JP2010525166A - ウエハ無電解めっきのための方法および装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウエハ無電解めっき装置は、プラテンと、流体受けとを含む。プラテンは、ウエハを支持するように定められた上面と、該上面の周囲からプラテンの下表面へ下向きに伸びる外表面とを有する。流体受けは、プラテンとその上に支持されるウエハとを中に収容するために内部表面によって定められた内側空間を有する。流体受けの内部表面とプラテンの外表面との間に当接されたときに液密バリアを形成するために、流体受けの内部表面に沿ってシールが設けられる。電気めっき溶液が盛り上がってプラテンの上を流れ、プラテン上に存在しているときのウエハの上を流れるように、流体受け内で、シールより上方で電気めっき溶液を吐出するために、複数の流体吐出ノズルが位置決めされる。
【選択図】図6D
Description
・チャンバ内に既にウエハがないことを確認する。
・駆動ローラ701がそれらの完全後退位置にあることを確認する。
・安定化ローラ605がその完全後退位置にあることを確認する。
・入口ドア101を下降させる前に、チャンバへの液体入力が停止されていることを確認する。
・上側近接ヘッド203および下側近接ヘッド205が近接ヘッド・ドッキングステーション201上のそれらの定位置にあることを確認する。
・チャンバ100内の圧力が、チャンバ100がウエハ207を受け取るために開かれたときにチャンバ100内部空間が曝される外部モジュール内の圧力に十分に近いかどうかを確認する。一実施形態では、チャンバ100内の十分に近い圧力は、外部モジュール圧力の±10トール以内である。
・チャンバ100内の酸素含有量が、チャンバ100がウエハ207を受け取るために開かれたときにチャンバ100内部空間が曝される外部モジュール内の酸素含有量に十分に近いかどうかを確認する。一実施形態では、チャンバ100内の十分に近い酸素含有量は、外部モジュール酸素含有量の±5ppm以内である。
・入口ドア101を下降させる前に、チャンバへの液体入力が停止されていることを確認する。
・入口ドア101が下降されていることを確認する。
・上側近接ヘッド203および下側近接ヘッド205が近接ヘッド・ドッキングステーション201上のそれらの定位置にあることを確認する。
・チャンバ100内の圧力が、チャンバ100がウエハ207を受け取るために開かれたときにチャンバ100内部空間が曝される外部モジュール内の圧力に十分に近いかどうかを確認する。一実施形態では、チャンバ100内の十分に近い圧力は、外部モジュール圧力の±10トール以内である。
・チャンバ100内の酸素含有量が、チャンバ100がウエハ207を受け取るために開かれたときにチャンバ100内部空間が曝される外部モジュール内の酸素含有量に十分に近いかどうかを確認する。一実施形態では、チャンバ100内の十分に近い酸素含有量は、外部モジュール酸素含有量の±5ppm以内である。
Claims (20)
- 半導体ウエハ無電解めっき装置であって、
ウエハを支持するように定められた上表面を有するプラテンであって、前記プラテンの前記上表面の周囲から下表面へ下向きに伸びる外表面を含むプラテンと、
内部表面によって定められた内側空間を有する流体受けであって、前記プラテンとその上に支持されるウエハとを前記内側空間内に収容するように構成された流体受けと、
前記流体受けの前記内部表面と前記プラテンの前記外表面との間に当接されたときに液密バリアを形成するために、前記流体受けの前記内部表面に沿って設けられたシールと、
前記流体受け内であって前記シールより上方の複数の場所に電気めっき溶液を吐出するようにそれぞれ位置決めされた複数の流体吐出ノズルと、
を備える半導体ウエハ無電解めっき装置。 - 請求項1に記載の半導体ウエハ無電解めっき装置であって、
前記プラテンの前記外表面は、前記流体受けの前記内部表面と相補的な形状を有するように定められる、半導体ウエハ無電解めっき装置。 - 請求項1に記載の半導体ウエハ無電解めっき装置であって、
前記プラテンは、前記プラテンが前記シールに当接したときに、前記プラテンの前記外表面と前記流体受けの前記内部表面との間に液体保持空間が定められるように、前記流体受けの前記内側空間内に一致するように定められる、半導体ウエハ無電解めっき装置。 - 請求項1に記載の半導体ウエハ無電解めっき装置であって、
前記複数の流体吐出ノズルは、前記シールの近くに実質的に等間隔に設けられる、半導体ウエハ無電解めっき装置。 - 請求項1に記載の半導体ウエハ無電解めっき装置であって、
前記プラテンは、ウエハ真空吸着機能を提供するために真空供給源に流体接続された複数の真空チャネルを含むように定められる、半導体ウエハ無電解めっき装置。 - 請求項1に記載の半導体ウエハ無電解めっき装置であって、さらに、
前記プラテンの前記下表面に接続されたシャフトと、前記シャフトおよび前記プラテンの垂直移動を可能にするように定められた機構と、を含むように定められたプラテンリフト・アセンブリを備え、
前記流体受けは、前記内部表面の中央領域に、前記シャフトを可動式に通らせる開口を含むように構成される、半導体ウエハ無電解めっき装置。 - 請求項1に記載の半導体ウエハ無電解めっき装置であって、さらに、
複数のすすぎノズルを含むように構成されたすすぎバーであって、前記プラテンが前記流体受け内に位置決めされたときに前記複数のすすぎノズルから前記プラテンの前記上表面へすすぎ用の流体を注ぐことを可能にするために前記流体受けの上方に設けられたすすぎバーを備える半導体ウエハ無電解めっき装置。 - 半導体ウエハ無電解めっきのためのシステムであって、
ウエハを支持するための上表面と、前記上表面から下向きに伸びる外表面とを有するように構成されたプラテンと、
前記プラテンとその上に支持される前記ウエハとを収容するように定められた流体受けであって、前記流体受けの内表面と前記プラテンの前記外表面との間に液体保持空間を形成する流体受けと、
前記液体保持空間内であって前記プラテンの前記上表面より下方の場所に流体を吐出するように構成された複数の流体吐出ノズルと、
前記複数の流体吐出ノズルと流体連通した流体取り扱いシステムであって、前記複数の流体吐出ノズルへそしてそれらの流体吐出ノズル内に無電解めっき溶液を流れさせるように構成されており、前記無電解めっき溶液で前記液体保持空間を満たし、前記無電解めっき溶液が盛り上って前記プラテン上に流れ、前記プラテンの前記上表面上に支持されるウエハの上を流れるようにする、流体取り扱いシステムと、
を備える半導体ウエハ無電解めっきのためのシステム。 - 請求項8に記載の半導体ウエハ無電解めっきのためのシステムであって、
前記プラテンは、熱制御機器に接続された加熱コイルを含むように構成されている、半導体ウエハ無電解めっきのためのシステム。 - 請求項8に記載の半導体ウエハ無電解めっき用システムであって、
前記プラテンの前記外表面は、前記プラテンの前記上表面の周囲から前記プラテンの下表面にかけて実質的に一定の下方内向きの傾斜を有するように構成される、半導体ウエハ無電解めっきのためのシステム。 - 請求項8に記載の半導体ウエハ無電解めっきのためのシステムであって、さらに、
前記流体受けの前記内表面に設けられたシールであって、前記プラテンの前記外表面に当接し、前記流体受けの前記内表面と前記プラテンの前記外表面との間に前記液体保持空間を形成するシールを備える半導体ウエハ無電解めっきのためのシステム。 - 請求項11に記載の半導体ウエハ無電解めっきのためのシステムであって、
前記複数の流体吐出ノズルは、前記シールの上方に実質的に等間隔に設けられる、半導体ウエハ無電解めっきのためのシステム。 - 請求項8に記載の半導体ウエハ無電解めっきのためのシステムであって、さらに、
前記プラテンに接続されたシャフトと、前記シャフトおよび前記プラテンの垂直移動を可能にするように定められた機構と、を含むように定められたプラテンリフト・アセンブリを備え、
前記流体受けは、前記内表面の中央領域に、前記シャフトを可動式に通らせる開口を含むように構成される、半導体ウエハ無電解めっきのためのシステム。 - 請求項8に記載の半導体ウエハ無電解めっきのためのシステムであって、
前記プラテンおよび前記流体受けは、雰囲気制御されるチャンバ内に設けられ、
前記流体取り扱いシステムは、前記雰囲気制御されるチャンバの外側に設けられる、半導体ウエハ無電解めっきのためのシステム。 - 半導体ウエハ無電解めっきのための方法であって、
プラテン上にウエハを支持することと、
プラテンを囲うように定められる液体保持空間内であって前記ウエハより下方の場所に、無電解めっき溶液を吐出させることであって、前記無電解めっき溶液は、前記液体保持空間を満たし、盛り上がって、前記ウエハの上面の周囲から前記ウエハの前記上面の中心へ内向きに広がる実質的に一様な形で、前記ウエハの前記上面に流れるように吐出される、ことと、
前記ウエハの前記上面から前記無電解めっき溶液の大部分を除去するために、前記液体保持空間から前記無電解めっき溶液を排出させることと、
前記液体保持空間から前記無電解めっき溶液を排出させ後に直ちに前記ウエハの前記上面をすすぐことと、
を備える半導体ウエハ無電解めっきのための方法。 - 請求項15に記載の半導体ウエハ無電解めっきのための方法であって、さらに、
前記プラテンと流体受けとの間にシールを当接させ、前記プラテンを取り囲むように前記ウエハより下方の場所に定められる前記液体保持空間を形成するために、前記流体受け内へ前記プラテンを下降させること、を備える半導体ウエハ無電解めっきのための方法。 - 請求項16に記載の半導体ウエハ無電解めっきのための方法であって、さらに、
前記プラテンを下降させる前に、前記液体保持空間の外側を流れさせるためおよび前記無電解めっき溶液の流れを安定化させるために、所定量の前記無電解めっき溶液を、前記シールを越えて吐出すること、を備える半導体ウエハ無電解めっきのための方法。 - 請求項16に記載の半導体ウエハ無電解めっきのための方法であって、
前記液体保持空間から前記無電解めっき溶液を排出させることは、前記プラテンと前記流体受けとの間の前記シールを離すために、前記プラテンを上昇させることによって実施される、半導体ウエハ無電解めっきのための方法。 - 請求項15に記載の半導体ウエハ無電解めっきのための方法であって、さらに、
前記プラテンを制御された方法で加熱することと、
前記ウエハおよび前記無電解めっき溶液が曝される雰囲気条件を制御することと、
を備える半導体ウエハ無電解めっきのための方法。 - 請求項15に記載の半導体ウエハ無電解めっきのための方法であって、さらに、
前記ウエハの前記上面をすすいだ後に、前記ウエハに近接乾燥プロセスを施すことを備え、
前記無電解めっき溶液を吐出すること、前記無電解めっき溶液を排出させること、前記ウエハの前記上面をすすぐこと、および前記ウエハに前記近接乾燥プロセスを施すことが、共有の雰囲気空間内で実施される、半導体ウエハ無電解めっきのための方法。
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