TWI524447B - 用以密封製程腔室之開口的方法與裝置 - Google Patents

Description

用以密封製程腔室之開口的方法與裝置

本發明之實施例大致上關於電子元件製造，並且特別是關於用以改善電漿製程腔室中一開口之密封的方法與設備。

在製造平面面板顯示器、電視或電腦螢幕、太陽能電池陣列等，各種介電質、半導體與導電層係依序地被沉積在基材之表面上。這些基材可以由玻璃、聚合物、金屬或其他適當之具有電子元件形成於其上之基材材料所製成。為了增加製造效率與/或更低的生產成本，欲被處理之基材之尺寸持續增大。故，用以在基材表面上形成多個層之製程腔室之尺寸亦持續增大。

典型地，基材製程腔室係經由一可密封的開口與基材傳送腔室連通，其中該開口係寬且相當短以容納水平方位之基材的插入與移除。可以在鄰近製程腔室處設置一腔室隔離閥(亦被稱為狹縫閥)以密封這樣的開口。

例如，隔離閥可以接附到製程腔室，從而使隔離閥之一密封板(亦被稱為門)得以被延伸以密封該門，且得以被縮回以允許基材經由該開口之通過。

不幸地，隨著基材尺寸以及製程腔室中所需要之開口的尺寸持續增加，與目前密封系統有關的電漿均勻性、氣流、微粒污染和溫度均勻性的問題也持續增加。因此，需要能改善製程腔室之密封的方法與設備。

本發明之實施例大致上提供一種用以密封製程腔室之開口的改善方法與設備，其中該製程腔室可以被用在一叢集型式(cluster-type)之基材處理系統中。

在本發明之一實施例中，一種用以密封一製程腔室之一壁中開口的設備，包含：一閉合構件，至少部分地設置在該壁之一前板與一後板之間，該前板係鄰近一處理空間；一導電凸塊，設置在該閉合構件與該壁之該前板之間；以及一佈置機構，用以相對於該開口垂直地且水平地移動該閉合構件。在一實施例中，該閉合構件具有垂直地延伸遠離該開口之一延伸部。

在另一實施例中，一種用以密封一製程腔室之一壁中開口的方法，包含：引動一佈置機構以經由一閉合構件之一延伸部而相對於該開口移動該閉合構件，其中該閉合構件至少部分地設置在該壁之一前板與一後板之間；以及移動一門構件使其接觸該前板，以密封該腔室壁中之該開口。在一實施例中，該閉合構件具有一門構件與一托持構件。

在另一實施例中，一種製程腔室，包含：一壁，具有一前板、一後板以及一延伸穿過該壁之開口，該前板鄰近一處理空間；一閉合構件，位於該前板與該後板之間；以及一佈置機構，用以相對於該開口移動該閉合構件。

在本發明之另一實施例中，一種製程腔室，包含：一腔室主體，具有一底部與一壁，其中一開口延伸穿過該壁；一閉合構件，設置在該腔室主體內；以及一佈置機構，用以相對於該開口移動該閉合構件。在一實施例中，該閉合構件具有至少一導電密封構件設置在其上。

在本發明之又另一實施例中，一種用以密封一製程腔室之一壁中開口的方法，包含：引動一佈置機構以經由一閉合構件之一延伸部而相對於該開口移動該閉合構件，其中該閉合構件設置在該製程腔室內；移動該製程腔室內之該閉合構件之一門構件使其接觸該壁，以密封該腔室壁中之該開口；以及在該門構件與該腔室壁之間建立電氣接觸。

本發明之實施例大致上包含一種用以密封製程腔室之開口的改善方法與設備，其中該製程腔室可以被用在一叢集型式之基材處理系統中。

第1圖為受益自本發明之一示範性基材處理系統100的平面圖。基材處理系統100包括一負或閉鎖腔室120、一傳送腔室130、一傳送機械手臂140和多個基材製程腔室150。

負載閉鎖腔室120可以允許使一或更多基材被引入基材處理系統100之真空環境，而不需要將整個系統加壓到大氣壓力。

基材在製程腔室150中被處理。製程腔室150可以是電漿增強化學氣相沉積(PECVD)腔室。基材製程腔室150也可以是其他型式的製程腔室，例如物理氣相沉積(PVD)腔室。典型地，這些基材製程腔室150係彼此隔開，以為了將不相容的製程氣體的滲透減到最小以及這是因為不同的製程需要明顯不同的真空程度。

位在傳送腔室130內之傳送機械手臂140係在基材製程腔室150與負載閉鎖腔室120之間傳送基材。基材處理系統100之各腔室150得以藉由一或多個腔室隔離閥160與所有其他腔室隔開。這些腔室隔離閥160係被設置在傳送腔室130與結合之製程腔室150或負載閉鎖腔室120之間。

第2A圖為製程腔室(諸如被設置在鄰近相關之腔室隔離閥160處的製程腔室150)之一實施例的截面圖。例如，製程腔室150可以是一電漿增強化學氣相沉積(PECVD)腔室。適當的電漿增強化學氣相沉積腔室可從美國加州聖大克勞拉市(Santa Clara)之應用材料公司(Applied Materials,Inc.)獲得。第2B圖為隔離閥160的部分放大圖。

腔室150大致上包括多個壁202、一壁230、一底部204、一噴頭210以及一基材支撐件230，其共同地界定一處理空間206。處理空間206經由一開口208來存取，因此基材102可以被傳送進出腔室150。腔室隔離閥160被設置在鄰近腔室150處，以在基材被傳送時得以允許存取開口208，且在基材不被傳送時得以密封開口208。這樣的設置形成了與腔室開口208和腔室隔離閥160相關的一長通道209。在典型的腔室組態中，長通道209的長度為約20cm或更大。

腔室隔離閥160係對鄰近之製程腔室150密封開口208，因而能允許製程腔室150之加壓以處理其內的基材。典型地，傳統的腔室隔離閥不是被設計用來容納與大面積基材(諸如平面面板)之電漿處理相關的大壓力差。已經發展一種改善的設備與方法，其併入一可移動的托持構件到腔室隔離閥內，其中該托持構件係在腔室閥門被關閉時能施加一支撐托持力量在該腔室閥門上。此種併入托持構件與托持力量到腔室隔離閥內的方法與設備係在下文與美國專利案號7,086,638(其在西元2006年8月8日授予Kurita等人)中詳細地被討論，其中該專利被併入本文以作為參考。

參照第2A和2B圖，腔室隔離閥160可以包括一閉合構件263以用於密封腔室開口208。腔室隔離閥160也可以包括一閥外殼265，閉合構件263之至少一部分係可移動地被設置在閥外殼265內。為了允許腔室隔離閥160與製程腔室150之開口208聯結使用，腔室隔離閥160之閥外殼265可以被置放抵靠該製程腔室150，從而在密封開口208時能在閥外殼265與製程腔室160之間形成一密封。

閉合構件263可以包括一腔室隔離閥門267以用於密封腔室開口208。閉合構件263可以再包括一托持構件269，托持構件269係可以相對於腔室隔離閥門267移動。例如，托持構件269可以延伸遠離腔室隔離閥門267，或縮回朝向腔室隔離閥門267。此外，托持構件269可以托持或支撐腔室隔離閥門267，例如當腔室隔離閥門267位於前述欲密封腔室開口208的位置時。

閥外殼265可以界定一封圍273，一對於封圍273之第一開口275、以及一對於封圍273之第二開口277。第一開口275係鄰近傳送腔室150的內部，並且可以存取腔室150的內部。如第2圖所示，第二開口277和封圍273係沿著與第一開口275和封圍273的共同軸對準，並且當封圍263位於開啟位置時，第二開口277和封圍273的尺寸係允許基材得以通過閥外殼265且進出製程腔室150。第一開口275相應地形成了長通道209之延伸。

在用以密封存在大壓力差之製程腔室之腔室隔離閥160的實施例中，閥外殼265可以更包括一後板279，其中第二開口277形成在該後板279內。後板279適於允許托持構件269接觸後板279且推抵後板279，以在密封期間能托持閉合構件263之腔室隔離閥門267。可以在托持構件269與後板279之間設置一彈性體的O-環266，以在托持構件269與後板279之間提供一壓力緊密密封。此外，也可以在托持構件269與後板279之間設置一導電凸塊268。閥外殼265可以更包含一前板281，其中第一開口275形成在該前板281內。前板281適於允許閉合構件之腔室隔離閥門267接觸前板281且密封第一開口275周圍。閥門267可以包括O-環266，以在閥門267與閥外殼265之前板281之間提供一壓力密封。

第2A和2B圖進一步顯示由鄰近隔離閥160之製程腔室150所產生之電漿201的截面示意圖。在處理期間，一射頻(RF)返回路徑沿著製程腔室150之內表面被建立，其中該製程腔室150含有電漿201。因此，可以藉由隔離閥160建立一RF返回路徑，以在開口208包含電漿201。經由導電接觸件，可以在隔離閥外殼265與製程腔室壁203之間建立此返回路徑。此外，經由透過導電凸塊268所提供之托持構件269與閥外殼265之間的導電接觸件，返回路徑可以延續穿過隔離閥160之第二開口277。

然而，儘管可以實質地包含電漿201，此組態相關的問題係存在。第一，如第2圖所示，產生的電漿201對於基材102不是均勻的。實際上，由於開口208形成之長通道209的長度，電漿201會延伸一顯著距離到開口208內。由於此顯著距離，這情況會發生，而使電漿201行進到達前述隔離閥160。此非均勻電漿產生會導致基材102上實質不均勻的沉積。

又，製程腔室150中的氣流在開口208處會被抑制，這是因為氣體傾向於會在腔室開口208相關的長通道209內被捕獲。此種在腔室開口208處的“穿隧效應(tunneling effect)”也似乎會沿著製程腔室壁203導致非均勻的溫度分佈，其中開口208位在該製程腔室壁203上。此兩情形也會造成基材102上之非均勻的材料沉積。

與前述組態相關之另一問題是在腔室開口208處長通道209中會產生殘餘的製程膜。長通道209中過量的殘餘製程膜會在通道209中的腔室表面上導致過量的材料沉積。相應地，在傳送期間，這些沉積物會脫落到基材上，造成了基材102的污染。

相對地，藉由去除開口208處的長通道209而縮短到隔離閥160之RF返回路徑的距離，本發明之實施例得以顯著地改善前述組態。第3A圖藉由可產生電漿301之製程腔室350的截面來顯示本發明的一實施例。

類似前述腔室150，製程腔室350大致上包括多個壁302、一壁303、一底部304、一噴頭310以及一基材支撐件330，其共同地界定一處理空間306。基材支撐件330可以包括一用以支撐基材102之基材接收表面332，以及一耦接到舉升系統336用以升高與降低基材支撐件330之桿334。多個舉升銷338係可移動地被設置穿過基材支撐件330，以移動基材到基材接收表面332且從基材接收表面332移動基材。基材支撐件330也可以包括多個RF返回帶331，以在基材支撐件330的周圍與壁302之間提供一RF路徑，其縮短了到RF功率源322的RF返回路徑。RF返回帶之實例被揭示在西元2000年2月15日授予Law等人之美國專利案號6,024,044以及Park等人在西元2006年12月20日申請之美國專利申請案號11/613,934，該兩案整體被併入本文以作為參考。

噴頭310可以在其周圍藉由一懸掛件314耦接到一背板312。噴頭310也可以藉由一或多個中心支撐件316耦接到背板312，以避免噴頭310的下垂與/或控制噴頭310的筆直性/彎曲性。一氣體源320可以耦接到背板312，以經由背板312與經由噴頭310提供氣體到基材接收表面332。一真空泵309可以耦接到腔室350，以控制處理空間306於期望的壓力。RF功率源322可以耦接到背板312與/或耦接到噴頭310，以提供RF功率予噴頭310，因此噴頭與基材支撐件之間得以建立一電場，以從氣體在噴頭310與基材支撐件330之間生成電漿。可以使用各種RF頻率，例如介於約0.3MHz與約200MHz之間的頻率。在一實施例中，在13.56MHz的頻率下提供RF功率源。噴頭的實例係被揭示在西元2002年11月12日授予White等人之美國專利案號6,477,980、Choi等人申請而在西元2006年11月17日公開之美國專利公開案號2005/0251990、以及Keller等人申請而在西元2006年3月23日公開之美國專利公開案號2006/0060138中，其皆整體被併入本文以作為參考。

一遠端電漿源324(諸如一誘導耦合遠端電漿源)也可以被耦接在氣體源320與背板312之間。在處理多個基材之間，可以提供一清潔氣體到遠端電漿源324藉此產生且提供遠端電漿以清潔腔室部件。清潔氣體可以進一步地被提供到噴頭之RF功率源322激化。適當的清潔氣體包括但不限於NF₃ 、F₂ 與SF₆ 。遠端電漿源之實例被揭示在西元1998年8月4日授予Shang等人之美國專利案號5,788,778，其被併入本文以作為參考。

類似於第2A圖顯示的實施例，處理空間306經由腔室303中的一開口208來存取，因此基材102可以被傳送進出腔室350。然而，與習知組態不同的是，腔室壁303可以被建構成在基材正被傳送時得以整合地存取開口308，且在基材不被傳送時得以密封開口308。

第3B圖為根據本發明一實施例之腔室壁303的部分放大圖。參照第3A和3B圖，腔室壁303包含一前板381與一後板379，其中一閉合構件363之至少一部分能夠可移動地設置在前板381與後板379之間用以密封腔室開口308。閉合構件363可以包括一門367用以密封腔室開口308。門367包括一彈性構件366，用以維持腔室開口308處的壓力緊密密封。彈性構件366包括一彈性體材料，例如矽基彈性體。此外，門367包括一導電凸塊368，導電凸塊368可以包含導電彈性體材料(諸如內嵌金屬的矽基彈性體)。替代地，導電凸塊368可以是一金屬凸塊，其包含鍍鋁之不銹鋼、高鎳合金鋼、鉻鎳合金鋼等。替代地，前板381可以包括彈性構件366與/或導電凸塊368。

閉合構件363可以進一步包括一托持構件369，托持構件369可以相對於門367移動。例如，托持構件369可以延伸遠離門367，或縮回朝向門367。此外，托持構件369可以托持或支撐門367，例如當門367位於欲密封腔室開口308的位置時。又，托持構件369可以包括彈性構件366用以維持壓力緊密密封。再者，托持構件369可以也包括導電構件368。替代地，後板379可以包括彈性構件366與/或導電凸塊368。

為了使閉合構件363相對於腔室開口308移動，閉合構件363也可以包括一遠離門367之延伸部371。在這樣的實施例中，延伸部371遠離門367之末端可以由設置在腔室壁303之內或之外的一佈置機構372來操縱。佈置機構372可以是氣動的線性致動器。佈置機構372可以移動閉合構件363整體，即藉由延伸部371來一起移動腔室隔離閥367與托持構件367兩者。例如，佈置機構372可以藉由延伸部371來水平地移動閉合構件363朝向與/或遠離腔室開口308。此外，佈置機構372可以藉由延伸部371來垂直地移動閉合構件363。

製程腔室壁303可以界定一封圍373。被包含在前板381中之腔室開口308係允許處理空間306與封圍373之間的存取。一第二腔室開口377係允許封圍373與一傳送腔室(諸如第1圖的傳送腔室130)之間的存取。如第3圖所示，第二腔室開口377和封圍373係沿著一共同軸與腔室開口308對準，並且當閉合構件363位於開啟位置時，其尺寸得以允許基材通過腔室壁303且進出製程腔室350。

在用以密封存在大壓力差之製程腔室之腔室壁303的實施例中，後板379適於允許托持構件369接觸後板379且推抵後板379，以在密封期間能托持閉合構件363之閥門367。前板381適於允許閉合構件363之門367接觸前板381且密封腔室開口308周圍。

為了使托持構件369相對於門構件367移動，可以在托持構件369內設置一致動器370。致動器370可以是一具有壓力室的氣動致動器，壓力室可經由外部的加壓氣體源被膨脹以迫使托持構件369抵靠後板379。

腔室底部304、壁302與壁303提供一RF返回路徑，其包含電漿301。此外，經由導電凸塊368所提供的門構件367與前板381之間的導電接觸件，RF返回路徑可以持續橫越腔室壁303之腔室開口308。相較於習知實施例之組態(諸如第2圖顯示之用以包含相應腔室開口208之電漿201的組態)，此種組態造成了一明顯更短的RF返回路徑以包含腔室開口308處的電漿。較佳地，前板381的內部腔室表面與門構件367之間的距離為約10cm或更小。

第4圖繪示本發明另一實施例，其藉由產生電漿401之製程腔室450的截面圖來顯示。類似於前述腔室，製程腔室450包括多個壁402、一壁403、一底部404、一噴頭410以及一基材支撐件430，其共同地界定一處理空間406。而且，類似於前述實施例，處理空間406經由腔室壁406中之一開口408來存取，因此基材102可以被傳送進出腔室450。然而，與習知組態不同的是，一閉合構件463被設置成當基材正被傳送時得以存取開口408，且當基材正被處理時得以密封開口408而與腔室450的內部隔離。

在一實施例中，閉合構件463包括一門467與一延伸部471，延伸部471遠離門467。在這樣的實施例中，延伸部471遠離門467之末端可以由設置在腔室底部404下方的一佈置機構472來操縱。佈置機構472可以藉由延伸部471來垂直地移動閉合構件463。

在一實施例中，門467包括一上表面，該上表面具有一舌構件482、一第一凹部484以及一第二凹部486。第一凹部484與第二凹部486可以各自再包含一設置在其上的彈性構件468以用於維持腔室開口408處的真空密封。彈性構件468可以包含導電彈性體材料，例如內嵌金屬的矽基彈性體。替代地，彈性構件468可以是一凸塊，其包含鍍鋁之不銹鋼、高鎳合金鋼、鉻鎳合金鋼等。

在一實施例中，壁403包括一設置在開口408上方之上部451以及一設置在開口408下方之下部456。上部451可以在其內包括一溝槽452。下部456可以包括一唇457。

在一實施例中，當門467位於密封開口408之關閉位置時，舌構件482被插入到溝槽452內。此外，當門467位於密封開口408之關閉位置時，設置在門467之第一凹部484上的彈性構件468可以接觸上部451，並且設置在門467之第二凹部486上的彈性構件468可以接觸壁403之下部456的唇457。

這樣的組態對壁403建立了門467的迷宮密封(labyrinth seal)。也就是，門467之上表面對壁403之上部451的“舌與溝槽”配置對於任何受激化氣體欲行進抵達開口408處密封表面造成了一長且困難的路徑。這使門467與壁403之間的電氣接觸區域避免了被塗覆有外來沉積物，其中該些沉積物在門467移動到其開啟位置以允許存取開口408時可能會脫落。

前述參照的迷宮密封(labyrinth seal)能夠以各種組態來建立，該些組態能被應用到本發明。例如，溝槽452可以藉由將一分離構件500、600接附到壁403來形成，如第5和6圖所示。在第5圖中，一內凹510形成在構件500之下表面中，內凹510接著被接附到壁403之內表面。在第6圖中，一內凹490形成在壁403之內表面中，並且構件600接附到該內凹490。

在第4圖繪示之實施例中，腔室底部404、壁402以及壁403建立了一RF返回路徑用以包含電漿401。此外，經由門467與腔室450內部上的壁403之間的導電接觸件，RF返回路徑可以持續橫越腔室壁403之腔室開口408。相較於習知實施例之組態(諸如第2圖顯示之用以包含相應腔室開口208之電漿201的組態)，這造成了一明顯更短的RF返回路徑以包含腔室開口408處的電漿401。較佳地，門467之內表面459係與壁403之內側實質齊平。

如前述，藉由去除與開口208、308、408相關之長通道而縮短RF返回路徑，本發明之實施例解決了與先前製程腔室組態相關的問題。實際上，如第3和4圖所示，本發明之實施例產生的電漿301、401係對於基材102為實質均勻的。這種實質均勻的電漿產生在基材102上造成了實質均勻的沉積。

相應地，由於去除開口308、408處的長通道，可以實質地改善製程腔室350、450中的氣流。再者，相較於習知實施例，沿著腔室壁303、403之溫度分佈為實質均勻的。這兩情況均對於基材102上的實質均勻沉積有貢獻。

本發明也減少了在開口308、408處殘餘製程膜的產生。因此，此減少可實質地減少沉積在開口308、408處的材料量，以及在傳送期間會污染基材102的潛在可能性。

應瞭解，儘管前述實施例係繪示一滑動形式的閉合構件，一掀合形式的閉合構件(其併入與掀合形式隔離閥相關之必須的變更)同樣可以應用在本發明的某些實施例中。

雖然前述說明係著重在本發明的實施例，在不脫離本發明之基本範圍下，可以構想出本發明的其他與進一步實施例，並且本發明的範圍是由隨附申請專利範圍所決定。

100．．．基材處理系統

102．．．基材

120．．．負載閉鎖室

130．．．傳送腔室

140．．．傳送機械手臂

150．．．製程腔室

160．．．隔離閥

201．．．電漿

202．．．壁

203．．．壁

204．．．底部

206．．．處理空間

208．．．開口

209．．．長通道

210．．．噴頭

230．．．基材支撐件

263．．．閉合構件

265．．．閥外殼

266．．．O-環

267．．．閥門

268．．．導電凸塊

269．．．托持構件

273．．．封圍

275．．．第一開口

277．．．第二開口

279．．．後板

281．．．前板

301．．．電漿

302．．．壁

303．．．壁

304．．．底部

306．．．處理空間

308．．．開口

309．．．真空泵

310．．．噴頭

312．．．背板

314．．．懸掛件

316．．．中心支撐件

320．．．氣體源

322．．．RF功率源

324．．．遠端電漿源

330．．．基材支撐件

331．．．返回帶

332．．．接收表面

334．．．桿

336．．．舉升系統

338．．．舉升銷

350．．．製程腔室

363．．．閉合構件

366．．．彈性構件

367．．．門

368．．．導電凸塊

369．．．托持構件

370．．．致動器

371．．．延伸部

372．．．佈置機構

373．．．封圍

377．．．開口

379．．．後板

381．．．前板

401．．．電漿

402．．．壁

403．．．壁

404．．．腔室底部

406．．．處理空間

408．．．開口

410．．．噴頭

430．．．基材支撐件

450．．．製程腔室

451．．．上部

452．．．溝槽

456．．．下部

457．．．唇

459．．．內表面

463．．．閉合構件

467．．．門

468．．．彈性構件

471．．．延伸部

472．．．佈置機構

482．．．舌構件

484．．．第一凹部

486．．．第二凹部

490．．．內凹

500．．．構件

510．．．內凹

600．．．構件

本發明之前述特徵、詳細說明可以藉由參照實施例而更加瞭解，其中一些實施例係繪示在附圖中。然而，應瞭解，附圖僅繪示本發明之典型實施例，因而不會限制本發明範圍，本發明允許其他等效的實施例。

第1圖為受益自本發明之一示範性基材處理系統的平面圖。

第2A圖為一習知之其內產生有電漿之製程腔室的截面圖，其中該製程腔室係鄰近相關之腔室隔離閥。

第2B圖為第2A圖之腔室隔離閥的部分放大圖。

第3A圖為根據本發明一實施例之其內產生有電漿之製程腔室的截面圖。

第3B圖為第3A圖之腔室之壁的部分放大圖。

第4圖為根據本發明另一實施例之其內產生有電漿之製程腔室的截面圖。

第5圖為根據本發明之迷宮密封(labyrinth seal)之一實施例的截面圖。

第6圖為根據本發明之迷宮密封(labyrinth seal)之另一實施例的截面圖。

363．．．閉合構件

366．．．彈性構件

368．．．導電凸塊

369．．．托持構件

379．．．後板

381．．．前板

Claims (10)

1. 一種製程腔室，包含：一腔室主體，具有一底部與一壁，其中一開口延伸穿過該壁；一閉合構件，設置在該腔室主體內，其中該閉合構件具有至少一導電密封構件設置在該閉合構件上；以及一佈置機構，經配置以相對於該開口移動該閉合構件；其中該壁包含一上部與一下部，一溝槽設置在該上部之一下表面中，一唇從該下部延伸。
2. 如申請專利範圍第1項所述之製程腔室，其中該閉合構件具有一舌構件與一內凹，該舌構件從該閉合構件之一上表面延伸，一導電彈性構件設置在該內凹上。
3. 如申請專利範圍第2項所述之製程腔室，其中該導電彈性構件為一導電彈性體。
4. 如申請專利範圍第2項所述之製程腔室，其中該導電彈性構件包含選自由鍍鋁之不銹鋼、高鎳合金鋼以及鉻鎳合金鋼所構成之群組中的一材料。
5. 如申請專利範圍第2項所述之製程腔室，其中該壁包 含一壁構件與一板構件，該壁構件接附至該底部，該板構件在該開口上方固定至該壁構件。
6. 如申請專利範圍第5項所述之製程腔室，其中一內凹形成在該板構件中。
7. 一種用以密封一製程腔室之一壁中之一開口的方法，包含以下步驟：引動一佈置機構以經由一閉合構件之一延伸部而相對於該開口移動該閉合構件，其中該閉合構件設置在該製程腔室內；移動被封圍於該製程腔室內之該閉合構件之一門構件，使該門構件接觸該壁，以密封該壁中之該開口；以及在該門構件與該壁之間建立電氣接觸；其中該壁包含一上部與一下部，一溝槽設置在該上部之一下表面中，一唇從該下部延伸。
8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中該門構件包括一導電彈性構件用於密封該開口。
9. 如申請專利範圍第8項所述之方法，更包含以下步驟：插入該門構件之一舌構件至一內凹以形成一迷宮密封(labyrinth seal)，其中該內凹形成在該壁中。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該門構件之一內表面實質上與該壁之一內表面齊平。