KR20180045434A - 웨이퍼 보트 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 예시적 실시예에 따른 웨이퍼 보트 어셈블리는, 내부에 가스 라인을 가지며 웨이퍼가 놓이는 로드를 포함하는 보트; 상기 보트가 일면에 배치되며, 상기 가스 라인과 연결되는 연결 라인을 갖는 지지대; 및 상기 지지대의 타면에 배치되며, 상기 지지대를 회전시키고 상기 연결 라인으로 가스를 공급하는 베이스 유닛;을 포함할 수 있다. 상기 연결 라인으로 공급되는 가스는 상기 가스 라인을 따라 이동하여 상기 로드가 상기 웨이퍼와 접촉하는 부분에서 분사되어 상기 웨이퍼를 부양시킬 수 있다.

Description

웨이퍼 보트 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치{WAFER BOAT ASSEMBLY AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS HAVING THE SAME}
본 발명은 웨이퍼 보트 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
반도체 소자는 웨이퍼 상에 사진, 식각, 확산, 화학기상증착, 이온주입 등의 공정을 선택적으로 반복 수행하여 만들어진다. 이러한 공정 중 화학기상증착 공정은 반응로 내에 공정 가스를 주입하고 수직 방향으로 배치된 복수의 웨이퍼들을 가열하여 각 웨이퍼 상에 박막을 증착시킬 수 있다.
복수의 웨이퍼는 보트에 적재되어 반응로 내에 배치되는데 고온의 프로세스 진행 과정에서 웨이퍼 처짐이 발생하여 웨이퍼가 보트와 물리적으로 접촉하는 부위에 스크래치 또는 슬립 등의 결함이 발생하는 문제가 있다.
이에, 당 기술분야에서는 웨이퍼가 보트와 접촉하는 부분에 발생하는 결함을 최소화하기 위한 방안이 요구되고 있다.
다만, 본 발명의 목적은 이에만 제한되는 것은 아니며, 명시적으로 언급하지 않더라도 아래에서 설명하는 과제의 해결수단이나 실시 형태로부터 파악될 수 있는 목적이나 효과도 이에 포함된다고 할 것이다.
본 발명의 예시적 실시예에 따른 웨이퍼 보트 어셈블리는, 내부에 가스 라인을 가지며 웨이퍼가 놓이는 로드를 포함하는 보트; 상기 보트가 일면에 배치되며, 상기 가스 라인과 연결되는 연결 라인을 갖는 지지대; 및 상기 지지대의 타면에 배치되며, 상기 지지대를 회전시키고 상기 연결 라인으로 가스를 공급하는 베이스 유닛;을 포함할 수 있다. 상기 연결 라인으로 공급되는 가스는 상기 가스 라인을 따라 이동하여 상기 로드가 상기 웨이퍼와 접촉하는 부분에서 분사되어 상기 웨이퍼를 부양시킬 수 있다.
본 발명의 예시적 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 공정 튜브; 및 내부에 가스 라인을 가지며 웨이퍼가 놓이는 로드를 포함하는 보트, 상기 가스 라인과 연결되는 연결 라인을 가지며 상기 보트를 지지하는 지지대, 및 상기 지지대와 연결되어 상기 지지대를 회전시키고 상기 연결 라인으로 가스를 공급하는 베이스 유닛을 포함하고, 상기 공정 튜브 내에 상기 보트와 지지대가 배치되는 웨이퍼 보트 어셈블리;를 포함할 수 있다. 상기 연결 라인으로 공급되는 가스는 상기 가스 라인을 따라 이동하여 상기 로드가 상기 웨이퍼와 접촉하는 부분에서 분사되어 상기 웨이퍼를 부양시킬 수 있다.
본 발명의 일 실시 형태에 따르면, 웨이퍼가 보트와 접촉하는 부분에 발생하는 결함을 최소화할 수 있는 웨이퍼 보트 어셈블리 및 이를 포함하는 기판 처리 장치가 제공될 수 있다.
본 발명의 다양하면서도 유익한 장점과 효과는 상술한 내용에 한정되지 않으며, 본 발명의 구체적인 실시 형태를 설명하는 과정에서 보다 쉽게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 보트를 개략적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2의 보트에서 'A'부분을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 4는 보트가 지지대 상에 배치되어 연결된 상태를 개략적으로 나타내는 절개사시도이다.
도 5는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 웨이퍼 보트 어셈블리에서 베이스 유닛을 개략적으로 나타내는 절개사시도이다.
도 6은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 웨이퍼 보트 어셈블리에서 베이스 유닛이 지지대 및 보트와 연결된 상태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 형태들을 설명한다. 그러나, 본 발명의 실시형태는 여러 가지 다른 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 이하 설명하는 실시 형태로 한정되는 것은 아니다.
또한, 본 발명의 실시형태는 당해 기술분야에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서, 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있으며, 도면 상의 동일한 부호로 표시되는 요소는 동일한 요소이다. 본 명세서에서, '상', '상부', '상면', '하', '하부', '하면', '측면' 등의 용어는 도면을 기준으로 한 것이며, 실제로는 소자나 구성요소가 배치되는 방향에 따라 달라질 수 있을 것이다.
도 1을 참조하여 본 발명의 예시적 실시예에 따른 기판 처리 장치를 설명한다. 도 1은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 예시적 실시예에 따른 기판 처리 장치(1)는 수직형 반응로(vertical-type furnace) 구조를 가지며, 공정 튜브(10), 측벽 단열재(20)를 포함할 수 있다.
상기 공정 튜브(10)는 높이 방향으로 수직하게 연장하여 반응 챔버를 정의할 수 있다. 상기 공정 튜브(10)는 외측 튜브(outer tube)(11) 및 상기 외측 튜브(11) 내에 설치되는 내측 튜브(inner tube)(12)를 포함할 수 있다.
상기 내측 튜브(12)는 상단 및 하단이 개방된 원통 형상을 가지며, 복수의 웨이퍼(W)가 수직 방향(높이 방향)으로 적재된 보트(100)를 내부에 수용할 수 있다.
상기 외측 튜브(11)는 상단이 폐쇄되고 하단이 개방된 원통 형상을 가지며, 상기 내측 튜브(12)를 밀폐시킬 수 있다. 상기 외측 튜브(11)의 상단은 돔 형상으로 돌출된 구조를 가질 수 있다.
상기 외측 튜브(11)와 내측 튜브(12)는, 예를 들어, 석영, 실리콘 카바이드와 같은 내열성 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 측벽 단열재(20)는 대략 원통 형상을 가지며, 내부 공간(S)을 가져 상기 공정 튜브(10)를 둘러싸는 구조로 내부에 수용할 수 있다. 상기 측벽 단열재(20)는, 예를 들어, 세라믹과 같은 고단열성의 물질로 이루어질 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 측벽 단열재(20)의 내측면에는 열선이 배치되어 상기 공정 튜브(10)를 가열할 수 있다. 상기 열선은 상기 측벽 단열재(20)의 하부 단부에서 상부 단부를 향해 상기 내측면을 따라서 나선 형태로 연장되어 구비될 수 있다. 상기 열선은 외부에서 인가되는 전력에 의해 상기 내부 공간(S) 내의 온도가 원하는 온도 분포를 갖도록 가열할 수 있다.
상기 공정 튜브(10)를 지지하기 위한 매니폴드(30)는 상기 외측 튜브(11) 아래에 배치될 수 있다. 상기 매니폴드(30)는 상부 및 하부가 개방된 대략 원통 형상을 가질 수 있다. 상기 매니폴드(30)는, 예를 들어, 강철로 이루어질 수 있으나 이에 한정하는 것은 아니다.
상기 외측 튜브(11)의 하부 개방 단부는 반경 방향으로 돌출하는 플랜지(11a)를 가질 수 있고, 상기 플랜지(11a)는 상기 매니폴드(30)의 상단에 놓여 지지될 수 있다. 상기 내측 튜브(12)의 하부 개방 단부의 플랜지(12a)는 상기 매니폴드(30)의 내측 고정단에 놓여 지지될 수 있다. 상기 외측 튜브(11)는, 예를 들어, 상기 플랜지와 상기 매니폴드(30) 사이에 개재되는 오링(o-ring)과 같은 밀봉 부재를 통해서 밀폐될 수 있다.
상기 매니폴드(30)에는 도입관(31)이 설치되고, 상기 도입관(31)은 상기 공정 튜브(10) 내에 공정 가스를 분사할 수 있다. 상기 도입관(31)은, 예를 들어, 석영, 스테인레스강 또는 합금을 재질로 이루어질 수 있다.
상기 도입관(31)은 가스 유량 제어기(MFC)가 설치된 가스 공급 파이프와 연결되고, 상기 가스 유량 제어기를 통해 원하는 타이밍에 원하는 양의 공정 가스를 공급할 수 있다. 상기 도입관(31)은 증착 공정을 위한 공정 가스를 제공할 수 있다. 예를 들면, 상기 가스 공급원은 실리콘 산화막 또는 실리콘 질화막을 증착하기 위한 공정 가스를 제공할 수 있다.
상기 매니폴드(30)에는 배기관(32)이 설치되어 상기 공정 튜브 내의 가스를 외부로 배출할 수 있다. 상기 배기관(32)은 내측 튜브(12)와 외측 튜브(11) 사이의 공간에 연통될 수 있다. 상기 배기관(32)은 진공 펌프와 같은 배기 장치와 연결되어 상기 공정 튜브 내의 압력이 기 설정된 압력 레벨(진공도)이 되도록 진공 배기를 수행할 수 있다.
상기 매니폴드(30)의 하부에는 웨이퍼 보트 어셈블리(40)가 배치되어 복수의 웨이퍼(W)들이 탑재된 보트(100)를 상기 공정 튜브(10) 내부로 인입 또는 인출할 수 있다.
상기 웨이퍼 보트 어셈블리(40)는 복수의 웨이퍼(W)가 탑재되는 보트(100), 상기 보트(100)가 놓이는 지지대(pedestal)(200) 및 상기 지지대(200)와 연결되는 베이스 유닛(300)을 포함할 수 있다.
도 2 및 도 3에서는 상기 보트를 개략적으로 나타내고 있다. 도 2는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 보트를 개략적으로 나타내는 사시도이고, 도 3은 도 2의 보트에서 'A'부분을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 및 도 3을 참조하면, 상기 보트(100)는 상판(110)과 하판(120) 및 상기 상판(110)과 하판(120)을 상호 연결하는 로드(130)를 포함할 수 있다. 상기 보트(100)는 고온의 공정에서 열변형과 내부식성이 강한 재질, 예를 들어, 세라믹 소재로 이루어질 수 있다.
상기 로드(130)는 다수개로 구성될 수 있으며, 내측면에 일정 간격으로 배열된 다수개의 슬롯(131)들을 가질 수 있다. 웨이퍼(W)는 각 슬롯(131)에 놓여 상기 로드(130)와 접촉할 수 있다.
상기 로드(130)는 내부에 가스 라인(132)을 가지며, 슬롯(131)의 상기 웨이퍼(W)와 접촉하는 부분에 상기 가스 라인(132)과 연결되는 노즐(133)을 가질 수 있다.
상기 보트(100)는 상기 지지대(200)의 일면에 배치되어 상기 지지대(200)에 체결될 수 있다. 도 4는 보트가 지지대 상에 배치되어 연결된 상태를 개략적으로 나타내는 절개사시도이다.
도 4를 참조하면, 상기 지지대(200)는 상기 보트(100)의 하판(120)보다 대략 큰 지름의 원판형 구조를 가질 수 있다.
상기 지지대(200)는 상기 가스 라인(132)과 연결되는 연결 라인(210)을 가질 수 있다. 그리고, 상기 일면과 대향하는 타면에 상기 연결 라인(210)과 연결되는 개구(220)를 가질 수 있다. 여기서, 상기 일면은 상기 지지대(200)의 상면에 해당하고, 상기 타면은 추후 설명하는 베이스 유닛(300)과 마주하는 면으로 상기 지지대(200)의 아랫면에 해당할 수 있다.
상기 베이스 유닛(300)은 상기 지지대(200)의 타면에 배치되며, 상기 지지대(200)를 회전시키고 상기 연결 라인(210)으로 가스를 공급할 수 있다. 도 5 및 도 6에서는 상기 베이스 유닛(300)을 개략적으로 나타내고 있다.
도 5는 본 발명의 예시적 실시예에 따른 웨이퍼 보트 어셈블리에서 베이스 유닛을 개략적으로 나타내는 절개사시도이고, 도 6은 본 발명의 예시적 실시예에 따른 웨이퍼 보트 어셈블리에서 베이스 유닛이 지지대 및 보트와 연결된 상태를 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 베이스 유닛(300)은 가스 공급관(310), 회전관(320), 하우징(330) 및 자성 밀봉부(340)를 포함할 수 있다. 상기 베이스 유닛(300)은 상기 가스 공급관(310)을 중심축으로 상기 회전관(320)과 하우징(330)이 동심원을 이루며 배치되는 구조를 가질 수 있다.
상기 가스 공급관(310)은 상기 베이스 유닛(300)의 중앙에 배치되어 상기 베이스 유닛(300)의 중심축을 정의할 수 있다. 상기 가스 공급관(310)은 양 단부가 개방된 관 구조를 가지며, 상단부가 상기 지지대(200)의 개구(220)와 마주하는 구조로 동일 축선상에 배치될 수 있다.
상기 가스 공급관(310)의 하단부는 가스 저장실(400)과 연결되어 가스 저장실(400) 내에 수용된 가스(g)를 상기 개구(220)를 통해서 상기 연결 라인(210)으로 공급할 수 있다. 상기 연결 라인(210)으로 공급되는 가스(g)는 상기 로드(130) 내의 상기 가스 라인(132)을 따라 이동하여 상기 슬롯(131)의 노즐(133)을 통해 분사되어 상기 웨이퍼(W)를 부양시킬 수 있다. 이를 통해서 상기 웨이퍼(W)와 상기 로드(130)가 물리적으로 접촉하지 않도록 할 수 있다.
상기 가스(g)는, 예를 들어, 질소 가스, 수소 가스, 헬륨 가스, 아르곤 가스 중에서 선택된 어느 하나의 가스일 수 있다.
상기 가스 공급관(310)은, 예를 들어, 유량 제어 수단(MFC)과 연결되어 공급되는 가스(g)의 유량, 압력등을 제어할 수 있다.
상기 회전관(320)은 대략 원통형의 구조를 가지며, 상기 가스 공급관(310)을 감싸는 구조로 상기 가스 공급관(310) 둘레에 배치될 수 있다. 상기 회전관(320)은 상기 지지대(200)의 아랫면에 연결되어 외부 구동원(500)으로부터 회전력을 제공받아 상기 지지대(200)를 회전시킬 수 있다.
상기 회전관(320)은, 예를 들어, 나사 체결 방식을 통해서 상기 지지대(200)와 연결될 수 있다. 상기 회전관(320)과 상기 지지대(200) 사이의 접촉면에는 오링(301)이 개재될 수 있다. 상기 오링(301)은 상기 개구(220)를 둘러싸는 형태로 배치되어 상기 가스 공급관(310)을 통해서 공급되는 가스(g)가 새어나가는 것을 방지할 수 있다.
상기 하우징(330)은 상기 회전관(320)을 감싸는 구조로 상기 회전관(320) 둘레에 배치되며, 상기 가스 공급관(310)과 회전관(320)을 내부에 수용할 수 있다. 상기 하우징(330)은, 예를 들어, 용접형 금속 벨로우즈(welded metal bellows)를 포함할 수 있다.
상기 자성 밀봉부(340)는 상기 가스 공급관(310)과 이를 감싸는 상기 회전관(320) 사이, 및 상기 회전관(320)과 이를 감싸는 상기 하우징(330) 사이에 각각 배치될 수 있다. 상기 자성 밀봉부(340)는 상기 가스 공급관(310)과 이를 감싸는 상기 회전관(320) 사이, 및 상기 회전관(320)과 이를 감싸는 상기 하우징(330) 사이를 실링하여 상기 공정 튜브(100) 내의 가스가 새어나가는 것을 방지할 수 있다.
상기 자성 밀봉부(340)는 한 쌍의 자극 부재(341)와, 상기 한 쌍의 자극 부재(341) 사이에 배치되는 자석(342) 및 상기 한 쌍의 자극 부재(341)의 전면에 배치되는 자성 유체(343)를 포함하는 자성 유체 실(magnetic fluid seal)일 수 있다.
상기 자성 밀봉부(340)는 정지되어 있는 자석(342)과 회전하고 있는 회전체 사이에 자력 형성을 유도하여 자성 유체(343) 주입시 자성 유체(343)가 자극 부재(341)와 회전체 사이에서 오링(o-ring)과 같은 막을 형성하도록 함으로서 실링을 구현할 수 있다. 이러한 자성 유체 실은 비접촉식이므로 회전 운동시에 마찰이 거의 없는 장점이 있다.
본 실시예에서는 가스(g)를 공급하는 가스 공급관(310)과 보트(100)를 회전시키는 회전관(320)이 하우징(330) 내에 동심원을 이루며 배치된 구조에서 회전관(320)의 안쪽과 바깥쪽에 자성 밀봉부(340)를 배치시키는 이중 자성 유체 실(twin magnetic fluid seal) 구조를 가져서 회전관(320)의 회전에도 실링이 구현되도록 하였다.
한편, 상기 자성 밀봉부(340)와 함께 상기 가스 공급관(310)과 상기 회전관(320) 사이에는 제1 베어링(351)이 배치되고, 상기 회전관(320)과 상기 하우징(330) 사이에는 제2 베어링(352)이 배치될 수 있다. 상기 제1 베어링(351)과 제2 베어링(352)은 각각 해당 위치에서의 상기 자성 밀봉부(340)의 양측에 배치될 수 있다.
상기 제1 베어링(351)과 제2 베어링(352)은 상기 가스 공급관(310)과 하우징(330) 사이에 배치되는 상기 회전관(320)을 회전 가능하게 지지할 수 있다.
상기 하우징(330)은 프레임 유닛(360) 내에 장착되어 고정될 수 있다. 상기 프레임 유닛(360)은 상부 프레임(361), 하부 프레임(362) 및 상기 상부 프레임(361)과 하부 프레임(362)을 연결하는 연결 프레임(363)을 포함할 수 있다.
상기 하우징(330)은 상기 상부 프레임(361)과 하부 프레임(362) 사이에 배치되며, 상기 연결 프레임(363)과 연결되어 상기 가스 공급관(310)과 함께 고정될 수 있다. 그리고, 상기 회전관(320)은 상기 하우징(330)과 가스 공급관(310) 사이에서 상기 제1 및 제2 베어링(351, 352)에 의해 회전 가능하게 지지될 수 있다.
상기 지지대(200)와 베이스 유닛(300) 사이에는 실 캡(seal cap)(50)이 배치될 수 있다. 상기 실 캡(50)은 상기 보트(100)와 지지대(200)가 상기 공정 튜브(10) 내에 배치된 상태에서 상기 매니폴드(30)의 개방된 하부를 덮어 상기 공정 튜브(10) 내부를 밀폐시킬 수 있다.
상기 프레임 유닛(360)의 상부 프레임(361)은 상기 실 캡(50)의 하면에 부착되고, 상기 상부 프레임(361)과 실 캡(50)의 접촉면에는 오링(302)이 개재될 수 있다. 상기 회전관(320)과 가스 공급관(310)은 상기 실 캡(50)의 중앙홀(51)을 통해서 상기 지지대(200)와 연결될 수 있다.
상기 베이스 유닛(300)은 상기 보트(100)가 공정 튜브(10) 내부로 인입 또는 인출되는 과정, 증착 공정 완료 후 공정 튜브(10) 내부의 온도를 낮추는 과정에서는 상기 지지대(200) 및 보트(100)를 회전시키지 않는다. 이와 같이 지지대(200)를 회전시키지 않을 때에는 상기 가스 공급관(310)을 통해 공급되는 가스(g)의 압력을 높여서 상기 웨이퍼(W)를 부양시켜 상기 웨이퍼(W)와 로드(130)를 비접촉 상태로 유지할 수 있다.
웨이퍼(W)는 공정 튜브(10) 내부로 인입되거나 인출되는 과정에서, 증착 공정 완료 후 공정 튜브(10) 내부의 온도를 낮추는 과정에서 큰 온도 변화 상태에 놓이게 되며, 이러한 급격한 온도 변화에 의해 웨이퍼(W)는 보트(100)와의 열팽창계수 차이로 인해 접촉 부분에서 스크래치 등의 결함이 발생하게 된다. 상기 베이스 유닛(300)은 큰 온도 변화 상태에서 회전관(320)의 회전을 멈추고, 가스 공급관(310)을 통해 공급되는 가스(g)의 압력을 높여 웨이퍼(W)가 로드(130)와 비접촉 상태로 유지되도록 하며, 따라서 웨이퍼(W)의 로드(130)와의 접촉 부분에 결함이 발생하는 것을 방지하거나 완화시킬 수 있다.
한편, 상기 베이스 유닛(300)은 증착 공정 진행을 위해 상기 지지대(200)를 회전시킬 때에는 상기 가스 공급관(310)을 통해 공급되는 가스(g)의 압력을 낮추어서 상기 웨이퍼(W)와 로드(130)를 접촉 상태로 유지할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시 예에는 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
1... 기판 처리 장치
10... 공정 튜브
11... 외측 튜브
12... 내측 튜브
20... 측벽 단열재
30... 매니폴드
40... 웨이퍼 보트 어셈블리
50... 실 캡
100... 보트
200... 지지대
300... 베이스 유닛
400... 가스 저장실
500... 구동원

Claims (10)

  1. 내부에 가스 라인을 가지며 웨이퍼가 놓이는 로드를 포함하는 보트;
    상기 보트가 일면에 배치되며, 상기 가스 라인과 연결되는 연결 라인을 갖는 지지대; 및
    상기 지지대의 타면에 배치되며, 상기 지지대를 회전시키고 상기 연결 라인으로 가스를 공급하는 베이스 유닛;
    을 포함하고,
    상기 연결 라인으로 공급되는 가스는 상기 가스 라인을 따라 이동하여 상기 로드가 상기 웨이퍼와 접촉하는 부분에서 분사되어 상기 웨이퍼를 부양시키는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트 어셈블리.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 베이스 유닛은,
    원통형의 구조를 가지며 상기 지지대의 아랫면에 연결되어 상기 지지대를 회전시키는 회전관;
    상기 회전관의 중앙에 배치되며 상기 연결 라인으로 상기 가스를 공급하는 가스 공급관;
    상기 가스 공급관과 회전관을 내부에 수용하는 하우징; 및
    상기 가스 공급관과 이를 감싸는 상기 회전관 사이, 및 상기 회전관과 이를 감싸는 상기 하우징 사이에 각각 배치되는 자성 밀봉부;
    를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트 어셈블리.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 베이스 유닛은, 상기 가스 공급관을 중심축으로 상기 회전관과 하우징이 동심원을 이루며 배치되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트 어셈블리.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 하우징이 장착되는 프레임 유닛을 더 포함하고,
    상기 회전관은 외부의 구동원으로부터 회전력을 입력받아 상기 프레임 유닛에 고정된 상기 하우징과 가스 공급관 사이에서 회전하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트 어셈블리.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 가스 공급관과 상기 회전관 사이에 배치되는 제1 베어링과, 상기 회전관과 상기 하우징 사이에 배치되는 제2 베어링을 더 포함하고,
    상기 제1 베어링과 제2 베어링은 상기 가스 공급관과 하우징 사이에 배치되는 상기 회전관을 회전 가능하게 지지하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트 어셈블리.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 프레임 유닛은 상부 프레임, 하부 프레임 및 상기 상부 프레임과 하부 프레임을 연결하는 연결 프레임을 포함하고,
    상기 하우징은 상기 연결 프레임과 연결되어 위치가 고정되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트 어셈블리.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 자성 밀봉부는 한 쌍의 자극 부재와, 상기 한 쌍의 자극 부재 사이에 배치되는 자석 및 상기 한 쌍의 자극 부재의 전면에 배치되는 자성 유체를 포함하는 자성 유체 실인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트 어셈블리.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 지지대는 상기 베이스 유닛과 마주하는 타면에 상기 연결 라인과 연결되는 개구를 가지는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 보트 어셈블리.
  9. 공정 튜브; 및
    내부에 가스 라인을 가지며 웨이퍼가 놓이는 로드를 포함하는 보트, 상기 가스 라인과 연결되는 연결 라인을 가지며 상기 보트를 지지하는 지지대, 및 상기 지지대와 연결되어 상기 지지대를 회전시키고 상기 연결 라인으로 가스를 공급하는 베이스 유닛을 포함하고, 상기 공정 튜브 내에 상기 보트와 지지대가 배치되는 웨이퍼 보트 어셈블리;
    를 포함하고,
    상기 연결 라인으로 공급되는 가스는 상기 가스 라인을 따라 이동하여 상기 로드가 상기 웨이퍼와 접촉하는 부분에서 분사되어 상기 웨이퍼를 부양시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 베이스 유닛은, 상기 지지대를 회전시키지 않을 때 상기 공급되는 가스의 압력을 높여서 상기 웨이퍼와 로드를 비접촉 상태로 유지하고, 상기 지지대를 회전시킬 때에는 상기 공급되는 가스의 압력을 낮추어서 상기 웨이퍼와 로드를 접촉 상태로 유지하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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