JP2003197591A - 基板処理装置及び方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 597
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 163
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 64
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 9
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 254
- 238000011282 treatment Methods 0.000 claims description 68
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 63
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 abstract description 107
- 239000000243 solution Substances 0.000 abstract description 77
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 abstract description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 53
- 238000011109 contamination Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 187
- 239000010408 film Substances 0.000 description 161
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 145
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 142
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 141
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 84
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 49
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 46
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 31
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 29
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 26
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 25
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 23
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 20
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 20
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 18
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 11
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 11
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 10
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 10
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 9
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 8
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 7
- 210000000078 claw Anatomy 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 7
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 7
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 7
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 7
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 5
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 5
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 5
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 5
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 101150003085 Pdcl gene Proteins 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 3
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 Ni-WP Inorganic materials 0.000 description 2
- 102220491117 Putative postmeiotic segregation increased 2-like protein 1_C23F_mutation Human genes 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005856 abnormality Effects 0.000 description 2
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 2
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 2
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000003566 sealing material Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N boranylidynenickel Chemical compound [Ni]#B QDWJUBJKEHXSMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005660 hydrophilic surface Effects 0.000 description 1
- 230000005661 hydrophobic surface Effects 0.000 description 1
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N nitric acid;hydrate Chemical compound O.O[N+]([O-])=O FGHSTPNOXKDLKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000010979 pH adjustment Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002203 pretreatment Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
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- H—ELECTRICITY
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
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- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
- H01L21/76849—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned on top of the main fill metal
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- H01L21/76871—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers
- H01L21/76873—Layers specifically deposited to enhance or enable the nucleation of further layers, i.e. seed layers for electroplating
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B2203/00—Details of cleaning machines or methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B2203/02—Details of machines or methods for cleaning by the force of jets or sprays
- B08B2203/0288—Ultra or megasonic jets
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Weting (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 無電解めっきの前処理や、それに続くリンス
処理（洗浄処理）等を、基板処理面の再汚染を防止しつ
つ、効率よく行うことができるようにする。 【解決手段】 基板Ｗを該基板Ｗの処理面を下にして着
脱自在に保持する基板ホルダ１２と、基板ホルダ１２で
保持した基板Ｗの処理面の外周部をシールするシールリ
ング１８と、基板ホルダ１２の下方に配置され該基板ホ
ルダ１２で保持した基板Ｗの処理面に向けて処理液を噴
射する複数の噴射ノズル４０と、基板ホルダ１２と噴射
ノズル４０とを相対的に回転及び／または上下動させる
駆動機構２０，２４とを有する。
処理（洗浄処理）等を、基板処理面の再汚染を防止しつ
つ、効率よく行うことができるようにする。 【解決手段】 基板Ｗを該基板Ｗの処理面を下にして着
脱自在に保持する基板ホルダ１２と、基板ホルダ１２で
保持した基板Ｗの処理面の外周部をシールするシールリ
ング１８と、基板ホルダ１２の下方に配置され該基板ホ
ルダ１２で保持した基板Ｗの処理面に向けて処理液を噴
射する複数の噴射ノズル４０と、基板ホルダ１２と噴射
ノズル４０とを相対的に回転及び／または上下動させる
駆動機構２０，２４とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウエ
ハ等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部に、無電
解めっきによって銅や銀等の導電体を埋込んで埋込み配
線を形成したり、このようにして形成した配線の表面を
保護する保護膜を無電解めっきで形成するのに際し、こ
の無電解めっきの前処理を行うのに使用したり、ＣＭＰ
（化学機械的研磨）を施した基板の表面を薬液で洗浄し
たりするのに使用される基板処理装置及び方法に関す
る。
ハ等の基板の表面に設けた配線用の微細な凹部に、無電
解めっきによって銅や銀等の導電体を埋込んで埋込み配
線を形成したり、このようにして形成した配線の表面を
保護する保護膜を無電解めっきで形成するのに際し、こ
の無電解めっきの前処理を行うのに使用したり、ＣＭＰ
（化学機械的研磨）を施した基板の表面を薬液で洗浄し
たりするのに使用される基板処理装置及び方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体チップの高速化、高集積化
に伴い、半導体基板上に配線回路を形成するための金属
材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代
えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐
性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。
この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部
に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配
線を形成する方法としては、めっきが一般的であり、電
解銅めっきで銅配線を形成する際には、例えばＴａＮ等
からなるバリア層の表面に、電解めっきの給電層として
のシード層を形成し、このシード層の表面に銅膜を成膜
した後、その表面を化学機械的研磨（ＣＭＰ）により平
坦に研磨するようにしている。
に伴い、半導体基板上に配線回路を形成するための金属
材料として、アルミニウムまたはアルミニウム合金に代
えて、電気抵抗率が低くエレクトロマイグレーション耐
性が高い銅（Ｃｕ）を用いる動きが顕著になっている。
この種の銅配線は、基板の表面に設けた微細凹みの内部
に銅を埋込むことによって一般に形成される。この銅配
線を形成する方法としては、めっきが一般的であり、電
解銅めっきで銅配線を形成する際には、例えばＴａＮ等
からなるバリア層の表面に、電解めっきの給電層として
のシード層を形成し、このシード層の表面に銅膜を成膜
した後、その表面を化学機械的研磨（ＣＭＰ）により平
坦に研磨するようにしている。
【０００３】この種の配線にあっては、平坦化後、その
配線の表面が外部に露出しており、この上に埋め込み配
線を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセ
スにおけるＳｉＯ２形成時の表面酸化やコンタクトホー
ルを形成するためのＳｉＯ２エッチング等に際して、コ
ンタクトホールの底に露出した配線のエッチャントやレ
ジスト剥離等による表面汚染、更には銅配線にあっては
銅の拡散が懸念されている。
配線の表面が外部に露出しており、この上に埋め込み配
線を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセ
スにおけるＳｉＯ２形成時の表面酸化やコンタクトホー
ルを形成するためのＳｉＯ２エッチング等に際して、コ
ンタクトホールの底に露出した配線のエッチャントやレ
ジスト剥離等による表面汚染、更には銅配線にあっては
銅の拡散が懸念されている。
【０００４】このため、銀や銅等の配線材料との接合が
強く、しかも比抵抗（ρ）が低い、例えばＮｉ−Ｂ合金
膜等からなる保護膜（めっき膜）で配線の表面を選択的
に覆って保護することが考えられる。ここで、Ｎｉ−Ｂ
合金膜は、例えばニッケルイオン、ニッケルイオンの錯
化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキルアミン
ボランまたは硼素化水素化合物等を有する無電解めっき
液を使用した無電解めっきを施すことによって、銅膜等
の表面に選択的に形成することができる。
強く、しかも比抵抗（ρ）が低い、例えばＮｉ−Ｂ合金
膜等からなる保護膜（めっき膜）で配線の表面を選択的
に覆って保護することが考えられる。ここで、Ｎｉ−Ｂ
合金膜は、例えばニッケルイオン、ニッケルイオンの錯
化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキルアミン
ボランまたは硼素化水素化合物等を有する無電解めっき
液を使用した無電解めっきを施すことによって、銅膜等
の表面に選択的に形成することができる。
【０００５】ここで、例えば無電解銅めっきで基板の表
面にシード層を形成したり、銅膜等の表面に保護膜（蓋
めっき）を形成したりする際には、その前処理として、
Ｐｄとの置換を行うためＳｎＣｌ２液等によるＳｎ吸着
化処理、及び無電解めっきの際の触媒となるＰｄを基板
上に析出させるためＰｄＣｌ２液等による置換処理を行
う必要があり、これらの各処理には、それぞれ純水によ
るリンス処理（洗浄処理）を伴う。また、これらの２段
処理を１液のＰｄ／Ｓｎコロイドのキャタリストで行わ
れる場合もある。この場合も純水によるリンス処理が伴
う。
面にシード層を形成したり、銅膜等の表面に保護膜（蓋
めっき）を形成したりする際には、その前処理として、
Ｐｄとの置換を行うためＳｎＣｌ２液等によるＳｎ吸着
化処理、及び無電解めっきの際の触媒となるＰｄを基板
上に析出させるためＰｄＣｌ２液等による置換処理を行
う必要があり、これらの各処理には、それぞれ純水によ
るリンス処理（洗浄処理）を伴う。また、これらの２段
処理を１液のＰｄ／Ｓｎコロイドのキャタリストで行わ
れる場合もある。この場合も純水によるリンス処理が伴
う。
【０００６】従来、これらの無電解めっきの前処理（Ｓ
ｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理）や、前処理後のリン
ス処理（洗浄処理）は、基板を上下動自在な基板ホルダ
で横向きに保持し、この基板ホルダで保持した基板を、
処理槽内の処理液中に浸漬（いわゆるどぶ付け）させた
り、基板をその処理面を上向き（フェースアップ）に基
板ホルダで保持し、この基板ホルダで保持した基板の上
面（処理面）に処理液を供給したりすることで一般に行
われていた。
ｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理）や、前処理後のリン
ス処理（洗浄処理）は、基板を上下動自在な基板ホルダ
で横向きに保持し、この基板ホルダで保持した基板を、
処理槽内の処理液中に浸漬（いわゆるどぶ付け）させた
り、基板をその処理面を上向き（フェースアップ）に基
板ホルダで保持し、この基板ホルダで保持した基板の上
面（処理面）に処理液を供給したりすることで一般に行
われていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板を
処理液中に浸漬させて無電解めっきの前処理等を行う
と、この浸漬法は拡散効果を利用したものであり、基板
の処理面への新液の供給が積極的に行われず、このた
め、処理面に付着した汚染物や溶解したイオンの処理面
からの離脱が遅く、処理時間がかなり長くかかってしま
うばかりでなく、再汚染のおそれがあった。
処理液中に浸漬させて無電解めっきの前処理等を行う
と、この浸漬法は拡散効果を利用したものであり、基板
の処理面への新液の供給が積極的に行われず、このた
め、処理面に付着した汚染物や溶解したイオンの処理面
からの離脱が遅く、処理時間がかなり長くかかってしま
うばかりでなく、再汚染のおそれがあった。
【０００８】一方、基板をフェースアップで保持して無
電解めっきの前処理等を行うと、基板裏面の汚染を防止
するためには、基板の処理面の外周部をシール材でシー
ルする必要があり、このように、シール材でシールする
と、基板の表面に処理液が溜まって、前述の浸漬処と同
じ問題が生じ、シール材を省くと、基板の裏面の汚染を
有効に防止できないといった問題があった。
電解めっきの前処理等を行うと、基板裏面の汚染を防止
するためには、基板の処理面の外周部をシール材でシー
ルする必要があり、このように、シール材でシールする
と、基板の表面に処理液が溜まって、前述の浸漬処と同
じ問題が生じ、シール材を省くと、基板の裏面の汚染を
有効に防止できないといった問題があった。
【０００９】本発明は、上記に鑑みてなされたもので、
無電解めっきの前処理や、ＣＭＰ後の後洗浄等の処理
を、基板処理面の再汚染を防止しつつ、効率よく行うこ
とができるようにした基板処理装置及び方法を提供する
ことを目的とする。
無電解めっきの前処理や、ＣＭＰ後の後洗浄等の処理
を、基板処理面の再汚染を防止しつつ、効率よく行うこ
とができるようにした基板処理装置及び方法を提供する
ことを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板を該基板の処理面を下にして着脱自在に保持す
る基板ホルダと、前記基板ホルダで保持した基板の処理
面の外周部をシールするシールリングと、前記基板ホル
ダの下方に配置され該基板ホルダで保持した基板の処理
面に向けて処理液を噴射する複数の噴射ノズルと、前記
基板ホルダと前記噴射ノズルとを相対的に回転及び／ま
たは上下動させる駆動機構とを有することを特徴とする
基板処理装置である。
は、基板を該基板の処理面を下にして着脱自在に保持す
る基板ホルダと、前記基板ホルダで保持した基板の処理
面の外周部をシールするシールリングと、前記基板ホル
ダの下方に配置され該基板ホルダで保持した基板の処理
面に向けて処理液を噴射する複数の噴射ノズルと、前記
基板ホルダと前記噴射ノズルとを相対的に回転及び／ま
たは上下動させる駆動機構とを有することを特徴とする
基板処理装置である。
【００１１】これにより、基板の処理面に積極的に新液
を供給することで、処理面には常に新鮮な液が接触する
ようにして再汚染を防止するとともに、処理面の汚染物
や溶解したイオンの基板表面からの離脱を早めて、基板
を効率よく短時間で処理し、しかも、基板の処理面の外
周部をシールリングでシールすることで、基板の裏面の
汚染を有効に防止することができる。更に、基板ホルダ
と噴射ノズルとを相対的に回転及び／または上下動させ
ながら処理液による基板の処理を行うことで、基板処理
面に作用する圧力を緩和しながら、処理液を均一に基板
の処理面の全面に供給することができる。
を供給することで、処理面には常に新鮮な液が接触する
ようにして再汚染を防止するとともに、処理面の汚染物
や溶解したイオンの基板表面からの離脱を早めて、基板
を効率よく短時間で処理し、しかも、基板の処理面の外
周部をシールリングでシールすることで、基板の裏面の
汚染を有効に防止することができる。更に、基板ホルダ
と噴射ノズルとを相対的に回転及び／または上下動させ
ながら処理液による基板の処理を行うことで、基板処理
面に作用する圧力を緩和しながら、処理液を均一に基板
の処理面の全面に供給することができる。
【００１２】請求項２に記載の発明は、前記噴射ノズル
は、前記基板ホルダで保持した基板に向けて噴射する処
理液の運動エネルギーを調整できるよう構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
これにより、基板の処理面が処理液に接触する時に受け
る圧力を調整することができる。
は、前記基板ホルダで保持した基板に向けて噴射する処
理液の運動エネルギーを調整できるよう構成されている
ことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
これにより、基板の処理面が処理液に接触する時に受け
る圧力を調整することができる。
【００１３】請求項３に記載の発明は、前記噴射ノズル
は、前記基板ホルダで保持した基板の直径方向に沿って
直線状に配置され、中央部に位置する噴射ノズルとして
円錐ノズルが、それ以外の噴射ノズルとして扇形ノズル
がそれぞれ使用されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の基板処理装置である。このように、噴射ノ
ズルとして扇形ノズルを使用することで、噴射ノズルの
数を減少させ、広い範囲での圧力の調整を可能となし、
しかも、中心部に位置する噴射ノズルとして、圧力の弱
い円錐ノズルを使用することで、基板処理面の中心部に
作用する圧力を緩和して、基板処理面により均一な圧力
が作用するようにすることができる。
は、前記基板ホルダで保持した基板の直径方向に沿って
直線状に配置され、中央部に位置する噴射ノズルとして
円錐ノズルが、それ以外の噴射ノズルとして扇形ノズル
がそれぞれ使用されていることを特徴とする請求項１ま
たは２記載の基板処理装置である。このように、噴射ノ
ズルとして扇形ノズルを使用することで、噴射ノズルの
数を減少させ、広い範囲での圧力の調整を可能となし、
しかも、中心部に位置する噴射ノズルとして、圧力の弱
い円錐ノズルを使用することで、基板処理面の中心部に
作用する圧力を緩和して、基板処理面により均一な圧力
が作用するようにすることができる。
【００１４】請求項４に記載の発明は、前記噴射ノズル
は、前記基板ホルダで保持した基板の全面に亘って均等
に分布した状態で配置されていることを特徴とする請求
項１または２記載の基板処理装置である。これにより、
例えば基板と噴射ノズルの相対的な回転速度が高い場合
のみならず、極めて遅くなった場合でも、基板処理面の
全面に処理液を均一に供給することができる。
は、前記基板ホルダで保持した基板の全面に亘って均等
に分布した状態で配置されていることを特徴とする請求
項１または２記載の基板処理装置である。これにより、
例えば基板と噴射ノズルの相対的な回転速度が高い場合
のみならず、極めて遅くなった場合でも、基板処理面の
全面に処理液を均一に供給することができる。
【００１５】請求項５に記載の発明は、基板を該基板の
処理面を下にし処理面の外周部をシールして基板ホルダ
で保持し、前記基板ホルダで保持した基板の処理面に向
けて複数の噴射ノズルから処理液を噴射しつつ、前記基
板ホルダで保持した基板と前記噴射ノズルとを相対的に
回転及び／または上下動させることを特徴とする半導体
基板の処理方法である。
処理面を下にし処理面の外周部をシールして基板ホルダ
で保持し、前記基板ホルダで保持した基板の処理面に向
けて複数の噴射ノズルから処理液を噴射しつつ、前記基
板ホルダで保持した基板と前記噴射ノズルとを相対的に
回転及び／または上下動させることを特徴とする半導体
基板の処理方法である。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、半導体装置における銅配
線形成例を工程順に示すもので、先ず、図１（ａ）に示
すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電
層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２を堆積し、この
絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技
術によりコンタクトホール３と配線用の溝４を形成し、
その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電
解めっきの給電層としての銅シード層６をスパッタリン
グ等により形成する。
を参照して説明する。図１は、半導体装置における銅配
線形成例を工程順に示すもので、先ず、図１（ａ）に示
すように、半導体素子を形成した半導体基材１上の導電
層１ａの上にＳｉＯ２からなる絶縁膜２を堆積し、この
絶縁膜２の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技
術によりコンタクトホール３と配線用の溝４を形成し、
その上にＴａＮ等からなるバリア層５、更にその上に電
解めっきの給電層としての銅シード層６をスパッタリン
グ等により形成する。
【００１７】そして、図１（ｂ）に示すように、半導体
基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、半導体基板Ｗの
コンタクトホール３及び溝４内に銅を充填させるととも
に、絶縁膜２上に銅層７を堆積させる。その後、化学機
械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅層７を除去
して、コンタクトホール３及び配線用の溝４に充填させ
た銅層７の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にす
る。これにより、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜２の
内部に銅シード層６と銅層７からなる配線８を形成す
る。次に、基板Ｗの表面に、例えば無電解Ｎｉ−Ｂめっ
きを施して、図１（ｄ）に示すように、配線８の露出表
面にＮｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選
択的に形成して配線８を保護する。
基板Ｗの表面に銅めっきを施すことで、半導体基板Ｗの
コンタクトホール３及び溝４内に銅を充填させるととも
に、絶縁膜２上に銅層７を堆積させる。その後、化学機
械的研磨（ＣＭＰ）により、絶縁膜２上の銅層７を除去
して、コンタクトホール３及び配線用の溝４に充填させ
た銅層７の表面と絶縁膜２の表面とをほぼ同一平面にす
る。これにより、図１（ｃ）に示すように、絶縁膜２の
内部に銅シード層６と銅層７からなる配線８を形成す
る。次に、基板Ｗの表面に、例えば無電解Ｎｉ−Ｂめっ
きを施して、図１（ｄ）に示すように、配線８の露出表
面にＮｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を選
択的に形成して配線８を保護する。
【００１８】図２は、本発明の実施の形態の基板処理装
置を示す。この基板処理装置は、例えば、図１における
バリア層５の形成、銅シード層６の補強、銅層７の堆
積、更には、保護膜（めっき膜）９の形成を無電解めっ
きで行う際に、その前処理及び該前処理に伴うリンス処
理に使用される。
置を示す。この基板処理装置は、例えば、図１における
バリア層５の形成、銅シード層６の補強、銅層７の堆
積、更には、保護膜（めっき膜）９の形成を無電解めっ
きで行う際に、その前処理及び該前処理に伴うリンス処
理に使用される。
【００１９】この基板処理装置（無電解めっき前処理装
置）１０は、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面（処理面）
を下向き（フェースダウン）にして着脱自在に保持する
基板ホルダ１２を有している。この基板ホルダ１２は、
内部に基板Ｗを収納する下方に開口したハウジング１４
と、このハウジング１４の内部に上下動自在に配置した
リング状の基板押え１６を有している。ハウジング１４
の下端には、内方に膨出する爪部１４ａが設けられ、こ
の爪部１４ａの上面にシールリング１８が取付けられて
いる。
置）１０は、半導体ウエハ等の基板Ｗの表面（処理面）
を下向き（フェースダウン）にして着脱自在に保持する
基板ホルダ１２を有している。この基板ホルダ１２は、
内部に基板Ｗを収納する下方に開口したハウジング１４
と、このハウジング１４の内部に上下動自在に配置した
リング状の基板押え１６を有している。ハウジング１４
の下端には、内方に膨出する爪部１４ａが設けられ、こ
の爪部１４ａの上面にシールリング１８が取付けられて
いる。
【００２０】これにより、ハウジング１４の内部に搬入
した基板Ｗをその外周部をシールリング１８に接触させ
て爪部１４ａの上部に載置保持し、この状態で、基板押
え１６を下降させることで、基板Ｗをその外周部をハウ
ジング１４の爪部１４ａと基板押え１６で挟持して保持
し、この時に、シールリング１８を圧潰させることで、
ここをシールするようになっている。
した基板Ｗをその外周部をシールリング１８に接触させ
て爪部１４ａの上部に載置保持し、この状態で、基板押
え１６を下降させることで、基板Ｗをその外周部をハウ
ジング１４の爪部１４ａと基板押え１６で挟持して保持
し、この時に、シールリング１８を圧潰させることで、
ここをシールするようになっている。
【００２１】ハウジング１４は、回転モータ２０の出力
軸２２に連結され、更に、この回転モータ２０は、上下
動モータ２４の駆動に伴って、ボールねじ２６を介して
上下動（昇降）する上下動アーム２８の自由端に固着さ
れている。また、回転モータ２０のハウジングには、シ
リンダ３０が下向きに取付けられ、このシリンダ３０の
ロッドに中空円板状の昇降板３２が連結されている。そ
して、この昇降板３２の外周端面に軸受３４が取付けら
れ、この軸受３４の外輪に押圧ロッド３６が下向きで取
付けられている。この押圧ロッド３６は、ハウジング１
４の上壁を貫通して延び、この下端に前記基板押え１６
が接続されている。
軸２２に連結され、更に、この回転モータ２０は、上下
動モータ２４の駆動に伴って、ボールねじ２６を介して
上下動（昇降）する上下動アーム２８の自由端に固着さ
れている。また、回転モータ２０のハウジングには、シ
リンダ３０が下向きに取付けられ、このシリンダ３０の
ロッドに中空円板状の昇降板３２が連結されている。そ
して、この昇降板３２の外周端面に軸受３４が取付けら
れ、この軸受３４の外輪に押圧ロッド３６が下向きで取
付けられている。この押圧ロッド３６は、ハウジング１
４の上壁を貫通して延び、この下端に前記基板押え１６
が接続されている。
【００２２】これによって、基板ホルダ１２で基板Ｗを
シールリング１８でシールして保持した状態で、回転モ
ータ２０の駆動に伴って、基板ホルダ１２と基板Ｗとが
一体となって回転し、上下動モータ２４の駆動に伴っ
て、基板ホルダ１２と基板Ｗとが一体となって上下動
（昇降）するようになっている。
シールリング１８でシールして保持した状態で、回転モ
ータ２０の駆動に伴って、基板ホルダ１２と基板Ｗとが
一体となって回転し、上下動モータ２４の駆動に伴っ
て、基板ホルダ１２と基板Ｗとが一体となって上下動
（昇降）するようになっている。
【００２３】基板ホルダ１２の下方に位置して、基板ホ
ルダ１２で保持した基板Ｗに向けて、処理液を噴射する
複数の噴射ノズル４０を有するノズルヘッド４２が水平
に配置されている。このノズルヘッド４２は、基板ホル
ダ１２で保持した基板Ｗの直径方向のほぼ全長に亘る長
さを有する棒状体で構成され、上下方向に延びる固定軸
４４の上端に連結されている。そして、この固定軸４４
には、図示しない処理液供給パイプが接続され、処理液
は、この固定軸４４の内部を通ってノズルヘッド４２に
達し、ノズルヘッド４２に沿って流れながら各噴射ノズ
ル４０から上方に向けて噴射されるようになっている。
ルダ１２で保持した基板Ｗに向けて、処理液を噴射する
複数の噴射ノズル４０を有するノズルヘッド４２が水平
に配置されている。このノズルヘッド４２は、基板ホル
ダ１２で保持した基板Ｗの直径方向のほぼ全長に亘る長
さを有する棒状体で構成され、上下方向に延びる固定軸
４４の上端に連結されている。そして、この固定軸４４
には、図示しない処理液供給パイプが接続され、処理液
は、この固定軸４４の内部を通ってノズルヘッド４２に
達し、ノズルヘッド４２に沿って流れながら各噴射ノズ
ル４０から上方に向けて噴射されるようになっている。
【００２４】この噴射ノズル４０は、基板ホルダ１２で
保持した基板Ｗに向けて噴射する処理液の運動エネルギ
ーを調整できるよう構成されていることが好ましい。こ
れにより、基板Ｗの処理面が処理液に接触する時に受け
る圧力を調整することができる。ノズルヘッド４２の周
囲を囲繞し、更に上方に延出して、上方に開口したカッ
プ状の処理槽４６が配置されている。この処理槽４６
は、処理液の飛散を防止するためのものであり、その底
部には、排出口４６ａが設けられている。
保持した基板Ｗに向けて噴射する処理液の運動エネルギ
ーを調整できるよう構成されていることが好ましい。こ
れにより、基板Ｗの処理面が処理液に接触する時に受け
る圧力を調整することができる。ノズルヘッド４２の周
囲を囲繞し、更に上方に延出して、上方に開口したカッ
プ状の処理槽４６が配置されている。この処理槽４６
は、処理液の飛散を防止するためのものであり、その底
部には、排出口４６ａが設けられている。
【００２５】次に、この基板処理装置を用いて基板に薬
液処理または純水によるリンス処理を行うときの動作に
ついて説明する。先ず基板Ｗを基板ホルダ１２のハウジ
ング１４の内部に入れ、爪部１４ａの上面に設けたシー
ルリング１８に接触させて、基板Ｗをその表面（処理
面）を下向きした状態（フェースダウン）で載置する。
そして、基板押え１６を下降させて、基板Ｗの処理面
（下面）の外周部をシールリング１８でシールした状態
で、基板Ｗを挟持保持する。そして、必要に応じて、基
板ホルダ１２を任意の位置に昇降させた後、更に一定の
幅で基板ホルダ１２を上下動させ、同時に基板ホルダ１
２を回転させる。
液処理または純水によるリンス処理を行うときの動作に
ついて説明する。先ず基板Ｗを基板ホルダ１２のハウジ
ング１４の内部に入れ、爪部１４ａの上面に設けたシー
ルリング１８に接触させて、基板Ｗをその表面（処理
面）を下向きした状態（フェースダウン）で載置する。
そして、基板押え１６を下降させて、基板Ｗの処理面
（下面）の外周部をシールリング１８でシールした状態
で、基板Ｗを挟持保持する。そして、必要に応じて、基
板ホルダ１２を任意の位置に昇降させた後、更に一定の
幅で基板ホルダ１２を上下動させ、同時に基板ホルダ１
２を回転させる。
【００２６】この状態で、薬液や純水等の処理液を噴射
ノズル４０から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗの処理面
の処理液による処理を施す。この時、噴射ノズル４０か
ら基板に向けて噴射された処理液は、処理槽４６内に流
入し、排出口４６ａから外部に排出される。
ノズル４０から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗの処理面
の処理液による処理を施す。この時、噴射ノズル４０か
ら基板に向けて噴射された処理液は、処理槽４６内に流
入し、排出口４６ａから外部に排出される。
【００２７】このように、薬液や純水等の処理液を噴射
ノズル４０から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗの処理面
の処理液による処理を施して、基板Ｗの処理面に積極的
に新液を供給することで、処理面には常に新鮮な液が接
触するようにして再汚染を防止するとともに、処理面の
汚染物や溶解したイオンの基板Ｗの表面からの離脱を早
めて、基板Ｗを効率よく短時間で処理し、しかも、基板
Ｗの処理面の外周部をシールリング１８でシールするこ
とで、基板Ｗの裏面の汚染を有効に防止することができ
る。更に、基板Ｗを噴射ノズル４０に対して、相対的に
回転及び上下動させながら、基板Ｗの処理面に積極的に
新液を供給することで、基板Ｗの処理面に作用する圧力
を緩和しながら、処理液を均一に基板Ｗの処理面の全面
に供給することができる。なお、この例では、基板Ｗを
噴射ノズル４０に対して、相対的に回転及び上下動させ
るようにしているが、噴射ノズル４０側を回転及び上下
動させるようにしてもよい。
ノズル４０から基板Ｗに向けて噴射して基板Ｗの処理面
の処理液による処理を施して、基板Ｗの処理面に積極的
に新液を供給することで、処理面には常に新鮮な液が接
触するようにして再汚染を防止するとともに、処理面の
汚染物や溶解したイオンの基板Ｗの表面からの離脱を早
めて、基板Ｗを効率よく短時間で処理し、しかも、基板
Ｗの処理面の外周部をシールリング１８でシールするこ
とで、基板Ｗの裏面の汚染を有効に防止することができ
る。更に、基板Ｗを噴射ノズル４０に対して、相対的に
回転及び上下動させながら、基板Ｗの処理面に積極的に
新液を供給することで、基板Ｗの処理面に作用する圧力
を緩和しながら、処理液を均一に基板Ｗの処理面の全面
に供給することができる。なお、この例では、基板Ｗを
噴射ノズル４０に対して、相対的に回転及び上下動させ
るようにしているが、噴射ノズル４０側を回転及び上下
動させるようにしてもよい。
【００２８】そして、所定の時間に亘って処理液による
処理を行った後、噴射ノズル４０からの処理液の噴射を
停止し、基板ホルダ１２の上下動を停止した後、基板Ｗ
に付着した処理液の液切りを行って、基板Ｗの回転を停
止する。しかる後、前述の逆の動作で処理終了後の基板
Ｗをハウジング１４の外に搬送する。
処理を行った後、噴射ノズル４０からの処理液の噴射を
停止し、基板ホルダ１２の上下動を停止した後、基板Ｗ
に付着した処理液の液切りを行って、基板Ｗの回転を停
止する。しかる後、前述の逆の動作で処理終了後の基板
Ｗをハウジング１４の外に搬送する。
【００２９】図３は、前述の基板処理装置１０を無電解
めっきの前処理装置に利用し、半導体ウエハ等の基板Ｗ
の表面に形成した配線用の溝やコンタクトホールに銅を
埋込んで銅配線を形成するようにしためっき装置の全体
構成を示す。
めっきの前処理装置に利用し、半導体ウエハ等の基板Ｗ
の表面に形成した配線用の溝やコンタクトホールに銅を
埋込んで銅配線を形成するようにしためっき装置の全体
構成を示す。
【００３０】このめっき装置は、設備９０内に配置され
た、ロード・アンロード部９２ａ，９２ｂ、Ｓｎの吸着
剤となるＳｎＣｌ２液等により吸着化処理を行う吸着化
処理装置（無電解めっき前処理装置）９４、ＳｎとＰｄ
の置換のためＰｄＣｌ２液等により置換処理を行う置換
処理装置（無電解めっき前処理装置）９６、無電解めっ
き装置９８、電解めっき装置１００、基板Ｗの外周部に
付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要に応じて基板
の裏面を洗浄するベベルエッチ装置１０２、ベベルエッ
チ後の基板を洗浄し乾燥させる洗浄・乾燥装置１０４、
これらの間で基板Ｗの搬送を行う２基の搬送装置（搬送
ロボット）１０６ａ，１０６ｂ、及び仮置きステージ１
０８ａ，１０８ｂを有している。ここで、無電解めっき
前処理装置である吸着化処理装置９４及び置換処理装置
９６は、使用する薬液が異なるだけで、前記図２に示す
基板処理装置１０と同じ構成をしている。ここで、洗浄
・乾燥装置１０４は、この例では、ペンシル・スポンジ
を備えたスピンドライユニットで構成されている。
た、ロード・アンロード部９２ａ，９２ｂ、Ｓｎの吸着
剤となるＳｎＣｌ２液等により吸着化処理を行う吸着化
処理装置（無電解めっき前処理装置）９４、ＳｎとＰｄ
の置換のためＰｄＣｌ２液等により置換処理を行う置換
処理装置（無電解めっき前処理装置）９６、無電解めっ
き装置９８、電解めっき装置１００、基板Ｗの外周部に
付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要に応じて基板
の裏面を洗浄するベベルエッチ装置１０２、ベベルエッ
チ後の基板を洗浄し乾燥させる洗浄・乾燥装置１０４、
これらの間で基板Ｗの搬送を行う２基の搬送装置（搬送
ロボット）１０６ａ，１０６ｂ、及び仮置きステージ１
０８ａ，１０８ｂを有している。ここで、無電解めっき
前処理装置である吸着化処理装置９４及び置換処理装置
９６は、使用する薬液が異なるだけで、前記図２に示す
基板処理装置１０と同じ構成をしている。ここで、洗浄
・乾燥装置１０４は、この例では、ペンシル・スポンジ
を備えたスピンドライユニットで構成されている。
【００３１】次に、上記のように構成しためっき装置に
よる一連のめっき処理の工程について説明する。まず、
ロード・アンロード部９２ａまたは９２ｂに保持された
基板Ｗを一方の搬送装置１０６ａにより取出し、仮置き
ステージ１０８ａまたは１０８ｂに置く。他方の搬送装
置１０６ｂは、これを吸着化処理装置９４に搬送し、こ
こで、基板Ｗを上下動及び回転させつつ、基板Ｗの処理
面にＳｎＣｌ２等の吸着化剤等を含む薬液を供給して基
板Ｗの処理面の吸着化処理を行い、この薬液による処理
に連続して、基板Ｗを上下動及び回転させつつ、基板Ｗ
の表面Ｓに純水を供給して、基板Ｗに付着した薬液を純
水で洗い流すリンス処置を行う。次に、基板Ｗを隣接す
る置換処理装置９６に搬送し、ここで、基板Ｗを上下動
及び回転させつつ、基板Ｗの表面ＳにＰｄＣｌ２液等で
Ｐｄ置換を行い基板Ｗの表面Ｓの触媒付与処理を行い、
この薬液による処理に連続して、基板Ｗを上下動及び回
転させつつ、基板Ｗの表面に純水を供給して、基板Ｗに
付着した薬液を純水で洗い流すリンス処置を行う。
よる一連のめっき処理の工程について説明する。まず、
ロード・アンロード部９２ａまたは９２ｂに保持された
基板Ｗを一方の搬送装置１０６ａにより取出し、仮置き
ステージ１０８ａまたは１０８ｂに置く。他方の搬送装
置１０６ｂは、これを吸着化処理装置９４に搬送し、こ
こで、基板Ｗを上下動及び回転させつつ、基板Ｗの処理
面にＳｎＣｌ２等の吸着化剤等を含む薬液を供給して基
板Ｗの処理面の吸着化処理を行い、この薬液による処理
に連続して、基板Ｗを上下動及び回転させつつ、基板Ｗ
の表面Ｓに純水を供給して、基板Ｗに付着した薬液を純
水で洗い流すリンス処置を行う。次に、基板Ｗを隣接す
る置換処理装置９６に搬送し、ここで、基板Ｗを上下動
及び回転させつつ、基板Ｗの表面ＳにＰｄＣｌ２液等で
Ｐｄ置換を行い基板Ｗの表面Ｓの触媒付与処理を行い、
この薬液による処理に連続して、基板Ｗを上下動及び回
転させつつ、基板Ｗの表面に純水を供給して、基板Ｗに
付着した薬液を純水で洗い流すリンス処置を行う。
【００３２】この過程では、Ｓｎ吸着化処理装置におい
て、ＳｎＣｌ２からのイオンＳｎ２ ＋が基板Ｗの表面に
吸着され、このイオンは、置換処理装置において酸化さ
れてＳｎ４＋になり、逆にＰｄ２＋は還元されて金属Ｐ
ｄとなって基板Ｗの表面に析出して、次の無電解めっき
工程の触媒層となる。この過程は、Ｐｄ／Ｓｎコロイド
の１液キャタリストを用いて行うこともできる。なお、
以上のような触媒付与工程は、この例のように、Ｓｎ吸
着化処理装置とＰｄ置換処理装置で行うこともできる
が、別の装置で行ってから基板Ｗを移送してもよい。ま
た、半導体基板に存在する窪み内表面の材質、状態によ
っては、前述のＳｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理を省
略できる場合がある。
て、ＳｎＣｌ２からのイオンＳｎ２ ＋が基板Ｗの表面に
吸着され、このイオンは、置換処理装置において酸化さ
れてＳｎ４＋になり、逆にＰｄ２＋は還元されて金属Ｐ
ｄとなって基板Ｗの表面に析出して、次の無電解めっき
工程の触媒層となる。この過程は、Ｐｄ／Ｓｎコロイド
の１液キャタリストを用いて行うこともできる。なお、
以上のような触媒付与工程は、この例のように、Ｓｎ吸
着化処理装置とＰｄ置換処理装置で行うこともできる
が、別の装置で行ってから基板Ｗを移送してもよい。ま
た、半導体基板に存在する窪み内表面の材質、状態によ
っては、前述のＳｎ吸着化処理またはＰｄ置換処理を省
略できる場合がある。
【００３３】搬送装置１０６ｂは、基板Ｗをさらに無電
解銅めっき装置９８に運び、ここで所定の還元剤と所定
のめっき液を用いて無電解めっき処理を行う。これによ
って、例えば、ＴａＮ等からなるバリア層の表面に薄い
銅めっき膜を形成する。この場合、固液界面で還元剤の
分解によって生じた電子が、基板表面の触媒を経由して
Ｃｕ２＋に与えられ、金属Ｃｕとして触媒上に析出して
銅めっき膜を形成する。なお、この触媒としては、Ｐｄ
以外にも、遷移金属である、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，
Ａｇ等を用いることができる。
解銅めっき装置９８に運び、ここで所定の還元剤と所定
のめっき液を用いて無電解めっき処理を行う。これによ
って、例えば、ＴａＮ等からなるバリア層の表面に薄い
銅めっき膜を形成する。この場合、固液界面で還元剤の
分解によって生じた電子が、基板表面の触媒を経由して
Ｃｕ２＋に与えられ、金属Ｃｕとして触媒上に析出して
銅めっき膜を形成する。なお、この触媒としては、Ｐｄ
以外にも、遷移金属である、Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，
Ａｇ等を用いることができる。
【００３４】次に、無電解めっき処理後の基板Ｗを搬送
装置１０６ｂで無電解めっき装置９８から取り出して電
解めっき装置１００に運び、ここで、基板を所定の電解
めっき液に浸漬させつつ、基板と電解めっき液との間に
所定のめっき電圧を印加することで、電解めっき処理を
行う。これによって、基板Ｗの表面に形成された配線用
の溝やコンタクトホールの内部に銅を充填する。
装置１０６ｂで無電解めっき装置９８から取り出して電
解めっき装置１００に運び、ここで、基板を所定の電解
めっき液に浸漬させつつ、基板と電解めっき液との間に
所定のめっき電圧を印加することで、電解めっき処理を
行う。これによって、基板Ｗの表面に形成された配線用
の溝やコンタクトホールの内部に銅を充填する。
【００３５】次に、この基板を搬送装置１０６ｂで仮置
きステージ１０８ａまたは１０８ｂに置き、搬送装置１
０６ａでベベルエッチ装置１０２に運び、ここで、基板
Ｗの外周部に付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要
に応じて基板Ｗの裏面を洗浄する。
きステージ１０８ａまたは１０８ｂに置き、搬送装置１
０６ａでベベルエッチ装置１０２に運び、ここで、基板
Ｗの外周部に付着乃至成膜した不要な銅を除去し、必要
に応じて基板Ｗの裏面を洗浄する。
【００３６】このベベルエッチ後の基板Ｗを搬送装置１
０６ａで洗浄・乾燥装置１０４に運び、この洗浄・乾燥
装置１０４でペンシル・スポンジによる仕上げの洗浄と
スピンドライによる乾燥を行って、ロード・アンロード
部９２ａまたは９２ｂへ戻す。基板は後にアニール装置
やＣＭＰ装置に搬送される。なお、この例では、無電解
銅めっきで銅めっき膜を成膜した例を示しているが、無
電解めっきで成膜するめっき膜としては、銅の他に、Ｎ
ｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ，Ｎｉ−Ｃ
ｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ等が挙げられる。
０６ａで洗浄・乾燥装置１０４に運び、この洗浄・乾燥
装置１０４でペンシル・スポンジによる仕上げの洗浄と
スピンドライによる乾燥を行って、ロード・アンロード
部９２ａまたは９２ｂへ戻す。基板は後にアニール装置
やＣＭＰ装置に搬送される。なお、この例では、無電解
銅めっきで銅めっき膜を成膜した例を示しているが、無
電解めっきで成膜するめっき膜としては、銅の他に、Ｎ
ｉ−Ｂ，Ｎｉ−Ｐ，Ｃｏ−Ｐ，Ｎｉ−Ｗ−Ｐ，Ｎｉ−Ｃ
ｏ−Ｐ，Ｃｏ−Ｗ−Ｐ等が挙げられる。
【００３７】図４は、図１に示す保護膜９を形成する一
連のめっき処理（蓋めっき処理）を行うめっき装置の全
体構成を示す。このめっき装置は、ロード・アンロード
部７０、前処理装置７２、Ｐｄ付着装置（無電解めっき
前処理装置）７４、無電解めっき前処理装置７６、無電
解めっき装置７８及び洗浄・乾燥装置８０を有し、更
に、搬送経路８２に沿って走行自在で、これらの間で基
板の受渡しを行う搬送装置８４が備えられている。
連のめっき処理（蓋めっき処理）を行うめっき装置の全
体構成を示す。このめっき装置は、ロード・アンロード
部７０、前処理装置７２、Ｐｄ付着装置（無電解めっき
前処理装置）７４、無電解めっき前処理装置７６、無電
解めっき装置７８及び洗浄・乾燥装置８０を有し、更
に、搬送経路８２に沿って走行自在で、これらの間で基
板の受渡しを行う搬送装置８４が備えられている。
【００３８】次に、上記のように構成しためっき装置に
よる一連のめっき処理（蓋めっき処理）の工程について
説明する。まず、ロード・アンロード部７０に保持され
た基板Ｗを搬送装置８４により取出し、前処理装置７２
に搬送し、ここで、基板に例えば基板表面を再度洗浄す
る前処理を施す。そして、銅層７（図１参照）の表面に
Ｐｄ付着装置７４でＰｄを付着させて銅層７の露出表面
を活性化させ、しかる後、無電解めっき前処理装置７６
で無電解めっき前処理、例えば中和処理を施す。次に、
無電解めっき装置７８に搬送し、ここで、活性化した銅
層７の表面に、例えばＣｏ−Ｗ−Ｐによる選択的な無電
解めっきを施し、これによって、図１（ｄ）に示すよう
に、銅層７の露出表面をＣｏ−Ｗ−Ｐ膜（保護膜）９で
保護する。この無電解めっき液としては、例えば、コバ
ルトの塩とタングステンの塩に、還元剤、錯化剤、ｐＨ
緩衝剤及びｐＨ調整剤を添加したものがあげられる。
よる一連のめっき処理（蓋めっき処理）の工程について
説明する。まず、ロード・アンロード部７０に保持され
た基板Ｗを搬送装置８４により取出し、前処理装置７２
に搬送し、ここで、基板に例えば基板表面を再度洗浄す
る前処理を施す。そして、銅層７（図１参照）の表面に
Ｐｄ付着装置７４でＰｄを付着させて銅層７の露出表面
を活性化させ、しかる後、無電解めっき前処理装置７６
で無電解めっき前処理、例えば中和処理を施す。次に、
無電解めっき装置７８に搬送し、ここで、活性化した銅
層７の表面に、例えばＣｏ−Ｗ−Ｐによる選択的な無電
解めっきを施し、これによって、図１（ｄ）に示すよう
に、銅層７の露出表面をＣｏ−Ｗ−Ｐ膜（保護膜）９で
保護する。この無電解めっき液としては、例えば、コバ
ルトの塩とタングステンの塩に、還元剤、錯化剤、ｐＨ
緩衝剤及びｐＨ調整剤を添加したものがあげられる。
【００３９】なお、研磨後に露出した表面に、例えば無
電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の外部への露出表
面に、Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を
選択的に形成して配線８を保護するようにしてもよい。
この保護膜９の膜厚は、０．１〜５００ｎｍ、好ましく
は、１〜２００ｎｍ、更に好ましくは、１０〜１００ｎ
ｍ程度である。
電解Ｎｉ−Ｂめっきを施して、配線８の外部への露出表
面に、Ｎｉ−Ｂ合金膜からなる保護膜（めっき膜）９を
選択的に形成して配線８を保護するようにしてもよい。
この保護膜９の膜厚は、０．１〜５００ｎｍ、好ましく
は、１〜２００ｎｍ、更に好ましくは、１０〜１００ｎ
ｍ程度である。
【００４０】この保護膜９を形成する無電解Ｎｉ−Ｂめ
っき液としては、例えばニッケルイオン、ニッケルイオ
ンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキル
アミンボランまたは硼素化水素化合物を含有し、ｐＨ調
整にＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を使
用して、ｐＨを５〜１２に調整したものが使用される。
次に、この蓋めっき処理後の基板Ｗを洗浄・乾燥処理装
置８０に搬送して洗浄・乾燥処理を行い、この洗浄・乾
燥後の基板Ｗを搬送装置８４でロード・アンロード部７
０のカセットに戻す。
っき液としては、例えばニッケルイオン、ニッケルイオ
ンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアルキル
アミンボランまたは硼素化水素化合物を含有し、ｐＨ調
整にＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）を使
用して、ｐＨを５〜１２に調整したものが使用される。
次に、この蓋めっき処理後の基板Ｗを洗浄・乾燥処理装
置８０に搬送して洗浄・乾燥処理を行い、この洗浄・乾
燥後の基板Ｗを搬送装置８４でロード・アンロード部７
０のカセットに戻す。
【００４１】なお、この例では、蓋めっき処理として、
Ｃｏ−Ｗ−Ｐ無電解めっき処理を施す前に、Ｐｄを付着
することによって活性化させた銅層７の露出表面をＣｏ
−Ｗ−Ｐ膜で選択的に被覆するようにした例を示してい
るが、これに限定されないことは勿論である。
Ｃｏ−Ｗ−Ｐ無電解めっき処理を施す前に、Ｐｄを付着
することによって活性化させた銅層７の露出表面をＣｏ
−Ｗ−Ｐ膜で選択的に被覆するようにした例を示してい
るが、これに限定されないことは勿論である。
【００４２】ここで、図５及び図６に示すように、基板
ホルダ１２で保持した基板Ｗの直径方向に沿って直線状
に延びるノズルヘッド４２の長さ方向に沿って配置され
る噴射ノズル４０として、中央部に位置するものに円錐
ノズル４０ａを、それ以外のものにノズルヘッド４２の
軸方向に沿って扁平に延びる扇形ノズル４０ｂをそれぞ
れ使用してもよい。
ホルダ１２で保持した基板Ｗの直径方向に沿って直線状
に延びるノズルヘッド４２の長さ方向に沿って配置され
る噴射ノズル４０として、中央部に位置するものに円錐
ノズル４０ａを、それ以外のものにノズルヘッド４２の
軸方向に沿って扁平に延びる扇形ノズル４０ｂをそれぞ
れ使用してもよい。
【００４３】このように、噴射ノズル４０として扇形ノ
ズル４０ｂを使用することで、この扇形ノズル４０ｂで
より直線状に処理液を噴射して、噴射ノズル４０の数を
減少させることができ、これによって、広い範囲での圧
力調整が可能となる。しかも、全ての噴射ノズル４０と
して、扇形ノズル４０ｂを使用して、基板ホルダ１２で
保持した基板Ｗに向けて処理液を噴射すると、図７
（ａ）に示すように、基板Ｗの中央領域が連続した高圧
力を受けて、基板処理面の中心領域により高い圧力が作
用しまうが、中心部に位置する噴射ノズル４０として、
広い領域に比較的弱い圧力が作用する円錐ノズル４０ａ
を使用することで、図７（ｂ）に示すように、基板処理
面の中心領域に作用する圧力を緩和して、基板処理面に
より均一な圧力が作用するようにすることができる。
ズル４０ｂを使用することで、この扇形ノズル４０ｂで
より直線状に処理液を噴射して、噴射ノズル４０の数を
減少させることができ、これによって、広い範囲での圧
力調整が可能となる。しかも、全ての噴射ノズル４０と
して、扇形ノズル４０ｂを使用して、基板ホルダ１２で
保持した基板Ｗに向けて処理液を噴射すると、図７
（ａ）に示すように、基板Ｗの中央領域が連続した高圧
力を受けて、基板処理面の中心領域により高い圧力が作
用しまうが、中心部に位置する噴射ノズル４０として、
広い領域に比較的弱い圧力が作用する円錐ノズル４０ａ
を使用することで、図７（ｂ）に示すように、基板処理
面の中心領域に作用する圧力を緩和して、基板処理面に
より均一な圧力が作用するようにすることができる。
【００４４】更に、図８に示すように、ノズルヘッド４
２として、基板Ｗとほぼ同じ大きさを有する円板状のも
のを使用し、この円板状のノズルヘッド４２の全面に亘
って噴射ノズル４０を均一に分布した状態に配置しても
よい。例えば、無電解めっき前処理は、基板の回転に依
存されやすく、前述のように、ノズルヘッドとして、直
線状のものを使用し、基板を高速で回転させて前処理を
行うと、図９に点線で示すように、基板（ウエハ）の外
周に向かうにしたがってシート抵抗が高くなるが、この
ように、噴射ノズル４０を基板の全面に均等に配置する
ことで、例えば基板を高速で回転させた場合でも、また
基板を低速で回転させた場合でも、図９に実線で示すよ
うに、基板（ウエハ）の全面に亘るシート抵抗を均一に
して、処理面の全面に処理液を均一に供給することがで
きる。
２として、基板Ｗとほぼ同じ大きさを有する円板状のも
のを使用し、この円板状のノズルヘッド４２の全面に亘
って噴射ノズル４０を均一に分布した状態に配置しても
よい。例えば、無電解めっき前処理は、基板の回転に依
存されやすく、前述のように、ノズルヘッドとして、直
線状のものを使用し、基板を高速で回転させて前処理を
行うと、図９に点線で示すように、基板（ウエハ）の外
周に向かうにしたがってシート抵抗が高くなるが、この
ように、噴射ノズル４０を基板の全面に均等に配置する
ことで、例えば基板を高速で回転させた場合でも、また
基板を低速で回転させた場合でも、図９に実線で示すよ
うに、基板（ウエハ）の全面に亘るシート抵抗を均一に
して、処理面の全面に処理液を均一に供給することがで
きる。
【００４５】図１０は、一連の基板処理を行う基板処理
装置の平面配置図を示す。図示するように、この基板処
理装置は、半導体基板を収容した基板カセットの受け渡
しを行う搬入・搬出エリア５２０と、プロセス処理を行
うプロセスエリア５３０と、プロセス処理後の半導体基
板の洗浄及び乾燥を行う洗浄・乾燥エリア５４０を具備
する。洗浄・乾燥エリア５４０は、搬入・搬出エリア５
２０とプロセスエリア５３０の間に配置されている。搬
入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５４０には隔
壁５２１を設け、洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエ
リア５３０の間には隔壁５２３を設けている。
装置の平面配置図を示す。図示するように、この基板処
理装置は、半導体基板を収容した基板カセットの受け渡
しを行う搬入・搬出エリア５２０と、プロセス処理を行
うプロセスエリア５３０と、プロセス処理後の半導体基
板の洗浄及び乾燥を行う洗浄・乾燥エリア５４０を具備
する。洗浄・乾燥エリア５４０は、搬入・搬出エリア５
２０とプロセスエリア５３０の間に配置されている。搬
入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５４０には隔
壁５２１を設け、洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエ
リア５３０の間には隔壁５２３を設けている。
【００４６】隔壁５２１には、搬入・搬出エリア５２０
と洗浄・乾燥エリア５４０との間で半導体基板を受け渡
すための通路（図示せず）を設け、該通路を開閉するた
めのシャッター５２２を設けている。また、隔壁５２３
にも洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０と
の間で半導体基板を受け渡すための通路（図示せず）を
設け、該通路を開閉するためのシャッター５２４を設け
ている。洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３
０は独自に給排気できるようになっている。
と洗浄・乾燥エリア５４０との間で半導体基板を受け渡
すための通路（図示せず）を設け、該通路を開閉するた
めのシャッター５２２を設けている。また、隔壁５２３
にも洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３０と
の間で半導体基板を受け渡すための通路（図示せず）を
設け、該通路を開閉するためのシャッター５２４を設け
ている。洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア５３
０は独自に給排気できるようになっている。
【００４７】上記構成の半導体基板配線用の基板処理装
置はクリーンルーム内に設置され、各エリアの圧力は、 （搬入・搬出エリア５２０の圧力）＞（洗浄・乾燥エリ
ア５４０の圧力）＞（プロセスエリア５３０の圧力） に設定され、且つ搬入・搬出エリア５２０の圧力は、ク
リーンルーム内圧力より低く設定される。これにより、
プロセスエリア５３０から洗浄・乾燥エリア５４０に空
気が流出しないようにし、洗浄・乾燥エリア５４０から
搬入・搬出エリア５２０に空気が流出しないようにし、
さらに搬入・搬出エリア５２０からクリーンルーム内に
空気が流出しないようにしている。
置はクリーンルーム内に設置され、各エリアの圧力は、 （搬入・搬出エリア５２０の圧力）＞（洗浄・乾燥エリ
ア５４０の圧力）＞（プロセスエリア５３０の圧力） に設定され、且つ搬入・搬出エリア５２０の圧力は、ク
リーンルーム内圧力より低く設定される。これにより、
プロセスエリア５３０から洗浄・乾燥エリア５４０に空
気が流出しないようにし、洗浄・乾燥エリア５４０から
搬入・搬出エリア５２０に空気が流出しないようにし、
さらに搬入・搬出エリア５２０からクリーンルーム内に
空気が流出しないようにしている。
【００４８】搬入・搬出エリア５２０には、半導体基板
を収容した基板カセットを収納するロードユニット５２
０ａとアンロードユニット５２０ｂが配置されている。
洗浄・乾燥エリア５４０には、めっき処理後の処理を行
う各２基の水洗部５４１、乾燥部５４２が配置されると
共に、半導体基板の搬送を行う搬送部（搬送ロボット）
５４３が備えられている。ここに水洗部５４１として
は、例えば前端にスポンジがついたペンシル型のものや
スポンジ付きローラ形式のものが用いられる。乾燥部５
４２としては、例えば半導体基板を高速でスピンさせて
脱水、乾燥させる形式のものが用いられる。プロセスエ
リア５３０内には、半導体基板のめっきの前処理を行う
前処理槽５３１と、銅めっき処理を行うめっき槽（めっ
き装置）５３２が配置されると共に、半導体基板の搬送
を行う搬送部（搬送ロボット）５３３が備えられてい
る。
を収容した基板カセットを収納するロードユニット５２
０ａとアンロードユニット５２０ｂが配置されている。
洗浄・乾燥エリア５４０には、めっき処理後の処理を行
う各２基の水洗部５４１、乾燥部５４２が配置されると
共に、半導体基板の搬送を行う搬送部（搬送ロボット）
５４３が備えられている。ここに水洗部５４１として
は、例えば前端にスポンジがついたペンシル型のものや
スポンジ付きローラ形式のものが用いられる。乾燥部５
４２としては、例えば半導体基板を高速でスピンさせて
脱水、乾燥させる形式のものが用いられる。プロセスエ
リア５３０内には、半導体基板のめっきの前処理を行う
前処理槽５３１と、銅めっき処理を行うめっき槽（めっ
き装置）５３２が配置されると共に、半導体基板の搬送
を行う搬送部（搬送ロボット）５３３が備えられてい
る。
【００４９】図１１は、基板処理装置内の気流の流れを
示す。洗浄・乾燥エリア５４０においては、配管５４６
より新鮮な外部空気が取込まれ、高性能フィルタ５４４
を通してファンにより押込まれ、天井５４０ａよりダウ
ンフローのクリーンエアとして水洗部５４１、乾燥部５
４２の周囲に供給される。供給されたクリーンエアの大
部分は、床５４０ｂより循環配管５４５により天井５４
０ａ側に戻され、再び高性能フィルタ５４４を通してフ
ァンにより押込まれて、洗浄・乾燥エリア５４０内に循
環する。一部の気流は、水洗部５４１及び乾燥部５４２
内からダクト５５２を通って排気される。
示す。洗浄・乾燥エリア５４０においては、配管５４６
より新鮮な外部空気が取込まれ、高性能フィルタ５４４
を通してファンにより押込まれ、天井５４０ａよりダウ
ンフローのクリーンエアとして水洗部５４１、乾燥部５
４２の周囲に供給される。供給されたクリーンエアの大
部分は、床５４０ｂより循環配管５４５により天井５４
０ａ側に戻され、再び高性能フィルタ５４４を通してフ
ァンにより押込まれて、洗浄・乾燥エリア５４０内に循
環する。一部の気流は、水洗部５４１及び乾燥部５４２
内からダクト５５２を通って排気される。
【００５０】プロセスエリア５３０は、ウエットゾーン
といいながらも、半導体基板表面にパーティクルが付着
することは許されない。このためプロセスエリア５３０
内に天井５３０ａより、ファンにより押込まれて高性能
フィルタ５３３を通してダウンフローのクリーンエアを
流すことにより、半導体基板にパーティクルが付着する
ことを防止している。しかしながら、ダウンフローを形
成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気に依存
すると、膨大な給排気量が必要となる。このため、室内
を負圧に保つ程度の排気のみをダクト５５３よりの外部
排気とし、ダウンフローの大部分の気流を、配管５３
４，５３５を通した循環気流でまかなうようにしてい
る。
といいながらも、半導体基板表面にパーティクルが付着
することは許されない。このためプロセスエリア５３０
内に天井５３０ａより、ファンにより押込まれて高性能
フィルタ５３３を通してダウンフローのクリーンエアを
流すことにより、半導体基板にパーティクルが付着する
ことを防止している。しかしながら、ダウンフローを形
成するクリーンエアの全流量を外部からの給排気に依存
すると、膨大な給排気量が必要となる。このため、室内
を負圧に保つ程度の排気のみをダクト５５３よりの外部
排気とし、ダウンフローの大部分の気流を、配管５３
４，５３５を通した循環気流でまかなうようにしてい
る。
【００５１】循環気流とした場合に、プロセスエリア５
３０を通過したクリーンエアは、薬液ミストや気体を含
むため、これをスクラバ５３６及びミトセパレータ５３
７，５３８を通して除去する。これにより天井５３０ａ
側の循環ダクト５３４に戻ったエアは、薬液ミストや気
体を含まないものとなり、再びファンにより押込まれて
高性能フィルタ５３３を通ってプロセスエリア５３０内
にクリーンエアとして循環する。床部５３０ｂよりプロ
セスエリア５３０内を通ったエアの一部は、ダクト５５
３を通って外部に排出され、薬液ミストや気体を含むエ
アがダクト５５３を通って外部に排出される。天井５３
０ａのダクト５３９からは、これらの排気量に見合った
新鮮な空気がプロセスエリア５３０内に負圧に保った程
度に供給される。
３０を通過したクリーンエアは、薬液ミストや気体を含
むため、これをスクラバ５３６及びミトセパレータ５３
７，５３８を通して除去する。これにより天井５３０ａ
側の循環ダクト５３４に戻ったエアは、薬液ミストや気
体を含まないものとなり、再びファンにより押込まれて
高性能フィルタ５３３を通ってプロセスエリア５３０内
にクリーンエアとして循環する。床部５３０ｂよりプロ
セスエリア５３０内を通ったエアの一部は、ダクト５５
３を通って外部に排出され、薬液ミストや気体を含むエ
アがダクト５５３を通って外部に排出される。天井５３
０ａのダクト５３９からは、これらの排気量に見合った
新鮮な空気がプロセスエリア５３０内に負圧に保った程
度に供給される。
【００５２】上記のように搬入・搬出エリア５２０、洗
浄・乾燥エリア５４０及びプロセスエリア５３０のそれ
ぞれの圧力は、 （搬入・搬出エリア５２０の圧力）＞（洗浄・乾燥エリ
ア５４０の圧力）＞（プロセスエリア５３０の圧力） に設定されている。従って、シャッター５２２，５２４
（図１０参照）を開放すると、これらのエリア間の空気
の流れは、図１１に示すように、搬入・搬出エリア５２
０、洗浄・乾燥エリア５４０及びプロセスエリア５３０
の順に流れる。また、排気はダクト５５２及び５５３を
通して、図１３に示すように、集合排気ダクト５５４に
集められる。
浄・乾燥エリア５４０及びプロセスエリア５３０のそれ
ぞれの圧力は、 （搬入・搬出エリア５２０の圧力）＞（洗浄・乾燥エリ
ア５４０の圧力）＞（プロセスエリア５３０の圧力） に設定されている。従って、シャッター５２２，５２４
（図１０参照）を開放すると、これらのエリア間の空気
の流れは、図１１に示すように、搬入・搬出エリア５２
０、洗浄・乾燥エリア５４０及びプロセスエリア５３０
の順に流れる。また、排気はダクト５５２及び５５３を
通して、図１３に示すように、集合排気ダクト５５４に
集められる。
【００５３】図１２は、基板処理装置がクリーンルーム
内に配置された一例を示す外観図である。搬入・搬出エ
リア５２０のカセット受渡し口５５５と操作パネル５５
６のある側面が仕切壁５５７で仕切られたクリーンルー
ムのクリーン度の高いワーキングゾーン５５８に露出し
ており、その他の側面は、クリーン度の低いユーティリ
ティゾーン５５９に収納されている。
内に配置された一例を示す外観図である。搬入・搬出エ
リア５２０のカセット受渡し口５５５と操作パネル５５
６のある側面が仕切壁５５７で仕切られたクリーンルー
ムのクリーン度の高いワーキングゾーン５５８に露出し
ており、その他の側面は、クリーン度の低いユーティリ
ティゾーン５５９に収納されている。
【００５４】上記のように、洗浄・乾燥エリア５４０を
搬入・搬出エリア５２０とプロセスエリア５３０の間に
配置し、搬入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５
４０の間及び洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア
５３０の間にはそれぞれ隔壁５２１を設けたので、ワー
キングゾーン５５８から乾燥した状態でカセット受渡し
口５５５を通して半導体基板配線用の基板処理装置内に
搬入される半導体基板は、基板処理装置内でめっき処理
され、洗浄・乾燥した状態でワーキングゾーン５５８に
搬出されるので、半導体基板面にはパーティクルやミス
トが付着することなく、且つクリーンルーム内のクリー
ン度の高いワーキングゾーン５５８をパーティクルや薬
液や洗浄液ミストで汚染することはない。
搬入・搬出エリア５２０とプロセスエリア５３０の間に
配置し、搬入・搬出エリア５２０と洗浄・乾燥エリア５
４０の間及び洗浄・乾燥エリア５４０とプロセスエリア
５３０の間にはそれぞれ隔壁５２１を設けたので、ワー
キングゾーン５５８から乾燥した状態でカセット受渡し
口５５５を通して半導体基板配線用の基板処理装置内に
搬入される半導体基板は、基板処理装置内でめっき処理
され、洗浄・乾燥した状態でワーキングゾーン５５８に
搬出されるので、半導体基板面にはパーティクルやミス
トが付着することなく、且つクリーンルーム内のクリー
ン度の高いワーキングゾーン５５８をパーティクルや薬
液や洗浄液ミストで汚染することはない。
【００５５】なお、図１０及び図１１では、基板処理装
置が搬入・搬出エリア５２０、洗浄・乾燥エリア５４
０、プロセスエリア５３０を具備する例を示したが、プ
ロセスエリア５３０内又はプロセスエリア５３０に隣接
してＣＭＰ装置を配置するエリアを設け、該プロセスエ
リア５３０又はＣＭＰ装置を配置するエリアと搬入・搬
出エリア５２０の間に洗浄・乾燥エリア５４０を配置す
るように構成しても良い。要は半導体基板配線用の基板
処理装置に半導体基板が乾燥状態で搬入され、めっき処
理の終了した半導体基板が洗浄され、乾燥した状態で排
出される構成であればよい。
置が搬入・搬出エリア５２０、洗浄・乾燥エリア５４
０、プロセスエリア５３０を具備する例を示したが、プ
ロセスエリア５３０内又はプロセスエリア５３０に隣接
してＣＭＰ装置を配置するエリアを設け、該プロセスエ
リア５３０又はＣＭＰ装置を配置するエリアと搬入・搬
出エリア５２０の間に洗浄・乾燥エリア５４０を配置す
るように構成しても良い。要は半導体基板配線用の基板
処理装置に半導体基板が乾燥状態で搬入され、めっき処
理の終了した半導体基板が洗浄され、乾燥した状態で排
出される構成であればよい。
【００５６】図１４は、半導体基板配線用の他の基板処
理装置の平面構成を示す図である。図示するように、半
導体基板配線用の基板処理装置は、半導体基板を搬入す
る搬入部６０１、銅めっきを行う銅めっき槽６０２、水
洗浄を行う水洗槽６０３，６０４、化学機械研磨（ＣＭ
Ｐ）を行うＣＭＰ部６０５、水洗槽６０６，６０７、乾
燥槽６０８及び配線層形成が終了した半導体基板を搬出
する搬出部６０９を具備し、これら各槽に半導体基板を
移送する図示しない基板移送手段が１つの装置として配
置され、半導体基板配線用の基板処理装置を構成してい
る。
理装置の平面構成を示す図である。図示するように、半
導体基板配線用の基板処理装置は、半導体基板を搬入す
る搬入部６０１、銅めっきを行う銅めっき槽６０２、水
洗浄を行う水洗槽６０３，６０４、化学機械研磨（ＣＭ
Ｐ）を行うＣＭＰ部６０５、水洗槽６０６，６０７、乾
燥槽６０８及び配線層形成が終了した半導体基板を搬出
する搬出部６０９を具備し、これら各槽に半導体基板を
移送する図示しない基板移送手段が１つの装置として配
置され、半導体基板配線用の基板処理装置を構成してい
る。
【００５７】上記配置構成の基板処理装置において、基
板移送手段により、搬入部６０１に載置された基板カセ
ット６０１−１から、配線層が形成されていない半導体
基板を取り出し、銅めっき槽６０２に移送する。該銅め
っき槽６０２において、配線溝や配線孔（コンタクトホ
ール）からなる配線部を含む半導体基板Ｗの表面上に銅
めっき層を形成する。
板移送手段により、搬入部６０１に載置された基板カセ
ット６０１−１から、配線層が形成されていない半導体
基板を取り出し、銅めっき槽６０２に移送する。該銅め
っき槽６０２において、配線溝や配線孔（コンタクトホ
ール）からなる配線部を含む半導体基板Ｗの表面上に銅
めっき層を形成する。
【００５８】前記銅めっき槽６０２で銅めっき層の形成
が終了した半導体基板Ｗを、基板移送手段で水洗槽６０
３及び水洗槽６０４に移送し、水洗を行う。続いて該水
洗浄の終了した半導体基板Ｗを基板移送手段でＣＭＰ部
６０５に移送し、該ＣＭＰ部６０５で、銅めっき層から
配線溝や配線孔に形成した銅めっき層を残して半導体基
板Ｗの表面上の銅めっき層を除去する。
が終了した半導体基板Ｗを、基板移送手段で水洗槽６０
３及び水洗槽６０４に移送し、水洗を行う。続いて該水
洗浄の終了した半導体基板Ｗを基板移送手段でＣＭＰ部
６０５に移送し、該ＣＭＰ部６０５で、銅めっき層から
配線溝や配線孔に形成した銅めっき層を残して半導体基
板Ｗの表面上の銅めっき層を除去する。
【００５９】続いて上記のように銅めっき層から配線溝
や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残して
半導体基板Ｗの表面上の不要の銅めっき層の除去が終了
した半導体基板Ｗを、基板移送手段で水洗槽６０６及び
水洗槽６０７に送り、水洗浄し、更に水洗浄の終了した
半導体基板Ｗは乾燥槽６０８で乾燥させ、乾燥の終了し
た半導体基板Ｗを配線層の形成の終了した半導体基板と
して、搬出部６０９の基板カセット６０９−１に格納す
る。
や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残して
半導体基板Ｗの表面上の不要の銅めっき層の除去が終了
した半導体基板Ｗを、基板移送手段で水洗槽６０６及び
水洗槽６０７に送り、水洗浄し、更に水洗浄の終了した
半導体基板Ｗは乾燥槽６０８で乾燥させ、乾燥の終了し
た半導体基板Ｗを配線層の形成の終了した半導体基板と
して、搬出部６０９の基板カセット６０９−１に格納す
る。
【００６０】図１５は、半導体基板配線用の他の基板処
理装置の平面構成を示す図である。図１５に示す基板処
理装置が図１４に示す装置と異なる点は、銅めっき槽６
０２、水洗槽６１０、前処理槽６１１、銅めっき膜の表
面に保護膜を形成する蓋めっき槽６１２、ＣＭＰ部６１
５、水洗槽６１３、６１４を追加し、これらを含め１つ
の装置として構成した点である。
理装置の平面構成を示す図である。図１５に示す基板処
理装置が図１４に示す装置と異なる点は、銅めっき槽６
０２、水洗槽６１０、前処理槽６１１、銅めっき膜の表
面に保護膜を形成する蓋めっき槽６１２、ＣＭＰ部６１
５、水洗槽６１３、６１４を追加し、これらを含め１つ
の装置として構成した点である。
【００６１】上記配置構成の基板処理装置において、配
線溝や配線孔（コンタクトホール）からなる配線部を含
む半導体基板Ｗの表面上に銅めっき層を形成する。続い
て、ＣＭＰ部６０５で銅めっき層から配線溝や配線孔に
形成した銅めっき層を残して半導体基板Ｗの表面上の銅
めっき層を除去する。
線溝や配線孔（コンタクトホール）からなる配線部を含
む半導体基板Ｗの表面上に銅めっき層を形成する。続い
て、ＣＭＰ部６０５で銅めっき層から配線溝や配線孔に
形成した銅めっき層を残して半導体基板Ｗの表面上の銅
めっき層を除去する。
【００６２】続いて、上記のように銅めっき層から配線
溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残し
て半導体基板Ｗの表面上の銅めっき層を除去した半導体
基板Ｗを水洗槽６１０に移送し、ここで水洗浄する。続
いて、前処理槽６１１で、後述する蓋めっきを行うため
の前処理を行う。該前処理の終了した半導体基板Ｗを蓋
めっき槽６１２に移送し、蓋めっき槽６１２で配線部に
形成した銅めっき層の上に保護膜を形成する。この保護
膜としては、例えばＮｉ−Ｂ無電解めっき槽を用いる。
保護膜を形成した後、半導体基板Ｗを水洗槽６０６，６
０７で水洗浄し、更に乾燥槽６０８で乾燥させる。そし
て、銅めっき層上に形成した保護膜の上部をＣＭＰ部６
１５で研磨し、平坦化して、水洗槽６１３，６１４で水
洗浄した後、乾燥槽６０８で乾燥させ、半導体基板Ｗを
搬出部６０９の基板カセット６０９−１に格納する。
溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を残し
て半導体基板Ｗの表面上の銅めっき層を除去した半導体
基板Ｗを水洗槽６１０に移送し、ここで水洗浄する。続
いて、前処理槽６１１で、後述する蓋めっきを行うため
の前処理を行う。該前処理の終了した半導体基板Ｗを蓋
めっき槽６１２に移送し、蓋めっき槽６１２で配線部に
形成した銅めっき層の上に保護膜を形成する。この保護
膜としては、例えばＮｉ−Ｂ無電解めっき槽を用いる。
保護膜を形成した後、半導体基板Ｗを水洗槽６０６，６
０７で水洗浄し、更に乾燥槽６０８で乾燥させる。そし
て、銅めっき層上に形成した保護膜の上部をＣＭＰ部６
１５で研磨し、平坦化して、水洗槽６１３，６１４で水
洗浄した後、乾燥槽６０８で乾燥させ、半導体基板Ｗを
搬出部６０９の基板カセット６０９−１に格納する。
【００６３】図１６は半導体基板配線用の他の基板処理
装置の平面構造を示す図である。図示するように、この
基板処理装置は、ロボット６１６を中央に配置し、その
周囲のロボットアーム６１６−１が到達する範囲に銅め
っきを行う銅めっき槽６０２、水洗槽６０３、水洗槽６
０４、ＣＭＰ部６０５、蓋めっき槽６１２、乾燥槽６０
８及びロード・アンロード部６１７を配置して１つの装
置として構成したものである。なお、ロード・アンロー
ド部６１７に隣接して半導体基板の搬入部６０１及び搬
出部６０９が配置されている。
装置の平面構造を示す図である。図示するように、この
基板処理装置は、ロボット６１６を中央に配置し、その
周囲のロボットアーム６１６−１が到達する範囲に銅め
っきを行う銅めっき槽６０２、水洗槽６０３、水洗槽６
０４、ＣＭＰ部６０５、蓋めっき槽６１２、乾燥槽６０
８及びロード・アンロード部６１７を配置して１つの装
置として構成したものである。なお、ロード・アンロー
ド部６１７に隣接して半導体基板の搬入部６０１及び搬
出部６０９が配置されている。
【００６４】上記構成の半導体基板配線用の基板処理装
置において、半導体基板の搬入部６０１から配線めっき
の済んでいない半導体基板がロード・アンロード部６１
７に移送され、該半導体基板をロボットアーム６１６−
１が受け取り、銅めっき槽６０２に移送し、該めっき槽
で配線溝や配線孔からなる配線部を含む半導体基板の表
面上に銅めっき層を形成する。該銅めっき層の形成され
た半導体基板をロボットアーム６１６−１によりＣＭＰ
部６０５に移送し、該ＣＭＰ部６０５で銅めっき層から
配線溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を
残して半導体基板Ｗの表面上の余分な銅めっき層を除去
する。
置において、半導体基板の搬入部６０１から配線めっき
の済んでいない半導体基板がロード・アンロード部６１
７に移送され、該半導体基板をロボットアーム６１６−
１が受け取り、銅めっき槽６０２に移送し、該めっき槽
で配線溝や配線孔からなる配線部を含む半導体基板の表
面上に銅めっき層を形成する。該銅めっき層の形成され
た半導体基板をロボットアーム６１６−１によりＣＭＰ
部６０５に移送し、該ＣＭＰ部６０５で銅めっき層から
配線溝や配線孔からなる配線部に形成した銅めっき層を
残して半導体基板Ｗの表面上の余分な銅めっき層を除去
する。
【００６５】表面の余分な銅めっき層が除去された半導
体基板はロボットアーム６１６−１により、水洗槽６０
４に移送され、水洗処理された後、前処理槽６１１に移
送され、該前処理槽６１１で蓋めっき用の前処理が行わ
れる。該前処理の終了した半導体基板はロボットアーム
６１６−１により、蓋めっき槽６１２に移送され、該蓋
めっき槽６１２で、配線溝や配線孔からなる配線部に形
成され銅めっき層の上に保護膜を形成する。保護膜が形
成された半導体基板はロボットアーム６１６−１によ
り、水洗槽６０４に移送されここで水洗処理された後、
乾燥槽６０８に移送され、乾燥した後、ロード・アンロ
ード部６１７に移送される。該配線めっきの終了した半
導体基板は搬出部６０９に移送される。
体基板はロボットアーム６１６−１により、水洗槽６０
４に移送され、水洗処理された後、前処理槽６１１に移
送され、該前処理槽６１１で蓋めっき用の前処理が行わ
れる。該前処理の終了した半導体基板はロボットアーム
６１６−１により、蓋めっき槽６１２に移送され、該蓋
めっき槽６１２で、配線溝や配線孔からなる配線部に形
成され銅めっき層の上に保護膜を形成する。保護膜が形
成された半導体基板はロボットアーム６１６−１によ
り、水洗槽６０４に移送されここで水洗処理された後、
乾燥槽６０８に移送され、乾燥した後、ロード・アンロ
ード部６１７に移送される。該配線めっきの終了した半
導体基板は搬出部６０９に移送される。
【００６６】図１７は、他の半導体基板処理装置の平面
構成を示す図である。この半導体基板処理装置は、ロー
ド・アンロード部７０１、銅めっきユニット７０２、第
１ロボット７０３、第３洗浄機７０４、反転機７０５、
反転機７０６、第２洗浄機７０７、第２ロボット７０
８、第１洗浄機７０９、第１ポリッシング装置７１０及
び第２ポリッシング装置７１１を配置した構成である。
第１ロボット７０３の近傍には、めっき前後の膜厚を測
定するめっき前後膜厚測定機７１２、研磨後で乾燥状態
の半導体基板Ｗの膜厚を測定する乾燥状態膜厚測定機７
１３が配置されている。
構成を示す図である。この半導体基板処理装置は、ロー
ド・アンロード部７０１、銅めっきユニット７０２、第
１ロボット７０３、第３洗浄機７０４、反転機７０５、
反転機７０６、第２洗浄機７０７、第２ロボット７０
８、第１洗浄機７０９、第１ポリッシング装置７１０及
び第２ポリッシング装置７１１を配置した構成である。
第１ロボット７０３の近傍には、めっき前後の膜厚を測
定するめっき前後膜厚測定機７１２、研磨後で乾燥状態
の半導体基板Ｗの膜厚を測定する乾燥状態膜厚測定機７
１３が配置されている。
【００６７】第１ポリッシング装置（研磨ユニット）７
１０は、研磨テーブル７１０−１、トップリング７１０
−２、トップリングヘッド７１０−３、膜厚測定機７１
０−４、プッシャー７１０−５を具備している。第２ポ
リッシング装置（研磨ユニット）７１１は、研磨テーブ
ル７１１−１、トップリング７１１−２、トップリング
ヘッド７１１−３、膜厚測定機７１１−４、プッシャー
７１１−５を具備している。
１０は、研磨テーブル７１０−１、トップリング７１０
−２、トップリングヘッド７１０−３、膜厚測定機７１
０−４、プッシャー７１０−５を具備している。第２ポ
リッシング装置（研磨ユニット）７１１は、研磨テーブ
ル７１１−１、トップリング７１１−２、トップリング
ヘッド７１１−３、膜厚測定機７１１−４、プッシャー
７１１−５を具備している。
【００６８】コンタクトホールと配線用の溝が形成さ
れ、その上にシード層が形成された半導体基板Ｗを収容
したカセット７０１−１をロード・アンロード部７０１
のロードポートに載置する。第１ロボット７０３は、半
導体基板Ｗをカセット７０１−１から取り出し、銅めっ
きユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成する。そ
の時、めっき前後膜厚測定機７１２でシード層の膜厚を
測定する。銅めっき膜の成膜は、まず半導体基板Ｗの表
面の親水処理を行い、その後銅めっきを行って形成す
る。銅めっき膜の形成後、銅めっきユニット７０２でリ
ンス若しくは洗浄を行う。時間に余裕があれば、乾燥し
てもよい。
れ、その上にシード層が形成された半導体基板Ｗを収容
したカセット７０１−１をロード・アンロード部７０１
のロードポートに載置する。第１ロボット７０３は、半
導体基板Ｗをカセット７０１−１から取り出し、銅めっ
きユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成する。そ
の時、めっき前後膜厚測定機７１２でシード層の膜厚を
測定する。銅めっき膜の成膜は、まず半導体基板Ｗの表
面の親水処理を行い、その後銅めっきを行って形成す
る。銅めっき膜の形成後、銅めっきユニット７０２でリ
ンス若しくは洗浄を行う。時間に余裕があれば、乾燥し
てもよい。
【００６９】第１ロボット７０３で銅めっきユニット７
０２から半導体基板Ｗを取り出したとき、めっき前後膜
厚測定機７１２で銅めっき膜の膜厚を測定する。その測
定結果は、記録装置（図示せず）に半導体基板の記録デ
ータとして記録され、なお且つ、銅めっきユニット７０
２の異常の判定にも使用される。膜厚測定後、第１ロボ
ット７０３が反転機７０５に半導体基板Ｗを渡し、該反
転機７０５で反転させる（銅めっき膜が形成された面が
下になる）。第１ポリッシング装置７１０、第２ポリッ
シング装置７１１による研磨には、シリーズモードとパ
ラレルモードがある。以下、シリーズモードの研磨につ
いて説明する。
０２から半導体基板Ｗを取り出したとき、めっき前後膜
厚測定機７１２で銅めっき膜の膜厚を測定する。その測
定結果は、記録装置（図示せず）に半導体基板の記録デ
ータとして記録され、なお且つ、銅めっきユニット７０
２の異常の判定にも使用される。膜厚測定後、第１ロボ
ット７０３が反転機７０５に半導体基板Ｗを渡し、該反
転機７０５で反転させる（銅めっき膜が形成された面が
下になる）。第１ポリッシング装置７１０、第２ポリッ
シング装置７１１による研磨には、シリーズモードとパ
ラレルモードがある。以下、シリーズモードの研磨につ
いて説明する。
【００７０】シリーズモード研磨は、１次研磨をポリッ
シング装置７１０で行い、２次研磨をポリッシング装置
７１１で行う研磨である。第２ロボット７０８で反転機
７０５上の半導体基板Ｗを取り上げ、ポリッシング装置
７１０のプッシャー７１０−５上に半導体基板Ｗを載せ
る。トップリング７１０−２はプッシャー７１０−５上
の該半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１０−１の
研磨面に半導体基板Ｗの銅めっき膜形成面を当接押圧
し、１次研磨を行う。該１次研磨では基本的に銅めっき
膜が研磨される。研磨テーブル７１０−１の研磨面は、
ＩＣ１０００のような発泡ポリウレタン、又は砥粒を固
定若しくは含浸させたもので構成されている。該研磨面
と半導体基板Ｗの相対運動で銅めっき膜が研磨される。
シング装置７１０で行い、２次研磨をポリッシング装置
７１１で行う研磨である。第２ロボット７０８で反転機
７０５上の半導体基板Ｗを取り上げ、ポリッシング装置
７１０のプッシャー７１０−５上に半導体基板Ｗを載せ
る。トップリング７１０−２はプッシャー７１０−５上
の該半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１０−１の
研磨面に半導体基板Ｗの銅めっき膜形成面を当接押圧
し、１次研磨を行う。該１次研磨では基本的に銅めっき
膜が研磨される。研磨テーブル７１０−１の研磨面は、
ＩＣ１０００のような発泡ポリウレタン、又は砥粒を固
定若しくは含浸させたもので構成されている。該研磨面
と半導体基板Ｗの相対運動で銅めっき膜が研磨される。
【００７１】銅めっき膜の研磨終了後、トップリング７
１０−２で半導体基板Ｗをプッシャー７１０−５上に戻
す。第２ロボット７０８は、該半導体基板Ｗを取り上
げ、第１洗浄機７０９に入れる。この時、プッシャー７
１０−５上にある半導体基板Ｗの表面及び裏面に薬液を
噴射しパーティクルを除去したり、つきにくくしたりす
ることもある。
１０−２で半導体基板Ｗをプッシャー７１０−５上に戻
す。第２ロボット７０８は、該半導体基板Ｗを取り上
げ、第１洗浄機７０９に入れる。この時、プッシャー７
１０−５上にある半導体基板Ｗの表面及び裏面に薬液を
噴射しパーティクルを除去したり、つきにくくしたりす
ることもある。
【００７２】第１洗浄機７０９において洗浄終了後、第
２ロボット７０８で半導体基板Ｗを取り上げ、第２ポリ
ッシング装置７１１のプッシャー７１１−５上に半導体
基板Ｗを載せる。トップリング７１１−２でプッシャー
７１１−５上の半導体基板Ｗを吸着し、該半導体基板Ｗ
のバリア層を形成した面を研磨テーブル７１１−１の研
磨面に当接押圧して２次研磨を行う。この２次研磨では
バリア層が研磨される。但し、上記１次研磨で残った銅
膜や酸化膜も研磨されるケースもある。
２ロボット７０８で半導体基板Ｗを取り上げ、第２ポリ
ッシング装置７１１のプッシャー７１１−５上に半導体
基板Ｗを載せる。トップリング７１１−２でプッシャー
７１１−５上の半導体基板Ｗを吸着し、該半導体基板Ｗ
のバリア層を形成した面を研磨テーブル７１１−１の研
磨面に当接押圧して２次研磨を行う。この２次研磨では
バリア層が研磨される。但し、上記１次研磨で残った銅
膜や酸化膜も研磨されるケースもある。
【００７３】研磨テーブル７１１−１の研磨面は、ＩＣ
１０００のような発泡ポリウレタン、又は砥粒を固定若
しくは含浸させたもので構成され、該研磨面と半導体基
板Ｗの相対運動で研磨される。このとき、砥粒若しくは
スラリーには、シリカ、アルミナ、セリア等が用いられ
る。薬液は、研磨したい膜種により調整される。
１０００のような発泡ポリウレタン、又は砥粒を固定若
しくは含浸させたもので構成され、該研磨面と半導体基
板Ｗの相対運動で研磨される。このとき、砥粒若しくは
スラリーには、シリカ、アルミナ、セリア等が用いられ
る。薬液は、研磨したい膜種により調整される。
【００７４】２次研磨の終点の検知は、光学式の膜厚測
定機を用いてバリア層の膜厚を測定し、膜厚が０になっ
たこと又はＳｉＯ２ からなる絶縁膜の表面検知で行
う。また、研磨テーブル７１１−１の近傍に設けた膜厚
測定機７１１−４として画像処理機能付きの膜厚測定機
を用い、酸化膜の測定を行い、半導体基板Ｗの加工記録
として残したり、２次研磨の終了した半導体基板Ｗを次
の工程に移送できるか否かの判定を行う。また、２次研
磨終点に達していない場合は、再研磨を行ったり、なん
らかの異常で規定値を超えて研磨された場合は、不良品
を増やさないように次の研磨を行わないよう半導体基板
処理装置を停止させる。
定機を用いてバリア層の膜厚を測定し、膜厚が０になっ
たこと又はＳｉＯ２ からなる絶縁膜の表面検知で行
う。また、研磨テーブル７１１−１の近傍に設けた膜厚
測定機７１１−４として画像処理機能付きの膜厚測定機
を用い、酸化膜の測定を行い、半導体基板Ｗの加工記録
として残したり、２次研磨の終了した半導体基板Ｗを次
の工程に移送できるか否かの判定を行う。また、２次研
磨終点に達していない場合は、再研磨を行ったり、なん
らかの異常で規定値を超えて研磨された場合は、不良品
を増やさないように次の研磨を行わないよう半導体基板
処理装置を停止させる。
【００７５】２次研磨終了後、トップリング７１１−２
で半導体基板Ｗをプッシャー７１１−５まで移動させ
る。プッシャー７１１−５上の半導体基板Ｗは第２ロボ
ット７０８で取り上げる。この時、プッシャー７１１−
５上で薬液を半導体基板Ｗの表面及び裏面に噴射してパ
ーティクルを除去したり、つきにくくすることがある。
で半導体基板Ｗをプッシャー７１１−５まで移動させ
る。プッシャー７１１−５上の半導体基板Ｗは第２ロボ
ット７０８で取り上げる。この時、プッシャー７１１−
５上で薬液を半導体基板Ｗの表面及び裏面に噴射してパ
ーティクルを除去したり、つきにくくすることがある。
【００７６】第２ロボット７０８は、半導体基板Ｗを第
２洗浄機７０７に搬入し、洗浄を行う。第２洗浄機７０
７の構成も第１洗浄機７０９と同じ構成である。半導体
基板Ｗの表面は、主にパーティクル除去のために、純水
に界面活性剤、キレート剤、またｐＨ調整剤を加えた洗
浄液を用いて、ＰＶＡスポンジロールによりスクラブ洗
浄される。半導体基板Ｗの裏面には、ノズルからＤＨＦ
等の強い薬液を噴出し、拡散している銅をエッチングし
たり、又は拡散の問題がなければ、表面と同じ薬液を用
いてＰＶＡスポンジロールによるスクラブ洗浄をする。
２洗浄機７０７に搬入し、洗浄を行う。第２洗浄機７０
７の構成も第１洗浄機７０９と同じ構成である。半導体
基板Ｗの表面は、主にパーティクル除去のために、純水
に界面活性剤、キレート剤、またｐＨ調整剤を加えた洗
浄液を用いて、ＰＶＡスポンジロールによりスクラブ洗
浄される。半導体基板Ｗの裏面には、ノズルからＤＨＦ
等の強い薬液を噴出し、拡散している銅をエッチングし
たり、又は拡散の問題がなければ、表面と同じ薬液を用
いてＰＶＡスポンジロールによるスクラブ洗浄をする。
【００７７】上記洗浄の終了後、半導体基板Ｗを第２ロ
ボット７０８で取り上げ、反転機７０６に移し、該反転
機７０６で反転させる。該反転させた半導体基板Ｗを第
１ロボット７０３で取り上げ第３洗浄機７０４に入れ
る。第３洗浄機７０４では、半導体基板Ｗの表面に超音
波振動により励起されたメガソニック水を噴射して洗浄
する。そのとき純水に界面活性剤、キレート剤、またｐ
Ｈ調整剤を加えた洗浄液を用いて公知のペンシル型スポ
ンジで半導体基板Ｗの表面を洗浄してもよい。その後、
スピン乾燥により、半導体基板Ｗを乾燥させる。上記の
ように研磨テーブル７１１−１の近傍に設けた膜厚測定
機７１１−４で膜厚を測定した場合は、そのままロード
・アンロード部７０１のアンロードポートに載置するカ
セットに収容する。
ボット７０８で取り上げ、反転機７０６に移し、該反転
機７０６で反転させる。該反転させた半導体基板Ｗを第
１ロボット７０３で取り上げ第３洗浄機７０４に入れ
る。第３洗浄機７０４では、半導体基板Ｗの表面に超音
波振動により励起されたメガソニック水を噴射して洗浄
する。そのとき純水に界面活性剤、キレート剤、またｐ
Ｈ調整剤を加えた洗浄液を用いて公知のペンシル型スポ
ンジで半導体基板Ｗの表面を洗浄してもよい。その後、
スピン乾燥により、半導体基板Ｗを乾燥させる。上記の
ように研磨テーブル７１１−１の近傍に設けた膜厚測定
機７１１−４で膜厚を測定した場合は、そのままロード
・アンロード部７０１のアンロードポートに載置するカ
セットに収容する。
【００７８】図１８は、他の半導体基板処理装置の平面
構成を示す図である。この半導体基板処理装置の図１７
に示す半導体基板処理装置と異なる点は、図１７に示す
銅めっきユニット７０２の代わりに蓋めっきユニット７
５０を設けた点である。銅膜を形成した半導体基板Ｗを
収容したカセット７０１−１は、ロード・アンロード部
７０１に載置される。半導体基板Ｗは、カセット７０１
−１から取り出され、第１ポリッシング装置７１０また
は第２ポリッシング装置７１１に搬送されて、ここで銅
膜の表面が研磨される。この研磨終了後、半導体基板Ｗ
は、第１洗浄機７０９に搬送されて洗浄される。
構成を示す図である。この半導体基板処理装置の図１７
に示す半導体基板処理装置と異なる点は、図１７に示す
銅めっきユニット７０２の代わりに蓋めっきユニット７
５０を設けた点である。銅膜を形成した半導体基板Ｗを
収容したカセット７０１−１は、ロード・アンロード部
７０１に載置される。半導体基板Ｗは、カセット７０１
−１から取り出され、第１ポリッシング装置７１０また
は第２ポリッシング装置７１１に搬送されて、ここで銅
膜の表面が研磨される。この研磨終了後、半導体基板Ｗ
は、第１洗浄機７０９に搬送されて洗浄される。
【００７９】第１洗浄機７０９で洗浄された半導体基板
Ｗは、蓋めっきユニット７５０に搬送され、ここで銅め
っき膜の表面に保護膜が形成され、これによって、銅め
っき膜が大気中で酸化することが防止される。蓋めっき
を施した半導体基板Ｗは、第２ロボット７０８によって
蓋めっきユニット７５０から第２洗浄機７０７に搬送さ
れ、ここで純水または脱イオン水で洗浄される。この洗
浄後の半導体基板Ｗは、ロード・アンロード部７０１に
載置されたカセット７０１−１に戻される。
Ｗは、蓋めっきユニット７５０に搬送され、ここで銅め
っき膜の表面に保護膜が形成され、これによって、銅め
っき膜が大気中で酸化することが防止される。蓋めっき
を施した半導体基板Ｗは、第２ロボット７０８によって
蓋めっきユニット７５０から第２洗浄機７０７に搬送さ
れ、ここで純水または脱イオン水で洗浄される。この洗
浄後の半導体基板Ｗは、ロード・アンロード部７０１に
載置されたカセット７０１−１に戻される。
【００８０】図１９は、更に他の半導体基板処理装置の
平面構成を示す図である。この半導体基板処理装置の図
１８に示す半導体基板処理装置と異なる点は、図１８に
示す第１洗浄機７０９の代わりにアニールユニット７５
１を設けた点である。前述のようにして、第１ポリッシ
ング装置７１０または第２ポリッシング装置７１１で研
磨され、第２洗浄機７０７で洗浄された半導体基板Ｗ
は、蓋めっきユニット７５０に搬送され、ここで銅めっ
き膜の表面に蓋めっきが施される。この蓋めっきが施さ
れた半導体基板Ｗは、第１ロボット７０３によって、蓋
めっきユニット７５０から第３洗浄機７０４に搬送さ
れ、ここで洗浄される。
平面構成を示す図である。この半導体基板処理装置の図
１８に示す半導体基板処理装置と異なる点は、図１８に
示す第１洗浄機７０９の代わりにアニールユニット７５
１を設けた点である。前述のようにして、第１ポリッシ
ング装置７１０または第２ポリッシング装置７１１で研
磨され、第２洗浄機７０７で洗浄された半導体基板Ｗ
は、蓋めっきユニット７５０に搬送され、ここで銅めっ
き膜の表面に蓋めっきが施される。この蓋めっきが施さ
れた半導体基板Ｗは、第１ロボット７０３によって、蓋
めっきユニット７５０から第３洗浄機７０４に搬送さ
れ、ここで洗浄される。
【００８１】第１洗浄機７０９で洗浄された半導体基板
Ｗは、アニールユニット７５１に搬送され、ここでアニ
ールされる。これによって、銅めっき膜が合金化されて
銅めっき膜のエレクトロンマイグレーション耐性が向上
する。アニールが施された半導体基板Ｗは、アニールユ
ニット７５１から第２洗浄機７０７に搬送され、ここで
純水または脱イオン水で洗浄される。この洗浄後の半導
体基板Ｗは、ロード・アンロード部７０１に載置された
カセット７０１−１に戻される。
Ｗは、アニールユニット７５１に搬送され、ここでアニ
ールされる。これによって、銅めっき膜が合金化されて
銅めっき膜のエレクトロンマイグレーション耐性が向上
する。アニールが施された半導体基板Ｗは、アニールユ
ニット７５１から第２洗浄機７０７に搬送され、ここで
純水または脱イオン水で洗浄される。この洗浄後の半導
体基板Ｗは、ロード・アンロード部７０１に載置された
カセット７０１−１に戻される。
【００８２】図２０は、基板処理装置の他の平面配置構
成を示す図である。図２０において、図１７と同一符号
を付した部分は、同一又は相当部分を示す。この基板研
磨装置は、第１ポリッシング装置７１０と第２ポリッシ
ング装置７１１に接近してプッシャーインデクサー７２
５を配置し、第３洗浄機７０４と銅めっきユニット７０
２の近傍にそれぞれ基板載置台７２１、７２２を配置
し、第１洗浄機７０９と第３洗浄機７０４の近傍にロボ
ット７２３を配置し、第２洗浄機７０７と銅めっきユニ
ット７０２の近傍にロボット７２４を配置し、更にロー
ド・アンロード部７０１と第１ロボット７０３の近傍に
乾燥状態膜厚測定機７１３を配置している。
成を示す図である。図２０において、図１７と同一符号
を付した部分は、同一又は相当部分を示す。この基板研
磨装置は、第１ポリッシング装置７１０と第２ポリッシ
ング装置７１１に接近してプッシャーインデクサー７２
５を配置し、第３洗浄機７０４と銅めっきユニット７０
２の近傍にそれぞれ基板載置台７２１、７２２を配置
し、第１洗浄機７０９と第３洗浄機７０４の近傍にロボ
ット７２３を配置し、第２洗浄機７０７と銅めっきユニ
ット７０２の近傍にロボット７２４を配置し、更にロー
ド・アンロード部７０１と第１ロボット７０３の近傍に
乾燥状態膜厚測定機７１３を配置している。
【００８３】上記構成の基板処理装置において、第１ロ
ボット７０３は、ロード・アンロード部７０１のロード
ポートに載置されているカセット７０１−１から半導体
基板Ｗを取り出し、乾燥状態膜厚測定機７１３でバリア
層及びシード層の膜厚を測定した後、該半導体基板Ｗを
基板載置台７２１に載せる。なお、乾燥状態膜厚測定機
７１３が、第１ロボット７０３のハンドに設けられてい
る場合は、そこで膜厚を測定し、基板載置台７２１に載
せる。第２ロボット７２３で基板載置台７２１上の半導
体基板Ｗを銅めっきユニット７０２に移送し、銅めっき
膜を成膜する。銅めっき膜の成膜後、めっき前後膜厚測
定機７１２で銅めっき膜の膜厚を測定する。その後、第
２ロボット７２３は、半導体基板Ｗをプッシャーインデ
クサー７２５に移送し搭載する。
ボット７０３は、ロード・アンロード部７０１のロード
ポートに載置されているカセット７０１−１から半導体
基板Ｗを取り出し、乾燥状態膜厚測定機７１３でバリア
層及びシード層の膜厚を測定した後、該半導体基板Ｗを
基板載置台７２１に載せる。なお、乾燥状態膜厚測定機
７１３が、第１ロボット７０３のハンドに設けられてい
る場合は、そこで膜厚を測定し、基板載置台７２１に載
せる。第２ロボット７２３で基板載置台７２１上の半導
体基板Ｗを銅めっきユニット７０２に移送し、銅めっき
膜を成膜する。銅めっき膜の成膜後、めっき前後膜厚測
定機７１２で銅めっき膜の膜厚を測定する。その後、第
２ロボット７２３は、半導体基板Ｗをプッシャーインデ
クサー７２５に移送し搭載する。
【００８４】〔シリーズモード〕シリーズモードでは、
トップリングヘッド７１０−２がプッシャーインデクサ
ー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１
０−１に移送し、研磨テーブル７１０−１上の研磨面に
該半導体基板Ｗを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知
は上記と同様な方法で行い、研磨終了後の半導体基板Ｗ
はトップリングヘッド７１０−２でプッシャーインデク
サー７２５に移送され搭載される。第２ロボット７２３
で半導体基板Ｗを取り出し、第１洗浄機７０９に搬入し
洗浄し、続いてプッシャーインデクサー７２５に移送し
搭載する。
トップリングヘッド７１０−２がプッシャーインデクサ
ー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１
０−１に移送し、研磨テーブル７１０−１上の研磨面に
該半導体基板Ｗを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知
は上記と同様な方法で行い、研磨終了後の半導体基板Ｗ
はトップリングヘッド７１０−２でプッシャーインデク
サー７２５に移送され搭載される。第２ロボット７２３
で半導体基板Ｗを取り出し、第１洗浄機７０９に搬入し
洗浄し、続いてプッシャーインデクサー７２５に移送し
搭載する。
【００８５】トップリングヘッド７１１−２がプッシャ
ーインデクサー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨
テーブル７１１−１に移送し、その研磨面に該半導体基
板Ｗを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知は上記と同
様な方法で行い、研磨終了後の半導体基板Ｗは、トップ
リングヘッド７１１−２でプッシャーインデクサー７２
５に移送され搭載される。第３ロボット７２４は、半導
体基板Ｗを取り上げ、膜厚測定機７２６で膜厚を測定し
た後、第２洗浄機７０７に搬入し洗浄する。続いて第３
洗浄機７０４に搬入し、ここで洗浄した後にスピンドラ
イで乾燥を行い、その後、第３ロボット７２４で半導体
基板Ｗを取り上げ、基板載置台７２２上に載せる。
ーインデクサー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨
テーブル７１１−１に移送し、その研磨面に該半導体基
板Ｗを押圧して研磨を行う。研磨の終点検知は上記と同
様な方法で行い、研磨終了後の半導体基板Ｗは、トップ
リングヘッド７１１−２でプッシャーインデクサー７２
５に移送され搭載される。第３ロボット７２４は、半導
体基板Ｗを取り上げ、膜厚測定機７２６で膜厚を測定し
た後、第２洗浄機７０７に搬入し洗浄する。続いて第３
洗浄機７０４に搬入し、ここで洗浄した後にスピンドラ
イで乾燥を行い、その後、第３ロボット７２４で半導体
基板Ｗを取り上げ、基板載置台７２２上に載せる。
【００８６】〔パラレルモード〕パラレルモードでは、
トップリングヘッド７１０−２又は７１１−２がプッシ
ャーインデクサー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研
磨テーブル７１０−１又は７１１−１に移送し、研磨テ
ーブル７１０−１又は７１１−１上の研磨面に該半導体
基板Ｗを押圧してそれぞれ研磨を行う。膜厚を測定した
後、第３ロボット７２４で半導体基板Ｗを取り上げ、基
板載置台７２２上に載せる。第１ロボット７０３は、基
板載置台７２２上の半導体基板Ｗを乾燥状態膜厚測定機
７１３に移送し、膜厚を測定した後、ロード・アンロー
ド部７０１のカセット７０１−１に戻す。
トップリングヘッド７１０−２又は７１１−２がプッシ
ャーインデクサー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研
磨テーブル７１０−１又は７１１−１に移送し、研磨テ
ーブル７１０−１又は７１１−１上の研磨面に該半導体
基板Ｗを押圧してそれぞれ研磨を行う。膜厚を測定した
後、第３ロボット７２４で半導体基板Ｗを取り上げ、基
板載置台７２２上に載せる。第１ロボット７０３は、基
板載置台７２２上の半導体基板Ｗを乾燥状態膜厚測定機
７１３に移送し、膜厚を測定した後、ロード・アンロー
ド部７０１のカセット７０１−１に戻す。
【００８７】図２１は、基板処理装置の他の平面配置構
成を示す図である。この基板処理装置では、シード層が
形成されていない半導体基板Ｗに、シード層及び銅めっ
き膜を形成し、研磨して回路配線を形成する基板処理装
置である。この基板研磨装置は、第１ポリッシング装置
７１０と第２ポリッシング装置７１１に接近してプッシ
ャーインデクサー７２５を配置し、第２洗浄機７０７と
シード層成膜ユニット７２７の近傍にそれぞれ基板載置
台７２１、７２２を配置し、シード層成膜ユニット７２
７と銅めっきユニット７０２に接近してロボット７２３
を配置し、第１洗浄機７０９と第２洗浄機７０７の近傍
にロボット７２４を配置し、更にロード・アンロード部
７０１と第１ロボット７０３の近傍に乾燥膜厚測定機７
１３を配置している。
成を示す図である。この基板処理装置では、シード層が
形成されていない半導体基板Ｗに、シード層及び銅めっ
き膜を形成し、研磨して回路配線を形成する基板処理装
置である。この基板研磨装置は、第１ポリッシング装置
７１０と第２ポリッシング装置７１１に接近してプッシ
ャーインデクサー７２５を配置し、第２洗浄機７０７と
シード層成膜ユニット７２７の近傍にそれぞれ基板載置
台７２１、７２２を配置し、シード層成膜ユニット７２
７と銅めっきユニット７０２に接近してロボット７２３
を配置し、第１洗浄機７０９と第２洗浄機７０７の近傍
にロボット７２４を配置し、更にロード・アンロード部
７０１と第１ロボット７０３の近傍に乾燥膜厚測定機７
１３を配置している。
【００８８】第１ロボット７０３でロード・アンロード
部７０１のロードポートに載置されているカセット７０
１−１から、バリア層が形成されている半導体基板Ｗを
取り出して基板載置台７２１に載せる。次に第２ロボッ
ト７２３は、半導体基板Ｗをシード層成膜ユニット７２
７に搬送し、シード層を成膜する。このシード層の成膜
は無電解めっきで行う。第２ロボット７２３は、シード
層の形成された半導体基板をめっき前後膜厚測定機７１
２でシード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、銅めっき
ユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成する。
部７０１のロードポートに載置されているカセット７０
１−１から、バリア層が形成されている半導体基板Ｗを
取り出して基板載置台７２１に載せる。次に第２ロボッ
ト７２３は、半導体基板Ｗをシード層成膜ユニット７２
７に搬送し、シード層を成膜する。このシード層の成膜
は無電解めっきで行う。第２ロボット７２３は、シード
層の形成された半導体基板をめっき前後膜厚測定機７１
２でシード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、銅めっき
ユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成する。
【００８９】銅めっき膜を形成後、その膜厚を測定し、
プッシャーインデクサー７２５に移送する。トップリン
グ７１０−２又は７１１−２は、プッシャーインデクサ
ー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１
０−１又は７１１−１に移送し研磨する。研磨後、トッ
プリング７１０−２又は７１１−２は、半導体基板Ｗを
膜厚測定機７１０−４又は７１１−４に移送し、膜厚を
測定し、プッシャーインデクサー７２５に移送して載せ
る。
プッシャーインデクサー７２５に移送する。トップリン
グ７１０−２又は７１１−２は、プッシャーインデクサ
ー７２５上の半導体基板Ｗを吸着し、研磨テーブル７１
０−１又は７１１−１に移送し研磨する。研磨後、トッ
プリング７１０−２又は７１１−２は、半導体基板Ｗを
膜厚測定機７１０−４又は７１１−４に移送し、膜厚を
測定し、プッシャーインデクサー７２５に移送して載せ
る。
【００９０】次に、第３ロボット７２４は、プッシャー
インデクサー７２５から半導体基板Ｗを取り上げ、第１
洗浄機７０９に搬入する。第３ロボット７２４は、第１
洗浄機７０９から洗浄された半導体基板Ｗを取り上げ、
第２洗浄機７０７に搬入し、洗浄し乾燥した半導体基板
を基板載置台７２２上に載置する。次に、第１ロボット
７０３は、半導体基板Ｗを取り上げ乾燥状態膜厚測定機
７１３で膜厚を測定し、ロード・アンロード部７０１の
アンロードポートに載置されているカセット７０１−１
に収納する。
インデクサー７２５から半導体基板Ｗを取り上げ、第１
洗浄機７０９に搬入する。第３ロボット７２４は、第１
洗浄機７０９から洗浄された半導体基板Ｗを取り上げ、
第２洗浄機７０７に搬入し、洗浄し乾燥した半導体基板
を基板載置台７２２上に載置する。次に、第１ロボット
７０３は、半導体基板Ｗを取り上げ乾燥状態膜厚測定機
７１３で膜厚を測定し、ロード・アンロード部７０１の
アンロードポートに載置されているカセット７０１−１
に収納する。
【００９１】図２１に示す基板処理装置においても、回
路パターンのコンタクトホール又は溝が形成された半導
体基板Ｗ上にバリア層、シード層及び銅めっき膜を形成
して、研磨して回路配線を形成することができる。バリ
ア層形成前の半導体基板Ｗを収容したカセット７０１−
１を、ロード・アンロード部７０１のロードポートに載
置する。そして、第１ロボット７０３でロード・アンロ
ード部７０１のロードポートに載置されているカセット
７０１−１から、半導体基板Ｗを取り出して基板載置台
７２１に載せる。次に、第２ロボット７２３は、半導体
基板Ｗをシード層成膜ユニット７２７に搬送し、バリア
層とシード層を成膜する。このバリア層とシード層の成
膜は、無電解めっきで行う。第２ロボット７２３は、め
っき前後膜厚測定機７１２で半導体基板Ｗに形成された
バリア層とシード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、銅
めっきユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成す
る。
路パターンのコンタクトホール又は溝が形成された半導
体基板Ｗ上にバリア層、シード層及び銅めっき膜を形成
して、研磨して回路配線を形成することができる。バリ
ア層形成前の半導体基板Ｗを収容したカセット７０１−
１を、ロード・アンロード部７０１のロードポートに載
置する。そして、第１ロボット７０３でロード・アンロ
ード部７０１のロードポートに載置されているカセット
７０１−１から、半導体基板Ｗを取り出して基板載置台
７２１に載せる。次に、第２ロボット７２３は、半導体
基板Ｗをシード層成膜ユニット７２７に搬送し、バリア
層とシード層を成膜する。このバリア層とシード層の成
膜は、無電解めっきで行う。第２ロボット７２３は、め
っき前後膜厚測定機７１２で半導体基板Ｗに形成された
バリア層とシード層の膜厚を測定する。膜厚測定後、銅
めっきユニット７０２に搬入し、銅めっき膜を形成す
る。
【００９２】図２２は、基板処理装置の他の平面配置構
成を示す図である。この基板処理装置は、バリア層成膜
ユニット８１１、シード層成膜ユニット８１２、めっき
ユニット８１３、アニールユニット８１４、第１洗浄ユ
ニット８１５、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６、蓋め
っきユニット８１７、第２洗浄ユニット８１８、第１ア
ライナ兼膜厚測定器８４１、第２アライナ兼膜厚測定器
８４２、第１基板反転機８４３、第２基板反転機８４
４、基板仮置き台８４５、第３膜厚測定器８４６、ロー
ド・アンロード部８２０、第１ポリッシング装置８２
１、第２ポリッシング装置８２２、第１ロボット８３
１、第２ロボット８３２、第３ロボット８３３、第４ロ
ボット８３４を配置した構成である。なお、膜厚測定器
８４１，８４２，８４６はユニットになっており、他の
ユニット（めっき、洗浄、アニール等のユニット）の間
口寸法と同一サイズにしているため、入れ替え自在であ
る。この例では、バリア層成膜ユニット８１１は、無電
解Ｒｕめっき装置、シード層成膜ユニット８１２は、無
電解銅めっき装置、めっきユニット８１３は、電解めっ
き装置を用いることができる。
成を示す図である。この基板処理装置は、バリア層成膜
ユニット８１１、シード層成膜ユニット８１２、めっき
ユニット８１３、アニールユニット８１４、第１洗浄ユ
ニット８１５、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６、蓋め
っきユニット８１７、第２洗浄ユニット８１８、第１ア
ライナ兼膜厚測定器８４１、第２アライナ兼膜厚測定器
８４２、第１基板反転機８４３、第２基板反転機８４
４、基板仮置き台８４５、第３膜厚測定器８４６、ロー
ド・アンロード部８２０、第１ポリッシング装置８２
１、第２ポリッシング装置８２２、第１ロボット８３
１、第２ロボット８３２、第３ロボット８３３、第４ロ
ボット８３４を配置した構成である。なお、膜厚測定器
８４１，８４２，８４６はユニットになっており、他の
ユニット（めっき、洗浄、アニール等のユニット）の間
口寸法と同一サイズにしているため、入れ替え自在であ
る。この例では、バリア層成膜ユニット８１１は、無電
解Ｒｕめっき装置、シード層成膜ユニット８１２は、無
電解銅めっき装置、めっきユニット８１３は、電解めっ
き装置を用いることができる。
【００９３】図２３は、この基板処理装置内での各工程
の流れを示すフローチャートである。このフローチャー
トにしたがって、この装置内での各工程について説明す
る。先ず、第１ロボット８３１によりロード・アンロー
ドユニット８２０に載置されたカセット８２０ａから取
り出された半導体基板は、第１アライナ兼膜厚測定ユニ
ット８４１内に被めっき面を上にして配置される。ここ
で、膜厚計測を行うポジションの基準点を定めるため
に、膜厚計測用のノッチアライメントを行った後、銅膜
形成前の半導体基板の膜厚データを得る。
の流れを示すフローチャートである。このフローチャー
トにしたがって、この装置内での各工程について説明す
る。先ず、第１ロボット８３１によりロード・アンロー
ドユニット８２０に載置されたカセット８２０ａから取
り出された半導体基板は、第１アライナ兼膜厚測定ユニ
ット８４１内に被めっき面を上にして配置される。ここ
で、膜厚計測を行うポジションの基準点を定めるため
に、膜厚計測用のノッチアライメントを行った後、銅膜
形成前の半導体基板の膜厚データを得る。
【００９４】次に、半導体基板は、第１ロボット８３１
により、バリア層成膜ユニット８１１へ搬送される。こ
のバリア層成膜ユニット８１１は、無電解Ｒｕめっきに
より半導体基板上にバリア層を形成する装置で、半導体
装置の層間絶縁膜（例えば、ＳｉＯ２）への銅拡散防止
膜としてＲｕを成膜する。洗浄、乾燥工程を経て払い出
された半導体基板は、第１ロボット８３１により第１ア
ライナ兼膜厚測定ユニット８４１に搬送され、半導体基
板の膜厚、即ちバリア層の膜厚を測定される。
により、バリア層成膜ユニット８１１へ搬送される。こ
のバリア層成膜ユニット８１１は、無電解Ｒｕめっきに
より半導体基板上にバリア層を形成する装置で、半導体
装置の層間絶縁膜（例えば、ＳｉＯ２）への銅拡散防止
膜としてＲｕを成膜する。洗浄、乾燥工程を経て払い出
された半導体基板は、第１ロボット８３１により第１ア
ライナ兼膜厚測定ユニット８４１に搬送され、半導体基
板の膜厚、即ちバリア層の膜厚を測定される。
【００９５】膜厚測定された半導体基板は、第２ロボッ
ト８３２でシード層成膜ユニット８１２へ搬入され、前
記バリア層上に無電解銅めっきによりシード層が成膜さ
れる。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板
は、第２ロボット８３２により含浸めっきユニットであ
るめっきユニット８１３に搬送される前に、ノッチ位置
を定めるために第２アライナ兼膜厚測定器８４２に搬送
され、銅めっき用のノッチのアライメントを行う。ここ
で、必要に応じて銅膜形成前の半導体基板の膜厚を再計
測してもよい。
ト８３２でシード層成膜ユニット８１２へ搬入され、前
記バリア層上に無電解銅めっきによりシード層が成膜さ
れる。洗浄、乾燥工程を経て払い出された半導体基板
は、第２ロボット８３２により含浸めっきユニットであ
るめっきユニット８１３に搬送される前に、ノッチ位置
を定めるために第２アライナ兼膜厚測定器８４２に搬送
され、銅めっき用のノッチのアライメントを行う。ここ
で、必要に応じて銅膜形成前の半導体基板の膜厚を再計
測してもよい。
【００９６】ノッチアライメントが完了した半導体基板
は、第３ロボット８３３によりめっきユニット８１３へ
搬送され、銅めっきが施される。洗浄、乾燥工程を経て
払い出された半導体基板は、第３ロボット８３３により
半導体基板端部の不要な銅膜（シード層）を除去するた
めにベベル・裏面洗浄ユニット８１６へ搬送される。ベ
ベル・裏面洗浄ユニット８１６では、予め設定された時
間でベベルのエッチングを行うとともに、半導体基板裏
面に付着した銅をフッ酸等の薬液により洗浄する。この
時、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６へ搬送する前に、
第２アライナ兼膜厚測定器８４２にて半導体基板の膜厚
測定を実施して、めっきにより形成された銅膜厚の値を
得ておき、その結果により、ベベルのエッチング時間を
任意に変えてエッチングを行っても良い。なお、ベベル
エッチングによりエッチングされる領域は、基板の周縁
部であって回路が形成されない領域、または回路が形成
されていても最終的にチップとして利用されない領域で
ある。この領域にはベベル部分が含まれる。
は、第３ロボット８３３によりめっきユニット８１３へ
搬送され、銅めっきが施される。洗浄、乾燥工程を経て
払い出された半導体基板は、第３ロボット８３３により
半導体基板端部の不要な銅膜（シード層）を除去するた
めにベベル・裏面洗浄ユニット８１６へ搬送される。ベ
ベル・裏面洗浄ユニット８１６では、予め設定された時
間でベベルのエッチングを行うとともに、半導体基板裏
面に付着した銅をフッ酸等の薬液により洗浄する。この
時、ベベル・裏面洗浄ユニット８１６へ搬送する前に、
第２アライナ兼膜厚測定器８４２にて半導体基板の膜厚
測定を実施して、めっきにより形成された銅膜厚の値を
得ておき、その結果により、ベベルのエッチング時間を
任意に変えてエッチングを行っても良い。なお、ベベル
エッチングによりエッチングされる領域は、基板の周縁
部であって回路が形成されない領域、または回路が形成
されていても最終的にチップとして利用されない領域で
ある。この領域にはベベル部分が含まれる。
【００９７】ベベル・裏面洗浄ユニット８１６で洗浄、
乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第３ロボッ
ト８３３で基板反転機８４３に搬送され、該基板反転機
８４３にて反転され、被めっき面を下方に向けた後、第
４ロボット８３４により配線部を安定化させるためにア
ニールユニット８１４へ投入される。アニール処理前及
び／又は処理後、第２アライナ兼膜厚測定ユニット８４
２に搬入し、半導体基板に形成された、銅膜の膜厚を計
測する。この後、半導体基板は、第４ロボット８３４に
より第１ポリッシング装置８２１に搬入され、半導体基
板の銅層、シード層の研磨を行う。
乾燥工程を経て払い出された半導体基板は、第３ロボッ
ト８３３で基板反転機８４３に搬送され、該基板反転機
８４３にて反転され、被めっき面を下方に向けた後、第
４ロボット８３４により配線部を安定化させるためにア
ニールユニット８１４へ投入される。アニール処理前及
び／又は処理後、第２アライナ兼膜厚測定ユニット８４
２に搬入し、半導体基板に形成された、銅膜の膜厚を計
測する。この後、半導体基板は、第４ロボット８３４に
より第１ポリッシング装置８２１に搬入され、半導体基
板の銅層、シード層の研磨を行う。
【００９８】この際、砥粒等は所望のものが用いられる
が、ディッシングを防ぎ、表面の平面度を出すために、
固定砥粒を用いることもできる。第１ポリッシング終了
後、半導体基板は、第４ロボット８３４により第１洗浄
ユニット８１５に搬送され、洗浄される。この洗浄は、
半導体基板直径とほぼ同じ長さを有するロールを半導体
基板の表面と裏面に配置し、半導体基板及びロールを回
転させつつ、純水又は脱イオン水を流しながら洗浄する
スクラブ洗浄である。
が、ディッシングを防ぎ、表面の平面度を出すために、
固定砥粒を用いることもできる。第１ポリッシング終了
後、半導体基板は、第４ロボット８３４により第１洗浄
ユニット８１５に搬送され、洗浄される。この洗浄は、
半導体基板直径とほぼ同じ長さを有するロールを半導体
基板の表面と裏面に配置し、半導体基板及びロールを回
転させつつ、純水又は脱イオン水を流しながら洗浄する
スクラブ洗浄である。
【００９９】第１の洗浄終了後、半導体基板は、第４ロ
ボット８３４により第２ポリッシング装置８２２に搬入
され、半導体基板上のバリア層が研磨される。この際、
砥粒等は所望のものが用いられるが、ディッシングを防
ぎ、表面の平面度を出すために、固定砥粒を用いること
もできる。第２ポリッシング終了後、半導体基板は、第
４ロボット８３４により、再度第１洗浄ユニット８１５
に搬送され、スクラブ洗浄される。洗浄終了後、半導体
基板は、第４ロボット８３４により第２基板反転機８４
４に搬送され反転されて、被めっき面を上方に向けら
れ、更に第３ロボット８３３により基板仮置き台８４５
に置かれる。
ボット８３４により第２ポリッシング装置８２２に搬入
され、半導体基板上のバリア層が研磨される。この際、
砥粒等は所望のものが用いられるが、ディッシングを防
ぎ、表面の平面度を出すために、固定砥粒を用いること
もできる。第２ポリッシング終了後、半導体基板は、第
４ロボット８３４により、再度第１洗浄ユニット８１５
に搬送され、スクラブ洗浄される。洗浄終了後、半導体
基板は、第４ロボット８３４により第２基板反転機８４
４に搬送され反転されて、被めっき面を上方に向けら
れ、更に第３ロボット８３３により基板仮置き台８４５
に置かれる。
【０１００】半導体基板は、第２ロボット８３２により
基板仮置き台８４５から蓋めっきユニット８１７に搬送
され、銅の大気による酸化防止を目的に銅面上にニッケ
ル・ボロンめっきを行う。蓋めっきが施された半導体基
板は、第２ロボット８３２により蓋めっきユニット８１
７から第３膜厚測定器８４６に搬入され、銅膜厚が測定
される。その後、半導体基板は、第１ロボット８３１に
より第２洗浄ユニット８１８に搬入され、純水又は脱イ
オン水により洗浄される。洗浄が終了した半導体基板
は、台１ロボット８３１によりロード・アンロード部８
２０に載置されたカセット８２０ａ内に戻される。アラ
イナ兼膜厚測定器８４１及びアライナ兼膜厚測定器８４
２は、基板ノッチ部分の位置決め及び膜厚の測定を行
う。
基板仮置き台８４５から蓋めっきユニット８１７に搬送
され、銅の大気による酸化防止を目的に銅面上にニッケ
ル・ボロンめっきを行う。蓋めっきが施された半導体基
板は、第２ロボット８３２により蓋めっきユニット８１
７から第３膜厚測定器８４６に搬入され、銅膜厚が測定
される。その後、半導体基板は、第１ロボット８３１に
より第２洗浄ユニット８１８に搬入され、純水又は脱イ
オン水により洗浄される。洗浄が終了した半導体基板
は、台１ロボット８３１によりロード・アンロード部８
２０に載置されたカセット８２０ａ内に戻される。アラ
イナ兼膜厚測定器８４１及びアライナ兼膜厚測定器８４
２は、基板ノッチ部分の位置決め及び膜厚の測定を行
う。
【０１０１】ベベル・裏面洗浄ユニット８１６は、エッ
ジ（ベベル）銅エッチングと裏面洗浄が同時に行え、ま
た基板表面の回路形成部の銅の自然酸化膜の成長を抑え
ることが可能である。図２４に、ベベル・裏面洗浄ユニ
ット８１６の概略図を示す。図２４に示すように、ベベ
ル・裏面洗浄ユニット８１６は、有底円筒状の防水カバ
ー９２０の内部に位置して基板Ｗをフェースアップでそ
の周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック
９２１により水平に保持して高速回転させる基板保持部
９２２と、この基板保持部９２２で保持された基板Ｗの
表面側のほぼ中央部上方に配置されたセンタノズル９２
４と、基板Ｗの周縁部の上方に配置されたエッジノズル
９２６とを備えている。センタノズル９２４及びエッジ
ノズル９２６は、それぞれ下向きで配置されている。ま
た基板Ｗの裏面側のほぼ中央部の下方に位置して、バッ
クノズル９２８が上向きで配置されている。前記エッジ
ノズル９２６は、基板Ｗの直径方向及び高さ方向を移動
自在に構成されている。
ジ（ベベル）銅エッチングと裏面洗浄が同時に行え、ま
た基板表面の回路形成部の銅の自然酸化膜の成長を抑え
ることが可能である。図２４に、ベベル・裏面洗浄ユニ
ット８１６の概略図を示す。図２４に示すように、ベベ
ル・裏面洗浄ユニット８１６は、有底円筒状の防水カバ
ー９２０の内部に位置して基板Ｗをフェースアップでそ
の周縁部の円周方向に沿った複数箇所でスピンチャック
９２１により水平に保持して高速回転させる基板保持部
９２２と、この基板保持部９２２で保持された基板Ｗの
表面側のほぼ中央部上方に配置されたセンタノズル９２
４と、基板Ｗの周縁部の上方に配置されたエッジノズル
９２６とを備えている。センタノズル９２４及びエッジ
ノズル９２６は、それぞれ下向きで配置されている。ま
た基板Ｗの裏面側のほぼ中央部の下方に位置して、バッ
クノズル９２８が上向きで配置されている。前記エッジ
ノズル９２６は、基板Ｗの直径方向及び高さ方向を移動
自在に構成されている。
【０１０２】このエッジノズル９２６の移動幅Ｌは、基
板の外周端面から中心部方向に任意の位置決めが可能に
なっていて、基板Ｗの大きさや使用目的等に合わせて、
設定値の入力を行う。通常、２ｍｍから５ｍｍの範囲で
エッジカット幅Ｃを設定し、裏面から表面への液の回り
込み量が問題にならない回転数以上であれば、その設定
されたカット幅Ｃ内の銅膜を除去することができる。
板の外周端面から中心部方向に任意の位置決めが可能に
なっていて、基板Ｗの大きさや使用目的等に合わせて、
設定値の入力を行う。通常、２ｍｍから５ｍｍの範囲で
エッジカット幅Ｃを設定し、裏面から表面への液の回り
込み量が問題にならない回転数以上であれば、その設定
されたカット幅Ｃ内の銅膜を除去することができる。
【０１０３】次に、この洗浄装置による洗浄方法につい
て説明する。まず、スピンチャック９２１を介して基板
を基板保持部９２２で水平に保持した状態で、半導体基
板Ｗを基板保持部９２２と一体に水平回転させる。この
状態で、センタノズル９２４から基板Ｗの表面側の中央
部に酸溶液を供給する。この酸溶液としては非酸化性の
酸であればよく、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、クエン
酸、蓚酸等を用いる。一方、エッジノズル９２６から基
板Ｗの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給
する。この酸化剤溶液としては、オゾン水、過酸化水素
水、硝酸水、次亜塩素酸ナトリウム水等のいずれかを用
いるか、またはそれらの組み合わせを用いる。
て説明する。まず、スピンチャック９２１を介して基板
を基板保持部９２２で水平に保持した状態で、半導体基
板Ｗを基板保持部９２２と一体に水平回転させる。この
状態で、センタノズル９２４から基板Ｗの表面側の中央
部に酸溶液を供給する。この酸溶液としては非酸化性の
酸であればよく、例えばフッ酸、塩酸、硫酸、クエン
酸、蓚酸等を用いる。一方、エッジノズル９２６から基
板Ｗの周縁部に酸化剤溶液を連続的または間欠的に供給
する。この酸化剤溶液としては、オゾン水、過酸化水素
水、硝酸水、次亜塩素酸ナトリウム水等のいずれかを用
いるか、またはそれらの組み合わせを用いる。
【０１０４】これにより、半導体基板Ｗの周縁部のエッ
ジカット幅Ｃの領域では上面及び端面に成膜された銅膜
等は酸化剤溶液で急速に酸化され、同時にセンタノズル
９２４から供給されて基板の表面全面に拡がる酸溶液に
よってエッチングされ溶解除去される。このように、基
板周縁部で酸溶液と酸化剤溶液を混合させることで、予
めそれらの混合水をノズルから供給するのに比べて急峻
なエッチングプロフィールを得ることができる。このと
きそれらの濃度により銅のエッチングレートが決定され
る。また、基板の表面の回路形成部に銅の自然酸化膜が
形成されていた場合、この自然酸化物は基板の回転に伴
って基板の表面全面に亘って広がる酸溶液で直ちに除去
されて成長することはない。なお、センタノズル９２４
からの酸溶液の供給を停止した後、エッジノズル９２６
からの酸化剤溶液の供給を停止することで、表面に露出
しているシリコンを酸化して、銅の付着を抑制すること
ができる。
ジカット幅Ｃの領域では上面及び端面に成膜された銅膜
等は酸化剤溶液で急速に酸化され、同時にセンタノズル
９２４から供給されて基板の表面全面に拡がる酸溶液に
よってエッチングされ溶解除去される。このように、基
板周縁部で酸溶液と酸化剤溶液を混合させることで、予
めそれらの混合水をノズルから供給するのに比べて急峻
なエッチングプロフィールを得ることができる。このと
きそれらの濃度により銅のエッチングレートが決定され
る。また、基板の表面の回路形成部に銅の自然酸化膜が
形成されていた場合、この自然酸化物は基板の回転に伴
って基板の表面全面に亘って広がる酸溶液で直ちに除去
されて成長することはない。なお、センタノズル９２４
からの酸溶液の供給を停止した後、エッジノズル９２６
からの酸化剤溶液の供給を停止することで、表面に露出
しているシリコンを酸化して、銅の付着を抑制すること
ができる。
【０１０５】一方、バックノズル９２８から基板の裏面
中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤とを
同時または交互に供給する。これにより半導体基板Ｗの
裏面側に金属状で付着している銅等を基板のシリコンご
と酸化剤溶液で酸化しシリコン酸化膜エッチング剤でエ
ッチングして除去することができる。なおこの酸化剤溶
液としては表面に供給する酸化剤溶液と同じものにする
方が薬品の種類を少なくする上で好ましい。またシリコ
ン酸化膜エッチング剤としては、フッ酸を用いることが
でき、基板の表面側の酸溶液もフッ酸を用いると薬品の
種類を少なくすることができる。これにより、酸化剤供
給を先に停止すれば疎水面が得られ、エッチング剤溶液
を先に停止すれば飽水面（親水面）が得られて、その後
のプロセスの要求に応じた裏面に調整することもでき
る。
中央部に酸化剤溶液とシリコン酸化膜エッチング剤とを
同時または交互に供給する。これにより半導体基板Ｗの
裏面側に金属状で付着している銅等を基板のシリコンご
と酸化剤溶液で酸化しシリコン酸化膜エッチング剤でエ
ッチングして除去することができる。なおこの酸化剤溶
液としては表面に供給する酸化剤溶液と同じものにする
方が薬品の種類を少なくする上で好ましい。またシリコ
ン酸化膜エッチング剤としては、フッ酸を用いることが
でき、基板の表面側の酸溶液もフッ酸を用いると薬品の
種類を少なくすることができる。これにより、酸化剤供
給を先に停止すれば疎水面が得られ、エッチング剤溶液
を先に停止すれば飽水面（親水面）が得られて、その後
のプロセスの要求に応じた裏面に調整することもでき
る。
【０１０６】このように酸溶液すなわちエッチング液を
基板に供給して、基板Ｗの表面に残留する金属イオンを
除去した後、更に純水を供給して、純水置換を行ってエ
ッチング液を除去し、その後、スピン乾燥を行う。この
ようにして半導体基板表面の周縁部のエッジカット幅Ｃ
内の銅膜の除去と裏面の銅汚染除去を同時に行って、こ
の処理を、例えば８０秒以内に完了させることができ
る。なお、エッジのエッジカット幅を任意（２ｍｍ〜５
ｍｍ）に設定することが可能であるが、エッチングに要
する時間はカット幅に依存しない。
基板に供給して、基板Ｗの表面に残留する金属イオンを
除去した後、更に純水を供給して、純水置換を行ってエ
ッチング液を除去し、その後、スピン乾燥を行う。この
ようにして半導体基板表面の周縁部のエッジカット幅Ｃ
内の銅膜の除去と裏面の銅汚染除去を同時に行って、こ
の処理を、例えば８０秒以内に完了させることができ
る。なお、エッジのエッジカット幅を任意（２ｍｍ〜５
ｍｍ）に設定することが可能であるが、エッチングに要
する時間はカット幅に依存しない。
【０１０７】めっき後のＣＭＰ工程前に、アニール処理
を行うことが、この後のＣＭＰ処理や配線の電気特性に
対して良い効果を示す。アニール無しでＣＭＰ処理後に
幅の広い配線（数μｍ単位）の表面を観察するとマイク
ロボイドのような欠陥が多数見られ、配線全体の電気抵
抗を増加させたが、アニールを行うことでこの電気抵抗
の増加は改善された。アニール無しの場合に、細い配線
にはボイドが見られなかったことより、粒成長の度合い
が関わっていることが考えられる。つまり、細い配線で
は粒成長が起こりにくいが、幅の広い配線では粒成長に
伴い、アニール処理に伴うグレン成長の過程で、めっき
膜中のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）でも見えないほどの
超微細ポアが集結しつつ上へ移動することで配線上部に
マイクロボイド用の凹みが生じたという推測ができる。
アニールユニットのアニール条件としては、ガスの雰囲
気は水素を添加（２％以下）、温度は３００〜４００℃
程度で１〜５分間で上記の効果が得られた。
を行うことが、この後のＣＭＰ処理や配線の電気特性に
対して良い効果を示す。アニール無しでＣＭＰ処理後に
幅の広い配線（数μｍ単位）の表面を観察するとマイク
ロボイドのような欠陥が多数見られ、配線全体の電気抵
抗を増加させたが、アニールを行うことでこの電気抵抗
の増加は改善された。アニール無しの場合に、細い配線
にはボイドが見られなかったことより、粒成長の度合い
が関わっていることが考えられる。つまり、細い配線で
は粒成長が起こりにくいが、幅の広い配線では粒成長に
伴い、アニール処理に伴うグレン成長の過程で、めっき
膜中のＳＥＭ（走査型電子顕微鏡）でも見えないほどの
超微細ポアが集結しつつ上へ移動することで配線上部に
マイクロボイド用の凹みが生じたという推測ができる。
アニールユニットのアニール条件としては、ガスの雰囲
気は水素を添加（２％以下）、温度は３００〜４００℃
程度で１〜５分間で上記の効果が得られた。
【０１０８】図２７及び図２８は、アニールユニット８
１４を示すものである。このアニールユニット８１４
は、半導体基板Ｗを出し入れするゲート１０００を有す
るチャンバ１００２の内部に位置して、半導体基板Ｗ
を、例えば４００℃に加熱するホットプレート１００４
と、例えば冷却水を流して半導体基板Ｗを冷却するクー
ルプレート１００６が上下に配置されている。また、ク
ールプレート１００６の内部を貫通して上下方向に延
び、上端に半導体基板Ｗを載置保持する複数の昇降ピン
１００８が昇降自在に配置されている。更に、アニール
時に半導体基板Ｗとホットプレート１００８との間に酸
化防止用のガスを導入するガス導入管１０１０と、該ガ
ス導入管１０１０から導入され、半導体基板Ｗとホット
プレート１００４との間を流れたガスを排気するガス排
気管１０１２がホットプレート１００４を挟んで互いに
対峙する位置に配置されている。
１４を示すものである。このアニールユニット８１４
は、半導体基板Ｗを出し入れするゲート１０００を有す
るチャンバ１００２の内部に位置して、半導体基板Ｗ
を、例えば４００℃に加熱するホットプレート１００４
と、例えば冷却水を流して半導体基板Ｗを冷却するクー
ルプレート１００６が上下に配置されている。また、ク
ールプレート１００６の内部を貫通して上下方向に延
び、上端に半導体基板Ｗを載置保持する複数の昇降ピン
１００８が昇降自在に配置されている。更に、アニール
時に半導体基板Ｗとホットプレート１００８との間に酸
化防止用のガスを導入するガス導入管１０１０と、該ガ
ス導入管１０１０から導入され、半導体基板Ｗとホット
プレート１００４との間を流れたガスを排気するガス排
気管１０１２がホットプレート１００４を挟んで互いに
対峙する位置に配置されている。
【０１０９】ガス導入管１０１０は、内部にフィルタ１
０１４ａを有するＮ２ガス導入路１０１６内を流れるＮ
２ガスと、内部にフィルタ１０１４ｂを有するＨ２ガス
導入路１０１８内を流れるＨ２ガスとを混合器１０２０
で混合し、この混合器１０２０で混合したガスが流れる
混合ガス導入路１０２２に接続されている。
０１４ａを有するＮ２ガス導入路１０１６内を流れるＮ
２ガスと、内部にフィルタ１０１４ｂを有するＨ２ガス
導入路１０１８内を流れるＨ２ガスとを混合器１０２０
で混合し、この混合器１０２０で混合したガスが流れる
混合ガス導入路１０２２に接続されている。
【０１１０】これにより、ゲート１０００を通じてチャ
ンバ１００２の内部に搬入した半導体基板Ｗを昇降ピン
１００８で保持し、昇降ピン１００８を該昇降ピン１０
０８で保持した半導体基板Ｗとホットプレート１００４
との距離が、例えば０．１〜１．０ｍｍ程度となるまで
上昇させる。この状態で、ホットプレート１００４を介
して半導体基板Ｗを、例えば４００℃となるように加熱
し、同時にガス導入管１０１０から酸化防止用のガスを
導入して半導体基板Ｗとホットプレート１００４との間
を流してガス排気管１０１２から排気する。これによっ
て、酸化を防止しつつ半導体基板Ｗをアニールし、この
アニールを、例えば数十秒〜６０秒程度継続してアニー
ルを終了する。基板の加熱温度は１００〜６００℃が選
択される。
ンバ１００２の内部に搬入した半導体基板Ｗを昇降ピン
１００８で保持し、昇降ピン１００８を該昇降ピン１０
０８で保持した半導体基板Ｗとホットプレート１００４
との距離が、例えば０．１〜１．０ｍｍ程度となるまで
上昇させる。この状態で、ホットプレート１００４を介
して半導体基板Ｗを、例えば４００℃となるように加熱
し、同時にガス導入管１０１０から酸化防止用のガスを
導入して半導体基板Ｗとホットプレート１００４との間
を流してガス排気管１０１２から排気する。これによっ
て、酸化を防止しつつ半導体基板Ｗをアニールし、この
アニールを、例えば数十秒〜６０秒程度継続してアニー
ルを終了する。基板の加熱温度は１００〜６００℃が選
択される。
【０１１１】アニール終了後、昇降ピン１００８を該昇
降ピン１００８で保持した半導体基板Ｗとクールプレー
ト１００６との距離が、例えば０〜０．５ｍｍ程度とな
るまで下降させる。この状態で、クールプレート１００
６内に冷却水を導入することで、半導体基板Ｗの温度が
１００℃以下となるまで、例えば１０〜６０秒程度、半
導体基板を冷却し、この冷却終了後の半導体基板を次工
程に搬送する。なお、この例では、酸化防止用のガスと
して、Ｎ２ガスと数％のＨ２ガスを混合した混合ガスを
流すようにしているが、Ｎ２ガスのみを流すようにして
もよい。
降ピン１００８で保持した半導体基板Ｗとクールプレー
ト１００６との距離が、例えば０〜０．５ｍｍ程度とな
るまで下降させる。この状態で、クールプレート１００
６内に冷却水を導入することで、半導体基板Ｗの温度が
１００℃以下となるまで、例えば１０〜６０秒程度、半
導体基板を冷却し、この冷却終了後の半導体基板を次工
程に搬送する。なお、この例では、酸化防止用のガスと
して、Ｎ２ガスと数％のＨ２ガスを混合した混合ガスを
流すようにしているが、Ｎ２ガスのみを流すようにして
もよい。
【０１１２】図２５は、無電解めっき装置の概略構成図
である。図２５に示すように、この無電解めっき装置
は、被めっき部材である半導体基板Ｗをその上面に保持
する保持手段９１１と、保持手段９１１に保持された半
導体基板Ｗの被めっき面（上面）の周縁部に当接して該
周縁部をシールする堰部材９３１と、堰部材９３１でそ
の周縁部をシールされた半導体基板Ｗの被めっき面にめ
っき液を供給するシャワーヘッド９４１を備えている。
無電解めっき装置は、さらに保持手段９１１の上部外周
近傍に設置されて半導体基板Ｗの被めっき面に洗浄液を
供給する洗浄液供給手段９５１と、排出された洗浄液等
（めっき廃液）を回収する回収容器９６１と、半導体基
板Ｗ上に保持しためっき液を吸引して回収するめっき液
回収ノズル９６５と、前記保持手段９１１を回転駆動す
るモータＭとを備えている。以下、各部材について説明
する。
である。図２５に示すように、この無電解めっき装置
は、被めっき部材である半導体基板Ｗをその上面に保持
する保持手段９１１と、保持手段９１１に保持された半
導体基板Ｗの被めっき面（上面）の周縁部に当接して該
周縁部をシールする堰部材９３１と、堰部材９３１でそ
の周縁部をシールされた半導体基板Ｗの被めっき面にめ
っき液を供給するシャワーヘッド９４１を備えている。
無電解めっき装置は、さらに保持手段９１１の上部外周
近傍に設置されて半導体基板Ｗの被めっき面に洗浄液を
供給する洗浄液供給手段９５１と、排出された洗浄液等
（めっき廃液）を回収する回収容器９６１と、半導体基
板Ｗ上に保持しためっき液を吸引して回収するめっき液
回収ノズル９６５と、前記保持手段９１１を回転駆動す
るモータＭとを備えている。以下、各部材について説明
する。
【０１１３】保持手段９１１は、その上面に半導体基板
Ｗを載置して保持する基板載置部９１３を設けている。
この基板載置部９１３は、半導体基板Ｗを載置して固定
するように構成されており、具体的には半導体基板Ｗを
その裏面側に真空吸着する図示しない真空吸着機構を設
置している。一方、基板載置部９１３の裏面側には、面
状であって半導体基板Ｗの被めっき面を下面側から暖め
て保温する裏面ヒータ９１５が設置されている。この裏
面ヒータ９１５は、例えばラバーヒータによって構成さ
れている。この保持手段９１１は、モータＭによって回
転駆動されると共に、図示しない昇降手段によって上下
動できるように構成されている。堰部材９３１は、筒状
であってその下部に半導体基板Ｗの外周縁をシールする
シール部９３３を設け、図示の位置から上下動しないよ
うに設置されている。
Ｗを載置して保持する基板載置部９１３を設けている。
この基板載置部９１３は、半導体基板Ｗを載置して固定
するように構成されており、具体的には半導体基板Ｗを
その裏面側に真空吸着する図示しない真空吸着機構を設
置している。一方、基板載置部９１３の裏面側には、面
状であって半導体基板Ｗの被めっき面を下面側から暖め
て保温する裏面ヒータ９１５が設置されている。この裏
面ヒータ９１５は、例えばラバーヒータによって構成さ
れている。この保持手段９１１は、モータＭによって回
転駆動されると共に、図示しない昇降手段によって上下
動できるように構成されている。堰部材９３１は、筒状
であってその下部に半導体基板Ｗの外周縁をシールする
シール部９３３を設け、図示の位置から上下動しないよ
うに設置されている。
【０１１４】シャワーヘッド９４１は、先端に多数のノ
ズルを設けることで、供給されためっき液をシャワー状
に分散して半導体基板Ｗの被めっき面に略均一に供給す
る構造のものである。また洗浄液供給手段９５１は、ノ
ズル９５３から洗浄液を噴出する構造である。めっき液
回収ノズル９６５は、上下動且つ旋回できるように構成
されていて、その先端が半導体基板Ｗの上面周縁部の堰
部材９３１の内側に下降して半導体基板Ｗ上のめっき液
を吸引するように構成されている。
ズルを設けることで、供給されためっき液をシャワー状
に分散して半導体基板Ｗの被めっき面に略均一に供給す
る構造のものである。また洗浄液供給手段９５１は、ノ
ズル９５３から洗浄液を噴出する構造である。めっき液
回収ノズル９６５は、上下動且つ旋回できるように構成
されていて、その先端が半導体基板Ｗの上面周縁部の堰
部材９３１の内側に下降して半導体基板Ｗ上のめっき液
を吸引するように構成されている。
【０１１５】次に、この無電解めっき装置の動作を説明
する。まず図示の状態よりも保持手段９１１を下降して
堰部材９３１との間に所定寸法の隙間を設け、基板載置
部９１３に半導体基板Ｗを載置・固定する。半導体基板
Ｗとしては例えばφ８インチ基板を用いる。次に、保持
手段９１１を上昇して図示のようにその上面を堰部材９
３１の下面に当接させ、同時に半導体基板Ｗの外周を堰
部材９３１のシール部９３３によってシールする。この
とき半導体基板Ｗの表面は開放された状態となってい
る。
する。まず図示の状態よりも保持手段９１１を下降して
堰部材９３１との間に所定寸法の隙間を設け、基板載置
部９１３に半導体基板Ｗを載置・固定する。半導体基板
Ｗとしては例えばφ８インチ基板を用いる。次に、保持
手段９１１を上昇して図示のようにその上面を堰部材９
３１の下面に当接させ、同時に半導体基板Ｗの外周を堰
部材９３１のシール部９３３によってシールする。この
とき半導体基板Ｗの表面は開放された状態となってい
る。
【０１１６】次に、裏面ヒータ９１５によって半導体基
板Ｗ自体を直接加熱して、例えば半導体基板Ｗの温度を
７０℃にし（めっき終了まで維持する）、次に、シャワ
ーヘッド９４１から、例えば５０℃に加熱されためっき
液を噴出して半導体基板Ｗの表面の略全体にめっき液を
降り注ぐ。半導体基板Ｗの表面は、堰部材９３１によっ
て囲まれているので、注入しためっき液は全て半導体基
板Ｗの表面に保持される。供給するめっき液の量は、半
導体基板Ｗの表面に１ｍｍ厚（約３０ｍｌ）となる程度
の少量で良い。なお被めっき面上に保持するめっき液の
深さは１０ｍｍ以下であれば良く、この例のように１ｍ
ｍでも良い。この例のように供給するめっき液が少量で
済めばこれを加熱する加熱装置も小型のもので良くな
る。そしてこの例においては、半導体基板Ｗの温度を７
０℃に、めっき液の温度を５０℃に加熱しているので、
半導体基板Ｗの被めっき面は例えば６０℃になり、この
例におけるめっき反応に最適な温度にできる。このよう
に半導体基板Ｗ自体を加熱するように構成すれば、加熱
するのに大きな消費電力の必要なめっき液の温度をそれ
ほど高く昇温しなくても良いので、消費電力の低減化や
めっき液の材質変化の防止が図れ、好適である。なお半
導体基板Ｗ自体の加熱のための消費電力は小さくて良
く、また半導体基板Ｗ上に溜めるめっき液の量は少ない
ので、裏面ヒータ９１５による半導体基板Ｗの保温は容
易に行え、裏面ヒータ９１５の容量は小さくて良く装置
のコンパクト化を図ることができる。また半導体基板Ｗ
自体を直接冷却する手段を用いれば、めっき中に加熱・
冷却を切替えてめっき条件を変化させることも可能であ
る。半導体基板上に保持されているめっき液は少量なの
で、感度良く温度制御が行える。
板Ｗ自体を直接加熱して、例えば半導体基板Ｗの温度を
７０℃にし（めっき終了まで維持する）、次に、シャワ
ーヘッド９４１から、例えば５０℃に加熱されためっき
液を噴出して半導体基板Ｗの表面の略全体にめっき液を
降り注ぐ。半導体基板Ｗの表面は、堰部材９３１によっ
て囲まれているので、注入しためっき液は全て半導体基
板Ｗの表面に保持される。供給するめっき液の量は、半
導体基板Ｗの表面に１ｍｍ厚（約３０ｍｌ）となる程度
の少量で良い。なお被めっき面上に保持するめっき液の
深さは１０ｍｍ以下であれば良く、この例のように１ｍ
ｍでも良い。この例のように供給するめっき液が少量で
済めばこれを加熱する加熱装置も小型のもので良くな
る。そしてこの例においては、半導体基板Ｗの温度を７
０℃に、めっき液の温度を５０℃に加熱しているので、
半導体基板Ｗの被めっき面は例えば６０℃になり、この
例におけるめっき反応に最適な温度にできる。このよう
に半導体基板Ｗ自体を加熱するように構成すれば、加熱
するのに大きな消費電力の必要なめっき液の温度をそれ
ほど高く昇温しなくても良いので、消費電力の低減化や
めっき液の材質変化の防止が図れ、好適である。なお半
導体基板Ｗ自体の加熱のための消費電力は小さくて良
く、また半導体基板Ｗ上に溜めるめっき液の量は少ない
ので、裏面ヒータ９１５による半導体基板Ｗの保温は容
易に行え、裏面ヒータ９１５の容量は小さくて良く装置
のコンパクト化を図ることができる。また半導体基板Ｗ
自体を直接冷却する手段を用いれば、めっき中に加熱・
冷却を切替えてめっき条件を変化させることも可能であ
る。半導体基板上に保持されているめっき液は少量なの
で、感度良く温度制御が行える。
【０１１７】そして、モータＭによって半導体基板Ｗを
瞬時回転させて被めっき面の均一な液濡れを行い、その
後半導体基板Ｗを静止した状態で被めっき面のめっきを
行う。具体的には、半導体基板Ｗを１ｓｅｃだけ１００
ｒｐｍ以下で回転して半導体基板Ｗの被めっき面上をめ
っき液で均一に濡らし、その後静止させて１ｍｉｎ間無
電解めっきを行わせる。なお瞬時回転時間は長くても１
０ｓｅｃ以下とする。
瞬時回転させて被めっき面の均一な液濡れを行い、その
後半導体基板Ｗを静止した状態で被めっき面のめっきを
行う。具体的には、半導体基板Ｗを１ｓｅｃだけ１００
ｒｐｍ以下で回転して半導体基板Ｗの被めっき面上をめ
っき液で均一に濡らし、その後静止させて１ｍｉｎ間無
電解めっきを行わせる。なお瞬時回転時間は長くても１
０ｓｅｃ以下とする。
【０１１８】上記めっき処理が完了した後、めっき液回
収ノズル９６５の先端を半導体基板Ｗの表面周縁部の堰
部材９３１の内側近傍に下降し、めっき液を吸い込む。
このとき半導体基板Ｗを例えば１００ｒｐｍ以下の回転
速度で回転させれば、半導体基板Ｗ上に残っためっき液
を遠心力で半導体基板Ｗの周縁部の堰部材９３１の部分
に集めることができ、効率良く、且つ高い回収率でめっ
き液の回収ができる。そして保持手段９１１を下降させ
て半導体基板Ｗを堰部材９３１から離し、半導体基板Ｗ
の回転を開始して洗浄液供給手段９５１のノズル９５３
から洗浄液（超純水）を半導体基板Ｗの被めっき面に噴
射して被めっき面を冷却すると同時に希釈化・洗浄する
ことで無電解めっき反応を停止させる。このときノズル
９５３から噴射される洗浄液を堰部材９３１にも当てる
ことで堰部材９３１の洗浄を同時に行っても良い。この
ときのめっき廃液は、回収容器９６１に回収され、廃棄
される。
収ノズル９６５の先端を半導体基板Ｗの表面周縁部の堰
部材９３１の内側近傍に下降し、めっき液を吸い込む。
このとき半導体基板Ｗを例えば１００ｒｐｍ以下の回転
速度で回転させれば、半導体基板Ｗ上に残っためっき液
を遠心力で半導体基板Ｗの周縁部の堰部材９３１の部分
に集めることができ、効率良く、且つ高い回収率でめっ
き液の回収ができる。そして保持手段９１１を下降させ
て半導体基板Ｗを堰部材９３１から離し、半導体基板Ｗ
の回転を開始して洗浄液供給手段９５１のノズル９５３
から洗浄液（超純水）を半導体基板Ｗの被めっき面に噴
射して被めっき面を冷却すると同時に希釈化・洗浄する
ことで無電解めっき反応を停止させる。このときノズル
９５３から噴射される洗浄液を堰部材９３１にも当てる
ことで堰部材９３１の洗浄を同時に行っても良い。この
ときのめっき廃液は、回収容器９６１に回収され、廃棄
される。
【０１１９】なお、一度使用しためっき液は再利用せ
ず、使い捨てとする。前述のようにこの装置において使
用されるめっき液の量は従来に比べて非常に少なくでき
るので、再利用しなくても廃棄するめっき液の量は少な
い。なお場合によってはめっき液回収ノズル９６５を設
置しないで、使用後のめっき液も洗浄液と共にめっき廃
液として回収容器９６１に回収しても良い。そしてモー
タＭによって半導体基板Ｗを高速回転してスピン乾燥し
た後、保持手段９１１から取り出す。
ず、使い捨てとする。前述のようにこの装置において使
用されるめっき液の量は従来に比べて非常に少なくでき
るので、再利用しなくても廃棄するめっき液の量は少な
い。なお場合によってはめっき液回収ノズル９６５を設
置しないで、使用後のめっき液も洗浄液と共にめっき廃
液として回収容器９６１に回収しても良い。そしてモー
タＭによって半導体基板Ｗを高速回転してスピン乾燥し
た後、保持手段９１１から取り出す。
【０１２０】図２６は、他の無電解めっき装置の概略構
成図である。図２６において、前記の例と相違する点
は、保持手段９１１内に裏面ヒータ９１５を設ける代わ
りに、保持手段９１１の上方にランプヒータ（加熱手
段）９１７を設置し、このランプヒータ９１７とシャワ
ーヘッド９４１−２とを一体化した点である。即ち、例
えば複数の半径の異なるリング状のランプヒータ９１７
を同心円状に設置し、ランプヒータ９１７の間の隙間か
らシャワーヘッド９４１−２の多数のノズル９４３−２
をリング状に開口させている。なおランプヒータ９１７
としては、渦巻状の一本のランプヒータで構成しても良
いし、さらにそれ以外の各種構造・配置のランプヒータ
で構成しても良い。
成図である。図２６において、前記の例と相違する点
は、保持手段９１１内に裏面ヒータ９１５を設ける代わ
りに、保持手段９１１の上方にランプヒータ（加熱手
段）９１７を設置し、このランプヒータ９１７とシャワ
ーヘッド９４１−２とを一体化した点である。即ち、例
えば複数の半径の異なるリング状のランプヒータ９１７
を同心円状に設置し、ランプヒータ９１７の間の隙間か
らシャワーヘッド９４１−２の多数のノズル９４３−２
をリング状に開口させている。なおランプヒータ９１７
としては、渦巻状の一本のランプヒータで構成しても良
いし、さらにそれ以外の各種構造・配置のランプヒータ
で構成しても良い。
【０１２１】このように構成しても、めっき液は、各ノ
ズル９４３−２から半導体基板Ｗの被めっき面上にシャ
ワー状に略均等に供給でき、またランプヒータ９１７に
よって半導体基板Ｗの加熱・保温も直接均一に行える。
ランプヒータ９１７の場合、半導体基板Ｗとめっき液の
他に、その周囲の空気をも加熱するので半導体基板Ｗの
保温効果もある。
ズル９４３−２から半導体基板Ｗの被めっき面上にシャ
ワー状に略均等に供給でき、またランプヒータ９１７に
よって半導体基板Ｗの加熱・保温も直接均一に行える。
ランプヒータ９１７の場合、半導体基板Ｗとめっき液の
他に、その周囲の空気をも加熱するので半導体基板Ｗの
保温効果もある。
【０１２２】なおランプヒータ９１７によって半導体基
板Ｗを直接加熱するには、比較的大きい消費電力のラン
プヒータ９１７が必要になるので、その代わりに比較的
小さい消費電力のランプヒータ９１７と前記図２５に示
す裏面ヒータ９１５とを併用して、半導体基板Ｗは主と
して裏面ヒータ９１５によって加熱し、めっき液と周囲
の空気の保温は主としてランプヒータ９１７によって行
うようにしても良い。また前述の実施例と同様に、半導
体基板Ｗを直接、または間接的に冷却する手段をも設け
て、温度制御を行っても良い。
板Ｗを直接加熱するには、比較的大きい消費電力のラン
プヒータ９１７が必要になるので、その代わりに比較的
小さい消費電力のランプヒータ９１７と前記図２５に示
す裏面ヒータ９１５とを併用して、半導体基板Ｗは主と
して裏面ヒータ９１５によって加熱し、めっき液と周囲
の空気の保温は主としてランプヒータ９１７によって行
うようにしても良い。また前述の実施例と同様に、半導
体基板Ｗを直接、または間接的に冷却する手段をも設け
て、温度制御を行っても良い。
【０１２３】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
基板の処理面に積極的に新液を供給することで、処理面
には常に新鮮な液が接触するようにして再汚染を防止す
るとともに、処理面の汚染物や溶解したイオンの基板表
面からの離脱を早めて、基板を効率よく短時間で処理
し、しかも、基板の処理面の外周部をシールすること
で、基板の裏面の汚染を有効に防止することができる。
更に、基板ホルダと噴射ノズルとを相対的に回転及び／
または上下動させることで、基板処理面に作用する圧力
を緩和するとともに、処理液を均一に基板の処理面の全
面に供給することができる。
基板の処理面に積極的に新液を供給することで、処理面
には常に新鮮な液が接触するようにして再汚染を防止す
るとともに、処理面の汚染物や溶解したイオンの基板表
面からの離脱を早めて、基板を効率よく短時間で処理
し、しかも、基板の処理面の外周部をシールすること
で、基板の裏面の汚染を有効に防止することができる。
更に、基板ホルダと噴射ノズルとを相対的に回転及び／
または上下動させることで、基板処理面に作用する圧力
を緩和するとともに、処理液を均一に基板の処理面の全
面に供給することができる。
【図１】銅めっきにより銅配線を形成する例を工程順に
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の実施の形態の基板処理装置の断面図で
ある。
ある。
【図３】図２に示す基板処理装置を無電解めっきの前処
理装置に利用して、銅配線を形成するようにしためっき
装置の全体構成を示す配置図である。
理装置に利用して、銅配線を形成するようにしためっき
装置の全体構成を示す配置図である。
【図４】図２に示す基板処理装置を無電解めっきの前処
理装置に利用して、保護膜を形成する一連のめっき処理
（蓋めっき処理）を行うめっき装置の全体構成を示す配
置図である。
理装置に利用して、保護膜を形成する一連のめっき処理
（蓋めっき処理）を行うめっき装置の全体構成を示す配
置図である。
【図５】本発明の実施の形態の基板処理装置のノズルヘ
ッドの他の例を示す正面図である。
ッドの他の例を示す正面図である。
【図６】図５のノズルヘッドを示す平面図である。
【図７】（ａ）は、図５において、噴射ノズルとして全
て扇形ノズルを使用して無電解めっき前処理を行った時
の基板（ウエハ）の処理面の状態を示す図で、（ｂ）
は、噴射ノズルとして、中央に位置するものに円錐ノズ
ルを、他のものに扇形ノズルをそれぞれ使用して無電解
めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の処理面の状
態を示す図である。
て扇形ノズルを使用して無電解めっき前処理を行った時
の基板（ウエハ）の処理面の状態を示す図で、（ｂ）
は、噴射ノズルとして、中央に位置するものに円錐ノズ
ルを、他のものに扇形ノズルをそれぞれ使用して無電解
めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の処理面の状
態を示す図である。
【図８】本発明の実施の形態の基板処理装置のノズルヘ
ッドの更に他の例を示す平面図である。
ッドの更に他の例を示す平面図である。
【図９】ノズルヘッドとして、図８に示すものを使用し
て無電解めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の全
面に亘るシート抵抗を実線で、直線状のものを使用して
無電解めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の全面
に亘るシート抵抗を波線でそれぞれ示すグラフである。
て無電解めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の全
面に亘るシート抵抗を実線で、直線状のものを使用して
無電解めっき前処理を行った時の基板（ウエハ）の全面
に亘るシート抵抗を波線でそれぞれ示すグラフである。
【図１０】一連の基板の処理を行う基板処理装置を示す
平面配置図である。
平面配置図である。
【図１１】図１０に示す基板処理装置内の気流の流れを
示す図である。
示す図である。
【図１２】図１０に示す基板処理装置の各エリア間の空
気の流れを示す図である。
気の流れを示す図である。
【図１３】図１０に示す基板処理装置をクリーンルーム
内に配置した一例を示す外観図である。
内に配置した一例を示す外観図である。
【図１４】一連の基板の処理を行う基板処理装置の他の
例を示す平面配置図である。
例を示す平面配置図である。
【図１５】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に
他の例を示す平面配置図である。
他の例を示す平面配置図である。
【図１６】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に
他の例を示す平面配置図である。
他の例を示す平面配置図である。
【図１７】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に
他の例を示す平面配置図である。
他の例を示す平面配置図である。
【図１８】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に
他の例を示す平面配置図である。
他の例を示す平面配置図である。
【図１９】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に
他の例を示す平面配置図である。
他の例を示す平面配置図である。
【図２０】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に
他の例を示す平面配置図である。
他の例を示す平面配置図である。
【図２１】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に
他の例を示す平面配置図である。
他の例を示す平面配置図である。
【図２２】一連の基板の処理を行う基板処理装置の更に
他の例を示す平面配置図である。
他の例を示す平面配置図である。
【図２３】図２２に示す基板処置装置における各工程の
流れを示すフローチャートである。
流れを示すフローチャートである。
【図２４】ベベル・裏面洗浄ユニットを示す概要図であ
る。
る。
【図２５】無電解めっき装置の一例を示す概要図であ
る。
る。
【図２６】無電解めっき装置の他の例を示す概要図であ
る。
る。
【図２７】アニールユニットの一例を示す縦断正面図で
ある。
ある。
【図２８】図２７の平断面図である。
７ 銅層
８ 配線
９ 保護膜
１０ 基板処理装置（無電解めっき前処理装置）
１２ 基板ホルダ
１４ ハウジング
１４ａ 爪部
１６ 基板押え
１８ シールリング
２０ 回転モータ
２４ 上下動モータ
２８ 上下動アーム
３２ 昇降板
３６ 押圧ロッド
４０ 噴射ノズル
４０ａ 円錐ノズル
４０ｂ 扇形ノズル
４２ ノズルヘッド
４６ 処理槽
７０ ロード・アンロード部
７２ 前処理装置
７４ Ｐｄ付着装置（無電解めっき前処理装置）
７６ 無電解めっき前処理装置
７８ 無電解めっき装置
９２ａ，９２ｂ ロード・アンロード部
９４ 吸着化処理装置（無電解めっき前処理装置）
９６ 置換処理装置（無電解めっき前処理装置）
９８ 無電解めっき装置
１００ 電解めっき装置
１０２ ベベルエッチ装置
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考）
Ｃ２３Ｃ 18/16 Ｃ２３Ｃ 18/16 Ｂ
Ｚ
18/18 18/18
18/31 18/31 Ｅ
Ｃ２３Ｆ 1/08 １０３ Ｃ２３Ｆ 1/08 １０３
Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｊ
Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB08 AB33 AB40 AB44
BB23 BB33 BB43 BB46
4K022 AA05 AA42 BA04 BA08 BA14
BA32 BA35 DA01 DB14 DB15
DB19
4K057 WA01 WA03 WB04 WM06 WM11
WN01
5F043 BB27 DD02 DD30 EE35 EE36
GG03
Claims (5)
- 【請求項１】 基板を該基板の処理面を下にして着脱自
在に保持する基板ホルダと、 前記基板ホルダで保持した基板の処理面の外周部をシー
ルするシールリングと、 前記基板ホルダの下方に配置され該基板ホルダで保持し
た基板の処理面に向けて処理液を噴射する複数の噴射ノ
ズルと、 前記基板ホルダと前記噴射ノズルとを相対的に回転及び
／または上下動させる駆動機構とを有することを特徴と
する基板処理装置。 - 【請求項２】 前記噴射ノズルは、前記基板ホルダで保
持した基板に向けて噴射する処理液の運動エネルギーを
調整できるよう構成されていることを特徴とする請求項
１記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記噴射ノズルは、前記基板ホルダで保
持した基板の直径方向に沿って直線状に配置され、中央
部に位置する噴射ノズルとして円錐ノズルが、それ以外
の噴射ノズルとして扇形ノズルがそれぞれ使用されてい
ることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装
置。 - 【請求項４】 前記噴射ノズルは、前記基板ホルダで保
持した基板の全面に亘って均等に分布した状態で配置さ
れていることを特徴とする請求項１または２記載の基板
処理装置。 - 【請求項５】 基板を該基板の処理面を下にし処理面の
外周部をシールして基板ホルダで保持し、 前記基板ホルダで保持した基板の処理面に向けて複数の
噴射ノズルから処理液を噴射しつつ、 前記基板ホルダで保持した基板と前記噴射ノズルとを相
対的に回転及び／または上下動させることを特徴とする
半導体基板の処理方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001397960A JP3979464B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 無電解めっき前処理装置及び方法 |
| US10/481,424 US7172979B2 (en) | 2001-12-27 | 2002-12-26 | Substrate processing apparatus and method |
| PCT/JP2002/013635 WO2003056614A1 (en) | 2001-12-27 | 2002-12-26 | Substrate processing apparatus and method |
| TW091137621A TWI255008B (en) | 2001-12-27 | 2002-12-27 | Substrate processing apparatus and method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001397960A JP3979464B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 無電解めっき前処理装置及び方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2003197591A true JP2003197591A (ja) | 2003-07-11 |
| JP3979464B2 JP3979464B2 (ja) | 2007-09-19 |
Family
ID=19189268
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001397960A Expired - Fee Related JP3979464B2 (ja) | 2001-12-27 | 2001-12-27 | 無電解めっき前処理装置及び方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7172979B2 (ja) |
| JP (1) | JP3979464B2 (ja) |
| TW (1) | TWI255008B (ja) |
| WO (1) | WO2003056614A1 (ja) |
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-
2002
- 2002-12-26 WO PCT/JP2002/013635 patent/WO2003056614A1/en active Application Filing
- 2002-12-26 US US10/481,424 patent/US7172979B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2002-12-27 TW TW091137621A patent/TWI255008B/zh not_active IP Right Cessation
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| JP2013065823A (ja) * | 2011-08-26 | 2013-04-11 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| US9640383B2 (en) | 2011-08-26 | 2017-05-02 | Tokyo Electron Limited | Liquid treatment apparatus and liquid treatment method |
| KR20160132775A (ko) * | 2015-05-11 | 2016-11-21 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도금 처리 방법 및 기억 매체 |
| KR102581894B1 (ko) | 2015-05-11 | 2023-09-22 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 도금 처리 방법 및 기억 매체 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2003056614A1 (en) | 2003-07-10 |
| TWI255008B (en) | 2006-05-11 |
| US7172979B2 (en) | 2007-02-06 |
| US20040231794A1 (en) | 2004-11-25 |
| TW200301319A (en) | 2003-07-01 |
| JP3979464B2 (ja) | 2007-09-19 |
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