JP6783317B2 - 電解処理治具及び電解処理方法 - Google Patents
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Description
本願は、2016年10月7日に日本国に出願された特願2016−198728号に基づき、優先権を主張し、その内容をここに援用する。
先ず、本発明の第1の実施の形態について説明する。図1は、本実施の形態にかかる電解処理治具を備えた、半導体装置の製造装置の構成の概略を示す説明図である。製造装置1では、被処理基板としての半導体ウェハW(以下、「ウェハW」という。)に対し、電解処理としてめっき処理を行う。このウェハWの表面には、電極として用いられるシード層(図示せず)が形成されている。なお、以下の説明で用いる図面において、各構成要素の寸法は、技術の理解の容易さを優先させるため、必ずしも実際の寸法に対応していない。
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。図14は、第2の実施の形態にかかる電解処理治具を備えた、半導体装置の製造装置の構成の概略を示す説明図である。以下、第2の実施の形態の製造装置1について、第1の実施の形態の製造装置1との相違点を中心に説明する。
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図22は、第3の実施の形態にかかる電解処理治具を備えた、半導体装置の製造装置の構成の概略を示す説明図である。以下、第3の実施の形態の製造装置1について、第1の実施の形態の製造装置1との相違点を中心に説明する。
20 電解処理治具
21 基体
22 端子
23 直接電極
24 間接電極
25 隙間
40 移動機構
60 銅めっき
70 溝部
71 溝部
72 凸部
100 貫通孔
110 貫通孔
200 移動機構
C 銅イオン
M めっき液
S 硫酸イオン
W ウェハ(半導体ウェハ)
Claims (20)
- 被処理基板に供給された処理液を用いて、当該被処理基板に電解処理を行う電解処理治具であって、
平板状の基体と、
前記基体の表面に設けられ、前記処理液に接触して前記被処理基板との間で電圧を印加するための直接電極と、を有し、
前記電解処理治具の表面は凹凸形状を有し、
前記直接電極は前記基体の表面に複数設けられ、
前記凹凸形状は、隣接する前記直接電極間に隙間を設けることで形成されている、電解処理治具。 - 請求項1に記載の電解処理治具において、
前記凹凸形状は、前記電解処理治具の表面全面に形成されている。 - 請求項1に記載の電解処理治具において、
前記凹凸形状は、前記直接電極の表面に凸部を設けることで形成されている。 - 請求項3に記載の電解処理治具において、
前記凸部は前記直接電極の表面に複数設けられている。 - 被処理基板に供給された処理液を用いて、当該被処理基板に電解処理を行う電解処理治具であって、
平板状の基体と、
前記基体の表面に設けられ、前記処理液に接触して前記被処理基板との間で電圧を印加するための直接電極と、を有し、
前記電解処理治具の表面は凹凸形状を有し、
前記凹凸形状は、前記基体の表面が凸に湾曲することで形成されている。 - 請求項1に記載の電解処理治具において、
前記処理液に電界を形成する間接電極をさらに有する。 - 被処理基板に供給された処理液を用いて、当該被処理基板に電解処理を行う電解処理治具であって、
平板状の基体と、
前記基体の表面に設けられ、前記処理液に接触して、前記被処理基板との間で電圧を印加するための直接電極と、を有し、
前記電解処理治具には表面から裏面まで貫通する貫通孔が形成され、
前記直接電極は前記基体の表面に複数設けられ、
隣接する前記直接電極間には隙間が形成され、
前記貫通孔は、前記隙間における前記基体の表面から裏面まで貫通して形成された孔を含む。 - 請求項7に記載の電解処理治具において、
前記貫通孔は、前記直接電極の表面から前記基体の裏面まで貫通して形成された孔を含む。 - 請求項7に記載の電解処理治具において、
前記処理液に電界を形成する間接電極をさらに有する。 - 被処理基板に供給された処理液を用いて、当該被処理基板に電解処理を行う電解処理治具であって、
平板状の基体と、
前記基体の表面に設けられ、前記処理液に接触して、前記被処理基板との間で電圧を印加するための直接電極と、
前記基体の一端部と他端部を個別に鉛直方向に移動させる移動機構と、を有する、電解処理治具。 - 請求項10に記載の電解処理治具において、
前記処理液に電界を形成する間接電極をさらに有する。 - 電解処理治具を用いて被処理基板に電解処理を行う電解処理方法であって、
前記電解処理治具は、
平板状の基体と、
前記基体の表面に設けられた直接電極と、を有し、
前記電解処理治具の表面は凹凸形状を有し、
前記電解処理方法は、
前記電解処理治具と前記被処理基板を相対的に近づけるように移動させ、前記直接電極を前記被処理基板上の処理液に接触させる第1の工程と、
その後、前記直接電極と前記被処理基板の間に電圧を印加して、当該被処理基板に電解処理を行う第2の工程と、を有し、
前記第1の工程から前記第2の工程において、前記直接電極が前記処理液に接触している間、前記凹凸形状の凹部には気体が存在する、電解処理方法。 - 請求項12に記載の電解処理方法において、
前記第2の工程の後、前記電解処理治具と前記被処理基板を相対的に離すように移動させ、前記電解処理治具を前記処理液から引き離す第3の工程をさらに有し、
前記第3の工程において、前記直接電極が前記処理液に接触している間、前記凹凸形状の凹部には気体が存在する。 - 請求項13に記載の電解処理方法において、
前記凹凸形状は、前記電解処理治具の表面全面に形成され、
前記第3の工程では、前記処理液の外縁部における前記電解処理治具との界面に気体が流入する。 - 請求項12に記載の電解処理方法において、
前記電解処理治具は、前記処理液に電界を形成する間接電極をさらに有し、
前記第2の工程において、前記間接電極に電圧を印加して、前記処理液に電界を形成し、当該処理液中の被処理イオンを基板側に移動させた後、前記直接電極と前記被処理基板の間に電圧を印加して、当該被処理基板に電解処理を行う。 - 電解処理治具を用いて被処理基板に電解処理を行う電解処理方法であって、
前記電解処理治具は、
平板状の基体と、
前記基体の表面に設けられた直接電極と、を有し、
前記電解処理治具には表面から裏面まで貫通する貫通孔が形成され、
前記電解処理方法は、
前記電解処理治具と前記被処理基板を相対的に近づけるように移動させ、当該電解処理治具を所定の処理位置に配置する第1の工程と、
その後、前記貫通孔を介して前記電解処理治具と前記被処理基板の間に処理液を供給し、前記直接電極を前記処理液に接触させる第2の工程と、
その後、前記直接電極と前記被処理基板の間に電圧を印加して、当該被処理基板に電解処理を行う第3の工程と、を有し、
前記第3の工程の後、前記貫通孔を介して前記電解処理治具と前記被処理基板の間に流体を供給しつつ、前記電解処理治具と前記被処理基板を相対的に離すように移動させ、前記電解処理治具を前記処理液から引き離す第4の工程をさらに有する。 - 請求項16に記載の電解処理方法において、
前記電解処理治具は、前記処理液に電界を形成する間接電極をさらに有し、
前記第3の工程において、前記間接電極に電圧を印加して、前記処理液に電界を形成し、当該処理液中の被処理イオンを基板側に移動させた後、前記直接電極と前記被処理基板の間に電圧を印加して、当該被処理基板に電解処理を行う。 - 電解処理治具を用いて被処理基板に電解処理を行う電解処理方法であって、
前記電解処理治具は、
平板状の基体と、
前記基体の表面に設けられた直接電極と、
前記基体の一端部と他端部を個別に鉛直方向に移動させる移動機構と、を有し、
前記電解処理方法は、
前記基体の一端部を他端部より前記被処理基板側に配置し、当該基体を水平方向から傾斜して配置した状態から、前記移動機構によって前記基体の他端部を前記被処理基板側に移動させ、前記直接電極を前記被処理基板上の処理液に接触させる第1の工程と、
その後、前記直接電極と前記被処理基板の間に電圧を印加して、当該被処理基板に電解処理を行う第2の工程と、を有する、電解処理方法。 - 請求項18に記載の電解処理方法において、
前記第2の工程の後、前記移動機構によって前記基体の他端部を前記被処理基板から離すように移動させ、前記電解処理治具を前記処理液から引き離す第3の工程をさらに有する。 - 請求項18に記載の電解処理方法において、
前記電解処理治具は、前記処理液に電界を形成する間接電極をさらに有し、
前記第2の工程において、前記間接電極に電圧を印加して、前記処理液に電界を形成し、当該処理液中の被処理イオンを基板側に移動させた後、前記直接電極と前記被処理基板の間に電圧を印加して、当該被処理基板に電解処理を行う。
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