KR102119396B1 - 기판처리장치 - Google Patents

기판처리장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102119396B1
KR102119396B1 KR1020180130385A KR20180130385A KR102119396B1 KR 102119396 B1 KR102119396 B1 KR 102119396B1 KR 1020180130385 A KR1020180130385 A KR 1020180130385A KR 20180130385 A KR20180130385 A KR 20180130385A KR 102119396 B1 KR102119396 B1 KR 102119396B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
exhaust passage
bellows
central
central exhaust
Prior art date
Application number
KR1020180130385A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200048359A (ko
Inventor
한진수
김수천
Original Assignee
주식회사 테스
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 테스 filed Critical 주식회사 테스
Priority to KR1020180130385A priority Critical patent/KR102119396B1/ko
Priority to CN201980060603.1A priority patent/CN112740387A/zh
Priority to PCT/KR2019/012789 priority patent/WO2020091239A1/ko
Publication of KR20200048359A publication Critical patent/KR20200048359A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102119396B1 publication Critical patent/KR102119396B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Abstract

본 발명은 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버의 하면에 연결된 벨로우즈 내측에 파우더 등이 누적되어 서셉터의 상하 이동 시에 파우더가 비산하여 박막에 파티클이 부착되는 것을 줄일 수 있는 기판처리장치에 대한 것이다.

Description

기판처리장치 {Substrate processing apparatus}
본 발명은 기판처리장치에 대한 것으로서, 보다 상세하게는 챔버의 하면에 연결된 벨로우즈 내측에 파우더 등이 누적되어 서셉터의 상하 이동 시에 파우더가 비산하여 박막에 파티클이 부착되는 것을 줄일 수 있는 기판처리장치에 대한 것이다.
일반적으로 기판처리장치의 경우 챔버 내측에 배치되어 기판을 지지하며 상하로 이동하는 서셉터와, 상기 기판을 향해 공정가스 등을 공급하는 가스공급부를 구비하게 된다.
기판에 박막을 증착하는 경우에 파티클(particle) 등이 기판에 부착되면 박막의 품질을 현저히 떨어뜨리는 요인으로 작용하게 된다. 따라서, 상기 파티클을 발생시킬 수 있는 파우더 등을 제거하기 위하여 챔버 내부의 가스 또는 파우더를 배기하는 배기부를 구비하게 된다.
하지만, 상기 챔버의 내측 또는 상기 챔버에 연결된 구성요소 중에 일부는 상기 배기부를 이용하여 파우더 등과 같은 이물질을 배기하기 곤란한 구조를 가질 수 있다. 특히, 상기 서셉터를 상하로 이동시키기 위한 구동바와 연결되는 벨로우즈 구조의 내측에 파우더 등이 쌓이게 되면 기존에 구비된 배기부를 통해 파우더 및 잔류가스 등을 제거하는 것이 극히 곤란해진다.
도 9는 종래기술에 따른 기판처리장치에서 벨로우즈 구조 및 배기유로를 도시한 단면도에 해당한다. 도 9에서는 서셉터(10)의 하면에서 아래를 향해 연장된 구동바(32)와, 구동바(32)를 감싸도록 배치되어 진공상태를 유지하는 벨로우즈(33) 및 배기유로(40)를 도시한다.
도 9를 살펴보면, 구동바(32)는 챔버(12)의 관통홀(24)을 통해 하부로 돌출되며, 벨로우즈(33)에 의해 관통홀(24)을 실링하여 내측의 진공 상태를 유지하게 된다.
이 경우, 기판(W)에 대한 처리공정 중에 발생할 수 있는 파우더 등이 관통홀(24)의 가장자리와 구동바(32)의 외면 사이의 간격을 통해 벨로우즈(33) 내측으로 유입될 수 있다.
특히, 도 9에 도시된 바와 같이 상기 챔버(12)의 배기유로(40)는 중앙부가 아니라 일측으로 치우쳐서 연결된다. 상기 벨로우즈(33)는 상하로 수축 및 신장을 하게 되므로 상기 벨로우즈(33)에 배기유로 등을 직접 연결하는 경우에 지속적으로 굽힘 하중이 배기유로에 작용하여 배기유로가 쉽게 파손 또는 손상 받을 수 있기 때문이다. 또한, 상기 챔버(12)의 베이스 중앙부에는 서셉터(10)의 구동바(32)와 함께 서셉터(10)의 온도조절을 위한 각종 유체라인 및 파워케이블 등의 각종 전선 등이 연결되므로, 상기 챔버(12)의 베이스 중앙부에 배기유로를 연결하기 곤란하다.
이 경우, 벨로우즈(33)의 내측으로 유입된 파우더(P) 등은 벨로우즈(33)의 내측의 하부에 쌓이게 된다. 이때, 챔버(12)의 베이스 중앙부에서 이격되어 배치된 배기부(40)에 의해 챔버(12) 내부의 가스를 배기하고, 또한 구동플레이트(34)가 상하로 승강 이동하여 벨로우즈(33)가 신장 및 수축을 하게 되면, 벨로우즈(33) 내측에 쌓인 이물질(P)들이 비산하여 관통홀(12)을 통해 챔버의 내부로 퍼질 수 있다.
이러한 구성을 가지는 경우에 상기 배기유로(40)에 의해 상기 챔버(12) 내부의 가스를 배기하는 경우에 상기 벨로우즈(22) 내측에 쌓인 파우더 등을 상기 챔버(12)의 내측으로 다시 비산시켜 유입시킬 수 있다.
이와 같이 상기 챔버(12)의 내측으로 유입된 파우더 등은 기판(W)에 증착되는 박막에 파티클로 작용하여 상기 박막의 품질을 떨어뜨리게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여, 챔버의 하면에 연결된 벨로우즈 내측에 파우더 등이 누적되어 서셉터의 상하 이동 시에 파우더가 비산하여 박막에 파티클이 부착되는 것을 줄일 수 있는 기판처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기와 같은 본 발명의 목적은 기판을 수용하며 상기 기판에 대한 처리공간을 제공하는 챔버, 상기 기판을 지지하며, 상기 챔버의 하면에 형성된 관통홀을 관통하는 구동바가 하면 중앙부에 연결되어 상하로 이동하는 서셉터, 상기 관통홀의 외측에서 하부를 향해 연장되는 제1 고정부, 상기 제1 고정부의 하단부에 연결되어 상기 구동바의 외측에서 실링하는 제1 벨로우즈, 상기 제1 벨로우즈의 하단부 및 상기 구동바의 하단부가 연결되며 상하로 승하강 이동하는 구동플레이트 및 상기 제1 고정부와 연결되어 가스가 배기되는 적어도 하나의 제1 중앙부 배기유로를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치에 의해 달성된다.
여기서, 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내측의 가스를 배기하는 챔버 배기유로를 더 구비할 수 있으며, 이때 상기 제1 중앙부 배기유로는 상기 챔버 배기유로에 연결될 수 있다.
또한, 상기 서셉터의 온도조절을 위한 적어도 하나의 유체라인 또는 적어도 하나의 전선이 상기 구동바 및 상기 구동플레이트를 관통하여 상기 구동플레이트의 하부로 연장될 수 있다.
한편, 상기 구동플레이트의 하단부에 연결되는 제2 벨로우즈와, 상기 제2 벨로우즈의 하단부에 연결되며, 상기 챔버 하부에 연결된 지지바에 의해 지지되는 지지플레이트를 더 구비하고, 상기 구동플레이트에는 상기 제1 벨로우즈와 제2 벨로우즈를 연통시키는 연통홀이 더 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 제2 벨로우즈 하단부와 상기 지지플레이트를 연결하는 제2 고정부와, 상기 제2 고정부와 연결되어 가스가 배기되는 적어도 하나의 제2 중앙부 배기유로를 더 구비할 수 있다.
나아가, 상기 제2 벨로우즈의 내측에 상기 구동플레이트와 상기 지지플레이트를 연결하는 제3 벨로우즈를 더 구비하고, 상기 서셉터의 온도조절을 위한 적어도 하나의 유체라인 또는 적어도 하나의 전선이 상기 구동바의 하단부에서 상기 제3 벨로우즈의 내측을 지나 상기 지지플레이트를 관통하여 하부로 연장될 수 있다.
한편, 상기 제1 고정부에는 상기 제1 중앙부 배기유로와 연결되는 제1 연결홀을 구비하고, 상기 제1 연결홀은 경사져서 형성되며, 상기 제2 고정부에는 상기 제2 중앙부 배기유로와 연결되는 제2 연결홀을 구비하고, 상기 제2 연결홀은 경사져서 형성될 수 있다.
또한, 상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로는 서로 엇갈려서 배치될 수 있다.
한편, 상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내측의 가스를 배기하는 챔버 배기유로를 더 구비하고, 상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로는 상기 챔버 배기유로에 연결될 수 있다.
이 경우, 상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로의 개수는 상기 챔버 배기유로의 개수에 대응하여, 상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로가 상기 챔버 배기유로에 각각 연결될 수 있다.
나아가, 상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로는 상기 챔버 배기유로에 비해 더 작은 단면적을 가질 수 있다.
한편, 상기 제1 중앙부 배기유로 및 제2 중앙부 배기유로와 상기 챔버 배기유로는 각각 별개의 펌핑부에 연결될 수 있다.
이 경우, 상기 별개의 펌핑부 중에 적어도 하나는 상이한 펌핑압력을 가질 수 있다.
전술한 구성을 가지는 본 발명에 따르면, 챔버의 하면에 연결된 벨로우즈 내측의 파우더를 제거할 수 있게 되어 서셉터의 상하 이동 시에 파우더가 비산하여 박막에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면 중앙부 배기유로를 연결하는 경우에 챔버 하면에 연장 형성되어 움직임 없이 고정된 고정부에 연결함으로써 상기 중앙부 배기유로의 수명을 연장시키고 손상 및 파손을 줄일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치의 내부 구성을 도시하는 측단면도,
도 2는 제1 고정부와 제1 벨로우즈를 도시한 사시도,
도 3은 제1 벨로우즈 내부의 배기흐름을 도시한 측단면도,
도 4는 다른 실시예에 따른 기판처리장치를 도시한 측단면도,
도 5는 도 4에서 고정부 및 벨로우즈를 도시한 사시도,
도 6은 구동플레이트를 도시한 평면도,
도 7은 도 4에 따른 구성에서 벨로우즈 내부의 배기흐름을 도시한 측단면도,
도 8은 다른 실시예에 따른 기판처리장치에서 벨로우즈 내부의 배기흐름으로 도시한 측단면도,
도 9는 종래기술에 따른 기판처리장치에서 벨로우즈 구조 및 배기유로를 도시한 단면도이다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 기판처리장치의 구조에 대해서 상세하게 살펴보도록 한다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(2000)의 내부 구성을 도시하는 측단면도이다.
상기 기판처리장치(2000)는 기판(W)을 수용하며 상기 기판(W)에 대한 처리공간(123)을 제공하는 챔버(100)와, 상기 기판(W)을 지지하며, 상기 챔버(100)의 관통홀(124)을 관통하는 구동바(320)가 하면 중앙부에 연결되어 상하로 이동하는 서셉터(310)와, 상기 관통홀(124)의 외측에서 하부를 향해 연장되는 제1 고정부(510)와, 상기 제1 고정부(510)의 하단부에 연결되어 상기 구동바(320)의 외측에서 실링하는 제1 벨로우즈(410)와, 상기 제1 벨로우즈(410)의 하단부 및 상기 구동바(320)의 하단부가 연결되어 상하로 승하강 이동하는 구동플레이트(700) 및 상기 제1 고정부(510)와 연결되어 가스가 배기되는 적어도 하나의 제1 중앙부 배기유로(514, 516)를 구비할 수 있다.
먼저, 상기 기판처리장치(2000)는 기판(W)이 처리되는 처리공간(123)을 제공하는 챔버(100)를 구비할 수 있다.
상기 챔버(100)는 챔버몸체(120)와 상기 챔버몸체(120)의 개구된 상부를 밀폐하는 챔버리드(110)를 구비할 수 있다.
상기 챔버(100)의 내부에는 상기 기판(W)을 향해 공정가스 등을 공급하는 샤워헤드(200)를 구비할 수 있다. 상기 샤워헤드(200)는 상기 챔버(100) 내측의 상부에 구비되어 상기 기판(W)을 향해 공정가스 등을 공급하게 된다.
상기 공정가스를 공급하는 공정가스 공급원(500)이 상기 챔버(100)의 외부에서 상기 샤워헤드(200)를 향해 공정가스를 공급하게 된다.
이때, 상기 샤워헤드(200)는 기판(W) 상에 증착되는 증착막의 균일도 유지를 위해 상기 기판(W)이 로딩된 서셉터(310)와 실질적으로 나란하게 평행하게 배치되며, 상기 서셉터(310)와의 간격 역시 적절하게 조절될 수 있다.
한편, 상기 챔버(100)의 내부의 처리공간(123)의 하부에는 상기 기판(W)을 지지하는 서셉터(310)를 구비할 수 있다.
구체적으로, 상기 기판(W)은 상기 서셉터(310)의 상면에 안착될 수 있다. 이 경우, 상기 서셉터(310)의 하면 중앙부에는 상기 서셉터(310)를 상하로 미리 결정된 거리만큼 이동시키는 구동바(320)가 연결된다. 도 1에서 상기 구동바(320)는 상기 서셉터(310)와 별개의 구성요소로 도시되지만, 이에 한정되지는 않으며 상기 구동바(320)는 상기 서셉터(310)와 일체로 형성될 수도 있다.
한편, 상기 챔버(100)의 내부에서 상기 기판(W)에 대한 각종 처리공정을 수행하는 경우에 상기 챔버(100)의 내부에는 가스 또는 파우더(powder) 등이 남아 있을 수 있다.
이 경우, 파우더가 상기 챔버(100)의 내측에 잔존하는 경우에 상기 기판에 증착되는 박막에 부착되어 파티클(particle)이 될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 기판처리장치(2000)는 이러한 가스 또는 파우더 등을 상기 챔버(100)의 외부로 배기하기 위하여 배기부(800)를 구비할 수 있다.
상기 배기부(800)는 적어도 하나의 챔버 배기유로(810, 820)와, 상기 챔버 배기유로(810, 820)와 연결되는 적어도 하나의 펌핑부(미도시)를 구비할 수 있다.
상기 챔버 배기유로(810, 820)는 상기 챔버(100)의 베이스(121)에 연결되어 상기 챔버(100)의 내부의 가스 또는 파우더 등을 상기 챔버(100)의 외부로 배기하게 된다. 도 1에서는 상기 챔버 배기유로(810, 820)가 두 개로 도시되지만 이에 한정되지는 않으며 한 개 또는 더 많은 개수의 배기유로를 포함하여 구성될 수도 있다.
또한, 본 실시예의 경우 상기 챔버 배기유로(810, 820)가 상기 챔버(100)의 베이스(121)에 연결되는 것으로 도시되지만 상기 챔버 배기유로(810, 820)는 상기 챔버(100)의 측벽 또는 챔버리드(110)에 연결되는 것도 가능하다.
한편, 상기 챔버 배기유로(810, 820)를 두 개 이상, 복수개로 구성하는 경우 각 배기유로마다 펌핑부를 배치하게 된다면 전체 장치의 구성이 매우 복잡해지고 제어가 어려워질 수 있다. 따라서, 상기 챔버 배기유로(810, 820)는 통합 배기유로(830)로 합쳐지고 상기 통합 배기유로(830)에 펌핑부를 배치할 수 있다.
한편, 상기 구동바(320)는 상기 챔버(100)의 베이스(121)에 형성된 관통홀(124)을 관통하여 상기 챔버(100)의 외부로 돌출 형성된다. 이 경우, 상기 기판(W)에 대한 공정 중에 상기 챔버(100)의 내부는 진공 상태를 유지하게 되므로 상기 관통홀(124)을 실링 상태로 유지하는 제1 벨로우즈(410)를 구비하게 된다.
상기 제1 벨로우즈(410)는 상기 챔버(100) 하부에서 상기 구동바(320)의 외측에서 상기 서셉터(310)가 상하 이동하는 중에 상기 관통홀(124)의 실링을 유지하게 된다.
한편, 상기 기판(W)에 대한 처리공정 중에 발생할 수 있는 가스 또는 파우더 등이 상기 관통홀(124)의 가장자리와 상기 구동바(320)의 외면 사이의 간격을 통해 상기 제1 벨로우즈(410) 내측으로 유입될 수 있다. 상기 간격은 실질적으로 매우 작게 형성되지만 상기 파우더 등이 상기 제1 벨로우즈(410) 내측으로 유입되기에는 충분한 간격을 형성하게 된다. 나아가, 상기 제1 벨로우즈(410) 내부로 유입된 가스가 그 내부에서 파우더 등의 이물질을 형성할 수 있다.
상기 제1 벨로우즈(410)의 내측으로 유입된 또는 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측에서 생성된 파우더 등은 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측의 하부에 쌓이게 된다. 이때, 상기 구동바(320)가 상하로 승하강 이동하게 되면 상기 제1 벨로우즈(410) 내측에 쌓인 이물질들이 비산하여 상기 관통홀(124)을 통해 상기 챔버(100)의 내부로 퍼질 수 있으며, 이러한 이물질들은 상기 기판(W)에 증착되는 박막에 파티클로 작용하여 상기 박막의 품질을 떨어뜨리게 된다.
특히, 상기 챔버 배기유로(810, 820)가 상기 챔버(100)의 베이스(121)의 중앙부가 아니라 일측에 치우쳐서 배치되므로, 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 의해 챔버(100) 내부의 가스 등을 펌핑하여 배기하는 경우에 상기 벨로우즈 유닛(400) 내부의 파우더 등이 비산할 가능성이 높아진다.
또한, 상기 관통홀(124)의 가장자리와 상기 구동바(320)의 외면 사이의 간격은 실질적으로 매우 작고, 상기 챔버 배기유로(810, 820)가 상기 챔버(100)의 베이스(124)의 중앙부에서 일측에 치우쳐서 배치되므로, 상기 배기부(800)를 구비하는 경우에도 상기 제1 벨로우즈(410) 내측에 쌓인 파우더 등을 펌핑하여 배기하는 것은 극히 곤란하다.
따라서, 본 발명에서는 이러한 문제점을 해결하기 위하여 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측에서 파우더 또는 가스를 배기할 수 있는 구성을 채용하게 된다.
이 경우, 전술한 제1 벨로우즈(410)는 상기 구동바(320)가 상하로 승강이동 하는 경우에 상하로 수축 또는 신장되어 상기 구동바(320)의 움직임을 허용하면서 상기 구동바(320)를 둘러싸서 밀폐시켜 상기 관통홀(124)의 실링상태를 유지하게 된다.
결국, 상기 기판(W)에 대한 처리 공정 중에 반복적으로 상하로 수축 또는 신장되는 제1 벨로우즈(410)에 배기유로 등을 직접 연결하는 것은 벨로우즈의 형상을 고려해 볼 때 매우 어려운 작업이 될 수 있다. 또한, 상기 제1 벨로우즈(410)의 반복적인 움직임으로 인해 배기유로에 지속적으로 굽힘하중이 발생하여 상기 배기유로에 손상 또는 파손을 유발할 수 있다.
따라서, 본 발명에서는 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측 가스 또는 파우더 등을 배기하는 경우에 벨로우즈 등과 같이 이동하는 구성요소가 아닌 고정된 요소에 배기유로를 연결하게 된다.
구체적으로, 상기 제1 벨로우즈(410)의 상부와 상기 챔버(100)의 하면 사이에 제1 고정부(510)를 구비하고, 상기 제1 고정부(510)와 연결되어 가스가 배출되는 적어도 하나의 제1 중앙부 배기유로(514, 516)를 구비할 수 있다.
도 2는 상기 고정부(2510)와 제1 벨로우즈(410)를 도시한 사시도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 상기 제1 고정부(510)의 상단부는 상기 챔버(100)의 하면과 연결되고, 상기 제1 고정부(510)의 하단부는 상기 제1 벨로우즈(410)의 상단부와 연결된다. 이때, 상기 제1 벨로우즈(410)의 하단부는 구동플레이트(700)에 연결된다.
상기 구동플레이트(700)에 구동수단이 연결되어 상기 구동플레이트(700)를 상하로 승하강 시키며, 이때 상기 구동바(320) 및 서셉터(310)가 함께 상하로 승하강 하게 된다. 상기 서셉터(310)가 상하로 승하강 하는 경우에 상기 제1 벨로우즈(410)는 신장 및 수축을 하게 되며, 상기 제1 고정부(510)는 상기 서셉터(310)의 승하강 이동 시 위치변동 또는 변형없이 고정된다.
한편, 상기 제1 고정부(510)에 적어도 하나의 제1 중앙부 배기유로(514, 516)가 연결된다.
이 경우, 상기 제1 고정부(510)에 연결홀(512, 513)이 형성되고, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)가 상기 연결홀(512, 513)에 연결될 수 있다.
이때, 상기 제1 고정부(510)는 이동하는 구성요소가 아닌 고정된 구성 요소에 해당하여 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)를 연결하는 경우에 용이하게 연결할 수 있다. 또한, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)에 굽힘 하중 등이 작용하지 않게 되어 상기 중앙부 배기유로(2514, 2516)의 손상 또는 파손 가능성을 줄일 수 있다.
한편, 상기 서셉터(310)에는 온도조절을 위한 열교환장치(미도시)와, 각종 센서(미도시) 등이 배치될 수 있으며, 상기 열교환장치와 연결되어 상기 서셉터(310)의 온도조절을 위한 적어도 하나의 유체라인(323) 또는 적어도 하나의 전선(324)이 상기 구동바(320)의 내측을 관통하여 하부로 연장된다.
따라서, 상기 챔버(100)의 베이스(121) 중앙부에 배기유로를 직접 연결하게 되면 전술한 유체라인(323) 및 전선(324) 등과 간섭이 발생하여 연결이 매우 어려워진다. 또한, 배기유로를 제1 벨로우즈(410)의 직하부에 연결하는 경우에도 동일한 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 경우, 상기 서셉터(310)의 온도조절을 위한 적어도 하나의 유체라인(323) 또는 적어도 하나의 전선(324)이 상기 구동바(320) 및 상기 구동플레이트(700)를 관통하여 상기 구동플레이트(700)의 하부로 연장될 수 있다. 예를 들어, 상기 유체라인(323) 및 전선(324)은 보호부(322) 등에 의해 둘러싸여 상기 구동바(320) 및 상기 구동플레이트(700)를 관통하여 상기 구동플레이트(700)의 하부로 연장될 수 있다.
이 경우, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)가 상기 제1 고정부(510)의 측면에 연결된다. 이에 의해, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)가 전술한 유체라인 및 전선 등과 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
한편, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)는 도면에서는 상기 제1 고정부(510)에 두 개가 연결되며 상기 제1 고정부(510)에 대칭적으로 연결되는 것으로 도시되지만 이에 한정되지는 않는다. 즉, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)의 개수 및 연결위치 등은 적절하게 변형될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)를 이루는 배기유로가 상기 제1 벨로우즈(410)의 중앙부를 중심으로 일직선상에 배치되지 않고 서로 엇갈려서 배치될 수 있다.
한편, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)는 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 연결될 수 있다. 따라서, 상기 챔버 배기유로(810, 820)를 통해 상기 챔버(100) 내측의 가스 또는 파우더 등을 펌핌하여 배기하는 경우 상기 챔버 배기유로(810, 820)의 펌핑력이 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)로 전달되어 상기 제1 벨로우즈(410) 내측의 잔존가스 또는 파우더를 함께 펌핑하여 배기할 수 있다.
즉, 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)를 통해 펌핌하여 배기하는 경우에 상기 제1 벨로우즈(410) 하부에 잔존하는 가스 또는 파우더 등을 배기함과 동시에 상기 관통홀(124)을 통해 상기 제1 벨로우즈(240) 내측으로 막 유입되는 잔존가스 또는 파우더 등을 배기할 수 있다.
한편, 상기 연결홀(512, 513)은 도면에 도시되지 않았지만 상부를 향해, 또는 상기 관통홀(124)을 향해 경사져서 형성될 수 있다.
상기 연결홀(512, 513)이 경사진 구성을 가지는 경우, 상기 관통홀(124)을 통해 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측으로 유입되는 가스 또는 파우더를 상기 연결홀(512, 513) 및 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)에 의해 보다 효과적으로 배기하여 제거할 수 있다.
또한, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)가 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 연결되지 않고 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)와 상기 챔버 배기유로(810, 820)가 각각 별개의 펌핑부(미도시)에 연결될 수 있으며, 이 경우 상기 별개의 펌핑부 중에 적어도 하나는 상이한 펌핑압력을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)에 연결되는 벨로우즈 펌핑부(미도시)와 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 연결되는 챔버 펌핑부(미도시)의 펌핑압력을 상이하게 조절할 수 있다.
상기 벨로우즈 펌핑부의 펌핑압력을 상기 챔버 펌핑부의 펌핑압력보다 크도록 하는 경우 상기 제1 벨로우즈(410) 내측의 가스 또는 파우더 등을 보다 효과적으로 배기할 수 있다.
또한, 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)는 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 비해 더 작은 단면적을 가질 수 있다. 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)의 단면적을 작게 함으로써 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)의 내부 압력이 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 비해 더 낮도록 하여 펌핑효율을 향상시킬 수 있다.
나아가, 도면에 도시되지는 않았지만 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)가 직접 펌핑부에 연결되는 경우에 전술한 챔버 배기유로(810, 820)의 구성을 생략할 수 있다. 즉, 상기 챔버(100)의 내부 가스 등을 배기하는 경우에 큰 펌핑용량이 필요치 않은 경우에는 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)만을 사용하여 상기 챔버(100) 내부의 가스를 배기하도록 구성될 수 있다.
이 경우, 상기 관통홀(124)의 가장자리와 상기 구동바(320)의 외면 사이의 간격을 넓혀 상기 제1 중앙부 배기유로(514, 516)에 의한 펌핑효율을 높여 상기 챔버(100) 내부의 가스 등이 좀더 원활하게 배기되도록 할 수 있다.
한편, 도 4는 다른 실시예에 따른 기판처리장치(1000)를 도시한다. 전술한 실시예와 비교하여 동일한 구성요소는 동일한 도면부호를 사용하였다.
도 4를 참조하면, 본 실시예에 따른 기판처리장치(1000)는 상기 구동플레이트(1700)의 하단부에 연결되는 제2 벨로우즈(420)와, 상기 제2 벨로우즈(420)의 하단부에 연결되며, 상기 챔버(100) 하부에 연결된 지지바(610)에 의해 지지되는 지지플레이트(630)를 더 구비할 수 있다.
이 경우, 상기 제1 벨로우즈(410) 및 제2 벨로우즈(420)는 상하방향으로 신장 및 수축 가능하게 상기 챔버(100) 하부에서 순차적으로 배치될 수 있다.
이 경우, 상기 제1 벨로우즈(410)의 상단부는 상기 챔버(100)의 하면과 연결될 수 있고, 상기 제1 밸로우즈(410)의 하단부는 상기 구동플레이트(1700)의 상면에 연결된다. 또한, 상기 제2 벨로우즈(420)의 상단부는 상기 구동플레이트(1700)의 하면에 연결되고 상기 제2 벨로우즈(420)의 하단부는 상기 지지플레이트(630)에 연결된다. 이때, 상기 지지플레이트(630)는 상기 챔버(100)의 하면에서 아래를 향해 연장된 지지바(610)에 의해 지지되어 고정된다.
도 5는 상기 제1 벨로우즈(410) 및 제2 벨로우즈(420)를 도시한 사시도이고, 도 6은 상기 구동플레이트(1700)를 도시한 평면도이다.
도 4 내지 도 6을 참조하면, 상기 구동플레이트(1700)에는 상기 서셉터(310)의 구동바(320)의 하단부가 연결되며, 상기 구동플레이트(1700)의 일측에는 연장부(705) 등을 구비하여 상기 연장부(705)가 구동수단(미도시)과 연결될 수 있다.
따라서, 상기 구동수단의 구동에 의해 상기 구동플레이트(1700)가 상하로 승하강 이동하는 경우에 상기 구동바(320) 및 상기 서셉터(310)가 함께 상하로 승하강 이동할 수 있다.
한편, 상기 구동플레이트(1700)에는 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측공간과 상기 제2 벨로우즈(420)의 내측공간을 연통시키는 연통홀(710, 720)이 형성될 수 있다.
이 경우, 상기 연통홀(710, 720)은 상기 제1 벨로우즈(410)와 구동바(320) 사이에 형성될 수 있으며, 도면에는 2개의 연통홀을 도시하지만 상기 연통홀의 개수 및 형상은 적절하게 변형될 수 있다.
상기 연통홀(710, 720)에 의해 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측공간과 상기 제2 벨로우즈(420)의 내측공간이 연통된다. 따라서, 후술하는 바와 같이 상기 제2 벨로우즈(420)의 하단부를 통해 가스 또는 파우더 등을 배기하는 경우에 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측공간, 상기 연통홀(710, 720) 및 상기 제2 벨로우즈(420)의 내측공간을 거쳐 가스 등을 배기할 수 있다. 이에 대해서는 이후에 살펴본다.
한편, 도 4 및 도 5를 참조하면, 상기 제1 벨로우즈(410)의 상단부와 상기 챔버(100) 하면을 연결하는 제1 고정부(510)와 함께, 상기 제2 벨로우즈(420) 하단부와 상기 지지플레이트(630)를 연결하는 제2 고정부(520)를 더 구비할 수 있다.
상기 제1 고정부(510)와 제2 고정부(520)는 도면에 도시된 바와 같이 상하부가 개방된 대략 원기둥 형상을 가질 수 있다.
상기 제1 고정부(510)의 상단부는 상기 챔버(100)의 하면에 연결되며, 보다 구체적으로 상기 관통홀(124)의 외측에서 상기 챔버(100)의 하면에 연결될 수 있다. 또한, 상기 제1 고정부(510)의 하단부는 상기 제1 벨로우즈(410)의 상단부와 연결된다. 이 경우, 상기 구동바(320)는 상기 제1 고정부(510)를 관통하여 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측으로 삽입되어 전술한 구동플레이트(1700)에 연결될 수 있다.
한편, 상기 제2 고정부(520)의 상단부는 상기 제2 벨로우즈(420)의 하단부와 연결되며, 상기 제2 고정부(520)의 하단부는 상기 지지플레이트(630)에 연결된다.
상기와 같은 구조를 가지는 경우, 상기 서셉터(310)의 승하강 이동을 위하여 상기 구동플레이트(1700)가 상하로 승하강 이동하는 경우에 상기 제1 벨로우즈(410) 및 제2 벨로우즈(420)가 수축 및 신장운동을 하게 되며, 전술한 제1 고정부(510)와 제2 고정부(520)는 위치변동 또는 변형없이 고정될 수 있다.
예를 들어, 상기 구동플레이트(1700)가 상승하는 경우에 상기 제1 벨로우즈(410)가 수축하고, 상기 제2 벨로우즈(420)가 신장을 하게 된다. 반면에 상기 구동플레이트(1700)가 하강하는 경우에 상기 제1 벨로우즈(410)가 신장을 하고 상기 제2 벨로우즈(420)가 수축을 하게 된다.
이 경우, 상기 제1 벨로우즈(410)의 상단부 및 제2 벨로우즈(420)의 하단부에 위치한 제1 고정부(510)와 제2 고정부(520)는 각각 챔버(100)의 하면 및 지지플레이트(630)에 연결되어 고정된 위치를 유지하게 된다.
이 경우, 상기 제2 고정부(520)와 연결되어 가스가 배기되는 적어도 하나의 제2 중앙부 배기유로(524)를 더 구비할 수 있다.
즉, 본 실시예의 경우, 상기 제1 고정부(510))와 연결되는 제1 중앙부 배기유로(514)와, 상기 제2 고정부(520)와 연결되는 제2 중앙부 배기유로(524)를 구비할 수 있다.
한편, 상기 서셉터(310)에는 온도조절을 위한 열교환장치(미도시)와, 각종 센서(미도시) 등이 배치될 수 있으며, 상기 열교환장치와 연결되어 상기 서셉터(310)의 온도조절을 위한 적어도 하나의 유체라인(323) 또는 적어도 하나의 전선(324)이 상기 구동바(320)의 내측을 관통하여 하부로 연장된다.
따라서, 상기 챔버(100)의 베이스(121) 중앙부에 배기유로를 직접 연결하게 되면 전술한 유체라인(323) 및 전선(324) 등과 간섭이 발생하여 연결이 매우 어려워진다. 또한, 배기유로를 제2 벨로우즈(420)의 직하부에 연결하는 경우에도 동일한 문제점이 발생한다.
따라서, 본 발명의 경우, 상기 제2 벨로우즈(420)의 내측에 상기 구동플레이트(1700)와 상기 지지플레이트(630)를 연결하는 제3 벨로우즈(430)를 더 구비할 수 있다. 이 경우, 상기 서셉터(310)의 온도조절을 위한 적어도 하나의 유체라인(323) 또는 적어도 하나의 전선(324)이 상기 구동바(320)의 하단부에서 상기 구동플레이트(1700)를 관통하고 상기 제3 벨로우즈(430)의 내측을 지나 상기 지지플레이트(630)를 관통하여 하부로 연장될 수 있다.
예를 들어, 상기 유체라인(323) 및 전선(324)은 보호부(322) 등에 의해 둘러싸여 상기 구동바(320) 및 상기 제3 벨로우즈(430)를 관통하여 상기 지지플레이트(630)의 하부로 연장될 수 있다.
이 경우, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)가 상기 제1 고정부(510)의 측면에 연결되고, 상기 제2 중앙부 배기유로(524)가 상기 제2 고정부(520)의 측면에 연결된다. 이에 의해, 상기 제1 중앙부 배기유로(514) 및 제2 중앙부 배기유로(524)가 전술한 유체라인 및 전선 등과 간섭이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
이 경우, 상기 제1 고정부(510)에는 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 연결되는 제1 연결홀(512)을 구비할 수 있다. 마찬가지로, 상기 제2 고정부(520)에는 상기 제2 중앙부 배기유로(524)와 연결되는 제2 연결홀(522)을 구비할 수 있다.
한편, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)는 상기 제1 벨로우즈(410) 또는 제2 벨로우즈(420)의 중앙부를 중심으로 서로 반대방향에 대칭적으로 배치될 수 있는데, 본 발명은 이에 한정되지 않으며 적절하게 변형이 가능하다.
예를 들어, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524')는 상기 제1 벨로우즈(410) 또는 제2 벨로우즈(420)의 중앙부를 중심으로 일직선 상에 배치되지 않고 서로 엇갈려서 배치될 수 있다.
상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524')가 서로 엇갈려서 배치되는 경우, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524')에 의해 배기를 하는 경우에 상기 제1 벨로우즈(410) 및 제2 벨로우즈(420)의 내부에서 배기흐름에 의한 난류를 발생시켜 보다 효과적으로 배기할 수 있다.
한편, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)는 전술한 챔버 배기유로(810, 820)에 연결될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)의 총개수가 상기 챔버 배기유로(810, 820)의 개수에 대응하도록 구비되어, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)가 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 각각 연결될 수 있다.
또는 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)의 총개수가 상기 챔버 배기유로(810, 820)의 개수에 비해 더 많은 경우에는 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)가 가까운 위치에 배치된 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 적절하게 연결될 수 있다. 이 경우에는 상기 챔버 배기유로(810, 820)의 하나의 유로에 둘 이상의 중앙부 배기유로가 연결될 수 있다.
한편, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)는 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 비해 더 작은 단면적을 가질 수 있다. 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)의 단면적을 작게 함으로써 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)의 내부 압력이 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 비해 더 낮도록 하여 펌핑효율을 향상시킬 수 있다.
한편, 도 4에서는 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)가 전술한 챔버 배기유로(810, 820)에 연결되는 실시예를 도시하지만, 본 발명은 이에 한정되지는 않는다.
즉, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)가 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 연결되지 않고, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)와 상기 챔버 배기유로(810, 820)가 각각 별개의 펌핑부(미도시)에 연결될 수 있으며, 이 경우 상기 별개의 펌핑부 중에 적어도 하나는 상이한 펌핑압력을 가질 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)에 연결되는 벨로우즈 펌핑부(미도시)와 상기 챔버 배기유로(810, 820)에 연결되는 챔버 펌핑부(미도시)의 펌핑압력을 상이하게 조절할 수 있다.
상기 벨로우즈 펌핑부의 펌핑압력을 상기 챔버 펌핑부의 펌핑압력보다 크도록 하는 경우 상기 제1 벨로우즈(410) 및 제2 벨로우즈(420) 내측의 가스 또는 파우더 등을 보다 효과적으로 배기할 수 있다.
또한, 도면에 도시되지는 않았지만 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)가 직접 펌핑부에 연결되는 경우에 전술한 챔버 배기유로(810, 820)의 구성을 생략할 수 있다. 즉, 상기 챔버(100)의 내부 가스 등을 배기하는 경우에 큰 펌핑용량이 필요치 않은 경우에는 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)만을 사용하여 상기 챔버(100) 내부의 가스를 배기하도록 구성될 수 있다.
이 경우, 상기 관통홀(124)의 가장자리와 상기 구동바(320)의 외면 사이의 간격을 넓혀 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)의 펌핑효율을 높여 상기 챔버(100) 내부의 가스 등이 좀더 원활하게 배기되도록 할 수 있다.
도 7은 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)를 구비한 경우 상기 제1 벨로우즈(410) 및 제2 벨로우즈(420) 내부의 배기흐름을 도시한 측단면도이다.
도 7을 참조하면, 상기 챔버(100)의 내부에서 상기 관통홀(124)을 통해 상기 제1 벨로우즈(410)으로 유입된 가스 또는 파우더 등은 상기 제1 고정부(510)에 연결된 제1 중앙부 배기유로(514)를 통해 배기될 수 있다.
한편, 상기 제1 중앙부 배기유로(514)에 의해 제거되지 않고, 상기 구동플레이트(1700)의 연통홀(710, 720)을 통해 상기 제2 벨로우즈(420)의 내측으로 유입된 가스 또는 파우더 등은 상기 제2 고정부(520)에 연결된 상기 제2 중앙부 배기유로(524)에 의해 배기되어 제거될 수 있다.
한편, 도 8은 다른 실시예에 따라 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제2 중앙부 배기유로(524)를 구비한 경우 상기 제1 벨로우즈(410) 및 제2 벨로우즈(420) 내부의 배기흐름을 도시한 측단면도이다. 도 8에서는 도 7과 동일한 구성요소에는 동일한 도면부호를 사용하였다.
도 8을 참조하면, 본 실시예의 경우 상기 제1 중앙부 배기유로(514)와 제1 고정부(510)가 연결되는 제1 연결홀(517)이 미리 결정된 각도(θ1)로 경사져서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제1 연결홀(517)은 도면에 도시된 바와 같이 상부를 향해, 또는 상기 관통홀(124)을 향해 경사져서 형성될 수 있다.
상기 제1 연결홀(517)이 전술한 구성을 가지는 경우, 상기 관통홀(124)을 통해 상기 제1 벨로우즈(410)의 내측으로 유입되는 가스 또는 파우더를 상기 제1 연결홀(517) 및 상기 제1 중앙부 배기유로(514)에 의해 보다 효과적으로 배기하여 제거할 수 있다.
또한, 상기 제2 중앙부 배기유로(524)와 제2 고정부(520)가 연결되는 제2 연결홀(526)도 미리 결정된 각도(θ2)로 경사져서 형성될 수 있다.
예를 들어, 상기 제2 연결홀(526)은 도면에 도시된 바와 같이 하부를 향해, 또는 상기 지지플레이트(630)를 향해 경사져서 형성될 수 있다.
상기 제2 연결홀(526)이 전술한 구성을 가지는 경우, 상기 연통홀(710, 720)을 통해 상기 제2 벨로우즈(420)의 내측으로 유입되어 상기 지지플레이트(630)의 상면에 누적된 파우더 등을 상기 제2 연결홀(526) 및 상기 제2 중앙부 배기유로(524)에 의해 보다 효과적으로 배기하여 제거할 수 있다.
또한, 도면에는 도시되지 않았지만 상기 제2 연결홀(526)이 상부를 향해 경사져서 형성될 수도 있다. 이 경우, 상기 연통홀(710, 720)을 통해 상기 제2 벨로우즈(420)의 내측으로 유입되는 가스 또는 파우더 등을 상기 제2 연결홀(526) 및 상기 제2 중앙부 배기유로(524)에 의해 바로 배기하여 제거할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 당업자는 이하에서 서술하는 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경 실시할 수 있을 것이다. 그러므로 변형된 실시가 기본적으로 본 발명의 특허청구범위의 구성요소를 포함한다면 모두 본 발명의 기술적 범주에 포함된다고 보아야 한다.
100 : 챔버
220 : 샤워헤드
310 : 서셉터
320 : 구동바
410 : 제1 벨로우즈
420 : 제2 벨로우즈
500 : 공정가스 공급원
512 : 제1 중앙부 배기유로
524 : 제2 중앙부 배기유로
700 : 구동플레이트
800 : 배기부
810, 820 : 챔버 배기유로
1000 : 기판처리장치

Claims (14)

  1. 기판을 수용하며 상기 기판에 대한 처리공간을 제공하는 챔버;
    상기 기판을 지지하며, 상기 챔버의 하면에 형성된 관통홀을 관통하는 구동바가 하면 중앙부에 연결되어 상하로 이동하는 서셉터;
    상기 관통홀의 외측에서 하부를 향해 연장되는 제1 고정부;
    상기 제1 고정부의 하단부에 연결되어 상기 구동바의 외측에서 실링하는 제1 벨로우즈;
    상기 제1 벨로우즈의 하단부 및 상기 구동바의 하단부가 연결되며 상하로 승하강 이동하는 구동플레이트;
    상기 제1 고정부와 연결되어 가스가 배기되는 적어도 하나의 제1 중앙부 배기유로;
    상기 구동플레이트의 하단부에 연결되는 제2 벨로우즈; 및
    상기 제2 벨로우즈의 하단부에 연결되며, 상기 챔버 하부에 연결된 지지바에 의해 지지되는 지지플레이트;를 구비하고,
    상기 구동플레이트에는 상기 제1 벨로우즈와 제2 벨로우즈를 연통시키는 연통홀이 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내측의 가스를 배기하는 챔버 배기유로를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 중앙부 배기유로는 상기 챔버 배기유로에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 서셉터의 온도조절을 위한 적어도 하나의 유체라인 또는 적어도 하나의 전선이 상기 구동바 및 상기 구동플레이트를 관통하여 상기 구동플레이트의 하부로 연장되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  5. 삭제
  6. 제1항에 있어서,
    상기 제2 벨로우즈 하단부와 상기 지지플레이트를 연결하는 제2 고정부와,
    상기 제2 고정부와 연결되어 가스가 배기되는 적어도 하나의 제2 중앙부 배기유로;를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 제2 벨로우즈의 내측에 상기 구동플레이트와 상기 지지플레이트를 연결하는 제3 벨로우즈를 더 구비하고,
    상기 서셉터의 온도조절을 위한 적어도 하나의 유체라인 또는 적어도 하나의 전선이 상기 구동바의 하단부에서 상기 제3 벨로우즈의 내측을 지나 상기 지지플레이트를 관통하여 하부로 연장되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  8. 제6항에 있어서,
    상기 제1 고정부에는 상기 제1 중앙부 배기유로와 연결되는 제1 연결홀을 구비하고, 상기 제1 연결홀은 경사져서 형성되며,
    상기 제2 고정부에는 상기 제2 중앙부 배기유로와 연결되는 제2 연결홀을 구비하고, 상기 제2 연결홀은 경사져서 형성되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  9. 제6항에 있어서,
    상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로는 서로 엇갈려서 배치되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  10. 제6항에 있어서,
    상기 챔버에 연결되어 상기 챔버 내측의 가스를 배기하는 챔버 배기유로를 더 구비하고, 상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로는 상기 챔버 배기유로에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로의 개수는 상기 챔버 배기유로의 개수에 대응하여, 상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로가 상기 챔버 배기유로에 각각 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 제1 중앙부 배기유로와 제2 중앙부 배기유로는 상기 챔버 배기유로에 비해 더 작은 단면적을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 중앙부 배기유로 및 제2 중앙부 배기유로와 상기 챔버 배기유로는 각각 별개의 펌핑부에 연결되는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 별개의 펌핑부 중에 적어도 하나는 상이한 펌핑압력을 가지는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.


KR1020180130385A 2018-10-30 2018-10-30 기판처리장치 KR102119396B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180130385A KR102119396B1 (ko) 2018-10-30 2018-10-30 기판처리장치
CN201980060603.1A CN112740387A (zh) 2018-10-30 2019-10-01 基板处理装置
PCT/KR2019/012789 WO2020091239A1 (ko) 2018-10-30 2019-10-01 기판처리장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020180130385A KR102119396B1 (ko) 2018-10-30 2018-10-30 기판처리장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200048359A KR20200048359A (ko) 2020-05-08
KR102119396B1 true KR102119396B1 (ko) 2020-06-05

Family

ID=70677521

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180130385A KR102119396B1 (ko) 2018-10-30 2018-10-30 기판처리장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102119396B1 (ko)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110041665A (ko) * 2009-10-16 2011-04-22 주식회사 아토 기판처리장치
KR101155291B1 (ko) * 2010-02-22 2012-06-12 주식회사 테스 건식식각장치 및 이를 구비한 기판처리시스템
KR102046109B1 (ko) * 2015-10-02 2019-12-02 주식회사 원익아이피에스 기판 처리 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20200048359A (ko) 2020-05-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20210035786A1 (en) Substrate processing apparatus
CN108570662B (zh) 喷淋板、处理装置和喷出方法
KR102097109B1 (ko) 증착 장치
KR20210015641A (ko) 기판 처리 장치
CN112885692A (zh) 基板处理设备
US8986495B2 (en) Plasma processing apparatus
CN112885693A (zh) 基板处理设备
TWI691613B (zh) 包含流動隔離環的處理套組
KR100934517B1 (ko) 슬릿 밸브
TWI524447B (zh) 用以密封製程腔室之開口的方法與裝置
KR20110118771A (ko) 반도체 가공 챔버의 오염을 최소화하기 위한 방법 및 장치
US10847351B2 (en) Plasma chamber with tandem processing regions
TW202135165A (zh) 半導體加工設備
KR102119396B1 (ko) 기판처리장치
US20150086302A1 (en) Substrate processing apparatus and maintenance method thereof
JP6029452B2 (ja) 基板処理装置
KR102121799B1 (ko) 기판처리장치
KR100752148B1 (ko) 기판 처리 설비
KR102505372B1 (ko) 관통형 노 및 관통형 노가 구비된 다이 본더
JP7089987B2 (ja) 原子層堆積装置
CN112740387A (zh) 基板处理装置
KR101421416B1 (ko) 박막증착장치
JP2018190963A (ja) 気体供給装置、気体供給装置の制御方法、ロードポート及び半導体製造装置
JP7441908B2 (ja) 基板処理装置
KR101377997B1 (ko) 플라즈마 에칭 장치 및 기체 분배장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant