JP6876570B2 - 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム - Google Patents

処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム Download PDF

Info

Publication number
JP6876570B2
JP6876570B2 JP2017146897A JP2017146897A JP6876570B2 JP 6876570 B2 JP6876570 B2 JP 6876570B2 JP 2017146897 A JP2017146897 A JP 2017146897A JP 2017146897 A JP2017146897 A JP 2017146897A JP 6876570 B2 JP6876570 B2 JP 6876570B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
treatment liquid
substrate
liquid
conductive
discharge port
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2017146897A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2019029492A (ja
Inventor
信行 宮路
信行 宮路
奥村　剛
剛 奥村
淳靖 三浦
淳靖 三浦
誠 ▲高▼岡
誠 ▲高▼岡
尚樹 澤崎
尚樹 澤崎
剛志 秋山
剛志 秋山
岸本　卓也
卓也 岸本
辻川　裕貴
裕貴 辻川
和宏 藤田
和宏 藤田
成規 谷澤
成規 谷澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2017146897A priority Critical patent/JP6876570B2/ja
Priority to PCT/JP2018/024696 priority patent/WO2019021741A1/ja
Priority to TW107122557A priority patent/TWI695425B/zh
Publication of JP2019029492A publication Critical patent/JP2019029492A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6876570B2 publication Critical patent/JP6876570B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Description

この発明は、処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システムに関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などのＦＰＤ（Flat Panel Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
半導体装置の製造工程において、たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理システムは、チャンバーと、チャンバー内において、基板をほぼ水平に保持しつつ、その基板を回転させるスピンチャックと、このスピンチャックによって回転される基板の主面に向けて処理液を吐出するためのノズルとを備えている。
このような基板処理システムを用いた基板処理では、たとえば、回転状態の基板の主面に薬液が供給される薬液処理が実行される。基板の主面に供給された薬液は、基板の回転により生じる遠心力を受けて、基板の主面上を周縁に向けて流れ、基板の主面の全域に行き渡る。これにより、基板の主面の全域に薬液による処理が施される。
チャンバーに搬入されてきた基板は帯電していることがある。チャンバーに搬入されてきた基板には薬液処理が施されるが、チャンバーに搬入されてきた基板が帯電していると、基板の主面に向けてノズルから薬液を吐出した際に、基板の主面と薬液との接触に伴い、薬液が着液した箇所またはその近傍で静電気放電が発生するおそれがある。その場合、パターン破壊が生じたり、処理液が放電して基板に損傷を与えたりすることがある。
下記特許文献１のように、薬液供給開始時における基板の主面における静電気放電の発生を防止すべく、流体ボックス部に含まれる各部（処理液貯留タンク、温度調節器、フィルタボックスおよびマニホールド）に炭素電極を配置する手法が提案されている。各炭素電極は、その一部が処理液に接触するとともに接地されており、これにより、流体ボックス内の処理液の除電が図られる。
特開２００６−２６９６７７号公報
しかしながら、流体ボックス部に炭素電極を配置する方式では、処理液中に炭素が溶解するおそれがある。炭素電極と処理液との接触により、電極材料である炭素が処理液中に混入し、その結果、流体ボックス部内の処理液が汚染され、汚染された処理液が基板に供給されるおそれがある。そのため、処理液配管内の処理液を汚染することなく、処理液配管内の処理液を良好に除電することが求められている。
そこで、この発明の目的は、処理液配管内の処理液を良好に除電することができる処理液除電方法、ならびに除電済みの処理液を吐出口から吐出することにより、基板への処理液の吐出に伴う静電気放電の発生を抑制または防止できる基板処理方法および基板処理システムを提供することである。
この発明の一実施形態は、チャンバーと、前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記チャンバー内に配置された導電部と、前記導電部をアースするアース構造とを含み、処理液を用いて基板を処理する基板処理システムにおいて前記処理液配管内の処理液を除電する方法であって、前記処理液ノズルからの処理液を前記基板の主面に向けて吐出する処理液吐出工程と、前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がることにより、前記処理液配管内の処理液を除電する導電吐出工程を含む、処理液除電方法を提供する。
この方法によれば、処理液吐出工程の非実行時に、吐出口から導電部に向けて処理液が連続流の態様で吐出され、この状態において、吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がる。
これにより、処理液配管内の処理液が正や負に帯電している場合には、処理液配管内の処理液と導電部との間に生じる電位差のために、吐出口と導電部との間で繋がる処理液を介して電子が移動する。
処理液配管内の処理液が負に帯電していると、処理液配管内の処理液に含まれる電子が、処理液を介して導電部に移動し、アース構造を介してそのまま逃がされる。これにより、負に帯電していた、処理液配管内の処理液が除電される。
また、処理液配管内の処理液が正に帯電していると、導電部に含まれる電子が、アース構造および処理液を介して処理液配管内に移動する。処理液配管内の処理液に含まれる電子の数が増加するので、正に帯電していた、処理液配管内の処理液が除電される。
ゆえに、処理液配管内の処理液を良好に除電することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液配管が、タンク内の処理液を循環させる循環配管を含む。そして、前記導電吐出工程により、前記循環配管内の処理液を除電する。
処理液ノズルからの処理液の非吐出時（処理液吐出工程の非実行時）においても、循環配管内において処理液が循環している。そのため、処理液ノズルからの処理液の非吐出時（処理液吐出工程の非実行時）において、循環配管の管壁との間の摩擦に起因して循環配管内の処理液が帯電し易い。
この方法によれば、吐出口から導電部に向けて処理液が連続流の態様で吐出されて吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がることにより、循環配管内の処理液を良好に除電することができる。
前記導電吐出工程が、前記処理液吐出工程に先立って実行されてもよい。前記処理液吐出工程が、前記導電吐出工程の終了後であって、前記循環配管内の処理液の帯電量が飽和する期間の経過前に開始されてもよい。
この発明の一実施形態では、前記処理液除電方法が、前記基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程をさらに含む。そして、前記導電吐出工程が、前記基板保持工程の後にかつ前記処理液吐出工程に先立って実行される。
この方法によれば、基板保持工程の後にかつ処理液吐出工程に先立って導電吐出工程が実行される。導電吐出工程の終了から長時間が経過すると、処理液配管内の処理液に含まれる電荷の量が増加する。
導電吐出工程が基板保持工程の後に実行されるので、導電吐出工程と処理液吐出工程との間隔が短いものと推察され、この場合には、処理液配管内の処理液に含まれる電荷の量は少ない。この場合、処理液吐出工程において、充分に電荷が除去されている状態の処理液を吐出口から吐出することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルが、前記チャンバー内に収容された基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に前記吐出口から吐出された処理液が供給される第１の位置と、前記第１の位置と異なる第２の位置であって前記吐出口から吐出された処理液が前記導電部に供給される第２の位置との間で移動可能である。そして、前記導電吐出工程が、前記処理液ノズルを前記第２の位置に配置した状態で前記吐出口から処理液を吐出する工程を含む。
この方法によれば、導電吐出工程において、処理液ノズルが第２の位置に配置された状態で吐出口から処理液が吐出され、この処理液が導電部に供給される。これにより、導電吐出工程において、吐出口から吐出される処理液を導電部に確実に供給することができる。
この発明の一実施形態は、チャンバーと、前記チャンバー内に収容され、基板を保持する基板保持ユニットと、前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記チャンバー内に配置された導電部と、前記導電部をアースするアース構造とを含み、処理液を用いて前記基板を処理する基板処理システムにおいて実行される基板処理方法であって、前記処理液配管内の処理液を、前記吐出口から前記基板の主面に吐出する処理液吐出工程と、前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がることにより、前記処理液配管内の処理液を除電する導電吐出工程とを含む、基板処理方法を提供する。
この方法によれば、処理液吐出工程の非実行時に、吐出口から導電部に向けて処理液が連続流の態様で吐出され、この状態において、吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がる。処理液配管内の処理液が正や負に帯電している場合には、処理液配管内の処理液と導電部との間に生じる電位差のために、吐出口と導電部との間で繋がる処理液を介して電子が移動する。
処理液配管内の処理液が負に帯電していると、処理液配管内の処理液に含まれる電子が、処理液を介して導電部に移動し、そのまま逃がされる。これにより、負に帯電していた、処理液配管内の処理液が除電される。
また、処理液配管内の処理液が正に帯電していると、導電部に含まれる電子が、処理液を介して処理液配管内に移動する。処理液配管内の処理液に含まれる電子の数が増加するので、正に帯電していた、処理液配管内の処理液が除電される。
以上により、処理液吐出工程において、電荷が除去されている状態の処理液を吐出口から吐出することができる。これにより、基板への処理液の吐出に伴う静電気放電の発生を抑制または防止できる。ゆえに、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記処理液配管が、タンク内の処理液を循環させる循環配管を含む。そして、前記導電吐出工程により、前記循環配管内の処理液を除電する。
処理液ノズルからの処理液の非吐出時（処理液吐出工程の非実行時）においても、循環配管内において処理液が循環している。そのため、処理液ノズルからの処理液の非吐出時（処理液吐出工程の非実行時）において、循環配管の管壁との間の摩擦に起因して循環配管内の処理液が帯電し易い。
この方法によれば、吐出口から導電部に向けて処理液が連続流の態様で吐出されて吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がることにより、循環配管内の処理液を良好に除電することができる。
この発明の一実施形態では、前記導電吐出工程が、前記処理液吐出工程に先立って実行される。
この方法によれば、処理液吐出工程に先立って導電吐出工程が実行される。導電吐出工程の終了から長時間が経過すると、処理液配管内の処理液に含まれる電荷の量が増加する。導電吐出工程と処理液吐出工程との間隔が短い場合には、処理液配管内の処理液に含まれる電荷の量は少ない。この場合、処理液吐出工程において、充分に電荷が除去されている状態の処理液を吐出口から吐出することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理方法が、前記チャンバー内に収容された前記基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程をさらに含む。そして、前記導電吐出工程が、前記基板保持工程の後にかつ前記処理液吐出工程に先立って実行される。
この方法によれば、導電吐出工程が基板保持工程の後に実行されるので、導電吐出工程と処理液吐出工程との間隔が短いものと推察され、この場合には、処理液配管内の処理液に含まれる電荷の量は少ない。この場合、処理液吐出工程において、充分に電荷が除去されている状態の処理液を吐出口から吐出することができる。
前記処理液吐出工程が、前記導電吐出工程の終了後であって、前記循環配管内の処理液の帯電量が飽和する期間の経過前に開始されてもよい。
この発明の一実施形態では、前記処理液吐出工程が、前記導電吐出工程の終了後２０秒未満のうちに開始される。
この方法によれば、前記循環配管内の処理液の帯電量が飽和する期間の経過前に吐出口からの処理液の吐出が開始されるので、電荷がほとんど含まれていない状態の処理液を吐出口から吐出することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルが、前記チャンバー内に収容された前記基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に前記吐出口から吐出された処理液が供給される第１の位置と、前記第１の位置と異なる第２の位置であって前記吐出口から吐出された処理液が前記導電部に供給される第２の位置との間で移動可能である。そして、前記処理液吐出工程が、前記処理液ノズルを前記第１の位置に配置した状態で前記吐出口から処理液を吐出する工程を含む。そして、前記導電吐出工程が、前記処理液ノズルを前記第２の位置に配置した状態で前記吐出口から処理液を吐出する工程を含む。
この方法によれば、処理液吐出工程において、処理液ノズルが第１の位置に配置された状態で吐出口から処理液が吐出され、この処理液が基板の主面に供給される。また、導電吐出工程において、処理液ノズルが第２の位置に配置された状態で吐出口から処理液が吐出され、この処理液が導電部に供給される。これにより、処理液吐出工程において、吐出口から吐出される処理液を基板の主面に確実に供給することができ、かつ導電吐出工程において、吐出口から吐出される処理液を導電部に確実に供給することができる。
この発明の一実施形態は、処理液を用いて基板を処理する基板処理システムであって、チャンバーと、前記チャンバー内に収容され、基板を保持する基板保持ユニットと、前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記チャンバー内に配置された導電部と、前記導電部をアースするアース構造と、前記処理液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、前記制御装置は、前記処理液ノズルからの処理液を前記基板の主面に向けて吐出する処理液吐出工程と、前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がる導電吐出工程とを実行する、基板処理システムを提供する。
この構成によれば、処理液吐出工程の非実行時に、吐出口から導電部に向けて処理液が連続流の態様で吐出され、この状態において、吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がる。処理液配管内の処理液が正や負に帯電している場合には、処理液配管内の処理液と導電部との間に生じる電位差のために、吐出口と導電部との間で繋がる処理液を介して電子が移動する。
処理液配管内の処理液が負に帯電していると、処理液配管内の処理液に含まれる電子が、処理液を介して導電部に移動し、そのまま逃がされる。これにより、負に帯電していた、処理液配管内の処理液が除電される。
また、処理液配管内の処理液が正に帯電していると、導電部に含まれる電子が、アース構造および処理液を介して処理液配管内に移動する。処理液配管内の処理液に含まれる電子の数が増加するので、正に帯電していた、処理液配管内の処理液が除電される。ゆえに、処理液配管内の処理液を良好に除電することができる。
以上により、処理液吐出工程において、電荷が除去されている状態の処理液を吐出口から吐出することができる。これにより、基板への処理液の吐出に伴う静電気放電の発生を抑制または防止できる。ゆえに、基板の主面における損傷の発生を抑制または防止できる。
この発明の一実施形態では、前記処理液配管が、タンク内の処理液を循環させる循環配管を含む。そして、前記制御装置が、前記導電吐出工程において、前記循環配管内の処理液を除電する。
処理液ノズルからの処理液の非吐出時（処理液吐出工程の非実行時）においても、循環配管内において処理液が循環している。そのため、処理液ノズルからの処理液の非吐出時（処理液吐出工程の非実行時）において、循環配管の管壁との間の摩擦に起因して循環配管内の処理液が帯電し易い。
この構成によれば、吐出口から導電部に向けて処理液が連続流の態様で吐出されて吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がることにより、循環配管内の処理液を良好に除電することができる。
この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記処理液吐出工程に先立って前記導電吐出工程を実行する。
この構成によれば、処理液吐出工程に先立って導電吐出工程が実行される。導電吐出工程の終了から長時間が経過すると、処理液配管内の処理液に含まれる電荷の量が増加する。導電吐出工程と処理液吐出工程との間隔が短い場合には、処理液配管内の処理液に含まれる電荷の量は少ない。この場合、処理液吐出工程において、充分に電荷が除去されている状態の処理液を吐出口から吐出することができる。
前記制御装置が、前記処理液吐出工程を、前記導電吐出工程の終了後であって、前記循環配管内の処理液の帯電量が飽和する期間の経過前に開始してもよい。
この発明の一実施形態では、前記制御装置が、前記基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程をさらに実行し、前記制御装置が、前記導電吐出工程を、前記基板保持工程の後にかつ前記処理液吐出工程に先立って実行する。
この構成によれば、導電吐出工程が基板保持工程の後に実行されるので、導電吐出工程と処理液吐出工程との間隔が短いものと推察され、この場合には、処理液配管内の処理液に含まれる電荷の量は少ない。この場合、処理液吐出工程において、充分に電荷が除去されている状態の処理液を吐出口から吐出することができる。
この発明の一実施形態では、前記処理液ノズルが、前記チャンバー内に収容された前記基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に前記吐出口から吐出された処理液が供給される第１の位置と、前記第１の位置と異なる第２の位置であって前記吐出口から吐出された処理液が前記導電部に供給される第２の位置との間で移動可能である。そして、前記制御装置が、前記処理液ノズルを前記第１の位置に配置した状態で前記処理液吐出工程を実行し、前記処理液ノズルを前記第２の位置に配置した状態で前記導電吐出工程を実行する。
この構成によれば、処理液吐出工程において、処理液ノズルが第１の位置に配置された状態で吐出口から処理液が吐出され、この処理液が基板の主面に供給される。また、導電吐出工程において、処理液ノズルが第２の位置に配置された状態で吐出口から処理液が吐出され、この処理液が導電部に供給される。これにより、処理液吐出工程において、吐出口から吐出される処理液を基板の主面に確実に供給することができ、かつ導電吐出工程において、吐出口から吐出される処理液を導電部に確実に供給することができる。
この発明の一実施形態では、前記基板処理システムが、前記基板保持ユニットの側方に配置されて、前記吐出口から吐出される処理液を受け止めるポットをさらに含む。そして、前記導電部が前記ポットに設けられている。
この構成によれば、導電吐出工程において、処理液ノズルから吐出された処理液はポットに受け止められる。導電部がポットに設けられている。そのため、吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がる構成を良好に実現でき、これにより、導電吐出工程において、処理液配管内の処理液を良好に除電することができる。
この発明の一実施形態では、前記ポットが、容器状のポット本体を含み、前記導電部が、前記ポット本体の全体に形成されている。
この構成によれば、導電部がポット本体の全体に形成されているので、吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がる構成を比較的簡単に実現することができる。
この発明の一実施形態では、前記ポットが、容器状のポット本体を含む。そして、前記導電部が、前記ポット本体において、前記吐出口から吐出される処理液の着液位置を含む領域において部分的に設けられている。そして、前記ポット本体における前記導電部を除く部分が、絶縁材料を用いて形成されている。
この構成によれば、ポット本体において、ポット本体における吐出口から吐出される処理液の着液位置を含む領域には導電部が形成されており、その領域を除く部分が、絶縁材料を用いて形成されている。ポット本体の全体を導電部としなくても、吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がる構成を実現することができる。
この発明の一実施形態では、前記ポットが、容器状のポット本体を含み、前記導電部が、前記ポット本体の内部空間内を延びる導電バーを含む。
この構成によれば、吐出口から吐出された処理液が導電バーに供給されることにより、吐出口と導電部とが処理液を介して液として繋がる構成を比較的簡単に実現することができる。
この発明の一実施形態では、前記ポットが、容器状のポット本体と、前記ポット本体の内部空間に向けて前記吐出口から吐出された処理液を溜めることができる貯留部とを含む。そして、前記導電部が、前記ポット本体の内部空間内を延びる導電バーを含む。そして、前記貯留部が、前記貯留部に溜められている処理液が前記導電バーに接液するように設けられている。
この構成によれば、吐出口から吐出された処理液を貯留部に溜めることができ、その溜められている処理液に、導電バーが接液する。これにより、吐出口から吐出される処理液の連続流を介して吐出口と導電部とが液として確実に繋がる構成を実現することができる。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理システムの内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。 図２は、前記基板処理システムに備えられた処理ユニットの構成例を説明するための模式的な図である。 図３は、待機ポットの断面図である。 図４は、前記基板処理システムの主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。 図５は、前記処理ユニットによる基板処理例を説明するための流れ図である。 図６は、ＳＰＭの吐出と、循環配管内のＨ２ＳＯ４の帯電量との関係を示す図である。 図７は、第１の変形例に係る待機ポットの断面図である。 図８は、第２の変形例に係る待機ポットの断面図である。 図９は、第３の変形例に係る待機ポットの断面図である。 図１０は、第４の変形例に係る待機ポットの断面図である。 図１１は、第５の変形例に係る待機ポットの断面図である。 図１２は、第６の変形例に係る待機ポットの断面図である。 図１３は、第７の変形例に係る待機ポットの断面図である。
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理システム１の内部のレイアウトを説明するための図解的な平面図である。基板処理システム１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。
基板処理システム１は、基板Ｗを収容する複数の基板収容器Ｃを保持する複数のロードポートＬＰと、複数のロードポートＬＰから搬送された基板Ｗを薬液等の処理液で処理する複数の処理ユニット２と、複数のロードポートＬＰから複数の処理ユニット２に基板Ｗを搬送する搬送ロボットと、基板処理システム１を制御する制御装置３とを含む。搬送ロボットは、ロードポートＬＰと処理ユニット２との間の経路上で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲと、インデクサロボットＩＲと処理ユニット２との間の経路上で基板Ｗを搬送する基板搬送ロボットＣＲとを含む。
基板処理システム１は、硫酸バルブ３３（図２参照）、過酸化水素水バルブ３９（図２参照）等を収容する複数の流体ボックス４を含む。処理ユニット２および流体ボックス４は、基板処理システム１のフレーム５の中に配置されており、基板処理システム１のフレーム５で覆われている。処理液を貯留する硫酸タンク（タンク）２７等を収容する貯留ボックス６は、図１の例では、基板処理システム１のフレーム５の外に配置されているが、フレーム５の中に収容されていてもよい。貯留ボックス６は、複数の流体ボックス４に対応する１つのボックスであってもよいし、流体ボックス４に一対一対応で設けられた複数のボックスであってもよい。
１２台の処理ユニット２は、平面視において基板搬送ロボットＣＲを取り囲むように配置された４つの塔を形成している。各塔は、上下に積層された３台の処理ユニット２を含む。４台の貯留ボックス６は、それぞれ４つの塔に対応している。同様に、４台の流体ボックス４は、それぞれ４つの塔に対応している。各貯留ボックス６内の硫酸タンク２７に貯留されている薬液は、その貯留ボックス６に対応する流体ボックス４を介して、この貯留ボックス６に対応する３台の処理ユニット２に供給される。
図２は、処理ユニット２の構成例を説明するための模式的な図である。
処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバー７と、チャンバー７内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック（基板保持ユニット）８と、スピンチャック８に保持されている基板Ｗの上面（主面）に薬液を吐出するための薬液ノズル（処理液ノズル）９と、薬液ノズル９に薬液を供給するための薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）１０と、スピンチャック８に保持されている基板Ｗの上面にリンス液を供給するためのリンス液供給ユニット１１と、スピンチャック８を取り囲む筒状の処理カップ１２と、平面視でスピンチャック８の周囲（処理カップ１２の周囲）に配置された待機ポット（ポット）１３と、待機ポット１３をアースするアース構造７３とを含む。図２に示すように、チャンバー７は、箱状の隔壁１４を含む。
スピンチャック８として、基板Ｗを水平方向に挟んで基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックが採用されている。具体的には、スピンチャック８は、スピンモータ１５と、このスピンモータ１５の駆動軸と一体化されたスピン軸１６と、スピン軸１６の上端に略水平に取り付けられた円板状のスピンベース１７とを含む。
スピンベース１７は、基板Ｗの外径よりも大きな外径を有する水平な円形の上面１７ａを含む。スピンベース１７は、たとえば、絶縁材料を用いて形成されている。上面１７ａには、その周縁部に複数個（３個以上。たとえば６個）の挟持部材１８が配置されている。複数個の挟持部材１８は、スピンベース１７の上面周縁部において、基板Ｗの外周形状に対応する円周上で適当な間隔を空けてたとえば等間隔に配置されている。挟持部材１８は、たとえば導電材料を用いて形成されている。挟持部材１８は、アース構造（後述するアース構造７３と同等の構成）を介して、アース接続されている。
薬液ノズル９は、連続流の状態で薬液を吐出するストレートノズルである。薬液ノズル９は、たとえば基板Ｗの上面に垂直な方向に処理液を吐出する垂直姿勢でノズルアーム２２に取り付けられている。薬液ノズル９の下端には、薬液を吐出するための吐出口９ａが設定されている。吐出口９ａは、薬液を下向きに吐出する。すなわち、薬液ノズル９は、下向きノズルである。この実施形態では、薬液ノズル９から吐出される薬液として、ＳＰＭ（硫酸過酸化水素水混合液（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture）。Ｈ２ＳＯ４（硫酸）およびＨ２Ｏ２（過酸化水素水）を含む混合液）が採用されている。
ノズルアーム２２は水平方向に延びており、スピンチャック８の周囲で鉛直方向に延びる回動軸線（図示しない）まわりに揺動可能に設けられている。ノズル移動ユニット２３は、回動軸線まわりにノズルアーム２２を回転させることにより、平面視で基板Ｗの上面中央部を通る軌跡に沿って薬液ノズル９を水平に移動させる。ノズル移動ユニット２３は、薬液ノズル９から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位置（第１の位置）Ｐ１と、薬液ノズル９が平面視でスピンチャック８の周囲に設定された待機位置（第２の位置）Ｐ２との間で、薬液ノズル９を水平に移動させる。この実施形態では、前記の処理位置Ｐ１は、たとえば、薬液ノズル９から吐出された薬液が基板Ｗの上面中央部に着液する中央位置である。
待機位置Ｐ２が、上待機位置Ｐ２１（図３参照）と、上待機位置Ｐ２１の下方に設定された下待機位置Ｐ２２（図３参照）とを含む。ノズル移動ユニット２３は、ノズルアーム２２を昇降させることにより、薬液ノズル９を、上待機位置Ｐ２１と下待機位置Ｐ２２との間で昇降させる。
薬液供給ユニット１０は、薬液ノズル９にＳＰＭ配管（処理液配管）２０を介して接続された混合部２４と、混合部２４にＨ２ＳＯ４を供給する硫酸供給ユニット２５と、混合部２４にＨ２Ｏ２を供給する過酸化水素水供給ユニット２６とを含む。
硫酸供給ユニット２５は、混合部２４に供給されるＨ２ＳＯ４を貯留する硫酸タンク２７と、硫酸タンク２７内のＨ２ＳＯ４を循環させる循環配管（処理液配管）２８と、硫酸タンク２７内のＨ２ＳＯ４を循環配管２８に送る送液装置２９と、硫酸タンク２７から混合部２４に供給されるＨ２ＳＯ４の温度を調節する温度調節器３０と、硫酸タンク２７から混合部２４に供給されるＨ２ＳＯ４中の異物を除去するフィルタ３１と、循環配管２８に一端３２ａが接続され、混合部２４に他端３２ｂが接続された硫酸配管（処理液配管）３２とを含む。硫酸配管３２には、硫酸配管３２を開閉する硫酸バルブ３３が介装されている。
循環配管２８の上流端２８ａおよび下流端２８ｂは、硫酸タンク２７に接続されている。循環配管２８は、硫酸タンク２７内のＨ２ＳＯ４を汲み上げて循環配管２８内に導く供給部３４と、硫酸配管３２の一端３２ａが接続された接続部３５と、接続部３５を通過した硫酸を硫酸タンク２７に導く帰還部３６とを含む。
送液装置２９は、供給部３４に介装されている。送液装置２９は、たとえばポンプである。ポンプは、硫酸タンク２７内のＨ２ＳＯ４を吸い込み、その吸い込んだＨ２ＳＯ４を吐出する。送液装置２９は、硫酸タンク２７内の気圧を上昇させることにより硫酸タンク２７内のＨ２ＳＯ４を循環配管２８に送る加圧装置であってもよい。
温度調節器３０は、供給部３４に介装されている。温度調節器３０は、硫酸タンク２７内に配置されていてもよい。温度調節器３０は、室温（たとえば約２３℃）よりも高い温度から室温よりも低い温度まで範囲内の温度でＨ２ＳＯ４を温度調節（加熱または冷却）する。供給部３４を流れるＨ２ＳＯ４が帰還部３６に供給されて硫酸タンク２７に戻される。硫酸バルブ３３が開かれることにより、供給部３４を流れるＨ２ＳＯ４が混合部２４に供給される。
過酸化水素水供給ユニット２６は、混合部２４に接続され、過酸化水素水供給源（図示しない）からのＨ２Ｏ２が供給される過酸化水素水配管（処理液配管）３８と、過酸化水素水配管３８を開閉するための過酸化水素水バルブ３９とを含む。混合部２４には、温度調節されていない室温（約２５℃）程度のＨ２Ｏ２が、過酸化水素水配管３８を通して供給される。
待機ポット１３は、待機位置Ｐ２に配置された薬液ノズル９から吐出される薬液を受け止めるための箱状のポットである。待機ポット１３の底部には、排出配管７４が接続されている。排出配管７４の管壁は、絶縁材料を用いて形成されている。待機ポット１３に受け止められた薬液は、排出配管７４を介して機外の廃液処理設備（図示しない）に送出される。そのため、待機ポット１３に吐出されるＳＰＭは、基板Ｗに供給されることはない。
リンス液供給ユニット１１は、リンス液ノズル４３を含む。リンス液ノズル４３は、たとえば、連続流の状態で液を吐出するストレートノズルであり、スピンチャック８の上方で、その吐出口を基板Ｗの上面中央部に向けて固定的に配置されている。リンス液ノズル４３には、リンス液供給源からのリンス液が供給されるリンス液配管４４が接続されている。リンス液配管４４の途中部には、リンス液ノズル４３からのリンス液の供給／供給停止を切り換えるためのリンス液バルブ４５が介装されている。リンス液バルブ４５が開かれると、リンス液配管４４からリンス液ノズル４３に供給されたリンス液が、リンス液ノズル４３の下端に設定された吐出口から吐出される。また、リンス液バルブ４５が閉じられると、リンス液配管４４からリンス液ノズル４３へのリンス液の供給が停止される。リンス液は、たとえば脱イオン水（ＤＩＷ）であるが、ＤＩＷに限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
また、リンス液供給ユニット１１は、リンス液ノズル４３を移動させることにより、基板Ｗの上面に対するリンス液の着液位置を基板Ｗの面内で走査させるリンス液ノズル移動装置を備えていてもよい。
処理カップ１２は、スピンチャック８に保持されている基板Ｗよりも外方（回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。処理カップ１２は、たとえば、絶縁材料を用いて形成されている。処理カップ１２は、スピンベース１７の側方を取り囲んでいる。スピンチャック８が基板Ｗを回転させている状態で、処理液が基板Ｗに供給されると、基板Ｗに供給された処理液が基板Ｗの周囲に振り切られる。処理液が基板Ｗに供給されるとき、上向きに開いた処理カップ１２の上端部１２ａは、スピンベース１７よりも上方に配置される。したがって、基板Ｗの周囲に排出された薬液や水などの処理液は、処理カップ１２によって受け止められる。そして、処理カップ１２に受け止められた処理液は、図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
図３は、待機ポット１３の断面図である。
待機ポット１３は、たとえば有底箱状のポット本体５１を含む。ポット本体５１によって、横方向（所定の第１の水平方向Ｄ１）に長い鉤状の内部空間５２が区画されている。ポット本体５１は、内部空間５２に連通する上開口５３および排出口５４を有している。内部空間５２は、上開口５３から連続して鉛直方向に延びる鉛直部分５６と、鉛直部分５６の下端から斜め下方に延びる斜め部分５７と、鉛直部分５６の先端から第１の水平方向Ｄ１に延び、排出口５４に連続する水平部分５８とを含む。
ポット本体５１は、内部空間５２の側方を包囲する側壁６１と、内部空間５２の上面を構成する上壁６２と、内部空間５２の底面を閉塞する底壁６３とを含む。上開口５３が上壁６２に形成され、排出口５４が底壁６３に形成されている。
側壁６１は、鉛直方向に延びる第１の側壁６４と、第１の側壁６４に対し横方向に対向する第２の側壁６５とを含む。第２の側壁６５は、上壁６２から鉛直下方に延びる上側壁６６と、上側壁６６の下端から斜め下方に延びる第１の傾斜壁６７と、第１の傾斜壁６７の下端から所定の第１の水平方向Ｄ１に延びる第１の水平壁６８と、第１の水平壁６８の先端から鉛直方向下方に延びて底壁６３に接続する下側壁６９とを含む。図３の例では、上側壁６６、第１の傾斜壁６７、第１の水平壁６８および下側壁６９は、導電性ＰＥＥＫ等の導電材料を用いて一体に設けられている。
底壁６３は、第１の側壁６４の下端から第１の水平方向Ｄ１に沿って延びる第２の水平壁７０と、上側壁６６の先端から斜め下方に延びる第２の傾斜壁７１と、上側壁６６の下端から第１の水平方向Ｄ１に沿って延びる第３の水平壁７２とを含む。排出口５４が第３の水平壁７２に形成されている。図３の例では、第２の水平壁７０、第２の傾斜壁７１および第３の水平壁７２は、導電性ＰＥＥＫ等の導電材料を用いて一体に設けられている。
上壁６２、第１の側壁６４、上側壁６６および第２の水平壁７０によって鉛直部分５６が区画されている。第１の傾斜壁６７および第２の傾斜壁７１によって斜め部分５７が区画されている。第１の水平壁６８、下側壁６９および底壁６３によって水平部分５８が区画されている。
図３の例では、ポット本体５１（すなわち、側壁６１、上壁６２および底壁６３）は、一体に設けられている。すなわち、ポット本体５１は導電性を有している。この実施形態では、ポット本体５１が導電部を構成している。アース構造７３が、ポット本体５１をアース接続している。
待機ポット１３の排出口５４には、排出配管７４の一端７４ａが接続されている。排出配管７４は、フッ素樹脂（たとえばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）やＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン））等の絶縁材料を用いて形成されている。排出配管７４の他端は、機外の廃液処理設備に他端が接続されている。
薬液ノズル９が下待機位置Ｐ２２に配置されている状態では、薬液ノズル９の下端に形成されている吐出口９ａが、待機ポット１３の上開口５３よりも下方に位置している。後述する導電吐出工程Ｓ３（図５参照）において、下待機位置Ｐ２２に薬液ノズル９が配置されている状態で、プリディスペンスのために吐出口９ａから薬液が吐出される。吐出口９ａから吐出された薬液は、底壁６３の第２の水平壁７０に着液し、第２の傾斜壁７１を伝って排出口５４に向けて流れる。そして、排出口５４に達した薬液は、排出口５４から排出配管７４の内部に流入し、この排出配管７４を廃液処理設備に導かれ、この廃液処理設備において廃液処理される。
具体的には、導電吐出工程Ｓ３において、薬液は、薬液ノズル９の吐出口９ａから待機ポット１３の内部空間５２に向けて連続流の態様で吐出される。吐出口９ａから吐出された薬液は、底壁６３の第２の水平壁７０に着液し、第２の傾斜壁７１を伝って排出口５４に向けて流れる。薬液の吐出状態において、図３に示すように、吐出口９ａから吐出される薬液の連続流を介して吐出口９ａと、導電性を有するポット本体５１とが繋がっている。
具体的には、硫酸バルブ３３（図２参照）および過酸化水素水バルブ３９（図２参照）が同時に開かれることにより、吐出口９ａからＳＰＭが連続流の態様で吐出される。このとき、吐出口９ａから吐出されるＳＰＭの連続流を介して吐出口９ａと、導電性を有するポット本体５１とが繋がっている。
また、各薬液配管内（ＳＰＭ配管２０内、硫酸配管３２内、循環配管２８および過酸化水素水配管３８内）において各薬液（ＳＰＭ、Ｈ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２）は液密状態にある。加えて、硫酸バルブ３３（図２参照）および過酸化水素水バルブ３９（図２参照）の開状態であるために、ＳＰＭ配管２０内と硫酸配管３２内および過酸化水素水配管３８内、ならびに硫酸配管３２と循環配管２８内とは互いに連通している。そのため、各薬液配管内において、薬液は液として繋がっている。
図４は、基板処理システム１の主要部の電気的構成を説明するためのブロック図である。
制御装置３は、たとえばマイクロコンピュータを用いて構成されている。制御装置３はＣＰＵ等の演算ユニット、固定メモリデバイス、ハードディスクドライブ等の記憶ユニット、および入出力ユニットを有している。記憶ユニットは、演算ユニットが実行するコンピュータプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体を含む。記録媒体には、制御装置３に後述する洗浄処理を実行させるようにステップ群が組み込まれている。
制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、スピンモータ１５、ノズル移動ユニット２３、送液装置２９、温度調節器３０等の動作を制御する。また、制御装置３は、予め定められたプログラムに従って、硫酸バルブ３３、過酸化水素水バルブ３９、リンス液バルブ４５等の開閉動作を制御する。
図５は、処理ユニット２による基板処理例を説明するための流れ図である。図１〜図５を参照しながら基板処理例について説明する。
この基板処理例は、基板Ｗの上面（主面）からレジストを除去するレジスト除去処理である。処理ユニット２によって基板Ｗに基板処理例が施されるときには、チャンバー７の内部に、高ドーズでのイオン注入処理後の基板Ｗが搬入される（図５のステップＳ１）。基板の搬入は、薬液ノズル９が待機位置Ｐ２（図３参照）に退避されている状態で行われる。搬入される基板Ｗは、また、前工程（ドライエッチャーによる処理）によって帯電していることが多く、また、基板Ｗの帯電量も多いことがある。
制御装置３は、ノズル等が全てスピンチャック８の上方から退避している状態で、基板Ｗを保持している基板搬送ロボットＣＲ（図１参照）のハンドをチャンバー７の内部に進入させることにより、基板Ｗがその表面（デバイス形成面）を上方に向けた状態でスピンチャック８に受け渡される。
制御装置３は、スピンモータ１５によって基板Ｗの回転を開始させる（図５のステップＳ２。基板回転工程）。基板Ｗは予め定める液処理速度（３００〜１５００ｒｐｍの範囲内で、たとえば５００ｒｐｍ）まで上昇させられ、その液処理速度に維持される。
次に述べるＳＰＭ吐出工程Ｓ４の実行に先立って、導電吐出工程Ｓ３が行われる。
スピンチャック８によって保持されている基板Ｗが帯電していると、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４において基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル９の吐出口９ａからＳＰＭを吐出した際に、基板Ｗの上面とＳＰＭとの接触に伴い、ＳＰＭが着液した箇所またはその近傍で静電気放電が発生するおそれがある。その結果、パターン破壊が生じたり、処理液が放電して基板に損傷を与えたりすることがある。このような基板Ｗの損傷を防止または抑制すべく、この基板処理例では、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４の実行に先立って、薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管２０内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）を除電する導電吐出工程Ｓ３を行い、除電済みのＳＰＭを供給している。
導電吐出工程Ｓ３では、具体的には、制御装置３は、硫酸バルブ３３および過酸化水素水バルブ３９を同時に開く。これにより、図３に示すように、硫酸配管３２の内部を流通するＨ２ＳＯ４が混合部２４に供給されると共に、過酸化水素水配管３８を流通するＨ２Ｏ２が混合部２４に供給される。混合部２４内および硫酸配管３２においてＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが混合され、高温（たとえば、１６０℃）のＳＰＭが生成される。そのＳＰＭが、薬液ノズル９の吐出口９ａから待機ポット１３の内部空間５２に向けて連続流の態様で吐出される。吐出口９ａから吐出されたＳＰＭは、底壁６３の第２の水平壁７０に着液し、第２の傾斜壁７１を伝って排出口５４に向けて流れる。ＳＰＭの吐出状態において、吐出口９ａから吐出されるＳＰＭの連続流を介して吐出口９ａと、導電性を有するポット本体５１とが繋がっている。また、各薬液配管内（ＳＰＭ配管２０内、硫酸配管３２内、循環配管２８および過酸化水素水配管３８内）において各薬液（ＳＰＭ、Ｈ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２）は液密状態にあり、かつＳＰＭ配管２０内と硫酸配管３２内および過酸化水素水配管３８内、ならびに硫酸配管３２と循環配管２８内とは互いに連通している。そのため、各薬液配管内において、薬液は液として繋がっている。したがって、薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管２０内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）が正や負に帯電している場合には、薬液配管内の薬液とポット本体５１との間に生じる電位差のために、吐出口９ａとポット本体５１との間で繋がるＳＰＭを介して電子が移動する。
薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）が負に帯電していると、薬液配管内の薬液に含まれる電子が、薬液を介してポット本体５１に移動し、そのまま逃がされる。これにより、負に帯電していた、薬液配管内の薬液が除電される。
また、薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管２０内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）が正に帯電していると、アース構造７３からの電子が、ポット本体５１、および吐出口９ａとポット本体５１との間で繋がるＳＰＭを介して薬液配管内に移動する。薬液配管内の薬液に含まれる電子の数が増加するので、正に帯電していた、薬液配管内の薬液が除電される。
導電吐出工程Ｓ３は、薬液ノズル９および薬液配管からの薬液のプリディスペンスを兼ねている。薬液ノズル９からの前回のＳＰＭの吐出から長期間が経過している場合には、薬液ノズル９内のＳＰＭや、薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）が温度低下しているおそれがある。また、この場合には、薬液ノズル９のノズル配管の管壁や薬液配管の管壁（ＳＰＭ配管２０の管壁、硫酸配管３２の管壁および過酸化水素水配管３８の管壁）等が温度低下しているおそれもある。薬液のプリディスペンスを行うことにより、温度低下している薬液を薬液ノズル９内や薬液配管内から除去することができ、かつ薬液ノズル９のノズル配管の管壁や薬液配管の管壁等の温度を昇温させることができる。その結果、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４の開始から、所望の高温に温度調整されたＳＰＭを吐出口９ａから吐出させることが可能である。
吐出口９ａからのＳＰＭの吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、硫酸バルブ３３および過酸化水素水バルブ３９を閉じて、吐出口９ａからのＳＰＭの吐出を停止する。
次いで、制御装置３は、ＳＰＭ吐出工程（処理液吐出工程。図５のステップＳ４）を実行する。ＳＰＭ吐出工程Ｓ４の実行に先立って、制御装置３は、ノズル移動ユニット２３を制御して、下待機位置Ｐ２２（図３参照）に配置されている薬液ノズル９を上待機位置Ｐ２１（図３参照）まで上昇させる。また、制御装置３は、薬液ノズル９を待機位置Ｐ２（上待機位置Ｐ２１）から処理位置Ｐ１（図２参照）に移動させ、処理位置Ｐ１に配置させ続ける。
薬液ノズル９が処理位置Ｐ１に配置され、かつ基板Ｗの回転速度が液処理速度に達すると、制御装置３は、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４を実行する。具体的には、制御装置３は、硫酸バルブ３３および過酸化水素水バルブ３９を同時に開く。これにより、硫酸配管３２の内部を流通するＨ２ＳＯ４が混合部２４に供給されると共に、過酸化水素水配管３８を流通するＨ２Ｏ２が混合部２４に供給される。混合部２４内および硫酸配管３２においてＨ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とが混合され、高温（たとえば、１６０℃）のＳＰＭが生成される。そのＳＰＭが、薬液ノズル９の吐出口９ａから吐出され、基板Ｗの上面中央部に着液する。吐出口９ａからのＳＰＭの吐出タイミングは、導電吐出工程Ｓ３の終了後２０秒未満（循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量が飽和しないような期間）の所定のタイミングである。この吐出タイミングにおいて吐出口９ａからＳＰＭが吐出されるように、硫酸バルブ３３および過酸化水素水バルブ３９の開成タイミングが設定されている。
前述のように、導電吐出工程Ｓ３における吐出口９ａからのＳＰＭの吐出により、薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管２０内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）が除電される。また、導電吐出工程Ｓ３の終了後２０秒未満のうちに、吐出口９ａからのＳＰＭの吐出が開始される。そのため、電荷がほとんど含まれていない状態のＳＰＭが吐出口９ａから吐出される。したがって、基板ＷへのＳＰＭの吐出の際に、静電気放電の発生を抑制または防止できる。
基板Ｗの上面中央部に着液したＳＰＭは、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面に沿って外方に流れ、基板Ｗの上面全域を覆うＳＰＭの液膜が基板Ｗ上に形成される。この液膜に含まれるＳＰＭによって、基板Ｗ上のレジストが基板Ｗから除去される。
また、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４において、制御装置３が、ノズル移動ユニット２３を制御して、薬液ノズル９を、基板Ｗの上面の周縁部に対向する周縁位置と、基板Ｗの上面の中央部に対向する中央位置との間で移動するようにしてもよい。この場合、基板Ｗの上面におけるＳＰＭの着液位置を、基板Ｗの上面の全域を走査させることができる。
ＳＰＭの吐出開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、硫酸バルブ３３および過酸化水素水バルブ３９を閉じて、薬液ノズル９からのＳＰＭの吐出を停止させる。
また、制御装置３は、ノズル移動ユニット２３を制御して、処理位置Ｐ１に配置されている薬液ノズル９を上待機位置Ｐ２１（待機位置Ｐ２）まで戻し、かつ降下されて下待機位置Ｐ２２に配置される。
次いで、リンス液を基板Ｗに供給するリンス工程Ｓ５が行われる。具体的には、制御装置３は、リンス液バルブ４５を開いて、基板Ｗの上面中央部に向けてリンス液ノズル４３からリンス液を吐出させる。リンス液ノズル４３から吐出されたリンス液は、ＳＰＭによって覆われている基板Ｗの上面中央部に着液する。基板Ｗの上面中央部に着液したリンス液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて基板Ｗの上面上を基板Ｗの周縁部に向けて流れる。これにより、基板Ｗ上のＳＰＭが、リンス液によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗの上面の全域においてＳＰＭおよびレジスト残渣が洗い流される。リンス工程Ｓ５の開始から予め定める期間が経過すると、制御装置３は、リンス液バルブ４５を閉じて、リンス液ノズル４３からのリンス液の吐出を停止させる。
次いで、基板Ｗを乾燥させるスピンドライ工程（図５のステップＳ６）が行われる。
スピンドライ工程Ｓ６では、具体的には、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４からリンス工程Ｓ５までの回転速度よりも大きい乾燥回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで基板Ｗを加速させ、乾燥回転速度で基板Ｗを回転させる。これにより、大きな遠心力が基板Ｗ上の液に加わり、基板Ｗに付着している液が基板Ｗの周囲に振り切られる。このようにして、基板Ｗから液が除去され、基板Ｗが乾燥する。
そして、基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、スピンチャック８による基板Ｗの回転を停止させる（図５のステップＳ７）。
次いで、チャンバー７内から基板Ｗが搬出される（図５のステップＳ８）。具体的には、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー７の内部に進入させる。そして、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドにスピンチャック８上の基板Ｗを保持させる。その後、制御装置３は、基板搬送ロボットＣＲのハンドをチャンバー７内から退避させる。これにより、表面（デバイス形成面）からレジストが除去された基板Ｗがチャンバー７から搬出される。
なお、図５の基板処理例を、レジスト除去処理ではなく、金属膜が形成された基板の表面から金属膜を除去する金属膜除去処理も含まれる。
図６は、薬液ノズル９からのＳＰＭの吐出と、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量との関係を示す図である。循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量（電位）と、基板Ｗとの表面の電位（すなわち、表面電位）とは略同一視できるため、図６では、計測した表面電位を、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量として表している。この場合、循環配管２８において、炭素電極等の除電構造は採用されていない。ＳＰＭ（導電性の薬液）の吐出状態（Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｄｉｓｐｅｎｓｅ）においては、吐出口９ａ（図２参照）と基板Ｗの上面とが連続流状のＳＰＭで繋がり、この連続流状のＳＰＭ、基板Ｗの上面上に形成されるＳＰＭの液膜、および導電性を有する挟持部材１８を介してアース接続される。そのため、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４が除電される。これに対し、ＳＰＭ（導電性の薬液）の非吐出状態においては、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４が除電されない。
一方、ＳＰＭの吐出状態から非吐出状態への状態変化後においても、循環配管２８内においては処理液が循環している。そのため、ＳＰＭの非吐出状態において、循環配管２８の管壁との間の摩擦に起因して循環配管２８内の処理液が帯電し易い。循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量は徐々に増加し、非吐出状態への状態変化後約２０秒後において、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量帯電量は飽和し、それ以降、その帯電量のまま推移する。すなわち、図６の例では、非吐出状態への状態変化後、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量が飽和するのに要する期間は、約２０秒である。循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量が飽和するのに要する期間は、約２０秒間に限られず、処理対象となる基板Ｗの種類や、基板処理システム１の配置構成等の種々の条件によって、この期間の長さは異なるようになる。
以上によりこの実施形態によれば、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４の非実行時に、吐出口９ａから導電部であるポット本体５１に向けてＳＰＭが連続流の態様で吐出される。この状態において、吐出口９ａから吐出されるＳＰＭの連続流を介して吐出口９ａとポット本体５１とが繋がる。薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管２０内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）が正や負に帯電している場合には、薬液配管内の薬液とポット本体５１との間に生じる電位差のために、吐出口９ａとポット本体５１との間で繋がるＳＰＭを介して電子が移動する。
薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）が負に帯電していると、薬液配管内の薬液に含まれる電子が、薬液を介してポット本体５１に移動し、そのまま逃がされる。これにより、負に帯電していた、薬液配管内の薬液が除電される。
また、薬液配管内の薬液（ＳＰＭ配管２０内のＳＰＭ、硫酸配管３２内のＨ２ＳＯ４、循環配管２８内のＨ２ＳＯ４および過酸化水素水配管３８内のＨ２Ｏ２）が正に帯電していると、アース構造７３からの電子が、ポット本体５１、および吐出口９ａとポット本体５１との間で繋がるＳＰＭを介して、薬液配管内に移動する。薬液配管内の薬液に含まれる電子の数が増加するので、正に帯電していた、薬液配管内の薬液が除電される。
以上により、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４において、電荷が除去されている状態のＳＰＭを吐出口９ａから吐出することができる。これにより、基板ＷへのＳＰＭの吐出に伴う静電気放電の発生を抑制または防止できる。ゆえに、基板Ｗの表面における損傷の発生を抑制または防止できる。
また、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４に先立って導電吐出工程Ｓ３が実行される。導電吐出工程Ｓ３の終了から薬液配管内の薬液に含まれる電荷量の増加が開始する。そのため、導電吐出工程Ｓ３の終了から長時間が経過している場合には、薬液配管内の薬液に含まれる電荷の量は多いが、導電吐出工程Ｓ３とＳＰＭ吐出工程Ｓ４との間隔が短い場合には、薬液配管内の薬液に含まれる電荷の量は少ない。この場合、ＳＰＭ吐出工程Ｓ４において、充分に電荷が除去されている状態の処理液を吐出口９ａから吐出することができる。そして、この実施形態のように、導電吐出工程Ｓ３の終了後約２０秒未満のうち（循環配管２８内のＨ２ＳＯ４の帯電量が飽和しないような期間）に、吐出口９ａからの薬液の吐出が開始される場合には、電荷がほとんど含まれていない状態の薬液を吐出口９ａから吐出することができる。
以上この発明の一実施形態について説明したが、この発明は、他の形態で実施することもできる。
たとえば、図７に示す第１の変形例のように、ポット本体５１の一部分が導電性を有し、他の部分が絶縁性を有していてもよい。図７の例では、底壁６３（第２の水平壁７０）のうち、待機位置Ｐ２に配置されている薬液ノズル９の吐出口９ａから吐出される薬液が着液する着液位置ＰＬを含む部分に、導電性を有する導電部１０１が設けられている。導電部１０１は、導電性ＰＥＥＫ等の導電材料を用いて形成されている。導電部１０１が、アース構造７３を介してアース接続されている。ポット本体５１のうち導電部１０１を除く部分は、絶縁部１０２である。絶縁部１０２は、フッ素樹脂（たとえばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）やＰＦＡ（パーフルオロアルコキシエチレン））等の絶縁材料を用いて形成されている。
導電吐出工程Ｓ３（図５参照）において、薬液ノズル９が待機位置Ｐ２（下待機位置Ｐ２２）に配置されている状態で吐出口９ａから薬液が吐出される。吐出口９ａから吐出された薬液は、導電部１０１に着液し、底壁６３の第２の水平壁７０から第２の傾斜壁７１を伝って排出口５４に向けて流れる。薬液の吐出状態において、図７に示すように、吐出口９ａから吐出される薬液の連続流を介して吐出口９ａと導電部１０１とが繋がっている。
第１の変形例では、ポット本体５１において、着液位置ＰＬを含む領域に導電部１０１が形成されており、導電部１０１を除く領域は絶縁部１０２とされている。ポット本体５１の全体を導電部としなくても、吐出口９ａと導電部１０１とが薬液を介して液として繋がる構成を実現することができる。ポット本体５１の全体を導電部としないので、コストダウンを図ることができる。
また、図８に示す第２の変形例のように、内部空間５２内を延びる導電バー２０１が設けられていてもよい。導電バー２０１は、図８の例では、棒状をなし、水平方向（たとえば、第１の水平方向Ｄ１）に延びている。導電バー２０１は、炭素材料を用いて形成されている。導電バー２０１が、アース構造７３を介してアース接続されている。
導電吐出工程Ｓ３（図５参照）において、薬液ノズル９が待機位置Ｐ２（下待機位置Ｐ２２）に配置されている状態で吐出口９ａから薬液が吐出される。吐出口９ａから吐出された薬液は、導電バー２０１に供給される。薬液の吐出状態において、図８に示すように、吐出口９ａから吐出される薬液の連続流を介して吐出口９ａと導電バー２０１とが繋がっている。これにより、吐出口９ａと導電部とが薬液を介して液として繋がる構成を実現することができる。この場合、図８に示すように、ポット本体５１を、絶縁材料を用いて形成することも可能である。これにより、コストダウンを図ることが可能である。また、ポット本体５１が導電材料を用いて形成されていてもよい。
また、図９に示す第３の変形例のように、内部空間５２において、吐出口９ａから吐出された薬液を溜めることができる貯留部３０２が設けられていてもよい。また、内部空間５２内を延びる導電バー３０１が設けられていてもよい。この場合、貯留部３０２に溜められている薬液が導電バー３０１に接液するようになっていてもよい。
導電バー３０１は、図９の例では、棒状をなし、水平方向（たとえば、第１の水平方向Ｄ１）に延びている。導電バー３０１は、炭素材料を用いて形成されている。導電バー３０１が、アース構造７３を介してアース接続されている。
導電吐出工程Ｓ３（図５参照）において、薬液ノズル９が待機位置Ｐ２（下待機位置Ｐ２２）に配置されている状態で吐出口９ａから薬液が吐出される。吐出口９ａから吐出された薬液は、貯留部３０２によって貯留される。薬液の吐出状態において、図９に示すように、吐出口９ａから吐出される薬液の連続流、および貯留部３０２によって貯留されている薬液を介して、吐出口９ａと導電バー３０１とが繋がっている（液としてつながっている）。これにより、吐出口９ａと導電部とが液として繋がる構成を比較的簡単に実現することができる。しかも、吐出口９ａと導電部とを、より確実に液として繋げることもできる。
また、第３の変形例において、図９に示すように、ポット本体５１を、絶縁材料を用いて形成することも可能である。これにより、コストダウンを図ることが可能である。また、ポット本体５１が導電材料を用いて形成されていてもよい。
また、図１０に示す第４の変形例が、前述の実施形態（たとえば図３参照）と相違する点は、薬液ノズル９が、下向きノズルでなく、吐出口９ｂから斜め下方に向けて薬液を吐出する斜め下向きノズルによって構成されている点である。薬液ノズル９が待機位置Ｐ２（下待機位置Ｐ２２）に配置されている状態で吐出口９ｂから薬液が吐出される。
導電吐出工程Ｓ３（図５参照）において、薬液は、薬液ノズル９の吐出口９ｂから待機ポット１３の内部空間５２に向けて連続流の態様で吐出される。吐出口９ｂから吐出された薬液は、第２の側壁６５の上側壁６６に着液する。その後、底壁６３の第２の水平壁７０に落液した薬液は、第２の傾斜壁７１を伝って排出口５４に向けて流れる。薬液の吐出状態において、図１０に示すように、吐出口９ｂから吐出される薬液の連続流を介して吐出口９ｂと導電性を有するポット本体５１とが繋がっている。これにより、薬液ノズル９が斜め下向きノズルを含む場合であっても、吐出口９ｂと導電部とが薬液を介して液として繋がる構成を実現することができる。
また、図１１に示す第５の変形例は、第４の変形例を第１の変形例に組み合わせた構成である。図１２に示す第６の変形例は、第４の変形例を第２の変形例に組み合わせた構成である。図１３に示す第７の変形例は、第４の変形例を第３の変形例に組み合わせた構成である。図１１〜図１３において、図７〜図１０の場合と同等の参照符号を付し、説明を省略する。
また、前述の基板処理例において、導電吐出工程Ｓ３は、基板Ｗの回転開始後に実行されているとして説明したが、導電吐出工程Ｓ３の途中において基板Ｗが回転開始されてもよいし、基板Ｗの回転開始前に導電吐出工程Ｓ３が実行されてもよいし、スピンチャックによる基板Ｗの保持前（すなわち、チャンバー７内への基板Ｗの搬入前）に導電吐出工程Ｓ３が実行されてもよい。但し、これらの場合において、吐出口９ａからのＳＰＭの吐出タイミングは、導電吐出工程Ｓ３の終了後２０秒未満のうちの所定のタイミングであることが望ましい。
また、前述の実施形態において、Ｈ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合を薬液ノズル９の上流側にＳＰＭ配管２０を介して接続された混合部２４において行う配管混合タイプのものを例に挙げて説明したが、薬液ノズル９の内部においてＨ２ＳＯ４およびＨ２Ｏ２の混合を行うノズル混合タイプのものを採用してもよい。
また、待機ポット１３に導電部を設ける場合を例に挙げて説明したが、導電部を、他の部材に設けてもよい。たとえば、処理カップ１２の一部（吐出口９ａ，９ｂからの薬液の着液位置ＰＬを含む部分）または全部を、導電材料を用いて形成して導電部を設け、この導電部にアース構造（アース構造７３）をアース接続させるようにしてもよい。処理カップ１２の本体の一部（吐出口９ａ，９ｂからの薬液の着液位置ＰＬを含む部分）または全部を、導電材料を用いて形成して導電部を設け、この導電部にアース構造（アース構造７３）をアース接続させる。そして、導電吐出工程（図５のＳ３）において、吐出口９ａ，９ｂからこの導電部に向けてＳＰＭを連続流の態様で吐出することにより、吐出口９ａ，９ｂとこの導電部とを連続流状のＳＰＭを介して液として繋がらせてもよい。
また、スピンベース１７の本体の一部（吐出口９ａ，９ｂからの薬液の着液位置ＰＬを含む部分）または全部を、導電材料を用いて形成して導電部を設け、この導電部にアース構造（アース構造７３）をアース接続させるようにしてもよい。スピンベース１７の一部（吐出口９ａ，９ｂからの薬液の着液位置ＰＬを含む部分）または全部を、導電材料を用いて形成して導電部を設け、この導電部にアース構造（アース構造７３）をアース接続させる。そして、導電吐出工程（図５のＳ３）において、吐出口９ａ，９ｂからこの導電部に向けてＳＰＭを連続流の態様で吐出することにより、吐出口９ａ，９ｂとこの導電部とを連続流状のＳＰＭを介して液として繋がらせてもよい。
さらには、導電吐出工程（図５のＳ３）において、吐出口９ａ，９ｂから導電性を有する挟持部材１８に向けてＳＰＭを連続流の態様で吐出することにより、吐出口９ａ，９ｂと挟持部材１８とを連続流状のＳＰＭを介して液として繋がらせてもよい。
また、薬液としてＳＰＭを用いる場合を例に挙げたが、薬液は、導電性を有する導電性薬液であってもよい。導電性薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水の少なくとも１つを含む液であってもよい。
また、処理液ノズル（薬液ノズル９）から吐出される導電性の処理液は、導電性薬液だけでなく、機能水であってもよい。機能水は、たとえば炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水および希釈濃度（たとえば、１０ｐｐｍ〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
１ ：基板処理システム
３ ：制御装置
７ ：チャンバー
８ ：スピンチャック（基板保持ユニット）
９ ：薬液ノズル（処理液ノズル）
９ａ ：吐出口
９ｂ ：吐出口
１０ ：薬液供給ユニット（処理液供給ユニット）
１３ ：待機ポット（ポット）
２０ ：ＳＰＭ配管（処理液配管）
２７ ：硫酸タンク（タンク）
２８ ：循環配管（処理液配管）
３２ ：硫酸配管（処理液配管）
３８ ：過酸化水素水配管（処理液配管）
５１ ：ポット本体
７３ ：アース構造
１０１ ：導電部
２０１ ：導電バー
３０１ ：導電バー
３０２ ：貯留部

Claims (14)

  1. チャンバーと、前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記チャンバー内に配置された導電部と、前記導電部をアースするアース構造とを含み、処理液を用いて基板を処理する基板処理システムにおいて前記処理液配管内の処理液を除電する方法であって、
    前記処理液ノズルからの処理液を前記基板の主面に向けて吐出する処理液吐出工程と、
    前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がることにより、前記処理液配管内の処理液を除電する導電吐出工程とを含み、
    前記処理液供給ユニットが、前記処理液ノズルに供給される処理液を溜めておくタンクをさらに有し、
    前記処理液配管が、前記タンク内の処理液を循環させる循環配管を含み、
    前記導電吐出工程が、前記循環配管内の処理液を除電する工程を含み、
    前記導電吐出工程が、前記処理液吐出工程に先立って実行され、
    前記処理液吐出工程が、前記導電吐出工程の終了後であって、前記循環配管内の処理液の帯電量が飽和する期間の経過前に開始される、処理液除電方法。
  2. 前記チャンバー内に収容された基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程をさらに含み、
    前記導電吐出工程が、前記基板保持工程の後にかつ前記処理液吐出工程に先立って実行される、請求項１に記載の処理液除電方法。
  3. 前記導電吐出工程が、前記処理液ノズルを、前記吐出口から吐出された処理液が前記チャンバー内に収容された基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に供給される第１の位置と異なる第２の位置に配置した状態で前記吐出口から処理液を吐出する工程を含む、請求項１または２に記載の処理液除電方法。
  4. チャンバーと、前記チャンバー内に収容され、基板を保持する基板保持ユニットと、前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、前記チャンバー内に配置された導電部と、前記導電部をアースするアース構造とを含み、処理液を用いて前記基板を処理する基板処理システムにおいて実行される基板処理方法であって、
    前記処理液配管内の処理液を、前記吐出口から前記基板の主面に吐出する処理液吐出工程と、
    前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がることにより、前記処理液配管内の処理液を除電する導電吐出工程とを含み、
    前記処理液供給ユニットが、前記処理液ノズルに供給される処理液を溜めておくタンクをさらに有し、
    前記処理液配管が、前記タンク内の処理液を循環させる循環配管を含み、
    前記導電吐出工程が、前記循環配管内の処理液を除電する工程を含み、
    前記導電吐出工程が、前記処理液吐出工程に先立って実行される工程を含み、
    前記処理液吐出工程が、前記導電吐出工程の終了後であって、前記循環配管内の処理液の帯電量が飽和する期間の経過前に開始される、基板処理方法。
  5. 前記チャンバー内に収容された前記基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程をさらに含み、
    前記導電吐出工程が、前記基板保持工程の後にかつ前記処理液吐出工程に先立って実行される、請求項４に記載の基板処理方法。
  6. 前記処理液吐出工程が、前記処理液ノズルを、前記吐出口から吐出された処理液が前記チャンバー内に収容された前記基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に供給される第１の位置に配置した状態で前記吐出口から処理液を吐出する工程を含み、
    前記導電吐出工程が、前記処理液ノズルを、前記第１の位置と異なる第２の位置に配置した状態で前記吐出口から処理液を吐出する工程を含む、請求項４または５に記載の基板処理方法。
  7. 処理液を用いて基板を処理する基板処理システムであって、
    チャンバーと、
    前記チャンバー内に収容され、前記基板を保持する基板保持ユニットと、
    前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、
    前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    前記チャンバー内に配置された導電部と、
    前記導電部をアースするアース構造と、
    前記処理液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
    前記制御装置が、
    前記処理液ノズルからの処理液を前記基板の主面に向けて吐出する処理液吐出工程と、
    前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がる導電吐出工程とを実行し、
    前記処理液供給ユニットが、前記処理液ノズルに供給される処理液を溜めておくタンクをさらに有し、
    前記処理液配管が、前記タンク内の処理液を循環させる循環配管を含み、
    前記制御装置が、前記導電吐出工程において、前記循環配管内の処理液を除電し、
    前記制御装置が、前記処理液吐出工程に先立って前記導電吐出工程を実行し、
    前記制御装置が、前記処理液吐出工程を、前記導電吐出工程の終了後であって、前記循環配管内の処理液の帯電量が飽和する期間の経過前に開始する、基板処理システム。
  8. 前記制御装置が、前記基板保持ユニットによって基板を保持する基板保持工程をさらに実行し、
    前記制御装置が、前記導電吐出工程を、前記基板保持工程の後にかつ前記処理液吐出工程に先立って実行する、請求項７に記載の基板処理システム。
  9. 前記処理液ノズルが、前記チャンバー内に収容された前記基板保持ユニットによって保持されている基板の主面に前記吐出口から吐出された処理液が供給される第１の位置と、前記第１の位置と異なる第２の位置であって前記吐出口から吐出された処理液が前記導電部に供給される第２の位置との間で移動可能であり、
    前記制御装置が、
    前記処理液ノズルを前記第１の位置に配置した状態で前記処理液吐出工程を実行し、前記処理液ノズルを前記第２の位置に配置した状態で前記導電吐出工程を実行する、請求項７または８に記載の基板処理システム。
  10. 前記基板保持ユニットの側方に配置されて、前記吐出口から吐出される処理液を受け止めるポットをさらに含み、
    前記導電部が前記ポットに設けられている、請求項７〜９のいずれか一項に記載の基板処理システム。
  11. 前記ポットが、容器状のポット本体を含み、
    前記導電部が、前記ポット本体の全体に形成されている、請求項１０に記載の基板処理システム。
  12. 処理液を用いて基板を処理する基板処理システムであって、
    チャンバーと、
    前記チャンバー内に収容され、前記基板を保持する基板保持ユニットと、
    前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、
    前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    前記チャンバー内に配置された導電部と、
    前記導電部をアースするアース構造と、
    前記基板保持ユニットの側方に配置されて、前記吐出口から吐出される処理液を受け止めるポットと、
    前記処理液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
    前記制御装置が、
    前記処理液ノズルからの処理液を前記基板の主面に向けて吐出する処理液吐出工程と、
    前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がる導電吐出工程とを実行し、
    前記ポットが、容器状のポット本体を含み、
    前記導電部が、前記ポット本体において、前記吐出口から吐出される処理液の着液位置を含む領域において部分的に設けられており、
    前記ポット本体における前記導電部を除く部分が、絶縁材料を用いて形成されている、基板処理システム。
  13. 処理液を用いて基板を処理する基板処理システムであって、
    チャンバーと、
    前記チャンバー内に収容され、前記基板を保持する基板保持ユニットと、
    前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、
    前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    前記チャンバー内に配置された導電部と、
    前記導電部をアースするアース構造と、
    前記基板保持ユニットの側方に配置されて、前記吐出口から吐出される処理液を受け止めるポットと、
    前記処理液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
    前記制御装置が、
    前記処理液ノズルからの処理液を前記基板の主面に向けて吐出する処理液吐出工程と、
    前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がる導電吐出工程とを実行し、
    前記ポットが、容器状のポット本体を含み、
    前記導電部が、前記ポット本体の内部空間内を延びる導電バーを含む、基板処理システム。
  14. 処理液を用いて基板を処理する基板処理システムであって、
    チャンバーと、
    前記チャンバー内に収容され、前記基板を保持する基板保持ユニットと、
    前記チャンバー内に収容され、吐出口を有する処理液ノズルと、
    前記吐出口に内部が連通する処理液配管を有し、前記処理液ノズルに処理液を供給する処理液供給ユニットと、
    前記チャンバー内に配置された導電部と、
    前記導電部をアースするアース構造と、
    前記基板保持ユニットの側方に配置されて、前記吐出口から吐出される処理液を受け止めるポットと、
    前記処理液供給ユニットを制御する制御装置とを含み、
    前記制御装置が、
    前記処理液ノズルからの処理液を前記基板の主面に向けて吐出する処理液吐出工程と、
    前記処理液吐出工程の非実行時に、前記吐出口から前記導電部に向けて処理液を連続流の態様で吐出する導電吐出工程であって、前記吐出口と前記導電部とが処理液を介して液として繋がる導電吐出工程とを実行し、
    前記ポットが、容器状のポット本体と、前記ポット本体の内部空間に向けて前記吐出口から吐出された処理液を溜めることができる貯留部とを含み、
    前記導電部が、前記ポット本体の内部空間内を延びる導電バーを含み、
    前記貯留部が、前記貯留部に溜められている処理液が前記導電バーに接液するように設けられている、基板処理システム。
JP2017146897A 2017-07-28 2017-07-28 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム Active JP6876570B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017146897A JP6876570B2 (ja) 2017-07-28 2017-07-28 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム
PCT/JP2018/024696 WO2019021741A1 (ja) 2017-07-28 2018-06-28 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム
TW107122557A TWI695425B (zh) 2017-07-28 2018-06-29 處理液除電方法、基板處理方法以及基板處理系統

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017146897A JP6876570B2 (ja) 2017-07-28 2017-07-28 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2019029492A JP2019029492A (ja) 2019-02-21
JP6876570B2 true JP6876570B2 (ja) 2021-05-26

Family

ID=65040057

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017146897A Active JP6876570B2 (ja) 2017-07-28 2017-07-28 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6876570B2 (ja)
TW (1) TWI695425B (ja)
WO (1) WO2019021741A1 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6593910B1 (ja) * 2019-06-18 2019-10-23 慶孝 大友 テラヘルツ電磁波照射効果の実証装置
JP7194623B2 (ja) * 2019-03-25 2022-12-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7297591B2 (ja) * 2019-08-09 2023-06-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置およびその製造方法
JP7312656B2 (ja) * 2019-09-24 2023-07-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP7364460B2 (ja) 2019-12-25 2023-10-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR102651516B1 (ko) * 2021-12-31 2024-03-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4738033B2 (ja) * 2005-03-23 2011-08-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2007214347A (ja) * 2006-02-09 2007-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電子デバイスの洗浄装置及び電子デバイスの洗浄方法
JP4776030B2 (ja) * 2007-03-30 2011-09-21 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2010087326A (ja) * 2008-10-01 2010-04-15 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP5666183B2 (ja) * 2010-07-20 2015-02-12 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP6587865B2 (ja) * 2014-09-30 2019-10-09 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6489479B2 (ja) * 2015-03-26 2019-03-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6496171B2 (ja) * 2015-03-30 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6407829B2 (ja) * 2015-09-30 2018-10-17 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法
JP6542393B2 (ja) * 2016-01-05 2019-07-10 富士フイルム株式会社 処理液、基板の洗浄方法および半導体デバイスの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI695425B (zh) 2020-06-01
WO2019021741A1 (ja) 2019-01-31
TW201911400A (zh) 2019-03-16
JP2019029492A (ja) 2019-02-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6876570B2 (ja) 処理液除電方法、基板処理方法および基板処理システム
KR102027725B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
CN110364431B (zh) 基板处理方法及基板处理装置
KR101833684B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
US10211075B2 (en) Apparatus and method for treating a substrate
US20080308131A1 (en) Method and apparatus for cleaning and driving wafers
TWI636158B (zh) Substrate processing method and substrate processing device
TWI723347B (zh) 基板處理方法及基板處理裝置
US20170076938A1 (en) Substrate processing method, substrate processing apparatus, and storage medium
JP2019061988A (ja) 薬液生成方法、薬液生成装置および基板処理装置
KR102271110B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN107437516B (zh) 基板处理装置及基板处理方法
JP2003188138A (ja) 液処理方法及び液処理装置
TWI578390B (zh) Substrate processing method and substrate processing device
KR20180108733A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR101939905B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7066471B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
CN111095494A (zh) 基板处理方法及基板处理装置
KR102664177B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20240162032A1 (en) Substrate treatment method and substrate treatment apparatus
KR102415323B1 (ko) 노즐 유닛 및 기판 처리 장치
JP2023144107A (ja) 基板処理装置、および基板処理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20200622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210105

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210308

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210401

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210426

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6876570

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE

Ref document number: 6876570

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250