JP2000064087A - 基板メッキ方法及び基板メッキ装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実用性の高い基板メッキ方法及び基板メッキ
装置を提供する。 【解決手段】 制御部は、基板保持機構１０に保持され
た基板Ｗの処理面Ｗｓに、無電解メッキ液供給系２から
無電解メッキ液を供給して基板Ｗの処理面Ｗｓに無電解
メッキでシード層を形成する。基板Ｗが基板保持機構１
０に保持された状態で、制御部は、次に、シード層が形
成された基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキ液供給系３か
ら電解メッキ液を供給するとともに、第１電極１３１と
第２電極１２６との間に給電して、基板Ｗの処理面Ｗｓ
に電解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示器用のガラス基板などの基板に対してメッキ処理
を施す基板メッキ方法及び基板メッキ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来のこの種の基板に対するメッキ処理
は、電解メッキのみで行うか無電解メッキのみで行うか
に大別されている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】電解メッキのメッキ処
理速度は比較的速く、電解メッキで所定の厚さのメッキ
層を形成すること自体は比較的短時間で行うことができ
るが、電解メッキでメッキ処理を行う場合には、次のよ
うな問題がある。

【０００４】すなわち、基板のメッキ処理を電解メッキ
で行うためには、基板の処理面のうちのメッキ層を形成
する領域に給電するためのシード層と呼ばれる導電性の
層を電解メッキを行う前に基板の処理面に形成しておく
必要がある。

【０００５】従来、このシード層はＣＶＤやスパッタに
よって形成している。しかしながら、ＣＶＤ装置は非常
に高価であり、ＣＶＤに用いるガスも非常に高価である
ので、シード層をＣＶＤで形成する場合にはコスト高を
招いている。また、ＣＶＤによるシード層の形成に要す
る処理時間は比較的長いという問題もある。

【０００６】一方、スパッタはターゲットから原子をは
じき飛ばして基板の処理面に薄膜を形成するため、ター
ゲットからはじき飛ばされる原子の方向性によって、例
えば、基板の処理面に形成されている溝でのシード層の
形成にバラツキが生じる。すなわち、溝の側面部分に原
子が回り込み難いので、溝の側面部分にシード層が形成
され難い。基板に形成される素子の高密度化に伴って、
溝はその幅に比べてその深さが深く（アスペクト比が大
きく）なる傾向にあり、アスペクト比が大きくなるに従
って溝の側面部分にはシード層が一層形成され難くな
る。シード層が形成されない部分には電解メッキでメッ
キ層が形成されないので、シード層をスパッタで形成す
る場合にはメッキ層の形成が不均一になるという問題が
ある。

【０００７】以上のように電解メッキで所定の厚さのメ
ッキ層を形成する場合、シード層の形成に問題があり、
実用性に欠けるという問題がある。

【０００８】一方、無電解メッキのメッキ処理速度は遅
く、無電解メッキのみで所定の厚さのメッキ層を形成す
る場合には処理時間が極めて長くかかり、生産効率が悪
いため実用性に欠けるという問題がある。

【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、実用性の高い基板メッキ方法及び基板
メッキ装置を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板に対してメッキ処理
を施す基板メッキ方法であって、基板の処理面に無電解
メッキでシード層を形成する第１のメッキ工程と、シー
ド層が形成された基板の処理面に電解メッキで所定の厚
さのメッキ層を形成する第２のメッキ工程と、を備えた
ことを特徴とするものである。

【００１１】請求項２に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板メッキ方法において、前記第１のメッキ工程
の前に、基板の処理面を洗浄する前洗浄工程をさらに備
えたことを特徴とするものである。

【００１２】請求項３に記載の発明は、上記請求項１ま
たは２に記載の基板メッキ方法において、前記第１のメ
ッキ工程と前記第２のメッキ工程との間に、基板の処理
面を洗浄する中間洗浄工程をさらに備えたことを特徴と
するものである。

【００１３】請求項４に記載の発明は、上記請求項１な
いし３のいずれかに記載の基板メッキ方法において、前
記第２のメッキ工程の後に、基板の処理面を洗浄する後
洗浄工程をさらに備えたことを特徴とするものである。

【００１４】請求項５に記載の発明は、上記請求項４に
記載の基板メッキ方法において、前記後洗浄工程の後
に、基板を乾燥する乾燥工程をさらに備えたことを特徴
とするものである。

【００１５】請求項６に記載の発明は、基板に対してメ
ッキ処理を施す基板メッキ装置であって、基板を保持す
る基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板
の処理面に無電解メッキ液を供給する無電解メッキ液供
給手段と、前記基板保持手段に保持された基板の処理面
に電解メッキ液を供給する電解メッキ液供給手段と、前
記基板保持手段に保持された基板の処理面に給電するた
めの第１電極と、前記基板保持手段に保持された基板の
処理面に供給された電解メッキ液を介在させて基板の処
理面に対向して配置される第２電極と、前記第２電極か
ら前記第１電極へ向けて電流が流れるように給電する給
電手段と、前記基板保持手段に保持された基板の処理面
に前記無電解メッキ液供給手段により無電解メッキ液を
供給して基板の処理面に無電解メッキでシード層を形成
させ、シード層が形成された基板の処理面に前記電解メ
ッキ液供給手段により電解メッキ液を供給するととも
に、前記第１電極と前記第２電極との間に前記給電手段
により給電して、基板の処理面に電解メッキで所定の厚
さのメッキ層を形成させる制御手段と、を備えたことを
特徴とするものである。

【００１６】請求項７に記載の発明は、上記請求項６に
記載の基板メッキ装置において、前記基板保持手段に保
持された基板の処理面に洗浄液を供給する洗浄液供給手
段をさらに備え、前記制御手段は、前記基板保持手段に
保持された基板の処理面に前記洗浄液供給手段により洗
浄液を供給して基板の処理面を洗浄させることを特徴と
するものである。

【００１７】請求項８に記載の発明は、上記請求項６ま
たは７に記載の基板メッキ装置において、基板の処理面
に供給する液を選択的に切り換える供給液切り換え手段
をさらに備え、前記供給液切り換え手段で選択された液
を１つの供給口から前記基板保持手段に保持された基板
の処理面に供給することを特徴とするものである。

【００１８】

【作用】請求項１に記載の発明に係る基板メッキ方法の
作用は次のとおりである。まず、基板の処理面に無電解
メッキでシード層を形成する第１のメッキ工程を行い、
第１のメッキ工程でシード層が形成された基板の処理面
に電解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成する第２の
メッキ工程を行う。

【００１９】無電解メッキのメッキ処理速度は遅いが、
シード層は薄い層でよいので、無電解メッキによるシー
ド層の形成に要する処理時間は短時間に抑えられる。ま
た、無電解メッキはメッキの均一性が良く、基板の処理
面に溝が形成されていても溝の側面などを含めて必要な
部分にシード層を均一に形成することができる。そし
て、シード層が形成された後のメッキ層の形成を電解メ
ッキで行うので、所定の厚さのメッキ層を短時間で形成
することができる。

【００２０】請求項２に記載の発明に係る基板メッキ方
法によれば、第１のメッキ工程の前に、基板の処理面を
洗浄する前洗浄工程を行う。

【００２１】請求項３に記載の発明に係る基板メッキ方
法によれば、第１のメッキ工程と第２のメッキ工程との
間に、基板の処理面を洗浄する中間洗浄工程を行う。

【００２２】請求項４に記載の発明に係る基板メッキ方
法によれば、第２のメッキ工程の後に、基板の処理面を
洗浄する後洗浄工程を行う。

【００２３】請求項５に記載の発明に係る基板メッキ方
法によれば、後洗浄工程の後に、基板を乾燥する乾燥工
程を行う。

【００２４】請求項６に記載の発明は、上記請求項１に
記載の基板メッキ方法を好適に実施する基板メッキ装置
であって、その作用は次のとおりである。

【００２５】制御手段は、まず、基板保持手段に保持さ
れた基板の処理面に、無電解メッキ液供給手段により無
電解メッキ液を供給して基板の処理面に無電解メッキで
シード層を形成させる。基板が基板保持手段に保持され
た状態で、制御手段は、次に、シード層が形成された基
板の処理面に、電解メッキ液供給手段により電解メッキ
液を供給するとともに、第１電極と第２電極との間に給
電手段によって給電して、基板の処理面に電解メッキで
所定の厚さのメッキ層を形成させる。

【００２６】請求項７に記載の発明は、上記請求項２な
いし４に記載の基板メッキ方法を好適に実施する基板メ
ッキ装置であって、その作用は次のとおりである。

【００２７】制御手段は、洗浄液供給手段により基板保
持手段に保持された基板の処理面に洗浄液を供給して基
板の処理面を洗浄させる。この洗浄は、基板の処理面へ
の無電解メッキ液の供給開始前に行ってもよい（前洗浄
工程）し、基板の処理面への無電解メッキ液の供給停止
後、基板の処理面への電解メッキ液の供給開始前に行っ
てもよい（中間洗浄工程）し、基板の処理面への電解メ
ッキ液の供給停止後に行ってもよい（後洗浄工程）。

【００２８】請求項８に記載の発明に係る基板メッキ装
置によれば、供給液切り換え手段の切り換えによって、
基板保持手段に保持された基板の処理面に１つの供給口
から無電解メッキ液や電解メッキ液、洗浄液などの各液
を選択的に切り換え供給する。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。図１は本発明の第１実施例に係る
基板メッキ装置の全体構成を示すブロック図であり、図
２はチャンバ内の構成を示す縦断面図、図３は第１電極
部材接離機構の構成を示す縦断面図、図４は制御系の構
成を示すブロック図である。

【００３０】この基板メッキ装置は、チャンバー１や無
電解メッキ液供給系２、電解メッキ液供給系３、供給液
切り換え手段に相当する供給液切り換え弁４、電源ユニ
ット５、制御手段に相当する制御部６などを備えてい
る。

【００３１】図２に示すように、半導体ウエハなどの基
板Ｗを保持してメッキ処理を行う処理室を形成するチャ
ンバー１は、基板Ｗを保持する基板保持手段に相当する
基板保持機構１０や、処理後の液を回収する回収部材１
１、基板保持機構１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓ
に供給された液を満たすための処理空間を形成する処理
空間形成機構１２、基板保持機構１０に保持された基板
Ｗの処理面Ｗｓに対して第１電極部材１３を接離する第
１電極部材接離機構１４などを備えている。

【００３２】基板保持機構１０は、メッキ処理を施す処
理面Ｗｓを上方に向けた状態（いわゆるフェイスアッ
プ）で基板Ｗを保持するもので、電動モーター１０１に
連動連結されて鉛直方向の軸芯回りに回転可能な回転軸
１０２の上端部に、基板Ｗよりも大径のベース部材１０
３が一体回転可能に連結されている。回転軸１０２やベ
ース部材１０３は絶縁性の材料で形成されている。

【００３３】回転軸１０２に設けられたリング状の端子
部１０４ａには給電ブラシ５１からブラシ給電される。
この端子部１０４ａは、ベース部材１０３の上面外周部
に設けられたリング状の端子部１０４ｂと導線１０４ｃ
を介して電気的に接続されている。

【００３４】ベース部材１０３の上面には、端子部１０
４ｂの内側にリング状のＶパッキン１０５が設けられ、
さらに、Ｖパッキン１０５の内側には基板Ｗの下面を支
持するための多数個の突起１０３ａが形成されている。

【００３５】回転軸１０２及びベース部材１０３には、
吸引路１０６ａが設けられている。吸引路１０６ａは、
周知の回転シール機構１０６ｂを介して、回転軸１０２
の回転中も配管１０６ｃと連通されるようになってい
る。配管１０６ｃは、切り換え弁１０６ｄを介して真空
吸引源１０６ｅと大気開放とに接続されている。基板Ｗ
がＶパッキン１０５に載置された状態で、配管１０６ｃ
を真空吸引源１０６ｅに切り換えると、ベース部材１０
３の上面とＶパッキン１０５と基板Ｗの下面との間の空
間が減圧され、基板ＷはＶパッキン１０５と突起１０２
ａとに支持されて真空吸着保持される。一方、基板Ｗが
真空吸着保持された状態で、配管１０６ｃを大気開放に
切り換えると、基板Ｗの真空吸着保持が解除される。

【００３６】図４に示すように、電動モーター１０１の
駆動制御と切り換え弁１０６ｄの切り換え制御は制御部
６により行われる。

【００３７】図２に戻って、回収部材１１は、基板保持
機構１０の周囲に配置され、基板保持機構１０に保持さ
れた基板Ｗに供給され、基板Ｗの外周部から周囲に飛散
した、処理に使用された後の無電解メッキ液や電解メッ
キ液、洗浄液を受け止めて回収する。

【００３８】図１、図２に示すように、回収部材１１に
は、開閉弁１１１ａが介装された無電解メッキ液回収管
１１２ａと、開閉弁１１１ｂが介装された電解メッキ液
回収管１１２ｂと、開閉弁１１１ｃが介装された洗浄液
回収管１１２ｃとが連通されている。開閉弁１１１ａ〜
１１１ｃの開閉制御により、回収部材１１で回収した、
処理に使用した後の無電解メッキ液を無電解メッキ液供
給系２内の無電解メッキ液貯留タンク２１ｍに戻して再
利用したり、回収部材１１で回収した、処理に使用した
後の電解メッキ液を電解メッキ液供給系３内の電解メッ
キ液貯留タンク２１ｄに戻して再利用したり、回収部材
１１で回収した、処理に使用した後の洗浄液をドレイン
７に廃棄したりするようになっている。

【００３９】回収部材１１は、ボールネジなどの周知の
１軸方向駆動機構で構成される昇降機構１１３（図４参
照）によって昇降可能に構成されている。

【００４０】図４に示すように、開閉弁１１１ａ〜１１
１ｃの開閉制御と昇降機構１１３の駆動制御は制御部６
により行われる。

【００４１】図２に戻って、処理空間形成機構１２は、
ボールネジなどの周知の１軸方向駆動機構で構成される
昇降機構１２１（図４参照）によって昇降可能な支持ア
ーム１２２の先端部に懸垂支持された支軸１２３の下端
部に、基板Ｗと略同じ大きさの板状部材１２４が支持さ
れ、基板保持機構１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓ
に対して板状部材１２４を接離可能に構成している。

【００４２】図４に示すように、昇降機構１２１の駆動
制御は制御部６により行われる。

【００４３】図２に戻って、支持アーム１２２、支軸１
２３及び板状部材１２４の内部には液供給路１２５が設
けられている。液供給路１２５には、供給液切り換え弁
４で選択的に切り換え供給された液が配管１２５ａを介
して供給される。そして、板状部材１２４側の液供給路
１２５の先端部の液の供給口１２５ｂから、基板保持機
構１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓの中央部（回転
中心付近）に各液が選択的に供給される。

【００４４】支軸１２３や板状部材１２４は絶縁性の材
料で形成されている。板状部材１２４の下面には、基板
Ｗの処理面Ｗｓと略同じ面積を有する板状やメッシュ状
の第２電極１２６が設けられている。第２電極１２６
は、導線１２６ａを介して電源ユニット５と電気的に接
続されている。なお、第２電極１２６及び後述する第１
電極１３１は、例えば、電解メッキ液が硫酸銅メッキ液
の場合には、銅、白金、チタン、あるいは、これらの合
金などで構成される。

【００４５】第１電極部材１３は複数個設けられ、各第
１電極部材１３は、基板保持機構１０に保持された基板
Ｗの処理面Ｗｓの外周部を複数箇所で押圧する。

【００４６】各第１電極部材１３は各々、絶縁性の部材
で形成され、基板保持機構１０に保持された基板Ｗの処
理面Ｗｓに接触する部分と、基板保持機構１０のベース
部材１０３の上面に設けられた端子部１０４ｂに接触す
る部分とに、それぞれ第１電極１３１と端子部１３２が
設けられ、これら第１電極１３１と端子部１３２とが導
線１３３で電気的に接続されている。また、各第１電極
部材１３には上下の極性を同じにして永久磁石１３４が
埋設されている。

【００４７】第１電極部材接離機構１４は、ボールネジ
などの周知の１軸方向駆動機構で構成される昇降機構１
４１（図４参照）によって昇降可能な支持アーム１４２
に支持された円筒状の支持部材１４３から下方に向けて
設けられたフック１４４に各第１電極部材１３を支持し
ている。支持部材１４３にはリング状の電磁石１４５が
全周にわたって設けられている。電磁石１４５は、電源
ユニット１４６（図４参照）から給電される。

【００４８】図３（ａ）、（ｂ）に示すように、支持部
材１４３を下降させていくと、フック１４４に支持され
た各第１電極部材１３は、第１電極１３１を基板Ｗの処
理面Ｗｓに接触させて基板Ｗの処理面Ｗｓに載置される
とともに、端子部１３２を基板保持機構１０のベース部
材１０３の端子部１０４ｂに接触させてベース部材１０
３の上面に載置される。さらに支持部材１４３を下降さ
せると、図３（ｃ）に示すように、第１電極部材１３は
フック１４４から外れ、各第１電極部材１３の永久磁石
１３４に反発する極性を形成するように電磁石１４５に
電流を流すことで、電磁石１４５と永久磁石１３４との
反発力により、各第１電極部材１３は下方に押圧され、
これにより、各第１電極部材１３によって基板保持機構
１０のベース部材１０３への基板Ｗの保持が強化される
とともに、第１電極１３１と基板Ｗの処理面Ｗｓとの接
触及び、端子部１３２と端子部１０４ｂとの接触が確実
に行われ、端子部１０４ａ（電源ユニット５）と基板Ｗ
の処理面Ｗｓとの電気的な接続が確実に行われる。

【００４９】一方、図３（ｃ）の状態から支持部材１４
３を上昇させると、上記と逆に、図３（ｂ）に示すよう
に、その上昇途中で各第１電極部材１３はフック１４４
に引っ掛けられて支持部材１４３に支持され、さらに支
持部材１４３を上昇させることで、図３（ａ）に示すよ
うに、支持部材１４３とともに各第１電極部材１３が上
昇され、基板Ｗ及びベース部材１０３と各第１電極部材
１３との接触が解除され、端子部１０４ａと基板Ｗの処
理面Ｗｓとが電気的に切断される。

【００５０】図４に示すように、昇降機構１４１の駆動
制御と電源ユニット１４６から電磁石１４５への給電制
御は制御部６により行われる。

【００５１】図１に示すように、無電解メッキ液供給系
２は、無電解メッキ液を貯留する無電解メッキ液貯留タ
ンク２１ｍを備えている。なお、例えば、基板Ｗの処理
面Ｗｓに銅のシード層を無電解メッキで形成する場合に
は、硫酸銅に還元剤やｐＨ緩衝剤、促進剤、安定剤など
を混合した無電解メッキ液が用いられる。

【００５２】無電解メッキ液貯留タンク２１ｍと供給液
切り換え弁４とは供給管２２ｍを介して連通接続されて
いる。供給管２２ｍには、無電解メッキ液を送り出すポ
ンプ２３ｍ、無電解メッキ液を所定温度（８０℃程度）
に温調するヒーターなどの温調器２４ｍ、無電解メッキ
液中のパーティクルなどを除去するフィルター２５ｍ、
無電解メッキ液の濃度を検出する濃度センサ２６ｍ、無
電解メッキ液を供給液切り換え弁４に供給する側と帰還
管２７ｍに流す側とで切り換える切り換え弁２８ｍが配
設されている。

【００５３】通常時、切り換え弁２８ｍは無電解メッキ
液を帰還管２７ｍに流す側に切り換えられ、ポンプ２３
ｍが駆動されていて、無電解メッキ液は供給管２２ｍ及
び帰還管２７ｍを介して循環されている。この循環中、
無電解メッキ液は温調器２４ｍで所定温度に温調され、
パーティクルなどがフィルター２５ｍで除去され、濃度
センサ２６ｍからの濃度信号に基づき無電解メッキ液の
濃度管理が行われる。

【００５４】濃度センサ２６ｍからの濃度信号は制御部
６に与えられる。制御部６は、濃度信号に基づき、基板
Ｗに供給する無電解メッキ液の濃度を一定（あるいは、
所定濃度範囲内）に維持するように液補充部２９ｍを制
御する。液補充部２９ｍは、補充用の無電解メッキ液を
貯留している補充液タンク３０ｍや、制御部６の制御に
より補充液を送り出すポンプ３１ｍ、補充液中のパーテ
ィクルなどを除去するフィルター３２ｍなどを備えてお
り、補充液が無電解メッキ液貯留タンク２１ｍに供給さ
れて無電解メッキ液の濃度調節が行われる。

【００５５】そして、無電解メッキ液を供給液切り換え
弁４に供給する側に切り換え弁２８ｍを切り換えた間だ
け、所定温度に温調され、清浄化され、さらに、所定濃
度に維持された無電解メッキ液が供給液切り換え弁４を
介して基板Ｗの処理面Ｗｓに供給される。

【００５６】図４に示すように、ポンプ２３ｍや温調器
２４ｍの駆動制御、切換え弁２８ｍの切換え制御、濃度
センサ２６ｍからの濃度信号を基にポンプ３１ｍを駆動
して行う無電解メッキ液の濃度管理は制御部６によって
行われる。

【００５７】図１に戻って、電解メッキ液供給系３は、
電解メッキ液を扱う以外、基本的な構成は無電解メッキ
液供給系２と同様である。

【００５８】例えば、基板Ｗの処理面Ｗｓに銅のメッキ
層を形成する硫酸銅メッキ液などの電解メッキ液が貯留
された電解メッキ液貯留タンク２１ｄと供給液切り換え
弁４とを連通接続する供給管２２ｄには、ポンプ２３ｄ
や、電解メッキ液を所定温度（室温程度）に温調する電
子冷熱や水冷管などの温調器２４ｄ、フィルター２５
ｄ、電解メッキ液の濃度を検出する濃度センサ２６ｄ、
切り換え弁２８ｄが配設されている。

【００５９】この電解メッキ液供給系３でも通常時、電
解メッキ液を供給管２２ｄ及び帰還管２７ｄを介して循
環させ、温調、パーティクルなどの除去、電解メッキ液
の濃度管理が行われている。

【００６０】濃度センサ２６ｄからの濃度信号に基づ
き、制御部６は、基板Ｗに供給する電解メッキ液の濃度
を一定（あるいは、所定濃度範囲内）に維持するように
液補充部２９ｄを制御する。液補充部２９ｄは、補充用
の電解メッキ液を貯留している補充液タンク３０ｄや、
ポンプ３１ｄ、フィルター３２ｄなどを備えている。

【００６１】そして、電解メッキ液を供給液切り換え弁
４に供給する側に切り換え弁２８ｄを切り換えた間だ
け、所定温度に温調され、清浄化され、所定濃度に維持
された電解メッキ液が供給液切り換え弁４を介して基板
Ｗの処理面Ｗｓに供給される。

【００６２】図４に示すように、ポンプ２３ｄや温調器
２４ｄの駆動制御、切換え弁２８ｄの切換え制御、濃度
センサ２６ｄからの濃度信号を基にポンプ３１ｄを駆動
して行う電解メッキ液の濃度管理は制御部６によって行
われる。

【００６３】図１、図２に示すように、供給液切り換え
弁４には、無電系メッキ液供給系２からの無電解メッキ
液、電解メッキ液供給系３からの電解メッキ液、薬液供
給源８からの薬液洗浄用の薬液（例えば、塩酸など）、
リンス液供給源９からのリンス洗浄用のリンス液（純水
や脱イオン水など）が、それぞれ開閉弁４１〜４４を介
して供給される。各開閉弁４１〜４４のうちのいずれか
１つだけを選択的に開にすることで、１種類の液を配管
１２５ａに送出し、配管１２５ａ、液供給路１２５を介
して供給口１２５ｂから、基板保持機構１０に保持され
た基板Ｗの処理面Ｗｓの中央部にその液を供給すること
ができる。また、開閉弁４１〜４４を全て閉にすること
で、基板Ｗへの液の供給を停止できる。

【００６４】図４に示すように、供給液切り換え弁４内
の開閉弁４１〜４４の開閉制御は制御部６によって行わ
れる。

【００６５】なお、無電解メッキ液供給系２、供給液切
換え弁４、配管１２５ａ、液供給路１２５、供給口１２
５ｂは、請求項６に記載の発明における無電解メッキ液
供給手段を構成し、電解メッキ液供給系３、供給液切換
え弁４、配管１２５ａ、液供給路１２５、供給口１２５
ｂは、請求項６に記載の発明における電解メッキ液供給
手段を構成する。また、薬液とリンス液とは請求項７に
記載の発明における洗浄液に含まれ、薬液供給源８、リ
ンス液供給源９、供給液切換え弁４、配管１２５ａ、液
供給路１２５、供給口１２５ｂは、請求項７に記載の発
明における洗浄液供給手段を構成する。

【００６６】図１、図２に示すように、電源ユニット５
は、給電ブラシ５１が負極側、導線１２６ａが正極側と
なるように給電する。従って、電解メッキを行う際に
は、基板Ｗの処理面Ｗｓのシード層は、給電ブラシ５
１、端子部１０４ａ、導線１０４ｃ、端子部１０４ｂ、
端子部１３２、導線１３３、第１電極１３１を介して負
極となり、第２電極１２６は、導線１２６ａを介して正
極となる。

【００６７】図４に示すように、電源ユニット５から第
１電極１３１、第２電極１２６への給電制御は、制御部
６によって行われる。

【００６８】なお、電源ユニット５、給電ブラシ５１、
端子部１０４ａ、導線１０４ｃ、端子部１０４ｂ、端子
部１３２、導線１３３、導線１２６ａが、請求項６に記
載の発明における給電手段を構成する。

【００６９】本装置の動作制御を行う制御部６は、例え
ば、コンピューターなどで構成される。

【００７０】次に、上記構成を有する基板メッキ装置の
動作を図５のフローチャート及び図６の動作説明図を参
照して説明する。

【００７１】なお、初期状態では、切り換え弁１０６ｄ
は大気開放側に切り換えられ、開閉弁１１１ａ〜１１１
ｃが全て閉にされ、供給液切換え弁４の開閉弁４１〜４
４は全て閉（液の供給が停止）にされ、処理空間形成機
構１２及び第１電極部材接離機構１４は上方に待機して
いて、基板保持機構１０のベース部材１０３から離間し
ているものとする。

【００７２】まず、制御部６は、昇降機構１１３を駆動
して、回収部材１１の上方に基板保持機構１０のベース
部材１０３が配置されるように回収部材１１を下降させ
る（図６（ａ））。

【００７３】この状態で、図示しない基板搬送機構によ
って処理面Ｗｓを上方に向けて基板Ｗがベース部材１０
３上面のＶパッキン１０５に載置される。基板ＷがＶパ
ッキン１０５に載置されると、制御部６は、切り換え弁
１０６ｄを真空吸引源１０６ｅに切り換え、基板ＷをＶ
パッキン１０５と突起１０３ａとに支持させて真空吸着
保持する。

【００７４】そして、制御部６は、昇降機構１１３を駆
動して、基板保持機構１０に保持された基板Ｗの周囲に
回収部材１１を配置させるように回収部材１１を上昇さ
せるとともに、昇降機構１２１を駆動して、処理空間形
成機構１２を下降させ、板状部材１２４を基板保持機構
１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓに近接配置させる
（図６（ｂ））。なお、このときの板状部材１２４の下
面と基板保持機構１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓ
との間隔ｄは、液を少なくして処理可能であることや、
液の液密が保持しやすいことなどの理由から狭く設定す
ることが好ましく、その具体的な値は、例えば、０．５
〜５mm程度である。

【００７５】以下、図６（ｂ）に示す状態で、前洗浄工
程、第１のメッキ工程、中間洗浄工程（図５のステップ
Ｓ１〜Ｓ４）が行われる。

【００７６】制御部６は、開閉弁１１１ｃのみを開に
し、電動モーター１０１を、例えば、数十ｒｐｍ程度の
低速度で駆動して、基板保持機構１０及びそれによって
保持された基板Ｗを回転させるとともに、供給液切り換
え弁４の開閉弁４１のみを開にして供給口１２６ａから
基板保持機構１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓに薬
液を供給して、基板Ｗの処理面Ｗｓの薬液洗浄を行っ
て、例えば、基板Ｗの処理面Ｗｓに形成されている酸化
膜を除去する（図５のステップＳ１）。なお、基板Ｗの
外周部から周囲に飛散される、処理に使用された後の薬
液は、回収部材１１で受け止められて、開状態の開閉弁
１１１ｃ、洗浄液回収管１１２ｃを介して回収されてド
レイン７に廃棄される。以下の各洗浄処理（図５のステ
ップＳ２、Ｓ４、Ｓ６）及び乾燥処理（図５のステップ
Ｓ７）でも同様である。

【００７７】所定の薬液洗浄時間が経過すると、制御部
６は、供給液切り換え弁４の開閉弁４１を閉、開閉弁４
４を開にして供給口１２５ｂから基板保持機構１０に保
持された基板Ｗの処理面Ｗｓにリンス液を供給して、基
板Ｗの処理面Ｗｓのリンス洗浄を行って、例えば、薬液
の洗い流しや基板Ｗの処理面Ｗｓ上のパーティクルの除
去、基板Ｗの処理面Ｗｓの汚れの除去などを行う（図５
のステップＳ２）。このリンス処理を所定のリンス処理
時間行う。なお、図５のステップＳ１の薬液洗浄処理と
ステップＳ２のリンス洗浄処理とは、請求項２に記載の
発明における前洗浄工程に相当する。

【００７８】リンス処理時間が経過すると、制御部６
は、供給液切り換え弁４の開閉弁４４と開閉弁１１１ｃ
とを閉にし、開閉弁１１１ａを開にする。

【００７９】そして、制御部６は、所定のシード層形成
時間の間だけ、供給液切り換え弁４の開閉弁４３のみを
開にして供給口１２５ｂから基板保持機構１０に保持さ
れた基板Ｗの処理面Ｗｓに無電解メッキ液を供給して、
基板Ｗの処理面Ｗｓに無電解メッキでシード層を形成す
る（図５のステップＳ３）。基板Ｗの外周部から周囲に
飛散される、処理に使用された後の無電解メッキ液は、
回収部材１１で受け止められて、開状態の開閉弁１１１
ａ、無電解メッキ液回収管１１２ａを介して回収され
て、無電解メッキ液貯留タンク２１ｍに戻されて再利用
される。

【００８０】なお、供給口１２５ｂから供給された無電
解メッキ液は、遠心力によって中心部から外周部に流動
するので、流動ムラなく基板Ｗの処理面Ｗｓに無電解メ
ッキ液がひろがり、基板Ｗの処理面Ｗｓに均一にメッキ
層（シード層）を形成することができる。

【００８１】また、基板Ｗを回転させているので、無電
解メッキ液が基板Ｗの下面に回り込み難く、基板Ｗの下
面に無電解メッキでメッキ層が形成され難くなり、さら
に、本実施例では、基板保持機構１０に保持された基板
Ｗの下面は、Ｖパッキン１０５でカバーされた状態であ
るので、基板Ｗの下面に無電解メッキでメッキ層が形成
されるのを確実に防止できる。

【００８２】なお、無電解メッキのメッキ処理速度は遅
いが、後で行う電解メッキに必要なシード層は薄い層で
よいので、無電解メッキによるシード層の形成に要する
シード層形成時間は短時間に抑えられる。このシード層
形成時間は、予め実験的に決めておく。なお、図５のス
テップＳ３の処理は、請求項１に記載の発明における第
１のメッキ工程に相当する。

【００８３】シード層形成時間が経過して、供給液切り
換え弁４の開閉弁４３を閉にすると、制御部６は、開閉
弁１１１ａを閉にし、開閉弁１１１ｃを開にする。

【００８４】そして、制御部６は、供給液切り換え弁４
の開閉弁４４のみを開にして供給口１２５ｂから基板保
持機構１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓにリンス液
を供給して、基板Ｗの処理面Ｗｓのリンス洗浄を行っ
て、基板Ｗの処理面Ｗｓに残留している無電解メッキ液
を洗い流す（図５のステップＳ４）。このリンス処理を
所定のリンス処理時間行う。なお、図５のステップＳ４
のリンス洗浄処理は、請求項３に記載の発明における中
間洗浄工程に相当する。

【００８５】リンス処理時間が経過すると、制御部６
は、供給液切り換え弁４の開閉弁４４と開閉弁１１１ｃ
とを閉にし、開閉弁１１１ｂを開にする。

【００８６】そして、制御部６は、電動モーター１０１
の回転を一旦停止させるとともに、昇降機構１４１を駆
動して第１電極部材接離機構１４を下降させ、さらに、
電源ユニット１４６を制御して電磁石１４１に電流を流
して、図３（ｃ）で説明したように、電磁石１４５と永
久磁石１３４との反発力により、各第１電極部材１３を
下方に押圧させて、各第１電極部材１３によって基板保
持機構１０のベース部材１０３への基板Ｗの保持を強化
するとともに、端子部１０４ａ（電源ユニット５）と基
板Ｗの処理面Ｗｓとの電気的な接続を確実に行わせる
（図６（ｃ））。なお、基板Ｗの処理面Ｗｓに無電解メ
ッキでシード層を形成する段階では、第１電極１３１と
基板Ｗの処理面Ｗｓとは非接触であったので、図６
（ｃ）の状態で、基板Ｗの処理面Ｗｓに形成されたシー
ド層と第１電極１３１とが接触されることになる。

【００８７】以下、図６（ｃ）に示す状態で、第２のメ
ッキ工程、後洗浄工程、乾燥工程（図５のステップＳ５
〜Ｓ７）が行われる。

【００８８】制御部６は、所定のメッキ層形成時間の間
だけ、供給液切り換え弁４の開閉弁４２のみを開にして
供給口１２５ｂから基板保持機構１０に保持された基板
Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキ液を供給する。そして、制
御部６は、電動モーター１０１を、例えば、数十ｒｐｍ
程度の低速度で駆動して、基板保持機構１０及びそれに
よって保持された基板Ｗを、各第１電極部材１３ととも
に回転させ、電源ユニット５を制御して第１電極１３１
と第２電極１２６との間に給電して、基板Ｗの処理面Ｗ
ｓに電解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成する（図
５のステップＳ５）。基板Ｗの外周部から周囲に飛散さ
れる、処理に使用された後の電解メッキ液は、回収部材
１１で受け止められて、開状態の開閉弁１１１ｂ、電解
メッキ液回収管１１２ｂを介して回収されて、電解メッ
キ液貯留タンク２１ｄに戻されて再利用される。

【００８９】なお、基板保持機構１０及びそれによって
保持された基板Ｗを回転させながら電解メッキを行うの
で、供給口１２５ａから供給された電解メッキ液は、遠
心力によって中心部から周縁部に流動し、流動ムラなく
基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキ液をひろげることがで
きる。また、本実施例では、第２電極１２６を、基板保
持機構１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓに対向配置
させ、処理面Ｗｓと略同じ大きさ（面積）を有するよう
に構成しているので、第２電極１２６から基板Ｗの処理
面Ｗｓまでの距離（ｄ）を面内において略均一にするこ
とができ、電流密度を基板Ｗの処理面Ｗｓの全体にわた
って略均一にすることができる。さらに、基板保持機構
１０及びそれによって保持された基板Ｗを回転させなが
ら電解メッキを行うので、処理面Ｗｓ内に電流密度のバ
ラツキがあっても、その影響を抑制することができる。
従って、基板Ｗの処理面Ｗｓに所定の厚さのメッキ層を
均一に形成することができる。

【００９０】また、上記メッキ層形成時間は、予め実験
的に決めておくが、電解メッキのメッキ処理速度は速
く、メッキ層形成時間は、５、６分程度である。なお、
図５のステップＳ５の処理は、請求項１に記載の発明に
おける第２のメッキ工程に相当する。

【００９１】メッキ層形成時間が経過して、供給液切り
換え弁４の開閉弁４２を閉にすると、制御部６は、開閉
弁１１１ｂを閉にし、開閉弁１１１ｃを開にする。

【００９２】そして、制御部６は、供給液切り換え弁４
の開閉弁４４のみを開にして供給口１２５ｂから基板保
持機構１０に保持された基板Ｗの処理面Ｗｓにリンス液
を供給して、基板Ｗの処理面Ｗｓのリンス洗浄を行っ
て、基板Ｗの処理面Ｗｓに残留している電解メッキ液を
洗い流す（図５のステップＳ６）。このリンス処理を所
定のリンス処理時間行う。なお、図５のステップＳ６の
リンス洗浄処理は、請求項４に記載の発明における後洗
浄工程に相当する。

【００９３】リンス処理時間が経過すると、制御部６
は、供給液切り換え弁４の開閉弁４４を閉にする。

【００９４】そして、制御部６は、電動モーター１０１
を高速回転させて、基板Ｗに残留しているリンス液を振
り切って基板Ｗを乾燥する乾燥処理を行う（図５のステ
ップＳ７）。なお、図５のステップＳ７の乾燥処理は、
請求項５に記載の発明における乾燥工程に相当する。

【００９５】所定の乾燥時間が経過すると、制御部６
は、電動モーター１０１の回転を停止させ、開閉弁１１
１ｃを閉にする。さらに、制御部６は、昇降機構１２１
及び１４１を駆動して、処理空間形成機構１２及び第１
電極部材接離機構１４を上昇させて上方に待機させ、昇
降機構１１３を駆動して、回収部材１１の上方に基板保
持機構１０のベース部材１０３が配置されるように回収
部材１１を下降させ、切り換え弁１０６ｄは大気開放側
に切り換えて基板Ｗの保持を解除する（図６（ａ））。

【００９６】この状態で、図示しない基板搬送機構によ
って処理済の基板Ｗがベース部材１０３から取り出され
てチャンバー１（処理室）から搬出させる。なお、上述
した方法では、最後に基板Ｗを乾燥させているので、基
板搬送機構は乾燥した基板Ｗをチャンバー１（処理室）
から搬出する、ドライアウトを実現することができる。

【００９７】以上のように、上記実施例装置による基板
メッキ方法によれば、基板Ｗの処理面Ｗｓへのシード層
の形成だけを無電解メッキで行い、シード層が形成され
ると、無電解メッキから電解メッキに切り換えて、シー
ド層が形成された基板Ｗの処理面Ｗｓに電解メッキで所
定の厚さのメッキ層を形成するので、所定の厚さのメッ
キ層の形成を無電解メッキのみで行う場合に比べて処理
時間を大幅に短縮することができ生産性を向上させるこ
とができる。また、電解メッキに必要なシード層の形成
を無電解メッキで形成するので、シード層をＣＶＤで形
成するよりもコストを大幅に低減でき、シード層をスパ
ッタで形成するよりも均一なシード層を形成することが
できる。従って、従来に比べて、生産性が向上し、コス
トを低減でき、バラツキなく精度良くメッキ層を形成す
ることができるなど実用性が高い基板メッキ方法及び基
板メッキ装置を実現することができる。

【００９８】また、無電解メッキ処理や電解メッキ処
理、洗浄処理などを別々の処理室で行う場合には、装置
構成が大がかりになるとともに、各処理を終えるごとに
処理室間の基板Ｗの搬送が必要になってスループットも
低下するが、上記実施例装置の構成によれば、無電解メ
ッキ処理や電解メッキ処理、洗浄処理などの一連の処理
を同一のチャンバ（処理室）内で基板Ｗを基板保持機構
１０で保持した状態で順次行うので、装置構成が簡略化
でき、スループットを向上することができる。

【００９９】さらに、上記実施例装置の構成によれば、
処理に使用された後の無電解メッキ液や電解メッキ液、
洗浄液を分離回収するので、無電解メッキ液や電解メッ
キ液を再利用するとともに、不要な液を廃棄することが
でき、資源を有効利用することができる。

【０１００】また、上記実施例装置の構成によれば、基
板Ｗの処理面Ｗｓに供給する無電解メッキ液や電解メッ
キ液の濃度を検出して、各メッキ液の濃度を一定化する
ように濃度管理を行うので、各メッキ液の濃度変動によ
って処理時間が変動したり、シード層やメッキ層の厚さ
が変動するような不都合を回避することができ、長期間
にわたって安定した処理を行うことができる。

【０１０１】さらに、上記実施例装置の構成によれば、
基板Ｗの処理面Ｗｓを上向きに保持して無電解メッキや
電解メッキ処理を行うことで、以下のような効果も得ら
れる。すなわち、基板Ｗの処理面Ｗｓを下向きに保持し
た状態（いわゆるフェースダウン）で無電解メッキや電
解メッキ処理を行うと、基板Ｗの処理面Ｗｓに形成され
ている溝内の空気が抜け難い。また、電解メッキ処理の
電気分解によって発生する気体（水素及び酸素）も溝か
ら抜け難い。そのため、溝の内部が気泡によって塞が
れ、溝の内部に各メッキ液が供給されず、溝の内部にシ
ード層やメッキ層が形成されず、空隙（ボイド）が生じ
易くなる。これに対して、上記実施例のように基板Ｗの
処理面Ｗｓを上向きに保持して無電解メッキや電解メッ
キ処理を行うことで、気体は上方に向かって自然に離脱
し、溝だけでなく基板Ｗの処理面Ｗｓにも気泡が残留し
難くなり、ボイドの発生を防止することができる。

【０１０２】次に、本発明の第２実施例装置の構成を図
７、図８を参照して説明する。図７は第２実施例装置の
要部の構成を示す縦断面図であり、図８は第２実施例の
動作を説明するための図である。

【０１０３】上記第１実施例では、処理に使用された後
の無電解メッキ液や電解メッキ液、洗浄液を回収する際
に、各液を回収部材１１で受け止めて回収していたが、
この第２実施例装置は、処理に使用された後の無電解メ
ッキ液や電解メッキ液、洗浄液を回収する際の回収部材
の経路も各液ごとに分けて、各液を完全に分離回収する
ように構成したものである。

【０１０４】すなわち、この第２実施例装置の回収部材
１５は、略有底円筒形状の容器であり、底面には円筒状
の仕切り部材１５１ｂ、１５１ａが上方に向けて突出し
て形成されている。これにより、回収部材１５の側壁１
５１ａと仕切り部材１５１ｂとの間に平面視でドーナツ
形状の洗浄液回収路１５２ａが形成され、仕切り部材１
５１ｂと１５１ｃとの間に平面視でドーナツ形状の電解
メッキ液回収路１５２ｂが形成され、仕切り部材１５１
ｃの内側に略円筒状の無電解メッキ液回収路１５２ｃが
形成されている。また、回収部材１５の側壁１５１ａと
各仕切り部材１５１ｂ、１５１ｃは、上部が内側に傾斜
された傾斜部１５３ａ、１５３ｂ、１５３ｃを備えてい
る。

【０１０５】洗浄液回収路１５２ａは、処理に使用され
た後の薬液やリンス液などの洗浄液を回収するための部
分であって、その底面は洗浄液回収管１１２ｃに連通接
続されている。また、電解メッキ液回収路１５２ｂは、
処理に使用された後の電解メッキ液を回収するための部
分であって、その底面は電解メッキ液回収管１１２ｂに
連通接続されている。さらに、無電解メッキ液回収路１
５２ｃは、処理に使用された後の無電解メッキ液を回収
するための部分であって、その底面は無電解メッキ液回
収管１１２ａに連通接続されている。

【０１０６】第１実施例と同様に、洗浄液回収管１１２
ｃ、電解メッキ液回収管１１２ｂ、無電解メッキ液回収
管１１２ａはそれぞれ、ドレイン７、電解メッキ液供給
系３内の電解メッキ液貯留タンク２１ｄ、無電解メッキ
液供給系２内の無電解メッキ液貯留タンク２１ｍに連通
接続されている。

【０１０７】また、回収部材１５は、ボールネジなどの
周知の１軸方向駆動機構で構成される図示しない昇降機
構によって昇降可能に構成されている。この昇降機構
は、基板保持機構１０のベース部材１０３が回収部材１
５の上方に配置される第１の高さＨ１（図８（ａ））
と、基板保持機構１０に保持された基板Ｗの側方に回収
部材１５の側壁１５１ａの上部の傾斜部１５３ａが配置
される第２の高さＨ２（図８（ｂ））と、基板保持機構
１０に保持された基板Ｗの側方に仕切り部材１５１ｂの
上部の傾斜部１５３ｂが配置される第３の高さＨ３（図
８（ｃ））と、基板保持機構１０に保持された基板Ｗの
側方に仕切り部材１５１ｃの上部の傾斜部１５３ｃが配
置される第４の高さＨ４（図７）との４段階の高さ位置
に回収部材１５を昇降させる。

【０１０８】それ以外の構成は第１実施例と同様である
のでその説明を省略する。この第２実施例装置の動作も
基本的には第１実施例と同様であって、図５のフローチ
ャートに従って各処理を行うが、第１実施例において各
処理ごとに開閉弁１１１ａ〜１１１ｃの開閉を切り換え
ていた動作に代えて、この第２実施例では、各処理時に
おける回収部材１５の高さ位置を変更する。

【０１０９】すなわち、基板保持機構１０と図示しない
基板搬送機構との間の基板Ｗの受け渡しは、図８（ａ）
に示す第１の高さＨ１に回収部材１５を位置させて行
う。

【０１１０】図５のステップＳ１、Ｓ２、Ｓ４、Ｓ６の
各洗浄処理とステップＳ７の乾燥処理は、図８（ｂ）に
示す第２の高さＨ２に回収部材１５を位置させて行う。
これにより、図８（ｂ）の点線で示すように、基板Ｗの
外周部から周囲に飛散された、処理に使用された後の洗
浄液は、傾斜部１５３ａで受け止められて、洗浄液回収
路１５２ａ及び洗浄液回収管１１２ｃを介して回収され
てドレイン７に廃棄される。

【０１１１】図５のステップＳ５の処理は、図８（ｃ）
に示す第３の高さＨ３に回収部材１５を位置させて行
う。これにより、図８（ｃ）の点線で示すように、基板
Ｗの外周部から周囲に飛散された、処理に使用された後
の電解メッキ液は、傾斜部１５３ｂで受け止められて、
電解メッキ液回収路１５２ｂ及び電解メッキ液回収管１
１２ｂを介して回収されて電解メッキ液貯留タンク２１
ｄに戻されて再利用される。

【０１１２】図５のステップＳ３の処理は、図７に示す
第４の高さＨ４に回収部材１５を位置させて行う。これ
により、図７の点線で示すように、基板Ｗの外周部から
周囲に飛散された、処理に使用された後の無電解メッキ
液は、傾斜部１５３ｃで受け止められて、無電解メッキ
液回収路１５２ｃ及び無電解メッキ液回収管１１２ａを
介して回収されて無電解メッキ液貯留タンク２１ｍに戻
されて再利用される。

【０１１３】以上のように、この第２実施例の構成で
は、処理に使用された後の無電解メッキ液や電解メッキ
液、洗浄液を完全に別々の経路で回収することができ
る。

【０１１４】従って、この第２実施例によれば、第１実
施例と同様の効果を得ることに加えて、さらに、処理に
使用された後の無電解メッキ液や電解メッキ液、洗浄液
をより高精度に分離回収することもできる。

【０１１５】なお、上記第２実施例では、回収部材１５
の最も外側の回収路１５２ａで洗浄液を回収し、中間の
回収路１５２ｂで電解メッキ液を回収し、最も内側の回
収路１５２ｃで無電解メッキ液を回収するように構成し
たが、どの液をどの回収路で回収するかは任意に決める
ことができる。

【０１１６】また、上記各実施例装置では、基板Ｗの処
理面Ｗｓへの各液の供給を１つの供給口１２５ｂから選
択的に切り換え供給するように構成したが、本発明はこ
れに限らず、各液を別々の供給口から基板Ｗの処理面Ｗ
ｓに供給するように構成してもよい。ただし、上記各実
施例装置のように、基板Ｗの処理面Ｗｓへの各液の供給
を１つの供給口１２５ｂから選択的に切り換え供給する
ように構成することで、各液を供給する供給口を個別に
設けるよりも処理室内の簡素化を図ることができる。

【０１１７】また、基板保持機構１０に保持された基板
Ｗの処理面Ｗｓとそれに近接配置された板状部材１２４
との間に供給される各液に超音波振動を付与するように
構成してもよい。このように構成することで、超音波振
動によって基板Ｗの処理面Ｗｓに付着残留している気泡
をより確実に離脱させることができ、ボイドの発生をよ
り確実に防止することができる。

【０１１８】さらに、例えば、支持アーム１２２に対し
て支軸１２３及び板状部材１２４を回転可能に構成し、
各処理を基板保持機構１０（基板Ｗ）を回転させずに、
板状部材１２４を回転させながら行っても、上記各実施
例と同様の効果を得ることができる。また、基板保持機
構１０（基板Ｗ）と板状部材１２４とを同方向または逆
方向に回転しながら各処理を行ってもよい。なお、支持
アーム１２２に対して支軸１２３及び板状部材１２４を
回転可能に構成する場合には、第２電極１２６への給電
は、基板保持機構１０側と同様に給電ブラシによるブラ
シ給電で行えばよい。

【０１１９】また、上記各実施例装置では、板状部材１
２４の下面に第２電極１２６を設けたが、板状部材１２
４全体を導電性の材料で構成して、板状部材１２４全体
を第２電極としてもよい。

【０１２０】さらに、図５のステップＳ３とＳ５の処理
の際に、基板保持機構１０に保持された基板Ｗの処理面
Ｗｓとそれに近接配置された板状部材１２４との間に供
給される各メッキ液が、周囲の隙間から漏れ出る速度を
遅くして基板Ｗの処理面Ｗｓと板状部材１２４との間の
処理空間の液密を高めるために、図５のステップＳ３と
Ｓ５の処理の際に、基板Ｗの処理面Ｗｓと板状部材１２
４との周囲の隙間に抵抗となる部材を配置するように構
成してもよい。

【０１２１】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明に係る基板メッキ方法によれば、基板の
処理面へのシード層の形成だけを無電解メッキで行い、
シード層が形成されると、無電解メッキから電解メッキ
に切り換えて、シード層が形成された基板の処理面に電
解メッキで所定の厚さのメッキ層を形成するので、所定
な厚さのメッキ層の形成を無電解メッキのみで行う場合
に比べて処理時間を大幅に短縮することができ生産性を
向上させることができる。また、電解メッキに必要なシ
ード層の形成を無電解メッキで形成するので、シード層
をＣＶＤで形成するよりもコストを大幅に低減でき、シ
ード層をスパッタで形成するよりも均一なシード層を形
成することができる。従って、請求項１に記載の発明に
係る基板メッキ方法によれば、従来に比べて、生産性が
向上し、コストを低減でき、バラツキなく精度良くメッ
キ層を形成することができるなど実用性が高い基板メッ
キ方法を実現することができる。

【０１２２】請求項２に記載の発明に係る基板メッキ方
法によれば、第１のメッキ工程の前に、基板の処理面を
洗浄する前洗浄を行うので、基板の処理面に形成されて
いる酸化膜を除去したり、基板の汚れを落としたりした
状態で、無電解メッキによるシード層の形成を行うこと
ができ、シード層の形成をより高精度に行うことができ
る。

【０１２３】請求項３に記載の発明に係る基板メッキ方
法によれば、第１のメッキ工程と第２のメッキ工程との
間に、基板の処理面を洗浄する中間洗浄を行うので、電
解メッキでメッキ層を形成する前に、基板の処理面に残
留する無電解メッキ液を除去することができ、無電解メ
ッキ液と電解メッキ液とのコンタミを防止することがで
きる。従って、電解メッキによる所定の厚さのメッキ層
の形成をより高精度に行うことができる。

【０１２４】請求項４に記載の発明に係る基板メッキ方
法によれば、第２のメッキ工程の後に、基板の処理面を
洗浄する後洗浄を行うので、所定の厚さのメッキ層が形
成された後に基板の処理面に残留する電解メッキ液を除
去することができ、メッキ処理後の基板を清浄にするこ
とができる。

【０１２５】請求項５に記載の発明に係る基板メッキ方
法によれば、後洗浄工程の後に、基板を乾燥するので、
所定の厚さのメッキ層が形成された基板を乾燥した状態
で処理室から搬出することができる。

【０１２６】請求項６に記載の発明によれば、請求項１
に記載の基板メッキ方法を好適に実施する実用性が高い
基板メッキ装置を実現することができる。

【０１２７】請求項７に記載の発明によれば、請求項２
ないし４に記載の基板メッキ方法を好適に実施する基板
メッキ装置を実現することができる。

【０１２８】請求項８に記載の発明によれば、基板の処
理面への各液の供給を１つの供給口から選択的に切り換
え供給するので、各液を供給する供給口を個別に設ける
よりも処理室内の簡素化を図ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例に係る基板メッキ装置の全
体構成を示すブロック図である。

【図２】チャンバ内の構成を示す縦断面図である

【図３】第１電極部材接離機構の構成を示す縦断面図で
ある。

【図４】第１実施例装置の制御系の構成を示すブロック
図である。

【図５】第１実施例装置による基板メッキ方法を示すフ
ローチャートである。

【図６】第１実施例装置の動作を説明するための図であ
る。

【図７】第２実施例装置の要部の構成を示す縦断面図で
ある。

【図８】第２実施例の動作を説明するための図である。

【符号の説明】

２：無電解メッキ系供給系 ３：電解メッキ系供給系 ４：供給液切り換え弁 ５：電源ユニット ６：制御部 ８：薬液供給源 ９：リンス液供給源 １０：基板保持機構 １２５：液供給路 １２５：供給口 １２６：第２電極 １３１：第１電極 Ｗ：基板 Ｗｓ：処理面

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K024 AB02 BB09 BB12 CB01 CB02 CB04 CB08 CB11 CB15 CB20 CB26 DA04 DA10 DB10 GA16 4M104 DD52 DD53 HH20

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板に対してメッキ処理を施す基板メッ
   キ方法であって、 基板の処理面に無電解メッキでシード層を形成する第１
   のメッキ工程と、 シード層が形成された基板の処理面に電解メッキで所定
   の厚さのメッキ層を形成する第２のメッキ工程と、 を備えたことを特徴とする基板メッキ方法。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の基板メッキ方法におい
   て、 前記第１のメッキ工程の前に、基板の処理面を洗浄する
   前洗浄工程をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ
   方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２に記載の基板メッキ方
   法において、 前記第１のメッキ工程と前記第２のメッキ工程との間
   に、基板の処理面を洗浄する中間洗浄工程をさらに備え
   たことを特徴とする基板メッキ方法。
4. 【請求項４】 請求項１ないし３のいずれかに記載の基
   板メッキ方法において、 前記第２のメッキ工程の後に、基板の処理面を洗浄する
   後洗浄工程をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ
   方法。
5. 【請求項５】 請求項４に記載の基板メッキ方法におい
   て、 前記後洗浄工程の後に、基板を乾燥する乾燥工程をさら
   に備えたことを特徴とする基板メッキ方法。
6. 【請求項６】 基板に対してメッキ処理を施す基板メッ
   キ装置であって、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に無電解メ
   ッキ液を供給する無電解メッキ液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に電解メッ
   キ液を供給する電解メッキ液供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に給電する
   ための第１電極と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に供給され
   た電解メッキ液を介在させて基板の処理面に対向して配
   置される第２電極と、 前記第２電極から前記第１電極へ向けて電流が流れるよ
   うに給電する給電手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に前記無電
   解メッキ液供給手段により無電解メッキ液を供給して基
   板の処理面に無電解メッキでシード層を形成させ、シー
   ド層が形成された基板の処理面に前記電解メッキ液供給
   手段により電解メッキ液を供給するとともに、前記第１
   電極と前記第２電極との間に前記給電手段により給電し
   て、基板の処理面に電解メッキで所定の厚さのメッキ層
   を形成させる制御手段と、 を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
7. 【請求項７】 請求項６に記載の基板メッキ装置におい
   て、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に洗浄液を
   供給する洗浄液供給手段をさらに備え、 前記制御手段は、前記基板保持手段に保持された基板の
   処理面に洗浄液を前記洗浄液供給手段により供給して基
   板の処理面を洗浄させることを特徴とする基板メッキ装
   置。
8. 【請求項８】 請求項６または７に記載の基板メッキ装
   置において、 基板の処理面に供給する液を選択的に切り換える供給液
   切り換え手段をさらに備え、 前記供給液切り換え手段で選択された液を１つの供給口
   から前記基板保持手段に保持された基板の処理面に供給
   することを特徴とする基板メッキ装置。