JP3534238B2 - 基板メッキ装置 - Google Patents

基板メッキ装置

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JP3534238B2
JP3534238B2 JP26385199A JP26385199A JP3534238B2 JP 3534238 B2 JP3534238 B2 JP 3534238B2 JP 26385199 A JP26385199 A JP 26385199A JP 26385199 A JP26385199 A JP 26385199A JP 3534238 B2 JP3534238 B2 JP 3534238B2
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貞雄 平得
博美 村山
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Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハなど
の基板に銅電解メッキ液などのメッキ液を供給してメッ
キ処理を行う基板メッキ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、LSIの高集積化と高速化の要求
に伴い、配線材料もアルミニウムからそれより抵抗値の
小さい銅配線へと移行しつつある。この銅配線では、従
来のアルミニウムで行っていたドライエッチング加工が
難しいことと、平坦化技術が進歩したこととで平坦化し
た層間絶縁膜に矩形の溝を彫り込んで、その溝の中に銅
配線材料を埋め込むダマシンプロセスが主流になってき
ている。そして、その一つとして半導体ウエハ等の基板
の表面に銅薄膜を形成するために、銅メッキ液等を基板
の表面(処理面)に供給する基板メッキ装置が用いられ
ている。
【0003】そもそも、銅配線で用いる銅は、基板や基
板の表面に形成された酸化膜中に容易に拡散してデバイ
ス性能を著しく損なうことがある。そのため、銅配線と
基板との間に銅が拡散しないような障害物、いわゆるバ
リア層を挟み込むことが必要不可欠となっている。しか
し、基板の端部や裏面には、バリア層は形成されていな
いため、メッキ処理後の基板の搬送時に搬送アーム等が
汚染される可能性もある。そこで、基板の端部や裏面を
洗浄するために、従来では基板メッキ装置とは別に専用
の洗浄装置を設けている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】メッキ処理を含む基板
処理システムでは、基板メッキ装置以外にも、メッキ処
理された基板を400℃〜500℃でアニール処理を行
うアニール装置等も含まれている。したがって、基板メ
ッキ装置とは別に洗浄装置を設けると、基板メッキ装置
を含む基板処理システムのフットプリントが大きくなる
という問題がある。また、洗浄装置への基板の搬入・搬
出に時間をとられるため、メッキ処理を含む基板の処理
時間が長くなってしまうという問題もある。
【0005】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであって、基板の表面のメッキ処理中に、基板の裏面
の洗浄を行うことができ、かつメッキ処理を含む基板の
処理時間を短縮できる基板メッキ装置を提供することを
目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述した課題を解決する
ために本発明は、基板にメッキ処理を行う基板メッキ装
置であって、基板を保持する基板保持手段と、前記基板
保持手段に保持された基板の表面にメッキ液を供給する
第1供給手段と、前記基板保持手段に保持された基板の
表面に対向して配置された第1電極と、前記基板保持手
段に保持された基板に電気的に接続された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れるよう
に給電する給電手段と、前記基板保持手段に保持された
基板の表面にメッキ液が供給されて基板がメッキ処理さ
れている際に、前記基板保持手段に保持された基板の裏
面に洗浄液を供給する第2供給手段と、を備えたことを
特徴とするものである。なお、第1電極としては陽電極
(アノード電極)、第2電極としては陽電極(カソード
電極)がそれぞれ考えられる。
【0007】また、本発明の基板メッキ装置において、
前記第2供給手段が、前記基板保持手段に保持された基
板の裏面の端部に洗浄液を供給するようにしてもよい。
【0008】また、本発明の基板メッキ装置において、
前記第2電極が、前記基板保持手段に保持された基板の
表面の端部に接触しており、前記第2供給手段が、前記
第2電極に洗浄液を供給するようにしてもよい。
【0009】また、本発明の基板メッキ装置において、
前記第2電極を形成しているとともに、基板の表面の端
部を支持する支持部材をさらに備え、前記第2供給手段
が、前記基板保持手段に保持された基板の外周に対応さ
せて前記支部部材に複数設けられたものにしてもよい。
【0010】また、本発明の基板メッキ装置において、
基板を保持した前記基板保持手段を回転させる駆動手段
をさらに備え、前記第2供給手段が、基板を保持した前
記基板保持手段を前記駆動手段により回転させた状態
で、基板の裏面に洗浄液を供給するようにしてもよい。
【0011】
【発明の実施の形態】(第1の発明の実施の形態)以
下、図面を参照して、第1の発明の実施の形態を説明す
る。図1は、第1の発明の実施の形態に係る基板メッキ
装置の全体構成を示す図であり、図2は、図1に示す支
持部材を上方から見た平面図である。
【0012】この基板メッキ装置は、メッキ層を形成す
る処理面(表面)WFを上方に向けて基板の一種である
ウエハWを保持する保持機構1を備えている。
【0013】この保持機構1は、支持軸3が支持台2a
の上面に連結されており、支持軸3の上部に、ウエハW
の裏面を保持する円板状の保持部材4が連結されてい
る。また、保持部材4の上面周辺部にウエハWの周縁部
を支持する支持部材5が、ウエハWの周縁部全周にわた
って設けられている。
【0014】支持軸3は、導電性の材料で形成されてお
り、給電ブラシ6によって、支持軸3に対してブラシ給
電されるようになっている。なお、支持軸3は絶縁部3
aによって上部と下部とが電気的に絶縁されており、給
電ブラシ6からの給電が支持台2aに影響しないように
構成されている。
【0015】支持部材5は、図2に示すように環状であ
り、図示しない昇降機構によって図1の矢印Aのように
上下方向に移動可能である。また、支持部材5は、複数
の管状部材7によって支持軸3に連結されている。この
支持部材5の内周は、保持部材4に保持されたウエハW
の表面端部全周を支持している。図2に示すように、支
持部材5の内周下面には、第2電極である陰電極(カソ
ード電極)8が8つ設けられており、支持軸3内と管状
部材7内に設けられている図示しない導線によって給電
ブラシ6と導通するようになっている。したがって、ウ
エハWの処理面WFが支持部材5によって支持される
と、ウエハWの処理面WFの端部と陰電極8とが電気的
に接続されてウエハWの処理面WFだけに通電される。
【0016】また、支持部材5の下側には洗浄ノズル9
aが複数(図2では8個)設けられている。この洗浄ノ
ズル9aは、支持軸3内と管状部材7内に設けられてい
る供給管10および供給管11を介して洗浄液供給源1
2に連通されている。供給管11には洗浄液の供給およ
び停止を制御する開閉弁13が設けられている。開閉弁
13を「開」の状態にすると、洗浄液は洗浄液供給源1
2から供給管11および供給管10を流れ、洗浄ノズル
9aからウエハWの端部および裏面に供給され、ウエハ
Wの端部および裏面の洗浄が行われる。
【0017】保持機構1の上方には、下方が開口され、
保持機構1の上部を覆う円筒状の上部カップ20が設け
られている。この上部カップ20も周知の1軸方向駆動
機構によって実現された図示しない昇降機構によって図
1の矢印Bに示すように上下方向に昇降可能である。支
持部材5と上部カップ20とが近接され、支持部材5の
上面と上部カップ20の下端部とが閉じ合わされること
により、保持機構1に保持されたウエハWの上部に電解
メッキ液を貯溜する第1空間21(メッキ処理空間)が
形成される。なお、上部カップ20の下端部にはシール
部材22が設けられ、銅メッキ処理を行うための電解メ
ッキ液を充填する際に、支持部材5の上面と上部カップ
20の下端部との接合部分から電解メッキ液が漏れ出な
いようになっている。
【0018】上部カップ20内上部には、保持機構1に
保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置される
ように円板状の第1電極である陽電極(アノード電極)
23が配設されている。この陽電極23の周囲には、
0.5μm程度の濾過性能を有するフィルタFが装着さ
れている。なお、フィルタFの代わりにイオン交換膜な
どの電解メッキ液を通過させる透過膜でもよい。
【0019】給電ブラシ6は、電源ユニット40の陰極
側に接続され、陽電極23は電源ユニット40の陽極側
に接続されている。したがって、ウエハWの処理面WF
は、陰電極9だけが、支持軸3内と管状部材7内に設け
られている図示しない導線、給電ブラシ6、および導線
41を介して陰極となるように給電され、陽電極23
は、導線42を介して陽極となるように給電される。
【0020】また、以下のような構成により陽電極23
の周りの電解メッキ液を保持するための電解メッキ液保
持機構24が設けられている。
【0021】すなわち、まず上部カップ20内には、保
持機構1に保持されたウエハWの処理面WFの上方に複
数の孔25が形成された板状の仕切り板26が設けられ
ている。この仕切り板26に形成された複数の孔25は
微小孔である。なお、この第1の実施の形態では、円形
の複数の孔にしたが、円形に限らず、スリット状のもの
でもよい。
【0022】この仕切り板26の上面と上部カップ20
の天井面および側壁とによって第2空間27が形成され
る。この第2空間27内に、陽電極23は収容されてい
る。
【0023】また、上部カップ20の天井部分に電解メ
ッキ液の供給口28が設けられている。この供給口28
は供給管29を介して電解メッキ液供給源30に連通さ
れている。供給管29には電解メッキ液の供給および停
止を制御する開閉弁31が設けられている。
【0024】電解メッキ液の供給は以下のようにして行
われる。まず、開閉弁31を「閉」の状態から「開」の
状態に切り換えて、電解メッキ液供給源30から供給管
29及び供給口28を介して第2空間27に電解メッキ
液が供給される。次に、仕切り板26に形成された孔2
5を介して第2空間27から第1空間21内に電解メッ
キ液が供給させる。
【0025】このような構成にすることによって、電解
メッキ処理を終えて第2空間27への電解メッキ液の供
給を停止するとともに、第1空間21内の電解メッキ液
を排出しても、電解メッキ液の表面張力により、第2空
間27内の電解メッキ液が仕切り板26に形成された孔
25から下方に排出されることが防止され、陽電極23
が第2空間27の電解メッキ液内に浸漬された状態を常
時維持することができる。
【0026】また、ウエハWの処理面WFを電解メッキ
処理をしている最中に、開閉弁13を「閉」の状態から
「開」の状態へ切り換える。これにより、洗浄液は、洗
浄液供給源13から供給管11および供給管10を流
れ、8つある洗浄ノズル9aからウエハWの端部および
裏面の全周および陰電極8に供給され、ウエハWの端部
および裏面、陰電極8の洗浄が行われる。
【0027】なお、この基板メッキ装置の各部の制御は
図示を省略した制御部によって行われる。この制御部は
各部を制御し基板メッキ装置を作動させてウエハWの処
理面WFにメッキ層を形成する。
【0028】以上の構成より明らかなように、この第1
の発明の実施の態様によれば、以下のような効果が得ら
れる。
【0029】陽電極23にフィルタFまたはイオン交換
膜などのような透過膜を装着しているので、陽電極23
の溶解物であるスライムがウエハWの処理面WFに供給
されるのを防止することができる。したがって、ウエハ
Wの処理面WFにスライムの付着、もしくは陽電極23
に吸着している電解メッキ液中の添加剤等の一時的な大
量離脱が原因の離脱成分の付着による膜質の悪化を防止
することができる。
【0030】また、陽電極23の周囲の電解メッキ液を
保持する電解メッキ液保持機構24を備えたので、陽電
極23が電解メッキ液内に浸漬された状態を常時維持す
ることができる。したがって、陽電極23が大気にさら
されることを防止でき、陽電極14の表面に形成された
被膜層が流れ出たり変質したりすることなどを防止で
き、再現性のある電解メッキ処理を実施することができ
る。
【0031】(第2の発明の実施の形態)以下、図面を
参照して、第2の発明の実施の形態を説明する。図3
は、第2の発明の実施の形態に係る基板メッキ装置の全
体構成を示す図であり、図4は、図3に示す支持部材を
上方から見た平面図である。
【0032】この基板メッキ装置は、メッキ層を形成す
る処理面WF(表面)を上方に向けて基板の一種である
ウエハWを保持する保持機構1を備えている。
【0033】この保持機構1は、支持軸3がモータ2b
に上面に回転可能に連結されており、支持軸3の上部
に、ウエハWの裏面を保持する円板状の保持部材4が連
結されている。また、保持部材4の上面周辺部にウエハ
Wの周縁部を支持する支持部材5が、ウエハWの周縁部
全周にわたって設けられている。
【0034】支持軸3は、導電性の材料で形成されてお
り、給電ブラシ6によって、支持軸3に対してブラシ給
電されるようになっている。なお、支持軸3は絶縁部3
aによって上部側と下部側とが電気的に絶縁されてお
り、給電ブラシ6からの給電がモータ2bに影響しない
ように構成されている。
【0035】支持部材5は、図4に示すように環状であ
り、図示しない昇降機構によって図3の矢印Aに示すよ
うに上下方向に移動可能である。また、支持部材5は、
複数の管状部材7によって支持軸3に連結されている。
この支持部材5の内周は、保持部材4に保持されたウエ
ハWの表面端部全周を支持している。図2に示すよう
に、支持部材5の内周下面には、第2電極である陰電極
(カソード電極)8が8つ設けられており、支持軸3内
と管状部材7内に設けられている図示しない導線によっ
て給電ブラシ6と導通するようになっている。したがっ
て、ウエハWの処理面WFが支持部材5によって支持さ
れると、ウエハWの処理面WFの端部と陰電極8とが電
気的に接続されてウエハWの処理面WFだけに通電され
る。
【0036】また、支持部材5の下方には洗浄ノズル9
bが1つ設けられている。この洗浄ノズル9bは、上方
すなわち、ウエハWの裏面の端部へ向けて洗浄液を供給
するものであり、供給管11を介して洗浄液供給源12
に連通されている。供給管11には洗浄液の供給および
停止を制御する開閉弁13が設けられている。開閉弁1
3を「開」の状態にすると、洗浄液は洗浄液供給源12
から供給管11および供給管10を流れ、洗浄ノズル9
bからウエハWの端部および裏面に供給され、ウエハW
の端部および裏面の洗浄が行われる。
【0037】保持機構1の上方には、下方が開口され、
保持機構1の上部を覆う円筒状の上部カップ20が設け
られている。この上部カップ20も図3の矢印Bに示す
ように、周知の1軸方向駆動機構によって実現された図
示しない昇降機構によって上下方向に昇降可能である。
支持部材5と上部カップ20とが近接され、支持部材5
の上面と上部カップ20の下端部とが閉じ合わされるこ
とにより、保持機構1に保持されたウエハWの上部に電
解メッキ液を貯溜する第1空間21(メッキ処理空間)
が形成される。なお、上部カップ20の下端部にはシー
ル部材22が設けられ、銅メッキ処理を行うための電解
メッキ液などの電解メッキ液を充填する際に、支持部材
5の上面と上部カップ20の下端部との接合部分から電
解メッキ液が漏れ出ないようになっている。
【0038】上部カップ20内上部には、保持機構1に
保持されたウエハWの処理面WFに対向して配置される
ように円板状の第1電極である陽電極(アノード電極)
23が配設されている。この陽電極23の周囲には、
0.5μm程度の濾過性能を有するフィルタFが装着さ
れている。なお、フィルタFの代わりにイオン交換膜な
どの電解メッキ液を通過させる透過膜でもよい。
【0039】給電ブラシ6は、電源ユニット40の陰極
側に接続され、陽電極23は電源ユニット40の陽極側
に接続されている。したがって、ウエハWの処理面WF
は、陰電極9だけが、支持軸3内と管状部材7内に設け
られている図示しない導線、給電ブラシ6、および導線
41を介して陰極となるように給電され、陽電極23
は、導線42を介して陽極となるように給電される。
【0040】また、以下のような構成により陽電極23
の周りの電解メッキ液を保持するための電解メッキ液保
持機構24が設けられている。
【0041】すなわち、まず上部カップ20内には、保
持機構1に保持されたウエハWの処理面WFの上方に複
数の孔25が形成された板状の仕切り板26が設けられ
ている。この仕切り板26に形成された複数の孔25は
微小孔である。なお、この実施の形態では、円形の複数
の孔にしたが、円形に限らず、スリット状のものでもよ
い。
【0042】この仕切り板26の上面と上部カップ20
の天井面および側壁とによって第2空間27が形成され
る。この第2空間27内に、陽電極23は収容されてい
る。
【0043】また、上部カップ20の天井部分に電解メ
ッキ液の供給口28が設けられている。この供給口28
は供給管29を介して電解メッキ液供給源30に連通さ
れている。供給管29には電解メッキ液の供給および停
止を制御する開閉弁31が設けられている。
【0044】電解メッキ液の供給は以下のようにして行
われる。まず、開閉弁31を「閉」の状態から「開」の
状態へ切り換えて、電解メッキ液供給源30から供給管
29及び供給口28を介して第2空間27に電解メッキ
液が供給される。次に、仕切り板26に形成された孔2
5を介して第2空間27から第1空間21内に電解メッ
キ液が供給させる。なお、このとき、モータ2bは回転
駆動することにより保持部材4に保持されたウエハWを
回転させる。
【0045】このような構成にすることによって、電解
メッキ処理を終えて第2空間27への電解メッキ液の供
給を停止するとともに、第1空間21内の電解メッキ液
を排出しても、電解メッキ液の表面張力により、第2空
間27内の電解メッキ液が仕切り板26に形成された孔
25から下方に排出されることが防止され、陽電極23
が第2空間27の電解メッキ液内に浸漬された状態を常
時維持することができる。
【0046】また、ウエハWの表面を電解メッキ処理を
している最中に、開閉弁13を「閉」の状態から「開」
の状態へ切り換える。これにより、洗浄液は、洗浄液供
給源13から供給管11を流れ、洗浄ノズル9bからモ
ータ2bにより回転しているウエハWの端部および裏面
の全周および陰電極8に供給され、ウエハWの端部およ
び裏面、陰電極8の洗浄が行われる。
【0047】なお、この基板メッキ装置の各部の制御は
図示を省略した制御部によって行われる。この制御部は
各部を制御し基板メッキ装置を作動させてウエハWの処
理面WFにメッキ層を形成する。
【0048】以上の構成より明らかなように、この第2
の発明の実施の態様によれば、以下のような効果が得ら
れる。
【0049】陽電極23にフィルタFまたはイオン交換
膜などのような透過膜を装着しているので、陽電極23
の溶解物であるスライムがウエハWの処理面WFに供給
されるのを防止することができる。したがって、ウエハ
Wの処理面WFにスライムの付着、もしくは陽電極23
に吸着している電解メッキ液中の添加剤等の一時的な大
量離脱が原因の離脱成分の付着による膜質の悪化を防止
することができる。
【0050】また、陽電極23の周囲の電解メッキ液を
保持する電解メッキ液保持機構24を備えたので、陽電
極23が電解メッキ液内に浸漬された状態を常時維持す
ることができる。したがって、陽電極23が大気にさら
されることを防止でき、陽電極14の表面に形成された
被膜層が流れ出たり変質したりすることなどを防止でき
て、再現性のある電解メッキ処理を実施することができ
る。
【0051】さらに、保持機構1及びこの保持機構1に
よって保持されたウエハWを回転させながら電解メッキ
処理を行うので、ウエハWの回転によって、ウエハWの
処理面WF上のウエハWの中心から周囲へ向かう電解メ
ッキ液流れが形成され、保持機構1に保持されたウエハ
Wの処理面WF上に形成される境界層が薄く、かつ均一
にすることができ、ウエハWの処理面WFにメッキ層形
成イオンが移動し易くなり、ウエハWの処理面WFへの
メッキ層形成イオンの移動を均一化できる。したがっ
て、メッキ層の形成に要する時間を短縮できるととも
に、均一なメッキ層をウエハWの処理面WFに形成する
ことができる。
【0052】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の基板メッキ装置のよれば、基板保持手段に保持された
基板の表面にメッキ液が供給されて基板がメッキ処理さ
れている際に、第2供給手段が、基板保持手段に保持さ
れた基板の裏面に洗浄液を供給しているので、基板の表
面のメッキ処理中に、基板の裏面の洗浄を行うことがで
き、かつメッキ処理を含む基板の処理時間を短縮でき
る。
【0053】また、本発明の基板メッキ装置によれば、
第2供給手段が、基板保持手段に保持された基板の裏面
の端部に洗浄液を供給しているので、基板の表面にある
メッキ液が裏面に回り込むのを防止できる。
【0054】また、本発明の基板メッキ装置によれば、
第2電極が、基板保持手段に保持された基板の表面の端
部に接触しており、第2供給手段が、第2電極に洗浄液
を供給しているので、基板の裏面の洗浄と同時に第2電
極の洗浄も行うことができる。
【0055】また、本発明の基板メッキ装置によれば、
第2電極を形成しているとともに、基板の表面の端部を
支持する支持部材をさらに備え、第2供給手段が、基板
保持手段に保持された基板の外周に対応させて支部部材
に複数設けられたものにしているので、第2電極が基板
の処理面の端部の全周にわたって接触でき、基板の表面
に確実に導通することができる。
【0056】さらに、本発明の基板メッキ装置よれば、
基板を保持した基板保持手段を駆動手段により回転させ
た状態で、供給手段が基板の裏面に洗浄液を供給してい
るので、基板の裏面の端部の全周にわたって洗浄液を供
給することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】第1の発明の実施の形態に係る基板メッキ装置
の全体構成を示す図である。
【図2】図1に示す支持部材を上方から見た平面図であ
る。
【図3】第2の発明の実施の形態に係る基板メッキ装置
の全体構成を示す図である。
【図4】図3に示す支持部材を上方から見た平面図であ
る。
【符号の説明】
1 保持機構 2a 支持台 2b モータ 4 保持部材 5 支持部材 6 給電ブラシ 7 管状部材 8 陰電極(カソード電極) 9a 洗浄ノズル 9b 洗浄ノズル 10 供給管 11 供給管 12 洗浄液供給源 23 陽電極(アノード電極) 28 供給口 29 供給管 30 電解メッキ液供給源 40 電源ユニット 41 導線 42 導線 W ウエハ WF 処理面(表面)
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 溝畑 保▲広▼ 京都市上京区堀川通寺之内上る4丁目天 神北町1番地の1 大日本スクリーン製 造株式会社内 (56)参考文献 特開2000−8192(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C25D 17/00 C25D 5/34 H01L 21/288

Claims (5)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基板にメッキ処理を行う基板メッキ装置で
    あって、 基板を保持する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面にメッキ液を
    供給する第1供給手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面に対向して配
    置された第1電極と、 前記基板保持手段に保持された基板に電気的に接続され
    た第2電極と、 前記第1電極と前記第2電極との間で電流が流れるよう
    に給電する給電手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の表面にメッキ液が
    供給されて基板がメッキ処理されている際に、前記基板
    保持手段に保持された基板の裏面に洗浄液を供給する第
    2供給手段と、を備えたことを特徴とする基板メッキ装
    置。
  2. 【請求項2】請求項1に記載の基板メッキ装置であっ
    て、 前記第2供給手段は、前記基板保持手段に保持された基
    板の裏面の端部に洗浄液を供給することを特徴とする基
    板メッキ装置。
  3. 【請求項3】請求項1または請求項2に記載の基板メッ
    キ装置であって、 前記第2電極は、前記基板保持手段に保持された基板の
    表面の端部に接触しており、 前記第2供給手段は、前記第2電極に洗浄液を供給する
    ことを特徴とする基板メッキ装置。
  4. 【請求項4】請求項3に記載の基板メッキ装置であっ
    て、 前記第2電極を形成しているとともに、基板の表面の端
    部を支持する支持部材をさらに備え、 前記第2供給手段は、前記基板保持手段に保持された基
    板の外周に対応させて前記支部部材に複数設けられたこ
    とを特徴とする基板メッキ装置。
  5. 【請求項5】請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の
    基板メッキ装置であって、 基板を保持した前記基板保持手段を回転させる駆動手段
    をさらに備え、 前記第2供給手段は、基板を保持した前記基板保持手段
    を前記駆動手段により回転させた状態で、基板の裏面に
    洗浄液を供給することを特徴とする基板メッキ装置。
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