KR101155291B1 - 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템 - Google Patents

Abstract

본 발명은 HF 가스와 NH₃ 가스가 서로 혼합되는 과정에서 파우더가 발생되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템에 관한 것이다. 본 발명에 따른 건식식각장치는 기판에 대한 공정이 행해지는 공간부가 형성되는 챔버와, 챔버의 내부에 배치되며, 기판이 안착되는 서셉터와, 외부로부터 공급된 HF 가스 및 NH₃ 가스가 혼합되며, 기판을 향하여 혼합된 가스를 분사하는 가스분사기와, HF 가스와 NH₃ 가스가 서로 반응하여 파티클(particle)이 발생하는 것이 방지되도록, 가스분사기 내부의 온도가 기설정된 기준온도 이상으로 유지되도록 가열하는 가열부를 포함한다.

Description

건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템{Apparatus for dry etching and substrate processing system having the same}

본 발명은 기판에 형성된 실리콘 산화막을 식각하기 위한 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 소자의 제조 공정은 기판 상에 서로 성질을 달리하는 도전막, 반도체막 및 절연막 등의 박막을 그 적층의 순서 및 패턴의 형상을 조합하여 일정한 기능을 수행하는 전자회로를 실현하는 과정이라고 말할 수 있다. 이에 따라 반도체 소자 제조 공정에서는 여러 가지 박막의 증착과 식각이 반복적으로 이루어진다.

한편, 여러 가지 박막 중 특히 실리콘 산화막은 기판으로 흔히 이용되는 실리콘과 양립성(compatibility)이 우수하고 열 산화 등의 방법으로 형성하기가 쉬우며 취급이 용이하기 때문에 절연막으로 많이 이용되고 있다. 이러한 실리콘 산화막을 식각하기 위한 장치의 종류로는 건식식각장치와 습식식각장치가 있으며, 종래의 건식식각장치의 개략적인 구성도가 도 1에 도시되어 있다.

도 1을 참조하면, 종래의 경우 외부로부터 공급된 HF 가스와 NH₃ 가스가 서로 혼합된 후 기판(W)으로 분사됨에 따라 실리콘 산화막이 식각된다.

하지만, 종래의 경우 HF 가스와 NH₃ 가스가 서로 혼합되면서 서로 반응함에 따라 생성되는 NH₄F가 파우더(powder) 형태로 발생하게 되고, 이로 인해 기판 상에 파티클이 형성되는 문제점이 있었다.

이러한 문제를 해결하고자, HF 가스와 NH₃ 가스의 농도를 낮춤으로써 NH₄F 파우더의 발생을 억제하는 방법이 시도된바 있으나, 여전히 NH₄F 파우더가 발생할 뿐더러, HF 가스 및 NH₃ 가스의 공급량을 자유로이 조절할 수 없다는 문제점이 있다.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 HF 가스와 NH₃ 가스가 서로 혼합되는 과정에서 파우더가 발생되는 것이 방지되도록 구조가 개선된 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템을 제공하는 것이다.

상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 건식식각장치는 기판에 대한 공정이 행해지는 공간부가 형성되는 챔버와, 상기 챔버의 내부에 배치되며, 상기 기판이 안착되는 서셉터와, 외부로부터 공급된 HF 가스 및 NH₃ 가스가 혼합되며, 상기 기판을 향하여 혼합된 가스를 분사하는 가스분사기와, 상기 HF 가스와 상기 NH₃ 가스가 서로 반응하여 파티클(particle)이 발생하는 것이 억제되도록, 상기 가스분사기 내부의 온도가 기설정된 기준온도 이상으로 유지되도록 가열하는 가열부를 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 상기 기준온도는 100℃ 이상인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명에 따르면 상기 기판은 상기 서셉터로부터 상부로 이격된 상태로 지지되어, 상기 기판의 하면과 상기 서셉터의 상면 사이에는 가스가 유동될 수 있는 가스유로가 형성되는 것이 바람직하다.

본 발명에 따른 기판처리시스템은 건식식각장치와, 상기 건식식각장치에서 식각되기 전의 기판 또는 상기 건식식각장치에서 식각된 후의 기판에 대한 처리공정이 행해지는 처리모듈과, 상기 건식식각장치와 상기 처리모듈 사이에서 상기 기판을 이송하는 이송모듈을 포함하는 것을 특징으로 한다.

상기한 구성의 본 발명에 따르면, HF 가스 및 NH₃ 가스가 혼합되는 과정에서 파우더가 발생하는 것이 방지되며, 그 결과 기판 상에 파티클이 형성되는 것을 방지할 수 있다.

도 1은 종래의 건식식각장치의 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 건식식각장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 개략적 단면도이다.
도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템의 구성도이다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 건식식각장치의 개략적인 단면도이며, 도 3은 도 2의 Ⅲ-Ⅲ선 개략적 단면도이다.

도 2 내지 도 3을 참조하면, 건식식각장치(100)는 챔버(10)와, 서셉터(20)와, 가스분사기(30)와, 가열부를 가진다.

챔버(10)는 기판(s)에 대한 식각공정이 행해지는 곳으로서, 내부에 공간부(11)가 마련된다. 이 공간부(11)는 챔버(10) 외부의 펌프(미도시)와 연결되어 공정 중에 진공분위기로 형성된다. 챔버(10)의 일측벽에는 기판(s)이 반입 및 반출될 수 있는 게이트밸브(12)가 설치된다. 그리고, 챔버(10)의 내벽에는 텅스텐이 코팅된다. 후술하겠지만 본 챔버(10)에서는 HF 가스(식각가스) 등을 이용한 식각공정이 이루어지기 때문에, 식각가스로 인하여 챔버(10)의 내벽이 부식되는 등의 문제가 발생할 수 있는 바, 내식성이 우수한 텅스텐을 챔버(10)의 내벽에 코팅함으로써 내구성을 증진시킨다. 텅스텐은 특히 염소계 및 불소계 가스에 대한 내식성이 우수한데, 양극코팅(anodizing coating)과 비교시 내식성에서 대략 140배 이상 우수한 것으로 알려져 있다. 또한, 텅스텐 코팅층의 윤활특성에 기인하여 파우더가 챔버(10) 내벽에 부착되어 챔버(10)가 오염되는 것도 효과적으로 방지할 수 있다.

서셉터(20)는 기판(s)을 지지하기 위한 것으로서 지지플레이트(21)와 승강축(22)을 구비한다. 지지플레이트(21)는 평평한 판 형상으로 챔버(10)의 공간부에 수평하게 배치되며, 제1플레이트(211)와, 제1플레이트(211)의 하부에 결합되는 제2플레이트(222)를 구비한다. 제1플레이트(211)의 상면에는 복수의 돌기부(23)가 형성된다. 이 돌기부(23)는 제1플레이트(211)의 상면에 대하여 돌출되게 형성되며, 도 2에 가상선으로 도시된 바와 같이 돌기부(23) 위에 기판(s)이 안착된다. 돌기부(23)에 안착되는 기판(s)은 제1플레이트(211)의 상면으로부터 상방으로 이격된 상태이므로, 기판(s)의 하면과 서셉터(20)의 상면 사이에는 약간의 틈이 발생하며 이 틈은 후술할 불활성가스가 진행하는 가스유로(p)를 형성하게 된다.

승강축(22)은 중공 형상으로 제2플레이트(222)로부터 수직하게 연장형성되어 제1플레이트(211)의 하부에 배치되며, 챔버(10)의 하부를 통해 외부로 연장된다. 챔버(10)의 공간부(11)는 공정 중에 진공을 유지하여야 하므로, 챔버(10)의 외부로 연장되어 있는 승강축(22)에는 신장 및 수축가능한 벨로우즈(80)가 결합되어 승강축(22)과 챔버(10) 사이의 틈새를 통해 공간부(11)의 진공이 해제되는 것을 방지한다. 또한, 승강축(22)은 모터(미도시) 등의 구동수단과 연결되어 지지플레이트(21)를 공간부(11) 내에서 상승 및 하강시킨다.

한편, 서셉터(20)에는 3개의 유로, 즉 기판(s)의 하면에 있는 파우더를 퍼지하기 위한 불활성가스를 유동시키기 위한 유로와, 공정 중에 기판(s)을 공정온도로 가열하기 위한 제1가열유로(24)와, 주변부 가열수단으로서 서셉터(20)의 측면과 하면을 가열하기 위한 제2가열유로(42)가 형성된다.

우선, 불활성가스를 유동시키기 위한 유로에 대하여 설명한다. 상술한 바와 같이, 기판(s)과 지지플레이트(21) 사이는 이격되어 가스유로(p)가 형성되며, N₂ 가스와 같은 불활성가스를 가스유로(p)로 공급하기 위한 가스공급로(27)가 승강축(22)을 따라 길게 형성된다. 가스공급로(27)는 가스라인(28,29)을 통해 챔버(10) 외부의 불활성가스 가스공급원(미도시)과 연결된다. 본 실시예에서 가스라인(28,29)은 2개 마련되어, 제1가스라인(28)을 통해서 상대적으로 저온인 제1온도범위로 가열된 불활성가스 또는 상온의 불활성가스가 공급되고 제2가스라인(29)을 통해서는 상대적으로 고온인 제2온도범위로 가열된 불활성가스가 공급된다. 밸브(v)의 개폐를 통해 제1가스라인(28)과 제2가스라인(29)을 선택적으로 운용할 수 있다. 그러나, 상기한 바와 같이 가스라인이 복수 개 배치되지 않고 하나만 배치하고 넓은 온도범위에서 가스를 가열할 수 있는 가열장치(미도시)를 가스라인에 설치하여 가스공급로(27)를 통해 공급되는 불활성가스의 온도를 제어할 수도 있다.

그리고 서셉터(20)의 제1플레이트(211)와 제2플레이트(222) 사이에는 가스공급로(27)와 연결되는 가스충전공간(223)이 형성된다. 이 가스충전공간(223)은 기판(s)이 놓여지는 제1플레이트(211)의 평면 방향과 평행한 방향으로 형성되며, 고리형으로 이루어진다. 또한 기판(s)이 안착되는 제1지지플레이트(2211)에는 가스충전공간(223)과 연결되는 다수의 퍼지공(224)이 형성된다.

불활성가스는 가스공급로(27)를 통해 유입되어 가스충전공간(223)에서 고르게 확산된 후 다수의 퍼지공(224)을 통해 기판(s)의 하면을 향해 분사됨으로써 기판(s)과 지지플레이트(21) 사이에 놓여진 식각부산물 등의 파우더의 발생을 억제할 수 있다.

상기한 바와 같이, 가스유로(p)를 통해 불활성가스가 공급함으로써 기판(s) 하면의 파우더의 발생을 위해서는 가스의 공급압력이 높은 것이 바람직한데, 불활성가스의 공급압력이 챔버(10) 내부의 공정압력보다 큰 경우 돌기부(23)에 지지되어 있는 기판(s)이 3mm ~5mm 정도 부상하여 슬라이딩 되는 등 지정된 위치로부터 이탈할 수 있는 위험이 있다. 이를 방지하고자, 본 실시예에서는 서셉터(20)의 상면에 다수의 가이드핀(g)이 설치된다. 이 가이드핀(g)은 돌기부(23)보다 높게 형성되어 서셉터(20)의 둘레 방향을 따라 일정 각도 간격 상호 이격되어 배치됨으로써 기판(s)이 돌기부(23)로부터 약간 부상된다고 하여도 서셉터(20)로부터 이탈되거나 슬라이딩 되는 등의 문제점을 방지할 수 있다.

제1가열유로(24)는 공정이 진행되는 동안 기판(s)을 공정온도로 가열하기 위한 것이다. 구체적으로 설명하면, 제1플레이트(211)의 중앙부에는 각각 유입라인(25)과 유출라인(26)이 형성되며, 이 유입라인(25)과 유출라인(26)은 제1가열유로(24)와 연결된다. 제1가열유로(24)는 제1플레이트(211)의 내측 상부에 형성되는데, 도 3a에 도시된 바와 같이, 제1플레이트(211)의 전 영역을 통과할 수 있도록 나선형과 유사한 형태로 배치된다. 유입라인(25)을 통해 공급된 유체는 제1가열유로(24)를 따라 제1플레이트(211)의 전체 영역을 순환한 후 유출라인(26)으로 배출되며, 이 과정에서 유체는 제1플레이트(211)의 상면 및 돌기부(23)에 안착된 기판(s)을 기설정된 공정온도로 가열한다. 유입라인(25)과 유출라인(26)은 상호 연결되어 있으며, 이들 사이에는 펌프와 같은 가압수단 및 히터(미도시) 등의 가열수단이 마련되어 열전달로 인하여 냉각된 유체를 다시 가열하여 순환시키게 된다.

주변부 가열수단은 제2가열유로(42)로서, 승강축(22)을 따라 길게 형성된 유체주입라인(44)과 유체주입라인(44)과 연결되며 제2플레이트(222)의 내부 하측에 수평방향을 따라 고리형으로 형성된 공간인 유체충전부(43)와, 승강축(22)을 따라 길게 형성되며 유체충전부(43)와 연결되는 유체배출라인(45)으로 이루어진다.

유체주입라인(44)을 통해 주입된 가열유체는 고리형의 유체충전부(43)에 충전된 후 유체배출라인(45)으로 배출된다. 가열유체는 유체주입라인(44)과 유체배출라인(45)을 통과하면서 승강축(22)을 가열하며, 유체충전부(43)를 지나면서 지지플레이트(21)의 하면을 가열함으로써, 지지플레이트(21)의 하면과 승강축(22)에 식각 부산물이 응축되는 것을 방지한다.

가스분사기(30)는 기판에 형성된 실리콘 산화막이 식각되도록 기판(W)을 향하여 식각가스를 분사하기 위한 것으로, 챔버(10)의 탑리드(13)에 결합된다. 본 실시예의 경우 가스분사기(30)는 샤워헤드(31)와, 가스공급관(32)으로 이루어진다.

샤워헤드(31)의 내부에는 공급된 식각가스가 확산되는 확산공간(311)이 형성되어 있으며, 샤워헤드(31)의 바닥면에는 식각가스가 분사되는 다수의 분사홀(312)이 관통 형성되어 있다.

가스공급관(32)은 샤워헤드(31)의 내부로 식각가스를 공급하기 위한 것으로, 본 실시예의 경우 식각가스로는 HF 가스와 NH₃ 가스가 혼합된 혼합가스가 이용된다. 가스공급관(32)의 일측 단부는 샤워헤드의 확산공간(311)에 연결된다. 그리고, 가스공급관(32)은 두 개의 관으로 분기되며, 두 개의 관중 하나의 관으로는 HF 가스가 공급되며, 나머지 하나의 관으로는 NH₃ 가스가 공급된다. 각 관으로부터 공급된 HF 가스와 NH₃ 가스는 분기지점에서 합쳐져 샤워헤드(31)의 내부로 유입되면서 서로 혼합되며, 샤워헤드(31)의 내부에서 확산된 후 기판으로 분사된다.

가열부는 HF 가스와 NH₃ 가스가 서로 반응하여 파우더(powder)가 발생되지 않도록 가스분사기(30) 내부, 보다 구체적으로는 HF 가스와 NH₃ 가스가 혼합되는 영역의 온도를 기준온도 이상으로 가열하기 위한 것이다. 즉, HF 가스와 NH₃ 가스의 반응시 NH₄F(Ammonium fluoride)가 생성되는데, 이 NH₄F는 100℃(melting point) 미만에서는 고체 상태의 파우더로 존재하고 100℃ 이상에서는 승화된다. 가열부는 HF 가스와 NH₃ 가스가 혼합되는 영역의 온도를 100℃(기준온도) 이상으로 가열함으로써 파우더가 발생하지 않도록 하는 것이다.

본 실시예의 경우, 가열부(51)는 패드 형상으로 형성되며, 샤워헤드의 외벽 보다 구체적으로는 샤워헤드(31)가 설치되는 탑 리드(top lid)(13)의 상면에 결합된다. 이 가열부(51)는 샤워헤드 내부의 온도를 100℃ 이상으로 가열/유지하며, 이에 따라 샤워헤드 내부에서 파우더가 발생하는 것이 방지된다. 또한, 가열부(52)는 HF 가스와 NH₃ 가스가 합쳐지는 지점, 즉 가스공급관의 분기지점에 결합되어, 이 지점의 내부 온도를 100℃ 이상으로 가열한다.

상술한 바와 같이, 본 실시예에 따르면 HF 가스와 NH₃ 가스가 혼합되는 영역의 온도가 100℃ 이상으로 가열되므로, NH₄F 파우더가 발생되는 것이 방지되며, 그 결과 웨이퍼 상에 NH₄F 파우더로 인해 파티클이 발생하는 것이 방지된다.

또한, 종래에는 NH₄F 파우더의 발생을 억제하기 위하여 HF 가스와 NH₃ 가스의 농도를 낮추었으나, 본 실시예의 경우에는 HF 가스와 NH₃ 가스의 농도에 상관없이 파우더가 발생하기 않으므로, 공정 조건에 따라 HF 가스와 NH₃ 가스의 농도를 자유롭게 조절할 수 있다.

또한, 본 실시예의 경우 주변부 가열수단(제2가열유로)이 마련되어 있으므로, 지지플레이트(21)의 하면과 승강축(22)에 식각 부산물이 응축되는 것이 방지된다.

또한, 본 실시예의 경우 기판(s)의 하면과 지지플레이트의 상면 사이에 불활성가스가 유동하는 가스유로(p)가 형성되어 있으므로, 기판의 하면에 식각부산물에 부착되는 것이 방지된다.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리시스템의 구성도이다.

도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리시스템(1000)은 건식식각장치(100)와, 처리모듈(200)과, 로드락모듈(400)과, 이송모듈(300)을 포함한다.

건식식각장치(100)는 기판에 대한 식각공정을 처리하기 위한 것으로, 그 세부적인 구성은 앞서 설명한 바와 같다(도 2 및 도 3에 개시).

처리모듈(200)은 건식식각장치에서 식각되기 전의 기판에 대하여 전처리공정을 행하거나 또는 건식식각장치에서 식각된 후의 기판에 대하여 후처리공정을 행하기 위한 것이다. 전처리공정은 기판을 식각하기 전 식각공정이 효율적으로 진행되도록 사전에 행해지는 공정으로, 예를 들어 기판 상에 존재하는 각종 유기물이나 이물질 등을 제거하는 공정 등이 행해질 수 있다. 후처리공정은 기판을 식각한 후 이루어지는 후속공정으로서, 식각된 기판을 세정하는 세정공정 등이 행해질 수 있다. 이와 같이, 처리모듈(200)은 내부에서 행해지는 공정에 적합하도록 구성된다(세정이나 다른 형태의 공정을 위한 구성은 이미 공지된바 상세한 설명은 생략한다).

로드락모듈(400)은 기판에 대하여 이루어지는 공정(식각공정 포함)이 행해지기 전의 기판과, 모든 공정이 행해진 후의 기판이 저장되는 곳으로, 이 로드락모듈에는 기판이 수납되는 카세트(401) 등이 구비된다.

이송모듈(300)은 건식식각장치(100)와, 처리모듈(200)과, 로드락모듈(400) 사이에서 기판을 이송하기 위한 것이다. 이송모듈(300)에는 기판의 이송을 위한 로봇암(301) 등이 구비되며, 건식식각장치, 처리모듈, 로드락모듈 및 이송모듈 사이에 마련된 게이트(미도시)를 통해 기판이 이송된다.

한편, 본 실시예의 경우에는 처리모듈이 1개 구비되어 있으나, 기판에 대한 공정단계에 따라 처리모듈은 복수로 구비될 수 있으며, 이와 같이 처리모듈이 복수로 구비되는 경우에는 기판 이송을 원활하게 하고, 공간활용성을 높이기 위해 각 모듈들이 클러스트형태로 배치될 수 있다.

이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 도시하고 설명하였으나, 본 발명은 상술한 특정의 바람직한 실시예에 한정되지 아니하며, 청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 다양한 변형 실시가 가능한 것은 물론이고, 그와 같은 변경은 청구범위 기재의 범위 내에 있게 된다.

예를 들어, 본 실시예의 경우에는 가스공급관의 분기지점 및 샤워헤드의 상부에 각각 가열부가 설치되어 있으나, 가시공급관의 분기지점 및 샤워헤드의 상부 중 어느 하나에만 가열부를 설치할 수도 있다.

100...건식식각장치 10...챔버
20...서셉터 21 ... 지지플레이트
22 ... 승강축 23 ... 돌기부
24 ... 제1가열유로 p ... 가스유로
27 ... 가스공급로 30 ... 가스분사기
42 ... 제2가열유로 51,52...가열부
80 ... 벨로우즈 1000...기판처리시스템
200...처리모듈 300...이송모듈
400...로드락모듈

Claims (11)

1. 기판에 대한 공정이 행해지는 공간부가 형성되는 챔버;
   상기 챔버의 내부에 배치되며, 상기 기판이 안착되는 서셉터;
   외부로부터 공급된 HF 가스 및 NH₃ 가스가 혼합되며, 상기 기판을 향하여 혼합된 가스를 분사하는 가스분사기; 및
   상기 HF 가스와 상기 NH₃ 가스가 서로 반응하여 파티클(particle)이 발생하는 것이 방지되도록, 상기 가스분사기 내부의 온도가 기설정된 기준온도 이상으로 유지되도록 상기 가스분사기를 가열하는 가열부;를 포함하며,
   상기 서셉터는 수평하게 배치되어 상기 기판을 지지하는 지지플레이트와, 상기 지지플레이트의 하부에 결합되어 상기 지지플레이트를 승강시키는 승강축을 구비하며,
   상기 지지플레이트의 하면과 상기 승강축을 가열하기 위한 주변부 가열수단을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 건식식각장치.
2. 제1항에 있어서,
   상기 기준온도는 100℃ 이상인 것을 특징으로 하는 건식식각장치.
3. 삭제
4. 제1항에 있어서,
   상기 서셉터의 내부에는 상기 서셉터의 평면방향을 따라 가스가 충전될 수 있는 가스충전공간이 형성되며,
   상기 서셉터의 상면에는 상기 서셉터의 상측과 상기 가스충전공간을 상호 연통시켜 상기 가스가 상기 기판의 하면을 향해 분사될 수 있게 하는 다수의 퍼지공이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 건식식각장치.
5. 삭제
6. 삭제
7. 제1항에 있어서,
   상기 주변부 가열수단은,
   상기 지지플레이트와 승강축의 내측에 형성되어 유체가 유동되는 가열유로부인 것을 특징으로 하는 건식식각장치.
8. 제7항에 있어서,
   상기 가열유로부는 상기 승강축을 따라 형성되어 유체가 주입되는 유체주입라인과, 상기 유체주입라인과 연결되며 상기 지지플레이트에 형성되어 있는 유체충전부와, 상기 승강축을 따라 형성되어 상기 유체충전부와 연결되는 유체배출라인으로 이루어지며,
   상기 유체충전부는 상기 지지플레이트의 평면방향을 따라 유체가 충전될 수 있는 유체충전공간인 것을 특징으로 하는 건식식각장치.
9. 제1항에 있어서,
   상기 기판이 상기 서셉터에 대하여 슬라이딩되는 것을 방지하도록, 상기 서셉터의 상면에 대하여 돌출된 가이드핀이 상기 서셉터의 둘레 방향을 따라 서로 이격되어 설치되는 것을 특징으로 하는 건식식각장치.
10. 제1항에 있어서,
    상기 챔버의 내벽은 텅스텐으로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 건식식각장치.
11. 제1항, 제2항, 제4항, 제7항 내지 제10항 중 어느 한 항에 기재된 건식식각장치;
    상기 건식식각장치에서 식각되기 전의 기판 또는 상기 건식식각장치에서 식각된 후의 기판에 대한 처리공정이 행해지는 처리모듈; 및
    상기 건식식각장치와 상기 처리모듈 사이에서 상기 기판을 이송하는 이송모듈;을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리시스템.

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