JP2002069698A

JP2002069698A - 液処理装置及び液処理方法

Info

Publication number: JP2002069698A
Application number: JP2000263691A
Authority: JP
Inventors: Wataru Okase; 亘大加瀬; Takenobu Matsuo; 剛伸松尾
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 2000-08-31
Filing date: 2000-08-31
Publication date: 2002-03-08

Abstract

(57)【要約】【課題】被処理基板の被処理面に均一に電圧を印加す
ることができるとともに電極の腐食を防止することがで
きる液処理装置及び液処理方法を提供する。【解決手段】保持部７２内側に配設されたカソード電
極８２の複数箇所には、導電性の材料から形成されたば
ね部８４が設けられている。この各ばね部８４を弾性変
形させることにより全てのばね部８４がウエハＷの被メ
ッキ面に接触するようになりウエハＷの被メッキ面に均
一に電圧を印加できる。また、この各ばね部８４の先端
には半球面状に形成された半球面突起８７が形成されて
おり、ばね部８４をウエハＷの被メッキ面に常に一定面
積で接触させることができ、よりこの各ばね部８４の弾
性変形によりウエハＷの被処理面に均一に電圧を印加で
きる。さらに半球面突起以外のカソード電極８２は、合
成樹脂のフィルム８８で被覆されており、このフィルム
８８で被覆することによりカソード電極８２の腐食を防
止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板の液処理に係り、更に詳細には被処理基板の
被処理面に液相で金属層を形成する液処理装置及び液処
理方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体ウエハＷ（以下、単に
「ウエハ」という。）等の被処理基板の表面に金属層を
形成する処理装置としては、例えば、気相で金属層を形
成する物理的気相成長処理装置（ＰＶＤ処理装置）が用
いられてきたが、半導体デバイスの集積度の向上に伴
い、成膜速度の問題から液相で金属層を形成するメッキ
処理装置を用いることが主流になりつつある。

【０００３】図１４は代表的なメッキ処理装置の模式的
な垂直断面図であり、図１５は同メッキ処理装置のウエ
ハホルダの一部を拡大した模式的な垂直断面図である。

【０００４】図１４及び図１５に示すように、このメッ
キ処理装置１００は、メッキ液を収容したメッキ液槽１
０１と、ウエハＷを保持するウエハホルダ１０２とから
構成されている。また、ウエハホルダ１０２の内側には
導電性材料から形成されたリング状の通電部材１０３が
配設されており、ウエハＷの被メッキ面に電圧を印加す
るようになっている。

【０００５】このメッキ処理装置１００は、メッキ液槽
１０１に対してウエハホルダ１０２を下降させウエハＷ
の被メッキ面にメッキ液を接触させた後、通電部材１０
３を介してウエハＷの被メッキ面と電極１０４との間に
電界を形成してウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成
するようになっている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記通
電部材は、以下のような問題がある。

【０００７】通電部材には、図１５に示すようにウエハ
Ｗの被メッキ面と接触させてウエハＷの被メッキ面に電
圧を印加するための接触ピン１０５が複数形成されてい
る。ウエハＷの被メッキ面と電極１０４との間に電圧を
均一に印加するためには、接触ピン１０５の高さをすべ
て均一に揃える必要があるが、接触ピン１０５の高さを
すべて均一に揃えることは非常に困難である。結果とし
て、ウエハＷの被メッキ面に接触しない接触ピン１０５
が存在してしまい、ウエハＷの被メッキ面に電圧が均一
に印加されないというという問題がある。

【０００８】また、ウエハＷの被メッキ面にメッキ層を
形成した後、通電部材１０３の接触ピン１０５を純水で
洗浄して接触ピン１０５に付着したメッキ液を洗い流し
ているが、接触ピン１０５のみ洗浄するのは困難であ
り、ウエハホルダ１０２内側に剥き出しで配設されいる
通電部材１０３に純水が付着してしまう。洗浄の後、接
触ピン１０５の腐食を防ぐため接触ピン１０５に向けて
エアーを流し接触ピン１０５に付着した純水を完全に除
去しているが、接触ピン１０５以外の通電部材１０３に
付着した純水まで完全に除去するのは困難であり、通電
部材１０３が腐食するという問題がある。

【０００９】本発明は上記従来の問題を解決するために
なされたものである。

【００１０】即ち、被処理基板の被処理面に均一に電圧
を印加することができる液処理装置及び液処理方法を提
供することを目的とする。

【００１１】また、電極の腐食を防止することができる
液処理装置及び液処理方法を提供することを目的とす
る。

【００１２】

【課題を解決しようとする手段】請求項１の液処理装置
は、処理液を収容する処理液槽と、被処理基板を保持す
る保持機構と、前記保持機構に配設され導電性の弾性体
で形成された弾性部を有する第１の電極と、前記第１の
電極との間で電界を形成する第２の電極と、を具備する
ことを特徴とする。

【００１３】請求項１の液処理装置では、液処理装置に
前記保持機構に配設され導電性の弾性体で形成された弾
性部を有する第１の電極を備えるので、前記第１の電極
の弾性部を弾性変形させた状態で前記被処理基板の被処
理面に接触させることができ、前記被処理基板の被処理
面に均一に電圧を印加することができる。

【００１４】請求項２の液処理装置は、請求項１記載の
液処理装置であって、前記弾性部が、撓んでいることを
特徴とする液処理装置。

【００１５】請求項２の液処理装置は、前記弾性部が撓
んでいるので、被処理基板の自重により或いは前記被処
理基板を押圧することにより前記弾性部を容易に弾性変
形させることができる。

【００１６】請求項３の液処理装置は、請求項１又は２
記載の液処理装置であって、前記弾性部が、曲面を含ん
だ曲面突起を有していることを特徴とする。

【００１７】請求項３の液処理装置では、前記弾性部
が、曲面を含んだ曲面突起を有しているので、前記被処
理基板の被処理面に対して常に一定面積で接触させるこ
とができ、前記被処理基板の被処理面により均一に電圧
を印加することができる。

【００１８】請求項４の液処理装置は、請求項１〜３の
いずれか１項に記載の液処理装置であって、前記弾性部
が、ばねを利用したばね部であることを特徴とする。

【００１９】請求項４の液処理装置では、前記弾性部が
ばねを利用したばね部であるので、前記弾性部を容易に
製造することができる。

【００２０】請求項５の液処理装置は、請求項４記載の
液処理装置であって、前記ばねが、板ばねであることを
特徴とする。

【００２１】請求項５の液処理装置は、前記ばねが板ば
ねであるので、前記第１の電極の形状が単純になり、板
ばねを有した前記第１の電極を容易に形成することがで
きる。

【００２２】請求項６の液処理装置は、請求項１〜５の
いずれか１項に記載の液処理装置であって、前記弾性部
が、ばね鋼、ニッケル、チタン、インコネル、銅、及び
ステンレス鋼からなる群から選択される１又は２以上の
物質で形成されていることを特徴とする。

【００２３】請求項６の液処理装置では、前記弾性部
が、ばね鋼、ニッケル、チタン、インコネル、銅、及び
ステンレス鋼からなる群から選択される１又は２以上の
物質で形成されているので、導電性に優れているととも
に弾性限度が高い。

【００２４】請求項７の液処理装置は、請求項１〜６の
いずれか１項に記載の液処理装置であって、前記第１の
電極の少なくとも１部が、合成樹脂で被覆されているこ
とを特徴とする。

【００２５】請求項７の液処理装置では、前記第１の電
極の少なくとも１部が、合成樹脂で被覆されているの
で、被処理基板の被処理面に液処理を施した後に前記第
１の電極を例えば純水のような洗浄液で洗浄した場合で
あっても、前記合成樹脂で被覆された部分の第１の電極
には洗浄液が付着することがなく、前記第１の電極の腐
食を防止することができる。

【００２６】請求項８の液処理装置は、請求項７記載の
液処理装置であって、前記合成樹脂が、熱可塑性の合成
樹脂であることを特徴とする。

【００２７】請求項８の液処理装置では、前記合成樹脂
が、熱可塑性の合成樹脂であるので耐処理液性、加工
性、及び強度等に優れており、第１の電極の腐食を確実
に防止することができる。

【００２８】請求項９の液処理装置は、請求項７又は８
記載の液処理装置であって、前記合成樹脂がフィルムを
形成していおり、前記フィルムが熱収縮で前記第１の電
極を被覆していることを特徴とする。

【００２９】請求項９の液処理装置では、前記合成樹脂
がフィルムを形成しており、前記フィルムが熱収縮で前
記第１の電極を被覆しているので、接着剤を必要とせず
容易に製造することができる。

【００３０】請求項１０の液処理装置は、処理液を収容
する処理液槽と、被処理基板を保持する保持機構と、前
記保持部に配設され少なくとも１部が合成樹脂で被覆さ
れた第１の電極と、前記第１の電極との間で電界を形成
する第２の電極と、を具備することを特徴とする。

【００３１】請求項１０の液処理装置では、液処理装置
に前記保持部に配設され少なくとも１部が熱可塑性の合
成樹脂で被覆された第１の電極を備えるので、被処理基
板の被処理面に液処理を施した後に前記第１の電極を例
えば純水のような洗浄液で洗浄した場合であっても、前
記合成樹脂で被覆された部分の第１の電極には洗浄液が
付着することがなくなる。また、前記合成樹脂が熱可塑
性の合成樹脂であるので、耐処理液性、加工性、及び強
度等に優れている。結果として、前記第１の電極の腐食
を確実に防止することができる。

【００３２】請求項１１の液処理装置は、請求項１０記
載の液処理装置であって、前記合成樹脂がフィルムを形
成しており、前記フィルムが熱収縮で前記第１の電極を
被覆していることを特徴とする。

【００３３】請求項１１の液処理装置では、前記合成樹
脂がフィルムを形成しており、前記フィルムが熱収縮で
前記第１の電極を被覆しているので、接着剤を必要とせ
ず容易に製造することができる。

【００３４】請求項１２の液処理方法は、第１の電極の
弾性部に被処理基板の被処理面を接触させて前記弾性部
を弾性変形させる工程と、前記弾性部を弾性変形させた
状態で前記第１の電極と第２の電極との間に電界を形成
して前記被処理基板の被処理面に液処理を施す工程と、
を具備することを特徴とする。

【００３５】請求項１２の液処理方法では、第１の電極
の弾性部に被処理基板の被処理面を接触させて前記弾性
部を弾性変形させる工程と、前記弾性部を弾性変形させ
た状態で前記第１の電極と第２の電極との間に電界を形
成して前記被処理基板の被処理面に液処理を施す工程と
を具備するので、前記第１の電極の弾性部を弾性変形さ
せた状態で前記弾性部を前記被処理基板の被処理面に接
触させることができ、前記被処理基板の被処理面に均一
に電圧を印加することができる。結果として、前記被処
理基板の被処理面に均一に液処理を施すことができる。

【００３６】請求項１３の液処理方法は、請求項１１記
載の液処理方法であって、前記弾性部が、撓んでいるこ
とを特徴とする。

【００３７】請求項１３の液処理方法では、前記弾性部
が撓んでいるので、被処理基板の自重により或いは前記
被処理基板を押圧することにより前記弾性部を容易に弾
性変形させることができる。

【００３８】請求項１４の液処理方法は、請求項１２又
は１３記載の液処理方法であって、前記第１の電極の少
なくとも１部が、合成樹脂で被覆されていることを特徴
とする液処理方法。

【００３９】請求項１４の液処理方法では、前記第１の
電極の少なくとも１部が、合成樹脂で被覆されているの
で、液処理後に前記第１の電極を例えば純水のような洗
浄液で洗浄した場合であっても、前記合成樹脂で被覆さ
れた部分の第１の電極には洗浄液が付着することがな
く、前記第１の電極の腐食を防止することができる。

【００４０】請求項１５の液処理方法は、少なくとも１
部を熱可塑性の合成樹脂で被覆された第１の電極と、第
２の電極との間に電界を形成して前記被処理基板の被処
理面に液処理を施す工程と、前記被処理基板の被処理面
に液処理を施した後、前記第１の電極を洗浄液で洗浄す
る工程とを具備することを特徴とする。

【００４１】請求項１５の液処理方法では、少なくとも
１部を熱可塑性の合成樹脂で被覆された第１の電極と、
第２の電極との間に電界を形成して前記被処理基板の被
処理面に液処理を施す工程と、前記被処理基板の被処理
面に液処理を施した後、前記第１の電極を洗浄液で洗浄
する工程とを備えるので、前記合成樹脂で被覆された部
分の第１の電極には洗浄液が付着することがなくなる。
また、前記合成樹脂が熱可塑性の合成樹脂であるので、
耐処理液性、加工性、及び強度等に優れている。結果と
して、前記第１の電極の腐食を確実に防止することがで
きる。

【００４２】請求項１６の液処理方法は、請求項１４又
は１５記載の液処理方法であって、前記合成樹脂がフィ
ルムを形成しており、前記フィルムが熱収縮で前記第１
の電極を被覆していることを特徴とする。

【００４３】請求項１６の液処理方法では、前記合成樹
脂がフィルムを形成しており、前記フィルムが熱収縮で
前記第１の電極を被覆しているので、接着剤を必要とせ
ず容易に製造することができる。

【００４４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の第１の実施の形態
に係るメッキ処理システムについて説明する。

【００４５】図１は本実施の形態に係るメッキ処理シス
テムの斜視図であり、図２は同メッキ処理システムの平
面図であり、図３は同メッキ処理システムの正面図であ
り、図４は同メッキ処理システムの側面図である。

【００４６】図１〜図４に示すように、このメッキ処理
システム１は後述するキャリアカセットＣからウエハＷ
を取り出したり、一連の処理が完了したウエハＷをキャ
リアカセットＣに収容したりするキャリアステーション
２と、ウエハＷに実際に処理を施すプロセスステーショ
ン３とから構成されている。

【００４７】キャリアステーション２はウエハＷを収容
する載置台２１と載置台２１上に載置されたキャリアカ
セットＣからウエハＷを取り出したり、一連の処理が完
了したウエハＷをキャリアカセットＣに収容したりする
サブアーム２２とから構成されている。

【００４８】キャリアカセットＣ内には複数枚、例えば
２５枚のウエハＷを等間隔毎に水平に保った状態で垂直
方向に収容されるようになっている。載置台２１上には
図中Ｘ方向に例えば４個のキャリアカセットＣが配設さ
れるようになっている。

【００４９】サブアーム２２は図２中Ｘ方向に配設され
たレール上を移動するとともに鉛直方向（Ｚ方向）即ち
図２中紙面に垂直な方向に昇降可能かつ水平面内で回転
可能な構造を備えている。このサブアーム２２は略水平
面内で伸縮可能なウエハ保持部２３材を備えており、こ
れらのウエハ保持部材２３を伸縮させることにより載置
台２１上に載置されたキャリアカセットＣの未処理のウ
エハＷをキャリアカセットＣから取り出したり、処理済
みのウエハＷをキャリアカセットＣ内に収容したりする
ようになっている。

【００５０】また、このサブアーム２２は後述するプロ
セスステーション３との間でも、メッキ処理前後のウエ
ハＷを受け渡しするようになっている。

【００５１】プロセスステーション３は図１〜図４に示
すように直方体又は立方体の箱型の外観を備えており、
その周囲全体は耐メッキ液性の材料、例えば合成樹脂や
表面を合成樹脂でコーティングした金属板などで形成さ
れたハウジング３１で覆われている。

【００５２】プロセスステーション３の内部は図１〜図
４に示すように略立方形或いは直方形の箱型の構成とな
っており、内部には処理空間Ｓが形成されている。

【００５３】処理空間Ｓは図１及び図４に示すように直
方体型の処理室であり、処理空間Ｓの底部には底板３２
が取り付けられている。

【００５４】処理空間Ｓには複数の処理ユニットが配設
されており、具体的には例えばキャリアステーション２
に近い側にメッキ処理ユニットＭ１及び洗浄処理ユニッ
トＷＷが配設されている。

【００５５】また、例えばキャリアステーション２に遠
い側には、例えばメッキ処理ユニットＭ１内のメッキ液
とは組成の異なるメッキ液を有するメッキ処理ユニット
Ｍ２、及びアニーリング処理ユニットＡＮが配設されて
いる。さらに、これらの複数の処理ユニットは、次に説
明するメインアーム３３の周囲にそれぞれ配設されてい
る。

【００５６】図１及び図２に示すように底板３２のほぼ
中央にはウエハＷを搬送するためのメインアーム３３が
配設されている。このメインアーム３３は昇降可能かつ
略水平面内で回転可能になっており、更に略水平面内で
伸縮可能な上下二本のウエハ保持部材３４を備えてお
り、これらのウエハ保持部材３４を伸縮させることによ
りメインアーム３３の周囲に配設された各処理ユニット
に対して処理前後のウエハＷを出し入れできるようにな
っている。

【００５７】さらに、このメインアーム３３は保持した
ウエハＷを上下反転させる機構を備えており、一の処理
ユニットから他の処理ユニットへウエハＷを搬送する間
にウエハＷを上下反転できる構造を備えている。なお、
このウエハＷを反転する機能はメインアーム３３に必須
の機能ではない。

【００５８】プロセスステーション３のハウジング３１
のうち、キャリアステーション２に対面する位置に配設
されたハウジング３１ａには、図３に示すように２箇所
に開閉可能な開口部Ｇ１及びＧ２が配設されている。こ
れらのうちＧ１はメッキ処理ユニットＭ１と洗浄処理ユ
ニットＷＷとの間に配設された中継載置台３５の位置に
対応する開口部であり、キャリアカセットＣからサブア
ーム２２が取り出した未処理のウエハＷをプロセスステ
ーション３内に搬入する際に用いられる。搬入の際には
開口部Ｇ１が開かれ、未処理のウエハＷを保持したサブ
アーム２２が処理空間Ｓ内にウエハ保持部材２３を伸長
させて中継載置台３５上にウエハＷを載置する。この中
継載置台３５にメインアーム３３がウエハ保持部材３４
を伸長させて中継載置台３５上に載置されたウエハＷを
保持してメッキ処理ユニットＭ１及びＭ２などの処理ユ
ニット内まで運ぶ。

【００５９】残りの開口部Ｇ２は処理空間Ｓのキャリア
ステーション２に近い側に配設された洗浄処理ユニット
ＷＷに対応する位置に配設されており、これらの開口部
Ｇ２を介してサブアーム２２が処理空間Ｓ内に配設され
た洗浄処理ユニットＷＷに直接ウエハ保持部材２３を伸
長させて処理済みのウエハＷを受け取ることができるよ
うになっている。そのため、洗浄処理ユニットＷＷで洗
浄されたウエハＷが汚れたメインアーム３３に触れるこ
とによるウエハＷの汚染を防止できる。

【００６０】更に、各処理ユニット内はシステムの処理
空間Ｓよりも陰圧に維持されており、空気の流れは処理
空間Ｓ側から各処理ユニット内に向って流れ、各処理ユ
ニットからシステム外に排気される。そのため、処理ユ
ニット側から処理空間Ｓ側に汚れが拡散するのが防止さ
れる。

【００６１】次に、本実施の形態に係るメッキ処理ユニ
ットＭ１について説明する。

【００６２】図５は本実施の形態に係るメッキ処理ユニ
ットＭ１の模式的な垂直断面図であり、図６は同メッキ
処理ユニットＭ１の模式的な平面図である。

【００６３】図５及び図６に示すように、このメッキ処
理ユニットＭ１では、ユニット全体が密閉構造のハウジ
ング４１で覆われている。このハウジング４１も合成樹
脂等の耐メッキ液性の材料で構成されている。

【００６４】ハウジング４１の内部は上下２段、即ち下
段に位置する第１の処理部Ａと上段に位置する第２の処
理部Ｂとに分かれた構造になっている。この第１の処理
部Ａと第２の処理部Ｂは、洗浄ノズル４２及びその下側
に配設された排気口４３を内蔵したセパレータ４４によ
り仕切られている。このセパレータ４４の中央には、後
述するドライバ７１に保持されたウエハＷが第１の処理
部Ａと第２の処理部Ｂとの間を行き来できるように貫通
孔が設けられている。

【００６５】また、第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂと
の境界にあたる部分のハウジング４１にはウエハＷをメ
ッキ処理ユニットＭ１内に搬出入するゲートバルブ４５
が設けられている。このゲートバルブ４５が閉じるとメ
ッキ処理ユニットＭ１内はその外側の処理空間Ｓとは隔
絶された空間となるので、メッキ処理ユニットＭ１から
外側の処理空間Ｓ内への汚れの拡散が防止される。

【００６６】さらに、メッキ処理ユニットＭ１及びＭ２
はそれぞれ別個独立に運転することができ、メッキ処理
システム１に対してそれぞれが着脱可能に構成されてい
る。そのため、一つのメッキ処理ユニットについて保守
管理など運転できない場合には、他のメッキ処理ユニッ
トを代替使用することができ、保守管理が容易に行え
る。

【００６７】第１の処理部Ａの内部にはメッキ液槽５１
が配設されている。このメッキ液槽５１は内槽５１ａと
内槽５１ａの外側に内槽５１ａと同心的に配設された外
槽５１ｂの２重槽から構成されている。メッキ液で内槽
５１ａを満たしたときに後述するメッキ位置（Ｖ）にあ
るウエハＷの被メッキ面がメッキ液液面よりも低くなる
ように内槽５１ａが固定されている。

【００６８】内槽５１ａは有底の略円筒形に形成されて
おり、内槽５１ａの開口面は略水平に維持されている。
内槽５１ａの内部には内槽５１ａの底面側から上面に向
けてメッキ液を噴出させる噴出管５２が内槽５１ａの底
面の略中心から内槽５１ａの深さ方向略中間付近まで突
出している。噴出管５２の周囲には例えば複数の銅球を
集めて形成された略円盤状の第２の電極としてのアノー
ド電極５３が内槽５１ａと同心的に配設されており、こ
れらの銅球を例えば硫酸銅を含んだメッキ液中に溶解さ
せることによりメッキ液中の銅イオンの減少を防止して
いる。また、このアノード電極５３にはリード線が外槽
５１ｂの外部にある図示しない外部電源まで延設されて
おり、この電源を投入することによりアノード電極５３
とウエハＷとの間に電界を形成するようになっている。

【００６９】噴出管５２の端部外周と内槽５１ａとの間
には内槽５１ａを上下に仕切り分ける隔膜５４がアノー
ド電極５３の上方に設けられており、隔膜５４で仕切ら
れた内槽５１ａの上側（以下「内槽の上側」という。）
には噴出管５２からメッキ液が供給され、隔膜５４で仕
切られた内槽５１ａの下側（以下「内槽の下側」とい
う。）には後述する循環配管５５からメッキ液が供給さ
れるようになっている。また、この隔膜５４はイオンを
透過するが、アノード電極５３としての銅球を溶解させ
たときに生じる不純物及びウエハＷの被メッキ面にメッ
キ処理中に発生する例えば酸素及び水素のような泡を透
過させないように構成されている。また、内槽５１ａの
底面の中心から偏心した位置には循環配管５５,５６が
設けられており、この循環配管５５，５６の間には図示
しないポンプが配設されている。このポンプを作動させ
て内槽５１ａの下側にメッキ液を循環させるようになっ
ている。

【００７０】外槽５１ｂは、内槽５１ａと同様に有底の
略円筒形に形成されており、外槽５１ｂの開口面は略水
平に維持されている。外槽５１ｂの底部には排出口が２
箇所設けられており、この排出口には配管５７が接続さ
れている。この配管５７と噴出管５２との間にはポンプ
５８が配設されている。また、配管５７にはメッキ液を
収容したタンク５９がポンプ６０とバルブ６１を介して
接続されており、ポンプ６０を作動させるとともにバル
ブ６１を開くことによりタンク５９内のメッキ液を内槽
５１ａに供給するようになっている。

【００７１】一方、第２の処理部Ｂの内部にはウエハＷ
を保持する保持機構としてのドライバ７１がメッキ液槽
５１の中心の真上に配設されている。またドライバ７１
はウエハＷを保持する保持部７２と、この保持部７２ご
とウエハＷを略水平面内で回転させるモータ７３とから
構成されている。

【００７２】モータ７３は合成樹脂等の耐メッキ液性の
材料で形成されたカバー７４で覆われており、後述する
メッキ位置（Ｖ）でウエハＷを保持する際にメッキ液が
及び蒸発したミスト、飛散したミストがモータ７３内に
浸入するのを防止している。また、モータ７３の外側容
器にはドライバ７１を支持する支持梁７５が取り付けら
れている。支持梁７５の端はハウジング４１の内壁に対
してガイドレール７６を介して昇降可能に取り付けられ
ている。支持梁７５は更に上下方向に伸縮自在なシリン
ダ７７を介してハウジング４１に取り付けられており、
このシリンダ７７を駆動させることにより支持梁７５に
支持されたドライバ７１がガイドレール７６に沿って上
下動してウエハＷを昇降させるようになっている。

【００７３】具体的には図５に示すように、ドライバ７
１の保持部７２に載置されたウエハＷは、搬送のための
搬送位置（Ｉ）と、ウエハＷのメッキ形成面を例えば純
水のような洗浄液で洗浄処理するためのウエハ洗浄位置
（ＩＩ）と、後述する曲面突起としての半球面突起８７
を洗浄液で洗浄処理するための半球面突起洗浄位置（Ｉ
ＩＩ）と、後述するスピンドライを行うためのスピンド
ライ位置（ＩＶ）と、ウエハＷの被メッキ面にメッキ層
を形成するためのメッキ（Ｖ）とのメッキ液槽５１の中
心軸上にある主に５つの異なる高さの位置との間で昇降
する。また、搬送位置（Ｉ）、ウエハ洗浄位置（ＩＩ）
及び半球面突起洗浄位置（ＩＩＩ）はメッキ液槽５１の
内槽５１ａ内にメッキ液を一杯にしたときのメッキ液液
面より上方にあり、スピンドライ位置（ＩＶ）及びメッ
キ位置（Ｖ）はメッキ液液面より下方にある。

【００７４】次に本実施の形態に係る保持部７２につい
て説明する。

【００７５】図７は本実施の形態に係る保持部７２の模
式的な平面断面図であり、図７は同保持部７２の一部を
拡大した模式的な垂直断面図である。

【００７６】図７及び図８に示すように保持部７２は有
底の略円筒形に形成されており、１枚のウエハＷを保持
部７２内側に略水平に保持できるようになっている。保
持部７２底面には略円状の開口が形成されており、保持
部７２内側に保持されたウエハＷの被メッキ面にメッキ
層を形成することができるようになっている。

【００７７】ここで、保持部７２に保持されるウエハＷ
の被メッキ面には、別のシステム内に配設された例えば
ＰＶＤ処理装置により予め銅の薄膜、いわゆるシード層
が形成されており、後述するカソード電極８２に印加さ
れた電圧がウエハＷの被メッキ面にも印加されるように
なっている。

【００７８】また、保持部７２には図示しない押圧機構
が備えられており、保持部７２に載置されたウエハＷの
裏面を押圧するようになっているので、この押圧により
導電性の弾性体で形成された弾性部としての後述するば
ね部８４を弾性変形させることができるようになってい
る。

【００７９】保持部７２内側の開口縁部には、シール部
材８１が設けられており、このシール部材８１と上記押
圧によりメッキ液が保持部７２内側に進入するのを防ぐ
ことができる。

【００８０】また、保持部７２内側には、ウエハＷの被
メッキ面に電圧を印加するためのカソード電極８２が配
設されている。このカソード電極８２は、導電性の材料
から形成されており内径が上記開口より大きい略リング
状に形成されたカソード電極本体部８３と、カソード電
極本体部８３と一体的に形成されたばね部８４とから構
成されている。

【００８１】ばね部８４は、導電性の材料から形成され
ており、カソード電極本体部８３の少なくとも１箇所以
上、好ましくは６〜１８０箇所に一体的に形成されてい
る。ここで、上記範囲が好ましいとしたのは、例えば直
径φが３０ｃｍのウエハＷで１８０箇所を上回ると、製
作上、加工の不備が発生するという問題があるからであ
り、また上記範囲を下回ると、ばね部８４の後述する半
球面突起８７の接触抵抗の変動により電流分布が均一に
なり難いという問題があるからである。また、ばね部８
４とは、ばね部８４を構成するばねを含み、ばねとカソ
ード電極本体部８３との接触部８５をも含むものとす
る。さらに、弾性部をばねを利用したばね部８４とする
ことにより容易に製造することができる。

【００８２】また、カソード電極本体部８３には、図示
しないリード線が接続されており、図示しない外部電源
からリード線を介してカソード電極本体部８３及びばね
部８４に電圧を印加できるようになっている。

【００８３】ばね部８４を構成するばねとしては、ウエ
ハＷの被メッキ面に電気的に接触できるようなばねを使
用することができる。具体的には例えば板ばね、コイル
ばね、渦巻きばね、空気ばね、さらばね、ねじり棒ば
ね、及び輪ばねのような様々なばねを使用することがで
きるが、本実施の形態では、これらの一例として板ばね
８６を使用した場合について説明する。この板ばね８６
でばね部８４を構成することによりカソード電極８２の
形状が単純になり、ばね部８４とカソード電極本体部８
３とを一体成形することができる。

【００８４】また、このばね部８４は撓んだ状態に形成
されている。ここで、撓んだ状態とは、ばね部８４がカ
ソード電極本体部８３に対して傾斜している状態のこと
をいい、具体的には例えば、ばね部８４構成する板ばね
８６自体が湾曲或いは折り曲げられて傾斜している場合
のみならず、板ばね８６とカソード電極本体部８３とが
接触部８５で折り曲られて傾斜している場合をもいう。
ばね部８４を撓んだ状態にすることにより押圧機構のウ
エハＷの裏面に対する押圧でばね部８４を容易に弾性変
形させることができる。本実施の形態では、図８に示す
ように、後述する半球面突起８７がカソード電極本体部
８３を含む平面より上側に位置させるように板ばね８６
とカソード電極本体部８３とを接触部８５で折り曲げて
いる。

【００８５】ばね部８４を構成する板ばね８６の材料と
しては、具体的には例えば、ばね鋼、ニッケル、インコ
ネル、銅、及びステンレス鋼（ＳＵＳ）からなる群から
選択される１又は２以上の導電性材料から形成されてい
ることが好ましい。上記材料が好ましいとしたのは、導
電性に優れているととも弾性限度が高いからである。

【００８６】ばね部８４の１部、好ましくは先端部に
は、半径が約２．５４×１０−２ｍの半球面状の半球面
突起８７が形成されている。この半球面突起８７を形成
することによりばね部８４がウエハＷの被メッキ面に対
して常に一定面積で接触するようになっている。

【００８７】また、少なくとも１部のカソード電極８
２、好ましくは図８に示すように半球面突起８７以外の
カソード電極８２が、合成樹脂のフィルム８８で被覆さ
れている。合成樹脂のフィルム８８で半球面突起８７以
外のカソード電極８２を被覆することにより半球面突起
８７を半球面突起洗浄位置（ＩＩＩ）で例えば純水のよ
うな洗浄液を使用して洗浄した場合にも、半球面突起８
７以外のカソード電極８２には洗浄液が付着することが
なく、カソード電極８２の腐食を防止することができ
る。

【００８８】また、このフィルム８８の被覆は、カソー
ド電極８２に押出し成形等によりチューブ状に形成され
たフィルム８８を被せた後、このフィルム８８を加熱し
てフィルム８８の熱収縮でカソード電極８２を被覆する
方法を使用している。また、本実施の形態でのフィルム
８８は、接着剤を使用せずにカソード電極８２を被覆し
ている。接着剤を使用せずにフィルム８８を熱収縮のみ
でカソード電極８２にさせることによりフィルム８８を
被覆させたカソード電極８２全体の厚さを薄くすること
ができるとともに容易に製造することができる。

【００８９】また、フィルム８８を構成する合成樹脂と
しては、具体的には例えば、ポリエチレン（ＰＥ）、ポ
リプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤ
Ｃ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフ
ェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリエーテルエーテ
ルケトン（ＰＥＥＫ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）、ポリ
サルフォン（ＰＳＵ）、ポリエーテルサルフォン（ＰＥ
Ｓ）、ポリアリレート（ＰＡＲ）、ポリアミドイミド
（ＰＡＩ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリイミ
ド（ＰＩ）、ポリアミド（ＰＡ）、ポリアセタール（Ｐ
ＯＭ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ＧＦ
強化ポリエチレンテレフタレート（ＧＦ―ＰＥＴ）、ポ
リカーボネート（ＰＣ）、ポリフェニレンエーテル（Ｐ
ＰＥ）、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（Ａ
ＢＳ）、ポリスチレン（ＰＳ）、メタクリル酸メチル
（ＰＭＭＡ）、及びポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）からなる
群から選択される１又は２以上の熱可塑性の合成樹脂が
好ましい。熱可塑性の合成樹脂が好ましいとしたのは、
耐メッキ液性、疎水性、加工性、及び強度等に優れてい
るからである。

【００９０】さらに、これらの中でもポリエーテルエー
テルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、
ポリエチレン（ＰＥ）、ポリエチレンテレフタレート
（ＰＥＴ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル
（ＰＶＣ）からなる群から選択される１又は２以上の合
成樹脂がより好ましい。これらの合成樹脂がより好まし
いのは、耐メッキ液性、疎水性、加工性、及び強度等が
より優れているからである。

【００９１】次に、メッキ処理システム１内で行われる
処理のフローについて説明する。

【００９２】図９は本実施の形態に係るメッキ処理シス
テム１全体のフローを示すフローチャートである。

【００９３】別のシステム内に配設されたＰＶＤ処理装
置によりウエハＷの被メッキ面にシード層が形成された
ウエハＷを１ロット、例えば２５枚収容したキャリアカ
セットＣをメッキ処理システム１に搬入して、キャリア
ステーション２の載置台２１に載置する（ステップ
１）。

【００９４】キャリアカセットＣが載置されると、サブ
アーム２２がキャリアカセットＣの前まで移動し、載置
台２１上に載置されたキャリアカセットＣ内にウエハ保
持部材２３を差し込ませキャリアカセットＣから未処理
のウエハＷを取り出す。さらにサブアーム２２が回転す
るとともにウエハＷを保持したウエハ保持部材２３が伸
長して、開口部Ｇ１を介し中継載置台３５上にウエハＷ
を一旦載置する。中継載置台３５上にウエハＷが載置さ
れると、メインアーム３３のウエハ保持部材３４が伸長
して中継載置台３５の未処理のウエハＷを受け取る。未
処理のウエハＷを受け取った後メインアーム３３がウエ
ハＷの上下を反転させるとともに回転して、ウエハ保持
部材３４が伸長して例えばメッキ処理ユニットＭ１内に
ウエハＷを搬入する。ウエハＷがメッキ処理ユニットＭ
１内に搬入されるとメッキ処理が開始される（ステップ
２）。

【００９５】以下、メッキ処理ユニットＭ１のメッキ処
理（ステップ２）のフローについて図１０及び図１１〜
図１３に沿って説明する。図１０は本実施の形態に係る
メッキ処理ユニットで行われるメッキ処理のフローを示
したフローチャートであり、図１１〜図１３は本実施の
形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面図
である。

【００９６】まず、メッキ処理ユニットＭ１の側壁に設
けられたゲートバルブ４５が開き、未処理のウエハＷを
保持したウエハ保持部材３４が伸長してウエハＷを搬送
位置（Ｉ）に待機しているドライバ７１の保持部７２に
ウエハＷの被メッキ面を例えば硫酸銅含んだメッキ液液
面に向けて略水平に載置する。ここで、詳細にはウエハ
Ｗを図１１（ａ）に示すようにカソード電極８２の半球
面突起８７上に載置する（ステップ２（１））。

【００９７】ウエハＷをカソード電極８２の半球面突起
８７上に載置した後、ウエハ保持部材３４が縮退して、
ゲートバルブ４５が閉じるとともに保持部７２に備えら
れた図示しない押圧機構によりウエハＷの裏面を押圧す
る。なお、このときメッキ液槽５１の内槽５１ａ内には
メッキ液を一杯にさせておく（ステップ２（２））。

【００９８】この押圧により各ばね部８４が弾性変形し
た状態になり、弾性変形した各ばね部８４に弾性応力が
働くようになる。また、この押圧とシール部材８１とに
よりメッキ液の保持部７２内側への進入を防止すること
ができる。

【００９９】その後、各ばね部８４を弾性変形させた状
態に維持しながら、ドライバ７１がシリンダ７７の駆動
で下降して、ウエハＷをメッキ位置（Ｖ）に位置させる
（ステップ２（３））。

【０１００】ウエハＷをメッキ位置（Ｖ）に位置させた
後、アノード電極５３とカソード電極８２との間に電圧
が印加され、ウエハＷの被メッキ面に例えば銅のメッキ
層の形成が開始される（ステップ２（４））。

【０１０１】ここで、図１１（ｂ）に示すように図示し
ない押圧機構の押圧でカソード電極８２の全てのばね部
８４、具体的には全ての板ばね８６が弾性変形した状態
に維持されているので、板ばね８６の弾性応力で全ての
板ばね８６の半球面突起８７がウエハＷの被メッキ面に
確実に接触している。また、各突起の曲面が半球面に形
成されているので、半球面突起８７が全て一定面積でウ
エハＷの被メッキ面に接触している。

【０１０２】従って、ウエハＷの被メッキ面に全ての半
球面突起８７が接触するとともにウエハＷの被メッキ面
に接触する半球面突起８７の面積が全て一定なので、ウ
エハＷの被メッキ面に均一に電圧を印加することがで
き、均一にウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成する
ことができる。

【０１０３】ウエハＷの被メッキ面に十分な厚さのメッ
キ層を形成した後、電圧の印加を停止してメッキ層の形
成を終了する（ステップ２（５））。

【０１０４】続いてポンプ５８の作動及びバルブ６０の
開放で所定量のメッキ液をタンク５９に戻し、メッキ液
槽５１内のメッキ液液面を低下させる（ステップ２
（６））。

【０１０５】メッキ液液面を低下させた後、ドライバ７
１がシリンダ７７の駆動で上昇して、ウエハＷをスピン
ドライ位置（ＩＶ）に位置させる（ステップ２
（７））。

【０１０６】この状態で保持部７２がモータ７３の駆動
で略水平面内で回転してスピンドライを行いウエハＷの
メッキ形成面に付着している余分なメッキ液を取り除く
（ステップ２（８））。

【０１０７】十分にスピンドライを行った後、ドライバ
７１がシリンダ７７の駆動で上昇して、ウエハＷをウエ
ハ洗浄位置（ＩＩ）に位置させる（ステップ２
（９））。ウエハＷをウエハ洗浄位置（ＩＩ）に位置さ
せた後、保持部７２がモータ７３の駆動で略水平面内で
回転するとともにセパレータ４４に内蔵されている洗浄
ノズル４２から純水をウエハＷのメッキ層形成面に向け
て噴射して、ウエハＷのメッキ層形成面を洗浄する（ス
テップ２（１０））。

【０１０８】ウエハＷのメッキ層形成面の洗浄が終了し
た後、ドライバ７１をその位置に維持したまま押圧機構
による押圧を停止する。押圧機構による押圧を停止する
と図１２（ａ）に示すように各ばね部８４の弾性応力が
ほぼ働かなくなり、ばね部８４が弾性変形していない元
の状態に戻る（ステップ２（１１））。

【０１０９】各ばね部８４を元の状態に戻した後、例え
ばウエハＷを昇降させる図示しない真空チャックがウエ
ハＷの裏面を吸引するとともに上昇してウエハＷを半球
面突起洗浄位置（ＩＩＩ）に位置させる（ステップ２
（１２））。

【０１１０】ここで、ウエハＷを各ばね部８４から離間
させる際に、保持部７２内側にメッキ液が飛散してメッ
キ液がカソード電極８２に付着し易いが、本実施の形態
のカソード電極８２は、合成樹脂のフィルム８８で被覆
されているので保持部７２内側にメッキ液が飛散した場
合でもカソード電極８２にメッキ液が付着することがな
い。また、ウエハＷをメッキ液に接触させる際或いはメ
ッキ液から離間させる際もメッキ液が保持部７２内側に
進入し易いが、これらの場合でもカソード電極８２にメ
ッキ液が付着することがない。

【０１１１】ウエハＷを半球面突起洗浄位置（ＩＩＩ）
に位置させた状態で、保持部７２のみがモータ７３の駆
動で回転するとともに図１２（ｂ）に示すようにセパレ
ータ４４に内蔵された洗浄ノズル４２から洗浄液として
の例えば純水が保持部７２の半球面突起８７に向けて噴
出され半球面突起８７が洗浄される（ステップ２（１
３））。

【０１１２】ここで、半球面突起８７に向けて純水が洗
浄ノズル４２から噴出されるが、半球面突起８７だけ洗
浄することは困難であり、半球面突起８７以外のカソー
ド電極８２まで純水が飛散してしまう。

【０１１３】しかし、本実施の形態の半球面突起８７以
外のカソード電極８２は、合成樹脂のフィルム８８で被
覆されているので、前記カソード電極８２が純水と接触
することがなくなり、カソード電極８２の腐食を防止す
ることできる。

【０１１４】また、半球面突起８７の洗浄の際に、カソ
ード電極８２のばね部８４が撓んでいるので、図１３に
示すように半球面突起８７に付着した純水が重力により
板ばね８６に沿って或い重力方向に移動し、半球面突起
８７から自然に純水を除去することができる。また、こ
の突起の曲面が半球面であるので、半球面突起８７から
純水がより簡単に移動する。

【０１１５】半球面突起８７の洗浄が終了した後、この
状態でドライバ７１がシリンダ７７の駆動で下降して、
ウエハＷをスピンドライ位置（ＩＶ）に位置させる（ス
テップ２（１４））。

【０１１６】ウエハＷをスピンドライ位置（ＩＶ）に位
置させた後、保持部７２がモータ７３の駆動で回転して
スピンドライを行うとともに図示しないエアー供給装置
でエアーをカソード電極８２上に流し、半球面突起８７
上及び半球面突起８７以外のカソード電極８２を被覆し
ている合成樹脂上に付着している水分を完全に除去する
（ステップ３（１５））。

【０１１７】その後、ドライバ７１がシリンダ７７の駆
動で上昇して、ウエハＷを搬送位置（Ｉ）に位置させる
（ステップ２（１６））。

【０１１８】この状態で、ゲートバルブ４５が開き、メ
インアーム３３のウエハ保持部材３４が伸長してメッキ
層が形成されたウエハＷを受け取る。その後、ウエハＷ
を保持したウエハ保持部材３４が縮退してメッキ処理ユ
ニットＭ１からウエハＷが搬出されてメッキ処理ユニッ
トＭ１でのメッキ処理が完了する（ステップ２（１
７））。

【０１１９】メッキ処理ユニットＭ１でのメッキ処理が
完了した後、ウエハ保持部材３４に保持されたウエハＷ
は必要に応じて組成の異なるメッキ液が収容されたメッ
キ処理ユニットＭ２に搬送されて、メッキ処理が行われ
る。

【０１２０】一連のメッキ処理が終了した後、メインア
ーム３３のウエハＷを保持したウエハ保持部材３４が洗
浄処理ユニットＷＷ内にウエハＷを搬送し、ウエハＷの
メッキ形成面及び裏面を洗浄する（ステップ３）。

【０１２１】洗浄処理ユニットＷＷ内でウエハＷのメッ
キ形成面及び裏面を洗浄した後、後続の処理、例えば、
アニーリング処理ユニットＡＮ内でアニーリング処理を
行なう（ステップ４）。

【０１２２】アニーリング処理が完了すると、再びメイ
ンアーム３３がウエハＷを受け取り、洗浄処理ユニット
ＷＷを介してサブアーム２２にウエハＷを引き渡す。そ
の後、サブアーム２２がウエハ保持部材２３を伸長させ
て一連の処理が完了したウエハＷをキャリアカセットＣ
内に戻し、後続の処理をする別の処理システムに搬送さ
れる（ステップ５）。

【０１２３】なお、本発明は上記実施の形態の記載内容
に限定されるものではなく、構造や材質、各部材の配置
等は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能で
ある。例えば、上記実施の形態では、カソード電極８２
にばね部８４を設けて説明しているが、ばね部８４を設
けなくてもよい。

【０１２４】また、上記実施の形態では、弾性体にばね
を使用して説明しているが、導電性の弾性体であればそ
の他の弾性体を使用することも可能である。具体的に
は、導電性のゴムも使用することができる。

【０１２５】さらに、上記実施の形態では、ばね部８４
を押圧機構の押圧に弾性変形させて説明しているが、ウ
エハＷの自重で弾性変形させることも可能である。

【０１２６】また、上記実施の形態では、ばね部８４と
カソード電極本体部８３とを一体的に成形して説明して
いるが、ばね部８４とカソード電極本体部８３とを別個
独立に形成した後、ばね部８４とカソード電極本体部８
３とを接合することも可能である。

【０１２７】さらに、上記実施の形態では、曲面突起の
曲面を半球面として説明しているが、曲面であれば他の
曲面にすることも可能である。

【０１２８】また、上記実施の形態では、合成樹脂をフ
ィルム状にしてカソード電極８２を被覆しているが、合
成樹脂をフィルム状にしなくてもよい。即ち、例えば合
成樹脂を液体状にしてカソード電極８２に塗布すること
によりカソード電極８２を被覆することも可能である。

【０１２９】また、上記実施の形態では、合成樹脂から
形成されたフィルム８８の被覆の際に、接着剤を使用し
ていないが、接着剤を使用して被覆することも可能であ
る。

【０１３０】さらに、上記実施の形態では、合成樹脂の
フィルム８８の熱収縮を利用してカソード電極８２を被
覆しているが、熱収縮を利用しないでフィルム８８をカ
ソード電極８２に被覆してもよい。即ち、例えばホット
メルトコーティングで被覆することも可能である。

【０１３１】また、上記実施の形態では、被処理基板と
してウエハＷを使用して説明しているが、液晶用のＬＣ
Ｄガラス基板を使用することも可能である。

【０１３２】さらに、上記実施の形態では、液処理をメ
ッキ処理として説明しているが、液を使用して処理を施
すものであれば適用することが可能である。

【０１３３】

【発明の効果】以上、詳説したように、本発明の液処理
装置及び液処理方法によれば、被処理基板の被処理面に
均一に電圧を印加することができる。

【０１３４】また、電極の腐食を防止することができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施の形態に係るメッキ処理システムの斜視図
である。

【図２】実施の形態に係るメッキ処理システムの平面図
である。

【図３】実施の形態に係るメッキ処理システムの正面図
である。

【図４】実施の形態に係るメッキ処理システムの側面図
である。

【図５】実施の形態に係るメッキ処理ユニットの模式的
な垂直断面図である。

【図６】実施の形態に係るメッキ処理ユニットの模式的
な平面図である。

【図７】実施の形態に係る保持部の模式的な平面断面図
である。

【図８】実施の形態に係る保持部の一部を拡大した模式
的な垂直断面図である。

【図９】実施の形態に係るメッキ処理システム全体のフ
ローを示すフローチャートである。

【図１０】実施の形態に係るメッキ処理ユニットで行わ
れるメッキ処理のフローを示したフローチャートであ
る。

【図１１】実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に
示した垂直断面図である。

【図１２】実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に
示した垂直断面図である。

【図１３】実施の形態に係るメッキ処理工程を模式的に
示した垂直断面図である。

【図１４】従来のメッキ処理装置の概略垂直断面図であ
る。

【図１５】従来のメッキ処理装置のウエハホルダの一部
を拡大した模式的な垂直断面図である。

【符号の説明】

Ｗ…ウエハＭ１、Ｍ２…メッキ処理ユニット５１…メッキ液槽５３…アノード電極７１…ドライバ７２…保持部８２…カソード電極８３…カソード電極本体部８４…ばね部８６…板ばね８７…半球面突起８８…フィルム

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｃ２５Ｄ 21/00 Ｃ２５Ｄ 21/00 ＡＢ 21/08 21/08 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 ＥＦターム(参考） 4K024 AA09 AB01 BA11 BB12 BC06 CA15 CB02 CB06 CB08 CB09 CB13 CB19 DB10 GA16 4M104 BB04 DD52

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】処理液を収容する処理液槽と、被処理基板を保持する保持機構と、前記保持機構に配設され導電性の弾性体で形成された弾
性部を有する第１の電極と、前記第１の電極との間で電界を形成する第２の電極と、を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項２】請求項１記載の液処理装置であって、前
記弾性部が、撓んでいることを特徴とする液処理装置。
【請求項３】請求項１又は２記載の液処理装置であっ
て、前記弾性部が、曲面を含んだ曲面突起を有している
ことを特徴とする液処理装置。
【請求項４】請求項１〜３のいずれか１項に記載の液
処理装置であって、前記弾性部が、ばねを利用したばね
部であることを特徴とする液処理装置。
【請求項５】請求項４記載の液処理装置であって、前
記ばねが、板ばねであることを特徴とする液処理装置。
【請求項６】請求項１〜５のいずれか１項に記載の液
処理装置であって、前記弾性部が、ばね鋼、ニッケル、
チタン、インコネル、銅、及びステンレス鋼からなる群
から選択される１又は２以上の物質で形成されているこ
とを特徴とする液処理装置。
【請求項７】請求項１〜６のいずれか１項に記載の液
処理装置であって、前記第１の電極の少なくとも１部
が、合成樹脂で被覆されていることを特徴とする液処理
装置。
【請求項８】請求項７記載の液処理装置であって、前
記合成樹脂が、熱可塑性の合成樹脂であることを特徴と
する液処理装置。
【請求項９】請求項７又は８記載の液処理装置であっ
て、前記合成樹脂がフィルムを形成しており、前記フィ
ルムが熱収縮で前記第１の電極を被覆していることを特
徴とする液処理装置。
【請求項１０】処理液を収容する処理液槽と、被処理基板を保持する保持機構と、前記保持部に配設され少なくとも１部が熱可塑性の合成
樹脂で被覆された第１の電極と、前記第１の電極との間で電界を形成する第２の電極と、を具備することを特徴とする液処理装置。
【請求項１１】請求項１０記載の液処理装置であっ
て、前記合成樹脂がフィルムを形成しており、前記フィ
ルムが熱収縮で前記第１の電極を被覆していることを特
徴とする液処理装置。
【請求項１２】第１の電極の弾性部に被処理基板の被
処理面を接触させて前記弾性部を弾性変形させる工程
と、前記弾性部を弾性変形させた状態で前記第１の電極と第
２の電極との間に電界を形成して前記被処理基板の被処
理面に液処理を施す工程と、を具備することを特徴とす
る液処理方法。
【請求項１３】請求項１２記載の液処理方法であっ
て、前記弾性部が、撓んでいることを特徴とする液処理
方法。
【請求項１４】請求項１２又は１３記載の液処理方法
であって、前記第１の電極の少なくとも１部が、合成樹
脂で被覆されていることを特徴とする液処理方法。
【請求項１５】少なくとも１部を熱可塑性の合成樹脂
で被覆された第１の電極と、第２の電極との間に電界を
形成して前記被処理基板の被処理面に液処理を施す工程
と、前記被処理基板の被処理面に液処理を施した後、前記第
１の電極を洗浄液で洗浄する工程と、を具備することを特徴とする液処理方法。
【請求項１６】請求項１４又は１５記載の液処理方法
であって、前記合成樹脂がフィルムを形成しており、前
記フィルムが熱収縮で前記第１の電極を被覆しているこ
とを特徴とする液処理方法。