TWI695425B - 處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統 - Google Patents
處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統 Download PDFInfo
- Publication number
- TWI695425B TWI695425B TW107122557A TW107122557A TWI695425B TW I695425 B TWI695425 B TW I695425B TW 107122557 A TW107122557 A TW 107122557A TW 107122557 A TW107122557 A TW 107122557A TW I695425 B TWI695425 B TW I695425B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- processing liquid
- substrate
- liquid
- conductive
- processing
- Prior art date
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 667
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims abstract description 469
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 277
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 238000003672 processing method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 230000008030 elimination Effects 0.000 title description 2
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 title description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 20
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 15
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 10
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 claims description 6
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 4
- 239000007921 spray Substances 0.000 claims description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 154
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 130
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 54
- QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N hydrogen peroxide;hydrate Chemical compound O.OO QOSATHPSBFQAML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 40
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 38
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 22
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 22
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 19
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 18
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 10
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 10
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 8
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 7
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 7
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 6
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 5
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 5
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 5
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 5
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N benzene-1,4-diol;bis(4-fluorophenyl)methanone Chemical compound OC1=CC=C(O)C=C1.C1=CC(F)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(F)C=C1 JUPQTSLXMOCDHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 229920013653 perfluoroalkoxyethylene Polymers 0.000 description 3
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 239000003575 carbonaceous material Substances 0.000 description 2
- DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N hydrate;hydrochloride Chemical compound O.Cl DKAGJZJALZXOOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 2
- RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 1,1,2-trifluoro-2-(1,2,2-trifluoroethenoxy)ethene Chemical compound FC(F)=C(F)OC(F)=C(F)F RRZIJNVZMJUGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000004590 computer program Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N h2o hydrate Chemical compound O.O JEGUKCSWCFPDGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 238000010129 solution processing Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
本發明係提供一種基板處理方法，包含：處理液噴出工序，係朝向基板的主表面噴出來自處理液噴嘴的處理液；以及導電噴出工序，係於前述處理液噴出工序之非執行時，將處理液以連續流之態樣自前述處理液噴嘴的噴出口朝向被接地的導電部噴出，前述處理液噴嘴的噴出口與前述導電部藉由處理液而以液體聯繫，藉此將用以對前述處理液噴嘴供給處理液的處理液配管內的處理液除電。
Description
本發明係關於一種處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統。以成為處理對象的基板來說，例如包含：半導體晶圓(semiconductor wafer)、液晶顯示裝置用基板、有機電致發光(electroluminescence)顯示裝置等的FPD(Flat Panel Display；平面顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramics)基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置的製程中，例如將基板逐片處理的單片式基板處理系統具備：腔室(chamber)；旋轉夾盤(spin chuck)，係在腔室內一邊將基板大致水平地保持，一邊使該基板旋轉；以及噴嘴(nozzle)，係用以朝向藉由該旋轉夾盤而旋轉之基板的主表面噴出處理液。
在使用如上述的基板處理系統之基板處理中執行例如於旋轉狀態之基板的主表面供給藥液的藥液處理。被供給至基板的主表面之藥液係受到由基板之旋轉所產生的離心力而在基板的主表面上朝向周緣流動且遍及基板的主表面之全區域。藉此，基板的主表面之全區域被施予由藥液所 致的處理。
有被搬入至腔室的基板會帶電的情形。雖然，於被搬入至腔室的基板係有施予藥液處理，但若被搬入至腔室的基板帶電，則從噴嘴朝向基板主表面噴出藥液時有藥液著液的部位或藥液著液的部位附近隨著基板主表面與藥液接觸而產生靜電放電之虞。在該情形下，會有產生圖案(pattern)破壞、處理液放電而對基板造成損傷的情況。
如下述專利文獻1般，已有提出一種為了防止在藥液供給開始時於基板主表面上產生靜電放電而在流體盒部所包含的各部(處理液貯留槽、溫度調節器、過濾盒(filter box)及多歧管(manifold))配置碳電極的手法。各個碳電極係被接地(grounding)，並且各個碳電極的一部分接觸於處理液，藉此可謀求流體盒內的處理液之除電。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2006-269677號公報。
然而，以在流體盒部配置碳電極的方式來說，有碳溶解於處理液中的疑慮。作為電極材料的碳因碳電極與處理液之接觸而混入處理液中，結果有流體盒部內的處理液遭汙染而遭汙染的處理液被供給至基板之虞。因此，尋求一種不汙染處理液配管內之處理液地將處理液配管內之處理液良好地除電的方法。
在此，本發明的目的係提供一種處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統，前述處理液除電方法係能夠將處理液配管內之處理液良好地除電，前述基板處理方法以及前述基板處理系統係能夠從噴出口噴出除電完成的處理液，藉此防止或抑制伴隨對基板之處理液的噴出而產生靜電放電。
本發明係提供一種處理液除電方法，係用以在使用處理液來處理基板的基板處理系統中將處理液配管內之處理液除電，前述基板處理系統係包含：腔室；處理液噴嘴，係被收容於前述腔室內且具有噴出口；處理液供給單元，係具有內部連通於前述噴出口的前述處理液配管，用以對前述處理液噴嘴供給處理液；導電部，係被配置於前述腔室內；以及接地構造，係將前述導電部接地；前述處理液除電方法係包含以下工序：處理液噴出工序，係朝向前述基板的主表面噴出來自前述處理液噴嘴的處理液；以及導電噴出工序，係於前述處理液噴出工序之非執行時，將處理液以連續流之態樣自前述噴出口朝向前述導電部噴出，前述噴出口與前述導電部藉由處理液而以液體聯繫，藉此將前述處理液配管內的處理液除電。
依據該方法，於處理液噴出工序之非執行時，處理液被以連續流之態樣自噴出口朝向導電部噴出，在該狀態中，噴出口和導電部藉由處理液而以液體聯繫。
藉此，在處理液配管內之處理液帶正電或帶負電的情形下，因為處理液配管內之處理液與導電部之間產生的電 位差，電子經由聯繫於噴出口與導電部之間的處理液而移動。
在處理液配管內之處理液帶負電時，處理液配管內之處理液所包含的電子經由處理液而移動至導電部，就這樣經由接地構造而逸脫。藉此，曾帶負電的處理液配管內之處理液被除電。
另外，在處理液配管內之處理液帶正電時，導電部所包含的電子經由接地構造及處理液而移動至處理液配管內。由於處理液配管內之處理液所包含的電子數增加，故曾帶正電的處理液配管內之處理液被除電。
因此，能夠將處理液配管內之處理液良好地除電。
在本發明之一實施形態中，前述導電噴出工序亦可包含將使槽內的處理液循環的循環配管內的處理液除電的工序。
即使是在來自處理液噴嘴之處理液的非噴出時(處理液噴出工序之非執行時)，循環配管內的處理液也會循環。因此，在來自處理液噴嘴之處理液的非噴出時(處理液噴出工序之非執行時)，循環配管內之處理液因與循環配管的管壁之間的摩擦而容易帶電。
依據該方法，處理液被以連續流之態樣從噴出口朝向導電部噴出，而噴出口和導電部藉由處理液而以液體連繫，藉此能夠良好地將循環配管內之處理液除電。
在本發明之一實施形態中，進一步包含藉由被收容於前述腔室內的基板保持單元來保持基板的基板保持工序。 然後，前述導電噴出工序亦可包含在前述基板保持工序之後且在前述處理液噴出工序之前被執行的工序。
依據該方法，導電噴出工序在基板保持工序之後且在處理液噴出工序之前被執行。若從導電噴出工序結束起經過長時間，則處理液配管內之處理液所包含的電荷量會增加。
由於導電噴出工序在基板保持工序之後被執行，故能推知導電噴出工序與處理液噴出工序之間隔為短間隔，在此情形下，處理液配管內之處理液所包含之電荷的量為少。在此情形下，在處理液噴出工序中能夠從噴出口噴出電荷被充分地去除之狀態的處理液。
在本發明之一實施形態中，前述導電噴出工序係包含在已將前述處理液噴嘴配置於與第一位置不同之第二位置的狀態下，自前述噴出口噴出處理液的工序，前述第一位置係使自前述噴出口所噴出的處理液被供給至基板的主表面之位置，前述基板係藉由被收容於前述腔室內的基板保持單元所保持。
依據該方法，在導電噴出工序中，處理液在處理液噴嘴被配置於第二位置之狀態下從噴出口被噴出，該處理液被供給至導電部。藉此，在導電噴出工序中能夠將從噴出口被噴出的處理液確實地供給至導電部。
本發明係提供一種基板處理方法，係在基板處理系統中被執行，前述基板處理系統係使用處理液來處理被收容於腔室內的基板，且包含：前述腔室；基板保持單元，係 被收容於前述腔室內，用以保持基板；處理液噴嘴，係被收容於前述腔室內且具有噴出口；處理液供給單元，係具有內部連通於前述噴出口的處理液配管，用以對前述處理液噴嘴供給處理液；導電部，係被配置於前述腔室內；以及接地構造，係將前述導電部接地；前述基板處理方法係包含：處理液噴出工序，係自前述噴出口朝向前述基板的主表面噴出前述處理液配管內的處理液；以及導電噴出工序，係於前述處理液噴出工序之非執行時，將處理液以連續流之態樣自前述噴出口朝向前述導電部噴出，前述噴出口與前述導電部藉由處理液而以液體聯繫，藉此將前述處理液配管內的處理液除電。
依據該方法，在處理液噴出工序的非執行時，處理液被以連續流之態樣自噴出口朝向導電部噴出，在該狀態中，噴出口和導電部藉由處理液而以液體聯繫。在處理液配管內之處理液帶正電或帶負電的情形下，因為處理液配管內之處理液與導電部之間產生的電位差，電子經由聯繫於噴出口與導電部之間的處理液而移動。
在處理液配管內之處理液帶負電時，處理液配管內之處理液所包含的電子經由處理液而移動至導電部且就這樣逸脫。藉此，曾帶負電的處理液配管內之處理液被除電。
另外，在處理液配管內之處理液帶正電時，導電部所包含的電子經由處理液而移動至處理液配管內。由於處理液配管內之處理液所包含的電子數增加，故曾帶正電的處理液配管內之處理液被除電。
藉由前述，在處理液噴出工序中能夠從噴出口噴出電荷被去除之狀態的處理液。藉此，能夠防止或抑制伴隨對基板之處理液的噴出而產生靜電放電。因此，能夠抑制或防止基板之主表面上產生損傷。
在本發明之一實施形態中，前述導電噴出工序係包含將使槽內的處理液循環之循環配管除電的工序。
即使是在來自處理液噴嘴之處理液的非噴出時(處理液噴出工序之非執行時)，循環配管內的處理液也會循環。因此，在來自處理液噴嘴之處理液的非噴出時(處理液噴出工序之非執行時)，循環配管內之處理液因與循環配管的管壁之間的摩擦而容易帶電。
依據該方法，處理液被以連續流之態樣從噴出口朝向導電部噴出，而噴出口和導電部藉由處理液而以液體連繫，藉此能夠良好地將循環配管內之處理液除電。
在本發明之一實施形態中，前述導電噴出工序係包含在前述處理液噴出工序之前被執行的工序。
依據該方法，導電噴出工序在處理液噴出工序之前被執行。若從導電噴出工序結束起經過長時間，則處理液配管內之處理液所包含的電荷量會增加。在導電噴出工序與處理液噴出工序之間隔為短的情形下，處理液配管內之處理液所包含之電荷的量為少。在此情形下，在處理液噴出工序中能夠從噴出口噴出電荷被充分地去除之狀態的處理液。
在本發明之一實施形態中，進一步包含藉由前述基板 保持單元來保持基板的基板保持工序。並且，前述導電噴出工序亦可包含在前述基板保持工序之後且在前述處理液噴出工序之前被執行的工序。
依據該方法，由於導電噴出工序在基板保持工序之後被執行，故能推知導電噴出工序與處理液噴出工序之間隔為短間隔，在此情形下，處理液配管內之處理液所包含之電荷的量為少。在此情形下，在處理液噴出工序中能夠從噴出口噴出電荷被充分地去除之狀態的處理液。
在本發明之一實施形態中，前述處理液噴出工序係於前述導電噴出工序結束後不到20秒之內開始。
依據該方法，由於來自噴出口之處理液的噴出係在導電噴出工序結束後不到20秒之內開始，故能夠從噴出口噴出幾乎不包含電荷之狀態的處理液。
在本發明之一實施形態中，前述處理液噴出工序係包含在已將前述處理液噴嘴配置於第一位置的狀態下，自前述噴出口噴出處理液的工序，前述第一位置係使自前述噴出口所噴出的處理液被供給至基板的主表面之位置，前述基板係藉由被收容於前述腔室內的基板保持單元所保持。然後，前述導電噴出工序亦可包含在已將前述處理液噴嘴配置於與前述第一位置不同之第二位置的狀態下，自前述噴出口噴出處理液的工序。
依據該方法，在處理液噴出工序中，處理液在處理液噴嘴被配置於第一位置之狀態下從噴出口被噴出，該處理液被供給至基板的主表面。另外，在導電噴出工序中，處 理液在處理液噴嘴被配置於第二位置之狀態下從噴出口被噴出，該處理液被供給至導電部。藉此，在處理液噴出工序中能夠將從噴出口被噴出的處理液確實地供給至基板的主表面，且在導電噴出工序中能夠將從噴出口被噴出的處理液確實地供給至導電部。
本發明係提供一種基板處理系統，係使用處理液來處理基板，包含：腔室；基板保持單元，係被收容於前述腔室內，用以保持基板；處理液噴嘴，係被收容於前述腔室內且具有噴出口；處理液供給單元，係具有內部連通於前述噴出口的處理液配管，用以對前述處理液噴嘴供給處理液；導電部，係被配置於前述腔室內；接地構造，係將前述導電部接地；以及控制裝置，係控制前述處理液供給單元；前述控制裝置係執行以下工序：處理液噴出工序，係朝向前述基板的主表面噴出來自前述處理液噴嘴的處理液；以及導電噴出工序，係於前述處理液噴出工序之非執行時，將處理液以連續流之態樣自前述噴出口朝向前述導電部噴出，前述噴出口與前述導電部係藉由處理液而以液體聯繫。
依據該構成，在處理液噴出工序的非執行時，處理液被以連續流之態樣自噴出口朝向導電部噴出，在該狀態中，噴出口和導電部藉由處理液而以液體聯繫。在處理液配管內之處理液帶正電或帶負電的情形下，因為處理液配管內之處理液與導電部之間產生的電位差，電子經由聯繫於噴出口與導電部之間的處理液而移動。
在處理液配管內之處理液帶負電時，處理液配管內之處理液所包含的電子經由處理液而移動至導電部且就這樣逸脫。藉此，曾帶負電的處理液配管內之處理液被除電。
另外，在處理液配管內之處理液帶正電時，導電部所包含的電子經由接地構造及處理液而移動至處理液配管內。由於處理液配管內之處理液所包含的電子數增加，故曾帶正電的處理液配管內之處理液被除電。因此，能夠良好地將處理液配管內之處理液除電。
藉由前述，在處理液噴出工序中能夠從噴出口噴出電荷被去除之狀態的處理液。藉此，能夠防止或抑制伴隨對基板之處理液的噴出而產生靜電放電。因此，能夠抑制或防止基板之主表面上產生損傷。
在本發明之一實施形態中，前述處理液配管係包含使槽內之處理液循環的循環配管。然後，前述控制裝置亦可於前述導電噴出工序中將前述循環配管內的處理液除電。
即使是在來自處理液噴嘴之處理液的非噴出時(處理液噴出工序之非執行時)，循環配管內的處理液也會循環。因此，在來自處理液噴嘴之處理液的非噴出時(處理液噴出工序之非執行時)，循環配管內之處理液因與循環配管的管壁之間的摩擦而容易帶電。
依據該構成，處理液被以連續流之態樣從噴出口朝向導電部噴出，而噴出口和導電部藉由處理液而以液體連繫，藉此能夠良好地將循環配管內之處理液除電。
在本發明之一實施形態中，前述控制裝置係在前述處 理液噴出工序之前執行前述導電噴出工序。
依據該構成，導電噴出工序在處理液噴出工序之前被執行。若從導電噴出工序結束起經過長時間，則處理液配管內之處理液所包含的電荷量會增加。在導電噴出工序與處理液噴出工序之間隔為短的情形下，處理液配管內之處理液所包含之電荷的量為少。在此情形下，在處理液噴出工序中能夠從噴出口噴出電荷被充分地去除之狀態的處理液。
在本發明之一實施形態中，前述控制裝置係進一步執行藉由前述基板保持單元來保持基板的基板保持工序。然後，前述控制裝置亦可在前述基板保持工序之後且在前述處理液噴出工序之前執行前述導電噴出工序。
依據該構成，由於導電噴出工序在基板保持工序之後被執行，故能推知導電噴出工序與處理液噴出工序之間隔為短間隔，在此情形下，處理液配管內之處理液所包含之電荷的量為少。在此情形下，在處理液噴出工序中能夠從噴出口噴出電荷被充分地去除之狀態的處理液。
在本發明之一實施形態中，前述處理液噴嘴被設置成能夠於第一位置與第二位置之間移動，前述第一位置係使自前述噴出口所噴出的處理液被供給至基板的主表面之位置，前述基板係藉由被收容於前述腔室內的基板保持單元所保持，前述第二位置係與前述第一位置不同且為使自前述噴出口所噴出的處理液被供給至前述導電部的位置。然後，前述控制裝置亦可在已將前述處理液噴嘴配置於前述 第一位置的狀態下執行前述處理液噴出工序，在已將前述處理液噴嘴配置於前述第二位置的狀態下執行前述導電噴出工序。
依據該構成，在處理液噴出工序中，處理液在處理液噴嘴被配置於第一位置之狀態下從噴出口被噴出，該處理液被供給至基板的主表面。另外，在導電噴出工序中，處理液在處理液噴嘴被配置於第二位置之狀態下從噴出口被噴出，該處理液被供給至導電部。藉此，在處理液噴出工序中能夠將從噴出口被噴出的處理液確實地供給至基板的主表面，且在導電噴出工序中能夠將從噴出口被噴出的處理液確實地供給至導電部。
在本發明之一實施形態中，前述基板處理系統進一步包含：壺，係被配置於前述基板保持單元的側方，用以承接自前述噴出口所噴出的處理液。然後，前述導電部亦可被設置於前述壺。
依據該構成，在導電噴出工序中，從處理液噴嘴所噴出的處理液係被壺承接。導電部被設置於壺。因此，能夠良好地實現噴出口與導電部藉由處理液而以液體連繋之構成，藉此能夠在導電噴出工序中良好地將處理液配管內之處理液除電。
在本發明之一實施形態中，前述壺係包含容器狀的壺本體。然後，前述導電部亦可形成於前述壺本體之整體。
依據該構成，由於導電部形成於壺本體之整體，故能夠相對簡單地實現噴出口與導電部藉由處理液而以液體連 繋的構成。
在本發明之一實施形態中，前述壺係包含容器狀的壺本體。然後，於前述壺本體中，前述導電部係被部分地設置於包含有自前述噴出口所噴出的處理液之著液位置的區域中，前述壺本體中之前述導電部以外的部分亦可使用絕緣材料而形成。
依據該構成，在壺本體中，在包含從壺本體中的噴出口所噴出的處理液之著液位置之區域係形成有導電部，該區域以外的部分係使用絕緣材料而形成。即使不將壺本體之整體做成導電部也能夠實現噴出口與導電部藉由處理液而以液體連繋的構成。
在本發明之一實施形態中，前述壺係包含容器狀的壺本體。然後，前述導電部亦可包含於前述壺本體之內部空間內延伸的導電條(bar)。
依據該構成，自噴出口所噴出的處理液被供給至導電條，藉此能夠相對簡單地實現噴出口與導電部藉由處理液而以液體連繋的構成。
在本發明之一實施形態中，前述壺係包含：容器狀的壺本體；以及能夠積存自前述噴出口朝向前述壺本體之內部空間所噴出的處理液的貯留部。然後，前述導電部亦可包含在前述壺本體之內部空間內延伸的導電條。另外，前述貯留部亦能夠以被積存於前述貯留部的處理液液體接觸於前述導電條的方式設置。
依據該構成，能夠將從噴出口所噴出的處理液積存於 貯留部，導電條係液體接觸於該積存的處理液。藉此，能夠實現噴出口與導電部藉由自噴出口所噴出的處理液之連續流而以液體確實地連繋之構成。
本發明之前述目的或進一步之其他目的、特徵及功效可藉由參照圖式敘述之實施形態的說明而明瞭。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧流體盒
5‧‧‧框體
6‧‧‧貯留盒
7‧‧‧腔室
8‧‧‧旋轉夾盤(基板保持單元)
9‧‧‧藥液噴嘴(處理液噴嘴)
9a、9b‧‧‧噴出口
10‧‧‧藥液供給單元(處理液供給單元)
11‧‧‧清洗液供給單元
12‧‧‧處理杯體
12a‧‧‧上端部
13‧‧‧待機壺(壺)
14‧‧‧間隔壁
15‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧旋轉軸
17‧‧‧旋轉基座
17a‧‧‧上表面
18‧‧‧挾持構件
20‧‧‧SPM配管(處理液配管)
22‧‧‧噴嘴臂
23‧‧‧噴嘴移動單元
24‧‧‧混合部
25‧‧‧硫酸供給單元
26‧‧‧過氧化氫水供給單元
27‧‧‧硫酸槽(槽)
28‧‧‧循環配管(處理液配管)
28a‧‧‧上游端
28b‧‧‧下游端
29‧‧‧送液裝置
30‧‧‧溫度調節器
31‧‧‧過濾器
32‧‧‧硫酸配管(處理液配管)
32a‧‧‧硫酸配管之一端
32b‧‧‧硫酸配管之另一端
33‧‧‧硫酸閥
34‧‧‧供給部
35‧‧‧連接部
36‧‧‧歸還部
38‧‧‧過氧化氫水配管(處理液配管)
39‧‧‧過氧化氫水閥
43‧‧‧清洗液噴嘴
44‧‧‧清洗液配管
45‧‧‧清洗液閥
51‧‧‧壺本體
52‧‧‧內部空間
53‧‧‧上開口
54‧‧‧排出口
56‧‧‧鉛直部分
57‧‧‧傾斜部分
58‧‧‧水平部分
61‧‧‧側壁
62‧‧‧上壁
63‧‧‧底壁
64‧‧‧第一側壁
65‧‧‧第二側壁
66‧‧‧上側壁
67‧‧‧第一傾斜壁
68‧‧‧第一水平壁
69‧‧‧下側壁
70‧‧‧第二水平壁
71‧‧‧第二傾斜壁
72‧‧‧第三水平壁
73‧‧‧接地構造
74‧‧‧排出配管
74a‧‧‧排出配管之一端
101‧‧‧導電部
102‧‧‧絕緣部
201、301‧‧‧導電條
302‧‧‧貯留部
A1‧‧‧旋轉軸線
C‧‧‧基板收容器
CR‧‧‧基板搬送機器人
D1‧‧‧第一水平方向
IR‧‧‧索引機器人
LP‧‧‧乘載埠
P1‧‧‧處理位置(第一位置)
P2‧‧‧待機位置(第二位置)
P21‧‧‧上待機位置
P22‧‧‧下待機位置
PL‧‧‧著液位置
W‧‧‧基板
SPM‧‧‧硫酸過氧化氫水混合液
圖1係用以說明本發明的一實施形態之基板處理系統的內部布局(layout)的圖解式俯視圖。
圖2係用以說明前述基板處理系統所具備的處理單元之構成例的示意圖。
圖3係待機壺的剖面圖。
圖4係用以說明前述基板處理系統之主要部的電性構成的方塊圖(block diagram)。
圖5係用以說明前述處理單元所進行的基板處理例之流程圖。
圖6係表示SPM之噴出與循環配管內之H2SO4的帶電量的關係之圖。
圖7係第一變形例之待機壺的剖面圖。
圖8係第二變形例之待機壺的剖面圖。
圖9係第三變形例之待機壺的剖面圖。
圖10係第四變形例之待機壺的剖面圖。
圖11係第五變形例之待機壺的剖面圖。
圖12係第六變形例之待機壺的剖面圖。
圖13係第七變形例之待機壺的剖面圖。
以下參照圖式而詳細地說明本發明的實施形態。
圖1係用以說明本發明的一實施形態之基板處理系統1的內部布局的圖解式俯視圖。基板處理系統1係逐片處理半導體晶圓等圓板狀基板W的單片式裝置。
基板處理系統1係包含：複數個乘載埠(load port)LP，係保持用以收容基板W的複數個基板收容器C；複數個處理單元2，係以藥液等處理液來處理從複數個乘載埠LP被搬送來的基板W；搬送機器人，係將基板W從複數個乘載埠LP搬送到複數個處理單元2；以及控制裝置3，係控制基板處理系統1。搬送機器人係包含：索引機器人(indexer robot)IR，係將基板W於乘載埠LP與處理單元2之間的路徑上搬送；以及基板搬送機器人CR，係將基板W於索引機器人IR與處理單元2之間的路徑上搬送。
基板處理系統1係包含用以收容硫酸閥(valve)33(參照圖2)以及過氧化氫水閥39(參照圖2)等的複數個流體盒4。處理單元2及流體盒4係被配置於基板處理系統1的框體(frame)5中且被基板處理系統1的框體5所覆蓋。在圖1的例子中，雖然將用以貯留處理液的硫酸槽(槽)27等予以收容之貯留盒6係被配置於基板處理系統1的框體5之外，但亦可被收容於框體5中。貯留盒6可為一個的對應於複數個流體盒4之盒，亦可為複數個的與流體盒4一一對應而設置的盒。
12台處理單元2係形成在俯視時以包圍基板搬送機器 人CR之方式所配置的4個塔。各個塔係包含於上下積層的3台處理單元。4台貯留盒6係分別對應於4個塔。同樣地，4台流體盒4係分別對應於4個塔。貯留於各貯留盒6內之硫酸槽27的藥液係經由對應於該貯留盒6之流體盒4被供給至對應於該貯留盒6的3台處理單元2。
圖2係用以說明處理單元2之構成例的示意圖。
處理單元2係包含：箱形的腔室7，係具有內部空間；旋轉夾盤(基板保持單元)8，係在腔室7內以水平姿勢保持一片基板W，使基板W繞通過基板W之中心之鉛直的旋轉軸線A1旋轉；藥液噴嘴(處理液噴嘴)9，用以對由旋轉夾盤8所保持的基板W之上表面(主表面)噴出藥液；藥液供給單元(處理液供給單元)10，係用以對藥液噴嘴9供給藥液；清洗液(rinse liquid)供給單元11，係用以對由旋轉夾盤8所保持之基板W的上表面供給清洗液；筒狀的處理杯體(cup)12，係包圍旋轉夾盤8；待機壺(壺)13，在俯視時係被配置於旋轉夾盤8的周圍(處理杯體12周圍)；以及接地構造73，係將待機壺13接地。如圖2所示，腔室7係包含箱狀的間隔壁14。
採用於水平方向夾住基板W而水平地保持基板之挾持式的夾盤作為旋轉夾盤8。具體來說，旋轉夾盤8係包含：旋轉馬達(spin motor)15；旋轉軸16，係與該旋轉馬達15之驅動軸一體化；以及圓板狀的旋轉基座(spin base)17，係大致水平地被安裝於旋轉軸16之上端。
旋轉基座17係包含具有比基板W之外徑更大的外徑 的水平的圓形之上表面17A。旋轉基座17係例如使用絕緣材料而形成。於上表面17A之周緣部係配置有複數個(3個以上，例如6個)挾持構件18。在旋轉基座17之上表面周緣部上，複數個挾持構件18係隔開適當的間隔例如相等間隔地被配置於對應於基板W之外周形狀的圓周上。挾持構件18係例如使用導電材料而形成。挾持構件18係經由接地構造(與後述之接地構造73為同等構成)而被接地。
藥液噴嘴9係將藥液以連續流的狀態噴出的直式噴嘴(straight nozzle)。藥液噴嘴9係例如以於垂直於基板W之上表面的方向噴出處理液之垂直姿勢被安裝於噴嘴臂(nozzle arm)22噴出。於藥液噴嘴9之下端係設定有用以噴出藥液的噴出口9a。噴出口9a係向下噴出藥液。亦即，藥液噴嘴9係向下的噴嘴。在本實施形態中，SPM(硫酸過氧化氫水混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture)；即包含H2SO4(硫酸)及H2O2(過氧化氫水)的混合液)被採用作為從藥液噴嘴9噴出的藥液。
噴嘴臂22係於水平方向延伸，且被設成在旋轉夾盤8周圍能夠繞著於鉛直方向延伸的轉動軸線(未圖示)擺動。噴嘴移動單元23係使噴嘴臂22繞轉動軸線旋轉，藉此使藥液噴嘴9沿著在俯視時通過基板W之上表面中央部的軌跡水平移動。噴嘴移動單元23係使藥液噴嘴9在處理位置(第一位置)P1與待機位置(第二位置)P2之間水平移動，該處理位置P1係指自藥液噴嘴9被噴出的藥液於基板W之上表面著液的位置，該待機位置P2係指藥液噴嘴9被設定 的在俯視時位於旋轉夾盤8之周圍的位置。在本實施形態中，前述處理位置P1係例如自藥液噴嘴9噴出的藥液於基板W之上表面中央部著液的中央位置。
待機位置P2係包含上待機位置P21(參照圖3)以及被設定在上待機位置P21下方的下待機位置P22(參照圖3)。噴嘴移動單元23係使噴嘴臂22升降，藉此使藥液噴嘴9在上待機位置P21與下待機位置P22之間升降。
藥液供給單元10係包含：混合部24，係經由SPM配管(處理液配管)20而連接於藥液噴嘴9；硫酸供給單元25，係對混合部24供給H2SO4；以及過氧化氫水供給單元26，係對混合部24供給H2O2。
硫酸供給單元25係包含：硫酸槽27，係貯留被供給至混合部24的H2SO4；循環配管(處理液配管)28，係使硫酸槽27內之H2SO4循環；送液裝置29，係將硫酸槽27內之H2SO4送至循環配管28；溫度調節器30，係調節從硫酸槽27被供給至混合部24的H2SO4的溫度；過濾器(filter)31，係去除從硫酸槽27被供給至混合部24的H2SO4中之異物；以及硫酸配管(處理液配管)32，其一端32a連接於循環配管28且另一端32b連接於混合部24。於硫酸配管32係插裝有將硫酸配管32開閉的硫酸閥33。
循環配管28之上游端28A及下游端28b係連接於硫酸槽27。循環配管28係包含：供給部34，係將硫酸槽27內之H2SO4抽起而導到循環配管28內；連接部35，係連接於硫酸配管32的一端32a；以及歸還部36，係將已通過連接 部35的硫酸導到硫酸槽27。
送液裝置29係被插裝於供給部34。送液裝置29例如為幫浦(pump)。幫浦係將硫酸槽27內之H2SO4吸入且將該已吸入之H2SO4噴出。送液裝置29亦可為藉由使硫酸槽27內之氣壓上升而將硫酸槽27內之H2SO4送至循環配管28的加壓裝置。
溫度調節器30係被插裝於供給部34。溫度調節器30亦可被配置於硫酸槽27內。溫度調節器30係以從高於室溫(例如約23℃)的溫度到低於室溫的溫度為止之範圍內的溫度將H2SO4予以溫度調節(加熱或冷却)。於供給部34流動的H2SO4被供給至歸還部36而回到硫酸槽27。硫酸閥33被開啟，藉此於供給部34流動的H2SO4被供給至混合部24。
過氧化氫水供給單元26係包含：過氧化氫水配管(處理液配管)38，係被供給來自過氧化氫水供給源(未圖示)之H2O2且連接於混合部24；以及過氧化氫水閥39，係用以開閉過氧化氫水配管38。於混合部24係經由過氧化氫水配管38而被供給有未經溫度調節之室溫(約25℃)左右的H2O2。
待機壺13係箱狀的壺，用以承接從被配置於待機位置P2之藥液噴嘴9所噴出的藥液。於待機壺13的底部係連接排出配管74。排出配管74的管壁係使用絕緣材料而形成。被待機壺13所承接的藥液係經由排出配管74而被送出到機外的廢液處理設備(未圖示)。因此，被待機壺13噴 出的SPM不會被供給至基板W。
清洗液供給單元11係包含清洗液噴嘴43。清洗液噴嘴43為例如將液以連續流的狀態噴出之直式噴嘴，清洗液噴嘴43之噴出口朝向基板W之上表面中央部而被固定地配置在旋轉夾盤8的上方。於清洗液噴嘴43係連接清洗液配管44，該清洗液配管44係被供給有來自清洗液供給源的清洗液。於清洗液配管44之中途部係插裝有清洗液閥45，該清洗液閥45係用以將來自清洗液噴嘴43之清洗液的供給/供給停止予以切換。在清洗液閥45被打開時，從清洗液配管44被供給至清洗液噴嘴43的清洗液從被設定於清洗液噴嘴43下端之噴出口被噴出。另外，清洗液閥45被關閉時，從清洗液配管44往清洗液噴嘴43的清洗液之供給被停止。雖然清洗液可以是例如去離子水(DIW；deionized water)，但並不限於DIW，也可以是碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、氨水及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中的任一者。
另外，清洗液供給單元11亦可具備清洗液噴嘴移動裝置，該清洗液噴嘴移動裝置係使清洗液噴嘴43移動，藉此使清洗液對於基板W之上表面的著液位置於基板W之面內掃描。
處理杯體12係被配置得比旋轉夾盤8所保持的基板W更外方(自旋轉軸線A1遠離的方向)。處理杯體12例如使用絕緣材料而形成。處理杯體12係包圍旋轉基座17之側方。在旋轉夾盤8使基板W旋轉的狀態下，若處理液被供 給至基板W，則已被供給至基板W的處理液會於基板W之周圍被甩開。在處理液被供給至基板W時，已朝上打開的處理杯體12之上端部12a係被配置得比旋轉基座17更上方。因此，於基板W周圍被排出的藥液或水等處理液係藉由處理杯體12而被承接。然後，已被處理杯體12承接的處理液係被送至未圖示的回收裝置或廢液裝置。
圖3係待機壺13之剖面圖。
待機壺13例如含有有底且箱狀的壺本體51。藉由壺本體51，於橫方向(預定的第一水平方向D1)劃分較長且鉤狀的內部空間52。壺本體51係具有於內部空間52連通的上開口53及排出口54。內部空間52係具有：鉛直部分56，係從上開口53連續地於鉛直方向延伸；傾斜部分57，係從鉛直部分56的下端向斜下方延伸；以及水平部分58，係從鉛直部分56的前端於第一水平方向D1延伸而連續至排出口54。
壺本體51係包含：側壁61，係包圍內部空間52之側方；上壁62，係構成內部空間52之上表面；以及底壁63，係閉塞內部空間52之底面。上開口53係形成於上壁62，排出口54係形成於底壁63。
側壁61係包含：第一側壁64，係於鉛直方向延伸；以及第二側壁65，係相對於第一側壁64而在橫方向對向。第二側壁65係包含：上側壁66，係從上壁62向鉛直下方延伸；第一傾斜壁67，係從上側壁66之下端向斜下方延伸；第一水平壁68，係從第一傾斜壁67之下端於預定的 第一水平方向D1延伸；以及下側壁69，係從第一水平壁68之前端向鉛直方向下方延伸而連接於底壁63。於圖3之例中，上側壁66、第一傾斜壁67、第一水平壁68及下側壁69係使用導電性PEEK(polyetheretherketone；聚醚醚酮)等導電材料而被一體地設置。
底壁63係包含：第二水平壁70，係從第一側壁64之下端沿第一水平方向D1延伸；第二傾斜壁71，係從上側壁66之前端向斜下方延伸；以及第三水平壁72，係從上側壁66之下端沿第一水平方向D1延伸。排出口54係形成於第三水平壁72。在圖3之例中，第二水平壁70、第二傾斜壁71及第三水平壁72係使用導電性PEEK等導電材料而被一體地設置。
鉛直部分56係藉由上壁62、第一側壁64、上側壁66及第二水平壁70而被劃分。傾斜部分57係藉由第一傾斜壁67及第二傾斜壁71而被劃分。水平部分58係藉由第一水平壁68、下側壁69及底壁63而被劃分。
在圖3之例中，壺本體51(亦即側壁61、上壁62及底壁63)係被一體地設置。亦即，壺本體51係具有導電性。在本實施形態中，壺本體51係構成導電部。接地構造73將壺本體51接地。
於待機壺13之排出口54係連接排出配管74之一端74a。排出配管74係使用氟樹脂(例如PTFE(polytetrafluoroethylene；聚四氟乙烯)或PFA(perfluoroalkoxyethylene；全氟乙烯基醚))等絕緣材料而形成。排出配管74之另一端係連 接機外之廢液處理設備。
在藥液噴嘴9被配置於下待機位置P22的狀態下，形成於藥液噴嘴9之下端的噴出口9a比待機壺13之上開口53位於更下方。在後述的導電噴出工序S3(參照圖5)中，於藥液噴嘴9被配置於下待機位置P22之狀態下，藥液為了預配送(pre-dispensing)而從噴出口9a被噴出。從噴出口9a所噴出的藥液係著液於底壁63之第二水平壁70，沿著第二傾斜壁71而朝向排出口54流動。接下來，到達排出口54之藥液係從排出口54流入到排出配管74之內部，該排出配管74被導到廢液處理設備，在該廢液處理設備中被廢液處理。
具體來說，在導電噴出工序S3中，藥液係從藥液噴嘴9之噴出口9a朝向待機壺13之內部空間52以連續流的態樣被噴出。從噴出口9a所噴出之藥液係於底壁63的第二水平壁70著液，沿著第二傾斜壁71而朝向排出口54流動。如圖3所示，在藥液的噴出狀態中，噴出口9a與具有導電性的壺本體51經由從噴出口9a所噴出之藥液的連續流而連繋。
具體來說，硫酸閥33(參照圖2)及過氧化氫水閥39(參照圖2)被同時地打開，藉此SPM從噴出口9a以連續流之態樣被噴出。此時，噴出口9a與具有導電性的壺本體51經由從噴出口9a所噴出的SPM之連續流而連繋。
另外，在各藥液配管內(SPM配管20內、硫酸配管32內、循環配管28及過氧化氫水配管38內)，各藥液(SPM、 H2SO4及H2O2)係液密狀態。除此之外，由於硫酸閥33(參照圖2)及過氧化氫水閥39(參照圖2)為打開狀態，故SPM配管20內與硫酸配管32內及過氧化氫水配管38內，還有硫酸配管32與循環配管28內為相互連通。因此，在各藥液配管內，藥液係以液體連繋。
圖4係用以說明基板處理系統1之主要部的電性構成的方塊圖。
控制裝置3係例如使用微電腦(microcomputer)而構成。控制裝置3係具有：CPU(Central Processing Unit；中央處理器)等的運算單元；固定記憶體元件(memory device)；硬碟機(hard disk drive)等儲存單元；以及輸入輸出單元。記憶單元係包含電腦能夠讀取的記錄媒體，該電腦係記錄運算單元所執行之電腦程式(computer program)。於記錄媒體係編入有俾使控制裝置3執行後述的洗淨處理之步驟(step)群。
控制裝置3係依照事先已決定的程式來控制旋轉馬達15、噴嘴移動單元23、送液裝置29以及溫度調節器30等的動作。另外，控制裝置3係依照事先已決定的程式來控制硫酸閥33、過氧化氫水閥39以及清洗液閥45等的開閉動作。
圖5係用以說明處理單元2所進行的基板處理例之流程圖。一邊參照圖1至圖5一邊說明基板處理例。
該基板處理例係將阻劑(resist)從基板W之上表面(主表面)去除的阻劑去除處理。在基板W藉由處理單元2而 被施予基板處理例時，高劑量(dose)之離子注入處理後的基板W被搬入至腔室7的內部(圖5之步驟S1)。基板之搬入係在藥液噴嘴9退到待機位置P2(參照圖3)的狀態下進行。被搬入的基板W有因為前工序(由乾蝕刻機(dry etcher)所進行之處理)而帶電的情形，也有基板W之帶電量多的情形。
控制裝置3係在噴嘴等全部從旋轉夾盤8上方退開的狀態下，使保持著基板W的基板搬送機器人CR(參照圖1)的機器手(hand)進入腔室7之內部，藉此基板W以基板W的表面(器件(device)形成面)朝向上方的狀態被交付到旋轉夾盤8。
控制裝置3係藉由旋轉馬達15使基板W之旋轉開始(圖5的步驟S2，基板旋轉工序)。基板W係被上升至事先決定的液處理速度(在300rpm至1500rpm的範圍內，例如500rpm)，且被維持於該液處理速度。
在接下來會敘述的SPM噴出工序S4的執行之前，進行導電噴出工序S3。
若藉由旋轉夾盤8而被保持著的基板W帶電，則在SPM噴出工序S4中，從藥液噴嘴9之噴出口9a朝向基板W之上表面噴出SPM時，隨著基板W之上表面與SPM接觸，有著於SPM已著液的部位或SPM已著液的部位附近產生靜電放電之虞。結果，有著產生圖案破壞、處理液放電而對基板造成損傷的情形。為了防止或抑制此種基板W的損傷，在該基板處理例中，在SPM噴出工序S4執行之 前，進行將藥液配管內的藥液(SPM配管20內的SPM、硫酸配管32內的H2SO4、循環配管28內的H2SO4及過氧化氫水配管38內的H2O2)除電的導電噴出工序S3，供給除電完成的SPM。
具體而言，在導電噴出工序S3中，控制裝置3係同時打開硫酸閥33及過氧化氫水閥39。如圖3所示，藉此流通於硫酸配管32之內部的H2SO4被供給至混合部24，並且流通於過氧化氫水配管38的H2O2被供給至混合部24。在混合部24內及硫酸配管32中，H2SO4與H2O2混合，生成高溫(例如160℃)的SPM。該SPM係以連續流的態樣從藥液噴嘴9之噴出口9a朝向待機壺13之內部空間52噴出。自噴出口9a所噴出的SPM係著液於底壁63之第二水平壁70，沿著第二傾斜壁71而朝向排出口54流動。在SPM的噴出狀態中，噴出口9a與具有導電性的壺本體51經由自噴出口9a所噴出之SPM的連續流而連繋。另外，在各藥液配管內(SPM配管20內、硫酸配管32內、循環配管28及過氧化氫水配管38內)，各藥液(SPM、H2SO4及H2O2)為液密狀態，且SPM配管20內與硫酸配管32內及過氧化氫水配管38內還有硫酸配管32與循環配管28內為相互連通。因此，在各藥液配管內，藥液係以液體連繋。因此，在藥液配管內之藥液(SPM配管20內的SPM、硫酸配管32內的H2SO4、循環配管28內的H2SO4及過氧化氫水配管38內的H2O2)帶正電或帶負電的情形下，電子因為藥液配管內的藥液與壺本體51之間產生的電位差而經由在噴出口9a與壺 本體51之間連繋的SPM移動。
若藥液配管內之藥液(SPM配管內的SPM、硫酸配管32內的H2SO4、循環配管28內的H2SO4及過氧化氫水配管38內的H2O2)帶負電，則藥液配管內之藥液所包含的電子會經由藥液移動到壺本體51而就這樣逸脫。藉此，曾帶負電的藥液配管內之藥液被除電。
另外，若藥液配管內之藥液(SPM配管20內的SPM、硫酸配管32內的H2SO4、循環配管28內的H2SO4及過氧化氫水配管38內的H2O2)帶正電，則來自接地構造73之電子會經由壺本體51以及連繋於噴出口9a與壺本體51之間的SPM而移動到藥液配管內。由於藥液配管內之藥液所包含的電子數會增加，故曾帶正電的藥液配管內之藥液被除電。
導電噴出工序S3係兼作為來自藥液噴嘴9及藥液配管之藥液的預配送。當從上次藥液噴嘴9噴出SPM算起經過長期間時，則有著藥液噴嘴9內的SPM、藥液配管內的藥液(SPM配管內的SPM、硫酸配管32內的H2SO4、循環配管28內的H2SO4及過氧化氫水配管38內的H2O2)會溫度降低之虞。另外，在此情形下亦有藥液噴嘴9之噴嘴配管的管壁、藥液配管的管壁(SPM配管20的管壁、硫酸配管32的管壁及過氧化氫水配管38的管壁)等會溫度低下之虞。藉由進行藥液的預配送，能夠從藥液噴嘴9內或藥液配管內去除溫度降低的藥液，且能夠使藥液噴嘴9之噴嘴配管的管壁、藥液配管的管壁等之溫度升溫。結果，能夠從SPM 噴出工序S4開始即讓已被調溫成所希望之高溫的SPM從噴出口9a被噴出。
若從自噴出口9a開始噴出SPM算起經過事先決定的期間，則控制裝置3係關閉硫酸閥33及過氧化氫水閥39，停止來自噴出口9a的SPM噴出。
接下來，控制裝置3係執行SPM噴出工序(處理液噴出工序、圖5之步驟S4)。在SPM噴出工序S4的執行之前，控制裝置3係控制噴嘴移動單元23，以使被配置於下待機位置P22(參照圖3)的藥液噴嘴9上升至上待機位置P21(參照圖3)。另外，控制裝置3係使藥液噴嘴9從待機位置P2(上待機位置P21)移動至處理位置P1(參照圖2)，持續使藥液噴嘴9配置於處理位置P1。
藥液噴嘴9被配置於處理位置P1，且當基板W之旋轉速度達到液處理速度時，控制裝置3係執行SPM噴出工序S4。具體而言，控制裝置3係同時打開硫酸閥33及過氧化氫水閥39。藉此，流通於硫酸配管32內部的H2SO4被供給至混合部24，並且流通於過氧化氫水配管38的H2O2被供給至混合部24。H2SO4與H2O2在混合部24內及硫酸配管32中混合，生成高溫(例如160℃)的SPM。該SPM會從藥液噴嘴9之噴出口9a被噴出且著液於基板W之上表面中央部。來自噴出口9a之SPM的噴出時機(timing)係在導電噴出工序S3結束後不到20秒(不讓循環配管28內之H2SO4的帶電量飽和的期間)之預定時機。硫酸閥33及過氧化氫水閥39的開啟時機被設定成俾使SPM在該噴出時機 從噴出口9a被噴出。
如上所述，藉由導電噴出工序S3中來自噴出口9a的SPM噴出，藥液配管內之藥液(SPM配管20內的SPM、硫酸配管32內的H2SO4、循環配管28內的H2SO4及過氧化氫水配管38內的H2O2)被除電。另外，在導電噴出工序S3結束後不到20秒之內，開始來自噴出口9a的SPM噴出。因此，幾乎不含有電荷之狀態的SPM從噴出口9a被噴出。因此，能夠在對基板W噴出SPM時抑制或防止靜電放電產生。
已著液於基板W之上表面中央部的SPM係受到基板W旋轉所引發的離心力而沿著基板W之上表面流到外方，於基板W上形成覆蓋基板W之上表面全區域的SPM液膜。藉由該液膜所包含的SPM，基板W上的阻劑從基板W被去除。
另外，在SPM噴出工序S4中，控制裝置3亦可控制噴嘴移動單元23而將藥液噴嘴9於周緣位置與中央位置之間移動，該周緣位置係對向於基板W之上表面的周緣部，該中央位置係對向於基板W之上表面的中央部。在此情形下，能夠使基板W之上表面中的SPM著液位置掃描基板W之上表面的全區域。
若從SPM之噴出開始算起經過事先決定的期間，則控制裝置3係關閉硫酸閥33及過氧化氫水閥39，使來自藥液噴嘴9的SPM噴出停止。
另外，控制裝置3係控制噴嘴移動單元23，將被配置 於處理位置P1的藥液噴嘴9移回到上待機位置P21(待機位置P2)，且藥液噴嘴9被降下而被配置於下待機位置P22。
接下來，執行將清洗液供給至基板W的清洗工序S5。具體而言，控制裝置3係打開清洗液閥45，使清洗液從清洗液噴嘴43朝向基板W之上表面中央部噴出。從清洗液噴嘴43被噴出的清洗液係著液於藉由SPM所覆蓋的基板W之上表面中央部。已著液於基板W之上表面中央部的清洗液係受到基板W之旋轉所引起的離心力而在基板W之上表面上流向基板W之周緣部。藉此，基板W上的SPM會藉由清洗液而被沖到外方而在基板W之周圍被排出。藉此，基板W之上表面全區域中的SPM及阻劑殘渣會被沖洗。若從清洗工序S5開始算起經過事先決定的期間，則控制裝置3係關閉清洗液閥45，使來自清洗液噴嘴43之清洗液的噴出停止。
接下來，執行使基板W乾燥的旋轉乾燥(spin dry)工序(圖5之步驟S6)。
具體而言，在旋轉乾燥工序S6中，控制裝置3係藉由控制旋轉馬達15，以比從SPM噴出工序S4到清洗工序S5的旋轉速度更快的乾燥旋轉速度(例如數千rpm)為止使基板W加速，以乾燥旋轉速度使基板W旋轉。藉此，大的離心力加到基板W上的液體，附著於基板W的液體在基板W的周圍被甩開。如此，液體從基板W被去除，基板W會乾燥。
接下來，當從基板W之高速旋轉開始經過預定時間， 則控制裝置3係控制旋轉馬達15，藉此使旋轉夾盤8所進行的基板W之旋轉停止(圖5之步驟S7)。
接下來，基板W被從腔室7內搬出(圖5之步驟S8)。具體而言，控制裝置3係使基板搬送機器人CR的機器手進入腔室7內部。接下來，控制裝置3係使基板搬送機器人CR的機器手保持旋轉夾盤8上的基板W。之後，控制裝置3係使基板搬送機器人CR的機器手從腔室7內退去。藉此，阻劑已從表面(器件形成面)被去除的基板W從腔室被搬出。
另外，圖5之基板處理例亦包含非阻劑去除處理之金屬膜去除處理，該金屬膜去除處理係從已形成有金屬膜的基板表面去除金屬膜。
圖6係表示SPM之從藥液噴嘴9的噴出與循環配管28內之H2SO4的帶電量的關係之圖。由於能夠將循環配管28內的H2SO4之帶電量(電位)和基板W的表面之電位(亦即表面電位)約略視為相同，故在圖6中將已測量的表面電位作為循環配管28內的H2SO4帶電量表示。在此情形下，在循環配管28之中不採用碳電極等的除電構造。在SPM(導電性藥液)之噴出狀態(Chemical dispense；藥液配送)中，噴出口9a(參照圖2)與基板W之上表面由連續流狀的SPM連繋，且經由該連續流狀之SPM、形成於基板W之上表面上的SPM液膜及具有導電性的挾持構件而被接地。因此，循環配管28內的H2SO4被除電。相對於此，在SPM(導電性藥液)的非噴出狀態中，循環配管28內的H2SO4不被除電。
另一方面，即使在由SPM之噴出狀態變化狀態成非噴出狀態之後，處理液仍在循環配管28內循環。因此，在SPM之非噴出狀態中，循環配管28內之處理液因與循環配管28的管壁之間的摩擦而容易帶電。在循環配管28內的H2SO4之帶電量緩慢地增加且向非噴出狀態變化狀態後約20秒之後，循環配管28內的H2SO4之帶電量飽和，在此之後維持著該帶電量而推移。亦即，在圖6的例中，向非噴出狀態變化狀態之後，循環配管28內的H2SO4之帶電量飽和所需要的期間為約20秒。循環配管28內的H2SO4之帶電量飽和所需要的期間並不限於約20秒，該期間的長度會視作為處理對象的基板W之種類、基板處理系統1之配置構成等的種種條件而不同。
依據以上所述之本實施形態，在SPM噴出工序S4的非執行時，SPM從噴出口9a朝向作為導電部的壺本體51以連續流的態樣被噴出。在該狀態中，噴出口9a與壺本體51經由自噴出口9a所噴出的SPM之連續流而連繋。在藥液配管內的藥液(SPM配管20內之SPM、硫酸配管32內之H2SO4、循環配管28內之H2SO4及過氧化氫水配管38內之H2O2)帶正電或帶負電的情形下，由於藥液配管內之藥液與壺本體51之間所產生的電位差，電子經由在噴出口9a與壺本體51之間連繋的SPM而移動。
當藥液配管內的藥液(SPM配管內之SPM、硫酸配管32內之H2SO4、循環配管28內之H2SO4及過氧化氫水配管38內之H2O2)帶負電時，藥液配管內之藥液所包含的電子 經由藥液而移動至壺本體51且就這樣逸脫。藉此，曾帶負電的藥液配管內之藥液被除電。
另外，當藥液配管內的藥液(SPM配管20內之SPM、硫酸配管32內之H2SO4、循環配管28內之H2SO4及過氧化氫水配管38內之H2O2)帶正電時，來自接地構造73的電子經由壺本體51、以及在噴出口9a與壺本體51之間連繋的SPM而移動至藥液配管內。因為藥液配管內之藥液所包含的電子數增加，故曾帶正電的藥液配管內之藥液被除電。
藉由以上，能夠在SPM噴出工序S4中從噴出口9a噴出電荷去除的狀態之SPM。藉此，能夠抑制或防止伴隨著朝向基板W之SPM噴出的靜電放電產生。因此，能夠抑制或防止在基板W之表面上的損傷產生。
另外，導電噴出工序S3在SPM噴出工序S4之前被執行。從導電噴出工序S3之結束開始，藥液配管內之藥液所包含的電荷量開始增加。因此，在從導電噴出工序S3之結束開始經過長時間的情形下，藥液配管內之藥液所包含的電荷量多，但在導電噴出工序S3與SPM噴出工序S4之間隔短的情形下，藥液配管內之藥液所包含的電荷量少。在此情形下，能夠在SPM噴出工序S4中自噴出口9a噴出電荷被充分地去除之狀態的處理液。然後，如本實施形態般，在導電噴出工序S3結束後不到約20秒之內(不讓循環配管28內之H2SO4的帶電量飽和的期間)使來自噴出口9a之藥液噴出開始的情形下，能夠從噴出口9a噴出幾乎不包含電荷之狀態的藥液。
以上已對本發明之一實施形態進行說明，不過本發明亦能以其他形態實施。
例如，像圖7所示之第一變形例般，亦可為壺本體51之一部分具有導電性且其他部分具有絕緣性。在圖7之例中，於底壁63(第二水平壁70)之中，在包含著液位置PL的部分設置有具有導電性的導電部101，該著液位置PL係自被配置於待機位置P2之藥液噴嘴9的噴出口9a所噴出的藥液著液的位置。導電部101係使用導電性PEEK等的導電材料而形成。導電部101經由接地構造73而被接地。壺本體51中的導電部101以外的部分係絕緣部102。絕緣部102係使用氟樹脂(例如PTFE(聚四氟乙烯)或PFA(全氟乙烯基醚))等絕緣材料而形成。
在導電噴出工序S3(參照圖5)中，於藥液噴嘴9被配置於待機位置P2(下待機位置P22)之狀態下，藥液從噴出口9a被噴出。自噴出口9a所噴出的藥液係著液在導電部101，從底壁63之第二水平壁70沿著第二傾斜壁71而朝向排出口54流動。在藥液的噴出狀態中，如圖7所示，噴出口9a與導電部101經由自噴出口9a所噴出的藥液之連續流而連繋。
在第一變形例中，於壺本體51中，在包含著液位置PL的區域形成有導電部101，且使導電部101以外的區域成為絕緣部102。即使不使壺本體51之整體成為導電部也能夠實現噴出口9a與導電部101經由藥液而以液體連繋的構成。由於不使壺本體51之整體成為導電部，故能夠謀求 降低成本(cost down)。
另外，如圖8所示的第二變形例般，亦可設置於內部空間52內延伸的導電條201。在圖8之例中，導電條201係成為棒狀且於水平方向(例如第一水平方向D1)延伸。導電條201係使用碳材料而形成。導電條201經由接地構造73而被接地。
在導電噴出工序S3(參照圖5)中，於藥液噴嘴9被配置在待機位置P2(下待機位置P22)之狀態下，藥液自噴出口9a被噴出。自噴出口9a所噴出之藥液係被供給至導電條201。如圖8所示，在藥液之噴出狀態中，噴出口9a與導電條201經由自噴出口9a所噴出的藥液之連續流而連繋。藉此，能夠實現噴出口9a與導電部經由藥液而以液體連繋的構成。如圖8所示，在此情形下，亦能夠使用絕緣材料而形成壺本體51。藉此，能夠謀求降低成本。另外，亦可使用導電材料來形成壺本體51。
另外，如圖9所示之第三變形例，在內部空間52中，亦可設置有能夠將自噴出口9a所噴出的藥液積存的貯留部302。另外，亦可設置於內部空間52內延伸的導電條301。在此情形下，亦可讓積存於貯留部302的藥液能夠液體接觸於導電條301。
在圖9之例中，導電條301係成為棒狀且於水平方向(例如第一水平方向D1)延伸。導電條301係使用碳材料而形成。導電條301經由接地構造73而被接地。
在導電噴出工序S3(參照圖5)中，於藥液噴嘴9被配 置於待機位置P2(下待機位置P22)之狀態下，藥液被從噴出口9a噴出。自噴出口9a所噴出的藥液係藉由貯留部302而被貯留。如圖9所示，在藥液之噴出狀態中，噴出口9a與導電條301經由自噴出口9a所噴出的藥液之連續流、以及藉由貯留部302而被貯留的藥液而連繋(以液體連繫)。藉此，能夠相對簡單地實現噴出口9a與導電部以液體連繋的構成。然後，也能夠將噴出口9a與導電部更確實地做為液體而連繋。
另外，如圖9所示般，在第三變形例中亦能夠使用絕緣材料來形成壺本體51。藉此，能夠謀求成本降低。另外，亦可使用導電材料來形成壺本體51。
另外，圖10所示之第四變形例與前述實施形態(例如參照圖3)之不同點在於：藥液噴嘴9並非藉由朝向下方的噴嘴所構成，而是藉由從噴出口9b向斜下方噴出藥液之朝向斜下方的噴嘴所構成。在藥液噴嘴9被配置於待機位置P2(下待機位置P22)的狀態下，藥液從噴出口9b被噴出。
在導電噴出工序S3(參照圖5)中，藥液係以連續流之態樣從藥液噴嘴9之噴出口9b朝向待機壺13之內部空間52噴出。自噴出口9b所噴出的藥液係於第二側壁65之上側壁66著液。之後，已落液於底壁63之第二水平壁70的藥液係沿著第二傾斜壁71而朝向排出口54流動。如圖10所示，在藥液之噴出狀態中，噴出口9b與具有導電性的壺本體51經由自噴出口9b所噴出的藥液之連續流而連繋。藉此，即使是在藥液噴嘴9包含朝向斜下方之噴嘴的情形 下亦能夠實現噴出口9b與導電部經由藥液而以液體連繋的構成。
另外，於圖11所示的第五變形例係將第四變形例組合於第一變形例之構成。於圖12所示的第六變形例係將第四變形例組合於第二變形例之構成。於圖13所示的第七變形例係將第四變形例組合於第三變形例之構成。在圖11至圖13中，附上與圖7至圖10的情形相同的元件符號且省略說明。
另外，在前述之基板處理例中，雖已說明了導電噴出工序S3在基板W開始旋轉後被執行的情形，但基板W亦可在導電噴出工序S3之途中被開始旋轉，也可在基板W之旋轉開始前執行導電噴出工序S3，更可在旋轉夾盤所致的基板W之保持前(亦即，往腔室7內之基板W的搬入前)執行導電噴出工序S3。然而在該等情形中，來自噴出口9a之SPM的噴出時機較佳為導電噴出工序S3的結束後不到20秒內之預定時機。
另外，在前述實施形態中，雖然已將H2SO4及H2O2之混合於在藥液噴嘴9之上游側經由SPM配管20而連接的混合部24中進行之配管混合型的形態舉例說明，但亦可採用在藥液噴嘴9的內部中進行H2SO4及H2O2之混合的噴嘴混合型的形態。
另外，雖已舉例說明了將待機壺13設置於導電部的情形，亦可將導電部設置於其他構件。例如亦可採取以下方式：使用導電材料來形成處理杯體12的一部(包含來自噴 出口9a、9b之藥液的著液位置PL的部分)或全部而設置導電部，使該導電部接地於接地構造(接地構造73)。使用導電材料來形成處理杯體12之本體的一部(包含來自噴出口9a、9b之藥液的著液位置PL的部分)或全部而設置導電部，使該導電部接地於接地構造(接地構造73)。接下來，在導電噴出工序(圖5之S3)中，亦可從噴出口9a、9b朝向該導電部以連續流的態樣噴出SPM，藉此使噴出口9a、9b與該導電部經由連續流狀之SPM而以液體連繋。
另外，亦可使用導電材料來形成旋轉基座17之本體的一部(包含來自噴出口9a、9b之藥液的著液位置PL的部分)或全部而設置導電部，使該導電部接地於接地構造(接地構造73)。使用導電材料來形成旋轉基座17之一部(包含來自噴出口9a、9b之藥液的著液位置PL的部分)或全部而設置導電部，使該導電部接地於接地構造(接地構造73)。接下來，在導電噴出工序(圖5之S3)中，亦可從噴出口9a、9b朝向該導電部以連續流的態樣噴出SPM，藉此使噴出口9a、9b與該導電部經由連續流狀之SPM而以液體連繋。
進一步地，在導電噴出工序(圖5之S3)中，亦可從噴出口9a、9b朝向具有導電性的挾持構件18以連續流的態樣噴出SPM，藉此使噴出口9a、9b與挾持構件18經由連續流狀之SPM而以液體連繋。
另外，雖已舉出使用SPM作為藥液之情形當作例子，但藥液亦可為具有導電性的導電性藥液。導電性藥液亦可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水及過氧化氫 水中之至少一種的藥液。
另外，自處理液噴嘴(藥液噴嘴9)所噴出的導電性處理液不限於導電性藥液，亦可為功能水。功能水例如可以是碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10ppm至100ppm左右)的鹽酸水中之任一種。
雖已針對本發明之實施形態詳細地進行說明，但該些僅為用以使本發明之技術內容明瞭而使用之具體例子，本發明不應被限定於該等具體例而解釋，本發明之範圍應僅藉由隨附之申請專利範圍而限定。
本申請係對應於在2017年7月28日向日本國特許廳所提出的特願2017-146897號申請案，並將該申請之全部揭示內容引用於此而併入。
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
7‧‧‧腔室
8‧‧‧旋轉夾盤(基板保持單元)
9‧‧‧藥液噴嘴(處理液噴嘴)
9a‧‧‧噴出口
10‧‧‧藥液供給單元(處理液供給單元)
11‧‧‧清洗液供給單元
12‧‧‧處理杯體
12a‧‧‧上端部
13‧‧‧待機壺(壺)
14‧‧‧間隔壁
15‧‧‧旋轉馬達
16‧‧‧旋轉軸
17‧‧‧旋轉基座
17a‧‧‧上表面
18‧‧‧挾持構件
20‧‧‧SPM配管(處理液配管)
22‧‧‧噴嘴臂
23‧‧‧噴嘴移動單元
24‧‧‧混合部
25‧‧‧硫酸供給單元
26‧‧‧過氧化氫水供給單元
27‧‧‧硫酸槽(槽)
28‧‧‧循環配管(處理液配管)
28a‧‧‧上游端
28b‧‧‧下游端
29‧‧‧送液裝置
30‧‧‧溫度調節器
31‧‧‧過濾器
32‧‧‧硫酸配管(處理液配管)
32a‧‧‧硫酸配管之一端
32b‧‧‧硫酸配管之另一端
33‧‧‧硫酸閥
34‧‧‧供給部
35‧‧‧連接部
36‧‧‧歸還部
38‧‧‧過氧化氫水配管(處理液配管)
39‧‧‧過氧化氫水閥
43‧‧‧清洗液噴嘴
44‧‧‧清洗液配管
45‧‧‧清洗液閥
51‧‧‧壺本體
73‧‧‧接地構造
74‧‧‧排出配管
A1‧‧‧旋轉軸線
P1‧‧‧處理位置(第一位置)
P2‧‧‧待機位置(第二位置)
W‧‧‧基板
Claims (20)
- 一種處理液除電方法，係用以在使用處理液來處理基板的基板處理系統中將處理液配管內之處理液除電，前述基板處理系統係包含：腔室；處理液噴嘴，係被收容於前述腔室內且具有噴出口；處理液供給單元，係具有內部連通於前述噴出口的前述處理液配管，用以對前述處理液噴嘴供給處理液；導電部，係被配置於前述腔室內；以及接地構造，係將前述導電部接地；前述處理液除電方法係包含以下工序：處理液噴出工序，係朝向前述基板的主表面噴出來自前述處理液噴嘴的處理液；以及導電噴出工序，係於前述處理液噴出工序之非執行時，將處理液以連續流之態樣自前述噴出口朝向前述導電部噴出，前述噴出口與前述導電部藉由處理液而以液體聯繫，藉此將前述處理液配管內的處理液除電；前述導電噴出工序係包含將使槽內的處理液循環的循環配管內的處理液除電的工序。
- 如請求項1所記載之處理液除電方法，其中前述處理液噴出工序係在前述導電噴出工序的結束後且在前述循環配管內的處理液之帶電量飽和的期間前開始。
- 如請求項1或2所記載之處理液除電方法，其中進一步包含藉由被收容於前述腔室內的基板保持單元來保持前述基板的基板保持工序；前述導電噴出工序係包含在前述基板保持工序之後且在前述處理液噴出工序之前被執行的工序。
- 如請求項1或2所記載之處理液除電方法，其中前述導電噴出工序係包含在已將前述處理液噴嘴配置於與第一位置不同之第二位置的狀態下自前述噴出口噴出處理液的工序，前述第一位 置係使自前述噴出口所噴出的處理液被供給至前述基板的前述主表面之位置，前述基板係藉由被收容於前述腔室內的基板保持單元所保持。
- 一種基板處理方法，係在基板處理系統中被執行，前述基板處理系統係使用處理液來處理被收容於腔室內的基板，且前述基板處理系統包含：前述腔室；處理液噴嘴，係被收容於前述腔室內且具有噴出口；處理液供給單元，係具有內部連通於前述噴出口的處理液配管，用以對前述處理液噴嘴供給處理液；導電部，係被配置於前述腔室內；以及接地構造，係將前述導電部接地；前述基板處理方法係包含：處理液噴出工序，係自前述噴出口朝向前述基板的主表面噴出前述處理液配管內的處理液；以及導電噴出工序，係於前述處理液噴出工序之非執行時，將處理液以連續流之態樣自前述噴出口朝向前述導電部噴出，前述噴出口與前述導電部藉由處理液而以液體聯繫，藉此將前述處理液配管內的處理液除電；前述導電噴出工序係包含將使槽內的處理液循環的循環配管內的處理液除電的工序。
- 如請求項5所記載之基板處理方法，其中前述處理液噴出工序係在前述導電噴出工序的結束後，且在前述循環配管內的處理液之帶電量飽和的期間前開始。
- 如請求項5或6所記載之基板處理方法，其中前述導電噴出工序係包含在前述處理液噴出工序之前被執行的工序。
- 如請求項5或6所記載之基板處理方法，其中進一步包含藉由被收容於前述腔室內的基板保持單元來保持前述基板的基板保持工序； 前述導電噴出工序係包含在前述基板保持工序之後且在前述處理液噴出工序之前被執行的工序。
- 如請求項6所記載之基板處理方法，其中前述處理液噴出工序係於前述導電噴出工序結束後不到20秒之內開始。
- 如請求項5或6所記載之基板處理方法，其中前述處理液噴出工序係包含在已將前述處理液噴嘴配置於第一位置的狀態下自前述噴出口噴出處理液的工序，前述第一位置係使自前述噴出口所噴出的處理液被供給至前述基板的前述主表面之位置，前述基板係藉由被收容於前述腔室內的基板保持單元所保持；前述導電噴出工序係包含在已將前述處理液噴嘴配置於與前述第一位置不同之第二位置的狀態下自前述噴出口噴出處理液的工序。
- 一種基板處理系統，係使用處理液來處理基板，包含：腔室；基板保持單元，係被收容於前述腔室內，用以保持前述基板；處理液噴嘴，係被收容於前述腔室內且具有噴出口；處理液供給單元，係具有內部連通於前述噴出口的處理液配管，用以對前述處理液噴嘴供給處理液；導電部，係被配置於前述腔室內；接地構造，係將前述導電部接地；循環配管，係供前述處理液配管使槽內的處理液循環；以及控制裝置，係控制前述處理液供給單元；前述控制裝置係執行以下工序：處理液噴出工序，係朝向前述基板的主表面噴出來自前述處理液噴嘴的處理液；以及 導電噴出工序，係於前述處理液噴出工序之非執行時，將處理液以連續流之態樣自前述噴出口朝向前述導電部噴出，前述噴出口與前述導電部係藉由處理液而以液體聯繫；前述控制裝置係於前述導電噴出工序中將前述循環配管內的處理液除電。
- 如請求項11所記載之基板處理系統，其中前述控制裝置係於前述導電噴出工序的結束後且於前述循環配管內的處理液之帶電量飽和的期間前開始前述處理液噴出工序。
- 如請求項11或12所記載之基板處理系統，其中前述控制裝置係在前述處理液噴出工序之前執行前述導電噴出工序。
- 如請求項11或12所記載之基板處理系統，其中前述控制裝置係進一步執行藉由前述基板保持單元來保持前述基板的基板保持工序；前述控制裝置係在前述基板保持工序之後且在前述處理液噴出工序之前執行前述導電噴出工序。
- 如請求項11或12所記載之基板處理系統，其中前述處理液噴嘴能夠於第一位置與第二位置之間移動，前述第一位置係使自前述噴出口所噴出的處理液被供給至前述基板的前述主表面之位置，前述基板係藉由被收容於前述腔室內的前述基板保持單元所保持，前述第二位置係與前述第一位置不同且為使自前述噴出口所噴出的處理液被供給至前述導電部的位置；前述控制裝置係在已將前述處理液噴嘴配置於前述第一位置的狀態下執行前述處理液噴出工序，在已將前述處理液噴嘴配置於前述第二位置的狀態下執行前述導電噴出工序。
- 如請求項11或12所記載之基板處理系統，其中進一步包含：壺，係被配置於前述基板保持單元的側方，用以承接自前述噴出口所噴出的處理液； 前述導電部係設置於前述壺。
- 如請求項16所記載之基板處理系統，其中前述壺係包含容器狀的壺本體；前述導電部係形成於前述壺本體之整體。
- 如請求項16所記載之基板處理系統，其中前述壺係包含容器狀的壺本體；於前述壺本體中，前述導電部係被部分地設置於包含有自前述噴出口所噴出的處理液之著液位置的區域中；前述壺本體中之前述導電部以外的部分係使用絕緣材料而形成。
- 如請求項16或17所記載之基板處理系統，其中前述壺係包含容器狀的壺本體；前述導電部係包含在前述壺本體之內部空間內延伸的導電條。
- 如請求項16或17所記載之基板處理系統，其中前述壺係包含：容器狀的壺本體；以及貯留部，係能夠積存自前述噴出口朝向前述壺本體之內部空間所噴出的處理液；前述導電部係包含在前述壺本體之前述內部空間內延伸的導電條；前述貯留部係以被積存於前述貯留部的處理液液體接觸於前述導電條的方式設置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017146897A JP6876570B2 (ja) | 2017-07-28 | 2017-07-28 | 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム |
| JP2017-146897 | 2017-07-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201911400A TW201911400A (zh) | 2019-03-16 |
| TWI695425B true TWI695425B (zh) | 2020-06-01 |
Family
ID=65040057
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW107122557A TWI695425B (zh) | 2017-07-28 | 2018-06-29 | 處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6876570B2 (zh) |
| TW (1) | TWI695425B (zh) |
| WO (1) | WO2019021741A1 (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6593910B1 (ja) * | 2019-06-18 | 2019-10-23 | 慶孝 大友 | テラヘルツ電磁波照射効果の実証装置 |
| JP7194623B2 (ja) * | 2019-03-25 | 2022-12-22 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP7297591B2 (ja) * | 2019-08-09 | 2023-06-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置およびその製造方法 |
| JP7312656B2 (ja) * | 2019-09-24 | 2023-07-21 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP7364460B2 (ja) | 2019-12-25 | 2023-10-18 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP7488880B2 (ja) | 2021-12-27 | 2024-05-22 | セメス カンパニー，リミテッド | ホームポート、そして、これを含む基板処理装置 |
| KR102651516B1 (ko) * | 2021-12-31 | 2024-03-28 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010087326A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012028382A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2017069403A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4738033B2 (ja) * | 2005-03-23 | 2011-08-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP2007214347A (ja) * | 2006-02-09 | 2007-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法 |
| JP4776030B2 (ja) * | 2007-03-30 | 2011-09-21 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| JP6587865B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2019-10-09 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP6489479B2 (ja) * | 2015-03-26 | 2019-03-27 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| JP6496171B2 (ja) * | 2015-03-30 | 2019-04-03 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板処理装置 |
| WO2017119334A1 (ja) * | 2016-01-05 | 2017-07-13 | 富士フイルム株式会社 | 処理液、基板の洗浄方法および半導体デバイスの製造方法 |
-
2017
- 2017-07-28 JP JP2017146897A patent/JP6876570B2/ja active Active
-
2018
- 2018-06-28 WO PCT/JP2018/024696 patent/WO2019021741A1/ja active Application Filing
- 2018-06-29 TW TW107122557A patent/TWI695425B/zh active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010087326A (ja) * | 2008-10-01 | 2010-04-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2012028382A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Renesas Electronics Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2017069403A (ja) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TW201911400A (zh) | 2019-03-16 |
| WO2019021741A1 (ja) | 2019-01-31 |
| JP2019029492A (ja) | 2019-02-21 |
| JP6876570B2 (ja) | 2021-05-26 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI695425B (zh) | 處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統 | |
| TWI709169B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| TWI736934B (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 | |
| TWI723347B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| WO2020110709A1 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP2019061988A (ja) | 薬液生成方法、薬液生成装置および基板処理装置 | |
| TWI694488B (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
| CN107437516B (zh) | 基板处理装置及基板处理方法 | |
| TW202131437A (zh) | 基板處理裝置 | |
| TWI693271B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP3973196B2 (ja) | 液処理方法及び液処理装置 | |
| JP6489524B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| KR101939905B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2007234813A (ja) | 基板処理方法および基板処理装置 | |
| TWI749295B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
| JP7302997B2 (ja) | 基板処理装置、及び基板処理装置の配管洗浄方法 | |
| JP2020053586A (ja) | ブラシ洗浄装置、基板処理装置及びブラシ洗浄方法 | |
| JP2019125659A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| CN111656493A (zh) | 基板处理装置 | |
| JP2020053583A (ja) | ブラシ洗浄装置、基板処理装置及びブラシ洗浄方法 |