JP2002367998A - 半導体装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体装置及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2002367998A JP2002367998A JP2001176176A JP2001176176A JP2002367998A JP 2002367998 A JP2002367998 A JP 2002367998A JP 2001176176 A JP2001176176 A JP 2001176176A JP 2001176176 A JP2001176176 A JP 2001176176A JP 2002367998 A JP2002367998 A JP 2002367998A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- wiring
- semiconductor device
- oxidation
- semiconductor substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 97
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims abstract description 43
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 43
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract description 18
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 59
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 claims description 40
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 4
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 claims description 3
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 claims description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 abstract description 4
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 abstract 1
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 86
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 68
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 23
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 23
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 14
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 description 10
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 9
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 8
- 229910000521 B alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 7
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 7
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 6
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 description 6
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 5
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 229910001453 nickel ion Inorganic materials 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N Nickel(2+) Chemical compound [Ni+2] VEQPNABPJHWNSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000009471 action Effects 0.000 description 3
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001429 cobalt ion Inorganic materials 0.000 description 3
- XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N cobalt(2+) Chemical compound [Co+2] XLJKHNWPARRRJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N boron;n-methylmethanamine Chemical compound [B].CNC RJTANRZEWTUVMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 2
- 239000006174 pH buffer Substances 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 2
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 2
- 150000003464 sulfur compounds Chemical class 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical class NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- 101000854908 Homo sapiens WD repeat-containing protein 11 Proteins 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910018104 Ni-P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018536 Ni—P Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001096 P alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020177 SiOF Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100020705 WD repeat-containing protein 11 Human genes 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N borane N-ethylethanamine Chemical compound B.CCNCC VDTVZBCTOQDZSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 235000010338 boric acid Nutrition 0.000 description 1
- RLDQYSHDFVSAPL-UHFFFAOYSA-L calcium;dithiocyanate Chemical class [Ca+2].[S-]C#N.[S-]C#N RLDQYSHDFVSAPL-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001868 cobalt Chemical class 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229940011182 cobalt acetate Drugs 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L cobalt dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Co+2] GVPFVAHMJGGAJG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229940044175 cobalt sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229910000361 cobalt sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+) sulfate Chemical compound [Co+2].[O-]S([O-])(=O)=O KTVIXTQDYHMGHF-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L cobalt(II) acetate Chemical compound [Co+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O QAHREYKOYSIQPH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002611 lead compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000006179 pH buffering agent Substances 0.000 description 1
- AVFBYUADVDVJQL-UHFFFAOYSA-N phosphoric acid;trioxotungsten;hydrate Chemical compound O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.O=[W](=O)=O.OP(O)(O)=O AVFBYUADVDVJQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- -1 thiocyan compounds Chemical class 0.000 description 1
- CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L tungstic acid Chemical compound O[W](O)(=O)=O CMPGARWFYBADJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1651—Two or more layers only obtained by electroless plating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/32—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron
- C23C18/34—Coating with nickel, cobalt or mixtures thereof with phosphorus or boron using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/48—Coating with alloys
- C23C18/50—Coating with alloys with alloys based on iron, cobalt or nickel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67184—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the presence of more than one transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/67219—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one polishing chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process
- H01L21/6723—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process comprising at least one plating chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
- H01L21/76846—Layer combinations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/76843—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric
- H01L21/76849—Barrier, adhesion or liner layers formed in openings in a dielectric the layer being positioned on top of the main fill metal
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76841—Barrier, adhesion or liner layers
- H01L21/7685—Barrier, adhesion or liner layers the layer covering a conductive structure
- H01L21/76852—Barrier, adhesion or liner layers the layer covering a conductive structure the layer also covering the sidewalls of the conductive structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53233—Copper alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/532—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body characterised by the materials
- H01L23/53204—Conductive materials
- H01L23/53209—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides
- H01L23/53228—Conductive materials based on metals, e.g. alloys, metal silicides the principal metal being copper
- H01L23/53238—Additional layers associated with copper layers, e.g. adhesion, barrier, cladding layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1619—Apparatus for electroless plating
- C23C18/1632—Features specific for the apparatus, e.g. layout of cells and of its equipment, multiple cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1675—Process conditions
- C23C18/1678—Heating of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 埋め込み配線を表面のみを選択的に覆って、
配線の酸化と熱拡散の双方を有効に防止することができ
るようにする。 【解決手段】 埋め込み配線構造を有する半導体装置の
露出配線の表面に、例えばNiまたはNi合金層からな
る配線8の酸化を防止する酸化防止層9と、例えばCo
またはCo合金層からなる配線8の熱拡散を防止する熱
拡散防止層10の多層積層膜からなる保護膜20を形成
した。
配線の酸化と熱拡散の双方を有効に防止することができ
るようにする。 【解決手段】 埋め込み配線構造を有する半導体装置の
露出配線の表面に、例えばNiまたはNi合金層からな
る配線8の酸化を防止する酸化防止層9と、例えばCo
またはCo合金層からなる配線8の熱拡散を防止する熱
拡散防止層10の多層積層膜からなる保護膜20を形成
した。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置及びそ
の製造方法に関し、特に半導体基板等の表面に設けた配
線用の微細な凹部に銅や銀等の導電体を埋め込んで構成
した埋め込み配線構造を有し、配線の表面を保護膜で保
護した半導体装置及びその製造方法に関するものであ
る。
の製造方法に関し、特に半導体基板等の表面に設けた配
線用の微細な凹部に銅や銀等の導電体を埋め込んで構成
した埋め込み配線構造を有し、配線の表面を保護膜で保
護した半導体装置及びその製造方法に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】半導体装置の配線形成プロセスとして、
配線溝及びコンタクトホールに金属(導電体)を埋込む
ようにしたプロセス(いわゆる、ダマシンプロセス)が
使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め形成した
配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、近年では
銅や銀等の金属を埋め込んだ後、余分な金属を化学的機
械的研磨(CMP)によって除去し平坦化するプロセス
技術である。
配線溝及びコンタクトホールに金属(導電体)を埋込む
ようにしたプロセス(いわゆる、ダマシンプロセス)が
使用されつつある。これは、層間絶縁膜に予め形成した
配線溝やコンタクトホールに、アルミニウム、近年では
銅や銀等の金属を埋め込んだ後、余分な金属を化学的機
械的研磨(CMP)によって除去し平坦化するプロセス
技術である。
【0003】この種の配線にあっては、平坦化後、その
配線の表面が外部に露出しており、この上に埋め込み配
線を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセ
スにおけるSiO2形成時の表面酸化やビアホールを形
成するためのSiO2エッチング等に際して、ビアホー
ル底に露出した配線のエッチャントやレジスト剥離等に
よる表面汚染が懸念されている。
配線の表面が外部に露出しており、この上に埋め込み配
線を形成する際、例えば次工程の層間絶縁膜形成プロセ
スにおけるSiO2形成時の表面酸化やビアホールを形
成するためのSiO2エッチング等に際して、ビアホー
ル底に露出した配線のエッチャントやレジスト剥離等に
よる表面汚染が懸念されている。
【0004】このため、従来、表面が露出している配線
形成部のみならず、半導体基板の全表面にSiN等の配
線保護膜を形成して、配線のエッチャント等による汚染
を防止することが一般に行われていた。
形成部のみならず、半導体基板の全表面にSiN等の配
線保護膜を形成して、配線のエッチャント等による汚染
を防止することが一般に行われていた。
【0005】しかしながら、半導体基板の全表面にSi
N等の保護膜を形成すると、埋め込み配線構造を有する
半導体装置においては、層間絶縁膜の誘電率が上昇して
配線遅延を誘発し、配線材料として銅や銀のような低抵
抗材料を使用したとしても、半導体装置として能力向上
を阻害してしまう。
N等の保護膜を形成すると、埋め込み配線構造を有する
半導体装置においては、層間絶縁膜の誘電率が上昇して
配線遅延を誘発し、配線材料として銅や銀のような低抵
抗材料を使用したとしても、半導体装置として能力向上
を阻害してしまう。
【0006】このため、銅や銀等の配線材料との接合が
強く、しかも比抵抗(ρ)が低い、例えば無電解めっき
によって得られるCo(コバルト)またはCo合金層
や、Ni(ニッケル)またはNi合金層で配線の表面を
選択的に覆って配線を保護することが提案されている。
強く、しかも比抵抗(ρ)が低い、例えば無電解めっき
によって得られるCo(コバルト)またはCo合金層
や、Ni(ニッケル)またはNi合金層で配線の表面を
選択的に覆って配線を保護することが提案されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、無電解
めっきによって得られるCoまたはCo合金層で埋め込
み配線の表面を選択的に覆って配線を保護しても、Co
またはCo合金層では、配線の熱拡散を有効に防止する
ことができるものの、配線の酸化を有効に防止すること
ができない。一方、NiまたはNi合金層で埋め込み配
線の表面を選択的に覆って配線を保護しても、Niまた
はNi合金層では、配線の酸化を有効に防止することが
できるものの、配線の熱拡散を有効に防止することがで
きない。つまり、CoまたはCo合金層や、Niまたは
Ni合金層で配線の表面を選択的に覆って配線を保護し
ても、配線の酸化及び熱拡散の双方を有効に防止するこ
とができないといった問題があった。
めっきによって得られるCoまたはCo合金層で埋め込
み配線の表面を選択的に覆って配線を保護しても、Co
またはCo合金層では、配線の熱拡散を有効に防止する
ことができるものの、配線の酸化を有効に防止すること
ができない。一方、NiまたはNi合金層で埋め込み配
線の表面を選択的に覆って配線を保護しても、Niまた
はNi合金層では、配線の酸化を有効に防止することが
できるものの、配線の熱拡散を有効に防止することがで
きない。つまり、CoまたはCo合金層や、Niまたは
Ni合金層で配線の表面を選択的に覆って配線を保護し
ても、配線の酸化及び熱拡散の双方を有効に防止するこ
とができないといった問題があった。
【0008】本発明は上記事情に鑑みてなされたもの
で、埋め込み配線を表面のみを選択的に覆って、配線の
酸化と熱拡散の双方を有効に防止することができるよう
にした半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
で、埋め込み配線を表面のみを選択的に覆って、配線の
酸化と熱拡散の双方を有効に防止することができるよう
にした半導体装置及びその製造方法を提供することを目
的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の
表面に、多層積層膜からなる保護膜を選択的に形成した
ことを特徴とする半導体装置である。このように、多層
積層膜からなる保護膜で露出配線を選択的に保護するこ
とで、保護膜を異なる物理的性質を有する複数の層で構
成し、各層に異なる機能(作用)を持たせることができ
る。
は、埋め込み配線構造を有する半導体装置の露出配線の
表面に、多層積層膜からなる保護膜を選択的に形成した
ことを特徴とする半導体装置である。このように、多層
積層膜からなる保護膜で露出配線を選択的に保護するこ
とで、保護膜を異なる物理的性質を有する複数の層で構
成し、各層に異なる機能(作用)を持たせることができ
る。
【0010】請求項2に記載の発明は、埋め込み配線構
造を有する半導体装置の露出配線の表面に、配線の酸化
を防止する酸化防止層と、配線の熱拡散を防止する熱拡
散防止層の多層積層膜からなる保護膜を選択的に形成し
たことを特徴とする半導体装置である。これにより、酸
化防止層と熱拡散防止層を組み合わせることで、配線の
酸化と熱拡散の双方を有効に防止することができる。
造を有する半導体装置の露出配線の表面に、配線の酸化
を防止する酸化防止層と、配線の熱拡散を防止する熱拡
散防止層の多層積層膜からなる保護膜を選択的に形成し
たことを特徴とする半導体装置である。これにより、酸
化防止層と熱拡散防止層を組み合わせることで、配線の
酸化と熱拡散の双方を有効に防止することができる。
【0011】請求項3に記載の発明は、前記熱拡散防止
層の表面に前記酸化防止層を積層したことを特徴とする
請求項2記載の半導体装置である。このように熱拡散防
止層の表面を酸化防止層で覆うことで、例えば酸化性雰
囲気の絶縁膜(酸化膜)を積層して多層配線構造の半導
体装置を作る場合に、配線の酸化を防ぐことが可能で、
その効果(作用)が低下してしまうことを防止すること
ができる。
層の表面に前記酸化防止層を積層したことを特徴とする
請求項2記載の半導体装置である。このように熱拡散防
止層の表面を酸化防止層で覆うことで、例えば酸化性雰
囲気の絶縁膜(酸化膜)を積層して多層配線構造の半導
体装置を作る場合に、配線の酸化を防ぐことが可能で、
その効果(作用)が低下してしまうことを防止すること
ができる。
【0012】請求項4に記載の発明は、前記熱拡散防止
層がCoまたはCo合金層で、前記酸化防止層がNiま
たはNi合金層であることを特徴とする請求項2または
3記載の半導体装置である。これにより、耐熱性に優れ
たCoまたはCo合金層で熱拡散防止層を、耐酸化性に
優れたNiまたはNi合金層で酸化防止層をそれぞれ構
成することで、配線の酸化と熱拡散の双方を有効に防止
することができる。
層がCoまたはCo合金層で、前記酸化防止層がNiま
たはNi合金層であることを特徴とする請求項2または
3記載の半導体装置である。これにより、耐熱性に優れ
たCoまたはCo合金層で熱拡散防止層を、耐酸化性に
優れたNiまたはNi合金層で酸化防止層をそれぞれ構
成することで、配線の酸化と熱拡散の双方を有効に防止
することができる。
【0013】請求項5に記載の発明は、埋め込み配線構
造を有する半導体装置の露出配線の表面に、多層積層膜
からなる保護膜を無電解めっきで選択的に形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法である。例えば、ア
ルキルアミンボランを還元剤とするめっき液を使用して
無電解めっきを行うと、銅や銀に選択的にめっきされる
ことが知られており、配線形成領域のみの選択的めっき
が可能となる。
造を有する半導体装置の露出配線の表面に、多層積層膜
からなる保護膜を無電解めっきで選択的に形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法である。例えば、ア
ルキルアミンボランを還元剤とするめっき液を使用して
無電解めっきを行うと、銅や銀に選択的にめっきされる
ことが知られており、配線形成領域のみの選択的めっき
が可能となる。
【0014】請求項6に記載の発明は、埋め込み配線構
造を有する半導体装置の露出配線の表面に、無電解めっ
きにより第1層を選択的に形成し、この第1層の表面
に、無電解めっきにより第2層を選択的に形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法である。
造を有する半導体装置の露出配線の表面に、無電解めっ
きにより第1層を選択的に形成し、この第1層の表面
に、無電解めっきにより第2層を選択的に形成すること
を特徴とする半導体装置の製造方法である。
【0015】請求項7に記載の発明は、前記第1層がC
oまたはCo合金層からなる熱拡散防止層で、前記第2
層がNiまたはNi合金層からなる酸化防止層であるこ
とを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法で
ある。
oまたはCo合金層からなる熱拡散防止層で、前記第2
層がNiまたはNi合金層からなる酸化防止層であるこ
とを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法で
ある。
【0016】請求項8に記載の発明は、埋め込み配線構
造を有する半導体装置の表面に設けた配線用の凹部に導
電体をめっきにより埋め込む工程と、該半導体装置の表
面を化学的機械的研磨により平坦にする工程と、該半導
体装置の露出配線の表面に、無電解めっきにより第1層
を選択的に形成する工程と、この第1層の表面に、無電
解めっきにより第2層を選択的に形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項6または7記載の半導体装置の
製造方法である。
造を有する半導体装置の表面に設けた配線用の凹部に導
電体をめっきにより埋め込む工程と、該半導体装置の表
面を化学的機械的研磨により平坦にする工程と、該半導
体装置の露出配線の表面に、無電解めっきにより第1層
を選択的に形成する工程と、この第1層の表面に、無電
解めっきにより第2層を選択的に形成する工程を有する
ことを特徴とする請求項6または7記載の半導体装置の
製造方法である。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て説明する。図1は、半導体装置における銅配線形成例
を工程順に示すもので、図1(a)に示すように、半導
体素子を形成した半導体基材1上の導電層1aの上に、
例えばSiO2からなる絶縁膜2を堆積し、この絶縁膜
2の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術によ
りコンタクトホール3と配線用の溝4を形成し、その上
にTaN等からなるバリア層5、更にその上に電解めっ
きの給電層としての銅シード層6をスパッタリング等に
より形成する。
て説明する。図1は、半導体装置における銅配線形成例
を工程順に示すもので、図1(a)に示すように、半導
体素子を形成した半導体基材1上の導電層1aの上に、
例えばSiO2からなる絶縁膜2を堆積し、この絶縁膜
2の内部に、例えばリソグラフィ・エッチング技術によ
りコンタクトホール3と配線用の溝4を形成し、その上
にTaN等からなるバリア層5、更にその上に電解めっ
きの給電層としての銅シード層6をスパッタリング等に
より形成する。
【0018】そして、図1(b)に示すように、半導体
基板Wの表面に銅めっきを施すことで、半導体基板Wの
コンタクトホール3及び溝4内に銅を充填させるととも
に、絶縁膜2上に銅層7を堆積させる。その後、化学的
機械的研磨(CMP)により、絶縁膜2上の銅層7を除
去して、コンタクトホール3及び配線用の溝4に充填さ
せた銅層7の表面と絶縁膜2の表面とをほぼ同一平面に
する。これにより、図1(c)に示すように、絶縁膜2
の内部に銅シード層6と銅層7からなる配線8を形成す
る。
基板Wの表面に銅めっきを施すことで、半導体基板Wの
コンタクトホール3及び溝4内に銅を充填させるととも
に、絶縁膜2上に銅層7を堆積させる。その後、化学的
機械的研磨(CMP)により、絶縁膜2上の銅層7を除
去して、コンタクトホール3及び配線用の溝4に充填さ
せた銅層7の表面と絶縁膜2の表面とをほぼ同一平面に
する。これにより、図1(c)に示すように、絶縁膜2
の内部に銅シード層6と銅層7からなる配線8を形成す
る。
【0019】本発明の半導体装置は、上記のようにして
基板Wに形成した配線8の露出表面を、図2に示すよう
に、例えば熱拡散防止層9と酸化防止層10の多層積層
膜からなる保護膜20で選択的に覆って保護し、更に、
基板Wの表面に、例えばSiO2やSiOF等の絶縁膜
22を積層して、多層配線構造を構成するようにしてい
る。この時の工程の一部を図3に示す。この例では、先
ず、CMP処理後の基板Wを水洗した後、基板Wの表面
に第一段の無電解めっきを施して、図2(a)に示すよ
うに、配線8の外部への露出表面に、例えばCo合金層
からなる熱拡散防止層9を選択的に形成する。次に、基
板を水洗した後、第2段の無電解めっき処理を施して、
図2(b)に示すように、熱拡散防止層9の表面に、例
えばNi合金層からなる酸化防止層10を選択に形成す
る。そして、水洗し乾燥させた後、図2(c)に示すよ
うに、この上に絶縁膜22を堆積させる。
基板Wに形成した配線8の露出表面を、図2に示すよう
に、例えば熱拡散防止層9と酸化防止層10の多層積層
膜からなる保護膜20で選択的に覆って保護し、更に、
基板Wの表面に、例えばSiO2やSiOF等の絶縁膜
22を積層して、多層配線構造を構成するようにしてい
る。この時の工程の一部を図3に示す。この例では、先
ず、CMP処理後の基板Wを水洗した後、基板Wの表面
に第一段の無電解めっきを施して、図2(a)に示すよ
うに、配線8の外部への露出表面に、例えばCo合金層
からなる熱拡散防止層9を選択的に形成する。次に、基
板を水洗した後、第2段の無電解めっき処理を施して、
図2(b)に示すように、熱拡散防止層9の表面に、例
えばNi合金層からなる酸化防止層10を選択に形成す
る。そして、水洗し乾燥させた後、図2(c)に示すよ
うに、この上に絶縁膜22を堆積させる。
【0020】このように、配線8の露出表面を、配線の
熱拡散を有効に防止することができる、例えばCo合金
層からなる熱拡散防止層9と、配線の酸化を有効に防止
することができる、例えばNi合金層からなる酸化防止
層10の多層積層膜からなる保護膜20で選択的に覆っ
て配線8を保護することで、配線の酸化と熱拡散の双方
を有効に防止することができる。つまり、例えば、Co
またはCo合金層のみで配線を保護すると、配線の酸化
を有効に防止することができず、またNiまたはNi合
金層のみで配線を保護すると、配線の熱拡散を有効に防
止することができないが、このように組み合わせること
で、このような弊害をなくすことができる。
熱拡散を有効に防止することができる、例えばCo合金
層からなる熱拡散防止層9と、配線の酸化を有効に防止
することができる、例えばNi合金層からなる酸化防止
層10の多層積層膜からなる保護膜20で選択的に覆っ
て配線8を保護することで、配線の酸化と熱拡散の双方
を有効に防止することができる。つまり、例えば、Co
またはCo合金層のみで配線を保護すると、配線の酸化
を有効に防止することができず、またNiまたはNi合
金層のみで配線を保護すると、配線の熱拡散を有効に防
止することができないが、このように組み合わせること
で、このような弊害をなくすことができる。
【0021】しかも、熱拡散防止層9の表面に酸化防止
層10を積層することで、例えば酸化性雰囲気の絶縁膜
22を積層して多層配線構造の半導体装置を作る場合
に、配線の酸化を防ぐことが可能で、その効果(作用)
が低下してしまうことを防止することができる。
層10を積層することで、例えば酸化性雰囲気の絶縁膜
22を積層して多層配線構造の半導体装置を作る場合
に、配線の酸化を防ぐことが可能で、その効果(作用)
が低下してしまうことを防止することができる。
【0022】ここで、この例では、熱拡散防止層9とし
て、Co−W−B合金を使用している。つまり、コバル
トイオン、錯化剤、pH緩衝剤、pH調整剤、還元剤と
してのアルキルアミンボラン、及びタングステンを含む
化合物を含有しためっき液を使用し、このめっき液に基
板Wの表面を浸漬させることで、熱拡散防止層(Co−
W−B合金層)9を形成している。
て、Co−W−B合金を使用している。つまり、コバル
トイオン、錯化剤、pH緩衝剤、pH調整剤、還元剤と
してのアルキルアミンボラン、及びタングステンを含む
化合物を含有しためっき液を使用し、このめっき液に基
板Wの表面を浸漬させることで、熱拡散防止層(Co−
W−B合金層)9を形成している。
【0023】このめっき液には、必要に応じて、安定剤
としての重金属化合物または硫黄化合物の1種または2
種以上、または界面活性剤の少なくとも一方が添加さ
れ、またアンモニア水または水酸化第四級アンモニウム
等のpH調整剤を用いて、pHが好ましくは5〜14、
より好ましくは6〜10に調整されている。めっき液の
温度は、例えば30〜90℃、好ましくは40〜80℃
である。
としての重金属化合物または硫黄化合物の1種または2
種以上、または界面活性剤の少なくとも一方が添加さ
れ、またアンモニア水または水酸化第四級アンモニウム
等のpH調整剤を用いて、pHが好ましくは5〜14、
より好ましくは6〜10に調整されている。めっき液の
温度は、例えば30〜90℃、好ましくは40〜80℃
である。
【0024】めっき液のコバルトイオンの供給源として
は、例えば硫酸コバルト、塩化コバルト、酢酸コバルト
等のコバルト塩を挙げることができる。コバルトイオン
の添加量は、例えば0.001〜1mol/L、好まし
くは0.01〜0.3mol/L程度である。
は、例えば硫酸コバルト、塩化コバルト、酢酸コバルト
等のコバルト塩を挙げることができる。コバルトイオン
の添加量は、例えば0.001〜1mol/L、好まし
くは0.01〜0.3mol/L程度である。
【0025】錯化剤としては、例えば酢酸等のカルボン
酸及びそれらの塩、酒石酸、クエン酸等のオキシカルボ
ン酸及びそれらの塩、グリシン等のアミノカルボン酸及
びそれらの塩を挙げることができる。また、それらは単
独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。錯化剤
の総添加量は、例えば0.001〜1.5mol/L、
好ましくは0.01〜1.0mol/L程度である。
酸及びそれらの塩、酒石酸、クエン酸等のオキシカルボ
ン酸及びそれらの塩、グリシン等のアミノカルボン酸及
びそれらの塩を挙げることができる。また、それらは単
独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。錯化剤
の総添加量は、例えば0.001〜1.5mol/L、
好ましくは0.01〜1.0mol/L程度である。
【0026】pH緩衝剤としては、例えば硫酸アンモニ
ウム、塩化アンモニウム、ホウ酸等を挙げることができ
る。pH緩衝剤の添加量は、例えば0.01〜1.5m
ol/L、好ましくは0.1〜1mol/L程度ある。
pH調整剤としては、例えばアンモニア水、水酸化テト
ラメチルアンモニウム(TMAH)等を挙げることがで
き、pHを5〜14、好ましくはpH6〜10に調整す
る。
ウム、塩化アンモニウム、ホウ酸等を挙げることができ
る。pH緩衝剤の添加量は、例えば0.01〜1.5m
ol/L、好ましくは0.1〜1mol/L程度ある。
pH調整剤としては、例えばアンモニア水、水酸化テト
ラメチルアンモニウム(TMAH)等を挙げることがで
き、pHを5〜14、好ましくはpH6〜10に調整す
る。
【0027】還元剤としてのアルキルアミンボランとし
ては、例えばジメチルアミンボラン(DMAB)、ジエ
チルアミンボラン等を挙げることができる。還元剤の添
加量は、例えば0.01〜1mol/L、好ましくは
0.01〜0.5mol/L程度である。
ては、例えばジメチルアミンボラン(DMAB)、ジエ
チルアミンボラン等を挙げることができる。還元剤の添
加量は、例えば0.01〜1mol/L、好ましくは
0.01〜0.5mol/L程度である。
【0028】タングステンを含む化合物としては、例え
ばタングステン酸及びそれらの塩、または、タングスト
リン酸(例えば、H3(PW12P40)・nH2O)等
のヘテロポリ酸及びそれらの塩等を挙げることができ
る。タングステンを含む化合物の添加量は、例えば0.
001〜1mol/L、好ましくは0.01〜0.1m
ol/L程度である。
ばタングステン酸及びそれらの塩、または、タングスト
リン酸(例えば、H3(PW12P40)・nH2O)等
のヘテロポリ酸及びそれらの塩等を挙げることができ
る。タングステンを含む化合物の添加量は、例えば0.
001〜1mol/L、好ましくは0.01〜0.1m
ol/L程度である。
【0029】このめっき液には、上記成分以外に公知の
添加剤を添加することができる。この添加剤としては、
例えば、浴安定剤として鉛化合物等の重金属化合物やチ
オシアン化合物等の硫黄化合物等の1種または2種以
上、またアニオン系、カチオン系、ノニオン系の界面活
性剤を挙げることができる。
添加剤を添加することができる。この添加剤としては、
例えば、浴安定剤として鉛化合物等の重金属化合物やチ
オシアン化合物等の硫黄化合物等の1種または2種以
上、またアニオン系、カチオン系、ノニオン系の界面活
性剤を挙げることができる。
【0030】このように、還元剤として、銅、銅合金、
銀または銀合金に対して酸化電流を流せて直接無電解め
っきが可能で、ナトリウムを含有していないアルキルア
ミンボランを用いることで、パラジウム触媒を付与する
ことなく、基板Wの表面をめっき液に浸漬させて無電解
めっきを行うことができる。なお、この例では、熱拡散
防止層9として、Co−W−B合金を使用しているが、
Co単体、Co−W−P合金、Co−P合金またはCo
−B合金等を使用してもよい。
銀または銀合金に対して酸化電流を流せて直接無電解め
っきが可能で、ナトリウムを含有していないアルキルア
ミンボランを用いることで、パラジウム触媒を付与する
ことなく、基板Wの表面をめっき液に浸漬させて無電解
めっきを行うことができる。なお、この例では、熱拡散
防止層9として、Co−W−B合金を使用しているが、
Co単体、Co−W−P合金、Co−P合金またはCo
−B合金等を使用してもよい。
【0031】また、酸化防止層10として、Ni−B合
金を使用している。つまり、ニッケルイオン、ニッケル
イオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアル
キルアミンボランまたは硼素化水素化合物及びアンモニ
アイオンを含有し、pHを、例えば8〜12に調整した
無電解めっき液を使用し、このめっき液に基板Wの表面
を浸漬させることで、酸化防止層(Ni−B合金層)1
0を形成している。めっき液の温度は、例えば50〜9
0℃、好ましくは55〜75℃である。
金を使用している。つまり、ニッケルイオン、ニッケル
イオンの錯化剤、ニッケルイオンの還元剤としてのアル
キルアミンボランまたは硼素化水素化合物及びアンモニ
アイオンを含有し、pHを、例えば8〜12に調整した
無電解めっき液を使用し、このめっき液に基板Wの表面
を浸漬させることで、酸化防止層(Ni−B合金層)1
0を形成している。めっき液の温度は、例えば50〜9
0℃、好ましくは55〜75℃である。
【0032】ここで、ニッケルイオンの錯化剤として
は、例えばりんご酸やグリシン等を挙げることができ、
硼素化水素化合物としては、例えばNaBH4を挙げる
ことができる。
は、例えばりんご酸やグリシン等を挙げることができ、
硼素化水素化合物としては、例えばNaBH4を挙げる
ことができる。
【0033】還元剤として、アルキルアミンボランを用
いることで、パラジウム触媒を付与することなく、基板
Wの表面をめっき液に浸漬させて無電解めっきを行うこ
とができることは前述と同様であり、前述のCo−W−
B合金層を形成する無電解めっき液の還元剤と共通させ
ることで、連続した無電解めっき処理が可能となる。な
お、この例では、酸化防止層10として、Ni−B合金
を使用しているが、Ni単体、Ni−P合金またはNi
−W−P合金等を使用してもよい。また、配線材料とし
て、銅を使用した例を示しているが、銅の他に、銅合
金、銀及び銀合金等を使用しても良い。
いることで、パラジウム触媒を付与することなく、基板
Wの表面をめっき液に浸漬させて無電解めっきを行うこ
とができることは前述と同様であり、前述のCo−W−
B合金層を形成する無電解めっき液の還元剤と共通させ
ることで、連続した無電解めっき処理が可能となる。な
お、この例では、酸化防止層10として、Ni−B合金
を使用しているが、Ni単体、Ni−P合金またはNi
−W−P合金等を使用してもよい。また、配線材料とし
て、銅を使用した例を示しているが、銅の他に、銅合
金、銀及び銀合金等を使用しても良い。
【0034】図4は、無電解めっき装置の概略構成図で
ある。図4に示すように、この無電解めっき装置は、半
導体基板Wをその上面に保持する保持手段11と、保持
手段11に保持された半導体基板Wの被めっき面(上
面)の周縁部に当接して該周縁部をシールする堰部材
(めっき液保持機構)31と、堰部材31でその周縁部
をシールされた半導体基板Wの被めっき面にめっき液
(無電解めっき処理液)を供給するシャワーヘッド(無
電解めっき処理液(分散)供給手段)41を備えてい
る。無電解めっき装置は、さらに保持手段11の上部外
周近傍に設置されて半導体基板Wの被めっき面に洗浄液
を供給する洗浄液供給手段51と、排出された洗浄液等
(めっき廃液)を回収する回収容器61と、半導体基板
W上に保持しためっき液を吸引して回収するめっき液回
収ノズル65と、前記保持手段11を回転駆動するモー
タ(回転駆動手段)Mとを備えている。
ある。図4に示すように、この無電解めっき装置は、半
導体基板Wをその上面に保持する保持手段11と、保持
手段11に保持された半導体基板Wの被めっき面(上
面)の周縁部に当接して該周縁部をシールする堰部材
(めっき液保持機構)31と、堰部材31でその周縁部
をシールされた半導体基板Wの被めっき面にめっき液
(無電解めっき処理液)を供給するシャワーヘッド(無
電解めっき処理液(分散)供給手段)41を備えてい
る。無電解めっき装置は、さらに保持手段11の上部外
周近傍に設置されて半導体基板Wの被めっき面に洗浄液
を供給する洗浄液供給手段51と、排出された洗浄液等
(めっき廃液)を回収する回収容器61と、半導体基板
W上に保持しためっき液を吸引して回収するめっき液回
収ノズル65と、前記保持手段11を回転駆動するモー
タ(回転駆動手段)Mとを備えている。
【0035】保持手段11は、その上面に半導体基板W
を載置して保持する基板載置部13を有している。この
基板載置部13は、半導体基板Wを載置して固定するよ
うに構成されており、具体的には半導体基板Wをその裏
面側に真空吸着する図示しない真空吸着機構を備えてい
る。一方、基板載置部13の裏面側には、面状であって
半導体基板Wの被めっき面を下面側から暖めて保温する
裏面ヒータ(加熱手段)15が設置されている。この裏
面ヒータ15は、例えばラバーヒータによって構成され
ている。この保持手段11は、モータMによって回転駆
動されると共に、図示しない昇降手段によって上下動で
きるように構成されている。堰部材31は、筒状であっ
てその下部に半導体基板Wの外周縁をシールするシール
部33を有し、図示の位置から上下動しないように設置
されている。
を載置して保持する基板載置部13を有している。この
基板載置部13は、半導体基板Wを載置して固定するよ
うに構成されており、具体的には半導体基板Wをその裏
面側に真空吸着する図示しない真空吸着機構を備えてい
る。一方、基板載置部13の裏面側には、面状であって
半導体基板Wの被めっき面を下面側から暖めて保温する
裏面ヒータ(加熱手段)15が設置されている。この裏
面ヒータ15は、例えばラバーヒータによって構成され
ている。この保持手段11は、モータMによって回転駆
動されると共に、図示しない昇降手段によって上下動で
きるように構成されている。堰部材31は、筒状であっ
てその下部に半導体基板Wの外周縁をシールするシール
部33を有し、図示の位置から上下動しないように設置
されている。
【0036】シャワーヘッド41は、先端に多数のノズ
ルを設けることで、供給されためっき液をシャワー状に
分散して半導体基板Wの被めっき面に略均一に供給する
構造のものである。また洗浄液供給手段51は、ノズル
53から洗浄液を噴出する構造である。めっき液回収ノ
ズル65は、上下動且つ旋回できるように構成されてい
て、その先端が半導体基板Wの上面周縁部の堰部材31
の内側に下降して半導体基板W上のめっき液を吸引する
ように構成されている。
ルを設けることで、供給されためっき液をシャワー状に
分散して半導体基板Wの被めっき面に略均一に供給する
構造のものである。また洗浄液供給手段51は、ノズル
53から洗浄液を噴出する構造である。めっき液回収ノ
ズル65は、上下動且つ旋回できるように構成されてい
て、その先端が半導体基板Wの上面周縁部の堰部材31
の内側に下降して半導体基板W上のめっき液を吸引する
ように構成されている。
【0037】次にこの無電解めっき装置の動作を説明す
る。まず図示の状態よりも保持手段11を下降して堰部
材31との間に所定寸法の隙間を設け、基板載置部13
に半導体基板Wを載置・固定する。半導体基板Wとして
は、例えばφ8インチウエハを用いる。次に、図4に示
すように、保持手段11を上昇させ、その上面を堰部材
31の下面に当接させ、同時に半導体基板Wの外周を堰
部材31のシール部33によってシールする。この時、
半導体基板Wの表面は開放された状態となっている。
る。まず図示の状態よりも保持手段11を下降して堰部
材31との間に所定寸法の隙間を設け、基板載置部13
に半導体基板Wを載置・固定する。半導体基板Wとして
は、例えばφ8インチウエハを用いる。次に、図4に示
すように、保持手段11を上昇させ、その上面を堰部材
31の下面に当接させ、同時に半導体基板Wの外周を堰
部材31のシール部33によってシールする。この時、
半導体基板Wの表面は開放された状態となっている。
【0038】次に裏面ヒータ15によって半導体基板W
自体を直接加熱して、シャワーヘッド41からめっき液
を噴出して半導体基板Wの表面の略全体にめっき液を降
り注ぐ。半導体基板Wの表面は、堰部材31によって囲
まれているので、注入しためっき液は全て半導体基板W
の表面に保持される。供給するめっき液の量は半導体基
板Wの表面に1mm厚(約30ml)となる程度の少量
で良い。なお被めっき面上に保持するめっき液の深さは
10mm以下であれば良く、この例のように1mmでも
良い。供給するめっき液が少量で済めばこれを加熱する
加熱装置も小型のもので良くなる。
自体を直接加熱して、シャワーヘッド41からめっき液
を噴出して半導体基板Wの表面の略全体にめっき液を降
り注ぐ。半導体基板Wの表面は、堰部材31によって囲
まれているので、注入しためっき液は全て半導体基板W
の表面に保持される。供給するめっき液の量は半導体基
板Wの表面に1mm厚(約30ml)となる程度の少量
で良い。なお被めっき面上に保持するめっき液の深さは
10mm以下であれば良く、この例のように1mmでも
良い。供給するめっき液が少量で済めばこれを加熱する
加熱装置も小型のもので良くなる。
【0039】このように半導体基板W自体を加熱するよ
うに構成すれば、加熱するのに大きな消費電力の必要な
めっき液の温度をそれほど高く昇温しなくても良いの
で、消費電力の低減化やめっき液の材質変化の防止が図
れ、好適である。なお半導体基板W自体の加熱のための
消費電力は小さくて良く、また半導体基板W上に溜める
めっき液の量は少ないので、裏面ヒータ15による半導
体基板Wの保温は容易に行え、裏面ヒータ15の容量は
小さくて良く装置のコンパクト化を図ることができる。
また半導体基板W自体を直接冷却する手段をも用いれ
ば、めっき中に加熱・冷却を切替えてめっき条件を変化
させることも可能である。半導体基板上に保持されてい
るめっき液は少量なので、感度良く温度制御が行える。
うに構成すれば、加熱するのに大きな消費電力の必要な
めっき液の温度をそれほど高く昇温しなくても良いの
で、消費電力の低減化やめっき液の材質変化の防止が図
れ、好適である。なお半導体基板W自体の加熱のための
消費電力は小さくて良く、また半導体基板W上に溜める
めっき液の量は少ないので、裏面ヒータ15による半導
体基板Wの保温は容易に行え、裏面ヒータ15の容量は
小さくて良く装置のコンパクト化を図ることができる。
また半導体基板W自体を直接冷却する手段をも用いれ
ば、めっき中に加熱・冷却を切替えてめっき条件を変化
させることも可能である。半導体基板上に保持されてい
るめっき液は少量なので、感度良く温度制御が行える。
【0040】そして、モータMによって半導体基板Wを
瞬時回転させて被めっき面の均一な液濡れを行い、その
後半導体基板Wを静止した状態で被めっき面のめっきを
行う。具体的には、半導体基板Wを1secだけ100
rpm以下で回転して半導体基板Wの被めっき面上をめ
っき液で均一に濡らし、その後静止させて1min間無
電解めっきを行わせる。なお瞬時回転時間は長くても1
0sec以下とする。
瞬時回転させて被めっき面の均一な液濡れを行い、その
後半導体基板Wを静止した状態で被めっき面のめっきを
行う。具体的には、半導体基板Wを1secだけ100
rpm以下で回転して半導体基板Wの被めっき面上をめ
っき液で均一に濡らし、その後静止させて1min間無
電解めっきを行わせる。なお瞬時回転時間は長くても1
0sec以下とする。
【0041】上記めっき処理が完了した後、めっき液回
収ノズル65の先端を半導体基板Wの表面周縁部の堰部
材31内側近傍に下降し、めっき液を吸い込む。このと
き半導体基板Wを、例えば100rpm以下の回転速度
で回転させれば、半導体基板W上に残っためっき液を遠
心力で半導体基板Wの周縁部の堰部材31の部分に集め
ることができ、効率良く、且つ高い回収率でめっき液の
回収ができる。そして保持手段11を下降させて半導体
基板Wを堰部材31から離し、半導体基板Wの回転を開
始して洗浄液供給手段51のノズル53から洗浄液(超
純水)を半導体基板Wの被めっき面に噴射して被めっき
面を冷却すると同時に希釈化・洗浄することで無電解め
っき反応を停止させる。このときノズル53から噴射さ
れる洗浄液を堰部材31にも当てることで堰部材31の
洗浄を同時に行っても良い。このときのめっき廃液は、
回収容器61に回収され、廃棄される。
収ノズル65の先端を半導体基板Wの表面周縁部の堰部
材31内側近傍に下降し、めっき液を吸い込む。このと
き半導体基板Wを、例えば100rpm以下の回転速度
で回転させれば、半導体基板W上に残っためっき液を遠
心力で半導体基板Wの周縁部の堰部材31の部分に集め
ることができ、効率良く、且つ高い回収率でめっき液の
回収ができる。そして保持手段11を下降させて半導体
基板Wを堰部材31から離し、半導体基板Wの回転を開
始して洗浄液供給手段51のノズル53から洗浄液(超
純水)を半導体基板Wの被めっき面に噴射して被めっき
面を冷却すると同時に希釈化・洗浄することで無電解め
っき反応を停止させる。このときノズル53から噴射さ
れる洗浄液を堰部材31にも当てることで堰部材31の
洗浄を同時に行っても良い。このときのめっき廃液は、
回収容器61に回収され、廃棄される。
【0042】なお、一度使用しためっき液は再利用せ
ず、使い捨てとする。前述のようにこの装置において使
用されるめっき液の量は従来に比べて非常に少なくでき
るので、再利用しなくても廃棄するめっき液の量は少な
い。なお場合によってはめっき液回収ノズル65を設置
しないで、使用後のめっき液も洗浄液と共にめっき廃液
として回収容器61に回収しても良い。そしてモータM
によって半導体基板Wを高速回転してスピン乾燥した
後、保持手段11から取り出す。
ず、使い捨てとする。前述のようにこの装置において使
用されるめっき液の量は従来に比べて非常に少なくでき
るので、再利用しなくても廃棄するめっき液の量は少な
い。なお場合によってはめっき液回収ノズル65を設置
しないで、使用後のめっき液も洗浄液と共にめっき廃液
として回収容器61に回収しても良い。そしてモータM
によって半導体基板Wを高速回転してスピン乾燥した
後、保持手段11から取り出す。
【0043】図5は、他の無電解めっき装置の概略構成
図である。図5において、図4に示す無電解めっき装置
と相違する点は、保持手段11内に裏面ヒータ15を設
ける代わりに、保持手段11の上方にランプヒータ(加
熱手段)17を設置し、このランプヒータ17とシャワ
ーヘッド41−2とを一体化した点である。即ち、例え
ば複数の半径の異なるリング状のランプヒータ17を同
心円状に設置し、ランプヒータ17の間の隙間からシャ
ワーヘッド41−2の多数のノズル43−2をリング状
に開口させている。なおランプヒータ17としては、渦
巻状の一本のランプヒータで構成しても良いし、さらに
それ以外の各種構造・配置のランプヒータで構成しても
良い。
図である。図5において、図4に示す無電解めっき装置
と相違する点は、保持手段11内に裏面ヒータ15を設
ける代わりに、保持手段11の上方にランプヒータ(加
熱手段)17を設置し、このランプヒータ17とシャワ
ーヘッド41−2とを一体化した点である。即ち、例え
ば複数の半径の異なるリング状のランプヒータ17を同
心円状に設置し、ランプヒータ17の間の隙間からシャ
ワーヘッド41−2の多数のノズル43−2をリング状
に開口させている。なおランプヒータ17としては、渦
巻状の一本のランプヒータで構成しても良いし、さらに
それ以外の各種構造・配置のランプヒータで構成しても
良い。
【0044】このように構成しても、めっき液は各ノズ
ル43−2から半導体基板Wの被めっき面上にシャワー
状に略均等に供給でき、またランプヒータ17によって
半導体基板Wの加熱・保温も直接均一に行える。ランプ
ヒータ17の場合、半導体基板Wとめっき液の他に、そ
の周囲の空気をも加熱するので半導体基板Wの保温効果
もある。
ル43−2から半導体基板Wの被めっき面上にシャワー
状に略均等に供給でき、またランプヒータ17によって
半導体基板Wの加熱・保温も直接均一に行える。ランプ
ヒータ17の場合、半導体基板Wとめっき液の他に、そ
の周囲の空気をも加熱するので半導体基板Wの保温効果
もある。
【0045】なおランプヒータ17によって半導体基板
Wを直接加熱するには、比較的大きい消費電力のランプ
ヒータ17が必要になるので、その代わりに比較的小さ
い消費電力のランプヒータ17と前記図4に示す裏面ヒ
ータ15とを併用して、半導体基板Wは主として裏面ヒ
ータ15によって加熱し、めっき液と周囲の空気の保温
は主としてランプヒータ17によって行うようにしても
良い。また半導体基板Wを直接、または間接的に冷却す
る手段をも設けて、温度制御を行っても良い。
Wを直接加熱するには、比較的大きい消費電力のランプ
ヒータ17が必要になるので、その代わりに比較的小さ
い消費電力のランプヒータ17と前記図4に示す裏面ヒ
ータ15とを併用して、半導体基板Wは主として裏面ヒ
ータ15によって加熱し、めっき液と周囲の空気の保温
は主としてランプヒータ17によって行うようにしても
良い。また半導体基板Wを直接、または間接的に冷却す
る手段をも設けて、温度制御を行っても良い。
【0046】(実施例)シリコン基板の上に、TaNを
50nm堆積させ、この上にスパッタリングによって6
00nmの銅を堆積させ、この表面にCMP処理を施し
た試料を用意した。そして、図4に示す無電解めっき装
置を用い、試料の表面を水洗した後、下記の表1に示す
組成の無電解めっき液を使用した1分間の無電解めっき
処理を行って、試料(基板)の表面にCo−W−B合金
層を50nm堆積させた。
50nm堆積させ、この上にスパッタリングによって6
00nmの銅を堆積させ、この表面にCMP処理を施し
た試料を用意した。そして、図4に示す無電解めっき装
置を用い、試料の表面を水洗した後、下記の表1に示す
組成の無電解めっき液を使用した1分間の無電解めっき
処理を行って、試料(基板)の表面にCo−W−B合金
層を50nm堆積させた。
【0047】
【表1】 次に、試料の表面水洗した後、今後は、下記の表2に示
す組成の無電解めっき液を使用した1分間の無電解めっ
き処理を連続的に行って、Ni−B合金層を40nm堆
積させた。しかる後、試料を水洗し乾燥させた。
す組成の無電解めっき液を使用した1分間の無電解めっ
き処理を連続的に行って、Ni−B合金層を40nm堆
積させた。しかる後、試料を水洗し乾燥させた。
【表2】
【0048】(比較例)比較例として、前述と同様な試
料の表面に、表1に示す組成の無電解めっき液を使用し
てCo−W−B合金層を100nm堆積させたもの(比
較例1)と、表2に示す組成の無電解めっき液を使用し
てNi−B合金層を100nm堆積させたもの(比較例
2)を作製した。
料の表面に、表1に示す組成の無電解めっき液を使用し
てCo−W−B合金層を100nm堆積させたもの(比
較例1)と、表2に示す組成の無電解めっき液を使用し
てNi−B合金層を100nm堆積させたもの(比較例
2)を作製した。
【0049】これらの実施例と比較例1,2に、下記の
条件で酸化処理と熱処理を行って、めっき後、酸化処置
後、熱処理後のシート抵抗値の変化を測定した。 ・酸化処理:133Pa、800W、250℃、30mi
n、O2環境 ・熱処理 :1×10−4Pa、450℃、1hr この時の測定結果を下記の表3に示す。
条件で酸化処理と熱処理を行って、めっき後、酸化処置
後、熱処理後のシート抵抗値の変化を測定した。 ・酸化処理:133Pa、800W、250℃、30mi
n、O2環境 ・熱処理 :1×10−4Pa、450℃、1hr この時の測定結果を下記の表3に示す。
【0050】
【表3】 この測定結果より、Co合金(Co−W−B)層だけを
堆積させた比較例1では、酸化処理後にシート抵抗値が
めっき後のシート抵抗値の約1.8倍も高くなり、酸化
を防止する効果が薄く、また、Ni合金(Ni−B)層
だけを堆積させた比較例2では、熱処理後にシート抵抗
値がめっき後のシート抵抗値の約3.2倍も高くなり、
熱拡散を酸化を防止する効果が薄いが、本実施例によれ
ば、酸化処理後と熱処理後のシート抵抗値が共にめっき
後のシート抵抗値とほぼ同じとなって、耐酸化性及び耐
熱性共に優れていることが判る。
堆積させた比較例1では、酸化処理後にシート抵抗値が
めっき後のシート抵抗値の約1.8倍も高くなり、酸化
を防止する効果が薄く、また、Ni合金(Ni−B)層
だけを堆積させた比較例2では、熱処理後にシート抵抗
値がめっき後のシート抵抗値の約3.2倍も高くなり、
熱拡散を酸化を防止する効果が薄いが、本実施例によれ
ば、酸化処理後と熱処理後のシート抵抗値が共にめっき
後のシート抵抗値とほぼ同じとなって、耐酸化性及び耐
熱性共に優れていることが判る。
【0051】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
多層積層膜からなる保護膜で配線を保護することで、保
護膜を異なる物理的性質を有する複数の層で構成し、例
えば配線の酸化を防止する酸化防止層と、配線の熱拡散
を防止する熱拡散防止層の多層積層膜からなる保護膜を
形成することで、配線の酸化と熱拡散の双方を有効に防
止することができる。
多層積層膜からなる保護膜で配線を保護することで、保
護膜を異なる物理的性質を有する複数の層で構成し、例
えば配線の酸化を防止する酸化防止層と、配線の熱拡散
を防止する熱拡散防止層の多層積層膜からなる保護膜を
形成することで、配線の酸化と熱拡散の双方を有効に防
止することができる。
【図1】半導体装置における銅配線形成例のCMP処理
までを工程順に示す図である。
までを工程順に示す図である。
【図2】本発明の半導体装置における銅配線形成例のC
MP処理後を工程順に示す図である。
MP処理後を工程順に示す図である。
【図3】本発明のめっき方法の工程を示すブロック図で
ある。
ある。
【図4】無電解めっき装置の一例を示す概略構成図であ
る。
る。
【図5】無電解めっき装置の他の例を示す概略構成図で
ある。
ある。
2 絶縁膜 3 コンタクトホール 4 溝 5 バリア層 6 銅シード層 7 銅層 8 配線 9 熱拡散防止層 10 酸化防止層 20 保護膜 22 絶縁膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松本 守治 神奈川県藤沢市善行坂1−1−6 荏原ユ ージライト株式会社内 Fターム(参考) 4K022 AA02 AA05 BA04 BA06 BA14 BA16 BA24 BA31 BA32 BA36 DA01 DB17 DB19 4M104 BB04 BB32 DD16 DD22 DD37 DD53 FF13 FF17 FF18 FF22 HH05 HH20 5F033 HH07 HH11 HH14 HH15 HH32 JJ01 JJ11 JJ32 MM02 MM13 NN06 NN07 PP15 PP28 QQ09 QQ37 QQ48 RR04 XX20 XX28
Claims (8)
- 【請求項1】 埋め込み配線構造を有する半導体装置の
露出配線の表面に、多層積層膜からなる保護膜を選択的
に形成したことを特徴とする半導体装置。 - 【請求項2】 埋め込み配線構造を有する半導体装置の
露出配線の表面に、配線の酸化を防止する酸化防止層
と、配線の熱拡散を防止する熱拡散防止層の多層積層膜
からなる保護膜を選択的に形成したことを特徴とする半
導体装置。 - 【請求項3】 前記熱拡散防止層の表面に前記酸化防止
層を積層したことを特徴とする請求項2記載の半導体装
置。 - 【請求項4】 前記熱拡散防止層がCoまたはCo合金
層で、前記酸化防止層がNiまたはNi合金層であるこ
とを特徴とする請求項2または3記載の半導体装置。 - 【請求項5】 埋め込み配線構造を有する半導体装置の
露出配線の表面に、多層積層膜からなる保護膜を無電解
めっきで選択的に形成することを特徴とする半導体装置
の製造方法。 - 【請求項6】 埋め込み配線構造を有する半導体装置の
露出配線の表面に、無電解めっきにより第1層を選択的
に形成し、この第1層の表面に、無電解めっきにより第
2層を選択的に形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 - 【請求項7】 前記第1層がCoまたはCo合金層から
なる熱拡散防止層で、前記第2層がNiまたはNi合金
層からなる酸化防止層であることを特徴とする請求項6
記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項8】 埋め込み配線構造を有する半導体装置の
表面に設けた配線用の凹部に導電体をめっきにより埋め
込む工程と、該半導体装置の表面を化学的機械的研磨に
より平坦にする工程と、該半導体装置の露出配線の表面
に、無電解めっきにより第1層を選択的に形成する工程
と、この第1層の表面に、無電解めっきにより第2層を
選択的に形成する工程を有することを特徴とする請求項
6または7記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001176176A JP2002367998A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
PCT/JP2002/005648 WO2002101822A2 (en) | 2001-06-11 | 2002-06-07 | Interconnection in semiconductor device and method for manufacturing the same |
US10/479,429 US20040235237A1 (en) | 2001-06-11 | 2002-06-07 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
TW091112492A TW544744B (en) | 2001-06-11 | 2002-06-10 | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001176176A JP2002367998A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002367998A true JP2002367998A (ja) | 2002-12-20 |
Family
ID=19017205
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001176176A Pending JP2002367998A (ja) | 2001-06-11 | 2001-06-11 | 半導体装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20040235237A1 (ja) |
JP (1) | JP2002367998A (ja) |
TW (1) | TW544744B (ja) |
WO (1) | WO2002101822A2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179000A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006519932A (ja) * | 2003-03-11 | 2006-08-31 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
JP2010525166A (ja) * | 2007-04-16 | 2010-07-22 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ無電解めっきのための方法および装置 |
US8844461B2 (en) | 2007-04-16 | 2014-09-30 | Lam Research Corporation | Fluid handling system for wafer electroless plating and associated methods |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3979464B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2007-09-19 | 株式会社荏原製作所 | 無電解めっき前処理装置及び方法 |
US7189292B2 (en) * | 2003-10-31 | 2007-03-13 | International Business Machines Corporation | Self-encapsulated silver alloys for interconnects |
US7193323B2 (en) * | 2003-11-18 | 2007-03-20 | International Business Machines Corporation | Electroplated CoWP composite structures as copper barrier layers |
US20050110142A1 (en) * | 2003-11-26 | 2005-05-26 | Lane Michael W. | Diffusion barriers formed by low temperature deposition |
US20050181226A1 (en) * | 2004-01-26 | 2005-08-18 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for selectively changing thin film composition during electroless deposition in a single chamber |
US7268074B2 (en) | 2004-06-14 | 2007-09-11 | Enthone, Inc. | Capping of metal interconnects in integrated circuit electronic devices |
JP2009016520A (ja) * | 2007-07-04 | 2009-01-22 | Tokyo Electron Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置 |
US8354751B2 (en) * | 2008-06-16 | 2013-01-15 | International Business Machines Corporation | Interconnect structure for electromigration enhancement |
US9376755B2 (en) * | 2013-06-04 | 2016-06-28 | Sanchem, Inc. | Method and composition for electroless nickel and cobalt deposition |
US10361120B2 (en) | 2017-11-30 | 2019-07-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Conductive feature formation and structure |
TWI833730B (zh) * | 2018-02-21 | 2024-03-01 | 日商東京威力科創股份有限公司 | 多層配線之形成方法及記憶媒體 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4567066A (en) * | 1983-08-22 | 1986-01-28 | Enthone, Incorporated | Electroless nickel plating of aluminum |
US5300813A (en) * | 1992-02-26 | 1994-04-05 | International Business Machines Corporation | Refractory metal capped low resistivity metal conductor lines and vias |
JPH066012A (ja) * | 1992-06-16 | 1994-01-14 | Ebara Corp | 電気回路の被覆構造 |
US5545927A (en) * | 1995-05-12 | 1996-08-13 | International Business Machines Corporation | Capped copper electrical interconnects |
US5674787A (en) * | 1996-01-16 | 1997-10-07 | Sematech, Inc. | Selective electroless copper deposited interconnect plugs for ULSI applications |
US5695810A (en) * | 1996-11-20 | 1997-12-09 | Cornell Research Foundation, Inc. | Use of cobalt tungsten phosphide as a barrier material for copper metallization |
US6093628A (en) * | 1998-10-01 | 2000-07-25 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd | Ultra-low sheet resistance metal/poly-si gate for deep sub-micron CMOS application |
US6144099A (en) * | 1999-03-30 | 2000-11-07 | Advanced Micro Devices, Inc. | Semiconductor metalization barrier |
US6548386B1 (en) * | 1999-05-17 | 2003-04-15 | Denso Corporation | Method for forming and patterning film |
US6342733B1 (en) * | 1999-07-27 | 2002-01-29 | International Business Machines Corporation | Reduced electromigration and stressed induced migration of Cu wires by surface coating |
US6114243A (en) * | 1999-11-15 | 2000-09-05 | Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd | Method to avoid copper contamination on the sidewall of a via or a dual damascene structure |
US6455425B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-09-24 | Advanced Micro Devices, Inc. | Selective deposition process for passivating top interface of damascene-type Cu interconnect lines |
US6211090B1 (en) * | 2000-03-21 | 2001-04-03 | Motorola, Inc. | Method of fabricating flux concentrating layer for use with magnetoresistive random access memories |
-
2001
- 2001-06-11 JP JP2001176176A patent/JP2002367998A/ja active Pending
-
2002
- 2002-06-07 WO PCT/JP2002/005648 patent/WO2002101822A2/en active Application Filing
- 2002-06-07 US US10/479,429 patent/US20040235237A1/en not_active Abandoned
- 2002-06-10 TW TW091112492A patent/TW544744B/zh not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003179000A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
JP2006519932A (ja) * | 2003-03-11 | 2006-08-31 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
JP4805141B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2011-11-02 | 株式会社荏原製作所 | 電気めっき装置 |
US9287110B2 (en) | 2004-06-30 | 2016-03-15 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for wafer electroless plating |
JP2010525166A (ja) * | 2007-04-16 | 2010-07-22 | ラム リサーチ コーポレーション | ウエハ無電解めっきのための方法および装置 |
US8844461B2 (en) | 2007-04-16 | 2014-09-30 | Lam Research Corporation | Fluid handling system for wafer electroless plating and associated methods |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20040235237A1 (en) | 2004-11-25 |
TW544744B (en) | 2003-08-01 |
WO2002101822A3 (en) | 2003-05-30 |
WO2002101822A2 (en) | 2002-12-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6821902B2 (en) | Electroless plating liquid and semiconductor device | |
JP3979464B2 (ja) | 無電解めっき前処理装置及び方法 | |
US7060618B2 (en) | Semiconductor device, method for manufacturing the same, and plating solution | |
JP2002367998A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
US20040234696A1 (en) | Plating device and method | |
JP2003115474A (ja) | 基板処理装置及び方法 | |
US20020100391A1 (en) | Electroless Ni-B plating liquid, electronic device and method for manufacturing the same | |
KR20020074176A (ko) | 도금장치 및 방법 | |
KR100891344B1 (ko) | 무전해 도금액 및 반도체 디바이스 | |
JP2003142427A (ja) | めっき液、半導体装置及びその製造方法 | |
JP3821709B2 (ja) | 無電解めっきの前処理方法 | |
JP3998455B2 (ja) | 無電解めっき装置及び無電解めっき方法 | |
JP3812891B2 (ja) | 配線形成方法 | |
JP2001181851A (ja) | めっき方法及びめっき構造 | |
JP2002285343A (ja) | 無電解めっき装置 | |
JP4076335B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2003264159A (ja) | 触媒処理方法及び触媒処理液 | |
JP2004300576A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
US20040186008A1 (en) | Catalyst-imparting treatment solution and electroless plating method | |
JP3902127B2 (ja) | めっき方法及び基板処理装置 | |
JP2007250915A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
JP2003142487A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2006120664A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2004263287A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2004204265A (ja) | めっき方法およびめっき装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040122 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070828 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071225 |