JP2001316871A - 液処理方法、及び液処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 処理液と被処理基板の被処理面との間に形成
される泡を確実に泡抜きすることができる液処理方法、
液処理装置、及び液処理システムを提供する。 【解決手段】 メッキ処理ユニットＭ１内にはメッキ液
槽４２の真上にウエハＷを略水平に保持するドライバ６
１が配設されている。このドライバ６１はシリンダ６９
の駆動により上下動し、ウエハＷをメッキ液槽４２内に
収容されているメッキ液の液面より高い搬送位置（Ｉ）
とメッキ液の液面より低いメッキ位置（Ｖ）との間で昇
降させる。また、メッキ液槽の中心にはメッキ液を供給
しメッキ液のな噴出管４３が配設されており、図示しな
い制御装置によりメッキ液の流量を調節できるようにな
っている。ウエハＷをメッキ液の液面より低いメッキ位
置（Ｖ）に位置させるとともにメッキ形成時よりも大き
い流量ｑ１を供給することによりウエハＷの被メッキ面
に付着した泡を確実に除去する。

Description

【発明の詳細な説明】

【発明の属する利用分野】本発明は、半導体ウエハ等の
被処理基板の液処理に係り、更に詳細には被処理基板の
被処理面に液相で金属層を形成する液処理方法、液処理
装置、及び液処理システムに関する。

【従来の技術】従来より、半導体ウエハＷ（以下、単に
「ウエハ」という。）等の被処理基板の表面に金属層を
形成する処理装置としては、例えば、気相で金属層を形
成するスパッタリング処理装置が用いられてきたが、半
導体デバイスの集積度の向上に伴い、埋め込み性の問題
から液相で金属層を形成するメッキ処理装置を用いるこ
とが主流になりつつある。図２２は代表的なメッキ処理
装置の概略垂直断面図である。図２２に示すように、こ
のメッキ処理装置では処理の効率上の問題からウエハＷ
の被メッキ面を下方に向けてウエハＷを載置する、いわ
ゆるフェイスダウン方式でウエハＷの被メッキ面にメッ
キ層を形成する。即ち、ウエハホルダ２０１にウエハＷ
の被メッキ面を下方に向けて載置した後、ウエハホルダ
２０１が下降してメッキ液槽２０２内のメッキ液の液面
にウエハＷの被メッキ面を接触させてウエハＷの被メッ
キ面にメッキ層を形成する。

【発明が解決しようとする課題】ところで、フェイスダ
ウン方式でウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成する
場合には、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面に接
触させる際にウエハＷの被メッキ面とメッキ液の液面と
の間に空気が入り込み、空気の泡がウエハＷの被メッキ
面に付着して均一なメッキ層を形成することができない
という問題がある。また、ウエハＷと電極２０３との間
に電界を形成してウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形
成させる電解メッキ工程をフェイスダウン方式で行う場
合には、メッキ液の電気分解により発生する酸素や水素
のような泡がウエハＷの被メッキ面に付着して均一なメ
ッキ層を形成することができないという問題がある。そ
のため、メッキ液の液面にウエハＷを接触させた状態で
メッキ層を形成する工程以前或いは同時にウエハＷを回
転させて泡抜きする装置が提案されている。しかし、上
記のような装置ではメッキ液の液面にウエハＷを接触さ
せた状態でウエハＷを回転させて、ウエハＷをメッキ液
槽２０２内に浸漬する際に形成される泡や電解メッキ工
程中に発生する泡を泡抜きしているので泡にかかる圧力
が低くウエハＷの被メッキ面に付着している泡が十分に
泡抜きできないという問題がある。本発明は上記従来の
問題を解決するためになされたものである。即ち、本発
明は被処理基板の被処理面を処理液に接触させる際に被
処理基板の被処理面と処理液の液面との間に形成される
泡を確実に泡抜きすることができる液処理方法、液処理
装置及び液処理システムを提供することを目的とする。
更に、本発明は被処理基板と液処理槽との間に電界を形
成したときに発生する泡を被処理基板の被処理面から確
実に泡抜きすることができる液処理方法、液処理装置、
及び液処理システムを提供することを目的とする。

【課題を解決しようとする手段】請求項１の液処理方法
は、処理液槽に収容された処理液の液面よりも低い位置
で被処理基板の被処理面を略水平に保持するとともに前
記処理液槽内に前記被処理面に向けて第１の流量で前記
処理液を供給することにより前記被処理面に付着する泡
を泡抜きする工程と、前記第１の流量より小さい第２の
流量で前記処理液槽内に前記被処理面に向けて前記処理
液を供給しながら前記被処理面に液処理を施す工程とを
具備することを特徴とする。請求項１の液処理方法で
は、被処理基板の被処理面を処理液に接触させる際に被
処理基板の被処理面と処理液の液面との間に形成される
泡を処理液槽に収容された処理液の液面よりも低い位置
で被処理基板を保持するとともに液処理を施す工程での
流量よりも大きい流量で処理液を処理液槽内に供給して
泡抜きを行うので、確実に泡抜きすることができる。請
求項２の液処理方法は、請求項１記載の液処理方法であ
って、前記液処理を施す工程は、前記処理液の液面より
も低い位置で行うことを特徴とする。請求項２の液処理
方法では、処理液の液面よりも低い位置で液処理を行う
ので、被処理基板と液処理槽との間に電界を形成したと
きに発生する泡を被処理基板の被処理面から確実に泡抜
きすることができる。請求項３の液処理方法は、請求項
１又は２記載の液処理方法であって、前記泡抜きする工
程は、前記被処理基板を略水平面内で回転させる工程で
あることを特徴とする。請求項３の液処理方法では、被
処理基板を回転させて泡抜きを行うので泡が被処理基板
の外周縁に沿って移動し易くなり、より効率的に泡抜き
することができる。請求項４の液処理方法は、請求項１
〜３のいずれか１項に記載の液処理方法であって、前記
液処理を施す工程は、前記被処理基板を略水平面内で回
転させる工程であることを特徴とする。請求項４の液処
理方法では、被処理基板を回転させて液処理を行うので
被処理基板と液処理槽との間に電界を形成したときに発
生する泡が被処理基板の外周縁に沿って移動し易くな
り、より効率的に泡抜きすることができる。請求項５の
液処理方法は、請求項１〜４のいずれか１項に記載の液
処理方法であって、前記泡抜きする工程は、前記被処理
基板を前記処理液の液面方向に揺動させる工程であるこ
とを特徴とする。請求項５の液処理方法では、被処理基
板を揺動させているので泡が被処理基板の中心から外周
縁に向かって移動し易くなり、より効率的に泡抜きする
ことができる。請求項６の液処理方法は、請求項１〜５
のいずれか１項に記載の液処理方法であって、前記泡抜
きする工程及び前記液処理を施す工程は、前記被処理基
板の被処理面のみ前記処理液に接触させて行う工程であ
ることを特徴とする。請求項６の液処理方法では、被処
理基板の被処理面のみ処理液に接触させて泡抜き及び液
処理を行うので、被処理面以外の部分に液処理が接触す
ることがない。請求項７の液処理方法は、請求項１〜６
のいずれか１項に記載の液処理方法であって、前記泡抜
きする工程は、前記被処理基板を昇降させて前記処理液
の液面よりも低い位置に前記被処理基板の被処理面を移
動させる工程であることを特徴とする。請求項７の液処
理方法は、被処理基板を昇降させているので被処理基板
の被処理面を処理液の液面よりも低い第２の位置に移動
させることができる。請求項８の液処理方法は、請求項
１〜７のいずれか１項に記載の液処理方法であって、前
記泡抜きする工程は、前記処理液の液面を昇降させて前
記処理液の液面よりも低い位置に前記被処理基板の被処
理面を移動させる工程であることを特徴とする。請求項
８の液処理方法は、処理液の液面を昇降させているので
被処理基板の被処理面を処理液の液面よりも低い第２の
位置に移動させることができる。請求項９の液処理方法
は、請求項１〜８のいずれか１項に記載の液処理方法で
あって、前記泡抜きする工程は、前記被処理基板の被処
面を前記処理液の液面に対して傾けた状態で昇降させる
工程であることを特徴とする。請求項９の液処理方法で
は、被処理基板の被処理面を処理液の液面に対して傾け
た状態で昇降させているので、処理液の液面に被処理基
板の被処理面を接触させる際に被処理基板の被処理面に
泡が形成され難くなる。請求項１０の液処理装置は、処
理液を収容する処理液槽と、前記処理液の液面上側に配
設され被処理基板を略水平に保持する保持機構と、前記
保持機構を上下させて被処理基板を前記処理液の液面よ
り高い第１の位置と前記処理液の液面より低い第２の位
置との間で昇降させる昇降機構と、前記被処理基板の被
処理面に向けて流動する処理液の流量を調節する流量調
節手段とを具備することを特徴とする。請求項１０の液
処理装置では、保持機構に保持する被処理基板を昇降さ
せる昇降機構及び被処理基板の被処理面に向けて流動す
る処理液の流量を調節する流量調節手段を備えているの
で、被処理基板を処理液の液面より高い第１の位置と前
記処理液の液面より低い第２の位置との間で昇降させる
ことができるとともに処理液の流量を調節することがで
き、確実に泡抜きすることができる。請求項１１の液処
理装置は、請求項１０記載の液処理装置であって、前記
保持機構が、前記被処理基板を略水平面内で回転させる
機能を備えていることを特徴とする。請求項１１の液処
理装置では、保持機構が被処理基板を回転させる機能を
備えているので被処理基板を回転させることができ、よ
り効率的に泡抜きすることができる。請求項１２の液処
理装置は、請求項１０又は１１記載の液処理装置であっ
て、前記保持機構が、前記被処理基板を前記処理液の液
面方向に揺動させる機能を備ていることを特徴とする。
請求項１２の液処理装置では、保持機構が被処理基板を
揺動させる機能を備えているので被処理基板を揺動させ
ることができ、より効率的に泡抜きすることができる。
請求項１３の液処理装置は、請求項１０〜１２のいずれ
か１項に記載の液処理装置であって、前記保持機構が、
前記被処理基板を前記処理液の液面に対して傾ける機能
を備えていることを特徴とする。請求項１３の液処理装
置では、保持機構が被処理基板を傾ける機能を備えてい
るので被処理基板の被処理面に泡が形成され難くなる。
請求項１４の液処理装置は、請求項１１〜１３のいずれ
か１項に記載の液処理装置であって、前記保持機構が、
前記被処理基板の被処理面に付着する泡を泡抜きする泡
抜き孔を備えていることを特徴とする。請求項１４の液
処理装置では、保持機構が泡抜き孔を備えているので被
処理基板の被処理面に付着する泡を泡抜き孔を介して泡
抜きできる。請求項１５の液処理システムは、被処理基
板に第１の液処理を施し、かつ、少なくとも金属イオン
を含む第１の処理液を収容可能に構成された第１の液処
理装置であって、第１の処理液を収容する処理液槽と、
前記第１の処理液の液面上側に配設され被処理基板を略
水平に保持する保持機構と、前記保持機構を上下させて
前記被処理基板を前記第１の処理液の液面より高い第１
の位置と前記第１の処理液の液面より低い第２の位置と
の間で昇降させる昇降機構と、前記被処理基板の被処理
面に向けて流動する第１の処理液の流量を調節する流量
調節手段とを有する第１の液処理装置と、前記第１の液
処理装置により液処理を施された被処理基板に対し、第
２の液処理を施す第２の液処理装置と、前記第１の液処
理装置と前記第２の液処理装置との間で被処理基板を搬
送可能に、かつ垂直方向に移動可能に構成された第１の
搬送手段と、を備え、前記第１の液処理装置及び前記第
２の液処理装置が前記第１の搬送手段の周囲に多段に配
設されていることを特徴とする。請求項１５の液処理シ
ステムでは、第１の液処理装置と第２の液処理装置とを
多段に配設するので液処理システムにおけるフットプリ
ントを小さくすることができる。

【発明の実施の形態】以下、本発明の第一の実施の形態
に係るメッキ処理システムについて説明する。図１は本
実施の形態に係るメッキ処理システムの斜視図であり、
図２は同メッキ処理システムの平面図であり、図３は同
メッキ処理システムの正面図であり、図４は同メッキ処
理システムの側面図である。図１〜図４に示すように、
このメッキ処理システム１はウエハＷを出し入れしたり
運搬するキャリアステーション２とウエハＷに実際に処
理を施すプロセスステーション３とから構成されてい
る。キャリアステーション２はウエハＷを収容する載置
台２１と載置台２１上に載置されたキャリアカセットＣ
にアクセスしてその中に収容されたウエハＷを取り出し
たり、処理が完了したウエハＷを収容したりするサブア
ーム２２とから構成されている。キャリアカセットＣ内
には複数枚、例えば２５枚のウエハＷを等間隔毎に水平
に保った状態で垂直方向に収容されるようになってい
る。載置台２１上には図中Ｘ方向に例えば４個のキャリ
アカセットＣが配設されるようになっている。サブアー
ム２２は図２中Ｘ方向に配設されたレール上を移動する
とともに鉛直方向（Ｚ方向）即ち図２中紙面に垂直な方
向に昇降可能かつ水平面内で回転可能な構造を備えてい
る。このサブアーム２２は略水平面内で伸縮可能なウエ
ハ保持部２３材を備えており、これらのウエハ保持部材
２３を伸縮させることにより載置台２１上に載置された
キャリアカセットＣの未処理のウエハＷをキャリアカセ
ットＣから取り出したり、処理が完了したウエハＷをキ
ャリアカセットＣ内に収納するようになっている。また
このサブアーム２２は後述するプロセスステーション３
との間でも、処理前後のウエハＷを受け渡しするように
なっている。プロセスステーション３は図１〜図４に示
すように直方体又は立方体の箱型の外観を備えており、
その周囲全体は耐食性の材料、例えば樹脂や表面を樹脂
でコーティングした金属板などでできたハウジング３１
で覆われている。プロセスステーション３の内部は図１
〜図４に示すように略立方形或いは直方形の箱型の構成
となっており、内部には処理空間Ｓが形成されている。
処理空間Ｓは図１及び図４に示すように直方体型の処理
室であり、処理空間Ｓの底部には底板３３が取り付けら
れている。処理空間Ｓには、複数の処理ユニット、例え
ば４基のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４が例えば処理空
間Ｓ内の、次に説明するメインアーム３５の周囲にそれ
ぞれ配設されている。図１及び図２に示すように底板３
３のほぼ中央にはウエハＷを搬送するためのメインアー
ム３５が配設されている。このメインアーム３５は昇降
可能かつ略水平面内で回転可能になっており、更に略水
平面内で伸縮可能な上下二本のウエハ保持部材３６を備
えており、これらのウエハ保持部材３６を伸縮させるこ
とによりメインアーム３５の周囲に配設された処理ユニ
ットに対して処理前後のウエハＷを出し入れできるよう
になっている。またメインアーム３５は垂直方向に移動
して上段側の処理ユニットへもアクセス可能に構成され
ており、下段側の処理ユニットから上段側の処理ユニッ
トへウエハＷを搬送したり、その逆に上段側の処理ユニ
ットから下段側の処理ユニットへウエハＷを搬送するよ
うになっている。更にこのメインアーム３５は保持した
ウエハＷを上下反転させる機構を備えており、一の処理
ユニットから他の処理ユニットへウエハＷを搬送する間
にウエハＷを上下反転できる構造を備えている。なお、
このウエハＷを反転する機能はメインアーム３５に必須
の機能ではない。上段側には他の処理ユニット、例えば
洗浄処理ユニット１００が例えば２基キャリアステーシ
ョンに近い側、即ち前記メッキ処理ユニットＭ１、Ｍ２
の上側にそれぞれ配設されている。また、例えばアニー
リング処理ユニットが例えば２基キャリアステーション
に遠い側、即ち前記メッキ処理メッキユニットＭ３〜Ｍ
４の上側にぞれぞれ配設されている。プロセスステーシ
ョン３のハウジング３１のうち、キャリアステーション
２に対面する位置に配設されたハウジング３１ａには、
図３に示すように３つの開閉可能な開口部Ｇ１〜Ｇ３が
配設されている。これらのうちＧ１は下段側に配設され
たメッキ処理ユニットＭ１とＭ２との間に配設された中
継載置台３７の位置に対応する開口部であり、キャリア
カセットＣからサブアーム２２が取り出した未処理のウ
エハＷをプロセスステーション３内に搬入する際に用い
られる。搬入の際には開口部Ｇ１が開かれ、未処理ウエ
ハＷを保持したサブアーム２２が処理空間Ｓ内にウエハ
保持部材２３を伸長させて中継載置台３７上にウエハＷ
を置く。この中継載置台３７にメインアーム３５がウエ
ハ保持部材３６を伸長させて中継載置台３７上に載置さ
れたウエハＷを保持してメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４
などの処理ユニット内まで運ぶ。残りの開口部Ｇ２及び
Ｇ３は処理空間Ｓのキャリアステーション２に近い側に
配設された洗浄処理ユニット１００に対応する位置に配
設されており、これらの開口部Ｇ２、Ｇ３を介してサブ
アーム２２が処理空間Ｓ内の上段側に配設された洗浄処
理ユニット１００に直接ウエハ保持部材２３を伸長させ
て処理が完了したウエハＷを受け取ることができるよう
になっている。また、処理空間Ｓ内には図４中上から下
向きのエアフローが形成されており、システム外から供
給された清浄なエアが処理空間Ｓの上部から供給され、
洗浄処理ユニット１００、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ
４に向けて流下し、処理空間Ｓの底部から排気されてシ
ステム外に排出されるようになっている。このように処
理空間Ｓ内を上から下に清浄な空気を流すことにより、
下段側のメッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４から上段側の洗
浄ユニット１００の方には空気が流れないようになって
いる。そのため、常に洗浄処理ユニット側は洗浄な雰囲
気に保たれている。更に、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ
４や洗浄処理ユニット１００等の各処理ユニット内はシ
ステムの処理空間Ｓよりも陰圧に維持されており、空気
の流れは処理空間Ｓ側から各処理ユニット内に向って流
れ、各処理ユニットからシステム外に排気される。その
ため、処理ユニット側から処理空間Ｓ側に汚れが拡散す
るのが防止される。次に、本実施の形態に係るメッキ処
理ユニットＭ１について説明する。図５は本実施の形態
に係るメッキ処理ユニットＭ１の一部拡大図を含んだ模
式的な垂直断面図であり、図６は同メッキ処理ユニット
Ｍ１の概略平面図である。図５及び図６に示すように、
このメッキ処理ユニットＭ１では、ユニット全体が密閉
構造のハウジング４１で覆われている。このハウジング
４１も樹脂等の耐食性の材料で構成されている。ハウジ
ング４１の内部は上下２段、即ち下段に位置する第１の
処理部Ａと上段に位置する第２の処理部Ｂとに分かれた
構造になっている。第１の処理部Ａの内部にはメッキ液
槽４２が配設されている。このメッキ液槽４２は内槽４
２ａと内槽４２ａの外側に内槽４２ａと同心的に配設さ
れた外槽４２ｂの２重槽から構成されている。メッキ液
で内槽４２ａを満たしたときに後述するメッキ位置
（Ｖ）にあるウエハＷの被メッキ面がメッキ液の液面よ
りも低くなるように内槽４２ａが固定されている。内槽
４２ａは有底の略円筒形に形成されており、内槽４２ａ
の開口面は略水平に維持されている。内槽４２ａの内部
には内槽４２ａの底面側から上面に向けてメッキ液を噴
出させる噴出管４３が内槽４２ａの底面の略中心から内
槽４２ａの深さ方向略中間付近まで突出している。噴出
管４３の周囲には例えば複数の銅球を集めて形成された
略円盤状のアノードとしての電極４４が内槽４２ａと同
心的に配設されており、電極４４としての銅球を例えば
硫酸銅を含んだメッキ液中に溶解させることによりメッ
キ液中の銅イオンの減少を防止している。また、この電
極４４には導線が外槽４２ｂの外部にある図示しない電
源まで延設されており、この電源を投入することにより
電極４４と後述するドライバ６１に設けられた凸形コン
タクト６４を介してウエハＷとの間に電界を形成するよ
うになっている。噴出管４３の端部外周と内槽４２ａと
の間には内槽４２ａを上下に仕切り分ける隔膜４５が電
極４４の上方に設けられており、隔膜４５で仕切られた
内槽４２ａの上側（以下「内槽の上側」という。）には
噴出管４３からメッキ液が供給され、隔膜４５で仕切ら
れた内槽４２ａの下側（以下「内槽の下側」という。）
には後述する循環配管４６からメッキ液が供給されるよ
うになっている。また、この隔膜４５はイオンを透過す
るが、電極４４としての銅球を溶解させたときに生じる
不純物及びウエハＷの被メッキ面にメッキ層を形成する
工程中に発生する例えば酸素及び水素のような泡を透過
させないように構成されている。また、内槽４２ａの底
面の中心から偏心した位置には循環配管４６，４７が設
けられており、この循環配管４６，４７の間には図示し
ないポンプが配設されている。このポンプを作動させて
内槽４２ａの下側にメッキ液を循環させるようになって
いる。外槽４２ｂは、内槽４２ａと同様に有底の略円筒
形に形成されており、外槽４２ｂの開口面は略水平に維
持されている。外槽４２ｂの底部には排出口が２箇所設
けられており、この排出口には配管４８が接続されてい
る。この配管４８と噴出管４３との間にはポンプ４９が
配設されており、このポンプ４９を作動させて内槽４２
ａからオーバーフローして外槽４２ｂに溜められたメッ
キ液を再び内槽４２ａの上側に供給するようになってい
る。また、ポンプ４９には図示しない制御装置が接続さ
れている。この制御装置にはポンプ４９の作動を制御す
るプログラムが入力されており、ポンプ４９の作動を制
御することにより噴出管４３からウエハＷの被メッキ面
に向けて噴出されるメッキ液の流量を調節するようにな
っている。ここで、メッキ層を形成する工程でのメッキ
液の流量は予め実験等で把握したメッキ層を形成するの
に適した流量に設定され、泡抜きする工程でのメッキ液
の流量はメッキ液の噴出によりウエハＷの被メッキ面と
メッキ液の液面との間に形成された泡をウエハＷの中心
から外周縁に向けて移動させるためにメッキ層を形成す
る工程での流量よりも大きい流量に設定されている。ま
た、配管４８にはメッキ液を収容したタンク５０がポン
プ５１とバルブ５２を介して接続されており、ポンプ５
１を作動させるとともにバルブ５２を開くことによりタ
ンク５０内のメッキ液を内４２ａ槽に供給するようにな
っている。第２の処理部ＢにはウエハＷを保持する保持
機構としてのドライバ６１がメッキ液槽４２の中心の真
上に配設されている。またドライバ６１はウエハＷを保
持する保持部６２と、この保持部６２ごとウエハＷを略
水平面内で回転させるモータ６３とから構成されてい
る。保持部６２は１枚のウエハＷを略水平に収容可能な
有底の略円筒形に形成されている。図５中の一部拡大図
に示すように保持部６２底面の内側上には例えば１２８
等分された位置にウエハＷに電圧を印加するための凸形
コンタクト６４が配設されている。この凸形コンタクト
６４は図示しない電源と導線を介し電気的に接触してい
る。凸形コンタクト６４上にはウエハＷの被メッキ面に
例えばスパッタリングにより予め銅の薄膜を形成したウ
エハＷを載置するので、凸形コンタクト６４に印加され
た電圧がウエハＷの被メッキ面にも印加される。また、
保持部６２の底面内側にはシール部材６５が同心的に設
けられており、ウエハＷの被メッキ面をメッキ液の液面
より低い位置にある後述するメッキ位置（Ｖ）で保持す
る際にメッキ液が保持部６２内に浸入するのを防止して
いる。さらに、保持部６２には図示しない押圧機構が備
えられており、保持部６２にウエハＷを載置するとウエ
ハＷのメッキ層を形成しない面に対して押圧するので後
述するメッキ位置（Ｖ）までウエハＷを下降させてもウ
エハＷの被メッキ面以外の部分にメッキ液が接触するの
を防止している。モータ６３は樹脂等の耐食性の材料で
形成されたカバー６６で覆われており、後述するメッキ
位置（Ｖ）でウエハＷを保持する際にメッキ液及び蒸発
したミスト、飛散したミストがモータ６３内に浸入する
のを防止している。また、モータ６３の外側容器にはド
ライバ６１を支持する支持梁６７が取り付けられてい
る。支持梁６７の端はハウジング４１の内壁に対してガ
イドレール６８を介して昇降可能に取り付けられてい
る。支持梁６７は更に上下方向に伸縮自在なシリンダ６
９を介してハウジング４１に取り付けられており、この
シリンダ６９を駆動させることにより支持梁６７に支持
されたドライバ６１がガイドレール６８に沿って上下動
してウエハＷを昇降させるようになっている。具体的に
は図５に示すように、ドライバ６１の保持部６２に載置
されたウエハＷは、搬送のための搬送位置（Ｉ）と、ウ
エハＷのメッキ形成面を洗浄処理するための洗浄位置
（ＩＩ）と、凸形コンタクト６４を洗浄処理するための
洗浄位置（ＩＩ）より少し高い位置（ＩＩＩ）と、後述
するスピンドライを行うためのスピンドライ位置（Ｉ
Ｖ）と、メッキを行なうためのメッキ位置（Ｖ）とのメ
ッキ液槽４２の中心軸上にある主に５つの異なる高さの
位置との間で昇降する。また、搬送位置（Ｉ）、洗浄位
置（ＩＩ）及び洗浄位置（ＩＩ）より少し高い位置（Ｉ
ＩＩ）はメッキ液槽４２の内槽４２ａ内にメッキ液を一
杯にしたときのメッキ液の液面より高い位置にあり、ス
ピンドライ位置（ＩＶ）はメッキ液の液面と同じ高さに
あり、メッキ位置（Ｖ）はメッキ液の液面より低い位置
にある。ここで、例えばメッキ液の液面より高い搬送位
置（Ｉ）を第１の位置とし、メッキ液の液面より低いメ
ッキ位置（Ｖ）を第２の位置とする。また、メッキ位置
（Ｖ）はメッキ液の液面より低く泡が良く抜ける位置に
あり、具体的には例えばメッキ液の液面から約１．０ｍ
ｍ〜２０ｍｍの深さｄにあることが好ましい。ここで、
好ましい深さｄの範囲を上記範囲としたのは、この範囲
を上回るとメッキ液の噴出管４３の流速に影響され、メ
ッキ液に流れる電流の値である電流濃度が不均一になる
という問題があり、またこの範囲を下回ると内槽４２ａ
の開口部付近のメッキ液の流速に影響され均一にウエハ
Ｗの被メッキ面にメッキ層を形成することができないと
いう問題があるからである。第１の処理部Ａと第２の処
理部Ｂとの間には洗浄ノズル７０及びその下側に配設さ
れた排気口７１を内蔵したセパレータ７２が配設されて
いる。このセパレータ７２の中央には、ドライバ６１に
保持されたウエハＷが第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂ
との間を行き来できるように貫通孔が設けられている。
また、第１の処理部Ａと第２の処理部Ｂとの境界にあた
る部分のハウジングにはウエハＷをメッキ処理ユニット
Ｍ１内に搬出入するゲートバルブ７３が設けられてい
る。このゲートバルブ７３を閉じるとメッキ処理ユニッ
トＭ１内はその外側の処理空間Ｓとは隔絶された空間と
なるので、メッキ処理ユニットＭ１から外側の処理空間
Ｓ内への汚れの拡散が防止される。また、メッキ処理ユ
ニットＭ１〜Ｍ２はそれぞれ別個独立に運転することが
でき、処理システムに対してそれぞれが着脱可能に構成
されている。そのため、一つのメッキ処理ユニットを代
替使用することができ、保守管理が容易に行える。次に
ウエハＷの被メッキ面にメッキを施すメッキ処理システ
ムについて説明する。図７は本実施の形態に係るメッキ
処理システム全体のフローを示すフローチャートであ
る。図７に示すように、電源を投入してこのメッキ処理
システムを立ち上げ、ウエハＷを１ロット、例えば２５
枚収容したキャリアカセットＣを図示しない搬送ロボッ
トにより載置台２１に載置する。キャリアカセットＣが
載置されると、サブアーム２２がキャリアカセットＣの
前まで移動し、載置台２１上に載置されたキャリアカセ
ットＣ内にウエハ保持部材２３を差し込ませキャリアカ
セットＣから未処理のウエハＷを取り出す。さらにサブ
アーム２２が回転するとともにウエハＷを保持したウエ
ハ保持部材２３が伸長して、開口部Ｇ１を介し第１の処
理室内にある中継載置台３７上にウエハＷを一旦載置す
る。中継載置台３７上にウエハＷが載置されると、メイ
ンアーム３５のウエハ保持部材３６が伸長して中継載置
台３７の未処理のウエハＷを受け取る。未処理のウエハ
Ｗを受け取った後メインアーム３５がウエハＷの上下を
反転させるとともに回転して、ウエハ保持部材３６が伸
長して例えばメッキ処理ユニットＭ１内にウエハＷを搬
入する（ステップ１）。以下、メッキ処理ユニットＭ１
のメッキ処理（ステップ２）のフローについて図８及び
図９〜図１３に沿って説明する。図８は本実施の形態に
係るメッキ処理ユニットで行われるメッキ処理のフロー
を示したフローチャートであり、図９〜図１２は本実施
の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面
図であり、図１３は本実施の形態に係るメッキ処理工程
のタイミングチャートである。中継載置台３７からウエ
ハＷを受け取ったメインアーム３５がウエハＷの上下を
反転させてメッキ処理ユニットＭ１にアクセスする。即
ちメッキ処理ユニットＭ１の側壁に設けられたゲートバ
ルブ７３が開かれて、未処理のウエハＷを保持したまま
ウエハ保持部材３６が伸長して図９（ａ）に示すように
ウエハＷを搬送位置（Ｉ）に保持する位置に待機してい
るドライバ６１の保持部６２にウエハＷの被メッキ面を
メッキ液の液面に向けて略水平に載置する（ステップ２
（１ａ））。ウエハＷが保持部６２に載置されると保持
部６２に備えられた図示しない押圧機構によりウエハＷ
のメッキ層を形成しない面に対して押圧する。また、ウ
エハ保持部材３６がドライバ６１の保持部６２にウエハ
Ｗを引き渡した後、ウエハ保持部材３６が縮退してゲー
トバルブ７３を閉じる。なお、このときメッキ液槽４２
の内槽４２ａ内にはメッキ液を一杯にさせておく。ゲー
トバルブ７３を閉じた後、ドライバ６１がシリンダ６９
の駆動で下降して図９（ｂ）に示すようにウエハＷの被
メッキ面をメッキ液の液面に接触させる（ステップ２
（２ａ））。ここで、ウエハＷの被メッキ面がメッキ液
の液面に接触する際にウエハＷの被メッキ面とメッキ液
の液面との間には空気が入り込んでしまうので被メッキ
面に均一なメッキ層を形成するには被メッキ面に付着し
た空気の泡を泡抜きする必要がある。そこで、さらにド
ライバ６１がシリンダ６９の駆動で図９（ｃ）に示すよ
うに下降してウエハＷをメッキ液の液面より低いメッキ
位置（Ｖ）に位置させるとともに制御装置がポンプ４９
の作動を制御して流量ｑ１のメッキ液が噴出管４３から
供給されてウエハＷの被メッキ面に形成された泡を泡抜
きする（ステップ２（３ａ））。また、この流量ｑ１は
ウエハＷの被メッキ面に付着した泡を確実に泡抜きでき
る流量であり、具体的には例えば約５．０〜３０ ｌ／
ｍｉｎであるのが好ましい。ここで、好ましいｑ１の範
囲を上記範囲としたのは、この範囲を上回ると十分に泡
抜きすることができなるので泡抜きに時間が掛かるとい
う問題が生じるからであり、一方この範囲を下回ると電
流濃度が不均一になるという問題が生じるからである。
十分に泡抜きが行われた後、図９（ｄ）に示すように制
御装置がポンプ４９の作動を制御して流量ｑ１より小さ
い流量ｑ２のメッキ液が噴出管４３から供給されるとと
もに電極４４と凸形コンタクト６４に接触しているウエ
ハＷとの間に電圧が印加されてウエハＷの被メッキ面に
メッキ層の形成を開始する（ステップ２（５ａ））。ま
た、この流量ｑ２はウエハＷの被メッキ面に均一にメッ
キ層を形成することができる流量であり、具体的には例
えば約１．０〜１０ ｌ／ｍｉｎであるのが好ましい。
ここで、好ましいｑ２の範囲を上記範囲としたのは、こ
の範囲を上回ると面内均一性が低下するという問題が生
じるからであり、一方この範囲を下回ると再現性及び安
定性が低下するという問題が生じるからである。流量ｑ
２でメッキ液を供給するとともに電圧を印加してウエハ
Ｗの被メッキ面に十分な厚さのメッキ層を形成した後、
図１０（ａ）に示すように電圧の印加を停止してメッキ
層の形成を終了する（ステップ２（５ａ））。即ち、噴
出管４３から供給されるメッキ液の流量は、図１３に示
すように泡抜き開始時期ｔ１から泡抜き終了時期ｔ２ま
ではｑ１であり、メッキ層形成開始時期ｔ３からメッキ
形成終了時期ｔ４まではｑ２である。続いてポンプ５１
の作動及びバルブ５２の開放で所定量のメッキ液をタン
ク５０に戻し、図１０（ｂ）に示すようにメッキ位置
（Ｖ）がメッキ液の液面より高くなるようにメッキ液槽
４２のメッキ液の液面を低下させる（ステップ２（６
ａ））。この状態で保持部６２がモータ６３の駆動で図
１０（ｃ）に示すように略水平面内で回転してスピンド
ライを行いウエハＷのメッキ形成面に付着している余分
なメッキ液を取り除く（ステップ２（７ａ））。十分に
スピンドライを行った後、ドライバ６１がシリンダ６９
の駆動で図１１（ａ）に示すようにウエハＷを洗浄位置
（ＩＩ）に上昇させる（ステップ２（８ａ））。この位
置で保持部６２がモータ６３の駆動で図１１（ａ）に示
すように略水平面内で回転するとともにセパレータ７２
に内蔵されている洗浄ノズル７０から純水をウエハＷの
メッキ層形成面に向けて噴射させて、ウエハＷのメッキ
層形成面を洗浄する（ステップ２（９ａ））。ウエハＷ
のメッキ層形成面の洗浄が終了した後、ドライバ６１を
その位置に維持したままウエハＷの押圧を停止して例え
ばウエハＷを昇降させる図示しないチャックによりウエ
ハＷを洗浄位置（ＩＩ）より少し高い位置（ＩＩＩ）に
上昇させる。この状態で保持部６２のみがモータ６３の
駆動で図１１（ｂ）に示すように回転するとともにセパ
レータ７３に内蔵された洗浄ノズル７０から純水が保持
部６１の凸形コンタクト６４に向けて噴射して凸形コン
タクト６４を洗浄する（ステップ２（１０ａ））。凸形
コンタクト６４の洗浄が終了した後、図示しないチャッ
クによりウエハＷを洗浄位置（ＩＩ）に下降させて保持
部６２に載置する。この状態でドライバ６１がシリンダ
６９の駆動で図１１（ｃ）に示すようにウエハＷをメッ
キ位置（Ｖ）まで下降させる（ステップ２（１１
ａ））。更に保持部６２がモータ６３の駆動で図１１
（ｄ）に示すようにウエハＷとともに回転してスピンド
ライを行い、洗浄された凸形コンタクト６４に付着され
ている水分を取り除く（ステップ２（１２ａ））。その
後、ドライバ６１がシリンダ６９の駆動で図１２（ａ）
に示すようにウエハＷを搬送位置（Ｉ）まで上昇させる
（ステップ２（１３ａ））。この状態でゲートバルブ７
３を開きメインアーム３５のウエハ保持部材３６が伸長
して保持部６２に保持されたウエハＷを受け取り、図１
２（ｂ）に示すようにメッキ処理ユニットＭ１での処理
が完了したウエハＷが搬出される（ステップ２（１４
ａ））。メッキ処理ユニットＭ１での処理が完了した
後、ウエハ保持部材３６に保持されたウエハＷは必要に
応じて組成の異なるメッキ液が収容された他のメッキ処
理ユニットＭ２〜Ｍ４に搬送されて、メッキ処理が行わ
れる。同様にして次々に組成の異なるメッキ液が収容さ
れたメッキ処理ユニットＭ２〜Ｍ４にウエハＷが搬送さ
れて、メッキ処理が行われる。一連のメッキ処理が終了
した後、メインアーム３５のウエハＷを保持したウエハ
保持部材３６が上昇して洗浄処理ユニット１００内にウ
エハＷを搬送し、洗浄処理が行われる（ステップ３）。
洗浄処理ユニット１００による洗浄処理が完了したら、
後続の処理、例えば、アニーリング処理を行なう。この
アニーリング処理はいわゆる熱盤であるサセプタ１２５
上にウエハＷを所定時間載置して行う（ステップ４）。
アニーリングが完了すると、再びサブアーム２２がプロ
セスステーション３の前まで移動するとともに開口部Ｇ
２又はＧ３の高さまで上昇するとともに再びメインアー
ム３５が処理後のウエハＷを受け取り、中継載置台３７
を経由して、或いは洗浄ユニット１００内を経由してメ
インアーム３５からサブアーム２２へウエハＷが引き渡
される（ステップ５）。その後、ウエハＷを保持したサ
ブアーム２２は、キャリアカセットＣの高さまで下降す
るとともにキャリアカセットＣの前に移動してウエハ保
持部材２３を伸長させて処理済のウエハＷをキャリアカ
セットＣ内に収容する。このように、本実施の形態のメ
ッキ処理ユニットＭ１では、メッキ液槽４２内に収容さ
れたメッキ液の液面より低いメッキ位置（Ｖ）までウエ
ハＷを下降させるとともにメッキ層を形成する工程での
流量ｑ２より大きい流量ｑ１でメッキ液を供給して泡抜
きする工程を行うので、ウエハＷの被メッキ面とメッキ
液の液面との間に生ずる空気の泡を確実に泡抜きするこ
とができる。即ち、メッキ液槽４２の内に収容されたメ
ッキ液の液面より低い位置にあるメッキ位置（Ｖ）まで
ウエハＷを下降させるので、メッキ液の液面で泡抜きす
るよりも泡にかかる圧力が高くなり泡が上昇し易くな
る。また、メッキ層形成時の流量ｑ２より大きい流量ｑ
１でメッキ液を中心に向けて供給するので、ウエハＷの
中心から外周縁に向かうメッキ液の流れが速くなり、こ
の流れに沿って泡がウエハＷの中心から半径方向外側に
向かって押し流される。従って、ウエハＷをメッキ液の
液面より低い位置に位置させることとメッキ液の流量を
大きくすることの相乗効果によりウエハＷの被メッキ面
から泡を確実に除去することができる。また、保持部６
２に備えられた図示しない押圧機構によりウエハＷの被
メッキ面のみメッキ液に接触させて泡抜きする工程及び
メッキ層を形成する工程を行うので、被メッキ面以外の
部分にメッキ液が接触することがない。また、ドライバ
６１を昇降させているのでウエハＷをメッキ液の液面よ
りも低いメッキ位置（Ｖ）に移動させることができる。
更に、メッキ処理ユニットＭ１〜Ｍ４と洗浄処理ユニッ
ト１００を多段に配設するのでメッキ処理システムにお
けるフットプリントを小さく抑えることができる。 （第２の実施の形態）以下、本発明の第２の実施の形態
について説明する。なお、以下本実施の形態以降の実施
の形態のうち先行する実施の形態と重複する内容につい
ては説明を省略する。本実施の形態ではウエハＷを略水
平面内で回転させながら泡抜きする工程及びメッキ層を
形成する工程を行う構成とした。即ち、本実施の形態の
メッキ処理ユニットＭ１はドライバ６１のモータ６３を
駆動させることによりウエハＷが載置される保持部６２
を略水平面内で回転するように構成されている。以下、
メッキ処理ユニットＭ１内でのメッキ処理のフローにつ
いて図１４及び図１５に沿って説明する。図１４は本実
施の形態に係るメッキ処理ユニットＭ１で行われるメッ
キ処理のフローを示したフローチャートであり、図１５
（ａ）及び（ｂ）は本実施の形態に係るメッキ処理工程
を模式的に示した垂直断面図である。第１の実施の形態
と同様にメッキ処理ユニットＭ１内に未処理のウエハＷ
が搬送され、シリンダ６９の駆動で保持部６２に載置さ
れたウエハＷがメッキ位置（Ｖ）にまで下降する（ステ
ップ２（１ｂ）〜ステップ２（３ｂ））。ウエハＷがメ
ッキ位置（Ｖ）まで下降した後、モータ６３の駆動で図
１５（ａ）に示すようにウエハＷを保持した保持部６２
が略水平面内で回転して泡抜きする（ステップ２（４
ｂ））。十分に泡抜きした後、ウエハＷをメッキ位置に
保持したまま図１５（ｂ）に示すように保持部６２が略
水平面内で回転するとともにウエハＷと電極４４との間
に電圧を印加してウエハＷの被メッキ面にメッキ層の形
成を開始する（ステップ２（５ｂ）〜ステップ２（６
ｂ））。ウエハＷの被メッキ面に十分な厚さのメッキ層
を形成した後、保持部６２の回転及び電圧の印加を停止
してメッキ層の形成を終了する（ステップ２（５
ｂ））。その後、第１の実施の形態と同様に所定の処理
が行われ、処理済みのウエハＷがメッキ処理ユニットＭ
１から搬出される（ステップ２（６ｂ）〜ステップ２
（１４ｂ））。このように、本実施の形態に係るメッキ
処理ユニットＭ１では、ウエハＷを略水平面内で回転さ
せながら泡抜きする工程及びメッキ層を形成する工程を
行うので泡がウエハＷの外周縁に沿って移動し易くな
り、より効率的に泡抜きすることができる。 （第３の実施の形態）以下、本発明の第３の実施の形態
について説明する。本実施の形態ではウエハＷをメッキ
液の液面方向に揺動させながら泡抜きする工程を行う構
成とした。即ち、保持部６２は図示しない揺動機能を備
えており、この揺動機能の作動で保持部６２に保持され
たウエハＷがメッキ液の液面方向に揺動するように構成
されている。以下、メッキ処理ユニットＭ１内でのメッ
キ処理のフローについて図１６及び図１７に沿って説明
する。図１６は本実施の形態に係るメッキ処理ユニット
Ｍ１で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャ
ートであり、図１７（ａ）及び（ｂ）は本実施の形態に
係るメッキ処理工程の模式的に示した垂直断面図であ
る。第１の実施の形態と同様にメッキ処理ユニットＭ１
内に未処理のウエハＷが搬送され、シリンダ６９の駆動
で保持部６２に載置されたウエハＷがメッキ位置（Ｖ）
にまで下降する（ステップ２（１ｃ）〜ステップ２（２
ｃ））。ウエハＷがメッキ位置（Ｖ）まで下降しなが
ら、保持部６２に備えられた図示しない揺動機能の作動
で図１７（ａ）に示すようにウエハＷを保持した保持部
６２がメッキ液の液面方向に揺動して泡抜きする（ステ
ップ２（３ｃ））。十分に泡抜きした後、保持部６２の
揺動を停止してウエハＷをメッキ位置（Ｖ）に維持して
図１７（ｂ）に示すようにウエハＷを略水平に保持した
状態で電圧を印加してウエハＷの被メッキ面にメッキ層
の形成を開始する（ステップ２（４ｃ））。ウエハＷの
被メッキ面に十分な厚さのメッキ層を形成した後、電圧
の印加を停止してメッキ層の形成を終了する（ステップ
２（５ｃ））。その後、第１の実施の形態と同様に所定
の処理が行われ、処理済みのウエハＷがメッキ処理ユニ
ットＭ１から搬出される（ステップ２（６ｃ）〜ステッ
プ２（１４ｃ））。このように、本実施の形態に係るメ
ッキ処理ユニットＭ１では、ウエハＷをメッキ液の液面
方向に向けて揺動させながら泡抜きする工程を行うので
泡がウエハＷの中心から外周縁に向かって移動し易くな
り、より効率的に泡抜きすることができる。 （第４の実施の形態）以下、本発明の第４の実施の形態
について説明する。本実施の形態ではメッキ液の液面に
対して傾けた状態でウエハＷの被メッキ面をメッキ液の
液面に接触させて泡抜きする工程を行う構成とした。即
ち、保持部６２は図示しないウエハ傾斜機能を備えてお
り、このウエハ傾斜機構の作動で保持部６２に保持され
たウエハＷの被メッキ面がメッキ液の液面に対して傾く
ように構成されている。以下、メッキ処理ユニットＭ１
内でのメッキ処理のフローについて図１８及び図１９に
沿って説明する。図１８は本実施の形態に係るメッキ処
理ユニットＭ１で行われるメッキ処理のフローを示した
フローチャートであり、図１９（ａ）〜（ｃ）は本実施
の形態に係るメッキ処理工程を模式的に示した垂直断面
図である。第１の実施の形態と同様にメッキ処理ユニッ
トＭ１内に未処理のウエハＷが搬送される（ステップ２
（１ｄ））。ウエハＷが保持部６２に載置すると、略水
平に保持されていた保持部６２が保持部６２に備えられ
た図示しないウエハ傾斜機能の作動でメッキ液の液面に
対して傾く。その状態のままドライバ６１がシリンダ６
９の駆動で下降して図１９（ａ）に示すようにウエハＷ
の被メッキ面をメッキ液の液面に接触させる（ステップ
２（２ｄ））。このウエハＷを傾けた状態で、さらにド
ライバ６１がシリンダ６９の駆動で図２４（ｂ）に示す
ようにウエハＷをメッキ位置（Ｖ）まで下降させて泡抜
きする（ステップ２（３ｄ））。十分に泡抜きした後、
ウエハＷをメッキ位置（Ｖ）に保持し、図１９（ｃ）に
示すように保持部６２を略水平に保持した状態で電圧を
印加してウエハＷの被メッキ面にメッキ層の形成を開始
する（ステップ２（４ｄ））。ウエハＷの被メッキ面に
十分な厚さのメッキ層を形成した後、電圧の印加を停止
してメッキ層の形成を終了する（ステップ２（５
ｄ））。その後、第１の実施の形態と同様に所定の処理
が行われ、処理済みのウエハＷがメッキ処理ユニットＭ
１から搬出される（ステップ２（６ｄ）〜ステップ２
（１４ｄ））。このように、本実施の形態に係るメッキ
処理ユニットＭ１では、ウエハＷの被メッキ面をメッキ
液の液面に対して傾けた状態で昇降させているので、メ
ッキ液の液面にウエハＷの被メッキを接触させた際にウ
エハＷの被メッキ面に泡が形成され難くなるとともに泡
が形成された場合でも泡が泡自身の浮力によりウエハＷ
の中心から外周縁に向かって移動し、より効率的に泡抜
きすることができるという特有の効果が得られる。な
お、本発明は上記実施の形態の記載内容に限定されるも
のではなく、構造や材質、各部材の配置等は、本発明の
要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。例えば、
上記実施の形態では、ウエハＷと内槽４２ａの内部にあ
る電極４４との間に電圧を印加してウエハＷの被メッキ
面にメッキ層を形成しているが、電極４４を設けない
で、即ち電圧を印加しないで例えば硫酸銅を溶解した強
塩基性の還元作用を有するメッキ液の液面にウエハＷの
被メッキ面を接触させて還元析出反応によりウエハＷの
被メッキ面にメッキ層を形成することも可能である。ま
た、上記実施の形態では、ウエハＷの片面のみメッキ層
を形成しているが、ウエハＷの両面にメッキ層を形成し
てもよい。また、上記実施の形態では、保持部６２に備
えられた図示しない押圧機構によりウエハＷの被メッキ
面以外の部分にメッキ液の接触を防止しているが、保持
部６２の概略垂直断面図である図２０に示すように被メ
ッキ面以外の部分を完全にシールしてメッキ液の接触を
防止してもよい。また、上記実施の形態では、シリンダ
６９によりドライバ６１を昇降させているがウエハＷの
被メッキ面をメッキ液の液面よりも低いメッキ位置
（Ｖ）に移動させることができればメッキ液槽４２を昇
降又はメッキ液を増減させてもよい。また、上記実施の
形態では、メッキ処理ユニットを下段に配設した構造と
したが、液相で処理を施す処理ユニットであれば、メッ
キ処理ユニット以外の処理ユニットの使用してもよい。
また、上記実施の形態では、メッキ処理ユニットＭ１が
ドライバ６１を１基配設しているが、メッキ処理ユニッ
トＭ１の概略斜視図である図２１に示すようにドライバ
６１を複数基配設することも可能である。ドライバ６１
を複数基配設することにより一度に複数枚のウエハＷを
処理することができる。また、上記実施の形態では、被
処理基板としてウエハＷを使用しているが液晶用のＬＣ
Ｄガラス基板を使用することも可能である。さらに、上
記第２の実施の形態では、泡抜きする工程とメッキ層を
形成する工程の両方でウエハＷを回転させているが、ど
ちらかの工程だけでウエハＷを回転させてもよい。ま
た、上記実施の形態では、ウエハＷの回転、揺動、及び
傾斜をそれぞれ単独で行っているが、例えば回転と揺動
を同時に行ってもよい。またウエハＷ傾斜させた後回転
又は揺動させてもよい。

【発明の効果】以上、詳説したように、本発明によれ
ば、被処理基板の被処理面を処理液に接触させる際に被
処理基板の被処理面と処理液の液面との間に形成される
泡を処理液槽に収容された処理液の液面よりも低い位置
で被処理基板を保持するとともに液処理を施す工程での
流量よりも大きい流量で処理液を処理液槽内に供給して
泡抜きするので、確実に泡抜きすることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
斜視図である。

【図２】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
平面図である。

【図３】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
正面図である。

【図４】第１の実施の形態に係るメッキ処理システムの
側面図である。

【図５】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの
一部拡大図を含んだ模式的な垂直断面図である。

【図６】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットの
概略平面図である。

【図７】第１の実施の形態に係るメッキ処理システム全
体のフローを示したフローチャートである。

【図８】第１の実施の形態に係るメッキ処理ユニットで
行われるメッキ処理のフローを示したフローチャートで
ある。

【図９】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模式
的に示した垂直断面図である。

【図１０】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。

【図１１】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。

【図１２】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。

【図１３】第１の実施の形態に係るメッキ処理工程のタ
イミングチャートである。

【図１４】第２の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャート
である。

【図１５】第２の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。

【図１６】第３の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。

【図１７】第３の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。

【図１８】第４の実施の形態に係るメッキ処理ユニット
で行われるメッキ処理のフローを示したフローチャート
である。

【図１９】第４の実施の形態に係るメッキ処理工程を模
式的に示した垂直断面図である。

【図２０】保持部の変形例を示した概略平面図である。

【図２１】保持部の変形例を示した概略側面図である。

【図２２】従来のメッキ処理装置の概略垂直断面図であ
る。

【符号の説明】

Ｗ…ウエハ（被処理基板）、 Ｓ…処理空間、 Ｍ１〜Ｍ４…メッキ処理ユニット（第１の液処理装
置）、 ３５…メインアーム（第１の搬送手段）、 ４２…メッキ液槽、 ４３…噴出管、 ４４…電極、 ４９…ポンプ、 ６１…ドライバ、 ６２…保持部、 ６３…モータ、 ６４…凸形コンタクト、 ６９…シリンダ、 ８１、８２…泡抜き孔、 １００…洗浄処理ユニット（第２の液処理装置）。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K024 AA09 BB12 CB01 CB02 CB03 CB11 CB13 CB14 CB15 CB26 4M104 BB04 DD52 HH20

Claims (15)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 処理液槽に収容された処理液の液面より
   も低い位置で被処理基板の被処理面を略水平に保持する
   とともに前記処理液槽内に前記被処理面に向けて第１の
   流量で前記処理液を供給することにより前記被処理面に
   付着する泡を泡抜きする工程と、 前記第１の流量より小さい第２の流量で前記処理液槽内
   に前記被処理面に向けて前記処理液を供給しながら前記
   被処理面に液処理を施す工程とを具備することを特徴と
   する液処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の液処理方法であって、 前記液処理を施す工程は、前記処理液の液面よりも低い
   位置で行うことを特徴とする液処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の液処理方法であっ
   て、 前記泡抜きする工程は、前記被処理基板を略水平面内で
   回転させる工程であることを特徴とする液処理方法。
4. 【請求項４】 請求項１〜３のいずれか１項に記載の液
   処理方法であって、 前記液処理を施す工程は、前記被処理基板を略水平面内
   で回転させる工程であることを特徴とする液処理方法。
5. 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の液
   処理方法であって、前記泡抜きする工程は、前記被処理
   基板を前記処理液の液面方向に揺動させる工程であるこ
   とを特徴とする液処理方法。
6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の液
   処理方法であって、 前記泡抜きする工程及び前記液処理を施す工程は、前記
   被処理基板の被処理面のみ前記処理液に接触させて行う
   工程であることを特徴とする液処理方法。
7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の液
   処理方法であって、 前記泡抜きする工程は、前記被処理基板を昇降させて前
   記処理液の液面よりも低い位置に前記被処理基板の被処
   理面を移動させる工程であることを特徴とする液処理方
   法。
8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の液
   処理方法であって、 前記泡抜きする工程は、前記処理液の液面を昇降させて
   前記処理液の液面よりも低い位置に前記被処理基板の被
   処理面を移動させる工程であることを特徴とする液処理
   方法。
9. 【請求項９】 請求項１〜８のいずれか１項に記載の液
   処理方法であって、前記泡抜きする工程は、前記被処理
   基板の被処面を前記処理液の液面に対して傾けた状態で
   昇降させる工程であることを特徴とする液処理方法。
10. 【請求項１０】 処理液を収容する処理液槽と、 前記処理液の液面上側に配設され被処理基板を略水平に
    保持する保持機構と、 前記保持機構を上下させて被処理基板を前記処理液の液
    面より高い第１の位置と前記処理液の液面より低い第２
    の位置との間で昇降させる昇降機構と、 前記被処理基板の被処理面に向けて流動する処理液の流
    量を調節する流量調節手段と、 を具備することを特徴とする液処理装置。
11. 【請求項１１】 請求項１０記載の液処理装置であっ
    て、 前記保持機構が、前記被処理基板を略水平面内で回転さ
    せる機能を備えていることを特徴とする液処理装置。
12. 【請求項１２】 請求項１０又は１１記載の液処理装置
    であって、 前記保持機構が、前記被処理基板を前記処理液の液面方
    向に揺動させる機能を備えていることを特徴とする液処
    理装置。
13. 【請求項１３】 請求項１０〜１２のいずれか１項に記
    載の液処理装置であって、 前記保持機構が、前記被処理基板を前記処理液の液面に
    対して傾ける機能を備えていることを特徴とする液処理
    装置。
14. 【請求項１４】 請求項１１〜１３のいずれか１項に記
    載の液処理装置であって、 前記保持機構が、前記被処理基板の被処理面に付着する
    泡を泡抜きする泡抜き孔を備えていることを特徴とする
    液処理装置。
15. 【請求項１５】 被処理基板に第１の液処理を施し、か
    つ、少なくとも金属イオンを含む第１の処理液を収容可
    能に構成された第１の液処理装置であって、第１の処理
    液を収容する処理液槽と、前記第１の処理液の液面上側
    に配設され被処理基板を略水平に保持する保持機構と、
    前記保持機構を上下させて前記被処理基板を前記第１の
    処理液の液面より高い第１の位置と前記第１の処理液の
    液面より低い第２の位置との間で昇降させる昇降機構
    と、前記被処理基板の被処理面に向けて流動する第１の
    処理液の流量を調節する流量調節手段とを有する第１の
    液処理装置と、 前記第１の液処理装置により液処理を施された被処理基
    板に対し、第２の液処理を施す第２の液処理装置と、 前記第１の液処理装置と前記第２の液処理装置との間で
    被処理基板を搬送可能に、かつ垂直方向に移動可能に構
    成された第１の搬送手段と、を備え、 前記第１の液処理装置及び前記第２の液処理装置が前記
    第１の搬送手段の周囲に多段に配設されていることを特
    徴とする液処理システム。