、薬液貯槽３９１に戻る薬液戻り管４１２が接続されている。これにより、待機時にあっても、薬液Ｑを循環させることができるようになっており、これによって、薬液循環系が構成されている。このように、薬液循環系を介して、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを常時循環させることにより、単純に薬液Ｑを貯めておく場合に比べて薬液Ｑの濃度の低下率を減少させ、基板Ｗの処理可能数を増大させることができる。

特に、この例では、薬液供給ポンプ４０４を制御することで、待機時及び薬液処理時に循環する薬液Ｑの流量を個別に設定できるようになっている。これにより、待機時に薬液Ｑの大きな循環流量を確保して、薬液貯槽３９１の薬液Ｑの液温を一定に維持し、薬液処理時には、必要に応じて、薬液Ｑの循環流量を小さくして、より均一な薬液処理を行うことができる。

処理槽７１０の底部付近に設けられた温度測定器４６６は、処理槽７１０の内部に導入される薬液の液温を測定して、この測定結果を元に、下記のヒータ４１６及び流量計４１８を制御する。

つまり、この例では、別置きのヒータ４１６を使用して昇温させ流量計４１８を通過させた水を熱媒体に使用し、熱交換器４２０を薬液貯槽３９１内の薬液Ｑ中に設置して該薬液Ｑを間接的に加熱する加熱部３９３と、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを循環させて攪拌する攪拌ポンプ４２４が備えられている。これは、例えば、めっき液にあっては、これを高温（約８０℃程度）にして使用することがあり、これと対応するためであり、この方法によれば、インライン・ヒーティング方式に比べ、非常にデリケートなめっき液に不要物等が混入するのを防止することができる。

この薬液供給ユニット３９０には、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑの液面を検知する液面センサ４４２と、例えば吸光光度法、滴定法、電気化学的測定などで薬液Ｑの組成を分析し、薬液Ｑ中の不足する成分を補給する薬液管理ユニット４３０が備えられている。そして、これらの分析結果を信号処理し、薬液Ｑ中の不足する成分を、図示しない補給槽から定量ポンプなどを使って薬液貯槽３９１へ補給して、薬液Ｑの液量と組成を管理するようになっている。

なお、この例では、フィードバック制御により、薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを所定の容量範囲及び濃度範囲に調製するようにしている。薬液貯槽３９１内の薬液Ｑの消費状況や濃度変化を、基板の処理枚数、薬液の温度条件及び処理時間等を基に事前に予測し、その結果を基に、薬液を構成する成分を個別ないし混合状態で追加するフィードフォワード制御、更には両者を併用して薬液貯槽３９１内の薬液Ｑを所定の容量範囲及び濃度範囲に調製するようにしてもよい。

また、処理槽７１０に供給される薬液Ｑの温度を所定の範囲に調整することで、例えば、薬液Ｑの濃度を所定範囲に維持し、かつ供給時における薬液の処理槽７１０内での流れの状態を均一にすることと併せて、反応の基板面内における均一性をより高めることができる。薬液Ｑの温度は、室温以下の場合もあれば室温以上の場合もある。

薬液管理ユニット４３０は、薬液Ｑの溶存酸素を、例えば電気化学的方法等により測定する溶存酸素濃度計４３２を有しており、この溶存酸素濃度計４３２の指示により、例えば脱気、窒素吹き込みその他の方法で、薬液Ｑ中の溶存酸素濃度を一定に管理することができるようになっている。このように、薬液Ｑ中の溶存酸素濃度を一定に管理することで、例えば溶存酸素が基板Ｗの処理の反応に好ましくない影響を持つ場合等に対処することができる。

次に、この薬液処理ユニット４００の全体の動作を説明する。図３は、蓋部材７４０を旋回させて処理槽７１０の開口部７１１を開き、且つ基板ホルダ７８０を上昇させた状態を示している。即ち、蓋部材７４０は、処理槽７１０の側部に位置する待避位置に移動している。このとき、薬液供給ユニット３９０は駆動されており、薬液Ｑは、処理槽７１０と薬液貯槽３９１間を所定温度に維持されながら循環している。

この状態において、まず未処理の基板Ｗを、前記図４乃至図６に示す方法で吸着ヘッド７８９に吸着し保持する。次に、傾斜機構８１１によって、基板ホルダ７８０全体を揺動させて基板Ｗを水平位置から所定角度傾斜させ、その状態のまま、昇降機構８３１を駆動して基板ホルダ７８０を図９に示す位置まで下降させて薬液Ｑに浸漬させる。基板Ｗを浸漬させた後、傾斜機構８１１によって、基板ホルダ７８０全体を元の位置に揺動させて基板Ｗを水平位置にし、この状態で薬液処理を行う。このとき、基板回転モータ８０１を駆動することで、基板Ｗを回転させておく。

この薬液処理ユニット４００においては、基板Ｗを水平位置から所定角度傾斜させた状態で薬液Ｑ中にディップさせるので、基板Ｗの表面上に空気等の気体が混入することを防止できる。即ち、基板Ｗを水平な状態にて薬液Ｑに浸すと、空気等の気体が基板Ｗと薬液Ｑの間に滞在し、均一な薬液処理が達成されない。そこでこの薬液処理ユニット４００においては、基板Ｗを薬液Ｑに浸す際、基板Ｗを傾斜させることで空気等の気体の進入を防止して均一な薬液処理を達成するようにしている。

以上のようにして、基板Ｗの表面（被処理面）の薬液処理を所定時間行った後、昇降機構８３１を駆動して基板ホルダ７８０を、図３に示す位置まで上昇させる。次に、駆動機構７７０を駆動することで、蓋部材７４０を旋回させ、図１０示すように、処理槽７１０の開口部７１１を蓋部材７４０で塞ぐ。

次に、蓋部材７４０上の噴霧ノズル７６０の各ノズル７６３から真上に向けて洗浄液（純水）を噴霧し基板Ｗの処理面に接液させて洗浄する。このとき処理槽７１０の開口部７１１は、蓋部材７４０によって覆われているので、洗浄液が処理槽７１０内に入り込むことはなく、処理槽７１０内部の薬液Ｑが希釈されることはなく、薬液Ｑの循環使用が可能になる。基板Ｗを洗浄した後の洗浄液は、図示しない排水口から排水される。洗浄が終了した基板Ｗは、前述のように、基板ホルダ７８０から第３基板搬送ロボット３１０の真空ハンドによって外部に取り出され、次の未処理の基板Ｗが基板ホルダ７８０に装着され、再びめっき及び洗浄工程が行われていく。

図１２は、後洗浄ユニット２６０を示す外観図である。後洗浄ユニット２６０は、第１洗浄部（洗浄ユニット）２７０と第２洗浄乾燥部（乾燥ユニット）２９０とを併設した一つのユニットとして構成されている。第１洗浄部２７０及び第２洗浄乾燥部２９０には、それぞれ基板挿入窓２７１，２９１が設けられ、これら基板挿入窓２７１，２９１は、シャッター２７３，２９３によって開閉されるように構成されている。

第１洗浄部２７０は、ロールブラシユニットによる洗浄装置（洗浄ユニット）である。図１３は、ロールブラシによる洗浄装置の基本構成を示す概略図である。即ち、第１洗浄部２７０は、複数のローラ２７９によって基板Ｗの外周部を把持し、ローラ２７９を回転駆動することで基板Ｗを回転する。一方、基板Ｗの表裏面には、それぞれロール状ブラシ（例えばロールスポンジ）２７５，２７７が設置され、図示しない駆動機構によって、両ロール状ブラシ２７５，２７７を上下方向に離れる方向と近づく方向に移動させるようにしている。そしてローラ２７９によって把持した基板Ｗを回転させながら、基板Ｗの表裏面に設置した薬液用ノズル２８１，２８３や純水用ノズル２８５，２８７から、必要に応じてそれぞれ処理液を供給し、処理液供給中に前記駆動機構によって両ロール状ブラシ２７５，２７７を接近させて基板Ｗを挟持し、基板Ｗを適度な圧力にて挟み込みながら洗浄する。このとき両ロール状ブラシ２７５，２７７を独立に回転させることで、洗浄効果はより増大する。

図１４は、第２洗浄乾燥部２９０の側断面図である。図１４に示すように、第２洗浄乾燥部２９０は、スピンドライユニットによる洗浄乾燥装置（乾燥ユニット）であり、基板Ｗの外周部を把持するクランプ機構２９１と、クランプ機構２９１に固定されるスピンドル２９２と、スピンドル２９２を回転駆動するスピンドル駆動用モータ２９３と、クランプ機構２９１の外周に設置されて処理液が飛び散るのを防止する洗浄カップ２９４と、洗浄カップ２９４をクランプ機構２９１の周囲の位置とそれよりも下方の位置とに移動する洗浄カップ昇降用シリンダ２９５と、基板Ｗの上部に設置されるペンシル洗浄ユニット２９６とを具備している。ペンシル洗浄ユニット２９６は、アーム２９７の先端から下方に向けて洗浄スポンジ（洗浄ポイント）２９８を突出して構成されており、洗浄スポンジ２９８は回転駆動され、またアーム２９７及び洗浄スポンジ２９８は、昇降動作と基板Ｗ面に水平な面内での揺動動作ができるように構成されている。

そして、クランプ機構２９１に保持された基板Ｗは、スピンドル駆動用モータ２９３により回転され、基板Ｗの表裏面から薬液や純水を供給しながら、基板Ｗ上に回転する洗浄スポンジ２９８を当接させて洗浄を行う。薬液による化学洗浄及び純水による純水洗浄完了後、クランプ機構２９１を高速回転することで基板Ｗの完全乾燥を行う。なおこの第２洗浄乾燥部２９０には、超音波発振器により特殊ノズルを通過する純水に超音波が伝達されて洗浄効果を高めるメガジェットノズル２９９がアーム２９７の先端近傍に搭載されている。このメガジェットノズル２９９から噴射された純水は、洗浄スポンジ２９８に供給される。またこの第２洗浄乾燥部２９０には、キャビテーションを利用したキャビジェット機能を搭載することもできる。

次に、図２に示す基板処理装置１全体の動作を説明する。先ず、ロードポート１１０に装着された基板カセットから第１基板搬送ロボット１３０によって基板Ｗを取り出す。取り出された基板Ｗは、第１反転機１５０に渡されて反転されてその表面（被処理面）が下側にされた後、第１基板搬送ロボット１３０によって基板仮置台２１０の下段仮置台に載置される。

次に、この基板Ｗは、第２基板搬送ロボット２３０によって前洗浄ユニット２４０に搬送され、前洗浄ユニット２４０において前洗浄される（前洗浄処理プロセス）。前洗浄が完了した基板Ｗは、第３基板搬送ロボット３１０によって、前処理ユニット３２０に移送される。ここで前洗浄ユニット２４０は、洗浄エリア２００とめっき処理エリア３００とにそれぞれ配置した基板搬送ロボット２３０，３１０のハンドがその左右からアクセスして基板Ｗの受け渡しができる位置に配置されている。そして前処理ユニット３２０に移送された基板Ｗは、前処理ユニット３２０において前処理が行われる（前処理プロセス）。
前処理が完了した基板Ｗは、第３基板搬送ロボット３１０によってめっきユニット３６０に移送され、めっき処理される。

めっき処理が完了した基板Ｗは、第３基板搬送ロボット３１０によって第２反転機２５０に移送されて反転された後、第２基板搬送ロボット２３０によって後洗浄ユニット２６０の第１洗浄部２７０に移送され、洗浄された後、第２基板搬送ロボット２３０によって第２洗浄乾燥部２９０に移送されて洗浄・乾燥される。そしてこの洗浄・乾燥が完了した基板Ｗは、第２基板搬送ロボット２３０によって基板仮置台２１０の上段仮置台に仮置きされた後、第１基板搬送ロボット１３０によってロードポート１１０に装着された基板カセットに収納される。

なお、上記の例では、前洗浄ユニット２４０、前処理ユニット（触媒付与処理ユニット）３２０、及びめっきユニット３６０として、使用する薬液がそれぞれ異なるだけで、同じ構成の薬液処理ユニット４００を使用した例を示しているが、前洗浄ユニット２４０、前処理ユニット（触媒付与処理ユニット）３２０、及びめっきユニット３６０の内の１つのユニットのみに薬液処理ユニット４００を使用するようにしてもよい。

図１５は、乾燥ユニットとしての機能を備え、前述の後洗浄ユニット２６０として使用される洗浄ユニット５００の要部概要を示す。図１５に示すように、洗浄ユニット５００は、チャンバ５１０を備えており、チャンバ５１０の内部に、例えば３個以上の複数のローラ５２０からなり、基板Ｗを着脱自在に保持して回転させる基板保持部５１１が収納され、更に基板Ｗの表面（上面）側に洗浄液等の流体を供給する上流体供給ノズル５１２と、基板Ｗの裏面（下面）側に洗浄液等の流体を供給する下流体供給ノズル５１５が基板の直径方向に移動自在に配置されている。この上流体供給ノズル５１２の下面には、長手方向に沿った所定のピッチで流体供給口５１２ａと流体吸引口５１２ｂが交互に設けられ、下流体供給ノズル５１５の上面には、長手方向に沿った所定のピッチで流体供給口５１５ａと流体吸引口５１５ｂが交互に設けられている。

基板保持部５１１の側上方に位置して、図１５に示す待避位置と基板Ｗの上面中央部との間を移動自在で、基板の上面にＮ_２ガス等の不活性の気体または湿度１０％以下の乾燥空気等の乾燥用気体を供給する上気体供給ノズル５１３が、基板保持部５１１の側下方に位置して、図１５に示す待避位置と基板Ｗの下面中央部との間を移動自在で、基板の下面にＮ_２ガス等の不活性の気体または湿度１０％以下の乾燥空気等の乾燥用気体を供給する下気体供給ノズル５１４が配置されている。

なお、流体供給ノズル５１２，５１５から、基板Ｗの上下両面に供給される流体としては、洗浄液、エッチング液、エッチングガス等が挙げられる。具体的には、フッ化水素等の腐食性ガス、フッ酸等の酸、過酸化水素、硝酸、オゾン等の酸化剤、アンモニア等のアルカリ、キレート剤または界面活性剤、またはこれらの内のいくつかの混合液が挙げられる。

この洗浄ユニット５００による基板Ｗの洗浄例を説明する。先ず、基板保持部５１１で基板Ｗを保持した後、流体供給ノズル５１２，５１５を基板Ｗに向けて前進させ、更に基板Ｗに向けて上昇または下降させて、基板Ｗの上面及び下面にそれぞれ近接させる。この状態で、基板Ｗを、例えば、５００ｍｉｎ^−１、好ましくは１００ｍｉｎ^−１前後の回転速度で回転させながら、流体供給ノズル５１２，５１５の各流体供給口５１２ａ，５１５ａから基板Ｗの上下両面に洗浄液等の流体を供給し、同時に、流体供給ノズル５１２，５１５の各流体吸引口５１２ｂ，５１５ｂから基板Ｗに付着した流体を吸引して基板Ｗの上下両面から除去する。これによって、基板Ｗの上面（表面）、端面及び下面（裏面）を同時に洗浄する。この時、流体供給ノズル５１２，５１５を基板の直径方向に沿って往復動させることが好ましい。

そして、洗浄終了後に、各流体供給口５１２ａ，５１５ａから基板Ｗへの流体の供給、及び各流体吸引口５１２ｂ，５１５ｂからの流体の吸引を停止し、しかる後、流体供給ノズル５１２，５１５を基板Ｗから離れる方向に上昇または下降させ、更に後退させて退避位置に退避させる。次に、気体供給ノズル５１３，５１４を基板Ｗの上下両面の中央部まで移動させ、この気体供給ノズル５１３，５１４から乾燥気体を基板Ｗの上下両面に供給して、基板Ｗを乾燥させる。しかる後、気体供給ノズル５１３，５１４から基板Ｗへの乾燥気体の供給を停止し、気体供給ノズル５１３，５１４を待避位置に待避させて、一連の作業を終了する。

この例によれば、基板中央部に洗浄液等の流体を供給してスピン洗浄するという方式に比べ、流体の使用量を大幅に削減することができる。また、流体を基板Ｗに供給し、その流体を吸引することで、流体の飛散が防止できる。更に、吸引によって基板Ｗに残留する流体の量およびその厚みは、基板表面全体に亘って常に一定に保たれ、処理の安定性及び均一性が向上する。

ここで、前述のように、めっきユニットで基板Ｗの表面に保護膜を選択的に形成すると、基板Ｗの周縁部に金属イオンや薄膜等の不要な金属が付着することがある。このため、この基板の周縁部に付着した金属イオンや薄膜等を除去する必要がある。

図１６は、例えば、図２における後洗浄ユニット２６０の前段に設置されて、基板Ｗの周縁部に付着した金属イオンや薄膜等の不要な金属をエッチング除去するのに使用される基板処理ユニット９００の概要を示す。この基板処理ユニット９００は、エッジ（ベベル）エッチングと裏面洗浄が同時に行え、基板Ｗのエッジ部及び裏面に付着した不要な金属を取り除くことが可能である。図１６に示すように、基板処理ユニット９００は、有底円筒状の防水カバー９２０の内部に位置して基板Ｗをフェイスアップでその周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック９２１により水平に保持して高速回転させる基板保持部９２２と、基板保持部９２２で保持された基板Ｗの表面側のほぼ中央部上方に配置されたセンタノズル９２４と、基板Ｗの周縁部の上方に配置されたエッジノズル９２６とを備えている。センタノズル９２４及びエッジノズル９２６は下向きで配置されている。基板Ｗの裏面側のほぼ中央部の下方に位置して、バックノズル９２８が上向きで配置されている。エッジノズル９２６は、基板Ｗの直径方向、高さ及び角度方向を移動自在に構成されている。

このエッジノズル９２６の移動幅Ｌは、基板の外周端面から中心部方向に任意の位置決めが可能になっていて、基板Ｗの大きさや使用目的等に合わせて、設定値の入力を行う。通常、エッジカット幅Ｃは２ｍｍから５ｍｍの範囲で設定される。この場合、裏面から表面への液の回り込み量が問題にならない回転速度以上であれば、その設定されたエッジカット幅Ｃ内の不要な金属が除去される。

次に、この基板処理ユニット９００による基板処理（洗浄）方法について説明する。まず、スピンチャック９２１を介して基板Ｗを基板保持部９２２で水平に保持した状態で、基板Ｗを基板保持部９２２と一体に水平回転させる。この状態で、センタノズル９２４から基板Ｗの表面側の中央部に酸溶液を供給する。一方、エッジノズル９２６から基板Ｗの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給する。

これにより、基板Ｗの周縁部のエッジカット幅Ｃの領域では、上面及び端面に付着した不要な金属が酸化剤溶液で酸化され、同時にセンタノズル９２４から供給されて基板の表面全面に拡がる酸溶液によってエッチングされ溶解除去される。基板の表面の回路形成部に配線材料の自然酸化膜が形成されていた場合、この自然酸化物は、基板の回転に伴って基板の表面全面に亘って広がる酸溶液で直ちに除去される。なお、エッジノズル９２６のみを使用して、基板Ｗの周縁部にエッチング液を供給するようにしてもよい。

一方、バックノズル９２８から基板の裏面中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤とを同時または交互に供給する。これにより、基板Ｗの裏面側に金属状に付着している不要な金属を基板のシリコンごと酸化剤溶液で酸化し、シリコン酸化膜エッチング剤でエッチングして基板から除去することができる。

このように、エッチング液を基板に供給して、基板Ｗの表面に残留する不要な金属を除去する。しかる後、純水を供給して、純水置換を行ってエッチング液を除去し、その後、基板のスピン乾燥を行う。このようにして、基板周縁部のエッジカット幅Ｃ内の不要な金属の除去と裏面の汚染除去を同時に行って、この処理を、例えば８０秒以内に完了させることができる。エッジのエッジカット幅を任意（２ｍｍ〜５ｍｍ）に設定することが可能であるが、エッチングに要する時間はカット幅に依存しない。

図１７及び図１８は、この種の不要な金属をエッチング除去するのに使用される基板処理ユニットの他の例を示す。図１７及び図１８に示すように、この基板処理ユニット６００は、基板Ｗが収容されるチャンバ６０１を有し、このチャンバ６０１は、円筒形のチャンバ本体６０１ａと、チャンバ本体６０１ａの上端を覆うチャンバカバー６０２を含んで構成されている。円筒形のチャンバ本体６０１ａは、鉛直方向に立設され、下側が底部６０１ｂで塞がれている。チャンバカバー６０２は、チャンバ本体６０１ａの上端開口部を覆っている。チャンバ本体６０１ａの上端部とチャンバカバー６０２の外周部とは密着して、チャンバ６０１の内部を外気からシールできるように構成されている。

底部６０１ｂは、水平に対して僅かに傾斜しており、その傾斜の最低部の該底部６０１ｂとチャンバ本体６０１ａとの接続部において、チャンバ本体６０１ａには、排気と排液とを兼ねた排気／排液管６０３が接続されている。

チャンバカバー６０２の中心部には、開口６０２ａが形成されており、その開口６０２ａを鉛直方向に貫通して上部シャフト６０６が設けられている。上部シャフト６０６は、その上端に円板状の鍔部６０６ａを有している。チャンバカバー６０２の開口６０２ａと鍔部６０６ａとは、ベローズ状（蛇腹状）のフレキシブルジョイント６０７でシール接続されている。また、上部シャフト６０６の中心には導管６０９が貫通して形成されている。この導管６０９は、窒素ガス（Ｎ_２）、またはアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを基板表面に供給するためのものである。

チャンバカバー６０２と上部シャフト６０６とは、連結部材（図示せず）で連結されている。該連結部材は、上部シャフト６０６をチャンバカバー６０２に対して駆動する駆動装置（図示せず）を備えており、この駆動装置により、チャンバカバー６０２と上部シャフト６０６との相対的位置が調節できるようになっている。前述したフレキシブルジョイント６０７は、チャンバカバー６０２と上部シャフト６０６の相対的位置の変化に対応して伸縮し、チャンバ６０１の内部と外部との遮断が維持されるようになっている。

上部シャフト６０６の下端には、円形の平板である上部ディスク６１０が、水平に形成または取り付けられている。上部ディスク６１０の下面が、処理対象の基板Ｗの表面と平行に対向するように構成されている。上部ディスク６１０の下面と基板Ｗの表面との隙間はできる限り狭くするのが好ましく、例えば、０．５〜２０ｍｍの範囲で適宜調節する。この隙間は、好ましくは０．８〜１０ｍｍ程度、さらに好ましくは１〜４ｍｍ程度とし、導管６０９を介して供給される不活性ガスが基板Ｗの表面上を均一に流れるようにする。この隙間調整をすることにより、比較的少量の不活性ガスで基板Ｗを保護するという目的を達することができる。この隙間調整は、上部シャフト６０６とチャンバカバー６０２との相対的位置を調整することによって行うことができる。

チャンバ６０１の内部には、基板Ｗを保持しつつ回転させる真空チャック６１１（回転保持部）が設置されている。この真空チャック６１１の内部には、真空源（図示せず）に連通する通孔６１１ａが形成されており、この通孔６１１ａの端部は、真空チャック６１１の上部に設けられた開口部６１１ｂに連通している。基板Ｗは、真空チャック６１１の上面に載置され、真空源によって真空チャック６１１に吸着保持される。さらに、真空チャック６１１には、真空チャック６１１を回転させる駆動源（図示せず）が連結されており、真空チャック６１１により吸着保持された基板Ｗは、駆動源によって回転されるようになっている。ここで、基板Ｗの回転速度は低速であることを必要とし、具体的には５００ｍｉｎ^−１以下、好ましくは５〜２００ｍｉｎ^−１である。

次に、図１８を参照して、基板処理ユニット６００のエッチング部を説明する。エッチング部は、基板Ｗに薬液を供給する薬液供給部６１５と、基板Ｗから薬液を除去する薬液除去部６２０とから構成される。薬液供給部６１５は、基板Ｗの周縁部に薬液を供給する供給ノズル６１６と、この供給ノズル６１６に接続された薬液導入管６１７と、薬液導入管６１７に接続された薬液貯留タンク６１８とを備えている。供給ノズル６１６は、基板Ｗの周縁部に近接した位置に開口しており、薬液貯留タンク６１８内の薬液は、薬液導入管６１７を介して供給ノズル６１６から基板Ｗの周縁部に供給される。

ここで、薬液供給部６１５から供給される薬液は、鉱酸または有機酸のうち少なくとも１つを含み、さらに酸化剤のうち少なくとも１つを含む混合液である。鉱酸には、フッ酸（ＨＦ）、塩酸（ＨＣｌ）、硝酸（ＨＮＯ_３）、または硫酸（Ｈ_２ＳＯ_４）などが使用され、有機酸は、酢酸、ギ酸、またはシュウ酸などが使用される。酸化剤には、過酸化水素（Ｈ_２Ｏ_２）水、またはオゾン（Ｏ_３）水などが使用される。

この例では、供給ノズル６１６から供給される薬液の流量及び流速は小さく設定されている。具体的には、薬液の流量は、１００ｍｌ／ｍｉｎ以下であることが好ましく、より好ましくは２０ｍｌ／ｍｉｎ、更に好ましくは５ｍｌ／ｍｉｎ以下である。また、供給ノズル６１６の開口端と基板Ｗの表面との距離は、好ましくは５ｍｍ以下、より好ましくは１ｍｍ以下である。

このように、低速で回転する基板Ｗ上に、基板Ｗに近接した位置から少量の薬液が供給されるため、基板に供給された薬液は基板に対して静止する。ここで、「薬液が基板に対して静止する」とは、固定位置にある薬液供給部６１５から回転する基板に供給された薬液は、基板と接触した地点にとどまり、基板から見ると相対的に静止している状態のことをいう。つまり、基板に供給された薬液が、基板の回転中に、基板の回転方向に移動せず、更に遠心力によって基板外へ飛び出すことのない状態のことである。従って、この例によれば、薬液は基板から流出せずに基板上に止まるので、薬液が基板と接触する時間が長くなり、薬液使用量を低減させることができる。

薬液供給部６１５により基板Ｗに供給された薬液は、薬液除去部６２０によって基板Ｗ上から除去される。この薬液除去部６２０は、吸引ノズル６２１と、この吸引ノズル６２１に薬液導出管６２２を介して接続された吸引源６２３とを備えている。この吸引ノズル６２１の吸引口の基板半径方向における位置は、供給ノズル６１６の開口端の位置と同様である。従って、薬液供給部６１５によって基板Ｗに供給された薬液は、基板Ｗの回転によって吸引ノズル６２１の吸引口まで移動し、吸引ノズル６２１から吸引除去される。

吸引ノズル６２１と基板Ｗとは互いに非接触であるが、薬液の吸引効率を高めるために、吸引ノズル６２１の吸引口は基板Ｗにできる限り近接させた方が好ましい。吸引源６２３としては、真空ポンプ、またはエジェクター等が使用される。

次に、この基板処理ユニット６００の動作について説明する。
先ず、処理すべき基板Ｗを、真空チャック６１１で保持しつつ回転させる。次に、回転する基板Ｗの周縁部に、薬液供給部６１５の供給ノズル６１６から、例えば、エッチング液としてフッ酸と過酸化水素の混合液を供給する。このとき、同時に、導管６０９からは基板Ｗの表面に向けて不活性ガス、典型的には窒素ガスを供給する。

導管６０９から供給された不活性ガスは、基板Ｗの中心から周縁部の方向に流れるため、この不活性ガスの流れによって薬液雰囲気とミストが基板Ｗの中央部に浸入してしまうことが防止される。従って、薬液雰囲気とミストにより基板表面が変質してしまうことが防止でき、さらには、大気中の酸素とミストとの反応による酸化を防止することができる。なお、不活性ガスの供給量は、薬液雰囲気が基板の中央部に流入することなく、かつ、基板の周縁部に供給された薬液を基板外に飛ばすことがない程度の量に設定されている。

薬液は、回転する基板Ｗに対して静止するように基板Ｗ上に供給される。そして、基板Ｗ上の薬液は、基板Ｗの回転により薬液除去部６２０の吸引ノズル６２１まで移動し、吸引ノズル６２１により吸引除去される。つまり、薬液は、薬液供給部６１５から供給されてから薬液除去部６２０により除去されるまで基板Ｗ上に存在し、この間にエッチング処理が行われる。薬液除去部６２０により吸引された薬液は、図示しない気液分離部及び再生部を経て薬液供給部６１５に供給され、再度、薬液供給部６１５から基板Ｗに供給される。エッチング処理が終わると、図示しない洗浄液供給部から超純水が基板Ｗに供給され、エッチング処理に使用された薬液の洗浄（リンス）が行われる。

この例によれば、処理液を飛散させることなく基板上に供給することができるので、チャンバ内の清浄雰囲気を維持することができるとともに、処理液の基板との反応効率を向上させて処理液の使用量を減少させることができる。

搬送対基板の要部拡大断面図である。 本発明の実施の形態の基板処理装置の全体を示す平面図である。 （ａ）は、薬液処理ユニットの蓋部材を旋回させて処理槽の開口部を開き、且つ基板ホルダを上昇させた状態の側面図で、（ｂ）は、（ａ）の側断面図である。 （ａ）は、基板ホルダの基板受渡し位置における側断面図で、（ｂ）は、（ａ）のＧ部拡大図である。 （ａ）は、基板ホルダの基板固定位置における側断面図で、（ｂ）は、（ａ）のＧ部拡大図である。 （ａ）は、基板ホルダの基板処理位置における側断面図で、（ｂ）は、（ａ）のＧ部拡大図である。 基板ホルダ駆動機構の内部構造の概略側面図である。 （ａ）は、傾斜機構を基板ホルダと共に示す概略側面図で、（ｂ）は、（ａ）の基板ホルダを省略した右側面図である。 （ａ）は、薬液処理ユニットの薬液処理時における側面図で、（ｂ）は、（ａ）の側断面図である。 （ａ）は、薬液処理ユニットの基板Ｗの処理面の洗浄時における側面図で、（ｂ）は、（ａ）の側断面図である。 後洗浄ユニットの外観図である。 第１洗浄部の洗浄装置の概要図である。 第２洗浄乾燥部の側断面図である。 第２洗浄乾燥部の側断面図である。 後洗浄ユニットとして使用される洗浄ユニットの要部概要を示す図である。 基板処理ユニットの一例を示す概要図である。 基板処理ユニットの他の例の要部を示す概要図である。 図１７におけるエッチング部を示す斜視図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
１００ ロード・アンロードエリア
１５０，２５０ 反転機
２００ 洗浄エリア
２１０ 基板仮置台
２４０ 前洗浄ユニット（薬液処理ユニット）
２６０ 後洗浄ユニット
２７０ 第１洗浄部（洗浄ユニット）
２７５，２７７ ロール状ブラシ
２７９ ローラ
２９０ 第２洗浄乾燥部（乾燥ユニット）
２９１ クランプ機構
２９２ スピンドル
２９４ 洗浄カップ
２９６ ペンシル洗浄ユニット
２９８ 洗浄スポンジ
２９９ メガジェットノズル
３００ めっき処理エリア
３２０ 前処理ユニット（薬液処理ユニット）
３６０ めっきユニット（薬液処理ユニット）
３９０ 薬液供給ユニット
３９１ 薬液貯槽
４００ 薬液処理ユニット
４０４ 薬液供給ポンプ
４１６ ヒータ
４１８ 流量計
４２０ 熱交換器
４３０ 薬液管理ユニット
４３２ 溶存酸素濃度計
４４２ 液面センサ
５００ 洗浄ユニット
５１０ チャンバ
５１１ 基板保持部
５１２，５１５ 流体供給ノズル
５１２ａ，５１５ａ 流体供給口
５１２ｂ，５１５ｂ 流体吸引口
５１３，５１４ 気体供給ノズル
６００ 基板処理ユニット
６０１ チャンバ
６０６ 上部シャフト
６０７ フレキシブルジョイント
６０９ 導管
６１０ 上部ディスク
６１１ 真空チャック
６１５ 薬液供給部
６１６ 供給ノズル
６２０ 薬液除去部
６２１ 吸引ノズル
７１０ 処理槽
７１１ 開口部
７１３ 処理槽本体
７４０ 蓋部材
７８０ 基板ホルダ
７８１ 基板保持部
７８７ 基板挿入口
７８９ 吸着ヘッド
７９３ 真空供給ライン
７９５ 基板吸着部
７９７ 基板吸着溝
８００ 基板保持部駆動部
８１０ 基板ホルダ駆動機構
８１１ 傾斜機構
８２１ 旋回機構
８３１ 昇降機構
９００ 基板処理ユニット
９２０ 防水カバー
９２１ スピンチャック
９２２ 基板保持部
Ｑ 薬液

Claims (26)

1. 基板を薬液で処理する湿式処理に際して、
   表面を下向きにして基板を裏面側で保持し、
   この裏面側を保持した基板を処理槽内に貯留した薬液中に浸漬させて基板の薬液処理を行い、
   この薬液処理後の基板の表面、端面及び裏面を洗浄することを特徴とする基板の湿式処理方法。
2. 乾燥状態にある基板に対して前記薬液による湿式処理を行うことを特徴とする請求項１記載の基板の湿式処理方法。
3. 前記洗浄後の基板を乾燥状態にすることを特徴とする請求項１または２記載の基板の湿式処理方法。
4. 表面を下向きにして基板を裏面側で保持するに先だって、表面を上向きにして搬送されてきた基板を反転機で反転させて表面を下向きにすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
5. 前記基板の裏面側での保持を真空吸着により行うことを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
6. 前記処理槽内に、５リットル以上の薬液を貯留することを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
7. 所定の濃度範囲に調製した薬液を薬液貯槽内に準備し、
   少なくとも基板の薬液処理時に、前記薬液貯槽内の薬液を前記処理槽に連続的に供給することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
8. 前記薬液貯槽内の薬液を、フィードフォワード制御及び／またはフィードバック制御により、所定の容量範囲及び濃度範囲に調製することを特徴とする請求項７記載の基板の湿式処理方法。
9. 所定の濃度範囲に調製した薬液を薬液貯槽内に準備するに際して、該薬液貯槽内の薬液の温度を所定の範囲に調整することを特徴とする請求項７または８記載の基板の湿式処理方法。
10. 前記処理槽内の薬液に浸漬させた基板の表面と、前記処理槽内に設置した前記薬液貯槽から供給される薬液の供給口との距離を、５０ｍｍ以上とすることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
11. 前記処理槽内の薬液に浸漬させた基板を回転させることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
12. 薬液処理後の基板の表面、端面及び裏面を洗浄するに際して、
    基板の表面、端面及び裏面より薬液を除去し、
    基板の表面、端面及び裏面に洗浄液を供給して洗浄することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の基板の湿式処理方法。
13. 表面を下向きにして基板を裏面側で保持する基板ホルダと該基板ホルダで保持した基板を浸漬させる薬液を内部に保持する処理槽を備えた薬液処理ユニットと、
    基板の表面、端面及び裏面を洗浄する洗浄ユニットを有することを特徴とする基板の湿式処理装置。
14. 前記基板ホルダは、真空吸着により基板を保持することを特徴とする請求項１３記載の基板の湿式処理装置。
15. 前記基板ホルダは、回転自在に構成されていることを特徴とする請求項１３または１４記載の基板の湿式処理装置。
16. 前記処理槽は、５リットル以上の薬液を貯留する容積を有することを特徴とする請求項１３乃至１５のいずれかに記載の基板の湿式処理装置。
17. 前記洗浄ユニットは、回転する基板に近接した位置に互いに離間させて配置される流体供給口と流体吸引口を有し、前記流体供給口から処理流体を前記基板に向けて供給するとともに、前記基板に付着した前記処理流体を前記流体吸引口から吸引するように構成されていることを特徴とする請求項１３乃至１６のいずれかに記載の基板の湿式処理装置。
18. 前記洗浄ユニットで洗浄した基板を乾燥させる乾燥ユニットを更に有することを特徴とする請求項１３乃至１７のいずれかに記載の基板の湿式処理装置。
19. 前記乾燥ユニットは、基板表面に洗浄スポンジを接触させる機構を有することを特徴とする請求項１８記載の基板の湿式処理装置。
20. 表面を上向きにして搬送されてきた基板を反転させて表面を下向きにする反転機を更に有することを特徴とする請求項１３乃至１９のいずれかに記載の基板の湿式処理装置。
21. 所定の濃度範囲に調製した薬液を準備し、少なくとも基板の薬液処理中に前記薬液を前記処理槽に連続的に供給する薬液貯槽を更に有することを特徴とする請求項１３乃至２０のいずれかに記載の基板の湿式処理装置。
22. 前記薬液貯槽は、内部に保持した薬液の温度を所定の範囲に調整する温度調整部を有することを特徴とする請求項２１記載の基板の湿式処理装置。
23. 前記処理槽は、この内部の薬液に浸漬させた基板の表面と、前記処理槽内に設置した前記薬液貯槽から供給される薬液の供給口との距離が５０ｍｍ以上となるように構成されていることを特徴とする請求項２１または２２記載の基板の湿式処理装置。
24. 基板の周縁部に付着した金属イオンや薄膜を、薬液を用いて除去する基板処理ユニットを更に有することを特徴とする請求項１３乃至２３のいずれかに記載の基板の湿式処理装置。
25. 基板を略水平に保持しつつ回転させる回転保持部と、回転する基板の周縁部に、処理液が基板に対して静止するように該処理液を供給する処理液供給部を備えた基板処理ユニットを更に有することを特徴とする請求項１３乃至２３のいずれかに記載の基板の湿式処理装置。
26. 前記処理液供給部により供給された処理液を該処理液の供給中及び／または供給後に基板上から除去する処理液除去部を設けたことを特徴とする請求項２５記載の基板の湿式処理装置。

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