JP4999808B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

この発明は、例えば半導体ウエハやＦＰＤ等の基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段を具備する基板処理装置に関するものである。
一般に、半導体デバイスの製造工程においては、基板としての半導体ウエハやＦＰＤ等（以下にウエハ等という）にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィ技術を用いて回路パターンを縮小してフォトレジストに転写し、これを現像処理し、その後、ウエハ等からフォトレジストを除去する一連の処理が施されている。
また、上記処理の過程において、ウエハ等を複数の保持体で垂直に保持する搬送手段によって、ウエハ等を垂直状態のまま処理液例えば薬液を貯留する処理槽内に浸漬した後、ウエハ等の表面に向かってリンス液を吐出して処理する基板処理装置が知られている。
従来のこの種の基板処理装置においては、搬送手段は、基板の下端部を支持する例えば下側保持体と、基板の転倒時に該基板の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備しており、下側保持体にはウエハ等の下端部を直接保持するＶ字状溝が設けられ、上側保持体には、ウエハ等の倒れを防止するために、略Ｙ字状の転倒防止溝が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
上記のように構成される特許文献１に記載のものによれば、搬送手段によってウエハ等を垂直状態のまま処理液例えば薬液を貯留する処理槽内に浸漬した後、処理槽内においてウエハ等の表面に向かってリンス液を吐出して処理した後、搬送手段によってウエハ等を垂直状態のまま処理槽から引き上げて乾燥室内に搬送し、乾燥室内に乾燥ガス例えば窒素（Ｎ２）ガスを供給して乾燥処理が施される。
特開平１０−２８４４５９号公報（図４，図８，図９，図１０）
ところで、特許文献１記載のものにおいては、下側保持体に設けられた保持溝すなわちＶ字状溝はウエハ等を直接保持するため、或る程度の深さ寸法を有する必要がある。しかしながら、保持溝の高さを深くすると、処理に供された処理液例えば薬液の液残りが生じ、液処理後の乾燥処理に時間を要しスループットの低下をきたすと共に、乾燥処理後にウォーターマーク等のしみが生じる懸念があった。
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等の転倒を防止でき、スループットの向上を図れるようにした基板処理装置を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、この発明の基板処理装置は、基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段と、処理液を貯留する処理槽と、を具備し、基板を上記搬送手段の上記保持体によって保持した状態で上記処理槽内の処理液に浸漬させて基板に処理を施す基板処理装置であって、上記保持体の少なくとも一つの保持体が基板の端部を直接支持する保持溝を有する保持溝部と、該保持溝部に隣接して設けられ、基板を上記保持溝で保持している際には基板と非接触であって上記保持溝による基板の支持が解かれた際に基板を保持する転倒防止溝を有する転倒防止溝部と、を一体に形成してなる、ことを特徴とする（請求項１）。
また、この発明において、上記搬送手段は、基板の下端部を直接支持する上記保持溝と上記転倒防止溝とを一体に形成する下側保持体と、基板の転倒時に該基板の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備するか（請求項２）、あるいは、基板の下部側端部を直接支持する上記保持溝と上記転倒防止溝とを一体に形成する左右一対の上側保持体と、基板の転倒時に該基板の下端部を保持する下側保持体とを具備する構造とすることができる（請求項３）。この場合、基板の下端部を支持する下側保持体又は基板の下部側端部を支持する左右一対の上側保持体は、複数枚の基板を互いに並行に保持すべく上記保持溝と転倒防止溝を複数並設する構成とすることができる（請求項４，５）。
また、この発明において、上記転倒防止溝は、上記保持溝の開口端より高い開口端と、上記保持溝の溝底より深い溝底を有する構成とする方が好ましい（請求項６）。
また、この発明において、上記保持溝は略Ｖ字状に形成され（請求項７）、また、上記転倒防止溝は保持溝の開き角度より小さい開き角度を有する略Ｖ字状、又は略Ｙ字状に形成される（請求項８，９）。
また、この発明において、上記保持溝及び保持溝部は、上記転倒防止溝及び転倒防止溝部側に向かって下り傾斜状に形成される方が好ましい（請求項１０）。
加えて、この発明において、上記保持溝を有する保持溝部は少なくともその表面が親水性を有する部材にて形成され、上記転倒防止溝を有する転倒防止溝部は少なくともその表面が疎水性を有する部材にて形成される方が好ましい（請求項１１）。
請求項１〜３記載の発明によれば、基板と保持溝との接触面積を小さくすることができ、保持溝による基板の支持が解かれた際、つまり基板が保持溝から浮き上がった際は、転倒防止溝によって基板の転倒が防止できる。
また、請求項４，５記載の発明によれば、複数枚の基板を安定させた状態で同時に液処理することができる。
また、請求項６〜９記載の発明によれば、保持溝の開口幅に合わせて転倒防止溝を形成することができる。
また、請求項１０記載の発明によれば、保持溝に溜まった処理液及び保持溝部に付着した処理液を転倒防止溝側に排水することができる。
また、請求項１１記載の発明によれば、基板が接触する保持溝部は処理液を吸着して基板への処理液の液残りを抑制することができ、基板と非接触の転倒防止溝部は、処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。
この発明によれば、上記のように構成されているので、以下のような顕著な効果が得られる。
（１）請求項１〜３記載の発明によれば、基板と保持溝との接触面積を小さくすることができると共に、基板が保持溝から浮き上がった際は、転倒防止溝によって基板の転倒が防止できるので、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができ、かつウエハ等の転倒を防止でき、スループットの向上を図ることができる。
（２）請求項４，５記載の発明によれば、上記（１）に加えて、更に複数枚の基板を安定させた状態で同時に液処理することができる。
（３）請求項６〜９記載の発明によれば、保持溝の開口幅に合わせて転倒防止溝を形成することができるので、保持溝と転倒防止溝を同一ピッチに形成することができ、複数の保持溝と転倒防止溝を少ないスペース内に形成することができる。
（４）請求項１０記載の発明によれば、保持溝に溜まった処理液及び保持溝部に付着した処理液を転倒防止溝側に排水することができるので、上記（１）〜（３）に加えて、更に液処理後の液残りを確実に少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができる。
（５）請求項１１記載の発明によれば、基板が接触する保持溝部は処理液を吸着して基板への処理液の液残りを抑制することができ、基板と非接触の転倒防止溝部は、処理液を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。したがって、上記（１）〜（４）に加えて、更に液処理後の液残りを確実に少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができる。
以下に、この発明の最良の実施形態を添付図面に基づいて詳細に説明する。ここでは、この発明に係る基板処理装置を半導体ウエハの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明する。
＜第１実施形態＞
上記洗浄・乾燥処理装置は、図１に示すように、被処理用の基板である半導体ウエハＷ（以下にウエハＷという）を収容する処理室である処理槽１と、この処理槽１の上方に位置するウエハＷを収容する乾燥室２と、処理槽１内のウエハＷに処理液である酸化膜除去用の薬液例えば希フッ酸水（ＤＨＦ）を供給する薬液供給手段３と、処理槽１内のウエハＷに別の処理液である洗浄用のリンス液を供給するリンス液供給手段４と、乾燥室２内に例えば窒素ガス（Ｎ2ガス）や清浄空気等の乾燥気体を供給する乾燥気体供給手段６と、薬液供給手段３、リンス液供給手段４及び乾燥気体供給手段６やこの発明における後述する搬送手段であるウエハボート５、容器カバー昇降機構８、シャッタ９等に制御（作動）信号を伝達する制御手段例えば中央演算処理装置１０（以下にＣＰＵ１０という）とを具備している。
この場合、上記処理槽１は、ウエハＷを収容する内槽１ａと、この内槽１ａの上端開口の外周部を包囲する外槽１ｂとで構成されている。また、内槽１ａの底部には、ドレイン口１ｃが設けられており、このドレイン口１ｃにドレイン弁１ｄを介設したドレイン管１ｅが接続されている。また、外槽１ｂの底部には、排水口１ｆが設けられており、この排水口１ｆに開閉弁１ｇを介設した排水管１ｈが接続されている。
また、処理槽１の内槽１ａ内の下部側には供給ノズル１１が配設されている。この供給ノズル１１は、主供給管１２を介してリンス液である純水（ＤＩＷ）の供給源４ａに接続されている。主供給管１２における純水供給源４ａ側には第１の開閉弁Ｖ1が介設されており、これら純水供給源４ａ、主供給管１２、第１の開閉弁Ｖ1及び供給ノズル１１によってリンス液供給手段４が形成されている。
また、主供給管１２の途中には切換開閉弁Ｖ0が介設されており、この切換開閉弁Ｖ0に接続する薬液供給管１３を介して薬液例えばフッ酸水（ＨＦ）の供給タンク３ａが接続されている。なお、薬液供給管１３にはポンプ３ｂが介設されている。これら供給タンク３ａ、薬液供給管１３、ポンプ３ｂ、切換開閉弁Ｖ0、主供給管１２及び供給ノズル１１によって薬液供給手段３が形成されている。この場合、主供給管１２内を流れる純水と供給タンク３ａから供給されるＨＦとが混合されて所定濃度の薬液（ＤＨＦ）が供給ノズル１１から処理槽１内に供給されるように構成されている。
一方、乾燥室２は、複数例えば５０枚のウエハＷを収容可能な大きさを有すると共に、上端部に搬入・搬出口１５を有する容器本体１６ａと、この容器本体１６ａの上端に形成された搬入・搬出口１５を開放又は閉鎖する容器カバー１６ｂとで主に構成されている。この場合、容器カバー１６ｂは、例えば断面逆Ｕ字状に形成され、昇降機構８によって昇降可能に形成されている。昇降機構８は、ＣＰＵ１０に電気的に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号により、昇降機構８が作動して、容器カバー１６ｂが開放又は閉鎖されるように構成されている。そして、容器カバー１６ｂが上昇した際には、搬入・搬出口１５は開放され、容器本体１６ａに対してウエハＷを搬入できる状態となる。容器本体１６ａにウエハＷを搬入して収容した後、容器カバー１６ｂが下降することで、搬入・搬出口１５が塞がれる。この場合、容器本体１６ａと容器カバー１６ｂの間の隙間は、例えばリップ式のＯリング１７ａによって密封されるように構成されている。
また、上記ウエハボート５は、図１及び図２に示すように、ガイド部７と、このガイド部７に水平状態に固着された互いに平行な２組の、ウエハＷの周縁の下端部を支持する左右一対の下側保持体２０と、ウエハＷの転倒時に該ウエハＷの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とで主に構成されている。
下側保持体２０は、ウエハＷの下端部を直接支持する保持溝２１を等間隔に５０箇所形成する保持溝部２２と、該保持溝部２２より内方側に隣接して設けられ、保持溝２１によるウエハＷの支持が解かれた際すなわち保持溝２１から浮き上がった際にウエハＷを保持する転倒防止溝２３を等間隔に５０箇所形成する転倒防止溝部２４と、で一体に形成されている。
この場合、保持溝２１は、開き角度を大きくした略Ｖ字状の浅溝にて形成されている。また、転倒防止溝２３は、保持溝２１の開口端２５より高い開口端２６と、保持溝２１の溝底２７より深い溝底２８を有すると共に、保持溝２１の開き角度より小さい開き角度を有する略Ｖ字状の深溝にて形成されている。なお、転倒防止溝２３を保持溝２１の開き角度より小さい開き角度を有する略Ｙ字状の深溝にて形成してもよい。
このように保持溝２１と転倒防止溝２３を形成することにより、保持溝２１の開口幅に合わせて転倒防止溝２３を形成することができる。したがって、保持溝２１と転倒防止溝２３を同一ピッチに形成することができ、複数の保持溝２１と転倒防止溝２３を少ないスペース内に形成することができる。
また、保持溝２１及び保持溝部２２は、転倒防止溝２３及び転倒防止溝部２４側に向かって下り傾斜状に形成され、かつ隣接する保持溝２１間の頂部２９は円弧状に形成されている。このように、保持溝２１及び保持溝部２２を転倒防止溝２３及び転倒防止溝部２４側に向かって下り傾斜状に形成することにより、保持溝２１に溜まった処理液及び保持溝部２２に付着した処理液を転倒防止溝２３側に向かって流すことができる。また、保持溝２１間の頂部２９を円弧状に形成することにより、保持溝２１間の頂部２９への液滴の付着を抑制することができる。
また、上記のように構成される保持溝２１を有する保持溝部２２は親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）にて形成されている。一方、転倒防止溝２３を有する転倒防止溝部２４は疎水性を有する部材、例えばポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ），ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）にて形成されている。この場合、保持溝部２２は少なくともその表面が親水性を有する部材であってもよい。また、転倒防止溝部２４は少なくともその表面が疎水性を有する部材であってもよい。
このように、保持溝部２２は少なくともその表面が親水性を有する部材にて形成されることにより、ウエハＷが接触する保持溝部２２は処理液（薬液，リンス液）を吸着してウエハＷへの処理液の液残りを抑制することができる。また、転倒防止溝２３を有する転倒防止溝部２４は少なくともその表面が疎水性を有する部材にて形成されることにより、ウエハＷと非接触の転倒防止溝部２４は、処理液（薬液，リンス液）を弾いて、処理後の液残りを抑制することができる。したがって、更に液処理後の液残りを確実に少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができる。
なお、上側保持体３０には、断面形状が２段テーパ形状をなし、開口側の上側テーパ部の開き角度が底溝部の下側テーパ部の開き角度より大きい略Ｙ字状の保持溝３１が等間隔に５０箇所形成されている。この保持溝３１は、ウエハＷの転倒防止を図るものであり、下側保持体２０の保持溝２１によってウエハＷを直接支持している状態では、保持溝３１とウエハＷは非接触の状態になっている。
なお、ウエハボート５は、ガイド部７に連なるシャフト１４が容器カバー１６ｂの頂部に設けられた透孔１６ｃ内に摺動可能に貫通されており、透孔１６ｃとシャフト１４との間には、伸縮式のＯリング１７ｂが介在されて、乾燥室２内の気水密が維持できるように構成されている。なお、ウエハボート５の昇降機構（図示せず）はＣＰＵ１０に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって作動し得るように構成されている。
また、処理槽１と乾燥室２とは連通口１５ａを介して連設されており、連通口１５ａに開閉手段であるシャッタ９が開閉可能に配設されており、このシャッタ９によって処理槽１と乾燥室２が遮断されるように構成されている。この場合、シャッタ９の駆動部９ａはＣＰＵ１０に電気的に接続されており、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって連通口１５ａを開閉し得るように構成されている。
上記乾燥気体供給手段６は、乾燥室２内の中央部両側に配設されるガス供給ノズル１１Ａと、このガス供給ノズル１１Ａにガス供給管１８を介して接続する乾燥気体例えばＮ2ガスの供給源６ａと、ガス供給管１８に介設される第２の開閉弁Ｖ2とで主要部が構成されている。この場合、ガス供給管１８には、温度調整器６ｂが介設されており、この温度調整器６ｂによってホットＮ2ガスが生成されるようになっている。この温度調整器６ｂと第２の開閉弁Ｖ2は、ＣＰＵ１０からの制御（作動）信号によって作動し得るように構成されている。
なお、上記薬液供給手段３、リンス液供給手段４及び乾燥気体供給手段６やウエハボート５、容器カバー昇降機構８、シャッタ９等は、ＣＰＵ１０に予めプログラムされた記憶情報に基いて制御されるようになっている。
次に、上記洗浄・乾燥処理装置を用いたウエハＷの処理の手順の一例を簡単に説明する。まず、図示しないウエハ搬送手段によって搬送された複数例えば５０枚のウエハＷを、洗浄・乾燥処理装置の上方に上昇するウエハボート５に受け渡し、次いで、ウエハボート５が下降した後、容器カバー１６ｂが閉鎖してウエハＷを処理槽１内に収容する。処理槽１内にウエハＷを収容した状態において、最初に、ポンプ３ｂを作動させると共に、第１の開閉弁Ｖ1を開放し、切換開閉弁Ｖ0を薬液供給タンク３ａ側に切り換えて処理槽１内に収容されるウエハＷに薬液（ＤＨＦ）を供給（浸漬）し、ＤＨＦによりエッチング処理を施して、ウエハＷ表面の酸化膜を除去する。次に、ポンプ３ｂを停止すると共に、切換開閉弁Ｖ0を純水供給源４ａ側のみに切り換えて処理槽１内に収容されるウエハＷにリンス液（ＤＩＷ）を供給すると共に、外槽１ｂにオーバーフローさせながらウエハＷ表面を洗浄する。上記エッチング処理又はリンス処理中に、ウエハＷが保持溝２１から浮き上った場合は、ウエハＷは転倒防止溝２３によって転倒が防止される。
上記のようにして、ウエハＷ表面の酸化膜を除去するエッチング処理及びウエハＷ表面を洗浄するリンス処理を行った後、ウエハボート５を上昇させてウエハＷを処理槽１の上方の乾燥室２内に移動する。このとき、シャッタ９が閉鎖位置に移動して乾燥室２と処理槽１とが遮断されると共に、乾燥室２内が密閉される。この状態で、第２の開閉弁Ｖ2が開放すると共に、温度調整器６ｂが作動してＮ2ガス供給源６ａから乾燥室２内にホットＮ2ガスが供給されて、ウエハＷの乾燥が行われる。この乾燥工程では、ウエハＷと保持溝２１の接触面積が小さく、ウエハＷに付着する液が少ないので、ウエハＷ表面にウォーターマークが生じる虞がない。
上記のようにして乾燥処理を行った後、昇降機構８を作動させて、容器カバー１６ｂを上昇して、容器本体１６ａの搬入・搬出口１５を開放した後、ウエハボート５を上昇して、ウエハＷを乾燥室２の上方に搬出する。そして、図示しないウエハ搬送手段にウエハＷを受け渡して、次の処理部に搬送する。
＜第２実施形態＞
上記第１実施形態では、下側保持体２０が２本の場合について説明したが、下側保持体２０Ａを１本にしてもよい。すなわち、第２実施形態のウエハボート５Ａは、図９及び図１０に示すように、ガイド部７と、このガイド部７に水平状態に固着された互いに平行な、ウエハＷの周縁の下端部を支持する１本の下側保持体２０Ａと、ウエハＷの転倒時に該ウエハＷの周縁の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とで主に構成されている。
この場合、下側保持体２０Ａには、ウエハＷの最下端部を直接支持する保持溝２１Ａを等間隔に５０箇所形成する保持溝部２２Ａと、該保持溝部２２Ａより外方側に隣接して設けられ、保持溝２１ＡによるウエハＷの支持が解かれた際すなわち保持溝２１Ａから浮き上がった際にウエハＷを保持する転倒防止溝２３Ａを等間隔に５０箇所形成する転倒防止溝部２４Ａと、を一体に形成してなる。なお図面では、正面視において、転倒防止溝部２４Ａが保持溝部２２Ａの左側に設けられているが、転倒防止溝部２４Ａを保持溝部２２Ａの右側に設けてもよい。
この場合、保持溝２１Ａは、第１実施形態の保持溝２１と同様に、開き角度を大きくした略Ｖ字状の浅溝にて形成されている。また、転倒防止溝２３Ａは保持溝部２２Ａの外側の隣接位置に設けられる転倒防止溝部２４Ａに設けられる以外は、第１実施形態の転倒防止溝２３と同様に、保持溝２１Ａの開口端２５より高い開口端２６と、保持溝２１の溝底２７より低い溝底２８を有すると共に、保持溝２１の開き角度より小さい開き角度を有する略Ｖ字状又は略Ｙ字状の深溝にて形成されている。
このように保持溝２１Ａと転倒防止溝２３Ａを形成することにより、保持溝２１Ａの開口幅に合わせて転倒防止溝２３Ａを形成することができる。したがって、保持溝２１Ａと転倒防止溝２３Ａを同一ピッチに形成することができ、複数の保持溝２１Ａと転倒防止溝２３Ａを少ないスペース内に形成することができる。
また、保持溝２１Ａ及び保持溝部２２Ａは、転倒防止溝２３Ａ及び転倒防止溝部２４Ａ側に向かって下り傾斜状に形成され、かつ隣接する保持溝２１Ａ間の頂部２９は円弧状に形成されている。このように、保持溝２１Ａ及び保持溝部２２Ａを転倒防止溝２３Ａ及び転倒防止溝部２４Ａ側に向かって下り傾斜状に形成することにより、保持溝２１Ａに溜まった処理液及び保持溝部２２Ａに付着した処理液を転倒防止溝２３Ａ側に向かって流すことができる。また、保持溝２１Ａ間の頂部２９Ａを円弧状に形成することにより、保持溝２１Ａ間の頂部２９Ａへの液滴の付着を抑制することができる。
また、第１実施形態と同様に、保持溝２１Ａを有する保持溝部２２Ａは少なくともその表面が親水性を有する部材、例えばポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）にて形成され、転倒防止溝２３Ａを有する転倒防止溝部２４Ａは少なくともその表面が疎水性を有する部材、例えばポリクロロトリフルオロエチレン（ＰＣＴＦＥ），ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）又はペルフルオロアルコキシフッ素樹脂（ＰＦＡ）にて形成されている。
なお、第２実施形態において、その他のウエハボート５Ａ以外の部分は第１実施形態と同じであるので、説明は省略する。
第２実施形態によれば、第１実施形態に比べてウエハＷとの接触面積を更に小さくすることができるので、液処理後の液残りを少なくしてウォーターマーク等のしみの発生を抑制することができる。
＜その他の実施形態＞
上記実施形態では、ウエハＷの下端部を支持する下側保持体２０，２０Ａと、ウエハＷの転倒時に該ウエハＷの下部側端部を保持する左右一対の上側保持体３０とを具備する場合について説明したが、逆の構成としてもよい。すなわち、ウエハＷの下部側端部を支持する左右一対の上側保持体と、ウエハＷの転倒時に該ウエハＷの下端部を保持する下側保持体とを具備する構成としてもよい。
また、上記実施形態では、この発明に係る基板処理装置をウエハＷの洗浄・乾燥処理装置に適用した場合について説明したが、この発明に係る基板処理装置は、ウエハＷを垂直状態に保持する搬送手段を具備する基板処理装置の全てに適用可能である。
また、この発明に係る基板処理装置は、被処理用の基板がウエハ以外の例えばＦＰＤ基板等についても同様に適用することができる。
この発明に係る基板処理装置を適用した洗浄・乾燥処理装置の一例を示す概略断面図である。 この発明におけるウエハボートの第１実施形態を示す斜視図である。 この発明における下側保持体の保持溝と転倒防止溝の第１実施形態を示す要部拡大斜視図である。 第１実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す平面図である。 第１実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す要部平面図である。 図５の正面断面図である。 図５の左側面図である。 図５の右側面図である。 この発明におけるウエハボートの第２実施形態を示す斜視図である。 この発明における下側保持体の保持溝と転倒防止溝の第２実施形態を示す平面図である。 この発明における下側保持体の保持溝と転倒防止溝の第２実施形態を示す要部拡大斜視図である。 第２実施形態のウエハボートによるウエハの保持状態を示す要部正面断面図である。 図１２の左側面図である。 図１２の右側面図である。
符号の説明
Ｗ 半導体ウエハ（基板）
１ 処理槽
２ 乾燥室
３ 薬液供給手段
４ リンス液供給手段
５，５Ａ ウエハボート（搬送手段）
６ 乾燥気体供給手段
９ シャッタ
１０ ＣＰＵ（制御手段）
２０，２０Ａ 下側保持体
２１，２１Ａ 保持溝
２２，２２Ａ 保持溝部
２３，２３Ａ 転倒防止溝
２４，２４Ａ 転倒防止溝部
２５ 保持溝の開口端
２６ 転倒防止溝の開口端
２７ 保持溝の溝底
２８ 転倒防止溝の溝底
２９ 頂部
３０ 上側保持体
３１ 保持溝

Claims (11)

  1. 基板を複数の保持体で垂直に保持した状態で搬送する搬送手段と、処理液を貯留する処理槽と、を具備し、基板を上記搬送手段の上記保持体によって保持した状態で上記処理槽内の処理液に浸漬させて基板に処理を施す基板処理装置であって、
    上記保持体の少なくとも一つの保持体が基板の端部を直接支持する保持溝を有する保持溝部と、該保持溝部に隣接して設けられ、基板を上記保持溝で保持している際には基板と非接触であって上記保持溝による基板の支持が解かれた際に基板を保持する転倒防止溝を有する転倒防止溝部と、を一体に形成してなる、
    ことを特徴とする基板処理装置。
  2. 請求項１記載の基板処理装置において、
    上記搬送手段は、基板の下端部を直接支持する上記保持溝と上記転倒防止溝とを一体に形成する下側保持体と、基板の転倒時に該基板の下部側端部を保持する左右一対の上側保持体とを具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
  3. 請求項１記載の基板処理装置において、
    上記搬送手段は、基板の下部側端部を直接支持する上記保持溝と上記転倒防止溝とを一体に形成する左右一対の上側保持体と、基板の転倒時に該基板の下端部を保持する下側保持体とを具備してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
  4. 請求項２記載の基板処理装置において、
    上記下側保持体は、複数枚の基板を互いに平行に保持すべく保持溝と転倒防止溝を複数並設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
  5. 請求項３記載の基板処理装置において、
    上記上側保持体は、複数枚の基板を互いに平行に保持すべく保持溝と転倒防止溝を複数並設してなる、ことを特徴とする基板処理装置。
  6. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記転倒防止溝は、上記保持溝の開口端より高い開口端と、上記保持溝の溝底より深い溝底を有する、ことを特徴とする基板処理装置。
  7. 請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記保持溝は略Ｖ字状に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
  8. 請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記転倒防止溝は保持溝の開き角度より小さい開き角度を有する略Ｖ字状に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
  9. 請求項１ないし７のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記転倒防止溝は保持溝の開き角度より小さい開き角度を有する略Ｙ字状に形成されていることを特徴とする基板処理装置。
  10. 請求項１ないし９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記保持溝及び保持溝部は、上記転倒防止溝及び転倒防止溝部側に向かって下り傾斜状に形成されている、ことを特徴とする基板処理装置。
  11. 請求項１ないし１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    上記保持溝を有する保持溝部は少なくともその表面が親水性を有する部材にて形成され、上記転倒防止溝を有する転倒防止溝部は少なくともその表面が疎水性を有する部材にて形成される、ことを特徴とする基板処理装置。
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