JP2000183134A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板の全表面をむらなく処理することがで
き、しかも処理のばらつきを防止する。 【解決手段】 処理槽１と、処理槽１を包囲する密閉可
能な外槽２と、基板３を立設状態で支持するとともに、
処理槽１に対して基板を搬入、搬出する第１支持部材４
と、処理槽１の内部において昇降可能であるとともに、
第１支持部材４との間で基板３の受け渡しを行う第２支
持部材５とを有している。
き、しかも処理のばらつきを防止する。 【解決手段】 処理槽１と、処理槽１を包囲する密閉可
能な外槽２と、基板３を立設状態で支持するとともに、
処理槽１に対して基板を搬入、搬出する第１支持部材４
と、処理槽１の内部において昇降可能であるとともに、
第１支持部材４との間で基板３の受け渡しを行う第２支
持部材５とを有している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は基板処理装置に関
し、さらに詳細にいえば、基板搬送部材によって処理槽
内に搬入された基板を処理するための装置に関する。
し、さらに詳細にいえば、基板搬送部材によって処理槽
内に搬入された基板を処理するための装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来から、基板処理装置として、特開平
８−１４１５２６号公報に示す構成のものが提案されて
いる。
８−１４１５２６号公報に示す構成のものが提案されて
いる。
【０００３】この基板処理装置は、処理槽の内部に基板
を支持する第１支持部材を固定的に設けているととも
に、基板を支持して基板を処理槽に搬入、搬出する可動
式の第２支持部材を設けている。
を支持する第１支持部材を固定的に設けているととも
に、基板を支持して基板を処理槽に搬入、搬出する可動
式の第２支持部材を設けている。
【０００４】この構成の基板処理装置を採用した場合に
は、先ず、第２支持部材によって基板を、第１支持部材
と係合しない位置まで搬入し、この状態において処理槽
内に処理用流体を供給して基板の処理を行い、次いで、
第２支持部材を処理槽内にさらに侵入させて基板を第１
支持部材によって支持させ、この状態において処理槽内
に処理用流体を供給して基板の処理を行うことができ
る。
は、先ず、第２支持部材によって基板を、第１支持部材
と係合しない位置まで搬入し、この状態において処理槽
内に処理用流体を供給して基板の処理を行い、次いで、
第２支持部材を処理槽内にさらに侵入させて基板を第１
支持部材によって支持させ、この状態において処理槽内
に処理用流体を供給して基板の処理を行うことができ
る。
【０００５】このような基板の処理を行えば、基板と第
１支持部材との係合部、基板と第２支持部材との係合部
をも良好に処理することができ、基板の全表面をむらな
く処理することができる。
１支持部材との係合部、基板と第２支持部材との係合部
をも良好に処理することができ、基板の全表面をむらな
く処理することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】特開平８−１４１５２
６号公報に記載された構成の基板処理装置を採用した場
合には、第２支持部材の処理槽内への侵入距離の増加に
よって基板を自動的に第１支持部材へ受け渡しする必要
があるので、受け渡し時に基板が処理槽に対して相対的
に移動し、基板と処理用流体との相対速度が変化するこ
とになる。そして、基板と処理用流体との相対速度が変
化すれば、処理用流体による処理の程度にばらつきが生
じ、基板の処理品質が低下してしまうという不都合があ
る。この不都合は、例えば、基板の洗浄を行った後に洗
浄用流体を排出しながら基板の乾燥を行う場合に特に顕
著に現れる。
６号公報に記載された構成の基板処理装置を採用した場
合には、第２支持部材の処理槽内への侵入距離の増加に
よって基板を自動的に第１支持部材へ受け渡しする必要
があるので、受け渡し時に基板が処理槽に対して相対的
に移動し、基板と処理用流体との相対速度が変化するこ
とになる。そして、基板と処理用流体との相対速度が変
化すれば、処理用流体による処理の程度にばらつきが生
じ、基板の処理品質が低下してしまうという不都合があ
る。この不都合は、例えば、基板の洗浄を行った後に洗
浄用流体を排出しながら基板の乾燥を行う場合に特に顕
著に現れる。
【０００７】また、洗浄用流体排出後に基板を第１支持
部材から第２支持部材に受け渡しする場合、基板と第１
支持部材とが接していた部分のそれぞれに洗浄用流体が
残る。そして、この洗浄用流体を蒸発させるために大量
の窒素ガスが必要となり、かつ時間もかかる。
部材から第２支持部材に受け渡しする場合、基板と第１
支持部材とが接していた部分のそれぞれに洗浄用流体が
残る。そして、この洗浄用流体を蒸発させるために大量
の窒素ガスが必要となり、かつ時間もかかる。
【０００８】
【発明の目的】この発明は上記の問題点に鑑みてなされ
たものであり、基板の全表面をむらなく処理することが
でき、しかも処理の途中における基板と処理槽との相対
位置の変化を防止することができる基板処理装置を提供
することを目的としている。
たものであり、基板の全表面をむらなく処理することが
でき、しかも処理の途中における基板と処理槽との相対
位置の変化を防止することができる基板処理装置を提供
することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１の基板処理装置
は、基板を処理槽内に収容し、この処理槽内に処理用流
体を供給して基板を処理するものであって、基板を自然
状態において安定に支持するとともに、処理槽に対する
基板の搬入、搬出を行う第１支持部材と、処理槽内にお
いて、第１支持部材に支持された基板を受け取って安定
に支持する移動可能な第２支持部材とを有しているもの
である。
は、基板を処理槽内に収容し、この処理槽内に処理用流
体を供給して基板を処理するものであって、基板を自然
状態において安定に支持するとともに、処理槽に対する
基板の搬入、搬出を行う第１支持部材と、処理槽内にお
いて、第１支持部材に支持された基板を受け取って安定
に支持する移動可能な第２支持部材とを有しているもの
である。
【００１０】請求項２の基板処理装置は、処理槽に対す
る基板の相対的移動を防止すべく、基板の受け渡し時に
第１支持部材および第２支持部材を動作させる制御手段
をさらに含むものである。
る基板の相対的移動を防止すべく、基板の受け渡し時に
第１支持部材および第２支持部材を動作させる制御手段
をさらに含むものである。
【００１１】請求項３の基板処理装置は、前記第２支持
部材として、処理槽内に下方から所定の流速分布の処理
用流体を供給するための整流板部材と一体的に設けられ
たものを採用するものである。
部材として、処理槽内に下方から所定の流速分布の処理
用流体を供給するための整流板部材と一体的に設けられ
たものを採用するものである。
【００１２】
【作用】請求項１の基板処理装置であれば、基板を処理
槽内に収容し、この処理槽内に処理用流体を供給して基
板を処理するに当たって、基板を自然状態において安定
に支持するとともに、処理槽に対する基板の搬入、搬出
を行う第１支持部材と、処理槽内において、第１支持部
材に支持された基板を受け取って安定に支持する移動可
能な第２支持部材とを有しているのであるから、処理槽
に対する基板の搬入、搬出を行う第１支持部材によって
基板を自然状態において安定に支持し、第１支持部材を
処理槽内に侵入させることによって基板を処理槽内に搬
入する。この状態において処理槽に処理用流体を供給す
ることによって基板の処理を行う。ただし、この場合に
は、基板と第１支持部材との係合部は処理されない。次
いで、第２支持部材を処理槽内において移動させること
により基板と係合させ、第１支持部材をさらに侵入させ
れば、基板が第１支持部材から第２支持部材に受け渡さ
れる。そして、この受け渡しの間において、基板と処理
槽との相対位置は一定に保持される。基板が第２支持部
材により支持された状態において処理槽内に処理用流体
を供給して基板の処理を行えば、基板と第１支持部とが
係合していた部分が処理され、この結果、基板の全表面
をむらなく処理することができる。また、以上の説明か
ら明らかなように、処理の全期間において、基板と処理
槽との相対位置が一定に保持され、基板と処理用流体と
の相対速度が一定に保持されるのであるから、処理のば
らつきは発生せず、高品質な処理を達成することができ
る。
槽内に収容し、この処理槽内に処理用流体を供給して基
板を処理するに当たって、基板を自然状態において安定
に支持するとともに、処理槽に対する基板の搬入、搬出
を行う第１支持部材と、処理槽内において、第１支持部
材に支持された基板を受け取って安定に支持する移動可
能な第２支持部材とを有しているのであるから、処理槽
に対する基板の搬入、搬出を行う第１支持部材によって
基板を自然状態において安定に支持し、第１支持部材を
処理槽内に侵入させることによって基板を処理槽内に搬
入する。この状態において処理槽に処理用流体を供給す
ることによって基板の処理を行う。ただし、この場合に
は、基板と第１支持部材との係合部は処理されない。次
いで、第２支持部材を処理槽内において移動させること
により基板と係合させ、第１支持部材をさらに侵入させ
れば、基板が第１支持部材から第２支持部材に受け渡さ
れる。そして、この受け渡しの間において、基板と処理
槽との相対位置は一定に保持される。基板が第２支持部
材により支持された状態において処理槽内に処理用流体
を供給して基板の処理を行えば、基板と第１支持部とが
係合していた部分が処理され、この結果、基板の全表面
をむらなく処理することができる。また、以上の説明か
ら明らかなように、処理の全期間において、基板と処理
槽との相対位置が一定に保持され、基板と処理用流体と
の相対速度が一定に保持されるのであるから、処理のば
らつきは発生せず、高品質な処理を達成することができ
る。
【００１３】請求項２の基板処理装置であれば、処理槽
に対する基板の相対的移動を防止すべく、基板の受け渡
し時に第１支持部材および第２支持部材を動作させる制
御手段をさらに含むのであるから、制御手段によって両
支持部材を動作させることにより、請求項１と同様の作
用を達成することができる。
に対する基板の相対的移動を防止すべく、基板の受け渡
し時に第１支持部材および第２支持部材を動作させる制
御手段をさらに含むのであるから、制御手段によって両
支持部材を動作させることにより、請求項１と同様の作
用を達成することができる。
【００１４】請求項３の基板処理装置であれば、前記第
２支持部材として、処理槽内に下方から所定の流速分布
の処理用流体を供給するための整流板部材と一体的に設
けられたものを採用するのであるから、請求項１または
請求項２の作用に加え、第２支持部材の移動機構と整流
板部材の着脱機構とを兼用させることができる。
２支持部材として、処理槽内に下方から所定の流速分布
の処理用流体を供給するための整流板部材と一体的に設
けられたものを採用するのであるから、請求項１または
請求項２の作用に加え、第２支持部材の移動機構と整流
板部材の着脱機構とを兼用させることができる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、この
発明の基板処理装置の実施の態様を詳細に説明する。
発明の基板処理装置の実施の態様を詳細に説明する。
【００１６】図１はこの発明の基板処理装置の一実施態
様を示す概略縦断面図である。
様を示す概略縦断面図である。
【００１７】この基板処理装置は、処理槽１と、処理槽
１を包囲する密閉可能な外槽２と、基板（例えば、半導
体ウエハ）３を立設状態で支持するとともに、処理槽１
に対して基板を搬入、搬出する第１支持部材４と、処理
槽１の内部において昇降可能であるとともに、第１支持
部材４との間で基板３の受け渡しを行う第２支持部材５
とを有している。なお、１ａは処理槽１から洗浄液（例
えば、純水）を排出するための洗浄液排出管である。
１を包囲する密閉可能な外槽２と、基板（例えば、半導
体ウエハ）３を立設状態で支持するとともに、処理槽１
に対して基板を搬入、搬出する第１支持部材４と、処理
槽１の内部において昇降可能であるとともに、第１支持
部材４との間で基板３の受け渡しを行う第２支持部材５
とを有している。なお、１ａは処理槽１から洗浄液（例
えば、純水）を排出するための洗浄液排出管である。
【００１８】上記の構成の基板処理装置の作用は次のと
おりである。
おりである。
【００１９】基板の洗浄が終了した時点においては、図
１に示すように、処理槽１に洗浄液（例えば、純水）が
充満しているとともに、基板３が第１支持部材４に自然
な状態で支持され、かつ洗浄液に浸漬されている。な
お、この状態においては、基板３は第２支持部材５から
離れている。そして、洗浄された基板４を乾燥するため
に、密閉された外槽２の蓋体を通して乾燥用流体（例え
ば、イソプロピルアルコール蒸気、ミストなど）を外槽
２内に供給するとともに、洗浄液排出管１ａを通して洗
浄液を処理槽１から排出する。
１に示すように、処理槽１に洗浄液（例えば、純水）が
充満しているとともに、基板３が第１支持部材４に自然
な状態で支持され、かつ洗浄液に浸漬されている。な
お、この状態においては、基板３は第２支持部材５から
離れている。そして、洗浄された基板４を乾燥するため
に、密閉された外槽２の蓋体を通して乾燥用流体（例え
ば、イソプロピルアルコール蒸気、ミストなど）を外槽
２内に供給するとともに、洗浄液排出管１ａを通して洗
浄液を処理槽１から排出する。
【００２０】この動作を行えば、基板３のうち、洗浄液
から露出した部分において、洗浄液を乾燥用流体膜で置
換することにより、迅速な乾燥を達成する。
から露出した部分において、洗浄液を乾燥用流体膜で置
換することにより、迅速な乾燥を達成する。
【００２１】洗浄液の排出を継続することにより、洗浄
液の液面が徐々に下降し、図２に示すように、液面が第
２支持部材５と第１支持部材４との間に位置すれば、第
２支持部材５が乾燥するとともに、第２支持部材５に支
持されることになる基板３の部分も乾燥する。
液の液面が徐々に下降し、図２に示すように、液面が第
２支持部材５と第１支持部材４との間に位置すれば、第
２支持部材５が乾燥するとともに、第２支持部材５に支
持されることになる基板３の部分も乾燥する。
【００２２】そして、第２支持部材５を上昇させて基板
３と係合させ（図３参照）、次いで、第１支持部材４を
下降させることにより、基板３を第１支持部材４から第
２支持部材５に受け渡すことができる（図４参照）。こ
のようにして基板３の受け渡しを行う間において、基板
３と処理槽１との相対位置が一定に保持されているの
で、基板３と洗浄液の液面との相対速度が一定に保持さ
れ、ばらつきのない乾燥を達成することができる。
３と係合させ（図３参照）、次いで、第１支持部材４を
下降させることにより、基板３を第１支持部材４から第
２支持部材５に受け渡すことができる（図４参照）。こ
のようにして基板３の受け渡しを行う間において、基板
３と処理槽１との相対位置が一定に保持されているの
で、基板３と洗浄液の液面との相対速度が一定に保持さ
れ、ばらつきのない乾燥を達成することができる。
【００２３】その後も、乾燥用流体の供給および洗浄液
の排出が行われるのであるから、基板３の残りの部分の
全表面および第１支持部材４が乾燥される。
の排出が行われるのであるから、基板３の残りの部分の
全表面および第１支持部材４が乾燥される。
【００２４】洗浄液の排出が完了した後は、外槽２の蓋
体を通して窒素ガスを供給することにより、第１支持部
材４、第２支持部材５と基板３との接している部分に洗
浄液の残留がないため、処理槽１および外槽２の内部か
ら乾燥用流体を排出して、基板３の乾燥処理を完了す
る。したがって、窒素ガスの使用量を少なくすることが
できる。また、全体としての所要時間を短縮することが
できる。
体を通して窒素ガスを供給することにより、第１支持部
材４、第２支持部材５と基板３との接している部分に洗
浄液の残留がないため、処理槽１および外槽２の内部か
ら乾燥用流体を排出して、基板３の乾燥処理を完了す
る。したがって、窒素ガスの使用量を少なくすることが
できる。また、全体としての所要時間を短縮することが
できる。
【００２５】以上のようにして乾燥処理が完了した場合
には、外槽２を開蓋し、第１支持部材４を上昇させるこ
とにより、乾燥した基板３の取り出しを行うことができ
る。
には、外槽２を開蓋し、第１支持部材４を上昇させるこ
とにより、乾燥した基板３の取り出しを行うことができ
る。
【００２６】なお、以上には基板３の乾燥処理を説明し
たが、基板３を洗浄する場合においても、処理槽１内に
おける第１支持部材４と第２支持部材５との位置を変化
させて、基板３が第１支持部材４に支持される状態と、
基板３が第２支持部材５に支持される状態とを順次選択
することにより、基板３の全表面をむらなく、かつばら
つきなく洗浄することができる。
たが、基板３を洗浄する場合においても、処理槽１内に
おける第１支持部材４と第２支持部材５との位置を変化
させて、基板３が第１支持部材４に支持される状態と、
基板３が第２支持部材５に支持される状態とを順次選択
することにより、基板３の全表面をむらなく、かつばら
つきなく洗浄することができる。
【００２７】図５はこの発明の基板処理装置の他の実施
態様を示す縦断正面図、図６は縦断側面図、図７は平面
図である。
態様を示す縦断正面図、図６は縦断側面図、図７は平面
図である。
【００２８】この基板処理装置が上記基板処理装置と最
も異なる点は、処理槽１の底部から基板収容部に向かっ
て所望の流速分布の洗浄液を供給するための整流板部材
６と第２支持部材５とを一体化した点のみである。
も異なる点は、処理槽１の底部から基板収容部に向かっ
て所望の流速分布の洗浄液を供給するための整流板部材
６と第２支持部材５とを一体化した点のみである。
【００２９】なお、処理槽１は、その上部外周を包囲す
るようにオーバーフロー槽１ｂを有しているとともに、
オーバーフロー槽１ｂから洗浄用流体を排出する洗浄用
流体排出管１ｃを有している。そして、処理槽１は、中
央部から上方が一定の幅を有しているとともに、中央部
から下方が漸縮する幅を有している。また、処理槽１の
うち、整流板部材６よりも下方の空間の所定位置に洗浄
用流体供給管１ｄを有している。さらに、外槽２は、そ
の上部を前後方向に大きくして段部２ａを形成し、この
段部２ａに対してオーバーフロー槽１ｂを係合させて処
理槽１を吊り下げ支持している。そして、外槽２の蓋体
の下面中央部には、乾燥用流体を供給する乾燥用球体供
給口部材２ｂが設けられている。また、第１支持部材４
は、上下方向に延びる１対の板材４ａの下端部の両端部
どうしを棒状体４ｂで連結しているとともに、両棒状体
４ｂの上面に、所定間隔ごとに基板３の周縁部と係合す
る係合部材４ｃを設けてなり、さらに、板材４ａの上端
部から外方に延びる水平部材４ｄを有しているととも
に、この水平部材４ｄの所定位置と図示しない昇降機構
とを昇降用支柱４ｅで連結している。さらに、第２支持
部材５は、整流板部材６の左右の側辺に近接する位置
に、所定間隔ごとに基板の周縁部と係合する係合部材５
ａを設けてなるものである。そして、整流板部材６の４
隅角部に上方に延びる板材６ａを設け、前側の１対の板
材６ａの上端部どうしを外方に延びる門形の水平部材６
ｂで連結し、後側の１対の板材６ａの上端部どうしを外
方に延びる門形の水平部材６ｂで連結し、これらの水平
部材６ｂの所定位置と図示しない昇降機構とを昇降用支
柱６ｃで連結している。
るようにオーバーフロー槽１ｂを有しているとともに、
オーバーフロー槽１ｂから洗浄用流体を排出する洗浄用
流体排出管１ｃを有している。そして、処理槽１は、中
央部から上方が一定の幅を有しているとともに、中央部
から下方が漸縮する幅を有している。また、処理槽１の
うち、整流板部材６よりも下方の空間の所定位置に洗浄
用流体供給管１ｄを有している。さらに、外槽２は、そ
の上部を前後方向に大きくして段部２ａを形成し、この
段部２ａに対してオーバーフロー槽１ｂを係合させて処
理槽１を吊り下げ支持している。そして、外槽２の蓋体
の下面中央部には、乾燥用流体を供給する乾燥用球体供
給口部材２ｂが設けられている。また、第１支持部材４
は、上下方向に延びる１対の板材４ａの下端部の両端部
どうしを棒状体４ｂで連結しているとともに、両棒状体
４ｂの上面に、所定間隔ごとに基板３の周縁部と係合す
る係合部材４ｃを設けてなり、さらに、板材４ａの上端
部から外方に延びる水平部材４ｄを有しているととも
に、この水平部材４ｄの所定位置と図示しない昇降機構
とを昇降用支柱４ｅで連結している。さらに、第２支持
部材５は、整流板部材６の左右の側辺に近接する位置
に、所定間隔ごとに基板の周縁部と係合する係合部材５
ａを設けてなるものである。そして、整流板部材６の４
隅角部に上方に延びる板材６ａを設け、前側の１対の板
材６ａの上端部どうしを外方に延びる門形の水平部材６
ｂで連結し、後側の１対の板材６ａの上端部どうしを外
方に延びる門形の水平部材６ｂで連結し、これらの水平
部材６ｂの所定位置と図示しない昇降機構とを昇降用支
柱６ｃで連結している。
【００３０】上記の構成の基板処理装置の作用は次のと
おりである。
おりである。
【００３１】第１支持部材４によって基板３を処理槽１
内に搬入し、この状態において洗浄用流体供給管１ｄか
ら吐出される洗浄用流体を整流板部材６を通して上方に
向かって所定の流速分布で供給し、基板３の洗浄を行う
ことができる。なお、処理槽１からオーバーフローする
洗浄用流体は、オーバーフロー槽１ｂおよび洗浄用流体
排出管１ｃを通して排出される。
内に搬入し、この状態において洗浄用流体供給管１ｄか
ら吐出される洗浄用流体を整流板部材６を通して上方に
向かって所定の流速分布で供給し、基板３の洗浄を行う
ことができる。なお、処理槽１からオーバーフローする
洗浄用流体は、オーバーフロー槽１ｂおよび洗浄用流体
排出管１ｃを通して排出される。
【００３２】そして、第１支持部材４により支持された
基板３を洗浄する場合には、基板３のうち第１支持部材
４と係合する部分は洗浄されない。しかし、第２支持部
材５を少しだけ上昇させて基板３の周縁部と係合させ、
第１支持部材４をさらに下降させて基板３から離せば、
上記部分を洗浄することができる。したがって、基板３
の全表面をばらつきなく洗浄することができる。
基板３を洗浄する場合には、基板３のうち第１支持部材
４と係合する部分は洗浄されない。しかし、第２支持部
材５を少しだけ上昇させて基板３の周縁部と係合させ、
第１支持部材４をさらに下降させて基板３から離せば、
上記部分を洗浄することができる。したがって、基板３
の全表面をばらつきなく洗浄することができる。
【００３３】以上のようにして基板３の洗浄を行った後
は、外槽２に蓋体を装着して密閉し、洗浄用流体排出管
１ａ、１ｃを通して洗浄用流体を排出しつつ乾燥用流体
供給口部材２ｂから外槽２内に乾燥用流体（例えば、イ
ソプロピルアルコール蒸気、もしくはミストなど）を供
給することによって基板３の乾燥を行う。なお、この乾
燥は、洗浄用流体の液面よりも上方に位置する部分に残
留する洗浄用流体を乾燥用流体で置換して乾燥用流体膜
を形成する、いわゆるマランゴニ乾燥によって行われ
る。
は、外槽２に蓋体を装着して密閉し、洗浄用流体排出管
１ａ、１ｃを通して洗浄用流体を排出しつつ乾燥用流体
供給口部材２ｂから外槽２内に乾燥用流体（例えば、イ
ソプロピルアルコール蒸気、もしくはミストなど）を供
給することによって基板３の乾燥を行う。なお、この乾
燥は、洗浄用流体の液面よりも上方に位置する部分に残
留する洗浄用流体を乾燥用流体で置換して乾燥用流体膜
を形成する、いわゆるマランゴニ乾燥によって行われ
る。
【００３４】この乾燥処理を行う当初においては、基板
３は第１支持部材４により支持されているとともに、第
２支持部材５が基板３から離れているのであるから、第
２支持部材５と係合することになる基板３の部分は、洗
浄用流体の液面よりも上方に位置した後に迅速に乾燥さ
れる。
３は第１支持部材４により支持されているとともに、第
２支持部材５が基板３から離れているのであるから、第
２支持部材５と係合することになる基板３の部分は、洗
浄用流体の液面よりも上方に位置した後に迅速に乾燥さ
れる。
【００３５】そして、洗浄用流体の液面が第１支持部材
４と第２支持部材５との中間まで下降した場合には、第
２支持部材５を上昇させて基板３の周縁部と係合させ、
次いで第１支持部材４を下降させて基板３から離すこと
により、基板３を第１支持部材４から第２支持部材５に
受け渡す。したがって、受け渡し時においても、基板３
と処理槽１との相対位置が一定に保持され、基板３と洗
浄用流体の液面との相対速度が一定に保持されるのであ
るから、ばらつきのない乾燥を継続することができる。
換言すれば、乾燥むら、しみなどの発生を防止すること
ができる。
４と第２支持部材５との中間まで下降した場合には、第
２支持部材５を上昇させて基板３の周縁部と係合させ、
次いで第１支持部材４を下降させて基板３から離すこと
により、基板３を第１支持部材４から第２支持部材５に
受け渡す。したがって、受け渡し時においても、基板３
と処理槽１との相対位置が一定に保持され、基板３と洗
浄用流体の液面との相対速度が一定に保持されるのであ
るから、ばらつきのない乾燥を継続することができる。
換言すれば、乾燥むら、しみなどの発生を防止すること
ができる。
【００３６】以上のようにして基板３の受け渡しが行わ
れた後も基板３の乾燥が行われ、第１支持部材４と係合
していた部分も迅速に乾燥される。
れた後も基板３の乾燥が行われ、第１支持部材４と係合
していた部分も迅速に乾燥される。
【００３７】洗浄用流体の排出が終了した後は、乾燥用
球体供給口部材２ｂから窒素ガスを供給して乾燥用流体
を排出し、その後に、外槽２の蓋体を外して、第１支持
部材４によって乾燥された基板３を取り出すことができ
る。
球体供給口部材２ｂから窒素ガスを供給して乾燥用流体
を排出し、その後に、外槽２の蓋体を外して、第１支持
部材４によって乾燥された基板３を取り出すことができ
る。
【００３８】また、この実施態様においては、第２支持
部材５と整流板部材６とを一体化しているのであるか
ら、特別の機構を設けることなく、整流板部材６を処理
槽１から取り外すことができる。さらに、処理槽１の幅
を整流板部材６の幅とほぼ等しくすることができ、処理
槽１が必要以上に大型化することを防止し、洗浄用流体
の必要量を少なくすることができる。
部材５と整流板部材６とを一体化しているのであるか
ら、特別の機構を設けることなく、整流板部材６を処理
槽１から取り外すことができる。さらに、処理槽１の幅
を整流板部材６の幅とほぼ等しくすることができ、処理
槽１が必要以上に大型化することを防止し、洗浄用流体
の必要量を少なくすることができる。
【００３９】また、この発明の基板処理装置は上記の実
施態様に限定されるものではなく、例えば、第１支持部
材４、第２支持部材５として、撥水性が良好な材質から
なるものを採用することが可能であるほか、１対の第１
支持部材４を一体化することが可能であり、その他、こ
の発明の要旨を変更しない範囲内において種々の設計変
更を施すことが可能である。
施態様に限定されるものではなく、例えば、第１支持部
材４、第２支持部材５として、撥水性が良好な材質から
なるものを採用することが可能であるほか、１対の第１
支持部材４を一体化することが可能であり、その他、こ
の発明の要旨を変更しない範囲内において種々の設計変
更を施すことが可能である。
【００４０】
【発明の効果】請求項１の発明は、基板の全表面をむら
なく処理することができ、また、処理の全期間におい
て、基板と処理槽との相対位置を一定に保持し、基板と
処理用流体との相対速度を一定に保持して、処理のばら
つきの発生を防止し、高品質な処理を達成することがで
きるという特有の効果を奏する。
なく処理することができ、また、処理の全期間におい
て、基板と処理槽との相対位置を一定に保持し、基板と
処理用流体との相対速度を一定に保持して、処理のばら
つきの発生を防止し、高品質な処理を達成することがで
きるという特有の効果を奏する。
【００４１】請求項２の発明は、制御手段によって両支
持部材を動作させることにより、請求項１と同様の効果
を奏する。
持部材を動作させることにより、請求項１と同様の効果
を奏する。
【００４２】請求項３の発明は、請求項１または請求項
２の効果に加え、第２支持部材の移動機構と整流板部材
の着脱機構とを兼用させることができるという特有の効
果を奏する。
２の効果に加え、第２支持部材の移動機構と整流板部材
の着脱機構とを兼用させることができるという特有の効
果を奏する。
【図１】この発明の基板処理装置の一実施態様を示す概
略縦断面図である。
略縦断面図である。
【図２】洗浄液減少状態を示す概略縦断面図である。
【図３】基板受け渡し動作状態を示す概略縦断面図であ
る。
る。
【図４】基板受け渡し後の状態を示す概略縦断面図であ
る。
る。
【図５】この発明の基板処理装置の他の実施態様を示す
縦断正面図である。
縦断正面図である。
【図６】同上の縦断側面図である。
【図７】同上の平面図である。
１ 処理槽 ３ 基板 ４ 第１支持部材 ５ 第２支持部材 ６ 整流板部材
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大野 正雄 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社金岡工場内 (72)発明者 粟飯原 大 大阪府堺市金岡町1304番地 ダイキン工業 株式会社金岡工場内 Ｆターム(参考） 5F031 CA01 DA03 FA03 FA14 FA18 GA13 GA30 GA40 HA72 PA30
Claims (3)
- 【請求項１】 基板（３）を処理槽（１）内に収容し、
この処理槽（１）内に処理用流体を供給して基板（３）
を処理する装置であって、 基板（３）を自然状態において安定に支持するととも
に、処理槽（１）に対する基板（３）の搬入、搬出を行
う第１支持部材（４）と、処理槽（１）内において、第
１支持部材（４）に支持された基板（３）を受け取って
安定に支持する移動可能な第２支持部材（５）とを有し
ていることを特徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 処理槽（１）に対する基板（３）の相対
的移動を防止すべく、基板（３）の受け渡し時に第１支
持部材（４）および第２支持部材（５）を動作させる制
御手段をさらに含む請求項１に記載の基板処理装置。 - 【請求項３】 前記第２支持部材（５）は、処理槽
（１）内に下方から所定の流速分布の処理用流体を供給
するための整流板部材（６）と一体的に設けられている
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35259398A JP3364620B2 (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | 基板処理装置 |
| TW092204153U TW555147U (en) | 1998-12-11 | 1999-12-10 | Substrate processing device |
| AT99959795T ATE407450T1 (de) | 1998-12-11 | 1999-12-13 | Halbleiterbearbeitungsvorrichtung |
| US09/601,993 US6589386B1 (en) | 1998-12-11 | 1999-12-13 | Device for processing wafer |
| PCT/JP1999/006998 WO2000036644A1 (fr) | 1998-12-11 | 1999-12-13 | Dispositif de traitement de plaquettes |
| EP99959795A EP1045439B1 (en) | 1998-12-11 | 1999-12-13 | Device for processing wafer |
| KR1020007008854A KR100720992B1 (ko) | 1998-12-11 | 1999-12-13 | 기판 처리장치 |
| DE69939458T DE69939458D1 (de) | 1998-12-11 | 1999-12-13 | Halbleiterbearbeitungsvorrichtung |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35259398A JP3364620B2 (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000183134A true JP2000183134A (ja) | 2000-06-30 |
| JP3364620B2 JP3364620B2 (ja) | 2003-01-08 |
Family
ID=18425115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35259398A Expired - Fee Related JP3364620B2 (ja) | 1998-12-11 | 1998-12-11 | 基板処理装置 |
Country Status (8)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6589386B1 (ja) |
| EP (1) | EP1045439B1 (ja) |
| JP (1) | JP3364620B2 (ja) |
| KR (1) | KR100720992B1 (ja) |
| AT (1) | ATE407450T1 (ja) |
| DE (1) | DE69939458D1 (ja) |
| TW (1) | TW555147U (ja) |
| WO (1) | WO2000036644A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100969A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 超音波洗浄装置、超音波洗浄方法、およびこの超音波洗浄方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
| US8567417B2 (en) | 2009-10-05 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Ultrasonic cleaning apparatus, ultrasonic cleaning method, and storage medium storing computer program for executing ultrasonic cleaning method |
| TWI490931B (zh) * | 2009-10-05 | 2015-07-01 | Tokyo Electron Ltd | 超音波清洗裝置、超音波清洗方法、及記錄有用來執行此超音波清洗方法之電腦程式的記錄媒體 |
Families Citing this family (3)
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|---|---|---|---|---|
| JP3174038B2 (ja) * | 1999-01-18 | 2001-06-11 | 東邦化成株式会社 | 基板乾燥方法およびその装置 |
| JP3802446B2 (ja) * | 2002-05-15 | 2006-07-26 | 東邦化成株式会社 | 基板乾燥方法およびその装置 |
| KR101009643B1 (ko) * | 2008-07-16 | 2011-01-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 기판 에칭 장치 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2733771B2 (ja) * | 1988-07-29 | 1998-03-30 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 液体による処理装置 |
| JP2574411B2 (ja) | 1988-08-09 | 1997-01-22 | 富士通株式会社 | 純水引き上げ乾燥用支持方法 |
| JPH0345636U (ja) * | 1989-09-11 | 1991-04-26 | ||
| JP3165435B2 (ja) * | 1990-11-17 | 2001-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 洗浄装置 |
| DE4040131A1 (de) * | 1990-12-15 | 1992-06-17 | Semax Gmbh | Verfahren zum trocknen von scheiben |
| JPH04349626A (ja) | 1991-05-27 | 1992-12-04 | Toshiba Corp | 半導体基板の引き上げ方法および引き上げ装置 |
| JPH0536668A (ja) | 1991-07-30 | 1993-02-12 | Toshiba Corp | 半導体基板乾燥方法 |
| JP3325135B2 (ja) | 1994-11-22 | 2002-09-17 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置およびそれに用いられる処理槽 |
| JPH1022256A (ja) * | 1996-07-05 | 1998-01-23 | Tokyo Electron Ltd | 洗浄・乾燥処理装置及び洗浄・乾燥処理方法 |
| JP3043709B2 (ja) | 1997-11-19 | 2000-05-22 | 株式会社カイジョー | 基板の乾燥装置 |
| JP2962705B1 (ja) | 1998-04-27 | 1999-10-12 | 株式会社ダン科学 | 基板の乾燥装置および乾燥方法 |
| JPH11345798A (ja) | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Daikin Ind Ltd | 被洗浄体処理方法およびその装置 |
-
1998
- 1998-12-11 JP JP35259398A patent/JP3364620B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-12-10 TW TW092204153U patent/TW555147U/zh unknown
- 1999-12-13 KR KR1020007008854A patent/KR100720992B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1999-12-13 EP EP99959795A patent/EP1045439B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-13 WO PCT/JP1999/006998 patent/WO2000036644A1/ja active IP Right Grant
- 1999-12-13 DE DE69939458T patent/DE69939458D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-13 US US09/601,993 patent/US6589386B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-13 AT AT99959795T patent/ATE407450T1/de not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100969A (ja) * | 2009-10-05 | 2011-05-19 | Tokyo Electron Ltd | 超音波洗浄装置、超音波洗浄方法、およびこの超音波洗浄方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 |
| US8567417B2 (en) | 2009-10-05 | 2013-10-29 | Tokyo Electron Limited | Ultrasonic cleaning apparatus, ultrasonic cleaning method, and storage medium storing computer program for executing ultrasonic cleaning method |
| TWI490931B (zh) * | 2009-10-05 | 2015-07-01 | Tokyo Electron Ltd | 超音波清洗裝置、超音波清洗方法、及記錄有用來執行此超音波清洗方法之電腦程式的記錄媒體 |
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|---|---|
| DE69939458D1 (de) | 2008-10-16 |
| KR20010040938A (ko) | 2001-05-15 |
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| EP1045439A1 (en) | 2000-10-18 |
| EP1045439B1 (en) | 2008-09-03 |
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| WO2000036644A1 (fr) | 2000-06-22 |
| EP1045439A4 (en) | 2007-01-10 |
| TW555147U (en) | 2003-09-21 |
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