KR20210010364A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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요시타카 미우라
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은, 처리 용기의 내부에 마련된 인젝터를 회전시켰을 때의 파티클의 발생이 억제된 기판 처리 장치를 제공한다.
처리 용기와, 상기 처리 용기의 내부에 마련된 길이 방향으로 연장된 형상의 처리 가스를 공급하는 인젝터와, 상기 인젝터에 고정된 홀더와, 상기 홀더에 고정된 풍차와, 상기 풍차를 제 1 방향으로 회전시키는 구동용 가스를 공급하는 제1 구동용 가스 공급부와, 상기 풍차를 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키는 구동용 가스를 공급하는 제2 구동용 가스 공급부와, 상기 제1 구동용 가스 공급부 및 상기 제2 구동용 가스 공급부에서의 구동용 가스의 공급을 제어하는 구동용 가스 제어부를 갖고, 상기 구동용 가스 제어부에서의 제어에 의해, 상기 제1 구동용 가스 공급부 및 상기 제2 구동용 가스 공급부의 적어도 한쪽으로부터 구동용 가스를 공급해서 상기 풍차를 회전시킴으로써, 상기 인젝터를 상기 길이 방향을 회전축으로 회전시키는 기판 처리 장치에 의해 상기 과제를 해결한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
처리 용기 내에서, 기판 보유 지지구에 복수의 기판을 다단으로 보유 지지한 상태에서, 복수의 기판에 대하여 성막 처리 등을 행하는 것이 가능한 뱃치식 기판 처리 장치가 알려져 있다.
이 뱃치식 기판 처리 장치에서는, 처리 용기의 내벽을 따라 인젝터가 마련되고, 처리 용기의 하단 플랜지에 형성된 관통 구멍에 L자형 인젝터의 수평 부분이 삽입되어 고정되는 구조로 되어 있다. 또한, 인젝터의 수직 부분에는, 기판이 적층되는 방향(연직 방향)을 따라 복수의 가스 분출구가 마련되어 있고, 또한 인젝터를 회전시키는 기구가 마련되어 있는 것이 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2018-56232호 공보
그러나, 인젝터를 회전시키기 위한 부재가 처리 용기의 내부에 마련되어 있으면, 동작시켰을 때 파티클이 발생하는 경우가 있다. 이 때문에, 인젝터를 회전시켰을 때의 파티클의 발생이, 가능한 한 억제되어 있을 것이 요구되고 있었다.
본 실시 형태의 일 관점에 의하면, 처리 용기와, 상기 처리 용기의 내부에 마련된 길이 방향으로 연장된 형상의 처리 가스를 공급하는 인젝터와, 상기 인젝터에 고정된 홀더와, 상기 홀더에 고정된 풍차와, 상기 풍차를 제1 방향으로 회전시키는 구동용 가스를 공급하는 제1 구동용 가스 공급부와, 상기 풍차를 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키는 구동용 가스를 공급하는 제2 구동용 가스 공급부와, 상기 제1 구동용 가스 공급부 및 상기 제2 구동용 가스 공급부에서의 구동용 가스의 공급을 제어하는 구동용 가스 제어부를 갖고, 상기 구동용 가스 제어부에서의 제어에 의해, 상기 제1 구동용 가스 공급부 및 상기 제2 구동용 가스 공급부의 적어도 한쪽으로부터 구동용 가스를 공급해서 상기 풍차를 회전시킴으로써, 상기 인젝터를 상기 길이 방향을 회전축으로 회전시킨다.
개시의 기판 처리 장치에 의하면, 인젝터를 회전시켰을 때의 파티클의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 구조의 개략도이다.
도 2는 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 인젝터의 설명도이다.
도 3은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 주요부의 단면의 사시도이다.
도 4는 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 주요부의 단면의 분해 사시도이다.
도 5는 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 풍차의 사시도이다.
도 6은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 풍차의 상면도이다.
도 7은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 풍차의 단면도이다.
도 8은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 인젝터의 회전의 설명도이다.
도 9는 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 인젝터의 회전의 설명도이다.
도 10은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 인젝터의 회전의 설명도이다.
도 11은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 다른 인젝터의 사시도이다.
도 12는 제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 다른 인젝터의 상면도이다.
도 13은 제1 실시 형태에서의 기판 처리 방법의 흐름도이다.
도 14는 제2 실시 형태에서의 기판 처리 방법의 흐름도이다.
도 15는 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 설명도이다.
실시하기 위한 형태에 대해서, 이하에 설명한다. 또한, 동일한 부재 등에 대해서는, 동일한 부호를 부여하고 설명을 생략한다.
〔제1 실시 형태〕
(기판 처리 장치)
제1 실시 형태에서의 기판 처리 장치에 대해서, 도 1에 기초하여 설명한다. 단, 처리 대상, 처리 내용은 특별히 한정되는 것은 아니고, 가스를 처리 용기 내에 공급해서 처리를 행하는 다양한 처리 장치에 적용 가능하다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼(W)」라고 함)를 수용 가능한 처리 용기(10)를 갖고 있다. 처리 용기(10)는, 내열성이 높은 석영에 의해 대략 원통체상으로 성형되고, 천장에 배기구(11)를 갖는다. 처리 용기(10)는, 연직(상하) 방향으로 연장되는 종형의 형상으로 형성되어 있다. 처리 용기(10)의 직경은, 예를 들어 처리되는 웨이퍼(W)의 직경이 300mm인 경우에는, 350 내지 450mm 정도가 되도록 형성되어 있다.
처리 용기(10)의 천장부의 배기구(11)에는, 가스 배기 포트(20)가 접속되어 있다. 가스 배기 포트(20)는, 예를 들어 배기구(11)로부터 상방으로 연장되어 직각으로 L자 형상으로 굴곡된 석영관을 갖고 있다.
가스 배기 포트(20)에는, 처리 용기(10) 내를 배기하는 진공 배기계(30)가 접속되어 있다. 구체적으로는, 진공 배기계(30)는, 가스 배기 포트(20)에 연결되는 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성되는 금속제의 가스 배기관(31)을 갖고 있다. 또한, 가스 배기관(31) 도중에는, 개폐 밸브(32), 버터플라이 밸브 등의 압력 조정 밸브(33) 및 진공 펌프(34)가 순차 마련되어 있어, 처리 용기(10) 내의 압력을 조정하면서 배기할 수 있다. 또한, 가스 배기 포트(20)의 내경은, 가스 배기관(31)의 내경과 동일해지도록 형성되어 있다.
처리 용기(10)의 측부에는, 처리 용기(10)를 둘러싸도록 해서 가열 수단(40)이 마련되어 있어, 처리 용기(10)에 수용되는 웨이퍼(W)를 가열할 수 있다. 가열 수단(40)은, 예를 들어 복수의 존으로 분할되어 있고, 연직 방향 상측으로부터 하측을 향해서, 독립적으로 발열량이 제어 가능한 복수의 히터(도시하지 않음)에 의해 형성되어 있다. 또한, 가열 수단(40)은, 복수의 존으로 분할되지 않고, 1개의 히터에 의해 구성되어 있어도 된다. 또한, 가열 수단(40)의 외주에는, 단열재(50)가 마련되어 있어, 열적 안정성이 확보되어 있다.
처리 용기(10)의 하단부는 개구되어 있어, 웨이퍼(W)를 반입, 반출할 수 있게 되어 있다. 처리 용기(10)의 하단부의 개구는, 덮개(60)에 의해 개폐가 행하여진다.
덮개(60)보다도 상방에는, 웨이퍼 보트(80)가 마련되어 있다. 웨이퍼 보트(80)는, 웨이퍼(W)를 보유 지지하기 위한 기판 보유 지지구이며, 연직 방향으로 복수의 웨이퍼(W)를 이격한 상태로 보유 지지할 수 있도록 형성되어 있다. 웨이퍼 보트(80)가 보유 지지하는 웨이퍼(W)의 매수는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들어 50매 내지 150매로 할 수 있다.
웨이퍼 보트(80)는, 석영에 의해 형성되는 보온통(75)을 개재해서 테이블(74) 상에 적재되어 있다. 테이블(74)은, 처리 용기(10)의 하단 개구부를 개폐하는 덮개(60)를 관통하는 회전축(72)의 상단부에 지지된다. 회전축(72)의 관통부에는, 예를 들어 자성유체 시일(73)이 마련되어 있어, 회전축(72)을 기밀하게 시일한 상태에서 회전 가능하게 지지하고 있다. 또한, 덮개(60)의 상면 외주부에는, 예를 들어 O링 등의 시일 부재(61)가 마련되어 있어, 처리 용기(10) 내를 밀폐할 수 있다.
회전축(72)은, 예를 들어 보트 엘리베이터 등의 승강 기구(70)에 지지된 암(71)의 선단에 설치되어 있고, 웨이퍼 보트(80) 및 덮개(60) 등을 일체적으로 승강할 수 있도록 형성되어 있다. 또한, 테이블(74)을 덮개(60)에 고정하여, 웨이퍼 보트(80)를 회전시키지 않고 웨이퍼(W)의 처리를 행하도록 해도 된다.
처리 용기(10)의 하단부에는, 원환상의 매니폴드(90)가 배치되어 있다. 그리고, 매니폴드(90)를 통해서, 처리 용기(10)의 하단부로부터, 처리 용기(10) 내에 필요한 가스를 도입한다. 매니폴드(90)는, 처리 용기(10)와는 별도 부품으로 구성되지만, 처리 용기(10)의 측벽과 일체적으로 마련되어, 처리 용기(10)의 측벽의 일부를 형성하도록 마련된다.
따라서, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치에서는, 처리 용기(10), 매니폴드(90), 덮개(60)에 의해 밀폐된 공간이 형성된다.
매니폴드(90)는 인젝터(110)를 지지하고 있다. 인젝터(110)는, 처리 용기(10) 내에 가스를 공급하기 위한 관상 부재이며, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다. 인젝터(110)는, 길이 방향으로 연장된 형상으로 형성되어 있고, 처리 용기(10)의 내부에서, 길이 방향이 연직 방향으로 되도록 설치되어 있다. 인젝터(110)에는, 길이 방향을 따라 소정 간격으로 복수의 가스 구멍(111)이 형성되어 있어, 가스 구멍(111)으로부터 수평 방향을 향해서 가스를 토출할 수 있도록 되어 있다. 인젝터(110)는 1개이어도 되고, 복수개이어도 된다.
도 2는, 도 1의 기판 처리 장치의 인젝터를 설명하기 위한 인젝터의 길이 방향에 대하여 수직으로 절단한 단면도이다. 도 2에서는, 일례로서 1개의 인젝터(110)를 도시하고 있다. 도 2의 (a)는 원점 위치에서의 인젝터(110)의 상태를 도시하고 있다. 또한, 도 2의 (b)는 원점 위치로부터 좌회전으로 소정의 각도(θ1)만큼 회전한 위치에서의 인젝터(110)의 상태를 도시하고, 도 2의 (c)는 원점 위치로부터 우회전으로 소정의 각도(θ2)만큼 회전한 위치에서의 인젝터(110)의 상태를 도시하고 있다.
인젝터(110)는, 후술하는 회전 기구에 의해, 좌회전 및 우회전으로 회전 가능하게 되어 있다. 구체적으로는, 인젝터(110)는, 도 2의 (a)에 도시된 바와 같이, 가스 구멍(111)이 처리 용기(10)의 중심을 향하고 있는 위치로부터, 도 2의 (b)에 도시된 바와 같이, 좌회전으로 각도(θ1)의 위치까지 회전 가능하면 된다. 또한, 인젝터(110)는, 도 2의 (c)에 도시된 바와 같이, 우회전으로 각도(θ2)의 위치까지 회전 가능하여도 된다. 그리고, 인젝터(110)의 가스 구멍(111)으로부터 수평 방향을 향해서 가스를 토출한 상태에서 인젝터(110)를 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)에 실시되는 처리의 면내 분포를 제어할 수 있다. 각도(θ1)와 각도(θ2)의 합은, 예를 들어 90°이다.
도 1에 도시되는 바와 같이, 인젝터(110)에는, 인젝터(110)에 가스를 공급하기 위한 가스 공급계(120)가 접속되어 있다. 가스 공급계(120)는, 인젝터(110)에 연통되는 금속, 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성되는 가스 배관(121) 및 가스 배관(121)에 접속된 가스 봄베(126)를 갖고 있다. 또한, 가스 배관(121) 도중에는, 매스 플로우 컨트롤러 등의 유량 제어기(123) 및 개폐 밸브(122)가 순차 마련되어 있어, 가스 봄베(126)로부터 공급된 처리 가스의 유량을 제어하면서 공급할 수 있다. 웨이퍼(W)의 처리에 필요한 다른 처리 가스도, 가스 공급계(120)와 마찬가지로 구성된 가스 공급계 및 매니폴드(90)를 통해서 공급된다.
처리 용기(10)의 하단부의 매니폴드(90)의 주변부는, 예를 들어 스테인리스강에 의해 형성된 베이스 플레이트(130)에 의해 지지되어 있어, 베이스 플레이트(130)에 의해 처리 용기(10)의 하중을 지지하도록 되어 있다. 베이스 플레이트(130)의 하방은, 도시하지 않은 웨이퍼 이동 탑재 기구를 갖는 웨이퍼 이동 탑재실로 되어 있고, 대략 대기압의 질소 가스 분위기로 되어 있다. 또한, 베이스 플레이트(130)의 상방은 클린 룸의 청정한 공기의 분위기로 되어 있다.
또한, 도 1에 도시되는 바와 같이, 기판 처리 장치의 전체의 제어를 행하는 제어부(150)가 마련된다. 제어부(150)는, 레시피에 따라서, 레시피에 나타난 다양한 처리 조건 하에서 처리가 행해지도록, 기판 처리 장치 내의 다양한 기기의 동작을 제어한다. 또한, 제어부(150)는, 기판 처리 장치 내에 마련된 다양한 센서로부터의 신호를 수신함으로써, 웨이퍼(W)의 위치 등을 파악하여, 프로세스를 진행시키는 시퀀스 제어를 행한다. 또한, 제어부(150)는, 기판 처리 장치 내에 마련된 다양한 검출기에서 검출되는 물리적 측정값 등을 수신함으로써 기판 처리의 상태를 파악하여, 기판 처리를 적절하게 행하기 위해서 필요한 피드백 제어 등을 행하도록 해도 된다.
제어부(150)는, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory) 등의 연산 수단 및 기억 수단을 구비한다. 제어부(150)는, 프로그램이 기억된 기억 매체로부터 레시피의 처리를 행하는 프로그램을 인스톨하여, 레시피의 처리를 실행하는 마이크로컴퓨터로서 구성되어도 된다. 또한, 제어부(150)는, ASIC(Application Specific Integrated Circuit)와 같은 전자 회로로서 구성되어도 된다.
(가스 도입 기구부)
이어서, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 가스 도입 기구부에 대해서, 도 3 및 도 4에 기초하여 보다 상세하게 설명한다. 도 3은, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치의 가스 도입 기구부의 단면 사시도이며, 도 4는, 그 분해 사시도이다.
본 실시 형태에서의 기판 처리 장치에서는, 매니폴드(90)의 상측의 면에는, 원형의 상측 개구부(91)가 마련되어 있고, 상측 개구부(91)에 대응하는 매니폴드(90)의 하측의 면에는, 원형의 하측 개구부(92)가 마련되어 있다. 또한, 매니폴드(90)에는, 상측 개구부(91)와 하측 개구부(92)를 연통하는 관통 구멍(93)이 형성된 베어링 지지부(93a)가 형성되어 있다.
매니폴드(90)는, 금속에 의해 형성되어 있고, 예를 들어 스테인리스강, 알루미늄, 하스텔로이 등의 내식성 메탈 재료 등에 의해 형성되어 있다. 처리 용기(10) 및 처리 용기(10)를 구성하는 부품은, 금속 오염을 방지하는 관점에서, 예를 들어 석영에 의해 형성되어 있다.
인젝터(110)는, 석영에 의해 형성되어 있고, 인젝터(110)의 하측에는, 하스텔로이 등의 금속에 의해 형성된 홀더(161)가 설치되어 있다. 구체적으로는, 인젝터(110)의 내부에는, 가스 유로(110a)가 형성되어 있고, 인젝터(110)의 하측에는, 하측 삽입부(110b)가 마련되어 있고, 하측 삽입부(110b)보다도 상측에는, 둘레 방향의 외측으로 확대된 고정부(110c)가 마련되어 있다. 또한, 고정부(110c)에는, 나사 구멍(110d)이 마련되어 있다.
홀더(161)의 상측에는, 인젝터(110)의 하측 삽입부(110b)가 들어가는 원형의 오목부(161a)가 마련되어 있다. 홀더(161)의 오목부(161a)에는, 코일 스프링에 의해 형성된 링상의 스프링(162)이 넣어져 있고, 또한 가스 파이프(163)가 넣어진 상태에서, 인젝터(110)의 하측 삽입부(110b)가 넣어져 있다. 가스 파이프(163)에는, 가스 유로가 되는 관통 구멍(163a)이 형성되어 있고, 가스 파이프(163)의 일부는, 인젝터(110)의 하측의 가스 유로(110a)에 들어가 있다.
인젝터(110)의 고정부(110c) 상에는, 원판상의 누름 플레이트(164)가 마련되어 있다. 누름 플레이트(164)는, 중앙에 인젝터(110)가 들어가는 관통 구멍(164a)과, 그 관통 구멍(164a)의 주위에 마련된 나사 구멍(164b)을 갖는다. 홀더(161)의 상면(161b)에는, 복수의 나사 구멍(161c)이 마련되어 있고, 인젝터(110)의 고정부(110c)는, 하측의 홀더(161)와, 상측의 누름 플레이트(164) 사이에 끼워진 상태에서, 나사(165)에 의해 고정되어 있다.
이와 같이, 홀더(161)의 오목부(161a)에, 스프링(162), 가스 파이프(163), 인젝터(110)의 하측 삽입부(110b)가 넣어져서, 누름 플레이트(164)를 개재하여, 나사(165)에 의해 고정되어 있다. 매니폴드(90)의 상측 개구부(91)에는, 베어링(166)을 개재하여, 홀더(161)가 넣어져 있고, 홀더(161)의 하측의 고정부(161g)는, 베어링(166)의 개구부 및 관통 구멍(93)을 통해서, 하측 개구부(92)의 측으로 나와 있다.
홀더(161)의 하측의 고정부(161g)는 풍차(167)와 고정되는 부분이다. 또한, 홀더(161)의 하면의 중앙부에는 하방으로 돌출되도록 단차 형상이 마련되어 있다. 이 단차 형상과 베어링(166)의 회전 부분이 접촉 고정됨으로써, 베어링(166)의 외측(고정부)의 상면과 홀더(161)의 하면 사이에는 간극이 형성된다.
본 실시 형태에서는, 나사(165)의 체결에 의해 스프링(162)이 변형되어, 그 탄성력에 의해 인젝터(110)를 상방으로 밀어올리는 힘이 발생한다. 고정부(110c)의 하면과 홀더(161)의 상면(161b) 사이에는 간극이 형성되어 있어, 복수의 나사(165)의 체결 정도에 따라 인젝터(110)의 기울기를 조정할 수 있다. 예를 들어, 인젝터(110)의 상단부를 처리 용기(10)의 내벽에 맞닿게 설치할 경우에는, 처리 용기(10)의 내벽측의 나사를 더 조이고, 보트측의 나사를 느슨하게 조이도록 하면 된다. 또한, 누름 플레이트(164)는 1매판이어도 되고, 복수로 분할되어 있어도 된다.
홀더(161)의 오목부(161a)보다도 하측에는, 가스를 공급하기 위한 슬리브(124)가 들어가는 개구부(161d)가 마련되어 있다. 슬리브(124)의 한쪽 단부에는, 가스킷을 통해서, 고정 블록(125)에 설치된 가스 배관(121)이 접속되어 있고, 다른 쪽 단부의 근방에는, 상측에 개구된 구멍(124a)이 형성되어 있다.
슬리브(124)는, 한쪽 단부로부터 다른 쪽 단부를 향해서 관통하고 있어, 가스 배관(121)으로부터 공급된 성막 가스 등의 처리 가스는, 슬리브(124)의 내부를 한쪽 단부로부터 다른 쪽 단부를 향해서 흘러, 슬리브(124)의 다른 쪽 단부 근방의 구멍(124a)으로부터 상측으로 나온다. 슬리브(124)의 다른 쪽 단부 근방의 구멍(124a)으로부터 나온 처리 가스는, 가스 파이프(163)의 내부의 관통 구멍(163a)을 통과해서, 인젝터(110)의 내부의 가스 유로(110a)를 위로 흐른다.
본 실시 형태에서는, 매니폴드(90)의 하측 개구부(92)에는, 풍차(167)가 넣어져 있으며, 풍차(167)는, 홀더(161)의 하측의 고정부(161g)의 나사 구멍(161e)에 넣어진 나사(168)에 의해 고정되어 있다. 또한, 베어링(166)은, 내열성이나 내부식성의 관점에서, 질화실리콘(SiN)에 의해 형성되어 있다. 홀더(161), 스프링(162), 가스 파이프(163), 누름 플레이트(164), 나사(165), 풍차(167), 나사(168)는 하스텔로이에 의해 형성되어 있다.
본 실시 형태에 있어서, 상기 부재에 의해 형성되는 부분의 조립 방법은, 최초로, 매니폴드(90)의 상측 개구부(91) 내에 베어링(166)을 설치한다. 이어서, 베어링(166)의 상측으로부터, 홀더(161)의 하측의 고정부(161g)를 베어링(166)의 개구부 및 관통 구멍(93)에 넣고, 매니폴드(90)의 하측 개구부(92)에 풍차(167)를 넣고, 홀더(161)의 하측의 고정부(161g)에 풍차(167)를 나사(168)에 의해 고정한다. 이어서, 홀더(161)의 오목부(161a)에, 스프링(162), 가스 파이프(163), 인젝터(110)의 하측 삽입부(110b)를 이 순으로 넣고, 고정부(110c) 상에 누름 플레이트(164)를 적재해서 나사(165)에 의해 고정한다. 이에 의해, 홀더(161)와 인젝터(110)가 고정된다. 이어서, 처리 가스용 슬리브(124)를 매니폴드(90)에 삽입하고, 가스킷을 개재하여 가스 배관(121)을 매니폴드(90)에 접속하여, 고정 블록(125)을 나사 고정한다. 이 후, 가스킷을 개재하여 제1 구동용 가스 배관(171) 및 제2 구동용 가스 배관(172)을 매니폴드(90)에 접속, 고정 블록(173)을 나사 고정한다. 이상의 공정에 의해 조립할 수 있다.
이어서, 풍차(167)에 대해서, 도 5 내지 도 7에 기초하여 설명한다. 도 5는, 풍차(167)의 사시도이며, 도 6은 상면도이며, 도 7은, 도 6의 일점쇄선 6A-6B에서 절단한 단면도이다. 풍차(167)는, 원판상의 원판부(167a)의 중앙 부분에 관통 구멍(167b)이 마련되어 있고, 관통 구멍(167b)이 마련되어 있는 부분으로부터 주위를 향해서 신장되는 핀(167c)이 복수 마련되어 있다. 상기한 바와 같이, 풍차(167)는, 풍차(167)의 관통 구멍(167b)에 넣어진 나사(168)를 나사 구멍(161e)에 넣어서 고정함으로써, 홀더(161)에 고정되어 있다.
풍차(167)는, 원판 상의 원판부(167a)와, 원판부(167a)의 중앙에 마련되어 상방으로 돌출됨과 함께 중앙 부분에 관통 구멍(167b)이 형성된 풍차 고정부(167d)와, 풍차 고정부(167d)로부터 주위를 향해서 신장되는 핀(167c)을 갖고 있다. 핀(167c)의 높이는 풍차 고정부(167d)의 높이보다 낮아지도록 형성되어 있다. 풍차 고정부(167d)의 외경은, 관통 구멍(93)의 내경보다도 작으면서 또한 베어링(166)의 회전 부분의 외경과 대략 동일한 치수로 설정되어 있어, 풍차(167)와 홀더(161)를 나사(168)에 의해 고정했을 때는, 풍차 고정부(167d)의 상면(167e)과 베어링(166)의 회전 부분의 하면이 접촉한 상태에서 고정된다. 이러한 구조로 함으로써, 핀(167c)이 다른 부재에 접촉하지 않고 회전할 수 있다.
이어서, 도 8 내지 도 10에 기초하여, 풍차(167)의 회전에 대해서 설명한다. 도 8은, 풍차(167)가 마련되어 있는 부분을 원판부(167a)에 평행한 면으로 절단한 단면도이며, 도 9는, 제1 구동용 가스 배관(171) 및 제1 구동용 가스 유로(94)가 마련되어 있는 부분을 풍차(167)의 원판부(167a)에 수직인 면으로 절단한 단면도이다. 도 10은, 매니폴드(90)의 상면측의 주요부 사시도이다.
본 실시 형태에서는, 풍차(167)는 공급된 가스의 풍력에 의해 회전한다. 구체적으로는, 풍차(167)를 회전시키기 위한 2개의 구동용 가스 배관, 즉, 제1 구동용 가스 배관(171) 및 제2 구동용 가스 배관(172)이 가스킷을 개재해서 고정 블록(173)에 의해 매니폴드(90)에 설치되어 있다. 매니폴드(90)에는, 제1 구동용 가스 배관(171)으로부터 공급된 가스가 흐르는 제1 구동용 가스 유로(94)와, 제2 구동용 가스 배관(172)으로부터 공급된 가스가 흐르는 제2 구동용 가스 유로(95)가 마련되어 있다. 본원에서는, 제1 구동용 가스 유로(94)를 제1 구동용 가스 공급부라고 기재하고, 제2 구동용 가스 유로(95)를 제2 구동용 가스 공급부라고 기재하는 경우가 있다.
제1 구동용 가스 배관(171) 및 제2 구동용 가스 배관(172)은, 구동용 가스 제어부(174)에 접속되어 있고, 구동용 가스 제어부(174)에는 구동용 가스 공급원이 되는 구동용 가스 봄베(175)가 접속되어 있다. 구동용 가스 봄베(175)의 하류측의 구동용 가스 제어부(174) 내에는, 구동용 가스의 유량을 조정하는 도시하지 않은 매스 플로우 컨트롤러와, 구동용 가스의 공급과 정지를 행하는 도시하지 않은 개폐 밸브가 이 순으로 각각 마련되어 있다. 매스 플로우 컨트롤러 및 개폐 밸브는, 제1 구동용 가스 배관(171) 및 제2 구동용 가스 배관(172)에 대응해서 각각 마련되어 있다. 또한, 구동용 가스 봄베(175)는, 제1 구동용 가스 배관(171) 및 제2 구동용 가스 배관(172) 각각에 접속하도록 2개 있어도 되고, 공용되어도 된다. 구동용 가스는, 불활성 가스이며, 예를 들어 질소 가스이다.
구동용 가스가 되는 질소 가스는, 구동용 가스 봄베(175)에 넣어져 있어, 구동용 가스 봄베(175)로부터, 구동용 가스 제어부(174)에 공급된다. 구동용 가스 제어부(174)는, 제1 구동용 가스 배관(171) 및 제2 구동용 가스 배관(172)으로의 구동용 가스의 공급을 제어한다. 또한, 구동용 가스 제어부(174)는, 제어부(150)에 접속되어 있어, 제어부(150)에서의 제어에 기초하여 구동용 가스 제어부(174)에서 구동용 가스의 공급의 제어가 이루어지는 것이어도 된다.
본 실시 형태에서는, 도 8 및 도 10의 파선 화살표 A로 나타낸 바와 같이, 제1 구동용 가스 배관(171)에 구동용 가스를 공급한다. 이렇게 공급된 구동용 가스는, 제1 구동용 가스 유로(94)를 풍차(167)가 마련되어 있는 측을 향해서 흘러, 풍차(167)의 핀(167c)에 닿아서, 풍차(167)가 파선 화살표 B로 나타내는 바와 같이, 반시계 방향로 회전한다. 이에 따라, 풍차(167)가 고정되어 있는 홀더(161)도 회전하고, 또한 홀더(161)에 고정되어 있는 인젝터(110)도 회전한다.
이어서, 제1 구동용 가스 배관(171)에의 구동용 가스의 공급을 정지하고, 도 8 및 도 10의 파선 화살표 C로 나타내는 바와 같이, 제2 구동용 가스 배관(172)에, 구동용 가스를 공급한다. 이렇게 공급된 구동용 가스는, 제2 구동용 가스 유로(95)를 풍차(167)가 마련되어 있는 측을 향해서 흘러, 풍차(167)의 핀(167c)에 닿아서, 풍차(167)가 파선 화살표 D로 도시하는 바와 같이, 시계 방향으로 회전한다. 이에 따라, 풍차(167)가 고정되어 있는 홀더(161)도 회전하고, 또한 홀더(161)에 고정되어 있는 인젝터(110)도 회전한다.
이와 같이, 구동용 가스 제어부(174)에서의 제어에 기초하여, 제1 구동용 가스 배관(171) 및 제2 구동용 가스 배관(172)으로의 구동용 가스의 공급을 교대로 반복함으로써, 인젝터(110)의 회전 방향을 교대로 바꾸면서 회전시킬 수 있다.
본 실시 형태에서는, 홀더(161)가 회전하는 각도를 제한하기 위해서, 도 10에 도시되는 바와 같이, 홀더(161)의 외주에는 둘레 방향의 외측으로 돌출된 돌기부(161f)가 마련되어 있고, 매니폴드(90)의 상면에는, 2개의 핀(96a, 96b)이 마련되어 있다.
제1 구동용 가스 배관(171)에 구동용 가스가 공급되면, 홀더(161)가 파선 화살표 B로 나타내는 바와 같이 회전하여, 홀더(161)의 돌기부(161f)는 매니폴드(90)에 마련된 핀(96a)에 접촉하고, 홀더(161)의 회전은 정지한다. 또한, 제2 구동용 가스 배관(172)에 구동용 가스가 공급되면, 홀더(161)가 파선 화살표 D로 나타내는 바와 같이 회전하여, 홀더(161)의 돌기부(161f)는 매니폴드(90)에 마련된 핀(96b)에 접촉하고, 홀더(161)의 회전은 정지한다. 본 실시 형태에서는, 핀(96a, 96b)의 위치를 바꿈으로써, 홀더(161)가 회전하는 각도를 자유롭게 설정할 수 있다.
상기에서는, 도 2 등에 도시된 바와 같이, 인젝터(110)의 구조가 원형의 통상인 경우에 대해서 설명했지만, 인젝터(110)는, 도 11 및 도 12에 도시된 바와 같이, 타원의 통상인 것이어도 된다. 이 경우, 예를 들어 인젝터(110)의 타원의 긴 직경(Ra)은 30mm이며, 짧은 직경(Rb)은 20mm이다. 또한, 웨이퍼 보트(80)와 인젝터(110)를 접근시킨 경우에, 웨이퍼 보트(80)를 회전시키면, 웨이퍼 보트(80)의 지주와 인젝터(110)가 충돌하는 경우가 있다. 이 때문에, 도 11 및 도 12에 도시한 바와 같은 타원의 인젝터(110)를 사용함으로써, 인젝터(110)를 회전함으로써, 웨이퍼 보트(80)의 지주와 인젝터(110)가 충돌하는 것을 방지할 수 있다.
(기판 처리 방법)
이어서, 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치를 사용한 기판 처리 방법에 대해서 설명한다. 기판 처리를 행할 때는, 웨이퍼 보트(80)에 복수매, 예를 들어 50 내지 150매 정도의 웨이퍼(W)가 웨이퍼 보트(80)에 적재된 상태에서 덮개(60) 상의 테이블(74) 상에 적재되고, 덮개(60)가 상승해서 처리 용기(10)가 밀폐되어, 웨이퍼(W)가 처리 용기(10) 내에 설치된다. 또한, 도 1에는, 인젝터(110)가 1개밖에 도시되지 않았지만, 도시하지 않은 복수개의 인젝터가 마련되어 있어도 된다.
이어서, 도 1에 도시된 진공 펌프(34)를 사용해서 처리 용기(10)의 내부를 소정의 압력에 도달할 때까지 배기한다.
이어서, 웨이퍼 보트(80)를 회전시켜, 인젝터(110)로부터 처리 가스를 공급한다. 처리 가스는, 용도에 따라서 다양한 가스를 선택하는 것이 가능한데, 예를 들어 실리콘 산화막을 성막하는 경우, 실리콘 함유 가스와, 산화 가스가 공급된다. 실리콘 함유 가스는, 예를 들어 아미노실란 가스이어도 되고, 산화 가스는, 예를 들어 오존 가스이어도 된다. 아미노실란 가스와 오존 가스가 반응함으로써, 반응 생성물로서 산화 실리콘이 웨이퍼(W) 상에 퇴적되어, 실리콘 산화막이 성막된다.
본 실시 형태에서는, 도 13에 도시된 바와 같이, 실리콘 산화막을 성막할 때, 구동용 가스 제어부(174)에 의한 제어에 의해, 인젝터(110)의 회전 방향을 교대로 바꾸어서 회전시킨다.
최초에, 스텝 S102에 나타내는 바와 같이, 제2 구동용 가스 배관(172)으로의 구동용 가스의 공급이 정지되어 있는 상태에서, 제1 구동용 가스 배관(171)에 구동용 가스를 공급하여, 풍차(167)를 회전시켜서, 홀더(161) 및 인젝터(110)를 회전시킨다. 홀더(161)는, 홀더(161)에 마련된 돌기부(161f)가 핀(96a)에 접촉할 때까지 회전하고, 돌기부(161f)가 핀(96a)에 접촉한 후에는 홀더(161)의 회전은 정지한다. 또한, 처리 가스가 반응성이 강한 가스일 경우에, 홀더(161)의 회전이 정지한 후에도, 구동용 가스를 공급함으로써, 처리 가스가, 풍차(167)나 베어링(166) 등이 마련되어 있는 영역에 진입하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 풍차(167)나 베어링(166) 등이 처리 가스에 의해 부식되는 것을 방지할 수 있다.
이어서, 스텝 S104에 나타내는 바와 같이, 제1 구동용 가스 배관(171)으로의 구동용 가스의 공급을 정지하고, 제2 구동용 가스 배관(172)에 구동용 가스를 공급하여, 홀더(161)를 스텝 S102와는 역방향으로, 인젝터(110)를 회전시킨다. 홀더(161)는, 홀더(161)에 마련된 돌기부(161f)가 핀(96b)에 접촉할 때까지 회전하고, 돌기부(161f)가 핀(96b)에 접촉한 후에는 홀더(161)의 회전은 정지한다. 또한, 처리 가스가 반응성이 강한 가스일 경우에, 홀더(161)의 회전이 정지한 후에도, 구동용 가스를 공급함으로써, 처리 가스가, 풍차(167)나 베어링(166) 등이 마련되어 있는 영역에 진입하는 것을 방지할 수 있다. 이에 의해, 풍차(167)나 베어링(166) 등이 처리 가스에 의해 부식되는 것을 방지할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 스텝 S102와 스텝 S104를 실리콘 산화막의 성막이 종료될 때까지, 교대로 반복해서, 인젝터(110)의 회전 방향을 교대로 바꾸어서 회전시킨다.
본 실시 형태에서, CVD(Chemical vapor deposition) 성막이라면, 아미노실란 가스와 오존 가스는 동시에 처리 용기(10) 내에 공급된다. 한편, ALD(Atomic Layer Deposition) 성막이라면, 최초에, 아미노실란 가스만을 처리 용기(10) 내에 공급해서 웨이퍼(W)의 표면에 흡착시킨다. 그 후, 퍼지 가스로 처리 용기(10) 내를 퍼지한 후, 오존 가스만 공급하여, 웨이퍼(W)의 표면에 흡착된 아미노실란 가스와의 반응에 의해, 실리콘 산화막이 웨이퍼(W)의 표면에 형성된다. 그 후, 퍼지 가스를 처리 용기(10) 내에 공급한 후, 또한 아미노실란 가스 공급, 퍼지 가스 공급, 오존 가스 공급, 퍼지 가스 공급의 사이클을 반복함으로써, 부가적인 실리콘 산화막을 점차 웨이퍼(W)의 표면에 퇴적시킨다.
본 실시 형태에서는, 처리 용기(10)의 내부에서, 인젝터(110)를 회전시키는 데 필요한 부재가, 에어 실린더나 모터 등을 사용한 경우에 비해서 적다. 또한, 에어 실린더나 모터 등을 사용한 경우에는, 인젝터(110)를 회전시키기 위해서 링크부나 기어와 같은 부재가 필요하게 되지만, 본 실시 형태에서는 구동용 가스를 공급해서 풍차를 회전시키기 때문에, 부재끼리의 접촉 개소를 대폭 저감시킬 수 있다. 이 때문에, 파티클의 발생을 억제할 수 있고, 또한 저비용으로 할 수 있으며, 공간 절약화에도 효과가 있다.
또한, 에어 실린더나 모터 등을 사용하는 경우에는, 매니폴드의 바로 근처에 에어 실린더나 모터를 설치해야 하는데, 이들 부재는, 웨이퍼를 가열할 때의 열에 의해 가열되면, 열팽창해서 파손되는 경우가 있다. 이에 반해, 본 실시 형태에서는, 에어 실린더 등이나 링크부 등을 사용하지 않고, 풍차(167)를 구동용 가스에 의해 회전시키는 기구이기 때문에, 풍차(167) 등을 제외하고 웨이퍼를 가열할 때의 열에 의해 가열되는 일은 없어, 열팽창해서 파손되는 것을 방지할 수 있다.
〔제2 실시 형태〕
이어서, 제2 실시 형태에서의 기판 처리 방법에 대해서, 도 14에 기초하여 설명한다. 본 실시 형태는, 제1 실시 형태와는 다른 방법에 의해, 인젝터(110)의 회전 방향을 교대로 바꾸어서 회전시키는 기판 처리 방법이다.
본 실시 형태에서는, 도 14에 도시되는 바와 같이, 실리콘 산화막을 성막할 때, 구동용 가스 제어부(174)에 의한 제어에 의해, 인젝터(110)의 회전 방향을 교대로 바꾸어서 회전시킨다.
구체적으로는, 최초에, 스텝 S112에 나타내는 바와 같이, 제1 구동용 가스 배관(171) 및 제2 구동용 가스 배관(172)에, 동시에 구동용 가스를 공급한다. 이 경우, 제1 구동용 가스 배관(171)에 공급되는 구동용 가스의 유량과, 제2 구동용 가스 배관(172)에 공급되는 구동용 가스의 유량이 동등하면, 풍차(167)는 회전하지 않기 때문에, 인젝터(110)도 회전하지 않고 정지하고 있다.
이어서, 스텝 S114에 나타내는 바와 같이, 소정의 시간, 제2 구동용 가스 배관(172)보다도, 제1 구동용 가스 배관(171)에 공급되는 구동용 가스의 유량을 증가시킨다. 이에 의해, 풍차(167)를 회전시키는 힘은, 제2 구동용 가스 배관(172)에 공급되는 구동용 가스보다도, 제1 구동용 가스 배관(171)에 공급되는 구동용 가스쪽이 강해진다. 따라서, 이 시간만, 풍차(167)는 제1 구동용 가스 배관(171)에 공급되는 구동용 가스에 의해 회전하고, 이에 따라 인젝터(110)도 동일한 방향으로 회전한다.
이어서, 스텝 S116에 나타내는 바와 같이, 소정의 시간, 제1 구동용 가스 배관(171)보다도, 제2 구동용 가스 배관(172)에 공급되는 구동용 가스의 유량을 증가시킨다. 이에 의해, 풍차(167)를 회전시키는 힘은, 제1 구동용 가스 배관(171)에 공급되는 구동용 가스보다도, 제2 구동용 가스 배관(172)에 공급되는 구동용 가스쪽이 강해진다. 따라서, 이 시간만, 풍차(167)는 스텝 S116과는 반대 방향으로 회전하고, 이에 따라 인젝터(110)도 동일한 방향으로 회전한다.
이 후, 다시 스텝 S114로 이행하여, 스텝 S114와 스텝 S116을 실리콘 산화막의 성막이 종료될 때까지, 교대로 반복해서, 인젝터(110)의 회전 방향을 교대로 바꾸어서 회전시킨다.
본 실시 형태에서는, 구동용 가스의 유량과, 구동용 가스를 많이 흘리는 시간을 조정함으로써, 인젝터(110)가 회전하는 각도를 소정의 각도로 할 수 있다. 이 때문에, 제1 실시 형태에서의 홀더(161)에 마련된 돌기부(161f)나 핀(96a, 96b) 등이 불필요하게 된다.
또한, 상기 이외의 내용에 대해서는, 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
〔제3 실시 형태〕
이어서, 제3 실시 형태에서의 기판 처리 장치에 대해서, 도 15에 기초하여 설명한다. 본 실시 형태에서의 기판 처리 장치는, 풍차(167)에 마련되어 있는 핀(167c)이 하향으로 되도록 설치되어 있는 구조의 것이다. 풍차(167)의 하측에는, 베어링(166)이 설치되어 있다. 이와 같이, 제1 실시 형태와는 역방향으로 풍차(167)를 설치함으로써, 파선 화살표 E로 나타내는 방향으로부터 공급되는 구동용 가스는, 풍차(167)의 핀(167c)에 닿아서, 파선 화살표 F로 나타내는 바와 같이 하향으로 흐른다. 기판 처리 장치에서는, 성막 대상이 되는 웨이퍼는 상측에 존재하고 있기 때문에, 만약 풍차(167)나 베어링(166)에서 파티클이 발생한다고 해도, 웨이퍼가 마련되어 있는 상측으로 흐르는 일은 거의 없고, 웨이퍼가 존재하고 있지 않은 하측으로 흐른다. 이에 의해, 만약 풍차(167)나 베어링(166)에서 파티클이 발생한 경우에도, 웨이퍼의 표면에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 홀더(261)와 매니폴드(290)가 대향하는 면의 각각에, 대응하는 형상의 요철, 즉, 홀더(261)에서의 요철(261a)과 매니폴드(290)에서의 요철(291a)이 마련되어 있어, 래비린스 구조로 되어 있다. 이와 같이, 래비린스 구조로 함으로써, 만약 풍차(167)나 베어링(166)에서 파티클이 발생해도, 파티클이 웨이퍼측으로 흐르는 것을 방지할 수 있다.
또한, 상기 이외의 내용에 대해서는, 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
상기에서의 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)에 소정의 막을 형성하는 경우를 예로 들어 설명했지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 웨이퍼(W)에 성막 가스를 공급하여, 웨이퍼(W)에 소정의 막을 성막하는 성막 스텝과, 에칭 가스를 공급하여, 소정의 막을 에칭하는 에칭 스텝을 반복하는 처리에 대해서도 적용 가능하다.
이상, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대해서 설명했지만, 상기 내용은, 발명의 내용을 한정하는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에서 다양한 변형 및 개량이 가능하다.

Claims (6)

  1. 처리 용기와,
    상기 처리 용기의 내부에 마련된 길이 방향으로 연장된 형상의 처리 가스를 공급하는 인젝터와,
    상기 인젝터에 고정된 홀더와,
    상기 홀더에 고정된 풍차와,
    상기 풍차를 제1 방향으로 회전시키는 구동용 가스를 공급하는 제1 구동용 가스 공급부와,
    상기 풍차를 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키는 구동용 가스를 공급하는 제2 구동용 가스 공급부와,
    상기 제1 구동용 가스 공급부 및 상기 제2 구동용 가스 공급부에서의 구동용 가스의 공급을 제어하는 구동용 가스 제어부
    를 포함하고,
    상기 구동용 가스 제어부에서의 제어에 의해, 상기 제1 구동용 가스 공급부 및 상기 제2 구동용 가스 공급부의 적어도 한쪽으로부터 구동용 가스를 공급해서 상기 풍차를 회전시킴으로써, 상기 인젝터를 상기 길이 방향을 회전축으로 회전시키는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 구동용 가스 제어부에서의 제어는,
    상기 제1 구동용 가스 공급부로부터의 구동용 가스의 공급과,
    상기 제2 구동용 가스 공급부로부터의 구동용 가스의 공급을 교대로 행하는 제어인 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 구동용 가스 제어부에서의 제어는,
    상기 제1 구동용 가스 공급부보다도, 상기 제2 구동용 가스 공급부로부터 공급되는 구동용 가스의 유량을 증가시키는 것과,
    상기 제2 구동용 가스 공급부보다도, 상기 제1 구동용 가스 공급부로부터 공급되는 구동용 가스의 유량을 증가시키는 것을 교대로 행하는 제어인 기판 처리 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 처리 용기를 지지하는 매니폴드를 포함하고,
    상기 홀더는 상기 매니폴드에 설치되어 있고,
    상기 홀더는 외주에 돌기가 마련되어 있고,
    상기 매니폴드에는, 상기 홀더의 근방에 2개의 핀이 마련되어 있고,
    상기 인젝터의 상기 제1 방향의 회전은, 상기 홀더의 돌기가 상기 2개의 핀 중의 제1 핀에 접촉할 때까지 회전하고,
    상기 인젝터의 상기 제2 방향의 회전은, 상기 홀더의 돌기가 상기 2개의 핀 중의 제2 핀에 접촉할 때까지 회전하는 기판 처리 장치.
  5. 처리 용기와, 상기 처리 용기의 내부에 마련된 길이 방향으로 연장된 형상의 처리 가스를 공급하는 인젝터와, 상기 인젝터에 고정된 홀더와, 상기 홀더에 고정된 풍차와, 상기 풍차를 회전시키는 구동용 가스를 공급하는 제1 구동용 가스 공급부 및 제2 구동용 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 풍차를 회전시킴으로써, 상기 길이 방향을 회전축으로 상기 인젝터를 회전시키는 기판 처리 방법이며,
    상기 처리 용기의 내부에, 상기 인젝터로부터 상기 처리 가스를 공급하고 있는 상태에서,
    제1 구동용 가스 공급부로부터 구동용 가스를 상기 풍차에 공급하여, 상기 인젝터를 제1 방향으로 회전시키는 공정과,
    제2 구동용 가스 공급부로부터 구동용 가스를 상기 풍차에 공급하여, 상기 인젝터를 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키는 공정
    을 교대로 행하는 기판 처리 방법.
  6. 처리 용기와, 상기 처리 용기의 내부에 마련된 길이 방향으로 연장된 형상의 처리 가스를 공급하는 인젝터와, 상기 인젝터에 고정된 홀더와, 상기 홀더에 고정된 풍차와, 상기 풍차를 회전시키는 구동용 가스를 공급하는 제1 구동용 가스 공급부 및 제2 구동용 가스 공급부를 포함하는 기판 처리 장치에 있어서, 상기 풍차를 회전시킴으로써, 상기 길이 방향을 회전축으로 상기 인젝터를 회전시키는 기판 처리 방법이며,
    상기 처리 용기의 내부에, 상기 인젝터로부터 상기 처리 가스를 공급하고, 상기 제1 구동용 가스 공급부 및 상기 제2 구동용 가스 공급부로부터 구동용 가스를 공급하고 있는 상태에서,
    상기 제2 구동용 가스 공급부보다도, 상기 제1 구동용 가스 공급부로부터 공급되는 구동용 가스의 유량을 증가시켜, 상기 인젝터를 제1 방향으로 회전시키는 공정과,
    상기 제1 구동용 가스 공급부보다도, 상기 제2 구동용 가스 공급부로부터 공급되는 구동용 가스의 유량을 증가시켜, 상기 인젝터를 상기 제1 방향과는 반대인 제2 방향으로 회전시키는 공정
    을 교대로 행하는 기판 처리 방법.
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