JPH11279797A - 基板メッキ装置 - Google Patents
基板メッキ装置Info
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- JPH11279797A JPH11279797A JP8093398A JP8093398A JPH11279797A JP H11279797 A JPH11279797 A JP H11279797A JP 8093398 A JP8093398 A JP 8093398A JP 8093398 A JP8093398 A JP 8093398A JP H11279797 A JPH11279797 A JP H11279797A
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- plating apparatus
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 気体抜けを良好にすることによってボイドの
発生を防止し、処理面内における電流密度と電解液の流
れを全体にわたって均一化することにより、メッキ層の
均一性を向上する。 【解決手段】 基板Ｗの処理面Ｗｓを上方に向けてフェ
イスアップで保持する基板保持機構１と、処理面Ｗｓに
対向して近接配置され、基板Ｗとほぼ同径でかつ電極を
構成する板状部材１５と、処理面Ｗｓと板状部材１５と
の間に電解液を満たすように供給する供給口１５ａと、
電解液を基板Ｗの処理面Ｗｓに供給した状態で、板状部
材１５と基板保持機構１に給電する給電ブラシ１３，３
１とを備える。フェイスアップにより気泡が容易に離脱
し、処理面Ｗｓに近接して対向し、ほぼ同径の板状部材
１５によって電流密度のバラツキが抑制できる。
発生を防止し、処理面内における電流密度と電解液の流
れを全体にわたって均一化することにより、メッキ層の
均一性を向上する。 【解決手段】 基板Ｗの処理面Ｗｓを上方に向けてフェ
イスアップで保持する基板保持機構１と、処理面Ｗｓに
対向して近接配置され、基板Ｗとほぼ同径でかつ電極を
構成する板状部材１５と、処理面Ｗｓと板状部材１５と
の間に電解液を満たすように供給する供給口１５ａと、
電解液を基板Ｗの処理面Ｗｓに供給した状態で、板状部
材１５と基板保持機構１に給電する給電ブラシ１３，３
１とを備える。フェイスアップにより気泡が容易に離脱
し、処理面Ｗｓに近接して対向し、ほぼ同径の板状部材
１５によって電流密度のバラツキが抑制できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハや液
晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）
に対してメッキ処理を施す基板メッキ装置に係り、特
に、硫酸銅などの電解液を基板の処理面に供給した状態
で給電して電解メッキ処理を行う技術に関する。
晶表示装置用のガラス基板（以下、単に基板と称する）
に対してメッキ処理を施す基板メッキ装置に係り、特
に、硫酸銅などの電解液を基板の処理面に供給した状態
で給電して電解メッキ処理を行う技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のこの種の基板メッキ装置として、
例えば、図７に示すような構成のものが挙げられる。な
お、以下の説明では、硫酸銅を電解液とし、配線用の銅
をメッキするための装置を例に採って説明する。
例えば、図７に示すような構成のものが挙げられる。な
お、以下の説明では、硫酸銅を電解液とし、配線用の銅
をメッキするための装置を例に採って説明する。
【０００３】基板Ｗは、その処理面Ｗｓを下方に向けた
状態（いわゆるフェイスダウン）で、電解液ＬＱを貯留
している処理槽１００の開口部１０１に保持される。開
口部１０１には、下向きに保持された基板Ｗの処理面Ｗ
ｓに給電するための上部電極１０３が配設されている。
処理槽１００の上部と下部には、循環ポンプ１０５を介
して循環路１０７が連通接続されている。処理槽１００
の底部には、上部から溢れて循環路１０７を流通してき
た電解液ＬＱを基板Ｗの処理面Ｗｓに向けて噴出するた
めの噴流ノズル１０９が配設されている。また、処理槽
１００の底部には、下部電極１１１が配設されており、
電源ユニット１１３によって上部電極１０３が陰極に、
下部電極１１１が陽極になるように給電される。
状態（いわゆるフェイスダウン）で、電解液ＬＱを貯留
している処理槽１００の開口部１０１に保持される。開
口部１０１には、下向きに保持された基板Ｗの処理面Ｗ
ｓに給電するための上部電極１０３が配設されている。
処理槽１００の上部と下部には、循環ポンプ１０５を介
して循環路１０７が連通接続されている。処理槽１００
の底部には、上部から溢れて循環路１０７を流通してき
た電解液ＬＱを基板Ｗの処理面Ｗｓに向けて噴出するた
めの噴流ノズル１０９が配設されている。また、処理槽
１００の底部には、下部電極１１１が配設されており、
電源ユニット１１３によって上部電極１０３が陰極に、
下部電極１１１が陽極になるように給電される。
【０００４】このように構成されている装置では、電源
ユニット１１３が上部／下部電極１０３，１１１に給電
している状態で循環ポンプ１０５を作動させ、噴流ノズ
ル１０９から電解液ＬＱを噴射させて基板Ｗの処理面Ｗ
ｓに電解液ＬＱを供給する。処理槽１００の底部から上
部に向かい、基板Ｗの処理面Ｗｓに供給された電解液Ｌ
Ｑは上部から排出され、循環路１０７を経て再び処理槽
１００内に供給されるようになっている。この過程にお
いて、電解液ＬＱに触れている基板Ｗの処理面Ｗｓに銅
のメッキ層が形成されるようになっている。
ユニット１１３が上部／下部電極１０３，１１１に給電
している状態で循環ポンプ１０５を作動させ、噴流ノズ
ル１０９から電解液ＬＱを噴射させて基板Ｗの処理面Ｗ
ｓに電解液ＬＱを供給する。処理槽１００の底部から上
部に向かい、基板Ｗの処理面Ｗｓに供給された電解液Ｌ
Ｑは上部から排出され、循環路１０７を経て再び処理槽
１００内に供給されるようになっている。この過程にお
いて、電解液ＬＱに触れている基板Ｗの処理面Ｗｓに銅
のメッキ層が形成されるようになっている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】基板Ｗに形成される素
子（例えば、ＭＰＵやメモリ）は、その動作速度の高速
化や多機能化のために年々高密度化してきているが、そ
の処理面Ｗｓには深い溝（トレンチ構造）が形成されて
いることが多い。このような溝は、今後、その幅が０．
２μｍ程度で、その深さが１μｍ程度のアスペクト比が
『５』程度のものとなってゆくと思われる。
子（例えば、ＭＰＵやメモリ）は、その動作速度の高速
化や多機能化のために年々高密度化してきているが、そ
の処理面Ｗｓには深い溝（トレンチ構造）が形成されて
いることが多い。このような溝は、今後、その幅が０．
２μｍ程度で、その深さが１μｍ程度のアスペクト比が
『５』程度のものとなってゆくと思われる。
【０００６】このような高アスペクト比の溝が形成され
ている基板Ｗに対して、上述した装置でメッキ処理を施
すと、基板Ｗがフェイスダウンで保持されている関係
上、溝の空気が極めて抜けにくい。また、電気分解によ
って発生した気体（酸素）も極めて抜けにくくなってい
る。したがって、図８（ａ）に示すように、溝Ｔの内部
が気泡により塞がれることになって、電解液ＬＱが溝Ｔ
の内部に充分に供給されなくなる。その結果、図８
（ｂ）に示すように、メッキ層ＰＬを溝Ｔの内部に形成
することができず、空隙Ｖ（以下、ボイドと称する）が
生じるという問題がある。このようなボイドＶが生じる
と、例えば、配線を流れる電流に対して充分な断面積を
得ることができなかったり、コンタクトホールにおける
オーミックコンタクトを得ることができない。
ている基板Ｗに対して、上述した装置でメッキ処理を施
すと、基板Ｗがフェイスダウンで保持されている関係
上、溝の空気が極めて抜けにくい。また、電気分解によ
って発生した気体（酸素）も極めて抜けにくくなってい
る。したがって、図８（ａ）に示すように、溝Ｔの内部
が気泡により塞がれることになって、電解液ＬＱが溝Ｔ
の内部に充分に供給されなくなる。その結果、図８
（ｂ）に示すように、メッキ層ＰＬを溝Ｔの内部に形成
することができず、空隙Ｖ（以下、ボイドと称する）が
生じるという問題がある。このようなボイドＶが生じる
と、例えば、配線を流れる電流に対して充分な断面積を
得ることができなかったり、コンタクトホールにおける
オーミックコンタクトを得ることができない。
【０００７】また、基板Ｗの処理面Ｗｓと下部電極１１
１との距離は、図９に示すように、下部電極１１１とそ
の真上に位置する処理面Ｗｓとの間が最短で、その他は
それよりも長くなる（図中に矢印で示す経路）。したが
って、下部電極１１１から真上に位置する処理面Ｗｓま
では電流密度が大きく、その他はそれより電流密度が小
さくなって処理面Ｗｓ内における電流密度に偏りが生じ
る。その結果、処理面Ｗｓの全体にわたってメッキ層を
均一に形成することができないという問題もある。
１との距離は、図９に示すように、下部電極１１１とそ
の真上に位置する処理面Ｗｓとの間が最短で、その他は
それよりも長くなる（図中に矢印で示す経路）。したが
って、下部電極１１１から真上に位置する処理面Ｗｓま
では電流密度が大きく、その他はそれより電流密度が小
さくなって処理面Ｗｓ内における電流密度に偏りが生じ
る。その結果、処理面Ｗｓの全体にわたってメッキ層を
均一に形成することができないという問題もある。
【０００８】なお、メッキ層が処理面Ｗｓ内において不
均一になる原因としては、上記の電流密度の他に、噴流
ノズル１０９により噴射される電解液ＬＱの流れが不均
一であることも原因となっている。
均一になる原因としては、上記の電流密度の他に、噴流
ノズル１０９により噴射される電解液ＬＱの流れが不均
一であることも原因となっている。
【０００９】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、気体抜けを良好にすることによってボ
イドの発生を防止し、処理面内における電流密度を全体
にわたって均一化することにより、メッキ層の均一性を
向上することができる基板メッキ装置を提供することを
目的とする。
たものであって、気体抜けを良好にすることによってボ
イドの発生を防止し、処理面内における電流密度を全体
にわたって均一化することにより、メッキ層の均一性を
向上することができる基板メッキ装置を提供することを
目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板に対してメッキ処理
を施す基板メッキ装置であって、基板の処理面を上方に
向けて保持するとともに、基板の処理面に対して電気的
に接続する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持さ
れた基板の処理面に対向して近接配置され、かつ基板と
ほぼ同等の大きさを有して電極を構成する板状部材と、
前記基板保持手段に保持された基板の処理面と前記板状
部材との間に少なくとも電解液を満たすように供給する
供給手段と、前記供給手段が電解液を基板の処理面と前
記板状部材との間に供給した状態で、前記板状部材から
前記基板保持手段へ向けて電流が流れるように給電する
給電手段と、を備えたことを特徴とするものである。
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項１に記載の発明は、基板に対してメッキ処理
を施す基板メッキ装置であって、基板の処理面を上方に
向けて保持するとともに、基板の処理面に対して電気的
に接続する基板保持手段と、前記基板保持手段に保持さ
れた基板の処理面に対向して近接配置され、かつ基板と
ほぼ同等の大きさを有して電極を構成する板状部材と、
前記基板保持手段に保持された基板の処理面と前記板状
部材との間に少なくとも電解液を満たすように供給する
供給手段と、前記供給手段が電解液を基板の処理面と前
記板状部材との間に供給した状態で、前記板状部材から
前記基板保持手段へ向けて電流が流れるように給電する
給電手段と、を備えたことを特徴とするものである。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の基板メッキ装置において、前記板状部材は、ほ
ぼ中央部に、電解液を基板の処理面と板状部材との間に
供給するための供給口を有することを特徴とするもので
ある。
に記載の基板メッキ装置において、前記板状部材は、ほ
ぼ中央部に、電解液を基板の処理面と板状部材との間に
供給するための供給口を有することを特徴とするもので
ある。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、請求項１
または請求項２に記載の基板メッキ装置において、前記
基板保持手段および前記板状部材のうち少なくとも一方
を回転駆動する駆動手段をさらに備えたことを特徴とす
るものである。
または請求項２に記載の基板メッキ装置において、前記
基板保持手段および前記板状部材のうち少なくとも一方
を回転駆動する駆動手段をさらに備えたことを特徴とす
るものである。
【００１３】また、請求項４に記載の発明は、請求項３
に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手段は、前
記基板保持手段のみを回転駆動するように構成されたこ
とを特徴とするものである。
に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手段は、前
記基板保持手段のみを回転駆動するように構成されたこ
とを特徴とするものである。
【００１４】また、請求項５に記載の発明は、請求項３
に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手段は、前
記板状部材のみを回転駆動するように構成されたことを
特徴とするものである。
に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手段は、前
記板状部材のみを回転駆動するように構成されたことを
特徴とするものである。
【００１５】また、請求項６に記載の発明は、請求項３
に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手段は、前
記基板保持手段および前記板状部材を回転駆動するよう
に構成されたことを特徴とするものである。
に記載の基板メッキ装置において、前記駆動手段は、前
記基板保持手段および前記板状部材を回転駆動するよう
に構成されたことを特徴とするものである。
【００１６】また、請求項７に記載の発明は、請求項１
ないし請求項６のいずれかに記載の基板メッキ装置にお
いて、前記板状部材は、その直径が基板の処理面の直径
よりもやや小さく形成されたことを特徴とするものであ
る。
ないし請求項６のいずれかに記載の基板メッキ装置にお
いて、前記板状部材は、その直径が基板の処理面の直径
よりもやや小さく形成されたことを特徴とするものであ
る。
【００１７】また、請求項８に記載の発明は、請求項１
ないし請求項７のいずれかに記載の基板メッキ装置にお
いて、基板の処理面と前記板状部材との間に供給される
電解液に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手
段をさらに備えたことを特徴とするものである。
ないし請求項７のいずれかに記載の基板メッキ装置にお
いて、基板の処理面と前記板状部材との間に供給される
電解液に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手
段をさらに備えたことを特徴とするものである。
【００１８】また、請求項９に記載の発明は、請求項８
に記載の基板メッキ装置において、前記超音波振動付与
手段は、前記供給手段に配設され、流通する電解液に対
して超音波振動を付与するように構成されたことを特徴
とするものである。
に記載の基板メッキ装置において、前記超音波振動付与
手段は、前記供給手段に配設され、流通する電解液に対
して超音波振動を付与するように構成されたことを特徴
とするものである。
【００１９】また、請求項１０に記載の発明は、請求項
８に記載の基板メッキ装置において、前記超音波振動付
与手段は、前記板状部材に超音波振動を付与するように
構成されたことを特徴とするものである。
８に記載の基板メッキ装置において、前記超音波振動付
与手段は、前記板状部材に超音波振動を付与するように
構成されたことを特徴とするものである。
【００２０】また、請求項１１に記載の発明は、請求項
１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板メッキ装置
において、前記供給手段は、洗浄液供給源にも連通接続
されており、前記基板保持手段に保持された基板の処理
面と前記板状部材との間に洗浄液と電解液を選択的に供
給するように構成されたことを特徴とするものである。
１ないし請求項１０のいずれかに記載の基板メッキ装置
において、前記供給手段は、洗浄液供給源にも連通接続
されており、前記基板保持手段に保持された基板の処理
面と前記板状部材との間に洗浄液と電解液を選択的に供
給するように構成されたことを特徴とするものである。
【００２１】また、請求項１２に記載の発明は、請求項
１ないし請求項１１のいずれかに記載の基板メッキ装置
において、前記基板保持手段の周囲に配置され、基板の
回転に伴って飛散した電解液を回収するための回収部材
と、前記回収部材によって回収された電解液を再び前記
供給手段に送るための循環路とをさらに備えたことを特
徴とするものである。
１ないし請求項１１のいずれかに記載の基板メッキ装置
において、前記基板保持手段の周囲に配置され、基板の
回転に伴って飛散した電解液を回収するための回収部材
と、前記回収部材によって回収された電解液を再び前記
供給手段に送るための循環路とをさらに備えたことを特
徴とするものである。
【００２２】また、請求項１３に記載の発明は、請求項
１２に記載の基板メッキ装置において、前記循環路内を
流通する電解液の濃度を測定する濃度測定手段と、前記
循環路に配設され、電解液を貯留する電解液貯留タンク
と、前記濃度測定手段の測定結果に基づき、濃度が一定
となるように電解液の補充を制御する制御手段とをさら
に備えたことを特徴とするものである。
１２に記載の基板メッキ装置において、前記循環路内を
流通する電解液の濃度を測定する濃度測定手段と、前記
循環路に配設され、電解液を貯留する電解液貯留タンク
と、前記濃度測定手段の測定結果に基づき、濃度が一定
となるように電解液の補充を制御する制御手段とをさら
に備えたことを特徴とするものである。
【００２３】また、請求項１４に記載の発明は、請求項
１３に記載の基板メッキ装置において、前記濃度測定手
段の結果に基づき行われる電解液の補充は、前記電解液
貯留タンクに対して行われるように構成されたことを特
徴とするものである。
１３に記載の基板メッキ装置において、前記濃度測定手
段の結果に基づき行われる電解液の補充は、前記電解液
貯留タンクに対して行われるように構成されたことを特
徴とするものである。
【００２４】また、請求項１５に記載の発明は、請求項
１３に記載の基板メッキ装置において、前記濃度測定手
段の結果に基づき行われる電解液の補充は、前記循環路
に対して行われ、前記電解液貯留タンクより下流側の位
置に行われるように構成されたことを特徴とするもので
ある。
１３に記載の基板メッキ装置において、前記濃度測定手
段の結果に基づき行われる電解液の補充は、前記循環路
に対して行われ、前記電解液貯留タンクより下流側の位
置に行われるように構成されたことを特徴とするもので
ある。
【００２５】
【作用】請求項１に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。基板保持手段によって基板が保持され、その処理面
に対向する位置には基板とほぼ同じ大きさの板状部材が
近接配置され、基板の処理面と板状部材との間には供給
手段から電解液が満たされるように供給される。板状部
材と基板保持手段には給電手段によって給電される。基
板は処理面が上方に向くように保持されているので、処
理面に溝が形成されている場合であっても、溝内の気泡
が離脱しやすく、電気分解によって発生した気体も自然
に上方に向かって離脱し、溝だけでなく処理面にもとど
まり難くなる。また、処理面に対向して近接配置され
た、基板とほぼ同じ大きさの板状部材が電極となってい
るため、電極から処理面までの距離を面内においてほぼ
均一にできる。
る。基板保持手段によって基板が保持され、その処理面
に対向する位置には基板とほぼ同じ大きさの板状部材が
近接配置され、基板の処理面と板状部材との間には供給
手段から電解液が満たされるように供給される。板状部
材と基板保持手段には給電手段によって給電される。基
板は処理面が上方に向くように保持されているので、処
理面に溝が形成されている場合であっても、溝内の気泡
が離脱しやすく、電気分解によって発生した気体も自然
に上方に向かって離脱し、溝だけでなく処理面にもとど
まり難くなる。また、処理面に対向して近接配置され
た、基板とほぼ同じ大きさの板状部材が電極となってい
るため、電極から処理面までの距離を面内においてほぼ
均一にできる。
【００２６】また、請求項２に記載の発明によれば、板
状部材のほぼ中央部にある供給口から電解液を供給する
ので、中心から周縁部に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができる。
状部材のほぼ中央部にある供給口から電解液を供給する
ので、中心から周縁部に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができる。
【００２７】また、請求項３に記載の発明によれば、基
板保持手段および前記板状部材のうち少なくとも一方を
回転駆動することにより、処理面内における電流密度に
ばらつきがあっても、その影響を小さくすることができ
るとともに、中心側から周縁側に向かって遠心力によっ
て電解液を円滑に流動させることができる。
板保持手段および前記板状部材のうち少なくとも一方を
回転駆動することにより、処理面内における電流密度に
ばらつきがあっても、その影響を小さくすることができ
るとともに、中心側から周縁側に向かって遠心力によっ
て電解液を円滑に流動させることができる。
【００２８】また、請求項４に記載の発明によれば、駆
動手段により基板保持手段だけを回転駆動しても、処理
面内における電流密度のばらつきによる悪影響を抑制す
ることができるとともに、遠心力によって中心側から周
縁側に向かって電解液を円滑に流動させることができ
る。
動手段により基板保持手段だけを回転駆動しても、処理
面内における電流密度のばらつきによる悪影響を抑制す
ることができるとともに、遠心力によって中心側から周
縁側に向かって電解液を円滑に流動させることができ
る。
【００２９】また、請求項５に記載の発明によれば、駆
動手段により板状部材のみを回転駆動しても、処理面内
における電流密度のばらつきによる悪影響を抑制するこ
とができるとともに、遠心力によって中心側から周縁側
に向かって電解液を円滑に流動させることができる。
動手段により板状部材のみを回転駆動しても、処理面内
における電流密度のばらつきによる悪影響を抑制するこ
とができるとともに、遠心力によって中心側から周縁側
に向かって電解液を円滑に流動させることができる。
【００３０】また、請求項６に記載の発明によれば、駆
動手段によって基板保持手段と板状部材を共に回転駆動
すると、遠心力によって中心側から周縁側に向かって電
解液を円滑に流動させることができる。なお、共に回転
とは同方向あるいは逆方向を含むものである。
動手段によって基板保持手段と板状部材を共に回転駆動
すると、遠心力によって中心側から周縁側に向かって電
解液を円滑に流動させることができる。なお、共に回転
とは同方向あるいは逆方向を含むものである。
【００３１】また、請求項７に記載の発明の作用は次の
とおりである。基板保持手段は、基板の周縁部を係止あ
るいは挟持するなどの手法により保持することになるの
で、給電手段によって基板保持手段に供給された電流
は、処理面の中心部側と板状部材の対向面との経路に流
れるよりも処理面の周縁部側と板状部材の対向面との経
路に流れやすい。したがって、処理面の周縁部側の電流
密度が大きくなって電流密度に偏りが生じ、処理面の周
縁部側にメッキ層が厚く形成され易いが（以下、このよ
うな現象を『端効果』と称する）、板状部材の直径を処
理面の直径よりやや小さくすることによって、処理面の
周縁部側からの距離を中心部側よりも長くとることがで
きて電流密度を小さくすることができ、周縁部側と中心
部側との電流密度のバランスをとって『端効果』を抑制
することができる。
とおりである。基板保持手段は、基板の周縁部を係止あ
るいは挟持するなどの手法により保持することになるの
で、給電手段によって基板保持手段に供給された電流
は、処理面の中心部側と板状部材の対向面との経路に流
れるよりも処理面の周縁部側と板状部材の対向面との経
路に流れやすい。したがって、処理面の周縁部側の電流
密度が大きくなって電流密度に偏りが生じ、処理面の周
縁部側にメッキ層が厚く形成され易いが（以下、このよ
うな現象を『端効果』と称する）、板状部材の直径を処
理面の直径よりやや小さくすることによって、処理面の
周縁部側からの距離を中心部側よりも長くとることがで
きて電流密度を小さくすることができ、周縁部側と中心
部側との電流密度のバランスをとって『端効果』を抑制
することができる。
【００３２】また、請求項８に記載の発明によれば、電
解液に付与した超音波振動によって基板の処理面に付着
している気泡や電気分解により発生した気体を容易に処
理面から離脱させることができる。
解液に付与した超音波振動によって基板の処理面に付着
している気泡や電気分解により発生した気体を容易に処
理面から離脱させることができる。
【００３３】また、その超音波振動の付与のさせ方とし
ては、超音波振動付与手段を供給手段に取り付け、流通
する電解液に超音波振動を付与してもよく（請求項
９）、板状部材に超音波振動を付与する（請求項１０）
ようにしてもよい。
ては、超音波振動付与手段を供給手段に取り付け、流通
する電解液に超音波振動を付与してもよく（請求項
９）、板状部材に超音波振動を付与する（請求項１０）
ようにしてもよい。
【００３４】また、請求項１１に記載の発明によれば、
供給手段から電解液を供給してメッキ処理を行った後、
供給手段から洗浄液を供給して洗浄処理を行うことがで
き、メッキ処理の後に必須の処理を基板を搬送すること
なく連続して行うことができる。
供給手段から電解液を供給してメッキ処理を行った後、
供給手段から洗浄液を供給して洗浄処理を行うことがで
き、メッキ処理の後に必須の処理を基板を搬送すること
なく連続して行うことができる。
【００３５】また、請求項１２に記載の発明によれば、
回収部材により飛散した電解液を回収し、再び循環路を
経て供給手段に送ることによって、電解液の利用効率を
高めることができる。
回収部材により飛散した電解液を回収し、再び循環路を
経て供給手段に送ることによって、電解液の利用効率を
高めることができる。
【００３６】また、請求項１３に記載の発明によれば、
電解液貯留タンクから循環路に電解液を供給し、電解液
を循環させつつ多数の基板に対してメッキ処理を施すと
電解液の濃度が低下し、同じメッキ厚を得るために時間
がかかったり、同一時間だけメッキ処理を行うとメッキ
厚が薄くなる問題が生じる。そこで、制御手段が濃度測
定手段の測定結果に基づいて電解液の濃度が一定となる
ように電解液を補充するように制御するので、濃度変動
を抑制でき、上記のような不都合を回避することができ
る。
電解液貯留タンクから循環路に電解液を供給し、電解液
を循環させつつ多数の基板に対してメッキ処理を施すと
電解液の濃度が低下し、同じメッキ厚を得るために時間
がかかったり、同一時間だけメッキ処理を行うとメッキ
厚が薄くなる問題が生じる。そこで、制御手段が濃度測
定手段の測定結果に基づいて電解液の濃度が一定となる
ように電解液を補充するように制御するので、濃度変動
を抑制でき、上記のような不都合を回避することができ
る。
【００３７】上記のような電解液の補充は、電解液貯留
タンクに行うようにしてもよく（請求項１４）、循環路
で、かつ電解液貯留タンクより下流側の位置に行うよう
にしてもよい（請求項１５）。特に、電解液貯留タンク
の下流側に補充する場合には、濃度変動が生じた場合に
迅速に元に戻すことができる。
タンクに行うようにしてもよく（請求項１４）、循環路
で、かつ電解液貯留タンクより下流側の位置に行うよう
にしてもよい（請求項１５）。特に、電解液貯留タンク
の下流側に補充する場合には、濃度変動が生じた場合に
迅速に元に戻すことができる。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。 ＜第１実施例＞図１は、本実施例に係る基板メッキ装置
の概略構成を示すブロック図である。基板保持機構１
は、導電性の材料で形成されており、メッキ処理の対象
である半導体ウエハなどの基板Ｗを、メッキ処理が施さ
れる処理面Ｗｓを上方に向けた状態（いわゆるフェイス
アップ）で保持するものである。ベース部材３は、基板
Ｗよりやや大径の部材であり、その上面周辺部に基板Ｗ
の周縁部を当接支持するための支持部５が複数個形成さ
れている。各支持部５は、その上部内側が基板Ｗの周縁
部の形状に合わせて形成されている。なお、基板保持機
構１は、本発明における基板保持手段に相当する。
実施例を説明する。 ＜第１実施例＞図１は、本実施例に係る基板メッキ装置
の概略構成を示すブロック図である。基板保持機構１
は、導電性の材料で形成されており、メッキ処理の対象
である半導体ウエハなどの基板Ｗを、メッキ処理が施さ
れる処理面Ｗｓを上方に向けた状態（いわゆるフェイス
アップ）で保持するものである。ベース部材３は、基板
Ｗよりやや大径の部材であり、その上面周辺部に基板Ｗ
の周縁部を当接支持するための支持部５が複数個形成さ
れている。各支持部５は、その上部内側が基板Ｗの周縁
部の形状に合わせて形成されている。なお、基板保持機
構１は、本発明における基板保持手段に相当する。
【００３９】ベース部材３には、その下面中心部から下
方に突出した連結部７が形成されており、この部分に電
動モータ９の回転軸１１が嵌入されて、電動モータ９に
連動連結されている。その連結部７には、外周面に摺動
する給電ブラシ１３から給電されるようになっている。
なお、回転軸１１は絶縁部１１ａによって上部と下部が
電気的に絶縁されており、給電ブラシ１３からの給電が
電動モータ９に影響しないように構成されている。
方に突出した連結部７が形成されており、この部分に電
動モータ９の回転軸１１が嵌入されて、電動モータ９に
連動連結されている。その連結部７には、外周面に摺動
する給電ブラシ１３から給電されるようになっている。
なお、回転軸１１は絶縁部１１ａによって上部と下部が
電気的に絶縁されており、給電ブラシ１３からの給電が
電動モータ９に影響しないように構成されている。
【００４０】基板保持機構１の上方には、ベース部材３
とほぼ同じ大きさでそれとほぼ平行に、導電性材料（例
えば、電解液が硫酸銅メッキ液の場合には銅、白金、チ
タン、あるいはこれらの合金など）で形成された板状部
材１５が配設されている。この板状部材１５の下面周辺
部には、基板保持機構１の支持部５と同形状の押圧部１
７が複数個配設されている。但し、押圧部１７は絶縁性
の上部１７ａと、導電性の下部１７ｂによって構成さ
れ、下部１７ｂの下部内側は基板Ｗの周縁部の形状に合
わせて形成されている。なお、板状部材１５の下面と、
支持部５に支持された基板Ｗの処理面Ｗｓとの間隔ｄ
は、電解液を少なくして処理可能であることや電解液の
液密が保持しやすいことなどの理由から近接するように
狭く設定する方が良いが、その具体的な値は、例えば、
０．５〜５ｍｍ程度である。
とほぼ同じ大きさでそれとほぼ平行に、導電性材料（例
えば、電解液が硫酸銅メッキ液の場合には銅、白金、チ
タン、あるいはこれらの合金など）で形成された板状部
材１５が配設されている。この板状部材１５の下面周辺
部には、基板保持機構１の支持部５と同形状の押圧部１
７が複数個配設されている。但し、押圧部１７は絶縁性
の上部１７ａと、導電性の下部１７ｂによって構成さ
れ、下部１７ｂの下部内側は基板Ｗの周縁部の形状に合
わせて形成されている。なお、板状部材１５の下面と、
支持部５に支持された基板Ｗの処理面Ｗｓとの間隔ｄ
は、電解液を少なくして処理可能であることや電解液の
液密が保持しやすいことなどの理由から近接するように
狭く設定する方が良いが、その具体的な値は、例えば、
０．５〜５ｍｍ程度である。
【００４１】板状部材１５の上面中心部から上方に突出
形成された連結部１９は、絶縁部２１を介して電動モー
タ２３の回転軸２５に連動連結されている。板状部材１
５の下面中心部には供給口１５ａが形成されており、電
動モータ２３の上方に貫通した回転軸２５に取り付けら
れた加振部２７を経て供給される電解液（例えば、硫酸
銅メッキ液）を、基板保持機構１に保持された基板Ｗに
対して供給するようになっている。加振部２７は、超音
波振動子２７ａを内蔵しており、高周波を供給する超音
波振動用電源２９によって超音波振動子２７ａを振動さ
せ、電解液に超音波振動を付与する。また、板状部材１
５には、その連結部１９から給電ブラシ３１を介して給
電されるようになっている。なお、加振部２７は、本発
明の超音波振動付与手段に相当する。
形成された連結部１９は、絶縁部２１を介して電動モー
タ２３の回転軸２５に連動連結されている。板状部材１
５の下面中心部には供給口１５ａが形成されており、電
動モータ２３の上方に貫通した回転軸２５に取り付けら
れた加振部２７を経て供給される電解液（例えば、硫酸
銅メッキ液）を、基板保持機構１に保持された基板Ｗに
対して供給するようになっている。加振部２７は、超音
波振動子２７ａを内蔵しており、高周波を供給する超音
波振動用電源２９によって超音波振動子２７ａを振動さ
せ、電解液に超音波振動を付与する。また、板状部材１
５には、その連結部１９から給電ブラシ３１を介して給
電されるようになっている。なお、加振部２７は、本発
明の超音波振動付与手段に相当する。
【００４２】上述した給電ブラシ１３，３１は、それぞ
れ電源ユニット３３に接続されており、給電ブラシ１３
に負極側が、給電ブラシ３１に正極側が接続されてい
る。したがって、基板Ｗの処理面Ｗｓは、給電ブラシ１
３と、連結部７と、ベース部材３と、支持部５と、押圧
部１７の下部１７ｂを介して陰極となり、処理面Ｗｓに
対向している板状部材１５は、給電ブラシ３１と、連結
部１９とを介して陽極となる。なお、給電ブラシ１３，
３１と電源ユニット３３が本発明の給電手段に相当す
る。
れ電源ユニット３３に接続されており、給電ブラシ１３
に負極側が、給電ブラシ３１に正極側が接続されてい
る。したがって、基板Ｗの処理面Ｗｓは、給電ブラシ１
３と、連結部７と、ベース部材３と、支持部５と、押圧
部１７の下部１７ｂを介して陰極となり、処理面Ｗｓに
対向している板状部材１５は、給電ブラシ３１と、連結
部１９とを介して陽極となる。なお、給電ブラシ１３，
３１と電源ユニット３３が本発明の給電手段に相当す
る。
【００４３】基板保持機構１の周囲には、供給口１５ａ
から供給され、遠心力によって周囲に飛散した電解液を
受け止めて回収するための回収部材となるスプラッシュ
ガード３５が配設されている。このスプラッシュガード
３５は、基板保持機構１に対して昇降するように構成さ
れている。
から供給され、遠心力によって周囲に飛散した電解液を
受け止めて回収するための回収部材となるスプラッシュ
ガード３５が配設されている。このスプラッシュガード
３５は、基板保持機構１に対して昇降するように構成さ
れている。
【００４４】電解液を貯留している電解液貯留タンク３
７は、電解液を送り出す循環ポンプ３９と、電解液中の
パーティクルなどを除去するフィルタ４１と、電解液の
濃度を検出する濃度センサ４３（濃度測定手段）と、濃
度調整のための補充液を注入するためのミキシングバル
ブ４５と、開閉操作弁４７とを介して循環路４９により
加振部２７の供給路２７ｂ（供給手段）に連通してい
る。電解液は、開閉操作弁４７を開放するとともに循環
ポンプ３９を作動することによって、電解液貯留タンク
３７から供給路２７ｂに供給され、加振部２７で超音波
振動が付与されて処理面Ｗｓに供給されるようになって
いる。また、スプラッシュガード３５と電解液貯留タン
ク３７とは、開閉操作弁５１を介して連通しており、飛
散した電解液を回収するようになっている。さらに、ス
プラッシュガード３５には、開閉操作弁５３を介してド
レインにも連通している。これらの開閉操作弁５１，５
３の開閉操作により、スプラッシュガード３５に受け止
めた液体を回収したり、廃棄したりするようになってい
る。なお、これらの開閉操作弁５１，５３の開閉動作
は、後述する制御部５５によって制御される。
７は、電解液を送り出す循環ポンプ３９と、電解液中の
パーティクルなどを除去するフィルタ４１と、電解液の
濃度を検出する濃度センサ４３（濃度測定手段）と、濃
度調整のための補充液を注入するためのミキシングバル
ブ４５と、開閉操作弁４７とを介して循環路４９により
加振部２７の供給路２７ｂ（供給手段）に連通してい
る。電解液は、開閉操作弁４７を開放するとともに循環
ポンプ３９を作動することによって、電解液貯留タンク
３７から供給路２７ｂに供給され、加振部２７で超音波
振動が付与されて処理面Ｗｓに供給されるようになって
いる。また、スプラッシュガード３５と電解液貯留タン
ク３７とは、開閉操作弁５１を介して連通しており、飛
散した電解液を回収するようになっている。さらに、ス
プラッシュガード３５には、開閉操作弁５３を介してド
レインにも連通している。これらの開閉操作弁５１，５
３の開閉操作により、スプラッシュガード３５に受け止
めた液体を回収したり、廃棄したりするようになってい
る。なお、これらの開閉操作弁５１，５３の開閉動作
は、後述する制御部５５によって制御される。
【００４５】濃度センサ４３で検出された濃度信号は、
制御部５５に与えられる。制御部５５は、循環路４９を
流通している電解液の濃度を一定に保持するように補充
部５７を制御する。補充部５７は、補充液（例えば、硫
酸銅メッキ液の場合には硫酸銅）を貯留している補充液
供給源５９と、制御部５５の制御により補充液を送り出
すポンプ６１と、補充液中のパーティクルなどを除去す
るためのフィルタ６３とから構成されている。フィルタ
６３を流通した補充液は、ミキシングバルブ４５によっ
て循環路４９を流通している電解液に注入される。この
ように濃度センサ４３の濃度信号に基づいて補充液が循
環路４９に直接補充されるので、基板Ｗへ供給する電解
液の濃度をほぼ一定にすることができる。なお、電解液
を送り出す方式として、ポンプ６１を用いることなく、
補充液供給源５９の内部を加圧して供給する方式を採用
してもよい。
制御部５５に与えられる。制御部５５は、循環路４９を
流通している電解液の濃度を一定に保持するように補充
部５７を制御する。補充部５７は、補充液（例えば、硫
酸銅メッキ液の場合には硫酸銅）を貯留している補充液
供給源５９と、制御部５５の制御により補充液を送り出
すポンプ６１と、補充液中のパーティクルなどを除去す
るためのフィルタ６３とから構成されている。フィルタ
６３を流通した補充液は、ミキシングバルブ４５によっ
て循環路４９を流通している電解液に注入される。この
ように濃度センサ４３の濃度信号に基づいて補充液が循
環路４９に直接補充されるので、基板Ｗへ供給する電解
液の濃度をほぼ一定にすることができる。なお、電解液
を送り出す方式として、ポンプ６１を用いることなく、
補充液供給源５９の内部を加圧して供給する方式を採用
してもよい。
【００４６】供給路２７ｂと開閉操作弁４７との間の循
環路４９には、開閉操作弁６５が取り付けられている。
この開閉操作弁６５には、洗浄液（例えば、純水）を供
給するための洗浄液供給源６７が連通接続されている。
したがって、開閉操作弁４７，６５の開閉操作によっ
て、電解液または洗浄液を選択的に供給することができ
るように構成されている。
環路４９には、開閉操作弁６５が取り付けられている。
この開閉操作弁６５には、洗浄液（例えば、純水）を供
給するための洗浄液供給源６７が連通接続されている。
したがって、開閉操作弁４７，６５の開閉操作によっ
て、電解液または洗浄液を選択的に供給することができ
るように構成されている。
【００４７】制御部５５は、駆動手段に相当する電動モ
ータ９，２３と、超音波振動用電源２９と、電源ユニッ
ト３３と、開閉操作弁４７，５１，５３，６５と、循環
ポンプ３９と、ポンプ６１と、スプラッシュガード３５
の昇降機構（図示省略）と、板状部材１５の移動機構
（図示省略）とを統括制御するようになっている。
ータ９，２３と、超音波振動用電源２９と、電源ユニッ
ト３３と、開閉操作弁４７，５１，５３，６５と、循環
ポンプ３９と、ポンプ６１と、スプラッシュガード３５
の昇降機構（図示省略）と、板状部材１５の移動機構
（図示省略）とを統括制御するようになっている。
【００４８】次に、図１および図２を参照しつつ上記の
ように構成されている基板メッキ装置の動作について説
明する。なお、説明の都合上、初期状態では開閉操作弁
４７，５１，５３，６５が閉止されているものとする。
ように構成されている基板メッキ装置の動作について説
明する。なお、説明の都合上、初期状態では開閉操作弁
４７，５１，５３，６５が閉止されているものとする。
【００４９】まず、制御部５５は、板状部材１５の移動
機構（図示省略）を制御し、板状部材１５を基板保持機
構１の側方に移動して、基板保持機構１の上方に、基板
搬送アーム（図示省略）が進入できるようにしておく
（図２（ａ））。
機構（図示省略）を制御し、板状部材１５を基板保持機
構１の側方に移動して、基板保持機構１の上方に、基板
搬送アーム（図示省略）が進入できるようにしておく
（図２（ａ））。
【００５０】次に、制御部５５は、図示しない基板搬送
アームを制御して、基板Ｗの処理面Ｗｓが上方に向くよ
うに基板Ｗを支持部５に載置する（図２（ｂ））。
アームを制御して、基板Ｗの処理面Ｗｓが上方に向くよ
うに基板Ｗを支持部５に載置する（図２（ｂ））。
【００５１】図示しない基板搬送アームが退避した後、
板状部材１５の移動機構（図示省略）を制御して、板状
部材１５を基板保持機構１の直上に移動し、板状部材１
５の押圧部１７が基板Ｗの周縁部を押圧するように板状
部材１５を下降する（図２（ｃ））。そして、スプラッ
シュガード３５を上昇させて、基板保持機構１の周囲を
囲う。
板状部材１５の移動機構（図示省略）を制御して、板状
部材１５を基板保持機構１の直上に移動し、板状部材１
５の押圧部１７が基板Ｗの周縁部を押圧するように板状
部材１５を下降する（図２（ｃ））。そして、スプラッ
シュガード３５を上昇させて、基板保持機構１の周囲を
囲う。
【００５２】はじめに、開閉操作弁５３，６５を開放
し、洗浄液（例えば、純水）を供給口１５ａから供給し
て前洗浄処理を行う。なお、このとき超音波振動を付与
するようにしてもよい。一定時間前洗浄処理を施した
後、開閉操作弁５３，６５を閉止する。
し、洗浄液（例えば、純水）を供給口１５ａから供給し
て前洗浄処理を行う。なお、このとき超音波振動を付与
するようにしてもよい。一定時間前洗浄処理を施した
後、開閉操作弁５３，６５を閉止する。
【００５３】次に、開閉操作弁４７，５１を開放すると
ともに循環ポンプ３９を作動させ、電解液貯留タンク３
７の電解液ＬＱを循環路４９に送り出す。さらに、超音
波振動用電源２９をオン状態として供給路２７ｂに供給
される電解液ＬＱに超音波振動を付与し、超音波振動が
付与された電解液ＬＱを供給口１５ａから基板Ｗの処理
面Ｗｓに供給する。基板Ｗは処理面Ｗｓが上方に向くよ
うにフェイスアップで保持されているので、処理面Ｗｓ
に溝が形成されていたとしても気泡は自然に離脱し、よ
り離脱しにくい構造の部分に気泡が付着していても超音
波振動を付与している関係上、このような気泡も処理面
Ｗｓから容易に離脱し、処理面Ｗｓの表面全体を完全に
電解液ＬＱで覆うことができる。処理面Ｗｓに供給され
た電解液ＬＱは、処理面Ｗｓと板状部材１５との間隔ｄ
を満たしつつ複数個の押圧部１７の間を通って周囲に漏
れ出る。また、漏れ出た電解液ＬＱは、スプラッシュガ
ード３５によって受け止められるとともに電解液貯留タ
ンク３７に回収され、再び循環路４９を経て供給される
ので、利用効率を高めることができる。なお、電解液Ｌ
Ｑが漏れ出る速度を遅くして間隔ｄの液密を高めるため
に、各押圧部材１７の間に抵抗となる部材を配設するよ
うにしてもよい。
ともに循環ポンプ３９を作動させ、電解液貯留タンク３
７の電解液ＬＱを循環路４９に送り出す。さらに、超音
波振動用電源２９をオン状態として供給路２７ｂに供給
される電解液ＬＱに超音波振動を付与し、超音波振動が
付与された電解液ＬＱを供給口１５ａから基板Ｗの処理
面Ｗｓに供給する。基板Ｗは処理面Ｗｓが上方に向くよ
うにフェイスアップで保持されているので、処理面Ｗｓ
に溝が形成されていたとしても気泡は自然に離脱し、よ
り離脱しにくい構造の部分に気泡が付着していても超音
波振動を付与している関係上、このような気泡も処理面
Ｗｓから容易に離脱し、処理面Ｗｓの表面全体を完全に
電解液ＬＱで覆うことができる。処理面Ｗｓに供給され
た電解液ＬＱは、処理面Ｗｓと板状部材１５との間隔ｄ
を満たしつつ複数個の押圧部１７の間を通って周囲に漏
れ出る。また、漏れ出た電解液ＬＱは、スプラッシュガ
ード３５によって受け止められるとともに電解液貯留タ
ンク３７に回収され、再び循環路４９を経て供給される
ので、利用効率を高めることができる。なお、電解液Ｌ
Ｑが漏れ出る速度を遅くして間隔ｄの液密を高めるため
に、各押圧部材１７の間に抵抗となる部材を配設するよ
うにしてもよい。
【００５４】処理面Ｗｓと板状部材１５との間隔ｄが電
解液ＬＱによって完全に満たされた時点で、制御部５５
は電動モータ９，２３をそれぞれ同じ回転数（例えば、
数十ｒｐｍ程度の低速度）で駆動するともに、電源ユニ
ット３３をオン状態にする（図２（ｄ））。これにより
処理面Ｗｓは陰極に、板状部材１５は陽極になり、間隔
ｄを満たしている電解液ＬＱが電気分解され、例えば、
電解液ＬＱが硫酸銅メッキ液である場合には処理面Ｗｓ
に銅が析出してメッキ処理が施される。この過程で、電
気分解によって発生した気体も上方に向かって自然に離
脱し、溝だけでなく処理面Ｗｓにも気泡がとどまり難く
することができる。したがって、気体が良好に抜け、図
８（ｂ）に示したようなボイドＶの発生を防止すること
ができる。また、供給口１５ａから間隔ｄに供給された
電解液ＬＱは、遠心力によって中心部から周縁部に流動
するので、電解液ＬＱを中心部から周縁部に向かって円
滑に流すことができる。したがって、電解液ＬＱの流動
ムラに起因するメッキ層のムラを防止できる。
解液ＬＱによって完全に満たされた時点で、制御部５５
は電動モータ９，２３をそれぞれ同じ回転数（例えば、
数十ｒｐｍ程度の低速度）で駆動するともに、電源ユニ
ット３３をオン状態にする（図２（ｄ））。これにより
処理面Ｗｓは陰極に、板状部材１５は陽極になり、間隔
ｄを満たしている電解液ＬＱが電気分解され、例えば、
電解液ＬＱが硫酸銅メッキ液である場合には処理面Ｗｓ
に銅が析出してメッキ処理が施される。この過程で、電
気分解によって発生した気体も上方に向かって自然に離
脱し、溝だけでなく処理面Ｗｓにも気泡がとどまり難く
することができる。したがって、気体が良好に抜け、図
８（ｂ）に示したようなボイドＶの発生を防止すること
ができる。また、供給口１５ａから間隔ｄに供給された
電解液ＬＱは、遠心力によって中心部から周縁部に流動
するので、電解液ＬＱを中心部から周縁部に向かって円
滑に流すことができる。したがって、電解液ＬＱの流動
ムラに起因するメッキ層のムラを防止できる。
【００５５】また、処理面Ｗｓに対向して近接配置さ
れ、処理面Ｗｓとほぼ同じ大きさの板状部材１５を電極
としているため、電極から処理面Ｗｓまでの距離（間隔
ｄ）を面内においてほぼ均一にできる。したがって、電
流密度を処理面Ｗｓの全体にわたってほぼ均一にするこ
とができ、メッキ層の均一性を向上することができる。
れ、処理面Ｗｓとほぼ同じ大きさの板状部材１５を電極
としているため、電極から処理面Ｗｓまでの距離（間隔
ｄ）を面内においてほぼ均一にできる。したがって、電
流密度を処理面Ｗｓの全体にわたってほぼ均一にするこ
とができ、メッキ層の均一性を向上することができる。
【００５６】さらに、濃度センサ４３の濃度信号に基づ
き補充液供給源５９から補充液が循環路４９に注入され
て電解液ＬＱの濃度が調整されるので、電解液ＬＱの濃
度を一定化でき、長期間にわたって安定した処理が可能
である。また、その補充箇所は、電解液貯留タンク３７
よりも下流側であるため濃度変動が生じた場合に迅速に
元に戻すことができ、より安定した処理が可能である。
き補充液供給源５９から補充液が循環路４９に注入され
て電解液ＬＱの濃度が調整されるので、電解液ＬＱの濃
度を一定化でき、長期間にわたって安定した処理が可能
である。また、その補充箇所は、電解液貯留タンク３７
よりも下流側であるため濃度変動が生じた場合に迅速に
元に戻すことができ、より安定した処理が可能である。
【００５７】上記のように電解液ＬＱを供給しつつ給電
した状態を一定時間（例えば、５，６分間）保持した
後、洗浄処理に移る。具体的には、超音波振動用電源２
９と電源ユニット３３をオフ状態とし、循環ポンプ３９
を停止し、開閉操作弁４７，５１を閉止する。そして、
開閉操作弁５３，６５を開放し、洗浄液（例えば、純
水）を供給口１５ａから供給して後洗浄処理を行う。な
お、このとき超音波振動を付与するようにしてもよい。
一定時間後洗浄処理を施した後、開閉操作弁５３，６５
を閉止し、電動モータ９を高速回転させて基板Ｗを液切
り乾燥する。以上の一連の処理によって基板Ｗに対する
メッキ処理が完了する。
した状態を一定時間（例えば、５，６分間）保持した
後、洗浄処理に移る。具体的には、超音波振動用電源２
９と電源ユニット３３をオフ状態とし、循環ポンプ３９
を停止し、開閉操作弁４７，５１を閉止する。そして、
開閉操作弁５３，６５を開放し、洗浄液（例えば、純
水）を供給口１５ａから供給して後洗浄処理を行う。な
お、このとき超音波振動を付与するようにしてもよい。
一定時間後洗浄処理を施した後、開閉操作弁５３，６５
を閉止し、電動モータ９を高速回転させて基板Ｗを液切
り乾燥する。以上の一連の処理によって基板Ｗに対する
メッキ処理が完了する。
【００５８】なお、洗浄液や電解液などの処理液の種類
に応じてドレインへ分離回収することもできる。
に応じてドレインへ分離回収することもできる。
【００５９】＜第２実施例＞図３は、本実施例装置の概
略構成を示すブロック図である。なお、上述した第１実
施例装置と同じ構成のものには同符号を付すことで詳細
な説明については省略する。
略構成を示すブロック図である。なお、上述した第１実
施例装置と同じ構成のものには同符号を付すことで詳細
な説明については省略する。
【００６０】基板保持機構１は、そのベース部材３の上
面周辺部に円柱状の支持ピン７１が取り付けられてい
る。各支持ピン７１は、偏心した鉛直向きの回転軸芯Ｐ
周りに回転可能に構成されており、軸芯Ｐから離れた外
周部には基板Ｗの周縁部を係止するための凹部７１ａが
形成されている。また、支持ピン７１は、その凹部７１
ａの天井面だけが給電ブラシ１３と導通するようになっ
ており、基板Ｗの処理面Ｗｓだけに通電できるようにな
っている。
面周辺部に円柱状の支持ピン７１が取り付けられてい
る。各支持ピン７１は、偏心した鉛直向きの回転軸芯Ｐ
周りに回転可能に構成されており、軸芯Ｐから離れた外
周部には基板Ｗの周縁部を係止するための凹部７１ａが
形成されている。また、支持ピン７１は、その凹部７１
ａの天井面だけが給電ブラシ１３と導通するようになっ
ており、基板Ｗの処理面Ｗｓだけに通電できるようにな
っている。
【００６１】板状部材１５は、後述する理由によりその
直径が基板Ｗの直径よりもやや小さく形成されており、
その連結部１９が位置固定となっている。板状部材１５
の上面には、加振部２７が取り付けられているが、給電
の関係上、超音波振動子２７ａが絶縁体２７ｂを介して
取り付けられている。また、電源ユニット３３の正極側
が板状部材１５の上面に直接的に接続されている。
直径が基板Ｗの直径よりもやや小さく形成されており、
その連結部１９が位置固定となっている。板状部材１５
の上面には、加振部２７が取り付けられているが、給電
の関係上、超音波振動子２７ａが絶縁体２７ｂを介して
取り付けられている。また、電源ユニット３３の正極側
が板状部材１５の上面に直接的に接続されている。
【００６２】また、電解液の濃度を調整するための補充
部５７は、その補充液の補充箇所が循環路４９ではな
く、電解液貯留タンク３７となっている。
部５７は、その補充液の補充箇所が循環路４９ではな
く、電解液貯留タンク３７となっている。
【００６３】次に、図１及び図４を参照しつつ第２実施
例装置の動作について説明する。
例装置の動作について説明する。
【００６４】制御部５５は、板状部材１５の移動機構
（図示省略）を制御し、板状部材１５を基板保持機構１
の側方に移動して、基板搬送アーム（図示省略）が進入
できるようにするとともに、凹部７１ａが側方に向くよ
うに支持ピン７１を軸芯Ｐ周りで回転させて基板Ｗを受
け入れられる状態にする（図４（ａ））。
（図示省略）を制御し、板状部材１５を基板保持機構１
の側方に移動して、基板搬送アーム（図示省略）が進入
できるようにするとともに、凹部７１ａが側方に向くよ
うに支持ピン７１を軸芯Ｐ周りで回転させて基板Ｗを受
け入れられる状態にする（図４（ａ））。
【００６５】次に、制御部５５は、図示しない基板搬送
アームを制御して、基板Ｗの処理面Ｗｓが上方に向くよ
うに支持した状態で基板搬送アームを進入させ、基板Ｗ
の周縁部と凹部７１ａが一致する高さにまで下降する。
そして、支持ピン７１を軸芯Ｐ周りに回転させて基板Ｗ
の周縁部を複数カ所で係止するとともに、基板搬送アー
ムを退避させる（図４（ｂ））。
アームを制御して、基板Ｗの処理面Ｗｓが上方に向くよ
うに支持した状態で基板搬送アームを進入させ、基板Ｗ
の周縁部と凹部７１ａが一致する高さにまで下降する。
そして、支持ピン７１を軸芯Ｐ周りに回転させて基板Ｗ
の周縁部を複数カ所で係止するとともに、基板搬送アー
ムを退避させる（図４（ｂ））。
【００６６】板状部材１５の移動機構（図示省略）を制
御して、板状部材１５を基板保持機構１の直上に移動
し、板状部材１５の下面と処理面Ｗｓとが近接する下降
する。具体的には、一定の距離（間隔ｄ）になるように
板状部材１５を下降する（図４（ｃ））。そして、スプ
ラッシュガード３５を上昇させて、基板保持機構１の周
囲を囲う。
御して、板状部材１５を基板保持機構１の直上に移動
し、板状部材１５の下面と処理面Ｗｓとが近接する下降
する。具体的には、一定の距離（間隔ｄ）になるように
板状部材１５を下降する（図４（ｃ））。そして、スプ
ラッシュガード３５を上昇させて、基板保持機構１の周
囲を囲う。
【００６７】はじめに、開閉操作弁５３，６５を開放
し、洗浄液（例えば、純水）を供給口１５ａから供給し
て前洗浄処理を行う。なお、このとき超音波振動を付与
するようにしてもよい。一定時間前洗浄処理を施した
後、開閉操作弁５３，６５を閉止する。
し、洗浄液（例えば、純水）を供給口１５ａから供給し
て前洗浄処理を行う。なお、このとき超音波振動を付与
するようにしてもよい。一定時間前洗浄処理を施した
後、開閉操作弁５３，６５を閉止する。
【００６８】次に、電解液ＬＱを循環路４９に送り出
し、超音波振動用電源２９をオン状態として板状部材１
５に超音波振動を付与し、処理面Ｗｓと板状部材１５の
下面との間に供給された電解液ＬＱに超音波振動を付与
する。基板Ｗは処理面Ｗｓが上方に向くようにフェイス
アップで保持されているので、気泡は自然に離脱すると
ともに超音波振動の効果も相まって処理面Ｗｓの表面全
体を完全に電解液ＬＱで覆うことができる。処理面Ｗｓ
に供給された電解液ＬＱは、複数個の支持ピン７１の間
を通って周囲に流れ出る。また、流れ出た電解液ＬＱ
は、スプラッシュガード２５によって受け止められて回
収される。なお、電解液ＬＱが漏れ出る速度を遅くして
間隔ｄの液密を高めるために、各支持ピン７１の間に抵
抗となる部材を配設するようにしてもよい。
し、超音波振動用電源２９をオン状態として板状部材１
５に超音波振動を付与し、処理面Ｗｓと板状部材１５の
下面との間に供給された電解液ＬＱに超音波振動を付与
する。基板Ｗは処理面Ｗｓが上方に向くようにフェイス
アップで保持されているので、気泡は自然に離脱すると
ともに超音波振動の効果も相まって処理面Ｗｓの表面全
体を完全に電解液ＬＱで覆うことができる。処理面Ｗｓ
に供給された電解液ＬＱは、複数個の支持ピン７１の間
を通って周囲に流れ出る。また、流れ出た電解液ＬＱ
は、スプラッシュガード２５によって受け止められて回
収される。なお、電解液ＬＱが漏れ出る速度を遅くして
間隔ｄの液密を高めるために、各支持ピン７１の間に抵
抗となる部材を配設するようにしてもよい。
【００６９】処理面Ｗｓと板状部材１５との間隔ｄが電
解液ＬＱによって完全に満たされた時点で、制御部５５
は電動モータ９を低速回転させるとともに、電源ユニッ
ト３３をオン状態にする（図４（ｄ））。これにより処
理面Ｗｓは陰極に、板状部材１５は陽極になり、処理面
Ｗｓにメッキ処理が施される。この過程で、電気分解に
よって発生した気体も上方に向かって自然に離脱し、溝
だけでなく処理面Ｗｓにも気泡がとどまり難くすること
ができることなどの効果は、上述した実施例と同様であ
るが、基板保持機構１だけを回転させればよいので上述
した第１実施例装置よりも簡易な構成とすることができ
る。また、このように板状部材１５を回転させると、処
理面Ｗｓとの間に電流密度の不均一のあったとしてもそ
の影響が及ぶことを抑制することができる。また、この
後の洗浄処理などの動作は上記実施例と同様である。
解液ＬＱによって完全に満たされた時点で、制御部５５
は電動モータ９を低速回転させるとともに、電源ユニッ
ト３３をオン状態にする（図４（ｄ））。これにより処
理面Ｗｓは陰極に、板状部材１５は陽極になり、処理面
Ｗｓにメッキ処理が施される。この過程で、電気分解に
よって発生した気体も上方に向かって自然に離脱し、溝
だけでなく処理面Ｗｓにも気泡がとどまり難くすること
ができることなどの効果は、上述した実施例と同様であ
るが、基板保持機構１だけを回転させればよいので上述
した第１実施例装置よりも簡易な構成とすることができ
る。また、このように板状部材１５を回転させると、処
理面Ｗｓとの間に電流密度の不均一のあったとしてもそ
の影響が及ぶことを抑制することができる。また、この
後の洗浄処理などの動作は上記実施例と同様である。
【００７０】ところで、板状部材１５の直径が基板Ｗの
直径より大きい場合には、図５（ａ）に示すように基板
Ｗの処理面Ｗｓの周縁部側にメッキ層ＰＬが厚く形成さ
れる『端効果』が生じ易い。これは給電の関係上、電流
が処理面Ｗｓの中心部側と板状部材１５の対向面との経
路に流れるよりも処理面Ｗｓの周縁部側と板状部材１５
の対向面との経路へ流れやすいことから、周縁部側の電
流密度が高まって生じる。したがって、本実施例のよう
に板状部材１５の直径を基板Ｗの直径よりもやや小さく
することにより、処理面Ｗｓの中心部側と周縁部側との
電流密度のバランスをとることができ、『端効果』を抑
制して均一性良くメッキ層ＰＬを形成することができる
（図５（ｂ））。また、図５（ｂ）に点線で示すよう
に、板状部材１５の周縁部側における処理面Ｗｓとの間
隔が中心部側よりも長くなるようにしても同様の効果を
得ることができる。
直径より大きい場合には、図５（ａ）に示すように基板
Ｗの処理面Ｗｓの周縁部側にメッキ層ＰＬが厚く形成さ
れる『端効果』が生じ易い。これは給電の関係上、電流
が処理面Ｗｓの中心部側と板状部材１５の対向面との経
路に流れるよりも処理面Ｗｓの周縁部側と板状部材１５
の対向面との経路へ流れやすいことから、周縁部側の電
流密度が高まって生じる。したがって、本実施例のよう
に板状部材１５の直径を基板Ｗの直径よりもやや小さく
することにより、処理面Ｗｓの中心部側と周縁部側との
電流密度のバランスをとることができ、『端効果』を抑
制して均一性良くメッキ層ＰＬを形成することができる
（図５（ｂ））。また、図５（ｂ）に点線で示すよう
に、板状部材１５の周縁部側における処理面Ｗｓとの間
隔が中心部側よりも長くなるようにしても同様の効果を
得ることができる。
【００７１】なお、上述した第１実施例および第２実施
例の説明では、メッキ処理の間中、超音波振動を付与す
るようにしているが、メッキ層が付着しにくい処理面で
ある場合には、給電する直前まで超音波振動を付与し、
給電して電気分解が始まってからは超音波振動を付与し
ないようにしてもよい。また、電気分解によって発生し
た気体を効率よく離脱させるため、給電と超音波振動の
付与を交互に繰り返すようにしてもよい。
例の説明では、メッキ処理の間中、超音波振動を付与す
るようにしているが、メッキ層が付着しにくい処理面で
ある場合には、給電する直前まで超音波振動を付与し、
給電して電気分解が始まってからは超音波振動を付与し
ないようにしてもよい。また、電気分解によって発生し
た気体を効率よく離脱させるため、給電と超音波振動の
付与を交互に繰り返すようにしてもよい。
【００７２】＜変形例＞上述した第１実施例装置では板
状部材１５と基板保持機構１とを同時に回転させる構成
とし、第２実施例装置では基板保持機構１だけを回転さ
せるように構成したが、図６に示すように構成してもよ
い。
状部材１５と基板保持機構１とを同時に回転させる構成
とし、第２実施例装置では基板保持機構１だけを回転さ
せるように構成したが、図６に示すように構成してもよ
い。
【００７３】すなわち、基板Ｗの直径よりもやや小径の
板状部材１５を電動モータ２３（駆動手段）によって回
転可能に取り付け、回転可能に構成されている基板保持
機構１を回転させることなく板状部材１５だけを低速回
転させつつ電解液ＬＱを処理面Ｗｓに供給する。このよ
うに構成して、上部の板状部材１５だけを回転させつつ
メッキ処理を施しても上述した実施例装置と同様の効果
を得ることができる。
板状部材１５を電動モータ２３（駆動手段）によって回
転可能に取り付け、回転可能に構成されている基板保持
機構１を回転させることなく板状部材１５だけを低速回
転させつつ電解液ＬＱを処理面Ｗｓに供給する。このよ
うに構成して、上部の板状部材１５だけを回転させつつ
メッキ処理を施しても上述した実施例装置と同様の効果
を得ることができる。
【００７４】なお、電動モータ９と電動モータ２３とを
互いに逆方向に回転させて、板状部材１５と基板保持機
構１とを反対に回転させるようにしてもよい。
互いに逆方向に回転させて、板状部材１５と基板保持機
構１とを反対に回転させるようにしてもよい。
【００７５】また、上記の各装置では、基板保持機構１
または板状部材１５の少なくとも一方を回転駆動する構
成を採用しているが、いずれも回転させることなく静止
せさせた状態でメッキ処理を施すようにしてもよい。
または板状部材１５の少なくとも一方を回転駆動する構
成を採用しているが、いずれも回転させることなく静止
せさせた状態でメッキ処理を施すようにしてもよい。
【００７６】なお、上述した各装置は、板状部材１５の
中央部に形成した供給口１５ａから電解液を供給するよ
うに構成されているが、供給口１５ａを中心からずらし
た位置に形成してもよく、また複数個の供給口１５ａを
形成するようにしてもよい。さらに、板状部材１５とは
別体の供給手段を配設して電解液を処理面Ｗｓに供給す
るように構成してもよい。
中央部に形成した供給口１５ａから電解液を供給するよ
うに構成されているが、供給口１５ａを中心からずらし
た位置に形成してもよく、また複数個の供給口１５ａを
形成するようにしてもよい。さらに、板状部材１５とは
別体の供給手段を配設して電解液を処理面Ｗｓに供給す
るように構成してもよい。
【００７７】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
１に記載の発明によれば、基板の処理面を上向きにして
保持するようにしたので、気泡が離脱しやすく、電気分
解によって発生した気体も上方に向かって自然に離脱
し、溝だけでなく処理面にも気泡がとどまり難くするこ
とができる。したがって、気体が良好に抜けてボイドの
発生を防止することができる。また、処理面に対向して
配置された板状部材を電極とし、電極から処理面までの
距離を面内においてほぼ均一にしているので、電流密度
を処理面の全体にわたってほぼ均一にすることができ
る。したがって、メッキ層の均一性を向上することがで
きる。
１に記載の発明によれば、基板の処理面を上向きにして
保持するようにしたので、気泡が離脱しやすく、電気分
解によって発生した気体も上方に向かって自然に離脱
し、溝だけでなく処理面にも気泡がとどまり難くするこ
とができる。したがって、気体が良好に抜けてボイドの
発生を防止することができる。また、処理面に対向して
配置された板状部材を電極とし、電極から処理面までの
距離を面内においてほぼ均一にしているので、電流密度
を処理面の全体にわたってほぼ均一にすることができ
る。したがって、メッキ層の均一性を向上することがで
きる。
【００７８】また、請求項２に記載の発明によれば、板
状部材のほぼ中央部にある供給口から電解液を供給する
ので、中心から周縁部に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができるので、メッキ層の均一性をより向上す
ることができる。
状部材のほぼ中央部にある供給口から電解液を供給する
ので、中心から周縁部に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができるので、メッキ層の均一性をより向上す
ることができる。
【００７９】また、請求項３に記載の発明によれば、処
理面内における電流密度にばらつきがあっても、その影
響を小さくすることができるとともに、遠心力によって
中心側から周縁側に向かって電解液を円滑に流動させる
ことができるので、メッキ層の均一性をより向上するこ
とができる。
理面内における電流密度にばらつきがあっても、その影
響を小さくすることができるとともに、遠心力によって
中心側から周縁側に向かって電解液を円滑に流動させる
ことができるので、メッキ層の均一性をより向上するこ
とができる。
【００８０】また、請求項４に記載の発明によれば、基
板保持手段だけを回転駆動しても、電流密度のばらつき
による悪影響を抑制することができるとともに、電解液
を回転中心から周縁部に向かって円滑に流すことがで
き、メッキ層の均一性をより向上することができる。さ
らに、板状部材を回転させる必要がないため、構成を簡
単化することができる。
板保持手段だけを回転駆動しても、電流密度のばらつき
による悪影響を抑制することができるとともに、電解液
を回転中心から周縁部に向かって円滑に流すことがで
き、メッキ層の均一性をより向上することができる。さ
らに、板状部材を回転させる必要がないため、構成を簡
単化することができる。
【００８１】また、請求項５に記載の発明によれば、板
状部材のみを回転駆動しても、電流密度のばらつきによ
る悪影響を抑制することができるとともに、遠心力によ
って中心側から周縁側に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができる。さらに、板状部材とともに基板保持
手段を回転させる必要がないため回転駆動時の制御を容
易に行うことができる。
状部材のみを回転駆動しても、電流密度のばらつきによ
る悪影響を抑制することができるとともに、遠心力によ
って中心側から周縁側に向かって電解液を円滑に流動さ
せることができる。さらに、板状部材とともに基板保持
手段を回転させる必要がないため回転駆動時の制御を容
易に行うことができる。
【００８２】また、請求項６に記載の発明によれば、基
板保持手段と板状部材を共に回転駆動することで、遠心
力によって電解液を回転中心から周縁部に向かって円滑
に流すことができる。したがって、メッキ層の均一性を
さらに向上することができる。
板保持手段と板状部材を共に回転駆動することで、遠心
力によって電解液を回転中心から周縁部に向かって円滑
に流すことができる。したがって、メッキ層の均一性を
さらに向上することができる。
【００８３】また、請求項７に記載の発明によれば、基
板の処理面における周縁部側と中心部側との電流密度の
バランスをとることができ、端効果を抑制してメッキ処
理を均一化することができる。
板の処理面における周縁部側と中心部側との電流密度の
バランスをとることができ、端効果を抑制してメッキ処
理を均一化することができる。
【００８４】また、請求項８に記載の発明によれば、電
解液に付与した超音波振動によって基板の処理面に付着
している気泡や電気分解により発生した気体を容易に処
理面から離脱させることができる。
解液に付与した超音波振動によって基板の処理面に付着
している気泡や電気分解により発生した気体を容易に処
理面から離脱させることができる。
【００８５】このような超音波振動を付与するために
は、請求項９に記載の発明のように超音波振動付与手段
を供給手段に取り付け、流通する電解液に超音波振動を
付与してもよく、請求項１０に記載の発明のように板状
部材に超音波振動を付与するようにしてもよい。
は、請求項９に記載の発明のように超音波振動付与手段
を供給手段に取り付け、流通する電解液に超音波振動を
付与してもよく、請求項１０に記載の発明のように板状
部材に超音波振動を付与するようにしてもよい。
【００８６】また、請求項１１に記載の発明によれば、
供給手段から洗浄液を供給できるように構成して洗浄処
理が可能なように構成することにより、メッキ処理の後
に必須の処理を基板を搬送することなく連続して行うこ
とができ、メッキ処理を効率よく行うことができる。
供給手段から洗浄液を供給できるように構成して洗浄処
理が可能なように構成することにより、メッキ処理の後
に必須の処理を基板を搬送することなく連続して行うこ
とができ、メッキ処理を効率よく行うことができる。
【００８７】また、請求項１２に記載の発明によれば、
電解液の利用効率を高めることができ、メッキ処理のコ
ストを低減することができる。
電解液の利用効率を高めることができ、メッキ処理のコ
ストを低減することができる。
【００８８】また、請求項１３に記載の発明によれば、
制御手段が濃度測定手段の測定結果に基づいて電解液の
濃度を一定化するように電解液を補充するので、濃度変
動が抑制できて処理時間が変動したりメッキ厚が変動す
るような不都合を回避することができる。したがって、
長期間にわたって安定したメッキ処理を行うことができ
る。
制御手段が濃度測定手段の測定結果に基づいて電解液の
濃度を一定化するように電解液を補充するので、濃度変
動が抑制できて処理時間が変動したりメッキ厚が変動す
るような不都合を回避することができる。したがって、
長期間にわたって安定したメッキ処理を行うことができ
る。
【００８９】上記のような電解液の補充は、請求項１４
に記載の発明のように電解液貯留タンクに行うようにし
てもよく、請求項１５に記載の発明のように循環路で、
かつ電解液貯留タンクより下流側の位置に行うようにし
てもよい。特に、電解液貯留タンクの下流側に補充する
請求項１４の発明の場合には、濃度変動が生じた場合に
迅速に元に戻すことができるので、より安定した処理が
可能である。
に記載の発明のように電解液貯留タンクに行うようにし
てもよく、請求項１５に記載の発明のように循環路で、
かつ電解液貯留タンクより下流側の位置に行うようにし
てもよい。特に、電解液貯留タンクの下流側に補充する
請求項１４の発明の場合には、濃度変動が生じた場合に
迅速に元に戻すことができるので、より安定した処理が
可能である。
【図１】第１実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図２】動作説明に供する図である。
【図３】第２実施例に係る基板メッキ装置の概略構成を
示すブロック図である。
示すブロック図である。
【図４】動作説明に供する図である。
【図５】端効果の説明に供する図である。
【図６】変形例の概略構成を示す図である。
【図７】従来例に係る基板メッキ装置の概略構成を示す
図である。
図である。
【図８】従来装置により生じる問題点の説明図である。
【図９】従来装置により生じる問題点の説明図である。
Ｗ … 基板 Ｗｓ … 処理面 ＬＱ … 電解液 ＰＬ … メッキ層 １ … 基板保持機構 ３ … ベース部材 ９，２３ … 電動モータ １３，３１ … 給電ブラシ １５ … 板状部材 １５ａ … 供給口 ２７ … 加振部 ２７ａ … 超音波振動子 ２７ｂ … 供給口 ３３ … 電源ユニット ３５ … スプラッシュガード ３７ … 電解液貯留タンク ４３ … 濃度センサ ４９ … 循環路 ５５ … 制御部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｈ０１Ｌ 21/288 Ｅ (72)発明者 北門 龍治 京都府京都市伏見区羽束師古川町322 大 日本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 泉 昭 滋賀県野洲郡野洲町大字三上字口ノ川原 2426番１ 大日本スクリーン製造株式会社 野洲事業所内
Claims (15)
- 【請求項１】 基板に対してメッキ処理を施す基板メッ
キ装置であって、 基板の処理面を上方に向けて保持するとともに、基板の
処理面に対して電気的に接続する基板保持手段と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面に対向して
近接配置され、かつ基板とほぼ同等の大きさを有して電
極を構成する板状部材と、 前記基板保持手段に保持された基板の処理面と前記板状
部材との間に少なくとも電解液を満たすように供給する
供給手段と、 前記供給手段が電解液を基板の処理面と前記板状部材と
の間に供給した状態で、前記板状部材から前記基板保持
手段へ向けて電流が流れるように給電する給電手段と、 を備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項２】 請求項１に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記板状部材は、ほぼ中央部に、電解液を基板の処理面
と板状部材との間に供給するための供給口を有すること
を特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の基板メ
ッキ装置において、 前記基板保持手段および前記板状部材のうち少なくとも
一方を回転駆動する駆動手段をさらに備えたことを特徴
とする基板メッキ装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記駆動手段は、前記基板保持手段のみを回転駆動する
ように構成されたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項５】 請求項３に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記駆動手段は、前記板状部材のみを回転駆動するよう
に構成されたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項６】 請求項３のに記載の基板メッキ装置にお
いて、 前記駆動手段は、前記基板保持手段および前記板状部材
を回転駆動するように構成されたことを特徴とする基板
メッキ装置。 - 【請求項７】 請求項１ないし請求項６のいずれかに記
載の基板メッキ装置において、 前記板状部材は、その直径が基板の処理面の直径よりも
やや小さく形成されたことを特徴とする基板メッキ装
置。 - 【請求項８】 請求項１ないし請求項７のいずれかに記
載の基板メッキ装置において、 基板の処理面と前記板状部材との間に供給される電解液
に対して超音波振動を付与する超音波振動付与手段をさ
らに備えたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項９】 請求項８に記載の基板メッキ装置におい
て、 前記超音波振動付与手段は、前記供給手段に配設され、
流通する電解液に対して超音波振動を付与するように構
成されたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項１０】 請求項８に記載の基板メッキ装置にお
いて、 前記超音波振動付与手段は、前記板状部材に超音波振動
を付与するように構成されたことを特徴とする基板メッ
キ装置。 - 【請求項１１】 請求項１ないし請求項１０のいずれか
に記載の基板メッキ装置において、 前記供給手段は、洗浄液供給源にも連通接続されてお
り、前記基板保持手段に保持された基板の処理面と前記
板状部材との間に洗浄液と電解液を選択的に供給するよ
うに構成されたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項１２】 請求項１ないし請求項１１のいずれか
に記載の基板メッキ装置において、 前記基板保持手段の周囲に配置され、基板の回転に伴っ
て飛散した電解液を回収するための回収部材と、 前記回収部材によって回収された電解液を再び前記供給
手段に送るための循環路とをさらに備えたことを特徴と
する基板メッキ装置。 - 【請求項１３】 請求項１２に記載の基板メッキ装置に
おいて、 前記循環路内を流通する電解液の濃度を測定する濃度測
定手段と、 前記循環路に配設され、電解液を貯留する電解液貯留タ
ンクと、 前記濃度測定手段の測定結果に基づき、濃度が一定とな
るように電解液の補充を制御する制御手段とをさらに備
えたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載の基板メッキ装置に
おいて、 前記濃度測定手段の結果に基づき行われる電解液の補充
は、前記電解液貯留タンクに対して行われるように構成
されたことを特徴とする基板メッキ装置。 - 【請求項１５】 請求項１３に記載の基板メッキ装置に
おいて、 前記濃度測定手段の結果に基づき行われる電解液の補充
は、前記循環路に対して行われ、前記電解液貯留タンク
より下流側の位置に行われるように構成されたことを特
徴とする基板メッキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08093398A JP3534605B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 基板メッキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08093398A JP3534605B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 基板メッキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11279797A true JPH11279797A (ja) | 1999-10-12 |
| JP3534605B2 JP3534605B2 (ja) | 2004-06-07 |
Family
ID=13732259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08093398A Expired - Fee Related JP3534605B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 基板メッキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3534605B2 (ja) |
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| JP3534605B2 (ja) | 2004-06-07 |
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