JP2000313990A - 基板メッキ装置 - Google Patents

基板メッキ装置

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JP2000313990A
JP2000313990A JP11119042A JP11904299A JP2000313990A JP 2000313990 A JP2000313990 A JP 2000313990A JP 11119042 A JP11119042 A JP 11119042A JP 11904299 A JP11904299 A JP 11904299A JP 2000313990 A JP2000313990 A JP 2000313990A
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substrate
wafer
electrolytic plating
positive electrode
plating solution
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JP11119042A
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English (en)
Inventor
Yusuke Muraoka
祐介 村岡
Sadao Hirae
貞雄 平得
Hideaki Matsubara
英明 松原
Nobuyuki Ichieda
信之 市枝
Hiromi Murayama
博美 村山
Yukihiro Takamura
幸宏 高村
Mikio Masuichi
幹雄 増市
Masahiro Miyagi
雅宏 宮城
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】基板の処理面に均一な膜厚のメッキ層を得る。 【解決手段】ウエハWにメッキ処理を行う基板メッキ装
置であって、ウエハWを保持する保持機構1と、保持機
構1に保持されたウエハWの処理面WFの上方において
ウエハWの処理面WFに対向して配置され、かつ電解メ
ッキ液を通すための複数の微小開口孔21を有する仕切
り板22と、仕切り板22の上方の位置において保持機
構1保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置さ
れた陽電極14と、保持機構1に保持されたウエハWに
電気的に接続された陰電極7と、陽電極14の上方の位
置に設けられ、陽電極14の上面へ電解メッキ液を供給
する供給口24とを備える。陽電極14と陰電極7との
間で電流が流れるように給電する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハ、液
晶表示用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光デ
ィスク用ガラス基板などの基板に銅メッキ液などのメッ
キ液を供給してメッキ処理を行う基板メッキ装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】図4は、従来の基板メッキ装置の全体構
成を示す図である。
【0003】この従来の基板メッキ装置は、メッキ層を
形成する処理面WFを上方に向けてウエハWを保持する
保持機構101を備えている。
【0004】この保持機構101は、電動モータ102
に連動連結されており、鉛直方向の軸芯回りで回転され
る回転軸103の上部にウエハWよりも大径の円板状の
ベース部材104が一体回転可能に連結されている。ウ
エハWは、ベース部材104上に載置されており、また
ベース部材104の周縁部上に3つ以上設けられた保持
部材105がウエハWの周縁部を保持している。
【0005】ベース部材104は導電性の材料で形成さ
れている。このベース部材104に設けられた回転軸1
03との連結部104aには、給電ブラシ106によっ
て、保持機構1の回転中でもブラシ給電されるようにな
っている。なお、回転軸103は絶縁部103aによっ
て上部と下部とが電気的に絶縁されており、給電ブラシ
106からの給電が電動モータ102に影響しないよう
に構成されている。
【0006】各保持部材105は、鉛直方向の軸芯周り
で回転可能であり、ウエハWの周縁部を係止する。ま
た、各保持部材105のウエハWを係止する部分には陰
電極107が設けられ、この陰電極107だけが、給電
ブラシ106と導通している。ウエハWが各保持部材1
05に係止されて保持されると、ウエハWの処理面WF
と陰電極107とが電気的に接続されてウエハWの処理
面WFだけに通電される。
【0007】保持機構101の上方には、下方が開口さ
れ、保持機構101の上部を覆う有蓋円筒状の上部カッ
プ110が設けられている。この上部カップ110は図
示しない昇降機構によって上下方向に昇降可能に構成さ
れている。複数の孔121が形成され、保持機構101
に保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置され
るように円板状の陽電極114が上部カップ110の開
口に配設されている。上部カップ110の側壁及び天井
面と陽電極114の上面とにより、電解メッキ液を収容
するための液保持空間123が形成される。
【0008】給電ブラシ106は、電源ユニット115
の陰極側に接続され、陽電極114は電源ユニット11
5の陽極側に接続されている。したがって、ウエハWの
処理面WFは、陰電極107だけがベース部材104と
導通させる導通部(図示省略)、ベース部材104、連
結部104a、給電ブラシ106、導線116を介して
陰極となり、陽電極114は導線117を介して陽極と
なるように給電される。
【0009】また、上部カップ110の天井部分には電
解メッキ液の供給口124が設けられ、この供給口12
4から、まず、液保持空間123に電解メッキ液が供給
される。次に、陽電極121に形成された複数の孔12
1からウエハWの処理面WFに電解メッキ液が供給させ
る。
【0010】この供給口124には、以下のような電解
メッキ液供給機構130により電解メッキ液がウエハW
の処理面WFへ供給されるようになっている。
【0011】すなわち、供給口124には、貯溜タンク
131内の電解メッキ液Qを供給するための供給管13
2が接続されている。供給管132には、上流側から貯
溜タンク131内の電解メッキ液Qを送液するポンプ1
33や開閉弁134が設けられている。また、供給管1
32の途中には、帰還管135が分岐されている。帰還
管135の先端は貯溜タンク131に接続され、帰還管
135の途中には開閉弁136が設けられている。
【0012】また、貯溜タンク131内には、液補充管
137が接続されている。貯溜タンク131内の電解メ
ッキ液Qの貯溜量が減少すると、図示しない液補充機構
によって液補充管137を介して貯溜タンク131に電
解メッキ液が補充される。
【0013】なお、ウエハWに対するメッキ処理は、駆
動モータ102を駆動させてウエハWを回転させつつ、
陰電極107と陽電極114との間を給電した状態で、
陽電極114に形成された複数の孔121から電解メッ
キ液を直接ウエハWの処理面WFに供給することによっ
て行われる。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
基板メッキ装置では、陽電極114に形成された複数の
孔121を通して電解メッキ液を直接ウエハWの処理面
WFに供給しているので、電解メッキ液の銅イオンの濃
度が孔121付近において非常に高くなるとともに孔の
形状が上下方向に直線なので孔121の直下に電解メッ
キ液が多く供給される。また、孔121の電流の集中に
より電流密度が孔121付近において高くなる。そのた
め、図5に示すように、孔121直下の部分のメッキ層
の薄膜が厚くなり、均一な膜厚のメッキ層を得ることが
できないという問題がある。
【0015】また、孔121付近の陽電極114が電解
メッキ液中へ溶出するので、処理時間とともに孔121
が大きくなり、電解メッキ液の孔121からウエハWへ
供給される吐出抵抗が小さくなることも均一な膜厚のメ
ッキ層を得ることができない原因となっている。
【0016】本発明は、かかる事情を鑑みてなされたも
のであり、基板の処理面に均一な膜厚のメッキ層を形成
する基板メッキ装置を提供することを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために、本発明の基板メッキ装置は、基板にメッキ処理
を行う基板メッキ装置であって、基板を保持する基板保
持手段と、前記基板保持手段に保持された基板の処理面
の上方において基板の処理面に対向して配置され、かつ
電解メッキ液を通すための複数の孔を有する板状部材
と、前記板状部材の上方の位置において前記基板保持手
段に保持された基板の処理面に対向して配置された陽電
極と、前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接
続された陰電極と、前記板状部材の上方の位置に設けら
れ、前記板状部材の上面へ電解メッキ液を供給する供給
手段と、前記陽電極と前記陰電極との間で電流が流れる
ように給電する給電手段と、を備えたことを特徴とする
ものである。
【0018】
【発明の実施の形態】(第1の実施の形態)以下、図面
を参照して本発明の第1の実施の形態を説明する。図1
は本発明の第1の実施の形態に係る基板メッキ装置の全
体構成を示す図である。
【0019】この基板メッキ装置は、メッキ層を形成す
る処理面WFを上方に向けて基板の一種であるウエハW
を保持する保持機構1を備えている。
【0020】この保持機構1は、電動モータ2に連動連
結されており、鉛直方向の軸芯周りで回転される回転軸
3の上部にウエハWよりも大径の円板状のベース部材4
が一体回転可能に連結され、ベース部材4の上面周辺部
にウエハWの周縁部を保持する保持部材5が3つ以上設
けられれている。
【0021】ベース部材4は、導電性の材料で形成され
ている。このベース部材4に設けられた回転軸3との連
結部4aには、給電ブラシ6によって、保持機構1の回
転中でもブラシ給電されるようになっている。なお、回
転軸3は絶縁部3aによって上部と下部とが電気的に絶
縁されており、給電ブラシ6からの給電が電動モータ2
に影響しないように構成されている。
【0022】各保持部材5は、鉛直方向の軸芯周りで回
転可能であり、この軸芯から離れた外周部にウエハWを
係止するための凹部5aが形成されている。また、各保
持部材5は凹部5aの天井面側に設けられた陰電極7だ
けが給電ブラシ6と導通するようになっており、ウエハ
Wが各保持部材5に係止されて保持されると、ウエハW
の処理面WFと陰電極7とが電気的に接続されてウエハ
Wの処理面WFだけに通電される。
【0023】保持機構1は、第1昇降機構8によって上
下方向に昇降可能である。この第1昇降機構8は、ボー
ルネジなどで構成される周知の1軸方向駆動機構によっ
て実現されている。
【0024】保持機構1の上方には、下方が開口され、
保持機構1の上部を覆う有蓋円筒状の上部カップ10が
設けられている。この上部カップ10も周知の1軸方向
駆動機構によって実現された第2昇降機構11によって
上下方向に昇降可能である。第1昇降機構8、第2昇降
機構11によって保持機構1と上部カップ10とが近接
され、保持機構1のベース部材4の上面と上部カップ1
0の下端部とが閉じ合わされることにより、保持機構1
に保持されたウエハWの上部に電解メッキ液を貯溜する
メッキ反応槽12が形成される。なお、上部カップ10
の下端部にはシール部材13が設けられ、銅メッキ処理
を行うための銅メッキ液などの電解メッキ液を充填する
際に、ベース部材4の上面と上部カップ10の下端部と
の接合部分から電解メッキ液が漏れ出ないようになって
いる。
【0025】上部カップ10内には、保持機構1に保持
されたウエハWの処理面WFに対向して配置されるよう
に円板状の陽電極14が配設されている。この陽電極1
14の周囲には、0.5μm程度の濾過性能を有するフ
ィルタFが装着されている。なお、フィルタFの代わり
にイオン交換膜などの電解メッキ液を通過させる透過膜
でもよい。
【0026】給電ブラシ6は、電源ユニット15の陰極
側に接続され、陽電極14は電源ユニット15の陽極側
に接続されている。したがって、ウエハWの処理面WF
は、陰電極7だけがベース部材4と導通させる導電部
(図示省略)、ベース部材4、連結部4a、給電ブラシ
6、導線16を介して陰極となり、陽電極14は、導線
17を介して陽極となるように給電される。
【0027】また、以下のような構成により陽電極14
の周りの電解メッキ液を保持するための電解メッキ液保
持機構20が設けられている。
【0028】すなわち、まず上部カップ10内には、陽
電極14の下方に位置させて複数の微小開口孔21が形
成された仕切り板22が設けられ、この仕切り板22
と、陽電極14の側方及び上方を囲う上部カップ10の
側壁及び天井面とによって液保持空間23が形成され、
この液保持空間23内に陽電極14が収容された状態に
する。
【0029】また、上部カップ10の天井部分に電解メ
ッキ液の供給口24を設け、この供給口24から、ま
ず、液保持空間23に電解メッキ液が供給される。次
に、仕切り板22に形成された微小開口孔21からメッ
キ反応槽12内に電解メッキ液を供給させる。
【0030】このような構成にすることによって、電解
メッキ処理を終えて液保持空間23への電解メッキ液の
供給を停止するとともに、メッキ反応槽12内の電解メ
ッキを排出しても、電解メッキ液の表面張力により、液
保持空間23の電解メッキ液が仕切り板22に形成され
た微小開口孔21から下方に排出されることが防止さ
れ、陽電極14が電解メッキ液内に浸漬された状態を常
時維持することができる。
【0031】なお、仕切り板22に形成する微小開口孔
21の孔径は、液保持空間23内の電解メッキ液が微小
開口孔21から下方に排出されないような電解メッキ液
の表面張力が得られる孔径とし、電解メッキ液の粘度や
仕切り板22の材質などに応じて設定される。
【0032】上部カップ10の天井面には、メッキ反応
槽12内と大気と連通させて、メッキ反応槽12内に電
解メッキ液を供給できるようにするためにエア抜き部2
5が設けられている。
【0033】上部カップ10の天井部分に設けられた電
解メッキ液の供給口24には、以下のような電解メッキ
液供給機構30により電解メッキ液が供給されるように
なっている。
【0034】すなわち、供給口24は、貯溜タンク31
内の電解メッキ液Qを供給する供給管32が接続されて
いる。供給管32には、貯溜タンク31内の電解メッキ
液Qを送液するポンプ33、0.05〜0.1μm程度
のフィルタ39、及び開閉弁34が設けられているとと
もに、供給管32の途中には、帰還管35が分岐されて
いる。帰還管35の先端は貯溜タンク31に接続され、
帰還管35の途中には開閉弁36が設けられている。
【0035】基板メッキ装置を稼動している際には、常
時ポンプ33を駆動させている。メッキ反応槽12に電
解メッキ液Qを供給しないときには、開閉弁34を開、
開閉弁36を閉に切り換えて、供給口24に電解メッキ
液Qをすぐに供給できるようにしている。なお、供給管
32の一部と帰還管35とを介した電解メッキ液Qの循
環中に図示しない温度調整機構により電解メッキ液Qの
温度を所定温度範囲に維持するように温調したり、図示
しない濃度調整機構により電解メッキ液Qの濃度を所定
濃度範囲に維持するようにしてもよい。
【0036】貯溜タンク31には液補充管37や回収管
38も接続されている。貯溜タンク31内の電解メッキ
液Qの貯溜量が減少すると、図示しない液補充機構によ
って液補充管37を介して電解メッキ液Qが貯溜タンク
31に補充される。また、後述する液回収部40に形成
された電解メッキ液回収部41によって電解メッキ処理
中に回収された電解メッキ液Qは回収管38を介して貯
溜タンク31へ戻される。
【0037】保持機構1の周囲には、電解メッキ液回収
部41と洗浄液回収部42とが形成されるとともに、電
解メッキ液回収部41の回収口43と洗浄液回収部42
の回収口44とが上下方向に設けられた液回収部40が
固設されている。
【0038】この液回収部40は、円筒状の内壁45
と、円筒状の仕切り壁46と、円筒状の外壁47と、仕
切り壁46の上部に設けられた傾斜部48と、外壁47
の上部に設けられた傾斜部49とを備えている。内壁4
5と、仕切り壁46及び傾斜部48の内側面とによって
囲まれる空間が洗浄液回収部42となり、仕切り壁46
及び傾斜部48の外側面と、外壁47及び傾斜部49と
によって囲まれる空間が電解メッキ液回収部41となっ
ている。また、内壁45の上端部と傾斜部48の先端部
との間の開口が洗浄液回収部42の回収口44となり、
傾斜部48の先端部と傾斜部49の先端部との間の開口
が電解メッキ液回収部41の回収口43となっている。
【0039】電解メッキ処理時は、第1昇降機構8によ
って液回収部40に対して保持機構1が昇降されて液回
収部40に形成されて電解メッキ液回収部41の回収口
43を保持機構1の周囲に位置させ、保持機構1及びそ
れによって保持されたウエハWの回転に伴って保持機構
1(ウエハW)の周囲に飛散される電解メッキ液Qが電
解メッキ液回収部41の回収口43を介して傾斜部49
の内側面で受け止められ、電解メッキ液回収部41に回
収される。なお、電解メッキ液回収部41の底部には、
回収管38に接続された液排出口50が設けられ、電解
メッキ液回収部41で回収された電解メッキ液Qは液排
出口50、回収管38を介して貯溜タンク31へ戻され
る。
【0040】また、洗浄処理時と乾燥処理時は、第1昇
降機構8によって液回収部40に対して保持機構1が昇
降されて液回収部40に形成された洗浄液回収部42の
回収口44を保持機構1の周囲に位置させ、保持機構1
(ウエハW)の回転に伴って保持機構1(ウエハW)の
周囲に飛散される洗浄液が洗浄液回収部42の回収口4
4を介して傾斜部48の内側面で受け止められ、洗浄液
回収部42で回収される。なお、洗浄液回収部42の底
部には、廃棄管51に接続された液排出口52が設けら
れ、洗浄液回収部42で回収された洗浄液は液排出口5
2、廃棄管51を介して廃棄される。
【0041】保持機構1に保持されたウエハWの上方で
あって、離間された保持機構1と上部カップ10との間
の防滴位置に位置されて上方から保持機構1に保持され
たウエハWへの電解メッキ液Qの滴下を防止する円板状
の防滴部材60と、防滴位置とそこから外れた待機位置
(図1に示す防滴部材60の位置)との間で防滴部材6
0を移動させる移動機構61とを備えている。
【0042】防滴部材60は、防滴位置に位置している
ときには水平姿勢をとり、待機位置に位置しているとき
には起立姿勢をとる。このような姿勢転換を伴う防滴部
材60の移動を行う移動機構61は、図2に示すような
構成で実現することができる。
【0043】すなわち、固定フレームに取り付けられた
回転軸62、63に回転自在に連結された支持部材6
4、65の基端部に防滴部材60が支持されている。そ
して、支持部材65の先端部には、エアシリンダ66の
ロッド67が連結されていて、エアシリンダ66のロッ
ド67を伸縮させることにより、図2(b)に示すよう
に、姿勢転換を伴う防滴部材60の移動が行われる。
【0044】このように防滴部材60が待機位置に位置
しているときは起立姿勢をとるように構成したことによ
り、基板メッキ装置のフットプリントを小さくすること
ができる。
【0045】防滴部材60の下部には、保持機構1に保
持されたウエハWに洗浄液を供給する洗浄液供給ノズル
70が設けられている。洗浄液供給ノズル70には、洗
浄液供給管71を介して図示しない洗浄液供給源から洗
浄液が供給される。洗浄液供給ノズル70からの洗浄液
の供給とその停止の切換えは、洗浄液供給管71に設け
られた開閉弁72の開閉によって行われる。
【0046】この基板メッキ装置の各部の制御は図示を
省略した制御部によって行われる。この制御部は各部を
制御し基板メッキ装置を作動させてウエハWの処理面W
Fにメッキ層を形成する。
【0047】以上の構成より明らかなように、この発明
の第1の実施の態様によれば以下のような効果が得られ
る。
【0048】一旦供給口24から液保持空間23に電解
メッキ液が供給した後、仕切り板22に形成された微小
開口孔21からメッキ反応槽12内へ電解メッキ液を供
給して保持機構1に保持されたウエハWの処理面WFに
供給しているので、電解メッキ液の銅イオンの濃度など
の影響を受けることはなく、電解メッキ液を充分に分散
してウエハWの処理面WFに電解メッキ液を供給でき
る。また、仕切り板22は、陽電極14と保持機構1に
保持されたウエハWとの間に設けられているので、この
仕切り板22で電流のショートパスを防止でき、電流密
度を均一にすることができる。その結果、ウエハWの処
理面WFに均一な膜厚のメッキ層を形成することができ
る。
【0049】また、陽電極14にフィルタまたはイオン
交換膜などのような透過膜を装着しているので、陽電極
14の溶解物であるスライムがウエハWの処理面WFに
供給されるのを防止することができる。したがって、ウ
エハWの処理面WFにスライムの付着、もしくは陽電極
14に吸着している電解メッキ液中の添加剤等の一時的
な大量離脱が原因の離脱成分の付着による膜質の悪化を
防止することができる。
【0050】また、保持機構1及び保持機構1によって
保持されたウエハWを回転させながら電解メッキ処理を
行うので、ウエハWの回転によって、ウエハWの処理面
WF上のウエハWの中心から周囲へ向かう電解メッキ液
Qの流れが形成され、保持機構1に保持されたウエハW
の処理面WF上に形成される境界層が薄く、かつ均一に
することができ、ウエハWの処理面WFにメッキ層形成
イオンが移動し易くなり、ウエハWの処理面WFへのメ
ッキ層形成イオンの移動を均一化できる。したがって、
メッキ層の形成に要する時間を短縮できるとともに、均
一なメッキ層をウエハWの処理面WFに形成することが
できる。
【0051】また、陽電極14の周りの電解メッキ液Q
を保持する電解メッキ液保持機構20を備えたので、陽
電極14が電解メッキ液Q内に浸漬された状態を常時維
持することができる。したがって、陽電極14が大気に
さらされることを防止でき、陽電極14の表面に形成さ
れた被膜層が流れ出たり変質したりすることなどを防止
できて、再現性のある電解メッキ処理を実施することが
できる。
【0052】さらに、電解メッキ液保持機構20は、陽
電極14の側方及び上方を囲う上部カップ10の側壁及
び天井面と、陽電極14の下方に配置された複数の微小
開口孔21が形成された仕切り板22とで形成された液
保持空間23内に陽電極14を収容したことにより構成
されているので、簡単な構成で電解メッキ液保持機構2
0を実現できる。
【0053】(第2の実施の形態)なお、本発明は上述
した第1の実施の形態に限定されるものではなく、以下
のような第2の実施の形態も可能である。
【0054】図3は、本発明の第2の実施の形態に係る
基板メッキ装置の全体構成を示す図である。図3におい
ては、上述した図1に示す第1の実施の形態と重複する
部分については一部省略している。
【0055】上述した第1の実施の形態と比較して、第
2の実施の形態に係る基板メッキ装置は、陽電極14と
フィルタFとの設けられている位置等が大きく異なって
いる。
【0056】すなわち、上部カップ10内の仕切り板2
2の上方に複数の孔18が形成された板状の陽電極14
が設けられており、陽電極14が、液保持空間23を上
下に2分している状態となる。陽電極14は、図1に示
す陽電極14と同様に、導線17を介して陽極となる。
また、この陽電極14の下方には、0.5μm程度の濾
過性能を有するフィルタFが装着されている。なお、フ
ィルタFの代わりにイオン交換膜などの電解メッキ液を
通過する透過膜でもよい。
【0057】この基板メッキ装置においては、まず、供
給口24から上側の液保持空間23に電解メッキ液が供
給される。次に、陽電極14に形成された複数の孔18
及びフィルタFを通して、電解メッキ液が下側の液保持
空間23に供給される。そして、仕切り板22に形成さ
れた微小開口孔21を通して下側の液保持空間23から
メッキ反応槽12内へ電解メッキ液を供給させる。
【0058】このような構成にすることによって、電解
メッキ処理を終えて液保持空間23への電解メッキ液の
供給を停止するとともに、メッキ反応槽12内の電解メ
ッキを排出しても、電解メッキ液の表面張力により、液
保持空間23の電解メッキ液が仕切り板22に形成され
た微小開口孔21から下方に排出されることが防止さ
れ、陽電極14が電解メッキ液内に浸漬された状態を常
時維持することができる。
【0059】以上の構成より明らかなように、この発明
の第2の実施の態様によれば以下のような効果が得られ
る。
【0060】一旦供給口24から上側の液保持空間23
に電解メッキ液が供給した後、陽電極14の複数の孔1
8及びフィルタFを通して下側の液保持空間23に供給
され、仕切り板22に形成された微小開口孔21からメ
ッキ反応槽12内へ電解メッキ液を供給して保持機構1
に保持されたウエハWの処理面WFに供給しているの
で、電解メッキ液の銅イオンの濃度などの影響を受ける
ことはなく、電解メッキ液をさらに充分に分散してウエ
ハWの処理面WFに電解メッキ液を供給できる。
【0061】また、仕切り板22は、陽電極14と保持
機構1に保持されたウエハWとの間に設けられているの
で、この仕切り板22で電流のショートパスを防止で
き、電流密度を均一にすることができる。その結果、ウ
エハWの処理面WFに均一なメッキ層を形成することが
できる。
【0062】さらに、陽電極14の下方にフィルタまた
はイオン交換膜などのような透過膜を設けているので、
陽電極14から発生したスライムがウエハWの処理面W
Fに供給されるのを防止することができる。したがっ
て、ウエハWの処理面WFにスライムの付着、もしくは
陽電極14に吸着している電解メッキ液中の添加剤等の
一時的な大量離脱が原因の離脱成分の付着による膜質の
悪化を防止することができる。
【0063】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の基板メッ
キ装置によれば、基板保持手段に保持された基板の処理
面と陽電極との間に、電解メッキ液を通すための複数の
孔を有する板状部材を設けたので、均一な膜厚のメッキ
層を形成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態に係る基板メッキ装
置の全体構成を示す図である。
【図2】移動機構の一例を示す図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態に係る基板メッキ装
置の全体構成を示す図である。
【図4】従来の基板メッキ装置の全体構成を示す図であ
る。
【図5】従来の基板メッキ装置における陽電極の孔とメ
ッキ層の膜厚分布との関係を示す図である。
【符号の説明】
1 保持機構 4 ベース部材 5 保持部材 6 給電ブラシ 7 陰電極 10 上部カップ 12 メッキ反応槽 14 陽電極 15 電源ユニット 16 導線 17 導線 18 孔 20 メッキ液保持機構 21 微小開口孔 22 仕切り板 23 液保持空間 24 供給口 F フィルタ WF 処理面 W ウエハ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 松原 英明 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 市枝 信之 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 村山 博美 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 高村 幸宏 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 増市 幹雄 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 宮城 雅宏 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天神 北町1番地の1 大日本スクリーン製造株 式会社内 Fターム(参考) 4K024 BB09 BB12 CB01 CB04 CB08 CB11 CB15 CB18 CB19 CB21 CB26

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置で
    あって、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面の上方にお
    いて基板の処理面に対向して配置され、かつ電解メッキ
    液を通すための複数の孔を有する板状部材と、 前記板状部材の上方の位置において前記基板保持手段に
    保持された基板の処理面に対向して配置された陽電極
    と、 前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続され
    た陰電極と、 前記板状部材の上方の位置に設けられ、前記板状部材の
    上面へ電解メッキ液を供給する供給手段と、 前記陽電極と前記陰電極との間で電流が流れるように給
    電する給電手段と、を備えたことを特徴とする基板メッ
    キ装置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の基板メッキ装置であっ
    て、 前記陽電極に装着されたフィルタをさらに備えたことを
    特徴とする基板メッキ装置。
  3. 【請求項3】請求項1に記載の基板メッキ装置であっ
    て、 前記陽電極に装着された透過膜をさらに備えたことを特
    徴とする基板メッキ装置。
  4. 【請求項4】請求項1に記載の基板メッキ装置であっ
    て、 前記陽電極と前記板状部材との間に設けられたフィルタ
    をさらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
  5. 【請求項5】請求項1に記載の基板メッキ装置であっ
    て、 前記陽電極と前記板状部材との間に設けられた透過膜を
    さらに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。
  6. 【請求項6】請求項1、請求項4、請求項5のいずれか
    に記載の基板メッキ装置であって、 前記供給手段は、前記陽電極より上方の位置に設けら
    れ、 前記陽電極は、板状であり、かつ電解メッキ液を通すた
    めの複数の孔を有することを特徴とする基板メッキ装
    置。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004009879A1 (ja) * 2002-07-18 2004-01-29 Ebara Corporation めっき装置
JP2008038208A (ja) * 2006-08-07 2008-02-21 Nec Electronics Corp めっき処理装置および半導体装置の製造方法
CN102051650A (zh) * 2009-11-10 2011-05-11 三星电子株式会社 电镀基板的装置和方法
JP7484865B2 (ja) 2021-10-14 2024-05-16 トヨタ自動車株式会社 金属皮膜の成膜装置および金属皮膜の成膜方法

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