JP3715846B2 - 基板メッキ装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体ウエハ、液晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用ガラス基板などの基板に銅を主成分とする電解メッキ液などのメッキ液を供給してメッキ処理を行う基板メッキ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
図3は、従来の基板メッキ装置の全体構成を示す図である。
【0003】
この従来の基板メッキ装置は、メッキ層を形成する処理面WFを上方に向けてウエハWを保持する保持機構101を備えている。
【0004】
この保持機構101は、電動モータ102に連動連結されており、鉛直方向の軸芯回りで回転される回転軸103の上部にウエハWよりも大径の円板状のベース部材104が一体回転可能に連結されている。ウエハWは、ベース部材104上に載置されており、またベース部材104の周縁部上に3つ以上設けられた保持部材105がウエハWの周縁部を保持している。
【0005】
ベース部材104は導電性の材料で形成されている。このベース部材104に設けられた回転軸103との連結部104aには、給電ブラシ106によって、保持機構1の回転中でもブラシ給電されるようになっている。なお、回転軸103は絶縁部103aによって上部と下部とが電気的に絶縁されており、給電ブラシ106からの給電が電動モータ102に影響しないように構成されている。
【0006】
各保持部材105は、鉛直方向の軸芯周りで回転可能であり、ウエハWの周縁部を係止する。また、各保持部材105のウエハWを係止する部分には陰電極107が設けられ、この陰電極107だけが、図示の省略された導線等により給電ブラシ106と導通している。ウエハWが各保持部材105に係止されて保持されると、ウエハWの処理面WFと陰電極107とが電気的に接続されてウエハWの処理面WFだけに通電される。
【0007】
保持機構101の上方には、下方が開口され、保持機構101の上部を覆う有蓋円筒状の上部カップ110が設けられている。この上部カップ110は図示しない昇降機構によって上下方向に昇降可能に構成されている。また、複数の孔121が形成され、保持機構101に保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置されるように円板状の陽電極114が上部カップ110の開口に配設されている。上部カップ110の内側壁及び天井面と陽電極114の上面とにより、電解メッキ液を収容するための液保持空間123が形成される。
【0008】
給電ブラシ106は、電源ユニット115の陰極側に接続され、陽電極114は電源ユニット115の陽極側に接続されている。したがって、ウエハWの処理面WFは、陰電極107だけがベース部材104と導通させる導通部(図示省略)、ベース部材104、連結部104a、給電ブラシ106、導線116を介して陰極となり、陽電極114は導線117を介して陽極となるように給電される。
【0009】
また、上部カップ110の天井部分には電解メッキ液の供給口124が設けられ、この供給口124から、まず、液保持空間123に電解メッキ液が供給される。次に、陽電極114に形成された複数の孔121からウエハWの処理面WFに電解メッキ液が供給さる。
【0010】
この供給口124には、以下のような電解メッキ液供給機構130により電解メッキ液がウエハWの処理面WFへ供給されるようになっている。
【0011】
すなわち、供給口124には、貯溜タンク131内の電解メッキ液Qを供給するための供給管132が接続されている。供給管132には、上流側から貯溜タンク131内の電解メッキ液Qを送液するポンプ133や開閉弁134が設けられている。また、供給管132の途中には、帰還管135が分岐されている。帰還管135の先端は貯溜タンク131に接続され、帰還管135の途中には開閉弁136が設けられている。
【0012】
また、貯溜タンク131内には、液補充管137が接続されている。貯溜タンク131内の電解メッキ液Qの貯溜量が減少すると、図示しない液補充機構によって液補充管137を介して貯溜タンク131に電解メッキ液が補充される。
【0013】
なお、ウエハWに対するメッキ処理は、駆動モータ102を駆動させてウエハWを回転させつつ、陰電極107と陽電極114との間を給電した状態で、陽電極114に形成された複数の孔121から電解メッキ液を直接ウエハWの処理面WFに供給することによって行われる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来の基板メッキ装置では、陽電極114に形成された複数の孔121を通して電解メッキ液を直接ウエハWの処理面WFへ供給しているので、電解メッキ液の銅イオンの濃度が孔121付近において非常に高くなるとともに孔の形状が上下方向に直線なので孔121の直下に電解メッキ液が多く供給される。また、孔121の電流の集中により電流密度が孔121付近において高くなる。そのため、図4に示すように、孔121直下の部分のメッキ層の薄膜が厚くなり、均一な膜厚のメッキ層を得ることができないという問題がある。
【0015】
また、孔121付近の陽電極114が電解メッキ液中へ溶出するので、処理時間とともに孔121が大きくなり、電解メッキ液の孔121からウエハWへ供給される吐出抵抗が小さくなることも均一な膜厚のメッキ層を得ることができない原因となっている。
【0016】
本発明は、かかる事情を鑑みてなされたものであり、基板の処理面に均一にメッキ液を供給でき、かつ膜厚のメッキ層を形成する基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明の基板メッキ装置は、基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板を上方から覆うカップと、前記カップ内に設けられ、前記基板保持手段によって保持された基板の上方に基板の処理面に対向して配置された第1電極と、前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、前記カップ内において前記基板保持手段と前記第1電極との間に配置され、メッキ液を通す複数の孔を有する板状部材と、前記カップ内において前記第1電極と前記板状部材との間に位置する吐出口から前記カップと前記板状部材の上面との間で形成される第1空間にメッキ液を供給する供給手段と、前記カップ内の天井面に形成され、前記第1空間を排気するための排気手段と、を備え、前記第1空間の下方に、前記カップと前記板状部材の下面と前記基板保持手段とにより第2空間が形成され、前記第1電極は、上側に位置する中央部から下側に位置する周辺部へ傾斜されている傾斜構造を有しており、前記排気手段は、前記カップ内の天井面中央部近傍に形成されたことを特徴とするものである。
【0018】
また、本発明の基板メッキ装置は、基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板を上方から覆うカップと、前記カップ内に設けられ、前記基板保持手段によって保持された基板の上方に基板の処理面に対向して配置された第1電極と、前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、前記カップ内において前記基板保持手段と前記第1電極との間に配置され、メッキ液を通す複数の孔を有する板状部材と、前記カップ内において前記第1電極と前記板状部材との間に位置する吐出口から前記カップと前記板状部材の上面との間で形成される第1空間にメッキ液を供給する供給手段と、前記カップ内の天井面に形成され、前記第1空間を排気するための排気手段と、を備え、前記第1空間の下方に、前記カップと前記板状部材の下面と前記基板保持手段とにより第2空間が形成され、前記第1電極は、下側に位置する中央部から上側に位置する周辺部へ傾斜されている傾斜構造を有しており、前記排気手段は、前記カップ内の天井面周辺部近傍に形成されたことを特徴とするものである。
【0022】
また、本発明の基板メッキ装置は、基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、基板を保持する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持された基板を上方から覆うカップと、前記カップ内に設けられ、前記基板保持手段によって保持された基板の上方に基板の処理面に対向して配置された第1電極と、前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、前記カップ内において前記基板保持手段と前記第1電極との間に配置され、メッキ液を通す複数の孔を有する板状部材と、前記第1電極と前記板状部材との間にメッキ液を供給する供給手段と、を備え、前記第1電極は、前記カップ内の天井面に対して傾斜された傾斜構造を有することを特徴とするものである。
【0023】
また、本発明の基板メッキ装置は、請求項に記載の基板メッキ装置であって、前記傾斜構造は、前記第1電極の上側に位置する中央部から下側に位置する周辺部へ傾斜されていることを特徴とするものである。
【0024】
また、本発明の基板メッキ装置は、請求項に記載の基板メッキ装置であって、前記傾斜構造は、前記第1電極の下側に位置する中央部から上側に位置する周辺部へ傾斜されていることを特徴とするものである。
【0025】
本発明の基板メッキ装置は、請求項1乃至請求項のいずれかに記載の基板メッキ装置であって、前記第1電極に装着されたフィルタをさらに備えたことを特徴とするものである。
本発明の基板メッキ装置は、請求項1乃至請求項のいずれかに記載の基板メッキ装置であって、前記第1電極に装着された透過膜をさらに備えたことを特徴とするものである。
【0026】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
以下、図面を参照して本発明の第1の実施の形態を説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の全体構成を示す図である。
【0027】
この基板メッキ装置は、メッキ層を形成する処理面WFを上方に向けて基板の一種であるウエハWを保持する保持機構1を備えている。
【0028】
この保持機構1は、電動モータ2に連動連結されており、鉛直方向の軸芯周りで回転される回転軸3の上部にウエハWよりも大径の円板状のベース部材4が一体回転可能に連結され、ベース部材4の上面周辺部にウエハWの周縁部を保持する保持部材5が3つ以上設けられている。
【0029】
ベース部材4は、導電性の材料で形成されている。このベース部材4に設けられた回転軸3との連結部4aには、給電ブラシ6によって、保持機構1の回転中でもブラシ給電されるようになっている。なお、回転軸3は絶縁部3aによって上部と下部とが電気的に絶縁されており、給電ブラシ6からの給電が電動モータ2に影響しないように構成されている。
【0030】
各保持部材5は、鉛直方向の軸芯周りで回転可能であり、この軸芯から離れた外周部にウエハWを係止するための凹部5aが形成されている。また、各保持部材5は凹部5aの天井面側に設けられた第2電極(カソード電極)となる陰電極7だけが図示を省略された導線等により給電ブラシ6と導通するようになっており、ウエハWが各保持部材5に係止されて保持されると、ウエハWの処理面WFと陰電極7とが電気的に接続されてウエハWの処理面WFだけに通電される。
【0031】
保持機構1は、第1昇降機構8によって上下方向に昇降可能である。この第1昇降機構8は、ボールネジなどで構成される周知の1軸方向駆動機構によって実現されている。
【0032】
保持機構1の上方には、下方が開口され、保持機構1の上部を覆う有蓋円筒状の上部カップ10が設けられている。この上部カップ10も周知の1軸方向駆動機構によって実現された第2昇降機構11によって上下方向に昇降可能である。第1昇降機構8及び第2昇降機構11によって保持機構1と上部カップ10とが近接され、保持機構1のベース部材4の上面と上部カップ10の下端部とが閉じ合わされることにより、保持機構1に保持されたウエハWの上部に電解メッキ液を貯溜するメッキ処理空間12が形成される。また、上部カップ10の下端部にはシール部材13が設けられ、銅メッキ処理を行うための銅メッキ液などの電解メッキ液を充填する際に、ベース部材4の上面と上部カップ10の下端部との接合部分から電解メッキ液が漏れ出ないようになっている。なお、後述する仕切り板22によって上部カップ10内には、上側には、液保持空間となる第1空間12a、下側には第2空間12bがそれぞれ形成され、メッキ処理空間12が上下に2分されている。
【0033】
上部カップ10の天井には、保持機構1に保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置されるように、第1電極(アノード電極)となる陽電極14が配設されている。この陽電極14は、リング状の構造をしており、中央部が上側の位置、周辺部が下側の位置になるように、中央部から周辺部へ傾斜されている傾斜構造を有している。また、陽電極14の周囲には、0.5μm程度の濾過性能を有するフィルタFが装着されている。なお、フィルタFの代わりにイオン交換膜などの電解メッキ液を通過させる透過膜でもよい。
【0034】
給電ブラシ6は、電源ユニット15の陰極側に接続され、陽電極14は電源ユニット15の陽極側に接続されている。したがって、ウエハWの処理面WFは、陰電極7だけがベース部材4と導通させる導電部(図示省略)、ベース部材4、連結部4a、給電ブラシ6、導線16を介して陰極となり、陽電極14は、導線17を介して陽極となるように給電される。
【0035】
上部カップ10内のメッキ処理空間12には、陽電極14の下方に位置させて複数の微小開口孔21が形成された仕切り板22が設けられ、この仕切り板22と、陽電極14の側方及び上方を囲う上部カップ10の内側壁及び天井面とによって第1空間12aが形成され、この第1空間12a内に陽電極14が収容された状態にする。
【0036】
また、上部カップ10の中央部の天井部分に電解メッキ液の供給口24を設け、この供給口24と連通するかたちで、メッキ液供給ノズル25が設けられている。このメッキ液供給ノズル25には、第1空間12a内に電解メッキ液を供給するための吐出口25aが、陽電極14より下方の位置に形成されている。
【0037】
そして、電解メッキ液は、メッキ処理空間12内においては、以下のようにして流れている。まず、供給口24とメッキ液供給ノズル25の吐出口25aとを介して第1空間12aに電解メッキ液が供給される。次に、仕切り板22に形成された微小開口孔21から第2空間12bに電解メッキ液が均等に供給される。その後、第2空間12bに電解メッキ液が満たされ、ウエハWの表面に対して電解メッキ処理が行われる。
【0038】
電解メッキ処理が終了すると、第1空間12aへの電解メッキ液の供給を停止するとともに、第2空間12b内の電解メッキ液を排出しても、電解メッキ液の表面張力により、第1空間12aの電解メッキ液が仕切り板22に形成された微小開口孔21から下方に排出されることが防止され、陽電極14が電解メッキ液内に浸漬された状態を常時維持することができる。
【0039】
なお、仕切り板22に形成する微小開口孔21の孔径は、第1空間12a内の電解メッキ液が微小開口孔21から下方へ排出されないような電解メッキ液の表面張力が得られる孔径とし、電解メッキ液の粘度や仕切り板22の材質などに応じて設定される。
【0040】
上部カップ10の中央部近傍の天井面には、第1空間12a内と大気と連通させて、第1空間12a内に電解メッキ液を供給できるようにするために、排気手段に相当するエア抜き部26が設けられている。そして、このエア抜き部26からのエア抜きの制御は、開閉弁27の開閉制御により行われる。
【0041】
上部カップ10の天井部分に設けられた電解メッキ液の供給口24には、以下のような電解メッキ液供給機構30により電解メッキ液が供給されるようになっている。
【0042】
すなわち、供給口24は、貯溜タンク31内の電解メッキ液Qを供給する供給管32が接続されている。供給管32には、貯溜タンク31内の電解メッキ液Qを送液するポンプ33、0.05〜0.1μm程度のフィルタ39、及び開閉弁34が設けられているとともに、供給管32の途中には、帰還管35が分岐されている。帰還管35の先端は貯溜タンク31に接続され、帰還管35の途中には、開閉弁36が設けられている。
【0043】
基板メッキ装置を稼動している際には、常時ポンプ33を駆動させている。第1空間12aに電解メッキ液Qを供給しないときには、開閉弁34を開、開閉弁36を閉に切り換えて、供給口24に電解メッキ液Qをすぐに供給できるようにしている。なお、供給管32の一部と帰還管35とを介した電解メッキ液Qの循環中に図示しない温度調整機構により電解メッキ液Qの温度を所定温度範囲に維持するように温調したり、図示しない濃度調整機構により電解メッキ液Qの濃度を所定濃度範囲に維持するようにしてもよい。
【0044】
貯溜タンク31には液補充管37や回収管38も接続されている。貯溜タンク31内の電解メッキ液Qの貯溜量が減少すると、図示しない液補充機構によって液補充管37を介して電解メッキ液Qが貯溜タンク31に補充される。また、後述する液回収部40に形成された電解メッキ液回収部41によって電解メッキ処理中に回収された電解メッキ液Qは回収管38を介して貯溜タンク31へ戻される。
【0045】
保持機構1の周囲には、電解メッキ液回収部41と洗浄液回収部42とが形成されるとともに、電解メッキ液回収部41の回収口43と洗浄液回収部42の回収口44とが上下方向に設けられた液回収部40が固設されている。
【0046】
この液回収部40は、円筒状の内壁45と、円筒状の仕切り壁46と、円筒状の外壁47と、仕切り壁46の上部に設けられた傾斜部48と、外壁47の上部に設けられた傾斜部49とを備えている。内壁45と、仕切り壁46及び傾斜部48の内側面とによって囲まれる空間が洗浄液回収部42となり、仕切り壁46及び傾斜部48の外側面と、外壁47及び傾斜部49とによって囲まれる空間が電解メッキ液回収部41となっている。また、内壁45の上端部と傾斜部48の先端部との間の開口が洗浄液回収部42の回収口44となり、傾斜部48の先端部と傾斜部49の先端部との間の開口が電解メッキ液回収部41の回収口43となっている。
【0047】
電解メッキ処理時は、第1昇降機構8によって液回収部40に対して保持機構1が昇降されて液回収部40に形成され電解メッキ液回収部41の回収口43を保持機構1の周囲に位置させ、保持機構1及びそれによって保持されたウエハWの回転に伴って保持機構1及びウエハWの周囲に飛散される電解メッキ液Qが電解メッキ液回収部41の回収口43を介して傾斜部49の内側面で受け止められ、電解メッキ液回収部41へ回収される。なお、電解メッキ液回収部41の底部には、回収管38に接続された液排出口50が設けられ、電解メッキ液回収部41で回収された電解メッキ液Qは液排出口50、回収管38を介して貯溜タンク31へ戻される。
【0048】
また、洗浄処理時と乾燥処理時は、第1昇降機構8によって液回収部40に対して保持機構1が昇降されて液回収部40に形成された洗浄液回収部42の回収口44を保持機構1の周囲に位置させ、保持機構1及びウエハWの回転に伴って保持機構1及びウエハWの周囲に飛散される洗浄液が洗浄液回収部42の回収口44を介して傾斜部48の内側面で受け止められ、洗浄液回収部42で回収される。なお、洗浄液回収部42の底部には、廃棄管51に接続された液排出口52が設けられ、洗浄液回収部42で回収された洗浄液は液排出口52、廃棄管51を介して廃棄される。
【0049】
この基板メッキ装置の各部の制御は図示を省略した制御部によって行われる。この制御部は各部を制御し基板メッキ装置を作動させてウエハWの処理面WFにメッキ層を形成する。
【0050】
以上の構成より明らかなように、この発明の第1の実施の態様によれば以下のような効果が得られる。
【0051】
一旦吐出口25aから第1空間12aに電解メッキ液が供給された後、仕切り板22に形成された微小開口孔21から第2空間12b内へ電解メッキ液を供給して保持機構1に保持されたウエハWの処理面WFに供給しているので、電解メッキ液の銅イオンの濃度などの影響を受けることはなく、電解メッキ液を充分に分散してウエハWの処理面WFに電解メッキ液を供給できる。また、仕切り板22は、陽電極14と保持機構1に保持されたウエハWとの間に設けられているので、この仕切り板22で電流のショートパスを防止でき、電流密度を均一にすることができる。その結果、ウエハWの処理面WFに均一な膜厚のメッキ層を形成することができる。
【0052】
また、陽電極14と仕切り板22との間の位置において、メッキ液供給ノズル25の吐出口25aから電解メッキ液を第1空間12a内へ供給しているので、障害物などが何もない状態で、仕切り板22の上面に均一に電解メッキ液が供給され、その結果、ウエハWの処理面WFに均一な電解メッキ液の供給を行うことができる。
【0053】
また、陽電極14にフィルタまたはイオン交換膜などのような透過膜を装着しているので、陽電極14の溶解物であるスライムがウエハWの処理面WFに供給されるのを防止することができる。したがって、ウエハWの処理面WFにスライムの付着、もしくは陽電極14に吸着している電解メッキ液中の添加剤等の一時的な大量離脱が原因の離脱成分の付着による膜質の悪化を防止することができる。
【0054】
また、陽電極14の周りの電解メッキ液Qを保持する液保持空間となる第1空間12aを備えたので、陽電極14が電解メッキ液Q内に浸漬された状態を常時維持することができる。したがって、陽電極14が大気にさらされることを防止でき、陽電極14の表面に形成された被膜層が流れ出たり変質したりすることなどを防止できて、再現性のある電解メッキ処理を実施することができる。
【0055】
また、上部カップ10の天井面には、第1空間12a内と大気と連通させて、排出手段となるエア抜き部26が設けられているので、第1空間12a内の気体を排出することができる。特に、この陽電極14をリング状の構造にするとともに、陽電極14が中央部が上側の位置、周辺部が下側の位置になるように、中央部から周辺部へ傾斜されている傾斜構造を有しており、上部カップ10の中央部近傍の天井面にエア抜き部26を形成すれば、傾斜構造等により効果的に、気体を第1空間14aから排出することができる。
【0056】
(第2の実施の形態)
なお、本発明は上述した第1の実施の形態に限定されるものではなく、以下のような第2の実施の形態も可能である。図2は、本発明の第2の実施の形態に係る基板メッキ装置の全体構成を示す図である。
【0057】
この基板メッキ装置は、メッキ層を形成する処理面WFを上方に向けて基板の一種であるウエハWを保持する保持機構1を備えている。
【0058】
この保持機構1は、電動モータ2に連動連結されており、鉛直方向の軸芯周りで回転される回転軸3の上部にウエハWよりも大径の円板状のベース部材4が一体回転可能に連結され、ベース部材4の上面周辺部にウエハWの周縁部を保持する保持部材5が3つ以上設けられている。
【0059】
ベース部材4は、導電性の材料で形成されている。このベース部材4に設けられた回転軸3との連結部4aには、給電ブラシ6によって、保持機構1の回転中でもブラシ給電されるようになっている。なお、回転軸3は絶縁部3aによって上部と下部とが電気的に絶縁されており、給電ブラシ6からの給電が電動モータ2に影響しないように構成されている。
【0060】
各保持部材5は、鉛直方向の軸芯周りで回転可能であり、この軸芯から離れた外周部にウエハWを係止するための凹部5aが形成されている。また、各保持部材5は凹部5aの天井面側に設けられた第2電極(カソード電極)となる陰電極7だけが図示を省略した導線等により給電ブラシ6と導通するようになっており、ウエハWが各保持部材5に係止されて保持されると、ウエハWの処理面WFと陰電極7とが電気的に接続されてウエハWの処理面WFだけに通電される。
【0061】
保持機構1は、第1昇降機構8によって上下方向に昇降可能である。この第1昇降機構8は、ボールネジなどで構成される周知の1軸方向駆動機構によって実現されている。
【0062】
保持機構1の上方には、下方が開口され、保持機構1の上部を覆う有蓋円筒状の上部カップ10が設けられている。この上部カップ10も周知の1軸方向駆動機構によって実現された第2昇降機構11によって上下方向に昇降可能である。第1昇降機構8及び第2昇降機構11によって保持機構1と上部カップ10とが近接され、保持機構1のベース部材4の上面と上部カップ10の下端部とが閉じ合わされることにより、保持機構1に保持されたウエハWの上部に電解メッキ液を貯溜するメッキ処理空間12が形成される。また、上部カップ10の下端部にはシール部材13が設けられ、銅メッキ処理を行うための銅メッキ液などの電解メッキ液を充填する際に、ベース部材4の上面と上部カップ10の下端部との接合部分から電解メッキ液が漏れ出ないようになっている。なお、後述する仕切り板22によって上部カップ10内には、上側には、液保持空間となる第1空間12a、下側には第2空間12bがそれぞれ形成され、メッキ処理空間12が上下に2分されている。
【0063】
上部カップ10の天井には、保持機構1に保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置されるように、第1電極(アノード電極)となる陽電極14が配設されている。この陽電極14は、中央部が下側の位置、周辺部が上側の位置になるように、周辺部から中央部へ傾斜されている傾斜構造を有している。また、陽電極14の周囲には、0.5μm程度の濾過性能を有するフィルタFが装着されている。なお、フィルタFの代わりにイオン交換膜などの電解メッキ液を通過させる透過膜でもよい。
【0064】
給電ブラシ6は、電源ユニット15の陰極側に接続され、陽電極14は電源ユニット15の陽極側に接続されている。したがって、ウエハWの処理面WFは、陰電極7だけがベース部材4と導通させる導電部(図示省略)、ベース部材4、連結部4a、給電ブラシ6、導線16を介して陰極となり、陽電極14は、導線17を介して陽極となるように給電される。
【0065】
上部カップ10内のメッキ処理空間12には、陽電極14の下方に位置させて複数の微小開口孔21が形成された仕切り板22が設けられ、この仕切り板22と、陽電極14の側方及び上方を囲う上部カップ10の側壁及び天井面とによって第1空間12aが形成され、この第1空間12a内に陽電極14が収容された状態にする。
【0066】
また、上部カップ10の中央部の天井部分に電解メッキ液の供給口24を設け、この供給口24と連通するかたちで、陽電極14の下側にメッキ液供給ノズル25が設けられている。このメッキ液供給ノズル25には、第1空間12a内に電解メッキ液を供給するための吐出口25aが、陽電極14より下方の位置に形成されている。
【0067】
そして、電解メッキ液は、メッキ処理空間12内においては、以下のようにして流れている。まず、供給口24とメッキ液供給ノズル25の吐出口25aとを介して第1空間12aに電解メッキ液が供給される。次に、仕切り板22に形成された微小開口孔21から第2空間12bに電解メッキ液が均等に供給される。その後、第2空間12bに電解メッキ液が満たされ、ウエハWの表面に対して電解メッキ処理が行われる。
【0068】
電解メッキ処理が終了すると、第1空間12aへの電解メッキ液の供給を停止するとともに、第2空間12b内の電解メッキ液を排出しても、電解メッキ液の表面張力により、第1空間12aの電解メッキ液が仕切り板22に形成された微小開口孔21から下方に排出されることが防止され、陽電極14が電解メッキ液内に浸漬された状態を常時維持することができる。
【0069】
なお、仕切り板22に形成する微小開口孔21の孔径は、第1空間12a内の電解メッキ液が微小開口孔21から下方に排出されないような電解メッキ液の表面張力が得られる孔径とし、電解メッキ液の粘度や仕切り板22の材質などに応じて設定される。
【0070】
上部カップ10の周辺部近傍の天井面には、第1空間12a内と大気と連通させて、第1空間12a内に電解メッキ液を供給できるようにするために、排気手段に相当するエア抜き部26が設けられている。そして、このエア抜き部26からのエア抜きの制御は、開閉弁27の開閉制御により行われる。
【0071】
上部カップ10の天井部分に設けられた電解メッキ液の供給口24には、以下のような電解メッキ液供給機構30により電解メッキ液が供給されるようになっている。
【0072】
すなわち、供給口24は、貯溜タンク31内の電解メッキ液Qを供給する供給管32が接続されている。供給管32には、貯溜タンク31内の電解メッキ液Qを送液するポンプ33、0.05〜0.1μm程度のフィルタ39、及び開閉弁34が設けられているとともに、供給管32の途中には、帰還管35が分岐されている。帰還管35の先端は貯溜タンク31に接続され、帰還管35の途中には、開閉弁36が設けられている。
【0073】
基板メッキ装置を稼動している際には、常時ポンプ33を駆動させている。第1空間12aに電解メッキ液Qを供給しないときには、開閉弁34を開、開閉弁36を閉に切り換えて、供給口24に電解メッキ液Qをすぐに供給できるようにしている。なお、供給管32の一部と帰還管35とを介した電解メッキ液Qの循環中に図示しない温度調整機構により電解メッキ液Qの温度を所定温度範囲に維持するように温調したり、図示しない濃度調整機構により電解メッキ液Qの濃度を所定濃度範囲に維持するようにしてもよい。
【0074】
貯溜タンク31には液補充管37や回収管38も接続されている。貯溜タンク31内の電解メッキ液Qの貯溜量が減少すると、図示しない液補充機構によって液補充管37を介して電解メッキ液Qが貯溜タンク31に補充される。また、後述する液回収部40に形成された電解メッキ液回収部41によって電解メッキ処理中に回収された電解メッキ液Qは回収管38を介して貯溜タンク31へ戻される。
【0075】
保持機構1の周囲には、電解メッキ液回収部41と洗浄液回収部42とが形成されるとともに、電解メッキ液回収部41の回収口43と洗浄液回収部42の回収口44とが上下方向に設けられた液回収部40が固設されている。
【0076】
この液回収部40は、円筒状の内壁45と、円筒状の仕切り壁46と、円筒状の外壁47と、仕切り壁46の上部に設けられた傾斜部48と、外壁47の上部に設けられた傾斜部49とを備えている。内壁45と、仕切り壁46及び傾斜部48の内側面とによって囲まれる空間が洗浄液回収部42となり、仕切り壁46及び傾斜部48の外側面と、外壁47及び傾斜部49とによって囲まれる空間が電解メッキ液回収部41となっている。また、内壁45の上端部と傾斜部48の先端部との間の開口が洗浄液回収部42の回収口44となり、傾斜部48の先端部と傾斜部49の先端部との間の開口が電解メッキ液回収部41の回収口43となっている。
【0077】
電解メッキ処理時は、第1昇降機構8によって液回収部40に対して保持機構1が昇降されて液回収部40に形成され電解メッキ液回収部41の回収口43を保持機構1の周囲に位置させ、保持機構1及びそれによって保持されたウエハWの回転に伴って保持機構1及びウエハWの周囲に飛散される電解メッキ液Qが電解メッキ液回収部41の回収口43を介して傾斜部49の内側面で受け止められ、電解メッキ液回収部41へ回収される。なお、電解メッキ液回収部41の底部には、回収管38に接続された液排出口50が設けられ、電解メッキ液回収部41で回収された電解メッキ液Qは液排出口50、回収管38を介して貯溜タンク31へ戻される。
【0078】
また、洗浄処理時と乾燥処理時は、第1昇降機構8によって液回収部40に対して保持機構1が昇降されて液回収部40に形成された洗浄液回収部42の回収口44を保持機構1の周囲に位置させ、保持機構1及びウエハWの回転に伴って保持機構1及びウエハWの周囲に飛散される洗浄液が洗浄液回収部42の回収口44を介して傾斜部48の内側面で受け止められ、洗浄液回収部42で回収される。なお、洗浄液回収部42の底部には、廃棄管51に接続された液排出口52が設けられ、洗浄液回収部42で回収された洗浄液は液排出口52、廃棄管51を介して廃棄される。
【0079】
この基板メッキ装置の各部の制御は図示を省略した制御部によって行われる。この制御部は各部を制御し基板メッキ装置を作動させてウエハWの処理面WFにメッキ層を形成する。
【0080】
以上の構成より明らかなように、この発明の第の実施の態様によれば以下のような効果が得られる。
【0081】
一旦吐出口25aから第1空間12aに電解メッキ液が供給された後、仕切り板22に形成された微小開口孔21から第2空間12b内へ電解メッキ液を供給して保持機構1に保持されたウエハWの処理面WFに供給しているので、電解メッキ液の銅イオンの濃度などの影響を受けることはなく、電解メッキ液を充分に分散してウエハWの処理面WFに電解メッキ液を供給できる。また、仕切り板22は、陽電極14と保持機構1に保持されたウエハWとの間に設けられているので、この仕切り板22で電流のショートパスを防止でき、電流密度を均一にすることができる。その結果、ウエハWの処理面WFに均一な膜厚のメッキ層を形成することができる。
【0082】
また、陽電極14と仕切り板22との間の位置において、メッキ液供給ノズル25の吐出口25aから電解メッキ液を第1空間12a内へ供給しているので、障害物などが何もない状態で、仕切り板22の上面に均一に電解メッキ液が供給され、その結果、ウエハWの処理面WFに均一な電解メッキ液の供給を行うことができる。
【0083】
また、陽電極14にフィルタまたはイオン交換膜などのような透過膜を装着しているので、陽電極14の溶解物であるスライムがウエハWの処理面WFに供給されるのを防止することができる。したがって、ウエハWの処理面WFにスライムの付着、もしくは陽電極14に吸着している電解メッキ液中の添加剤等の一時的な大量離脱が原因の離脱成分の付着による膜質の悪化を防止することができる。
【0084】
また、陽電極14の周りの電解メッキ液Qを保持する液保持空間となる第1空間12aを備えたので、陽電極14が電解メッキ液Q内に浸漬された状態を常時維持することができる。したがって、陽電極14が大気にさらされることを防止でき、陽電極14の表面に形成された被膜層が流れ出たり変質したりすることなどを防止できて、再現性のある電解メッキ処理を実施することができる。
【0085】
また、上部カップ10の天井面には、第1空間12a内と大気と連通させて、排出手段となるエア抜き部26が設けられているので、第1空間12a内の気体を排出することができる。特に、この陽電極14が中央部が側の位置、周辺部が側の位置になるように、中央部から周辺部へ傾斜されている傾斜構造を有しており、上部カップ10の周辺部近傍の天井面にエア抜き部26を形成すれば、傾斜構造等により効果的に、気体を第1空間14aから排出することができる。
【0086】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の基板メッキ装置によれば、カップ内に設けられ、基板保持手段によって保持された基板の上方に基板の処理面に対向して配置された第1電極と、カップ内において配置され、メッキ液を通す複数の孔を有する板状部材との間に位置する吐出口から、供給手段はメッキ液を供給するので、板状部材の上面に何の障害もなくメッキ液を供給でき、その結果、基板の処理面に均一にメッキ液を供給でき、メッキ層を均一に形成できる。また、第1電極がカップ内の天井面に対して傾斜されているので、気体を効果的に排出することができる。
【0087】
また、本発明の基板メッキ装置によれば、カップ内に設けられ、基板保持手段によって保持された基板の上方に基板の処理面に対向して配置された第1電極と、メッキ液を通す複数の孔を有する板状部材との間に、供給手段はメッキ液を供給するので、板状部材の上面に何の障害もなくメッキ液を供給でき、その結果、基板の処理面に均一にメッキ液を供給でき、メッキ層を均一に形成できる。また、第1電極がカップ内の天井面に対して傾斜された傾斜構造を有するので、気体を効果的に排出することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の全体構成を示す図である。
【図2】本発明の第2の実施の形態に係る基板メッキ装置の全体構成を示す図である。
【図3】従来の基板メッキ装置の全体構成を示す図である。
【図4】従来の基板メッキ装置における陽電極の孔とメッキ層の膜厚分布との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 保持機構
4 ベース部材
5 保持部材
6 給電ブラシ
7 陰電極(カソード電極)
10 上部カップ
12 メッキ処理空間
12a 第1空間(液保持空間)
12b 第2空間
14 陽電極(アノード電極)
15 電源ユニット
16 導線
17 導線
18 孔
21 微小開口孔
22 仕切り板
24 供給口
25 メッキ液供給ノズル
25a 吐出口
F フィルタ
WF 処理面
W ウエハ

Claims (7)

  1. 基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、
    基板を保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板を上方から覆うカップと、
    前記カップ内に設けられ、前記基板保持手段によって保持された基板の上方に基板の処理面に対向して配置された第1電極と、
    前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、
    前記カップ内において前記基板保持手段と前記第1電極との間に配置され、メッキ液を通す複数の孔を有する板状部材と、
    前記カップ内において前記第1電極と前記板状部材との間に位置する吐出口から前記カップと前記板状部材の上面との間で形成される第1空間にメッキ液を供給する供給手段と、
    前記カップ内の天井面に形成され、前記第1空間を排気するための排気手段と、
    を備え
    前記第1空間の下方に、前記カップと前記板状部材の下面と前記基板保持手段とにより第2空間が形成され、
    前記第1電極は、上側に位置する中央部から下側に位置する周辺部へ傾斜されている傾斜構造を有しており、
    前記排気手段は、前記カップ内の天井面中央部近傍に形成されたことを特徴とする基板メッキ装置。
  2. 基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、
    基板を保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板を上方から覆うカップと、
    前記カップ内に設けられ、前記基板保持手段によって保持された基板の上方に基板の処理面に対向して配置された第1電極と、
    前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、
    前記カップ内において前記基板保持手段と前記第1電極との間に配置され、メッキ液を通す複数の孔を有する板状部材と、
    前記カップ内において前記第1電極と前記板状部材との間に位置する吐出口から前記カップと前記板状部材の上面との間で形成される第1空間にメッキ液を供給する供給手段と、
    前記カップ内の天井面に形成され、前記第1空間を排気するための排気手段と、
    を備え、
    前記第1空間の下方に、前記カップと前記板状部材の下面と前記基板保持手段とにより第2空間が形成され、
    前記第1電極は、下側に位置する中央部から上側に位置する周辺部へ傾斜されている傾斜構造を有しており、
    前記排気手段は、前記カップ内の天井面周辺部近傍に形成されたことを特徴とする基板メッキ装置。
  3. 基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置であって、
    基板を保持する基板保持手段と、
    前記基板保持手段に保持された基板を上方から覆うカップと、
    前記カップ内に設けられ、前記基板保持手段によって保持された基板の上方に基板の処理面に対向して配置された第1電極と、
    前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続された第2電極と、
    前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れるように給電する給電手段と、
    前記カップ内において前記基板保持手段と前記第1電極との間に配置され、メッキ液を通す複数の孔を有する板状部材と、
    前記第1電極と前記板状部材との間にメッキ液を供給する供給手段と、
    を備え、
    前記第1電極は、前記カップ内の天井面に対して傾斜された傾斜構造を有することを特徴とする基板メッキ装置。
  4. 請求項3に記載の基板メッキ装置であって、
    前記傾斜構造は、前記第1電極の上側に位置する中央部から下側に位置する周辺部へ傾斜されていることを特徴とする基板メッキ装置。
  5. 請求項3に記載の基板メッキ装置であって、
    前記傾斜構造は、前記第1電極の下側に位置する中央部から上側に位置する周辺部へ傾斜されていることを特徴とする基板メッキ装置。
  6. 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の基板メッキ装置であって、
    前記第1電極に装着されたフィルタをさらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
  7. 請求項1乃至請求項5のいずれかに記載の基板メッキ装置であって、
    前記第1電極に装着された透過膜をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
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